JP7284683B2 - バルク弾性波コンポーネントと無線通信デバイス - Google Patents

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優先権出願の相互参照
本願は、２０１８年１０月１８日に出願された「バルク弾性波コンポーネントとそのプラズマダイシングの方法」との名称の米国仮特許出願第６２／７４７，４８６号の優先権の利益を主張し、その開示は、全体がここに参照により組み入れられる。

本開示の実施形態は弾性波コンポーネントに関し、詳しくは、バルク弾性波コンポーネントに関する。

無線周波数電子システムには弾性波フィルタを実装することができる。例えば、携帯電話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、弾性波フィルタを含み得る。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングすることができる。弾性波フィルタは、帯域通過フィルタとしてよい。複数の弾性波フィルタを、マルチプレクサとして配列することができる。例えば、２つの弾性波フィルタをデュプレクサとして配列することができる。

弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された複数の弾性波共振器を含み得る。複数例の弾性波フィルタには、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ及びバルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタが含まれる。ＢＡＷフィルタはＢＡＷ共振器を含む。複数例のＢＡＷ共振器が、薄膜バルク弾性波共振器（ＦＢＡＲ）及びソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）を含む。ＢＡＷ共振器において、弾性波は、圧電層のバルクの中を伝播する。

ＢＡＷコンポーネントは、シール部分内に封入されたパッケージ状ＢＡＷ共振器を含み得る。パッケージ構造は、ＢＡＷコンポーネントのサイズを増加させる。信頼性及び性能を犠牲にすることなくＢＡＷコンポーネントのサイズを低減したいとの要望が存在する。

特許請求の範囲に記載のイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、その単独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。特許請求の範囲を制限することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が以下に記載される。

本開示の一つの側面は、個片にされたバルク弾性波コンポーネントを製造する方法である。方法は、一アレイの複数のバルク弾性波コンポーネントの基板の上に、個々のバルク弾性波コンポーネント間の露出されたストリートを形成するようにバッファ層を形成することを含む。方法はまた、露出されたストリートに沿ってバルク弾性波コンポーネントをプラズマダイシングすることによりバルク弾性波コンポーネントを個片にすることを含む。

個片にされたバルク弾性波コンポーネントはそれぞれが、バルク弾性波共振器と、当該バルク弾性波共振器を封入するキャップとを含み得る。キャップは、個片にされたバルク弾性波コンポーネントそれぞれの基板のエッジから５ミクロン以下に存在する側壁を含み得る。側壁は、個片にされたバルク弾性波コンポーネントそれぞれのエッジから少なくとも１ミクロンに存在してよい。側壁は、銅を含んでよい。

プラズマダイシングは、基板及びキャップ基板双方を通るようにエッチングすることを含み得る。バルク弾性波コンポーネントは、基板の上にかつキャップ基板の下に配置されたバルク弾性波共振器を含んでよい。基板及びキャップ基板は、シリコン基板としてよい。

方法はさらに、基板の上に導体を含み得る。導体は、基板を貫通するビアから側方に延び得る。導体は、ビアにおいて導電層に電気的に接続されてよい。バッファ層を形成することは、バッファ層が導体の少なくとも一部分の上に存在するように行うことができる。方法はさらに、導体の上にはんだを、当該はんだがビアとは重ならないように形成することを含む。

基板は、シリコン基板としてよい。バッファ層は、プラズマダイシング中にエッチングがシリコンよりも少なくとも３０倍遅い材料としてよい。バッファ層は、樹脂を含んでよい。バッファ層を形成することは、フォトリソグラフィープロセスを介して、露出されたストリートを形成することを含み得る。

バルク弾性波コンポーネントはそれぞれが、薄膜バルク弾性波共振器を含み得る。

本開示の他側面は、バルク弾性波コンポーネントを製造する方法である。方法は、第２ウェハに接合された第１ウェハを与えることを含む。第１ウェハの上には、複数のバルク弾性共振器が設けられる。第２ウェハは、複数のバルク弾性共振器の上に存在して当該バルク弾性共振器から離間される。方法は、ストリートが露出されるように、バルク弾性波共振器に対向する第１ウェハの一側にバッファ層を形成することを含む。方法は、露出されたストリートに沿って第１ウェハ及び第２ウェハを通るようにプラズマダイシングし、個片にされた複数のバルク弾性波コンポーネントを形成することを含む。

第１ウェハ及び第２ウェハは、シリコンウェハとしてよい。

個片にされた複数のバルク弾性波コンポーネントはそれぞれが、当該複数のバルク弾性波共振器の一のバルク弾性波共振器と、当該一のバルク弾性波共振器を封入するキャップとを含み得る。キャップは、側壁を含み得る。側壁は、個片にされた複数のバルク弾性波コンポーネントそれぞれの基板のエッジから１ミクロンから５ミクロンの範囲だけ離れてよく、ここで、基板は、プラズマダイシング前の第１ウェハの一部分に対応する。

本開示の他側面は、バルク弾性波コンポーネントを製造する方法である。方法は、バルク弾性波コンポーネントのシリコン基板の上に、ストリートが露出されるようにバッファ層を形成することを含む。方法はまた、露出されたストリートに沿ってバルク弾性波コンポーネントをプラズマダイシングすることによりバルク弾性波コンポーネントを個片にすることを含む。個片にされた複数のバルク弾性波コンポーネントはそれぞれが、バルク弾性波共振器と、当該バルク弾性波共振器を封入するキャップとを含む。キャップは、シリコンキャップ基板と、個片にされたバルク弾性波コンポーネントそれぞれのシリコン基板のエッジから、１ミクロンから５ミクロンの範囲にある距離だけ離間された側壁とを含む。

側壁は、銅を含んでよい。バッファ層は、樹脂を含んでよい。バルク弾性波共振器は、薄膜バルク弾性波共振器としてよい。

本開示の他側面は、基板と、当該基板上の少なくとも一つのバルク弾性波共振器と、当該少なくとも一つのバルク弾性波共振器を封入するキャップとを含むバルク弾性波コンポーネントである。キャップは、基板のエッジから離間された側壁を含む。側壁は、基板のエッジから５ミクロン以下に存在する。

