DE102018131896B4 - Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit - Google Patents

Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit Download PDF

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Abstract

Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP), aufweisend eine Mehrzahl von Pixelbereichen, die jeweils einen Licht transmittierenden Bereich (TRA) und einen lichtemittierenden Bereich (LEA) auf einem Substrat (SUB) aufweisen, wobei der lichtemittierende Bereich (LEA) aufweist:
einen Bottom-Licht emittierenden Bereich (BE), in dem eine Bottom-Emitter organische Licht emittierende Diode (BOLE) ausgebildet ist; und
einen Top-Licht emittierenden Bereich (TE), in dem eine Top-Emitter organische Licht emittierende Diode (TOLE) ausgebildet ist,
wobei der Top-Licht emittierende Bereich (TE) aufweist:
Bottom-Steuerelemente (BEC), die unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) ausgebildet sind und die dazu eingerichtet sind, die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode (BOLE) zu steuern; und
Top-Steuerelemente (TEC), die unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) ausgebildet sind und die dazu eingerichtet sind, die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode (TOLE) zu steuern,
wobei die Bottom-Steuerelemente (BEC) und die Top-Steuerelemente (TEC), die beide unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) ausgebildet sind, von der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) überlappt sind.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit. Mehr ins Besondere betrifft die vorliegende Erfindung eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit, die einen transparenten Bereich, einen Top-Licht emittierenden Bereich und einen Bottom-Licht emittierenden Bereich innerhalb eines Pixels aufweist und ein großes Aperturverhältnis hat.
  • Bezogene Technik
  • In letzter Zeit wurden verschiedene Flachpaneel-Anzeigen entwickelt, die weniger klobig und leichter sind als Kathodenstrahlröhren (CRTs). Diese Flachpaneel-Anzeigen sind beispielsweise Flüssigkristallanzeigen (LCDs), Feldemissions-Anzeigen (FEDs), Plasma-Anzeigepaneele (PDPs), elektrolumineszierende Vorrichtungen (ELs), etc.
  • Elektrolumineszierende Anzeigeeinheiten werden grob klassifiziert in anorganische elektrolumineszierende Anzeigeeinheiten und organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheiten abhängig von dem Material, das für eine emittierende Schicht verwendet wird, und bieten verschiedene Vorteile, wie beispielsweise eine schnelle Reaktionszeit, eine große Lichtemissionseffizienz, eine große Helligkeit und einen weiten Betrachtungswinkel, da sie selbstemittierende Elemente sind. Es ist anzumerken, dass es einen schnell wachsenden Bedarf nach organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheiten gibt, welche eine hohe Energieeffizienz und einen geringen Leckstrom haben und eine Grauskala-Darstellung durch Steuerung des Stroms erleichtern.
  • Insbesondere werden die organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheiten als Anzeigevorrichtungen mit verschiedenen Zwecken und Funktionen verwendet, wie beispielsweise transparente Anzeigeeinheiten, durch welche eine Bildinformation und der Hintergrund sichtbar sind. Die transparenten Anzeigeeinheiten werden häufig im Freien verwendet, d.h. in Umgebungen, in denen es viel Umgebungslicht, wie beispielsweise Sonnenlicht, gibt. Daher ist es wünschenswert, dass die transparenten Anzeigeeinheiten eine große Helligkeit haben, um dem Nutzer eine akkurate Bildinformation bereitzustellen. Die transparenten Anzeigeeinheiten, insbesondere die beidseitig emittierenden transparenten Anzeigeeinheiten, benötigten Verbesserungen der strukturellen Eigenschaften, um die Helligkeit zu erhöhen.
  • US 2014 / 0 077 725 A1 beschreibt eine Organische-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung aufweisend ein Organische-Elektrolumineszenz-Anzeigepanel, welches Top-Emission-Pixel zum Emittieren von Licht in Richtung einer Oberseite eines Substrats und Bottom-Emission-Pixel zum Emittieren von Licht in Richtung einer Unterseite des Substrats aufweist, wobei die Top-Emission-Pixel und die Bottom-Emission-Pixel so ausgebildet sind, dass zueinander korrespondierende Top- und Bottom-Emission-Pixel durch einen gemeinsamen transparenten Bereich voneinander getrennt sind. KR 2016 0 063 116 A beschreibt ein doppelseitiges Anzeigegerät.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung wurde in dem Bemühen gemacht, die im Vorhergehenden erwähnten Probleme zu überwinden, und ein Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es, eine transparente Flachpaneel-Anzeigeeinheit bereitzustellen, die transparent wird, wenn sie nicht verwendet wird, damit der Nutzer den Hintergrund hindurch sehen kann, und die eine Anzeigefunktion bereitstellt, wenn sie in Verwendung ist. Ein anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist es, eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit bereitzustellen, die das Aperturverhältnis maximiert mittels Anordnens von Treiberelementen einer Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode und von Treiberelementen einer Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode. Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit bereitzustellen, die stabile Betriebseigenschaften hat mittels Anordnens einer Abschirmschicht zwischen den Treiberelementen der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode und den Treiberelementen der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode.
  • Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit gemäß Anspruch 1 dar. Weitere Ausführungsformen werden in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeneinheit bereit, die ein Substrat und eine Mehrzahl von Pixelbereichen aufweist. Jeder Pixelbereich weist einen Licht transmittierenden Bereich und einen Licht emittierenden Bereich auf. Der lichtemittierende Bereich weist einen Bottom-Licht emittierenden Bereich und einen Top-Licht emittierenden Bereich auf. Eine Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode ist in dem Bottom-Licht emittierenden Bereich angeordnet. Eine Top-Emitter organische lichtemittierende Diode ist in dem Top-Licht emittierenden Bereich angeordnet. Bottom-Steuerelemente (auf die hierin auch als Bottom-Emitter organische lichtemittierende Dioden-Steuerelemente Bezug genommen wird) und Top-Steuerelemente (auf die hierin auch als Top-Emitter organische lichtemittierende Dioden-Steuerelemente Bezug genommen wird) sind in dem Top-Licht emittierenden Bereich angeordnet. Die Bottom-Steuerelemente sind unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode angeordnet und steuern die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode. Die Top-Steuerelemente sind unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode angeordnet und steuern die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform weist die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit ferner eine Abschirmschicht auf, die zwischen der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode und den Bottom-Steuerelementen ausgebildet ist.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform bedeckt die Abschirmschicht die Bottom-Steuerelemente und die Top-Steuerelemente.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform hat die Abschirmschicht die Form eines Streifens, der sich über die Pixelbereiche erstreckt.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform ist die Abschirmschicht an einem lateralen Abschnitt des Substrats mit einer Masseleitung verbunden.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform weist die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeneinheit ferner auf: einen ersten Planarisierungsfilm, der die Bottom-Steuerelemente und die Top-Steuerelemente bedeckt; eine Bottom-Emitter-Pixelelektrode, die auf dem ersten Planarisierungsfilm ausgebildet ist und die mit den Bottom-Steuerelementen verbunden ist; eine Top-Emitter-Pixelelektrode, die auf dem ersten Planarisierungsfilm ausgebildet ist und die mit den Top-Steuerelementen verbunden ist; eine Abschirmschicht auf dem ersten Planarisierungsfilm, der um einen vorgegebenen Abstand von der Bottom-Emitter-Pixelelektrode und der Top-Emitter-Pixelelektrode beabstandet ist und zumindest die Bottom-Steuerelemente bedeckt; und einen zweiten Planarisierungsfilm, der die Bottom-Emitter-Pixelelektrode, die Top-Emitter-Pixelelektrode und die Abschirmschicht bedeckt, wobei die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode und die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode auf dem zweiten Planarisierungsfilm ausgebildet sind.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform weist die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit auf: eine Datenleitung und eine Steuerstromleitung, die auf dem Substrat in einer ersten Richtung verlaufen; und eine erste Abtastleitung und eine zweite Abtastleitung, die auf dem Substrat entlang einer zweiten Richtung verlaufen, wobei die Bottom-Steuerelemente aufweisen: einen Bottom-Schalt-Dünnfilmtransistor (auf den hierin auch als Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor Bezug genommen wird), der mit der Datenleitung und der ersten Abtastleitung verbunden ist; und einen Bottom-Steuer-Dünnfilmtransistor (auf den hierin auch als Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor Bezug genommen wird), der mit der Steuerstromleitung, dem Bottom-Schalt-Dünnfilmtransistor und der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode verbunden ist, und wobei die Top-Steuerelemente aufweisen: einen Top-Schalt-Dünnfilmtransistor (auf den hierin auch als Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor Bezug genommen wird), der mit der Datenleitung und der zweiten Abtastleitung verbunden ist; und einen Top-Steuer-Dünnfilmtransistor (auf den hierin auch als Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor Bezug genommen wird), der mit der Steuerstromleitung, dem Top-Schalt-Dünnfilmtransistor und der Top-Emitterorganischen lichtemittierenden Diode verbunden ist.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform weist die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit ferner auf: einen ersten Farbfilter, der unter der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode angeordnet ist; und einen zweiten Farbfilter, der über der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode angeordnet ist.
  • Bei mindestens einer Ausführungsform weist die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode auf: eine erste Anode, die nur aus einem transparenten leitfähigen Material gebildet ist; eine organische Emitterschicht, die auf der ersten Anode angeordnet ist; und eine Katode, die auf der organischen Emitterschicht ausgebildet ist, und die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode weist auf: eine zweite Anode, die transparentes leitfähiges Material und ein reflektierendes Metall, das über dem transparenten leitfähigen Material ausgebildet ist, aufweist; die organische Emissionsschicht, die auf der zweiten Anode ausgebildet ist; und die Katode, die auf der organischen Emissionsschicht ausgebildet ist.
  • Die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellt eine Anzeigefunktion bereit, wenn sie verwendet wird, und wird transparent, wenn sie nicht verwendet wird. Auch kann während der Verwendung eine Augment-Reality-Anzeigefunktion, welche eine Kombination des Hintergrunds und der Anzeigefunktion ist, bereitgestellt werden. Darüber hinaus stellt die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung die Anzeigefunktionen auf der Vorderseite und auf der Rückseite der Anzeigevorrichtung bereit. Das Aperturverhältnis der Top- und der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Dioden kann maximiert werden mittels Anordnens aller Steuerelemente zum Steuern der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode und der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die beigefügten Zeichnungen, welche eingeschlossen sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung bereitzustellen und welche in diese Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil davon darstellen, veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern.
  • In den Zeichnungen zeigen:
    • 1 eine Draufsicht auf eine schematische Struktur einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß der vorliegenden Erfindung;
    • 2 eine Draufsicht auf eine Struktur eines einzelnen Pixels in einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 3 eine Querschnittsansicht der Struktur des einzelnen Pixels in der beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entlang der Linie I-I' gemäß 2;
    • 4 eine Draufsicht auf eine Struktur eines einzelnen Pixels in einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
    • 5 eine Querschnittsansicht einer Struktur eines einzelnen Pixels in einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • BESCHREIBUNG BEISPIELHAFTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Verschiedene Aspekte und Merkmale der vorliegenden Erfindung und Verfahren zum Erreichen derselben können vollständig verstanden werden mit Bezug zu den folgenden detaillierten Beschreibungen der beispielhaften Ausführungsformen und der beigefügten Zeichnungen. Die vorliegende Erfindung kann jedoch auf viele verschiedene Arten ausgeführt werden und sollte nicht so interpretiert werden, dass sie durch die beispielhaften Ausführungsformen, die hierin ausgeführt sind, beschränkt ist. Diese beispielhaften Ausführungsformen werden vielmehr bereitgestellt, damit diese Offenbarung sorgfältig und vollständig ist, und werden das Konzept der vorliegenden Erfindung den Fachmännern auf diesem Gebiet vermitteln, und die vorliegende Erfindung ist durch die angehängten Ansprüche definiert.
  • Die Formen, Größen, Proportionen, Winkeln, Zahlen, etc., die in den Figuren gezeigt sind, um die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zu beschreiben, sind lediglich Beispiele und nicht auf die beschränkt, die in den Figuren gezeigt sind. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen über die Beschreibung hinweg gleiche Elemente.
  • Beim Beschreiben der vorliegenden Erfindung werden detaillierte Beschreibungen von bezogenen wohl bekannten Technologien weggelassen, um zu vermeiden, dass die vorliegende Erfindung unnötiger Weise verschleiert wird. Wenn die Begriffe „aufweisen“, „haben“, „bestehen aus“ und ähnliche verwendet werden, können andere Teile hinzugefügt werden, solange der Begriff „nur“ nicht verwendet wird. Die Singularformen können als Pluralformen interpretiert werden, sofern nichts anderes ausdrücklich angegeben ist.
  • Die Elemente können so interpretiert werden, dass sie einen Toleranzbereich aufweisen, auch wenn dies nicht explizit erwähnt ist. Wenn eine räumliche Beziehung zwischen zwei Teilen beschrieben wird unter Verwendung der Begriffe „auf“, „über“, „unter“, „neben“ und ähnliche, können ein oder mehrere Teile zwischen den beiden Teilen angeordnet sein, sofern der Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ nicht verwendet wird.
  • Es ist zu verstehen, dass, obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“, etc., hierin verwendet werden, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente nicht durch diese Begriffe beschränkt sind. Diese Begriffe werden verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Die Begriffe und Namen von Elementen, die hierin verwendet werden, wurden aus Gründen der einfachen Beschreibung gewählt und können sich von Namen von Teilen unterscheiden, die in tatsächlichen Produkten verwendet werden.
