DE102018106917A1 - Vorrichtung mit Schaltelementen und entsprechende Verfahren - Google Patents

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Chooi Mei Chong
Amirul Afiq HUD
Teck Sim Lee
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Wei Hing Tan
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Abstract

Bei manchen Beispielen beinhaltet eine Vorrichtung ein Leistungsversorgungselement und ein Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist. Die Vorrichtung beinhaltet ferner einen High-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei High-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist. Die Vorrichtung beinhaltet auch einen Low-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei Low-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist. Die Vorrichtung beinhaltet mindestens zwei Schaltelemente, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Diese Offenbarung betrifft Halbleiter-Packaging und insbesondere Halbleitergehäuse (Package) für Leistungselektronikelemente.
  • Hintergrund
  • Eine Halbbrückenschaltung kann zwei analoge Vorrichtungen oder Schalter beinhalten. Halbbrückenschaltungen können in Leistungsversorgungen für Motoren, in Gleichrichtern und zur Leistungswandlung verwendet werden. Jedes Halbbrückenschaltungsgehäuse weist mehrere Kontakte auf und kann mehrere leitfähige Pfade zum Verbinden der Kontakte miteinander und mit externen Komponenten beinhalten.
  • Manche Schaltungen können zwei oder mehr Halbbrückenschaltungen kombinieren, um einen Mehrphasenleistungswandler zu erhalten. Der Mehrphasenleistungswandler kann einen Ausgangsknoten für jede Phase der Schaltung aufweisen. Mehrphasenleistungswandler können als Gleichstrom-Gleichstrom(DC-DC)-Wandler oder Wechselstrom-DC(AC-DC)-Wandler in einer Vielzahl von Anwendungen, wie etwa unter anderem elektronischen Elementen, Automobilanwendungen, Elektromotoren, Beleuchtung und Anzeigevorrichtungen, verwendet werden.
  • Kurzdarstellung
  • Es werden eine Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 17 sowie ein Verfahren nach Anspruch 12 bereitgestellt. Die Unteransprüche definieren weitere Ausführungsformen.
  • Diese Offenbarung beschreibt ein Halbleitergehäuse für einen Mehrphasenleistungswandler, der einen High-Side-Halbleiter-Die und einen Low-Side-Halbleiter-Die beinhaltet, sowie Techniken zum Herstellen des Halbleitergehäuses. Das Halbleitergehäuse kann für Steuerungsvorrichtungen oder zur Leistungsablieferung zu Vorrichtungen verwendet werden und kann eine spezifische Verwendung zum Steuern eines Mehrphasen-Elektromotors finden.
  • Bei manchen Beispielen beinhaltet eine Vorrichtung ein Leistungsversorgungselement und ein Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist. Die Vorrichtung beinhaltet ferner einen High-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei High-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist. Die Vorrichtung beinhaltet auch einen Low-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei Low-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist. Die Vorrichtung beinhaltet mindestens zwei Schaltelemente, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist.
  • Bei manchen Beispielen wird ein Verfahren zur Montage einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, wobei das Verfahren ein elektrisches Verbinden jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren in einem High-Side-Halbleiter-Die mit einem Leistungsversorgungselement beinhaltet. Das Verfahren beinhaltet ferner ein elektrisches Verbinden jedes Low-Side-Transistors von mindestens zwei Low-Side-Transistoren in einem Low-Side-Halbleiter-Die mit einem Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist. Das Verfahren beinhaltet auch ein elektrisches Verbinden jedes Schaltelements von mindestens zwei Schaltelementen mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren. Das Verfahren beinhaltet auch ein elektrisches Verbinden jedes Schaltelements von mindestens zwei Schaltelementen mit einem jeweiligen Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren.
  • Bei manchen Beispielen beinhaltet eine Vorrichtung einen Elektromotor, der einen Stator, der mindestens zwei Statorspulen beinhaltet, und einen Rotor, der mindestens zwei Rotorspulen beinhaltet, beinhaltet. Die Vorrichtung beinhaltet ferner eine Leiterplatte (PCB; Printed Circuit Board), die mindestens zwei Leiterbahnen (Engl.: traces) beinhaltet, und eine Leistungswandlungsvorrichtung, die auf der PCB befestigt ist, wobei die Leistungswandlungsvorrichtung ein Leistungsversorgungselement und ein Referenzspannungselement beinhaltet, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist. Die Leistungswandlungsvorrichtung beinhaltet auch einen High-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei vertikale High-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder vertikale High-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen High-Side-Transistoren elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist. Die Leistungswandlungsvorrichtung beinhaltet ferner einen Low-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei vertikale Low-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder vertikale Low-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist. Die Leistungsversorgungseinrichtung beinhaltet mindestens zwei Schaltelemente, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen vertikalen High-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen High-Side-Transistoren und einem jeweiligen vertikalen Low-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren verbunden ist. Jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente ist über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen elektrisch mit einer jeweiligen Rotorspule der mindestens zwei Rotorspulen oder mit einer jeweiligen Statorspule der mindestens zwei Statorspulen verbunden.