側壁は、基板のエッジから３ミクロン以下に存在し得る。側壁は、基板のエッジから少なくとも１ミクロンに存在し得る。

バルク弾性波コンポーネントはさらに、基板を貫通するビアと、当該ビアの中の導電層と、当該ビアの中のバッファ層とを含み得る。

バルク弾性波コンポーネントはさらに、基板を貫通するビアと、当該ビアから側方に延びて当該ビアの中の導体層と電気的に接続される導体と、当該導体上において当該ビアから側方に配置されたはんだとを含み得る。

少なくとも一つのバルク弾性波共振器は、一の薄膜バルク弾性波共振器を含み得る。少なくとも一つのバルク弾性波共振器は、一のソリッドマウント共振器を含み得る。

基板は、シリコン基板としてよい。キャップの頂部は、シリコンキャップ基板を含み得る。

側壁は、銅を含んでよい。

少なくとも一つのバルク弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含まれた複数の薄膜バルク弾性波共振器を含み得る。複数のバルク弾性波共振器は、少なくとも１０個のバルク弾性波共振器を含み得る。

本開示の他側面は、シリコン基板と、当該シリコン基板上の少なくとも一つのバルク弾性波共振器と、当該少なくとも一つのバルク弾性波共振器を封入するキャップとを含むバルク弾性波コンポーネントである。キャップは、キャップ基板及び側壁を含む。キャップ基板はシリコンを含む。側壁は、シリコン基板のエッジから、１ミクロンから５ミクロンの範囲にある距離だけ離間される。

バルク弾性波コンポーネントはさらに、シリコン基板を貫通するビアと、当該ビアの中の導電層と、当該ビアの中のバッファ層とを含み得る。

バルク弾性波コンポーネントはさらに、基板を貫通するビアと、当該ビアから側方に延びて当該ビアの中の導体層と電気的に接続される導体と、当該導体上において当該ビアから側方に配置されたはんだとを含み得る。

側壁は、銅を含んでよい。少なくとも一つのバルク弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された弾性波フィルタに含まれた少なくとも１０個のバルク弾性波共振器を含み得る。

本開示の他側面は、アンテナとバルク弾性波コンポーネントとを含む無線通信デバイスである。バルク弾性波コンポーネントは、基板と、当該基板上のバルク弾性波共振器と、当該バルク弾性波共振器を封入するキャップとを含む。キャップは、基板のエッジから５ミクロン以下だけ離間された側壁を含む。バルク弾性波共振器は、アンテナと通信するフィルタに含まれる。

無線通信デバイスは携帯電話機としてよい。

無線通信デバイスはさらに、フィルタと通信する無線周波数増幅器と、当該フィルタとアンテナとの間に結合されたスイッチとを含み得る。

本開示をまとめる目的で本イノベーションの所定の側面、利点及び新規な特徴が、ここに記載されてきた。理解されることだが、そのような利点の必ずしもすべてが、いずれかの特定の実施形態において達成されるというわけではない。よって、本イノベーションは、ここに教示される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成することなく、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することができる。

本開示の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して以下に記載される。

一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントを製造する一例のプロセスのフロー図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントの製造プロセスを示す断面図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントの製造プロセスを示す断面図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントの製造プロセスを示す断面図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントの製造プロセスを示す断面図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントの製造プロセスを示す断面図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントの断面図である。 他実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントの断面図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントのバルク弾性波共振器を含む送信フィルタの模式的な図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントのバルク弾性波共振器を含む受信フィルタの模式的な図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントを含む無線周波数システムの模式的な図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントを含む無線周波数モジュールの模式的な図である。 一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントを含む無線周波数モジュールの模式的な図である。 一つ以上の実施形態に係るフィルタを含む一の無線通信デバイスの模式的なブロック図である。 一つ以上の実施形態に係るフィルタを含む他の無線通信デバイスの模式的なブロック図である。

所定の実施形態の以下の詳細な説明は、特定の実施形態の様々な記載を表す。しかしながら、ここに記載のイノベーションは、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバーされる多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において、同じ参照番号が同一の又は機能的に類似の要素を示し得る図面が参照される。理解されることだが、図面に示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施形態は、図面に示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び／又は図面に示される要素の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、２つ以上の図面からの特徴のいずれかの適切な組み合わせを組み入れてよい。

弾性波フィルタは、携帯電話機のＲＦフロントエンドにおいてのような様々なアプリケーションにおいて、無線周波数（ＲＦ）信号をフィルタリングすることができる。弾性波フィルタは、バルク弾性波（ＢＡＷ）コンポーネントを含み得る。ＢＡＷコンポーネントは、単一のダイを含み得る。ＢＡＷコンポーネントは、シリコン基板のような基板上に一つ以上のＢＡＷ共振器を含み得る。一つ以上のＢＡＷ共振器は、ＢＡＷコンポーネントのキャップによって封入され得る。キャップは、他のシリコン基板及び側壁を含み得る。キャップは、一つ以上のＢＡＷ共振器まわりにハーメチックシールを形成することができる。側壁は、例えば銅を含んでよい。

ＢＡＷコンポーネントは、接合されて間に中空部分を有するウェハをダイシングすることによって製造することができる。中空部分に面するＢＡＷコンポーネントの一部分においてチッピングが生じていた。相対的に大きなチップが存在する場合、ＢＡＷ共振器まわりのハーメチックシールは破壊され得る。チッピングのリスクを低減及び／又は排除するべく、ＢＡＷコンポーネントは、ＢＡＷコンポーネントのエッジとシール部分との間に空間を含み得る。この空間は、例えば、キャップの側壁から、ダイシングされるＢＡＷコンポーネントのエッジまで、約１５から２０ミクロンとすることができる。この空間は、ＢＡＷコンポーネントの面積を消費し得る。