  • Die Merkmale verschiedener beispielhafter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können miteinander teilweise oder ganz gekoppelt oder kombiniert werden und können auf verschiedene Weisen technisch interagieren oder zusammenwirken. Die beispielhaften Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
  • Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu den beigefügten Zeichnungen im Detail beschrieben. Bei den nachfolgenden beispielhaften Ausführungsformen ist die Beschreibung einer elektrolumineszierenden Anzeigeeinheit auf eine organische lichtemittierende Anzeigeeinheit fokussiert, die ein organisches lichtemittierendes Material aufweist. Jedoch ist anzumerken, dass die technische Idee der vorliegenden Erfindung nicht auf organische lichtemittierende Anzeigeeinheiten beschränkt ist, sondern auch auf anorganische lichtemittierende Anzeigeeinheiten angewendet werden kann, die anorganisches lichtemittierendes Material aufweisen.
  • Nachfolgend wird eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu 1 beschrieben. 1 ist eine Draufsicht auf eine schematische Struktur einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
  • Die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit DP gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weist eine Mehrzahl von Pixeleinheiten UP auf, die in einer Matrix auf einem Substrat SUB angeordnet sind. Eine einzelne Pixeleinheit UP weist drei oder vier Unterpixel SP auf. Beispielsweise kann eine einzelne Pixeleinheit UP einen roten Unterpixel SPR, einen grünen Unterpixel SPG und einen blauen Unterpixel SPB aufweisen. Alternativ dazu kann eine einzelne Pixeleinheit UP einen roten Unterpixel SPR, einen weißen Unterpixel SPW, einen grünen Unterpixel SPG und einen blauen Unterpixel SPB aufweisen. 1 zeigt, dass vier Unterpixel SP eine einzelne Pixeleinheit UP ausmachen.
  • Ein einzelner Unterpixel SP weist einen Licht transmittierenden Bereich TRA und einen lichtemittierenden Bereich LEA auf. Der Licht transmittierenden Bereich TRA ist ein transparenter Bereich, durch den der Hintergrund hinter dem Anzeigepaneel gesehen werden kann. Der lichtemittierende Bereich LEA ist ein Bereich, in dem eine organische lichtemittierende Diode angeordnet ist, um ein Bild zum Anzeigen auf der Anzeigevorrichtung bereitzustellen.
  • Darüber hinaus weist der lichtemittierende Bereich LEA einen Top-Licht emittierenden Bereich TE und einem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE auf. Der Top-lichtemittierende Bereich TE ist ein Bereich, der eine Bildinformation auf einer Vorderseite des Substrats SUB bereitstellt. Der Bottom-Licht emittierende Bereich BE ist ein Bereich, der eine Bildinformation auf einer Rückseite des Substrats SUB bereitstellt.
  • In dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ist eine Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE ausgebildet, um eine Bildinformation nach oben bereitzustellen, d.h. bezüglich des Substrats SUB auf der Vorderseite. In dem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE ist eine Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode BOLE ausgebildet, um eine Bildinformation nach unten bereitzustellen, d. h. bezüglich des Substrats SUB auf der Rückseite. Darüber hinaus weist der Top-Licht emittierende Bereich TE Top-Emitter organische lichtemittierende Dioden-Steuerelemente TEC zum Steuern der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE und Bottom-Emitter organische lichtemittierende Dioden-Steuerelemente BEC zum Steuern der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE auf.
  • < Erste beispielhafte Ausführungsform>
  • Nachfolgend wird eine Struktur eines einzelnen Pixels in einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu den 2 und 3 im Detail beschrieben. 2 ist eine Draufsicht auf eine Struktur eines einzelnen Pixels in einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß einer ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 ist eine Querschnittsansicht der Struktur des einzelnen Pixels in der beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung entlang der Linie I-I' gemäß 2.
  • Eine Top-Abtastleitung SLT und eine Bottom-Abtastleitung SLB, die horizontal (oder in einer ersten Richtung) verlaufen, sind auf dem Substrat SUB ausgebildet. Darüber hinaus sind eine Datenleitung DL und eine Steuerstromleitung VDD, die vertikal (oder in einer zweiten Richtung) verlaufen, ausgebildet. Ein einzelner Unterpixel SP ist mittels der Kreuzungen dieser Leitungen SLT, SLB, DL und VDD definiert. Beispielsweise bestimmt der Bereich zwischen der Datenleitung DL und der Steuerstromleitung VDD die Breite des Unterpixels SP. Die Top-Abtastleitung SLT und die Bottom-Abtastleitung SLB können durch die Mitte des Unterpixels SP verlaufen.
  • Ein einzelner Unterpixel SP weist einen Licht transmittierenden Bereich TRA und einen Licht emittierenden Bereich LEA auf. Der lichtemittierende Bereich LEA weist einen Top-Licht emittierenden Bereich TE und einen Bottom-Licht emittierenden Bereich BE auf. Beispielsweise kann der Licht transmittierende Bereich TRA in einem oberen Abschnitt des Unterpixels SP angeordnet sein, der Top-Licht emittierende Bereich TE kann in einem mittleren Abschnitt des Unterpixels SP ausgebildet sein und der Bottom-Licht emittierende Bereich BE kann in dem unteren Abschnitt des Unterpixels SP angeordnet sein. Jedoch ist die Pixelstruktur nicht darauf beschränkt, sondern es sind verschiedene Konfigurationen möglich. Aber es ist anzumerken, dass der Top-Licht emittierende Bereich TE und der Bottom-Licht emittierende Bereich BE vorzugsweise benachbart zueinander angeordnet sind.
  • Eine Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE kann in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE angeordnet sein. Darüber hinaus können Top-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST1 und TT und Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST2 und BT in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE angeordnet sein, um die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE zu steuern. Zusätzlich sind die Top-Abtastleitung SLT und die Bottom-Abtastleitung SLB in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE angeordnet. Die Top-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST1 und TT weisen einen Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 und einen Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT auf. Die Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST2 und BT weisen einen Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und einen Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT auf.
  • Der Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 ist mit der Top-Abtastleitung SLT und der Datenleitung DL verbunden. Beispielsweise weist der Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 eine Top-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG1, eine Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1, eine Top-Emitter-Schalt-Sourceelektrode SS1 und eine Top-Emitter-Schalt-Drainelektrode SD1 auf. Die Top-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG1 ist von der Top-Abtastleitung SLT abgezweigt. Die Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1 und die Top-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG1 überlappen einander, wobei ein Gateisolierungsfilm dazwischen ist. Der Abschnitt der Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1, der die Top-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG1 überlappt, ist als Kanalbereich definiert.
  • Die Top-Emitter-Schalt-Sourceelektrode SS1 ist von der Datenleitung DL abgezweigt und ist in Kontakt mit einer Seite der Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1. Die eine Seite der Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1 ist auf einer Seite eine Verlängerung des Kanalbereichs, welche als Sourcebereich definiert werden kann. Die Top-Emitter-Schalt-Drainelektrode SD1 ist in Kontakt mit der anderen Seite der Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1. Die andere Seite der Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1 ist auf der anderen Seite eine Verlängerung des Kanalbereichs, welche als Drainbereich definiert werden kann. Der Sourcebereich und der Drainbereich sind einander zugewandt, wobei der Kanalbereich dazwischen ist.