  • Die Einzelheiten eines oder mehrerer Beispiele sind in den beiliegenden Zeichnungen und der nachfolgenden Beschreibung dargelegt. Andere Merkmale, Objekte und Vorteile werden aus der Beschreibung und den Zeichnungen und aus den Ansprüchen ersichtlich.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Schaltbild eines Mehrphasen-Leistungswandlungsschaltkreises gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
    • 2 ist ein konzeptuelles Seitenansicht-Blockdiagramm der Halbbrückenschaltung aus 1 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
    • 3 ist ein konzeptuelles Seitenansicht-Blockdiagramm einer beispielhaften Vorrichtung aus 1 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
    • 4A und 4B sind ein Draufsicht-Diagramm und ein Unteransicht-Diagramm der Vorrichtung aus 3 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
    • 5 ist ein konzeptuelles Seitenansicht-Blockdiagramm einer anderen beispielhaften Vorrichtung aus 1 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
    • 6 ist ein konzeptuelles Draufsicht-Blockdiagramm einer anderen beispielhaften Vorrichtung aus 1 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
    • 7 ist ein konzeptuelles Draufsicht-Blockdiagramm einer anderen beispielhaften Vorrichtung aus 1 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
    • 8A und 8B sind Draufsicht-Diagramme von zwei Leiterplatten.
    • 9 ist ein konzeptuelles Blockdiagramm einer beispielhaften Anwendung für eine andere beispielhafte Vorrichtung aus 1 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
    • 10 ist ein Flussdiagramm, das eine beispielhafte Technik zur Montage einer Halbleitervorrichtung gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung veranschaulicht.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Eine Mehrphasen-Leistungswandlungsvorrichtung kann eine Halbbrückenschaltung oder eine H-Brückenschaltung für jede Phase der Mehrphasen-Leistungswandlungsvorrichtung beinhalten. Bei dem Beispiel, wo jede Phase eine Halbbrückenschaltung beinhaltet, kann jede Phase der Mehrphasen-Leistungswandlungsvorrichtung einen High-Side-Transistor und einen Low-Side-Transistor enthalten. Eine Vorrichtung dieser Offenbarung kann einen einzelnen High-Side-Halbleiter-Die beinhalten, wobei die High-Side-Transistoren in den einzelnen High-Side-Halbleiter-Die integriert sind. Die Vorrichtung kann einen einzelnen Low-Side-Halbleiter-Die beinhalten, wobei die Low-Side-Transistoren in den einzelnen Low-Side-Halbleiter-Die integriert sind.
  • Durch das Integrieren der High-Side-Transistoren und das Integrieren der Low-Side-Transistoren kann die Mehrphasen-Leistungswandlungsvorrichtung kleiner als eine andere Mehrphasen-Leistungswandlungsvorrichtung sein, die diskrete Transistoren beinhaltet. Die Transistoren in einem integrierten Halbleiter-Die können näher aneinander als diskrete Transistoren positioniert sein. Aufgrund ihrer kleineren Größe und ihrem kleinerem Formfaktor kann die Vorrichtung weniger Platz auf einer Leiterplatte (PCB) einnehmen. Die Vorrichtung kann kostengünstiger sein, da möglicherweise weniger Material benötigt wird, um die Vorrichtung zusammenzubauen.
  • Zusätzlich dazu kann die Montage der Vorrichtung im Vergleich zur Montage einer anderen Vorrichtung mit diskreten Transistoren kostengünstiger, schneller und weniger komplex sein. Anstatt eines individuellen Lötens jedes diskreten Transistors an ein Leistungsversorgungselement und/oder ein Referenzspannungselement können zwei integrierte Halbleiter-Dies an die Elemente gelötet werden. Somit kann es weniger Komponenten zur Montage in einer Vorrichtung dieser Offenbarung geben. Eine Montage einer Dreiphasenvorrichtung kann zum Beispiel zwei Schritte beinhalten: Verbinden eines High-Side-Halbleiter-Dies mit einem Leistungsversorgungselement und Verbinden eines Low-Side-Halbleiter-Dies mit einem Referenzspannungselement anstatt eines individuellen Verbindens jedes diskreten Transistors mit dem jeweiligen Element.