本開示の複数の側面は、バルク弾性波コンポーネントのためのプラズマダイシングの方法に関する。再配線層を覆うべく、バッファ層を、バルク弾性波コンポーネントの上に形成することができる。バッファ層は、ダイシング用のストリートが露出されるように形成することができる。バッファ層は、プラズマダイシング用のマスク層としての役割を果たし得る。ＢＡＷコンポーネントは、プラズマダイシングによって個片にすることができる。プラズマダイシングは、ブレードダイシング又はレーザダイシングのような他のダイシング技法と比べ、もたらされるＢＡＷコンポーネントのチッピングが少なくなり得る。プラズマダイシングにより、ＢＡＷコンポーネントのチッピングリスクを増大させることなく、一つ以上のＢＡＷ共振器を封入するキャップの側壁を、他のダイシング技法よりも、ＢＡＷコンポーネントのダイシングされたエッジに近くすることができる。プラズマダイシングは、中空部分を挟んだ上側ウェハ及び下側ウェハを通るようにダイシングすることを含み得る。上側ウェハ及び下側ウェハは、シリコンウェハとしてよい。

プラズマダイシングにより、ＢＡＷコンポーネントのサイズを低減することができる。キャップの側壁とＢＡＷコンポーネントのエッジとの間の空間を小さくすることにより、多くのＢＡＷコンポーネントをウェハに含めることができる。さらに、ＢＡＷコンポーネントは、モジュールにおける面積をそれほど消費しないで済む。

ブレードダイシング技法は典型的に、鋭いエッジをダイシングするので、チップのブレードダイシングにはサイドストレスが存在し得る。これは、ブレードダイシングされたコンポーネントの鋭いエッジに、クラッキング及び／又はチッピングをもたらし得る。プラズマダイシングによれば、ダイシングのためのフォトリソグラフィープロセスによってパターンを作ることができるので、プラズマダイシング中に有意な機械的サイドストレスが存在することがない。したがって、プラズマダイシングによって鋭いエッジを維持することができる一方、機械的破断からもたらされる損傷を低減及び／又は排除することができる。所定例において、プラズマダイシングは、ＢＡＷコンポーネントの複数の角を丸くして、機械的破断技法と比べて信頼性のある性能を有するようにすることができる。丸くされた角により、ＢＡＷコンポーネントがクラッキング及び／又はチッピングするリスクを低減及び／又は排除することができる。

ここに開示される製造技法を使用することにより、単一のウェハからのＢＡＷコンポーネントの歩留まりを、所定例における従前の製造方法と比べて約１０％から１８％だけ改善することができる。歩留まりの改善は、製造コストを低減し得る。製造コストは、追加の処理動作及び／又は施設投資の結果としてコスト上昇が存在する場合であっても、改善された歩留まりゆえに低減することができる。

プラズマダイシングによりＢＡＷコンポーネントを製造する方法が開示される。図１は、一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントを製造する一例のプロセス１０のフロー図である。プロセス１０は、図２Ａ～２Ｅに示される断面図を参照して記載される。ここに開示される方法はいずれも、これよりも多い又は少ない動作を含み得る。これらの動作は、必要に応じて任意の順序で行うことができる。

プロセス１０は、ブロック１２において、キャップ内に封入された一つ以上のＢＡＷ共振器を基板に設けることを含む。基板はシリコン基板としてよい。キャップは、当該一つ以上のＢＡＷ共振器を一緒に封入する側壁及び第２基板を含んでよい。第２基板はシリコン基板としてよい。一つ以上のＢＡＷ共振器は、薄膜バルク弾性波共振器（ＦＢＡＲ）及び／又はソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）を含み得る。

ブロック１４において、再配線層が、基板の上に形成される。再配線層は、スルー基板ビアから側方に延びる導体を含む。再配線層は、配線層と称してもよい。再配線層は、ＢＡＷコンポーネントに係る一つ以上のスルー基板ビアに導電層を形成するのと同じ処理動作中に形成することができる。再配線層及び導電層は、例えば、ほぼ５ミクロン厚としてよい。はんだを、再配線層の一部分の上に形成することができる。再配線層は、スルー基板ビアにおける導電層からＢＡＷコンポーネントのはんだへの電気接続を与えることができる。再配線層により、はんだは、基板の任意の適切な部分の上に形成することができる。例えば、はんだは、スルー基板ビアから側方に形成することができる。はんだ及びスルー基板ビアは、所定例において、重なることがない。

図２Ａは、プロセス１０のブロック１４において形成される再配線層を有する複数のＢＡＷコンポーネントの断面を示す。図示のように、図２Ａにおいて、複数のＢＡＷコンポーネントはまだ、個片にされていない。図２Ａは、キャップ基板２１、基板２２、側壁２３、ＢＡＷ共振器２４、エアキャビティ２５、スルー基板ビア２６、それぞれのスルー基板ビア２６における導電層２７、再配線層２８、及び電極２９を示す。個々のＢＡＷコンポーネントが個片にされる前、第１ウェハは、個々のＢＡＷコンポーネントそれぞれの基板２２を含み、第２ウェハは、個々のＢＡＷコンポーネントそれぞれのキャップ基板２１を含む。図示のように、第１ウェハは、第２ウェハに接合される。

ＢＡＷ共振器２４は、キャップ基板２１及び側壁２３を含むキャップ内に封入される。ＢＡＷ共振器２４は、再配線層２８が形成される前にキャップ内に封入される。図示のように、接合層３０及びキャップ層３１は、基板２２と側壁２３との間に配置することができる。接合層３０は、金層としてよい。キャップ層３１は、錫キャップ層としてよい。キャップは、ＢＡＷ共振器２４まわりにハーメチックシールを形成する。したがって、ＢＡＷ共振器２４まわりのキャップ内にエアキャビティ２５が含まれ得る。いくつかの例において、ＢＡＷコンポーネントは、キャップ内に封入された１０から５０個のＢＡＷ共振器２４を含み得る。ＢＡＷ共振器２４は、一つ以上のＦＢＡＲを含み得る。代替的又は付加的に、ＢＡＷ共振器２４は、一つ以上のＳＭＲを含み得る。ＢＡＷ共振器２４は、一つ以上のフィルタに含まれてよい。基板２１は、シリコン基板としてよい。側壁２３は、銅を含んでよい。