  • Der Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT ist mit dem Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 und der Steuerstromleitung VDD verbunden. Beispielsweise weist der Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT auf eine Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG, eine Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA, eine Top-Emitter-Steuer-Sourceelektrode TS und eine Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD auf. Die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG ist mit der Top-Emitter-Schalt-Drainelektrode SD1 verbunden. 2 zeigt, dass die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG ausgebildet ist mittels Verlängerns der Top-Emitter-Schalt-Drainelektrode SD1. Die Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA und die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG überlappen einander, wobei der Gateisolierungsfilm dazwischen ist. Der Abschnitt der Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA, der die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG überlappt, ist als Kanalbereich definiert.
  • Die Top-Emitter-Steuer-Sourceelektrode TS ist von der Steuerstromleitung VDD abgezweigt und ist in Kontakt mit einer Seite der Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA. Die eine Seite der Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA ist auf einer Seite eine Verlängerung des Kanalbereichs, welche als Sourcebereich definiert werden kann. Die Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD ist in Kontakt mit der anderen Seite der Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA. Die andere Seite der Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA ist auf der anderen Seite eine Verlängerung des Kanalbereichs, welche als Drainbereich definiert werden kann. Der Sourcebereich und der Drainbereich sind einander zugewandt, wobei der Kanalbereich dazwischen ist.
  • Die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE weist eine Top-Emitter-Anode ANOT auf. Die Top-Emitter-Anode ANOT ist mit der Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD des Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors TT verbunden.
  • Die Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST2 und BT sind unter den Top-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST1 und TT angeordnet. Die Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST2 und BT weisen den Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT auf.
  • Der Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 ist mit der Bottom-Abtastleitung SLB und der Datenleitung DL verbunden. Beispielsweise weist der Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 auf eine Bottom-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG2, eine Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2, einen Bottom-Emitter-Schalt-Sourceelektrode SS2 und eine Bottom-Emitter-Schalt-Drainelektrode SD2. Die Bottom-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG2 ist von der Bottom-Abtastleitung SLB abgezweigt. Die Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2 und die Bottom-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG2 überlappen einander, wobei die Gateisolierung dazwischen ist. Der Abschnitt der Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2, der die Bottom-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG2 überlappt, ist als Kanalbereich definiert.
  • Die Bottom-Emitter-Schalt-Sourceelektrode SS2 ist von der Datenleitung DL abgezweigt und ist in Kontakt mit einer Seite der Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2. Die eine Seite der Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2 ist auf einer Seite eine Verlängerung des Kanalbereichs, welcher als Sourcebereich definiert werden kann. Die Bottom-Emitter-Schalt-Drainelektrode SD2 ist in Kontakt mit der anderen Seite der Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2. Die andere Seite der Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2 ist auf einer Seite eine Verlängerung des Kanalbereichs, welche als Drainbereich bezeichnet werden kann. Der Sourcebereich und der Drainbereich sind einander zugewandt, wobei der Kanalbereich dazwischen ist.
  • Der Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor BT ist mit dem Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und der Steuerstromleitung VDD verbunden. Beispielsweise weist der Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT auf eine Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG, eine Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA, eine Bottom-Emitter-Steuer-Sourceelektrode BS und eine Bottom-Emitter-Drainelektrode BD. Die Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA und die Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG überlappen einander, wobei der Gateisolierungsfilm dazwischen ist. Der Abschnitt der Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA, der die Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG überlappt, ist als Kanalbereich definiert.
  • Die Bottom-Emitter-Steuer-Sourceelektrode BS ist von der Steuerstromleitung VDD abgezweigt und ist in Kontakt mit einer Seite der Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA. Die eine Seite der Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA ist auf einer Seite eine Verlängerung des Kanalbereichs, welche als Sourcebereich definiert sein kann. Die Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD ist in Kontakt mit der anderen Seite der Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA. Die andere Seite der Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA ist auf der anderen Seite eine Verlängerung des Kanalbereichs, welche als Drainbereich bezeichnet werden kann. Der Sourcebereich und der Drainbereich sind einander zugewandt, wobei der Kanalbereich dazwischen ist.
  • Die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode BOLE weist eine Bottom-Emitter-Anode ANOB auf. Die Bottom-Emitter-Anode ANOB ist mit der Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD des Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors BT verbunden.
  • Die Top-Emitter-Anode ANOT der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE kann so ausgebildet sein, dass sie jeden der Top-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST1 und TT und der Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST2 und BT bedeckt. Da die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE Licht hin zu der Oberseite des Substrats SUB bereitstellt, sind Steuerelemente, die kein Licht bereitstellen, unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE angeordnet, um den Aperturbereich der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE zu maximieren.
  • Es ist wünschenswert, dass Steuerelemente, die kein Licht bereitstellen, unter der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE angeordnet sind, da die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode BOLE Licht auf der Unterseite des Substrats SUB bereitstellt. D.h., alle Steuerelemente der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE sind unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE angeordnet.
  • Die Steuerelemente der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE sind unter der Top-Emitter-Anode ANOT der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE angeordnet. Daher können die Steuerelemente ST2 und BT der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE durch ein elektrisches Signal von der Top-Emitter-Anode ANOT elektrisch beeinflusst werden. D.h., es ist möglich, dass die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode BOLE nicht richtig funktioniert. Um dieses Problem zu verhindern, weist die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ferner eine Abschirmschicht SHL auf, die die Steuerelemente der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE bedeckt.
  • 2 zeigt, dass die Abschirmschicht SHL die Form einer Insel hat, die den Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT in einem einzelnen Unterpixel SUB bedeckt, sie ist jedoch nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann die Abschirmschicht SHL die Top-Emitter-Anode ANOT der darüber liegenden Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE überlappen, wodurch sie induktive Ladungen sammelt. Vorzugsweise werden diese induktiven Ladungen abgegeben. Daher kann die Abschirmschicht SHL die Form eines Streifens haben, der sich horizontal erstreckt. In diesem Fall kann die Abschirmschicht SHL in Form von Linien über das Substrat SUB verlaufen, die alle Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistoren ST2 und Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistoren BT aller Subpixel SUB, die in Reihe horizontal angeordnet sind, bedecken. Darüber hinaus kann die Abschirmschicht SHL auf einer linken Seite und/oder einer rechten Seite des Substrats SUB mit einer Masseleitung verbunden sein und die angesammelten induktiven Ladungen abgeben.
  • Auch zeigt 2 ein Beispiel, bei dem die Abschirmschicht SHL den Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT bedeckt. Jedoch ist die Abschirmschicht SHL nicht auf dieses Beispiel beschränkt, sondern kann auch den Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 und den Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT bedecken. Alternativ dazu kann die Abschirmschicht SHL, sofern nötig, nur den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT bedecken. In manchen Fällen kann gerade genügend von der Abschirmschicht SHL ausgebildet sein, um einen Teil des Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors BT zu bedecken, beispielsweise den Kanalbereich.