  • Die Montage eines integrierten Halbleiter-Dies einer Mehrphasen-Leistungswandlungsvorrichtung kann im Vergleich zu einer Vorrichtung, die diskrete Transistoren beinhaltet, eine geringere Wahrscheinlichkeit von fehlerhaften Verbindungen aufweisen. Wenn zum Beispiel diskrete Transistoren in einer Mehrphasenvorrichtung gelötet werden, kann das Lot zusammenlaufen, was eine Parameterdrift bewirkt. Ein Löten von integrierten Transistoren kann die Wahrscheinlichkeit verringern, dass das Lot zusammenläuft.
  • 1 ist ein Schaltbild eines Mehrphasen-Leistungswandlungsschaltkreises gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Eine Vorrichtung 2 beinhaltet Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B, einen Eingangsknoten 12, einen Referenzknoten 14 und Ausgangsknoten 16A-16C. Bei manchen Beispielen kann auch ein Treiberschaltkreis 10 Teil der Vorrichtung 2 sein.
  • Die Vorrichtung 2 kann eine Leistungswandlungsvorrichtung sein, die den in 1 dargestellten Leistungswandlungsschaltkreis beinhaltet. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 einen Mehrphasen-Leistungswandlungsschaltkreis, wie etwa einen Halbbrücken-Gleichstrom-Gleichstrom(DC-DC)-Abwärtswandler zum Wandeln eines DC-Eingangssignals in ein DC-Ausgangssignal mit einer niedrigeren Spannung, beinhalten. Wie ein DC-DC-Abwärtswandler kann die Vorrichtung 2 bei einer Vielzahl von Anwendungen als ein Spannungsregler wirken. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 für Hochleistungsanwendungen, große Strommengen und hohe Spannungen gestaltet sein. Jedoch können die Techniken dieser Offenbarung auf andere Schaltungen und Konfigurationen, wie etwa andere Leistungswandler einschließlich Mehrphasen-Leistungswandlungsschaltkreise und Wechselstrom-DC(AC-DC)-Leistungswandlungsschaltkreise, zutreffen.
  • 1 bildet die Vorrichtung 2 als drei Phasen beinhaltend ab, aber die Vorrichtung 2 kann eine beliebige andere Anzahl von Phasen beinhalten. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 zwei Phasen, drei Phasen, vier Phasen oder mehr als vier Phasen beinhalten. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 eine Halbbrückenschaltung für jede Phase beinhalten.
  • Die Vorrichtung 2 kann die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B und den Treiberschaltkreis 10 beinhalten. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 mehr oder weniger Komponenten als in 1 dargestellt enthalten. Die Vorrichtung 2 beinhaltet den Eingangsknoten 12, den Referenzknoten 14 und die Ausgangsknoten 16A-16C sowie andere in 1 nicht dargestellte Knoten. Die Knoten 12, 14 und 16A-16C können dazu konfiguriert sein, mit externen Komponenten verbunden zu werden. Zum Beispiel kann der Eingangsknoten 12 mit einer Eingangsspannung, wie etwa einer Leistungsversorgung, verbunden werden, kann der Referenzknoten 14 mit einer Referenzspannung, wie etwa einer Referenzmasse, verbunden werden und können die Ausgangsknoten 16A-16C mit einer Last, wie etwa einer elektronischen Vorrichtung, verbunden werden. Der Eingangsknoten 12 kann vom Referenzknoten 14 elektrisch isoliert sein. Jeder Ausgangsknoten 16A-16C kann eine Phase einer Ausgangsspannung zu einer elektrischen Last abliefern. Bei manchen Beispielen kann der Treiberschaltkreis 10 über einen (in 1 nicht dargestellten) Knoten mit einer externen Schaltung verbunden sein.