ＢＡＷ共振器２４は、基板２２上に存在してキャップにより封入される。基板２２は、シリコン基板としてよい。スルー基板ビア２６の中における導電層２７は、ＢＡＷ共振器２４の一つ以上から基板２２の対向側上の要素までの電気接続を与えることができる。図示のように、ブロック１４において形成された再配線層２８は、基板２２上に存在し、スルー基板ビア２６から側方に延びる。したがって、電極２９は、スルー基板ビア２６から側方に再配線層２８の上に形成することができる。再配線層２８は、基板２２の、ＢＡＷ共振器２４とは反対の側に存在する。電極２９は、ＢＡＷコンポーネントへの外部接続のための端子を与える。再配線層２８により、電極２９を、ＢＡＷコンポーネントの任意の適切な箇所に位置決めすることができる。再配線層２８は、遮蔽を与えることができる。再配線層２８は、ＢＡＷ共振器２４を外部コンポーネントから遮蔽し、及び／又は外部コンポーネントをＢＡＷ共振器２４から遮蔽することができる。

図１に戻ると、バッファ層が、ブロック１６においてストリートが露出されるように基板の上に形成される。バッファ層は、フォトリソグラフィープロセスを介して形成することができる。バッファ層を形成することは、バッファ材料の層を堆積することと、バッファ材料の上の所定面積をマスキングすることと、ストリートの上のバッファ材料を除去するべく光を適用することとを含み得る。基板の一表面を、ストリートに沿って露出させることができる。バッファ層は、キャップ基板に対向する一側上のＢＡＷコンポーネントの封入を与えることができる。バッファ層は、ブロック１４において形成された再配線層の上に形成することができる。

図２Ｂは、プロセス１０のブロック１６において形成されたバッファ層３２を含むＢＡＷコンポーネントの断面を示す。バッファ層３２は、基板２２の上に存在する。バッファ層３２は、基板２２の、ＢＡＷ共振器２４とは反対側に存在する。バッファ層３２の一部分が、スルー基板ビア２６の中に存在する。バッファ層３２はまた、再配線層２８の一部分の上に存在する。図２Ｂに示すように、バッファ層３２は、電極２９が露出されたままとなるように形成される。バッファ層３２は、基板２２がプラズマダイシングされている間にエッチングに耐えるマスクとしての役割を果たす材料を含む。例えば、バッファ層３２は、シリコンよりもエッチングされにくい材料としてよい。他方、シリコンは、シリコン基板となる基板２２のためにエッチングされる。典型的に、バッファ層３２のエッチング速度は、シリコンのエッチング速度と比べて３０倍以上遅い。したがって、典型的なバッファ層厚さが、ウェハをプラズマダイシングするには十分となる。バッファ層３２は、ポリイミド層、ゴム充填材を有するフェノール樹脂層のようなフェノール樹脂層、又は任意の他の適切なバッファ層としてよい。ストリート３４は、ＢＡＷコンポーネントのダイシングを容易にする。

図２Ｃは、図２Ｂに示されるＢＡＷコンポーネントの一部分３５の拡大された図を示す。図示のように、ストリート３４は、幅Ｄ_Ｓを有し得る。幅Ｄ_Ｓは、図示のプラズマダイシングにとって適切である。ストリート３４の幅Ｄ_Ｓは、約１０ミクロンから２０ミクロンまでの範囲、例えば１０ミクロンから１５ミクロンまでの範囲としてよい。一例として、ストリート３４の幅Ｄ_Ｓは、約１５ミクロンとしてよい。図２Ｃはまた、接合層３０及びキャップ層３１が、基板２２と側壁２３との間に含まれ得ることを示す。

図１に戻ると、ブロック１８において、ＢＡＷコンポーネントが、露出されたストリートに沿ってプラズマダイシングされる。これにより、ＢＡＷコンポーネントが個片にされる。換言すれば、ＢＡＷコンポーネントは、プラズマダイシングによって互いから離され、個々のＢＡＷコンポーネントになる。プラズマダイシングは、ＢＡＷ共振器が配置される基板を通るように、及びキャップ基板を通るように乾燥エッチングすることを含み得る。このエッチングの間（例えば図２Ｂに示すように）ストリートの下には、基板とキャップ基板との間に中空部分が存在し得る。一例として、基板及びキャップ基板は双方とも、近似的に２０ミクロン毎分の速度でエッチングされるシリコン基板としてよい。この例では、基板及びキャップ基板は一緒になって約２００ミクロン厚としてよい。約２００ミクロンのシリコンを通るようにエッチングするには約１０分かかり得る。プラズマダイシングにより、個片にされたＢＡＷコンポーネントのチッピングを、ブレードダイシング又はレーザダイシングのような他のダイシング方法と比べて低減することができる。プラズマダイシングのために、フォトリソグラフィープロセスは、ストリートの任意の適切なパターンをパターニングすることができる。これにより、所定例において、個片にされたＢＡＷコンポーネントに、丸まった角をもたらすことができる。かかる丸まった角により、ＢＡＷコンポーネントがクラッキング及び／又はチッピングするリスクを低減することができるので、ＢＡＷコンポーネントの信頼性を増加させることができる。

図２Ｄは、プロセス１０のブロック１８においてプラズマダイシングをした後のＢＡＷコンポーネントの断面を示す。ストリートに沿ったプラズマダイシングは、基板２２及びキャップ基板２の複数部分を除去することにより、個々のＢＡＷコンポーネントが分離される。複数の個片ＢＡＷコンポーネント３６が、図２に示される。テープ３７が、個片にされたＢＡＷコンポーネント３６をまとめて保持する。テープ３７は、プラズマダイシングに先立って、ＢＡＷコンポーネントに積層してよい。