  • Nachfolgend wird mit Bezug zu 3 eine Querschnittstruktur der beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß der ersten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben. Eine Pufferschicht BUF ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet. Halbleiterschichten sind über der Pufferschicht BUF ausgebildet. Die Halbleiterschichten weisen eine Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1, eine Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschichten TA, eine Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2 und eine Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschichten BA auf. Die Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1 und die Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2 sind nicht gezeigt, da 3, welche eine Querschnittsansicht ist, eine Schnittansicht des Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors TT und des Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors BT zeigt.
  • Die Mitte der Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA und die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG überlappen einander, wobei ein Gateisolierungsfilm Gl dazwischen ist. Auf ähnliche Weise überlappen die Mitte der Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA und die Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG einander, wobei der Gateisolierungsfilm Gl dazwischen ist.
  • Ein Zwischenisolierungsfilm ILD ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG und die Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG ausgebildet sind. Die Top-Emitter-Steuer-Sourceelektrode TS, die Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD, die Bottom-Emitter-Steuer-Sourceelektrode BS und die Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD sind auf dem Zwischenisolierungsfilm ILD ausgebildet.
  • Ein Passivierungsfilm PAS ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo der Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT und der Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT ausgebildet sind. Eine Abschirmschicht SHL, die den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT bedeckt, kann über dem Passivierungsfilm PAS ausgebildet sein. Auch kann ein unterer Farbfilter CF1 auf dem Passivierung Film PAS ausgebildet sein. Es ist wünschenswert, dass der untere Farbfilter CF1 selektiv nur in dem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE ausgebildet wird.
  • Ein Planarisierungsfilm OC ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo die Abschirmschicht SHL und der untere Farbfilter CF1 ausgebildet sind. Eine Top-Emitter-Anode ANOT und eine Bottom-Emitter-Anode ANOB sind auf dem Planarisierungsfilm OC ausgebildet. Die Top-Emitter-Anode ANOT ist nur in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet und ist mit der Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD des Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors TT verbunden. Die Bottom-Emitter-Anode ANOB ist nur in dem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE ausgebildet und ist mit der Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD des Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors BT verbunden.
  • Die Top-Emitter-Anode ANOT ist aus einer transparenten leitfähigen Schicht ITO und einer reflektierenden Elektrodenschicht AG, die übereinander ausgebildet sind, ausgebildet. Die Bottom-Emitter-Anode ANOB besteht nur aus einer transparenten leitfähigen Schicht. Beispielsweise können die Top-Emitter-Anode ANOT und die Bottom-Emitter-Anode ANOB zur gleichen Zeit ausgebildet werden mittels nacheinander Aufbringens eines transparenten leitfähigen Materials, wie beispielsweise Indium-Zinnoxid oder Indium-Zinkoxid, und eines Licht reflektierenden Materials, wie beispielsweise Aluminium (AI), Silber (Ag), Molybdän (Mo), oder Titan (Ti), und Strukturierens derselben unter Verwendung einer Halbtonmaske. Die Top-Emitter-Anode ANOT besteht aus einer reflektierenden Elektrodenschicht AG, die über einer transparenten leitfähigen Schicht ITO ausgebildet ist. Andererseits ist die Bottom-Emitter-Anode ANOB nur aus einer transparenten leitfähigen Schicht gebildet.
  • Ein Damm BN ist auf der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo die Top-Emitter-Anode ANOT und die Bottom-Emitter-Anode ANOB ausgebildet sind. Der Damm BN gibt den Top-Licht emittierenden Bereich TE und den Bottom-Licht emittierenden Bereich BE vor. Beispielsweise umgibt der Damm BN eine Ausnehmung, in der das meiste der Mitte der Top-Emitter-Anode ANOT freigelegt ist und die den Top-Licht emittierenden Bereich TE definiert. Der Damm BN umgibt auch eine Ausnehmung, die das meiste der Mitte der Bottom-Emitter-Anode ANOB freilegt und die den Bottom-Licht emittierenden Bereich BE definiert. Vorzugsweise umgibt der Damm BN auch eine Ausnehmung, die das meiste der Mitte des Licht transmittierenden Bereich TRA freilegt.
  • Eine organische Emissionsschicht OL ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo der Damm BN ausgebildet ist. Eine Kathode CAT ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB auf der organischen Emissionsschicht OL ausgebildet. Im Ergebnis ist eine Top-Emitter organische Licht emittierende Diode TOLE in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet mittels nacheinander Ausbildens der Top-Emitter-Anode ANOT, der organischen Emissionsschicht OL und der Kathode CAT. Auch ist eine Bottom-Emitter organische Licht emittierende Diode BOLE in dem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE ausgebildet mittels nacheinander Ausbildens der Bottom-Emitter-Anode ANOB, der organischen Emissionsschicht OL und der Kathode CAT. Währenddessen bleibt der transparente Bereich TRA transparent, da nur die organische Emissionsschicht OL und die Kathode CAT darin ausgebildet sind.
  • Ein Abstandshalter SP kann auf dem Damm BN ausgebildet sein. Der Abstandshalter SP kann direkt auf der Oberseite des Damms BN ausgebildet sein oder kann auf der Oberseite der Kathode CAT, die auf dem Damm BN ausgebildet ist, ausgebildet sein.
  • Ein Verkapselungssubstrat ENC ist auf dem Substrat SUB befestigt, wo die Anzeigeelemente ausgebildet sind, mit dem Abstandshalter SP dazwischen. In diesem Fall können ein Passivierungsfilm oder ein Passivierungsmaterial (nicht gezeigt) zwischen dem Verkapselungssubstrat ENC und dem Substrat SUB angeordnet sein.
  • Eine schwarze Matrix BM und ein oberer Farbfilter CF2 können auf dem Verkapselungssubstrat SUB ausgebildet sein. Die schwarze Matrix BM kann dem Damm BN zugewandt sein. Vorzugsweise ist der obere Farbfilter CF2 nur in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet. Insbesondere ist es wünschenswert, dass der obere Farbfilter CF2 zwischen der schwarzen Matrix BM ausgebildet ist, die den Top-Licht emittierenden Bereich TE umgibt.
  • <Zweite beispielhafte Ausführungsform>
  • Nachfolgend wird eine zweite beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu 4 beschrieben. 4 ist eine Draufsicht auf eine Struktur eines einzelnen Pixels in einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß einer zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei der zweiten beispielhaften Ausführungsform wird eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit beschrieben, die eine andere Struktur in der Ebene hat.
  • Die grundlegende Struktur der beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist identisch zu der der ersten beispielhaften Ausführungsform bis auf die räumliche Beziehung zwischen dem Top-Licht emittierenden Bereich TE und dem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE.