  • Die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B können Metalloxid-Halbleiter(MOS)-Feldeffekttransistoren(FETs), Bipolartransistoren (BJTs) und/oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) beinhalten. Die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B können n-Typ-Transistoren oder p-Typ-Transistoren beinhalten. Bei manchen Beispielen können die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B andere analoge Vorrichtungen, wie etwa Dioden, beinhalten. Die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B können auch Freilaufdioden beinhalten, die mit Transistoren parallelgeschaltet sind, um einen Durchbruch der Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B in Sperrrichtung zu verhindern. Bei manchen Beispielen können die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B als Schalter, als analoge Vorrichtungen und/oder als Leistungstransistoren arbeiten. Bei manchen Beispielen kann jeder der Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B mehr als einen Transistor beinhalten, die elektrisch parallelgeschaltet sind und dazu konfiguriert sind, zusammen als ein einzelner Schalter zu arbeiten.
  • Obwohl die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B in 1 als MOSFET-Symbole dargestellt sind, ist es vorgesehen, dass eine beliebige elektrische Vorrichtung, die durch eine Spannung gesteuert wird, anstelle der wie dargestellten MOSFETs verwendet werden kann. Zum Beispiel können die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B unter anderem eine beliebige Art von Feldeffekttransistor (FET), einen Bipolartransistor (BJT), einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), einen Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT), einen Galliumnitrid(GaN)-basierten Transistor oder ein anderes Element, das eine Spannung für seine Steuerung verwendet, beinhalten.
  • Die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B können verschiedene Materialverbindungen beinhalten, wie etwa Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid oder eine beliebige andere Kombination von einem oder mehreren Halbleitermaterialien. Um den Vorteil von höheren Leistungsdichteanforderungen bei manchen Schaltungen zu nutzen, können Leistungswandler bei höheren Frequenzen arbeiten. Magnetikverbesserungen und schnelleres Schalten, wie etwa Galliumnitrid-Schalter, können Wandler mit höherer Frequenz unterstützen. Diese Schaltungen mit höherer Frequenz können erfordern, dass Steuersignale mit genauerem Timing als für Schaltungen mit niedrigerer Frequenz gesendet werden.
  • Der Treiberschaltkreis 10 kann Signale und/oder Spannungen an die Steueranschlüsse der Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B abliefern. Der Treiberschaltkreis 10 kann auch einen Gate-Treiberschaltkreis beinhalten, der zum Übersetzen von Steuersignalen mit niedrigerer Leistung in Steuersignale mit höherer Leistung konfiguriert ist. Bei manchen Beispielen kann der Treiberschaltkreis 10 in das Gehäuse mit einem oder mehreren der Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A und 8B integriert sein oder kann der Treiberschaltkreis 10 eine separate IC sein. Bei manchen Beispielen kann der Treiberschaltkreis 10 dazu konfiguriert sein, Steuersignale, wie etwa pulsbreitenmodulierte (PWM) Signale, pulsdichtenmodulierte (PDM) Signale und/oder beliebige andere geeignete Steuersignale, abzuliefern.
  • Eine Halbbrückenschaltung 18 kann die Transistoren 4A und 4B beinhalten. Die Transistoren 4A und 4B können miteinander und mit dem Ausgangsknoten 16A gekoppelt sein. Die Halbbrückenschaltung 18 kann eine Phase einer Ausgangsspannung für die Vorrichtung 2 erzeugen. Die Transistoren 6A und 6B und die Transistoren 8A und 8B können jeweils andere Phasen der Ausgangsspannung für die Vorrichtung 2 erzeugen. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 eine oder mehrere H-Brückenschaltungen beinhalten, wobei jede H-Brückenschaltung zwei Halbbrückenschaltungen beinhalten kann. Der Schalterknoten der ersten Halbbrückenschaltung der H-Brückenschaltung kann elektrisch mit einer ersten Seite einer elektrischen Last verbunden sein und der Schalterknoten der zweiten Halbbrückenschaltung der H-Brückenschaltung kann elektrisch mit einer zweiten Seite der elektrischen Last verbunden sein.
  • 2 ist ein konzeptuelles Seitenansicht-Blockdiagramm der Halbbrückenschaltung 18 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Einer oder beide der Transistoren 4A und 4B kann bzw. können einen vertikalen Transistor beinhalten, der aus Silizium, Siliziumkarbid, Galliumnitrid oder einem beliebigen anderen geeigneten Halbleiter hergestellt ist. Für einen vertikalen Transistor können sich der Source-Anschluss und der Drain-Anschluss auf gegenüberliegenden Seiten oder gegenüberliegenden Oberflächen des Transistors befinden. Ein Strom in einem vertikalen Transistor kann von oben nach unten oder von unten nach oben durch die Transistoren fließen. Die Transistoren der Vorrichtung 2 können vertikale FETs sein, wie etwa vertikale MOSFETs.