図２Ｅは、図２Ｄに示された個片にされたＢＡＷコンポーネント３６の一部分３８の、拡大された図を示す。図示のように、側壁２３から、個片にされたＢＡＷコンポーネント３６のエッジ基板２２のエッジまでの距離Ｄ_Ｅは、相対的に小さい。プラズマダイシングのためのマスクのようなバッファ層を使用することにより、フォトリソグラフィープロセスを使用することができる。したがって、プラズマダイシングは、機械的システム精度を有するブレードダイシング又はレーザダイシングのような他のダイシング方法よりも大きな精度を有する。例えば、プラズマダイシングは、±２ミクロン以内の精度で行うことができる。しかしながら、ブレードダイシングの場合、機械的精度が±１０ミクロンなので、５から１０ミクロンのチッピングが生じ得る。プラズマダイシングのために精度が増加しかつチッピングリスクが低減することにより、個片にされたＢＡＷコンポーネント３６の基板２２のエッジの側壁２３からの距離Ｄ_Ｅを低減することができる。個片にされたＢＡＷコンポーネント３６の側壁２３から基板２２のエッジまでの距離Ｄ_Ｅは、５ミクロン未満となり得る。距離Ｄ_Ｅは、３ミクロンとすることもできる。一例として、距離Ｄ_Ｅは、約２．５ミクロンとすることができる。距離Ｄ_Ｅは、図示のようにゼロより大きい。いくつかの例において、距離Ｄ_Ｅは、１ミクロンから５ミクロンの範囲に、例えば１ミクロンから３ミクロンの範囲にある。所定例では、側壁２３と基板２２のエッジとは、個片にされたＢＡＷコンポーネントにおいて実質的に面一となり得る。

したがって、プラズマダイシングにより、ウェハ上で隣接するＢＡＷコンポーネントのそれぞれの側壁２３間の空間を小さくすることができる。それぞれの隣接する個片にされたＢＡＷコンポーネントの側壁２３からの距離Ｄ_ＳＷは、図２Ｅにおけるストリート幅Ｄ_Ｓと距離Ｄ_Ｅの２倍との和に対応する。距離Ｄ_ＳＷは、例えば、約１０ミクロンから３０ミクロンの範囲としてよい。いくつかの例において、距離Ｄ_ＳＷは、約１０ミクロンから２０ミクロンの範囲としてよい。一例として、ストリート幅Ｄ_Ｓが約１５ミクロンとなり、距離Ｄ_Ｅが約２．５ミクロンとなり、これらから、図２Ｅに示される断面において距離Ｄ_ＳＷが約２０ミクロンとなる。

図３Ａは、一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネント４０の断面図である。ＢＡＷコンポーネント４０は、プラズマダイシングを含むプロセスによって製造することができる。例えば、バルク弾性波コンポーネント４０は、図１のプロセス１０によって製造された個片にされたＢＡＷコンポーネントに対応し得る。

図３Ａに示すように、個片にされたＢＡＷコンポーネント３６の側壁２３から基板２２のエッジまでの距離Ｄ_Ｅは、プラズマダイシングの結果、相対的に小さくなり得る。距離Ｄ_Ｅは、図２Ｅを参照して記載されるような、ここに開示される範囲のいずれかでよく、及び／又はここに開示される値のいずれかを有してよい。図示されるＢＡＷコンポーネント４０において、ＢＡＷ共振器２４は、キャップ基板２１及び側壁２３を含むキャップ内に封入される。ＢＡＷ共振器２４は、一つ以上の弾性波フィルタの共振器の一部又はすべてを形成することができる。ＢＡＷコンポーネント４０のキャップ内に封入された任意の適切な数のＢＡＷ共振器２４が存在してよい。例えば、ＢＡＷコンポーネント４０のキャップ内に封入された１０から５０個のＢＡＷ共振器２４が存在してよい。ＢＡＷ共振器２４は、スルー基板ビア２６における導電層２７、及び再配線層２８を経由して電極２９に電気的に接続されてよい。バッファ層３２が、再配線層２８の上に延び、ＢＡＷコンポーネント４０においてスルー基板ビア２６の中に含まれる。

図３Ｂは、一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネント４２の断面図である。ＢＡＷコンポーネント４２は、プラズマダイシングを含むプロセスによって製造することができる。例えば、バルク弾性波コンポーネント４２は、図１のプロセス１０によって製造された個片にされたＢＡＷコンポーネントに対応し得る。ＢＡＷコンポーネント４２は、図３ＡのＢＡＷコンポーネント４０と同様であるが、ＢＡＷコンポーネント４２が、導電層２７の代わりに等角導電層４３が充填されたビア２６を含む点を除く。等角導電層４３は、例えば、銅層としてよい。バルク弾性波コンポーネント４２は、ビア２６が等角層４３により充填され得ることを示す。

ここに開示される特徴の任意の適切な組み合わせを含むバルク弾性波コンポーネントの一つ以上のバルク弾性波共振器が、周波数範囲１（ＦＲ１）内の第５世代（５Ｇ）ニューラジオ（ＮＲ）動作帯域にある無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含まれ得る。５ＧＮＲ動作帯域における無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタは、ここに開示される任意のバルク弾性波コンポーネントの一つ以上の弾性波共振器を含み得る。ＦＲ１は、現行の５ＧＮＲ仕様に特定されるように、例えば４１０メガヘルツ（ＭＨｚ）から７．１２５ギガヘルツ（ＧＨｚ）とすることができる。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るバルク弾性波コンポーネントの一つ以上のバルク弾性波共振器は、第４世代（４Ｇ）ロングタームレボリューション（ＬＴＥ）動作帯域における無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタ、及び／又は少なくとも一つの４ＧＬＴＥ動作帯域と少なくとも一つの５ＧＮＲ動作帯域とにわたる通過帯域を有するフィルタに含まれてよい。

図４は、一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントのバルク弾性波共振器を含む送信フィルタ４５の模式的な図である。送信フィルタ４５は帯域通過フィルタとしてよい。図示の送信フィルタ４５は、送信ポートＴＸにおいて受信した無線周波数信号をフィルタリングし、フィルタリングされた出力信号をアンテナポートＡＮＴに与えるべく配列される。送信フィルタ４５は、直列ＢＡＷ共振器ＴＳ１、ＴＳ２、ＴＳ３、ＴＳ４、ＴＳ５、ＴＳ６及びＴＳ７、シャントＢＡＷ共振器ＴＰ１、ＴＰ２、ＴＰ３、ＴＰ４及びＴＰ５、直列入力インダクタＬ１、並びにシャントインダクタＬ２を含む。ＢＡＷ共振器ＴＳ１～ＴＳ７及び／又はＴＰ１～ＴＰ５の一部又はすべてが、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るＢＡＷコンポーネントに含まれてよい。例えば、図３ＡのＢＡＷコンポーネント４０、又は図３ＢのＢＡＷコンポーネント４２は、送信フィルタ４５のＢＡＷ共振器のすべてを含んでよい。所定例において、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るＢＡＷコンポーネントが、２つ以上の弾性波フィルタのＢＡＷ共振器を含み得る。任意の適切な数の直列ＢＡＷ共振器及びシャントＢＡＷ共振器が、送信フィルタ４５に含まれてよい。