  • Eine Top-Abtastleitung SLT und eine Bottom-Abtastleitung SLB, die horizontal (oder in einer ersten Richtung) verlaufen, sind auf dem Substrat SUB ausgebildet. Darüber hinaus sind eine Datenleitung DL und eine Steuerstromleitung VDD, die vertikal (oder in einer zweiten Richtung) verlaufen, angeordnet. Ein einzelner Unterpixel SP ist durch die Kreuzungen dieser Leitungen SLT, SLB, DL und VDD vorgegeben. Beispielsweise bestimmt der Bereich zwischen der Datenleitung DL und der Steuerstromleitung VDD die Breite des Subpixels SP. Die Top-Abtastleitung SLT und die Bottom-Abtastleitung SLB können über den unteren Abschnitt des Unterpixels SP verlaufen. D.h., der Bereich zwischen zwei oberen Abtastleitungen SLT bestimmt die Länge eines Subpixels SP.
  • Ein einzelner Unterpixel SP weist einen Licht transmittierenden Bereich TRA und einen lichtemittierenden Bereich LEA auf. Der lichtemittierende Bereich LEA weist einen Top-Licht emittierenden Bereich TE und einen Bottom-Licht emittierenden Bereich BE auf. Beispielsweise kann der Licht transmittierende Bereich TRA in dem oberen Abschnitt des Unterpixels SP ausgebildet sein, der untere lichtemittierende Bereich BE kann in dem mittleren Abschnitt des Unterpixels SP ausgebildet sein und der obere lichtemittierende Bereiche TE kann in dem unteren Abschnitt des Unterpixels SP ausgebildet sein.
  • Eine Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE kann in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet sein. Darüber hinaus können Top-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST1 und TT und Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST2 und BT in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet sein, um die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE zu steuern. Zusätzlich sind die Top-Abtastleitung SLT und die Bottom-Abtastleitung SLB in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet. Die Top-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST1 und TT weisen einen Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 und einen Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT auf. Die Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST2 und BT weisen einen Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und einen Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT auf.
  • Der Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 ist mit der oberen Abtastleitung SLT und der Datenleitung DL verbunden. Beispielsweise weist der Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 eine Top-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG1, eine Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1, eine Top-Emitter-Schalt-Sourceelektrode SS1 und eine Top-Emitter-Schalt-Drainelektrode ST1 auf.
  • Der Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT ist mit dem Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 und der Steuerstromleitung VDD verbunden. Beispielsweise weist der Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT eine Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG, eine Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA, eine Top-Emitter-Steuer-Sourceelektrode TS und eine Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD auf. Die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TT ist mit der Top-Emitter-Schalt-Drainelektrode ST1 verbunden.
  • Die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE weist eine Top-Emitter-Anode ANOT auf. Die Top-Emitter-Anode ANOT ist mit der Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD des Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors TT verbunden.
  • Die Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren weisen den Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT auf.
  • Der Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 ist mit der unteren Abtastleitung SLB und der Datenleitung DL verbunden. Beispielsweise weist der Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 eine Bottom-Emitter-Schalt-Gateelektrode SG2, eine Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2, eine Bottom-Emitter-Schalt-Sourceelektrode SS2 und eine Bottom-Emitter-Schalt-Drainelektrode ST2 auf.
  • Der Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT ist mit dem Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und der Steuerstromleitung VDD verbunden. Beispielsweise weist der Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT eine Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG, eine Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA, eine Bottom-Emitter-Steuer-Sourceelektrode BS und eine Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD auf. Die Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG ist mit der Bottom-Emitter-Schalt-Drainelektrode SD2 verbunden.
  • Die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode BOLE weist eine Bottom-Emitter-Anode ANOB auf. Die Bottom-Emitter-Anode ANOB ist mit der Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD des Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors BT verbunden.
  • Die Top-Emitter-Anode ANOT der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE kann so ausgebildet sein, dass sie jeden der Top-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST1 und TT und der Bottom-Emitter-Dünnfilmtransistoren ST2 und BT bedeckt. Da die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE Licht weg von der Oberseite des Substrats SUB bereitstellt, sind Steuerelemente, die kein Licht erzeugen, unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE ausgebildet, um den Aperturbereich der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE zu maximieren.
  • Es ist wünschenswert, dass Steuerelemente, die kein Licht bereitstellen, unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE ausgebildet sind, da die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode BOLE Licht auf der Unterseite des Substrats SUB bereitstellt. D.h., alle Steuerelemente der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE sind unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE ausgebildet.
  • Die Steuerelemente der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE sind unter der Top-Emitter-Anode ANOT der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE ausgebildet. Dadurch können die Steuerelemente ST2 und BT der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE durch ein elektrisches Signal von der Top-Emitter-Anode ANOT elektrisch beeinflusst sein. Das heißt, es ist möglich, dass die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode BOLE nicht richtig funktioniert. Um dieses Problem zu verhindern, weist die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit gemäß der zweiten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ferner eine Abschirmschicht SHL auf, die die Steuerelemente der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode BOLE bedeckt.
  • 4 veranschaulicht, dass die Abschirmschicht SHL die Form eines Streifens hat, der sich horizontal erstreckt. Die Abschirmschicht SHL verläuft über das Substrat SUB in Form von Linien, die jeden der Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistoren ST2 und der Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistoren BT aller Subpixel SP bedecken. 4 zeigt auch ein Beispiel, bei dem die Abschirmschicht SHL den Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT bedeckt. Jedoch ist die Abschirmschicht SHL nicht auf dieses Beispiel beschränkt, sondern kann auch den Top-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST1 und dem Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT bedecken. Alternativ dazu kann, falls nötig, die Abschirmschicht lediglich den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT bedecken. In manchen Fällen kann die Abschirmschicht SHL gerade soweit ausgebildet sein, dass sie einen Teil des Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors BT bedeckt, beispielsweise den Kanalbereich.
  • Die Abschirmschicht SHL kann mit der Top-Emitter-Anode ANOT der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode TOLE, die darüber liegt, überlappen, wodurch sie induktive Ladungen sammelt. Vorzugsweise werden diese induktiven Ladungen abgegeben. Daher ist die Abschirmschicht SHL auf einer linken Seite und/oder rechten Seite des Substrats SUB mit einer Masseleitung verbunden und gibt die angesammelten induktiven Ladungen ab.
  • <Dritte beispielhafte Ausführungsform>
  • Nachfolgend wird eine dritte beispielhafte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu 5 beschrieben. 5 ist eine Querschnittsansicht einer Struktur eines einzelnen Pixels einer beidseitig emittierenden transparenten organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigeeinheit gemäß einer dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei der dritten beispielhaften Ausführungsform wird eine beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit, die im Querschnitt eine andere Struktur hat, beschrieben.
  • Eine Pufferschicht BUF ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet. Über der Pufferschicht BUF sind Halbleiterschichten ausgebildet. Die Halbleiterschichten weisen auf eine Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1, eine Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA, eine Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2 und eine Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA. Die Top-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA1 und die Bottom-Emitter-Schalt-Halbleiterschicht SA2 sind nicht gezeigt, da 5, welche eine Querschnittsansicht ist, eine Schnittansicht des Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors TT und des Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors BT zeigt.