  • Der High-Side-Transistor 4A kann zwei Lastanschlüsse, wie etwa eine Source 32S und einen Drain 32D, beinhalten. Der Low-Side-Transistor 4B kann zwei Lastanschlüsse, wie etwa eine Source 34S und einen Drain 34D, beinhalten. Jeder der Transistoren 4A und 4B kann einen Steueranschluss, wie etwa einen (in 2 nicht dargestellten) Gate-Anschluss beinhalten. Sowohl die Steueranschlüsse als auch die Lastanschlüsse der Transistoren 4A und 4B können ein Pad oder einen Bereich an der Oberfläche des Transistors 4A oder 4B zum Bilden externer elektrischer Verbindungen beinhalten.
  • Die Transistoren 4A und 4B können so konfiguriert sein, dass die Source 32S über ein Schaltelement 26A elektrisch mit dem Drain 34D verbunden ist. Die Schaltelemente der Vorrichtung 2 können elektrisch mit den Source-Anschlüssen der High-Side-Transistoren und mit den Drain-Anschlüssen der Low-Side-Transistoren verbunden sein. Das Schaltelement 26A kann sich auf einer dem Drain 32D und der Source 34S gegenüberliegenden Seite der Transistoren 4A und 4B befinden. Bei manchen Beispielen können die Source 32S und der Drain 34D über das Schaltelement 26A elektrisch mit einer (in 2 nicht dargestellten) Induktivität und/oder elektrischen Last verbunden sein.
  • Das Schaltelement 26A sowie die Schaltelemente aus den Figuren 3 und 5-7 können eine Klammer, einen Bonddraht, ein Band, eine Metallisierungsschicht, eine Die-Grundplatte, einen Bonddraht und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material beinhalten. Falls das Schaltelement 26A eine Klammer ist, kann das Schaltelement 26A ein Kupferclip sein. Falls das Schaltelement 26A ein Bonddraht ist, kann das Schaltelement 26A ein Aluminiumdraht oder ein Kupferdraht mit Lötpaste oder weichem Lot sein. Falls das Schaltelement 26A ein Band ist, kann das Schaltelement 26A ein Aluminiumband sein. Das Schaltelement 26A kann auf eine ähnliche Art und Weise wie der Ausgangsknoten 16A in 1 arbeiten, sodass sich der Spannungspegel des Schaltelements 26A dem Spannungspegel des Leistungsversorgungselements 22 annähern kann, wenn der High-Side-Transistor 4A aktiv ist. Der Spannungspegel des Schaltelements 26A kann sich dem Spannungspegel des Referenzspannungselements 22 annähern, wenn der Low-Side-Transistor 4B aktiv ist.
  • Das Leistungsversorgungselement 22 und das Referenzspannungselement 24 können Die-Grundplatten, Metallisierungsschichten, Leiterrahmensegmente und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material beinhalten. Die Elemente 22 und 24 können Slugs genannt werden, sodass 2 eine „Slug-up“-Konfiguration abbildet, in der die Elemente 22 auf den Transistoren 4A und 4B positioniert sind. Eine Slug-up-Konfiguration kann elektrische Verbindungen und einen thermischen Pfad auf der Oberseite der Vorrichtung ermöglichen.
  • Das Leistungsversorgungselement 22 kann elektrisch mit dem Drain 32D und mit einer High-Side-Leistungsversorgung verbunden sein. Das Leistungsversorgungselement 22 kann elektrisch mit den Drain-Anschlüssen aller High-Side-Transistoren der Vorrichtung 2 verbunden sein. Das Leistungsversorgungselement 22 kann als eine High-Side-Spannungsschiene auf eine ähnliche Weise wie der Eingangsknoten 12 in 1 arbeiten. Das Leistungsversorgungselement 22 kann Elektrizität von einer Leistungsversorgung zu den High-Side-Lastanschlüssen der Transistoren 4A, 6A und 8A liefern.
  • Das Referenzspannungselement 24 kann elektrisch mit der Source 34S und mit einer Low-Side-Leistungsversorgung verbunden sein. Das Referenzspannungselement 24 kann elektrisch mit den Source-Anschlüssen aller Low-Side-Transistoren der Vorrichtung 2 verbunden sein. Das Referenzspannungselement 24 kann als eine Low-Side-Spannungsschiene auf eine ähnliche Art und Weise wie der Referenzknoten 14 in 1 arbeiten. Das Referenzspannungselement 24 kann Elektrizität von einer Leistungsversorgung zu den Low-Side-Lastanschlüssen der Transistoren 4B, 6B und 8B liefern. Das Leistungsversorgungselement 22 kann von dem Referenzspannungselement 24 elektrisch isoliert sein.