図５は、一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントのバルク弾性波共振器を含む受信フィルタ５０の模式的な図である。受信フィルタ５０は帯域通過フィルタとしてよい。図示の受信フィルタ５０は、アンテナポートＡＮＴにおいて受信した無線周波数信号をフィルタリングし、フィルタリングされた出力信号を受信ポートＲＸに与えるべく配列される。受信フィルタ５０は、直列ＢＡＷ共振器ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３、ＲＳ４、ＲＳ５、ＲＳ６、ＲＳ７及びＲＳ７、シャントＢＡＷ共振器ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４及びＲＰ５、及びＲＰ６、シャントインダクタＬ２、並びに直列出力インダクタＬ３を含む。ＢＡＷ共振器ＲＳ１～ＲＳ８及び／又はＲＰ１～ＲＰ６の一部又はすべてが、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るＢＡＷコンポーネントに含まれてよい。例えば、図３ＡのＢＡＷコンポーネント４０、又は図３ＢのＢＡＷコンポーネント４２は、受信フィルタ５０のＢＡＷ共振器のすべてを含んでよい。任意の適切な数の直列ＢＡＷ共振器及びシャントＢＡＷ共振器が、受信フィルタ５０に含まれてよい。

図６は、一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントを含む無線周波数システム６０の模式的な図である。図示のように、無線周波数システム６０は、アンテナ６２、アンテナスイッチ６４、マルチプレクサ６５及び６６、フィルタ６７及び６８、電力増幅器７０、７２及び７４、並びに選択スイッチ７３を含む。電力増幅器７０、７２及び７４はそれぞれが、無線周波数信号を増幅するべく配列される。選択スイッチ７３は、電力増幅器７２の出力を、選択されたフィルタに電気的に接続する。マルチプレクサ６５及び／又はマルチプレクサ６６に係る一つ以上のフィルタが、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る一のＢＡＷコンポーネントの一つ以上のＢＡＷ共振器を含み得る。所定例では、ＢＡＷコンポーネントが、一のマルチプレクサの一つ以上のフィルタを含み得る。図６に示されたマルチプレクサがクアッドプレクサ及びデュプレクサを含むにもかかわらず、一のＢＡＷコンポーネントの一つ以上のＢＡＷ共振器が、トライプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等のような任意の他の適切なマルチプレクサを含み得る。アンテナスイッチは、一つ以上のフィルタ及び／又は一つ以上のマルチプレクサをアンテナ６２に選択的かつ電気的に接続することができる。

ここに説明されるＢＡＷコンポーネントは、様々なパッケージ状モジュールに実装することができる。これらのＢＡＷコンポーネントは、レーザダイシングを使用してダイシングされたモジュールと同様のモジュールと比べ、パッケージ状モジュールにおいて消費する面積を少なくすることができる。無線周波数信号を処理するべく構成されたパッケージ状モジュールは、無線周波数モジュールと称してよい。いくつかの無線周波数モジュールは、フロントエンドモジュールである。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るＢＡＷコンポーネントを含む無線周波数モジュールはまた、一つ以上の無線周波数増幅器（例えば一つ以上の電力増幅器及び／又は一つ以上の低雑音増幅器）、一つ以上の無線周波数スイッチ等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。ここに説明されるＢＡＷコンポーネントの任意の適切な原理及び利点を実装することができるパッケージ状モジュールの例が、ここで説明される。図７及び８は、所定実施形態に係る図示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。これらの実施形態の特徴の任意の適切な組み合わせを、互いに組み合わせることができる。

図７は、一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネント７６を含む無線周波数モジュール７５の模式的な図である。図示の無線周波数モジュール７５は、ＢＡＷコンポーネント７６及び他の回路７７を含む。ＢＡＷコンポーネント７６は、ここに開示されるＢＡＷコンポーネントの特徴の任意の適切な組み合わせを含み得る。ＢＡＷコンポーネント７６は、ＢＡＷ共振器を含むＢＡＷダイを含み得る。

図７に示されるＢＡＷコンポーネント７６は、フィルタ７８と、端子７９Ａ及び７９Ｂとを含む。フィルタ７８は、ＢＡＷ共振器を含む。端子７９Ａ及び７８Ｂは、例えば、入力接点及び出力接点として機能し得る。ＢＡＷコンポーネント７６及び他の回路７７は、図７において共通パッケージ基板８０上に存在する。パッケージ基板８０は積層基板としてよい。端子７９Ａ及び７９Ｂは、電気コネクタ８２Ａ及び８２Ｂそれぞれを経由してパッケージ基板８０上の接点８１Ａ及び８１Ｂそれぞれに電気的に接続され得る。電気コネクタ８２Ａ及び８２Ｂは、例えばバンプ又はワイヤボンドとしてよい。他の回路７７は、任意の適切な付加回路を含み得る。例えば、他の回路は、一つ以上の電力増幅器、一つ以上の無線周波数スイッチ、一つ以上の付加フィルタ、一つ以上の低雑音増幅器等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。無線周波数モジュール７５は、例えば、無線周波数モジュール７５を保護し及び／又はその容易な扱いを促すべく、一つ以上のパッケージ構造物を含み得る。かかるパッケージ構造物は、パッケージ基板７５を覆うように形成されたオーバーモールド構造物を含み得る。オーバーモールド構造物は、無線周波数モジュール７５のコンポーネントの一部又はすべてを封入することができる。

図８は、一実施形態に係るバルク弾性波コンポーネントを含む無線周波数モジュール８４の模式的な図である。図示のように、無線周波数モジュール８４は、それぞれの送信フィルタ８６Ａ１～８６Ｎ１とそれぞれの受信フィルタ８６Ａ２～８６Ｎ２を含むデュプレクサ８５Ａ～８５Ｎ、電力増幅器８７、選択スイッチ８８、及びアンテナスイッチ８９を含む。無線周波数モジュール８４は、図示の素子を封入するパッケージを含み得る。図示の素子は、共通パッケージ基板８０上に配置することができる。パッケージ基板は、例えば、積層基板としてよい。