  • Die Mitte der Top-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht TA und die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG überlappen einander, wobei ein Gateisolierungsfilm Gl dazwischen ist. Auf ähnliche Weise überlappen die Mitte der Bottom-Emitter-Steuer-Halbleiterschicht BA und die Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG einander, wobei der Gateisolierungsfilm Gl dazwischen ist.
  • Ein Zwischenisolierungsfilm ILD ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo die Top-Emitter-Steuer-Gateelektrode TG und die Bottom-Emitter-Steuer-Gateelektrode BG ausgebildet sind. Die Top-Emitter-Steuer-Sourceelektrode TS, die Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD, die Bottom-Emitter-Steuer-Sourceelektrode BS und die Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD sind auf dem Zwischenisolierungsfilm ILD ausgebildet.
  • Ein Passivierungsfilm PAS ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo der Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor TT und der Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT ausgebildet sind. Ein unterer Farbfilter CF1 kann auf dem Passivierungsfilm PAS ausgebildet sein. Es ist wünschenswert, dass der untere Farbfilter CF1 selektiv nur in dem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE ausgebildet ist.
  • Ein erster Planarisierungsfilm OC1 ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo der untere Farbfilter CF1 ausgebildet ist. Eine Top-Emitter-Pixelelektrode PT, eine Bottom-Emitter-Pixelelektrode PB und eine Abschirmschicht SHL sind auf dem ersten Planarisierungsfilm OC1 ausgebildet.
  • Die Top-Emitter-Pixelelektrode PT ist mit der Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD über ein Kontaktloch verbunden, das in dem ersten Planarisierungsfilm OC1 ausgebildet ist. Die Bottom-Emitter-Pixelelektrode PB ist mit der Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD über ein Kontaktloch verbunden, das in dem ersten Planarisierungsfilm OC1 ausgebildet ist. Die Abschirmschicht SHL ist vorzugsweise so ausgebildet, dass sie den Bottom-Emitter-Schalt-Dünnfilmtransistor ST2 und den Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistor BT bedeckt. Darüber hinaus ist die Abschirmschicht SHL vorzugsweise von der Top-Emitter-Pixelelektrode PT und der Bottom-Emitter-Pixelelektrode PB separiert.
  • Die Top-Emitter Pixelelektrode PT und die Bottom-Emitter-Pixelelektrode PB sind auf dem ersten Planarisierungsfilm OC1 übereinander gestapelt und ein zweiter Planarisierungsfilm OC2 ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo die Abschirmschicht SHL ausgebildet ist. Eine Top-Emitter-Anode ANOT und eine Bottom-Emitter-Anode ANOB sind auf dem zweiten Planarisierungsfilm OC2 ausgebildet. Die Top-Emitter-Anode ANOT ist nur in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet und ist mit der Top-Emitter-Steuer-Drainelektrode TD des Top-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors TT verbunden. Die Bottom-Emitter-Anode ANOB ist nur in dem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE ausgebildet und ist mit der Bottom-Emitter-Steuer-Drainelektrode BD des Bottom-Emitter-Steuer-Dünnfilmtransistors BT verbunden.
  • Die Top-Emitter Anode ANOT ist aus einer transparenten leitfähigen Schicht ITO und einer reflektierenden Elektrodenschicht AG, die übereinander gestapelt sind, gebildet. Die Bottom-Emitter-Anode ANOB ist nur aus einer transparenten leitfähigen Schicht gebildet. Beispielsweise weist die transparente leitfähige Schicht ITO ein transparentes leitfähiges Material, wie beispielsweise Indium-Zinnoxid oder Indium-Zinkoxid auf. Die reflektierende Elektrode AG weist ein Licht reflektierendes Material, wie beispielsweise Aluminium (AI), Silber (Ag), Molybdän (Mo) oder Titan (Ti) auf.
  • Ein Damm BN ist auf der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo die Top-Emitter-Anode ANOT und die Bottom-Emitter-Anode ANOB ausgebildet sind. Der Damm BN gibt den Top-Licht emittierenden Bereich TE und den Bottom-Licht emittierenden Bereich BE vor. Beispielsweise umgibt der Damm BN eine Ausnehmung, die das meiste der Mitte der Top-Emitter-Anode ANOT freilegt und die den Top-Licht emittierenden Bereich TE vorgibt. Ferner umgibt der Damm BN eine Ausnehmung, die das meiste der Mitte der Bottom-Emitter-Anode ANOB freilegt und die den Bottom-Licht emittierenden Bereiche BE definiert. Vorzugsweise hat der Damm BN auch eine Öffnung, die das meiste der Mitte des Licht transmittierenden Bereichs TRA freigibt.
  • Eine organische Emissionsschicht OL ist über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet, wo der Damm BN ausgebildet ist. Eine Kathode CAT ist auf der organischen Emissionsschicht OL über der gesamten Oberfläche des Substrats SUB ausgebildet. Im Ergebnis ist eine Top-Emitter organische lichtemittierende Diode TOLE in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet mittels sequenziellen Stapelns der Top-Emitter-Anode ANOT, der organischen Emissionsschicht OL und der Kathode CAT. Ferner ist eine Bottom-Emitter organische Licht emittierende Diode BOLE in dem Bottom-Licht emittierenden Bereich BE ausgebildet mittels sequenziellen Stapelns der Bottom-Emitter-Anode ANOB, der organischen Emissionsschicht OL und der Kathode CAT. Währenddessen kann der transparente Bereich TRA transparent bleiben, da nur die organische Emissionsschicht OL und die Kathode CAT darin ausgebildet sind.
  • Ein Abstandshalter SP kann auf dem Damm BN ausgebildet sein. Der Abstandshalter SP kann direkt auf dem Damm BN ausgebildet sein oder kann auf der Kathode CAT ausgebildet sein, die auf dem Damm BN ausgebildet ist.
  • Ein Verkapselungssubstrat ENC ist auf dem Substrat SUB befestigt, wo Anzeigeelemente ausgebildet sind, wobei der Abstandshalter SP dazwischen ist. In diesem Fall können ein Passivierungsfilm oder ein Passivierungsmaterial (nicht gezeigt) zwischen dem Verkapselungssubstrat ENC und dem Substrat SUB ausgebildet sein.
  • Eine schwarze Matrix BM und ein oberer Farbfilter CF2 können auf dem Verkapselungssubstrat SUB ausgebildet sein. Die schwarze Matrix BM kann dem Damm BN zugewandt sein. Vorzugsweise ist der obere Farbfilter CF2 nur in dem Top-Licht emittierenden Bereich TE ausgebildet. Insbesondere ist es wünschenswert, dass der obere Farbfilter CF2 zwischen der schwarzen Matrix BM (beispielsweise in den Zwischenräumen der schwarzen Matrix BM) ausgebildet ist, die den Top-Licht emittierenden Bereich TE umgibt.