  • 3 ist ein konzeptuelles Seitenansicht-Blockdiagramm einer beispielhaften Vorrichtung 2A gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Vorrichtung 2A kann eine Slug-up-Konfiguration beinhalten, bei der Elemente 42 und 44 auf Halbleiter-Dies 40A und 40B positioniert sind. Die Unterseite der Vorrichtung 2A kann dazu konfiguriert sein, auf einer PCB 56 befestigt zu werden. Die Elemente 42 und 44 können dazu konfiguriert sein, auf der PCB 56 befestigt zu werden.
  • Eine Umhüllung (z. B. Gehäuse, Package) 48 kann die Halbleiter-Dies 40A und 40B und ein Schaltelement 46A verkapseln. Die Umhüllung 48 kann auch die anderen Schaltelemente der Vorrichtung 2A und eine Vergussmasse (molding compound) 52 verkapseln. Die Umhüllung 48 kann zumindest teilweise das Leistungsversorgungselement 42 und das Referenzspannungselement 44 verkapseln, sodass die Elemente 42 und 44 teilweise auf der Oberseite der Vorrichtung 2A freigelegt sind. Für eine Slug-up-Konfiguration kann die Umhüllung 48 die Komponenten der Vorrichtung 2A mit Ausnahme der teilweise freigelegten Elemente 42 und 44 und der Pins 50A und 50H verkapseln. Die Umhüllung 48 kann Kunststoff, Keramik, Metall und/oder ein beliebiges anderes geeignetes Material beinhalten. Die Umhüllung 48 kann auch eine Einhausung, ein Gehäuse oder eine Kapselung genannt werden.
  • Der Pin 50A und der optionale Pin 50H können sich durch die Umhüllung 48 erstrecken. Das Schaltelement 46A kann elektrisch mit dem Pin 50A und optional mit dem Pin 50H verbunden sein. Bei manchen Beispielen kann das Schaltelement 46A elektrisch mit nur einem Pin, wie etwa dem Pin 50A, verbunden sein. Alternativ dazu kann das Schaltelement 46A elektrisch mit zwei oder mehr Pins, wie etwa dem Pin 50A, dem Pin 50H und/oder beliebigen anderen Pins, verbunden sein. Der Pin 50A und der optionale Pin 50H können so auf der Umhüllung 48 positioniert sein, dass die Unterseite der Umhüllung dazu konfiguriert ist, auf der PCB 56 befestigt zu werden, und dass der Pin 50A und der optionale Pin 50H dazu konfiguriert sind, auf der PCB 56 befestigt zu werden. Der Pin 50A und der optionale Pin 50H können an oder in der Nähe der Unterseite der Umhüllung 48 positioniert sein, sodass der Pin 50A und der optionale Pin 50H elektrisch mit einer oder mehreren Leiterbahnen und/oder einem oder mehreren Pads auf der PCB 56 verbunden sind.
  • Die Vergussmasse 52 kann die Halbleiter-Dies 40A und 40B verkapseln. Die Vergussmasse kann zumindest teilweise das Schaltelement 46A und die anderen Schaltelemente der Vorrichtung 2A verkapseln. Die Vergussmasse 52 kann ein Halbfestkörper oder ein formbarer Festkörper sein, der die Halbleiter-Dies 40A und 40B, die Elemente 42 und 44 und das Schaltelement 46A bedeckt, sich um diese formt und/oder diese sichert. Die Vergussmasse 52 kann die Leitung von Elektrizität zwischen dem High-Side-Halbleiter-Die 40A und dem Low-Side-Halbleiter-Die 40B verhindern oder beeinträchtigen. Die Vergussmasse 52 kann ein beliebiges geeignetes Isolationsmaterial beinhalten, wie etwa eine silikagefüllte Epoxidvergussmasse (EMC), ein Epoxidverkapselungsmaterial und/oder ein beliebiges anderes geeignetes Material. Die Vergussmasse 52 kann ein Duroplastmaterial sein.