デュプレクサ８５Ａ～８５Ｎはそれぞれが、共通ノードに結合された２つの弾性波フィルタを含み得る。２つの弾性波フィルタは、送信フィルタ及び受信フィルタとしてよい。図示のように、送信フィルタ及び受信フィルタはそれぞれが、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタを含み得る。送信フィルタ８６Ａ１～８６Ｎ１の一つ以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るＢＡＷコンポーネントの一つ以上のＢＡＷ共振器を含み得る。同様に、受信フィルタ８６Ａ２～８６Ｎ２の一つ以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るＢＡＷコンポーネントの一つ以上のＢＡＷ共振器を含み得る。図８がデュプレクサを例示するにもかかわらず、ここに開示の任意の適切な原理及び利点は、他のマルチプレクサ（例えばクアッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等）に、及び／又はスイッチプレクサに実装することができる。

電力増幅器８７は無線周波数信号を増幅することができる。図示のスイッチ８８は多投無線周波数スイッチである。スイッチ８８は、電力増幅器８７の出力を、送信フィルタ８６Ａ１～８６Ｎ１の選択された送信フィルタに電気的に結合することができる。いくつかの例において、スイッチ８８は、電力増幅器８７の出力を、送信フィルタ８６Ａ１～８６Ｎ１の一を超えるものに電気的に接続することができる。アンテナスイッチ８９は、デュプレクサ８５Ａ～８５Ｎの一つ以上からの信号をアンテナポートＡＮＴに選択的に結合することができる。デュプレクサ８５Ａ～８５Ｎは、異なる周波数帯域及び／又は異なる動作モード（例えば異なる電力モード、異なる信号モード等）に関連付けることができる。

図９Ａは、一実施形態に係る無線周波数フロントエンド９２においてフィルタ９３を含む無線通信デバイス９０の模式的な図である。フィルタ９３は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に係る一のＢＡＷコンポーネントの複数のＢＡＷ共振器を含み得る。無線通信デバイス９０は、任意の適切な無線通信デバイスでよい。例えば、無線通信デバイス９０は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。例示のように、無線通信デバイス９０は、アンテナ９１、ＲＦフロントエンド９２、送受信器９４、プロセッサ９５、メモリ９７及びユーザインタフェイス９７を含む。アンテナ９１は、ＲＦフロントエンド９２により与えられたＲＦ信号を送信することができる。そのようなＲＦ信号は、キャリアアグリゲーション信号を含み得る。

ＲＦフロントエンド９２は、一つ以上の電力増幅器、一つ以上の低雑音増幅器、一つ以上のＲＦスイッチ、一つ以上の受信フィルタ、一つ以上の送信フィルタ、一つ以上のデュプレクスフィルタ、一つ以上のマルチプレクサ、一つ以上の周波数マルチプレクシング回路等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。ＲＦフロントエンド９２は、任意の適切な通信規格に関連づけられたＲＦ信号を送信及び受信することができる。フィルタ９３は、上述した任意の実施形態を参照して説明された特徴の任意の適切な組み合わせを含むＢＡＷコンポーネントのＢＡＷ共振器を含み得る。

ＲＦ送受信器９４は、増幅及び／又は他の処理を目的としてＲＦ信号をＲＦフロントエンド９２に与えることができる。送受信器９４はまた、ＲＦフロントエンド９２の低雑音増幅器が与えるＲＦ信号を処理することもできる。送受信器９４はプロセッサ９５と通信する。プロセッサ９５は、ベース帯域プロセッサとしてよい。プロセッサ９５は、無線通信デバイス９０のための、任意の適切なベース帯域処理機能を与えることができる。メモリ９６には、プロセッサ９５がアクセス可能である。メモリ９６は、無線通信デバイス９０のための任意の適切なデータを記憶することができる。ユーザインタフェイス９７は、タッチスクリーン能力を有するディスプレイのような、任意の適切なユーザインタフェイスとしてよい。

図９Ｂは、無線周波数フロントエンド９２に複数のフィルタ９３を含み、ダイバーシティ受信モジュール１０２に一の第２フィルタ１０３を含む無線通信デバイス１００の模式的な図である。無線通信デバイス１００は図９Ａの無線通信デバイス９０と同様であるが、無線通信デバイス１００がさらにダイバーシティ受信機能を含む点を除く。図９Ｂに示されるように、無線通信デバイス１００は、ダイバーシティアンテナ１０１と、ダイバーシティアンテナ１０１が受信した信号を処理するべく構成されてフィルタ１０３を含むダイバーシティモジュール１０２と、無線周波数フロントエンド９２及びダイバーシティ受信モジュール１０２双方と通信する送受信器１０４とを含む。フィルタ１０３は、上述した任意の実施形態を参照して説明された特徴の任意の適切な組み合わせを含むＢＡＷコンポーネントのＢＡＷ共振器を含み得る。

上述された実施形態のいずれもが、セルラーハンドセットのような携帯デバイスに関連して実装することができる。実施形態の原理及び利点は、ここに記載される実施形態のいずれから利益を得る任意のアップリンクセルラーデバイスのような任意のシステム又は装置のために使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用可能である。本開示がいくつかの実施形態例を含むにもかかわらず、ここに説明される教示は、様々な構造に適用することができる。ここに説明される原理及び利点はいずれも、約４５０ＭＨｚから８．５ＧＨｚの範囲のような、約３０ｋＨｚから３００ＧＨｚの範囲にある周波数を有する信号を処理するべく構成されたＲＦ回路に関連して実装することができる。