  • Wie im Vorhergehenden gesehen, weist die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit einen Licht transmittierenden Bereich TRA auf, durch den der Hintergrund des Anzeigepaneels sichtbar ist, und stellt eine Anzeigefunktion bereit, wenn sie in Verwendung ist, und wird transparent, wenn sie nicht in Verwendung ist. Auch kann eine Augmented Reality-Anzeigefunktion, welche eine Kombination des Hintergrunds und der Anzeigefunktion ist, bereitgestellt werden, wenn sie in Verwendung ist.
  • Insbesondere stellt die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit gemäß der dritten beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Anzeigefunktion auf der Vorder- und der Rückseite der Anzeigevorrichtung bereit. Dementsprechend kann die Anzeigevorrichtung dem Nutzer eine Bildinformation auf der Vorder- und der Rückseite bereitstellen. Mit dieser beidseitig emittierenden Struktur kann die beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit das Aperturverhältnis maximieren mittels Anordnens der Steuerelemente einer Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode und von Steuerelementen einer Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode.
  • Während Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Detail mit Bezug zu den Zeichnungen beschrieben wurden, ist es von den Fachmännern auf diesem Gebiet zu verstehen, dass die Erfindung in anderen spezifischen Formen ausgeführt sein kann, ohne die essenziellen Merkmale der Erfindung zu verändern. Deshalb ist anzumerken, dass die vorhergehenden Ausführungsformen in allen Aspekten lediglich veranschaulichend sind und nicht so ausgelegt werden sollten, dass sie die Erfindung beschränken.

Claims (9)

  1. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP), aufweisend eine Mehrzahl von Pixelbereichen, die jeweils einen Licht transmittierenden Bereich (TRA) und einen lichtemittierenden Bereich (LEA) auf einem Substrat (SUB) aufweisen, wobei der lichtemittierende Bereich (LEA) aufweist: einen Bottom-Licht emittierenden Bereich (BE), in dem eine Bottom-Emitter organische Licht emittierende Diode (BOLE) ausgebildet ist; und einen Top-Licht emittierenden Bereich (TE), in dem eine Top-Emitter organische Licht emittierende Diode (TOLE) ausgebildet ist, wobei der Top-Licht emittierende Bereich (TE) aufweist: Bottom-Steuerelemente (BEC), die unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) ausgebildet sind und die dazu eingerichtet sind, die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode (BOLE) zu steuern; und Top-Steuerelemente (TEC), die unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) ausgebildet sind und die dazu eingerichtet sind, die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode (TOLE) zu steuern, wobei die Bottom-Steuerelemente (BEC) und die Top-Steuerelemente (TEC), die beide unter der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) ausgebildet sind, von der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) überlappt sind.
  2. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP) nach Anspruch 1, ferner aufweisend eine Abschirmschicht (SHL), die zwischen der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) und den Bottom-Steuerelementen (BEC) ausgebildet ist.
  3. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP) nach Anspruch 2, wobei die Abschirmschicht (SHL) die Bottom-Steuerelemente (BEC) und die Top-Steuerelemente (TEC) bedeckt.
  4. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP) nach Anspruch 2 oder 3, wobei die Abschirmschicht (SHL) die Form eines Streifens hat, der sich über die Pixelbereiche erstreckt.
  5. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP) nach Anspruch 4, wobei die Abschirmschicht (SHL) mit einer Masseleitung auf einem lateralen Abschnitt des Substrats (SUB) verbunden ist.
  6. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP) nach Anspruch 1, ferner aufweisend: einen ersten Planarisierungsfilm (OC1), der die Bottom-Steuerelemente (BEC) und die Top-Steuerelemente (TEC) bedeckt; eine Bottom-Emitter-Pixelelektrode, die auf dem ersten Planarisierungsfilm (OC1) ausgebildet ist und mit den Bottom-Steuerelementen (BEC) verbunden ist; eine Top-Emitter-Pixelelektrode, die auf dem ersten Planarisierungsfilm (OC1) ausgebildet ist und mit den Top-Steuerelementen (TEC) verbunden ist; eine Abschirmschicht (SHL) auf dem ersten Planarisierungsfilm (OC1), die um einen vorgegebenen Abstand von der Bottom-Emitter-Pixelelektrode und der Top-Emitter-Pixelelektrode beabstandet ist und zumindest die Bottom-Steuerelemente (BEC) bedeckt; und einen zweiten Planarisierungsfilm (OC2), der die Bottom-Emitter-Pixelelektrode, die Top-Emitter-Pixelelektrode und die Abschirmschicht (SHL) bedeckt, wobei die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode (BOLE) und die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode (TOLE) auf dem zweiten Planarisierungsfilm (OC2) ausgebildet sind.
  7. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner aufweisend: eine Datenleitung (DL) und eine Steuerstromleitung (VDD), die auf dem Substrat (SUB) entlang einer ersten Richtung verlaufen; und eine erste Abtastleitung (SLT) und eine zweite Abtastleitung (SLB), die auf dem Substrat (SUB) entlang einer zweiten Richtung verlaufen, die Bottom-Steuerelemente (BEC) aufweisend: einen Bottom-Schalt-Dünnfilmtransistor (ST2), der mit der Datenleitung (DL) und der ersten Abtastleitung (SLT) verbunden ist; und einen Bottom-Steuer-Dünnfilmtransistor (BT), der mit der Steuerstromleitung (VDD), dem Bottom-Schalt-Dünnfilmtransistor (ST2) und der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (BOLE) verbunden ist, und die Top-Steuerelemente TEC aufweisend: einen Top-Schalt-Dünnfilmtransistor (ST1), der mit der Datenleitung (DL) und der zweiten Abtastleitung (SLB) verbunden ist; und einen Top-Steuer-Dünnfilmtransistor (TT), der mit der Steuerstromleitung (VDD), dem Top-Schalt-Dünnfilmtransistor (ST1) und der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) verbunden ist.
  8. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, ferner aufweisend: einen ersten Farbfilter (CF1), der unter der Bottom-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (BOLE) ausgebildet ist; und einen zweiten Farbfilter (CF2), der über der Top-Emitter organischen lichtemittierenden Diode (TOLE) ausgebildet ist.
  9. Beidseitig emittierende transparente organische lichtemittierende Dioden-Anzeigeeinheit (DP) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Bottom-Emitter organische lichtemittierende Diode (BOLE) aufweist: eine erste Anode (ANOB), die nur aus einem transparenten leitfähigen Material gebildet ist; eine organische Emissionsschicht (OL), die auf der ersten Anode (ANOB) ausgebildet ist; und eine Kathode (CAT), die auf der organischen Emissionsschicht (OL) ausgebildet ist, und wobei die Top-Emitter organische lichtemittierende Diode (TOLE) aufweist: eine zweite Anode (ANOT), die das transparente leitfähige Material und ein reflektierendes Metallmaterial aufweist, das über dem transparenten leitfähigen Material ausgebildet ist; die organische Emissionsschicht (OL), die auf der zweiten Anode (ANOT) ausgebildet ist; und die Kathode (CAT), die auf der organischen Emissionsschicht (OL) ausgebildet ist.
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