  • Bei manchen Beispielen kann die Abscheidung der Vergussmasse 52 als „Umspritzen“ bezeichnet werden. Die Vergussmasse 52 kann in den Raum zwischen den Komponenten der Vorrichtung 2A fließen und diesen füllen, um die Komponenten zu sichern. Die Füllstoffgröße oder die Teilchengröße in der Vergussmasse 52 kann klein genug sein, um in den Raum zwischen den Halbleiter-Dies 40A und 40B und zwischen die Elemente 42 und 44 zu passen. Bei manchen Beispielen kann die Vergussmasse 52 ein Verkapselungsmaterial oder eine Epoxidvergussmasse umfassen. Bei manchen Beispielen kann der Fertigungsprozess eine flüssige Unterfüllung oder ein anisotropes Band mit einem leitfähigen Film für den Raum zwischen den Halbleiter-Dies 40A und 40B und zwischen den Elementen 42 und 44 beinhalten.
  • Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2A auf die folgende Art und Weise montiert werden. Zuerst kann eine Unterseite des High-Side-Halbleiter-Dies 40A elektrisch mit einer Oberseite des Leistungsversorgungselements 42 verbunden werden. Als Nächstes kann eine Unterseite des Low-Side-Halbleiter-Dies 40B elektrisch mit einer Oberseite des Referenzspannungselements 44 verbunden werden. Die Halbleiter-Dies 40A und 40B können auf eine geeignete Art und Weise, wie etwa Löten, Diffusionslöten, Sintern, Kleben und/oder Fusionsbonden, elektrisch mit den Elementen 42 und 44 verbunden werden. Das Schaltelement 46A und die anderen Schaltelemente können dann elektrisch mit einer Oberseite der Halbleiter-Dies 40A und 40B verbunden werden. Der Prozess des Verbindens eines integrierten Halbleiter-Dies kann schneller und weniger komplex als der Prozess des Verbindens von diskreten Transistoren sein.
  • Als Nächstes kann die Vergussmasse 52 um die Komponenten der Vorrichtung 2A herum abgeschieden werden. Die Komponenten der Vorrichtung 2A können umgedreht werden und das Schaltelement 46A kann elektrisch mit dem Pin 50A und optional mit dem Pin 50H verbunden werden. Die Umhüllung 48 kann an den Elementen 42 und 44, der Vergussmasse 52, den Pins 50A und 50H so angebracht werden, dass diese Komponenten in der Umhüllung 48 verkapselt werden. Die Elemente 42 und 44 können teilweise in der Umhüllung 48 verkapselt werden. Die Vorrichtung 2A kann dann auf der PCB 56 durch Löten, Kleben und/oder ein beliebiges anderes geeignetes Verfahren des Befestigens der Vorrichtung 2A auf der PCB 56 befestigt werden. Die Pins 50A und 50H können zu Leiterbahnen und/oder Pads in der PCB 56 gelötet werden.
  • Bei manchen Beispielen können die elektrischen Verbindungen zwischen den Komponenten der Vorrichtung 2A durch Löten gebildet werden. Bei manchen Beispielen kann das Lot ein Bleilot sein. Löten von Komponenten, um elektrische Verbindungen zu bilden, kann Platzieren von Lot zwischen den Komponenten, Anwenden von Wärme, um das Lot zu schmelzen, und Ermöglichen, dass sich das Lot abkühlt, um die elektrische Verbindung zu bilden, beinhalten. Der Lötprozess kann ein doppelseitiges Wiederaufschmelzen beinhalten, um die elektrischen Verbindungen zwischen den Komponenten der Vorrichtung 2A zu bilden. Die Komponenten der Vorrichtung 2A können auch mit einer leitfähigen Paste, einem leitfähigen Band, einem leitfähigen Harz und/oder durch Metallsintern aneinander geklebt oder gehaftet werden. Die Verbindungen zwischen den Komponenten der Vorrichtung 2A können metallisierte, plattierte Laser-Vias, Lot und/oder eine metallisierte Hochdruck/Hochfrequenz-Bondung, wie etwa eine Diffusionsbondung, beinhalten. Die Diffusionsbondung kann eine direkte Bondung zwischen den Komponenten der Vorrichtung 2A beinhalten.
  • Die Vorrichtung 2A kann zusätzliche, in 3 nicht dargestellte Komponenten beinhalten, wie etwa einen Treiberschaltkreis, der zum Abliefern von Steuersignalen konfiguriert ist. Die Vorrichtung 2A kann auch Bonddrähte beinhalten, die elektrisch mit den Steueranschlüssen der Transistoren der Halbleiter-Dies 40A und 40B verbunden sind. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2A auch ein thermisch leitfähiges Material beinhalten, das zum Arbeiten als ein Kühlkörper konfiguriert ist.