本開示の複数の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例は、消費者用電子製品、ダイ及び／又は弾性波フィルタアセンブリ及び／又はパッケージ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品の部品、アップリンク無線通信デバイス、無線通信インフラストラクチャ、電子試験機器等を含んでよいが、これらに限られない。電子デバイスの例は、スマートフォンのような携帯電話機、電話機、テレビジョン、コンピュータモニタ、コンピュータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、パーソナルディジタルアシスタント（ＰＤＡ）、電子レンジ、冷蔵庫、自動車エレクトロニクスシステムのような車両電子システム、ステレオシステム、ＤＶＤプレーヤ、ＣＤプレーヤ、ＭＰ３プレーヤのようなディジタル音楽プレーヤ、カメラ、ディジタルカメラ、携帯型メモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯／乾燥機、複写機、ファクシミリ機、スキャナ、多機能周辺デバイス、腕時計、置き時計等を含んでよいが、これらに限られない。さらに、電子デバイスは未完成の製品も含んでよい。

本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限り、「含む」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「～を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される単語「結合」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される単語「接続」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。加えて、単語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の単語は、本アプリケーションにおいて使用される場合、本アプリケーション全体を言及し、本アプリケーションの任意の固有部分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明における用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２つ以上の項目のリストを言及する単語「又は」及び「若しくは」は、当該単語の以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の組み合わせである。

さらに、とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特徴、要素及び／又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるように意図される。すなわち、かかる条件的言語は一般に、特徴、要素及び／若しくは状態が任意の態様で一つ以上の実施形態にとって必要であるとの示唆を意図しない。

所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例により提示されたにすぎないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。例えば、ブロックが所与の配列で提示されるが、代替実施形態は、異なる部品及び／又は回路トポロジで同様の機能を果たすことができ、いくつかのブロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び／又は修正することができる。これらのブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。上述した様々な実施形態の要素及び工程の任意の適切な組み合わせを、さらなる実施形態を与えるように組み合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。

Claims (20)

1. バルク弾性波コンポーネントであって、
   シリコン基板と、
   前記シリコン基板上の少なくとも一つのバルク弾性波共振器と、
   前記シリコン基板の、前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器とは反対側のバッファ層と、
   前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器を封入するキャップと
   を含み、
   前記バッファ層は、シリコンのエッチング速度と比べて３０倍以上遅いエッチング速度を有する材料を含み、
   前記キャップは、前記シリコン基板のエッジから離間した側壁を含み、
   前記キャップの頂部はシリコンキャップ基板を含み、
   前記側壁は、前記シリコン基板のエッジから５ミクロン以下に存在する、バルク弾性波コンポーネント。
2. 前記側壁は、前記シリコン基板のエッジから３ミクロンに存在する、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
3. 前記側壁は、前記シリコン基板のエッジから少なくとも１ミクロンに存在する、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
4. 前記シリコン基板を貫通するビアと、
   前記ビアの中の導電層と
   をさらに含み、
   前記バッファ層の一部分が前記ビアの中に存在し、
   前記バッファ層は樹脂を含む、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
5. 前記シリコン基板を貫通するビアと、
   前記ビアから側方に延びて前記ビアの中の導電層に電気的に接続された導体と、
   前記導体上で前記ビアから側方に配置されて前記ビアとは重ならないはんだと
   をさらに含む、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
6. 前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器を含む、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
7. 前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器はソリッドマウント共振器を含む、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
8. 前記側壁は銅を含む、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
9. 前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されたフィルタに含まれた複数のバルク弾性波共振器を含む、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
10. 前記複数のバルク弾性波共振器は、少なくとも１０個のバルク弾性波共振器を含む、請求項９のバルク弾性波コンポーネント。
11. 前記側壁は、プラズマダイシングの結果として前記シリコン基板のエッジから５ミクロン以下に存在する、請求項１のバルク弾性波コンポーネント。
12. バルク弾性波コンポーネントであって、
    シリコン基板と、
    前記シリコン基板上の少なくとも一つのバルク弾性波共振器と、
    前記シリコン基板の、前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器とは反対側のバッファ層と、
    前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器を封入するキャップと
    を含み、
    前記バッファ層は、プラズマダイシングを目的とするシリコンのエッチング速度と比べて前記プラズマダイシングを目的とする３０倍以上遅いエッチング速度を有する材料を含み、
    前記キャップは、キャップ基板及び側壁を含み、
    前記キャップ基板はシリコンを含み、
    前記側壁は、前記シリコン基板のエッジから、１ミクロンから５ミクロンの範囲にある距離だけ離間される、バルク弾性波コンポーネント。
13. 前記シリコン基板を貫通するビアと、
    前記ビアの中の導電層と
    をさらに含み、
    前記バッファ層の一部分が前記ビアの中に存在し、
    前記バッファ層は樹脂を含む、請求項１２のバルク弾性波コンポーネント。
14. 前記シリコン基板を貫通するビアと、
    前記ビアから側方に延びて前記ビアの中の導電層に電気的に接続された導体と、
    前記導体上で前記ビアから側方に配置されて前記ビアとは重ならないはんだと
    をさらに含む、請求項１２のバルク弾性波コンポーネント。
15. 前記側壁は銅を含む、請求項１２のバルク弾性波コンポーネント。
16. 前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された弾性波フィルタに含まれた少なくとも１０個のバルク弾性波共振器を含む、請求項１２のバルク弾性波コンポーネント。
17. 前記バッファ層はフェノール樹脂を含む、請求項１２のバルク弾性波コンポーネント。
18. 無線通信デバイスであって、
    アンテナと、
    シリコン基板、前記シリコン基板上のバルク弾性波共振器、前記シリコン基板の、前記少なくとも一つのバルク弾性波共振器とは反対側のバッファ層、及び前記バルク弾性波共振器を封入するキャップを含むバルク弾性波コンポーネントと
    を含み、
    前記バッファ層は、シリコンのエッチング速度と比べて３０倍以上遅いエッチング速度を有する材料を含み、
    前記キャップは、前記シリコン基板のエッジから、５ミクロン以下だけ離間した側壁を含み、
    前記キャップの頂部はシリコンキャップ基板を含み、
    前記バルク弾性波共振器は、前記アンテナと通信するフィルタに含まれる、無線通信デバイス。
19. 前記無線通信デバイスは携帯電話機として構成される、請求項１８の無線通信デバイス。
20. 前記フィルタと通信する無線周波数増幅器と、
    前記フィルタと前記アンテナとの間に結合されたスイッチと
    をさらに含む、請求項１８の無線通信デバイス。

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