  • Die 4A und 4B sind ein Draufsicht-Diagramm und ein Unteransicht-Diagramm der Vorrichtung 2A gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. 4A ist ein Draufsicht-Diagramm der Vorrichtung 2A, die eine Slug-up-Konfiguration beinhalten kann, bei der die Elemente 42 und 44 zumindest teilweise auf der Oberseite der Umhüllung 48 freigelegt sind. Die Pins 50A-50N können auf den Seiten der Umhüllung 48 in der Nähe der Unterseite der Umhüllung 48 angeordnet sein. 4B ist ein Unteransicht-Diagramm der Vorrichtung 2A, das die Unterseite der Umhüllung 48 zeigt. Die untere Oberfläche der Umhüllung 48 kann dazu konfiguriert sein, auf einer PCB befestigt zu werden. Die Pins 50A-50N können dazu konfiguriert sein, elektrisch mit Leiterbahnen und/oder Pads auf der PCB verbunden zu werden.
  • Die Umhüllung 48 ist als rechteckig, mit den Pins 50A-50N, abgebildet. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2A eine Oberflächenmontagetechnologie sein und jeder der Pins 50A-50N kann eine Leitung beinhalten. Bei manchen Beispielen kann die Umhüllung 48 ein DIP-Gehäuse (DIP - Dual In-line), eine integrierte Schaltung mit kleinem Grundriss (SOIC), ein PQFN-Gehäuse (PQFN - Power Quad Flat No-lead), ein TO (Transistor-Outline)-263- oder TO-220-Gehäuse (auch als DPAK bekannt) und/oder ein beliebiges anderes geeignetes Gehäuse beinhalten.
  • Die Pins 50A-50N können sich durch die Umhüllung 48 erstrecken und können dazu konfiguriert sein, elektrische Verbindungen zwischen den Komponenten der Vorrichtung 2A und externen Komponenten bereitzustellen. Falls die Vorrichtung 2A eine Dreiphasenvorrichtung ist, können drei der Pins 50A-50N elektrisch mit den Schaltelementen 46A-46C verbunden sein. Sechs der Pins 50A-50N können elektrisch mit den Steueranschlüssen von jedem der Transistoren der Halbleiter-Dies 40A und 40B verbunden sein. Bei manchen Beispielen können zwei der Pins 50A-50N elektrisch mit Temperatursensoren innerhalb der Umhüllung 48 verbunden sein.
  • Bei manchen Beispielen sind die Elemente 42 und 44 möglicherweise nicht elektrisch mit den Pins 50A-50N verbunden. Eines der Elemente 42 und 44 kann eine elektrische Verbindung mit einer anderen Vorrichtung an der freigelegten Oberfläche des jeweiligen einen der Elemente 42 und 44 beinhalten. Bei manchen Beispielen können eines oder beide der Elemente 42 und 44 elektrisch mit einem oder mehreren der Pins 50A-50N zusätzlich oder alternativ zu den freigelegten Oberflächen der Elemente 42 und 44 verbunden sein. Die Elemente 42 und 44 können elektrisch mit einem oder mehreren der Pins 50A-50N verbunden sein, falls die Vorrichtung 2A eine Slug-down-Konfiguration beinhaltet.
  • 5 ist ein konzeptuelles Seitenansicht-Blockdiagramm einer anderen beispielhaften Vorrichtung 2B gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Vorrichtung 2B kann eine Slug-down-Konfiguration beinhalten, bei der Elemente 62 und 64 Slugs genannt werden und unter Halbleiter-Dies 60A und 60B positioniert sind. Die Unterseite der Vorrichtung 2B kann dazu konfiguriert sein, auf einer PCB 76 befestigt zu werden, sodass die Elemente 62 und 64 dazu konfiguriert sein können, auf der PCB 76 befestigt und elektrisch mit Leiterbahnen und/oder Pads in der PCB 76 verbunden zu werden. Ein Schaltelement 66A kann eine „C“-Form, wie in 5 abgebildet, beinhalten oder das Schaltelement 66A kann auf Säulen montiert sein, die mit Pins 70A und 70H und dem Schaltelement 66A verbunden sind.
  • Bei manchen Beispielen kann der Montageprozess der Vorrichtung 2B ein Verbinden der Halbleiter-Dies 60A und 60B auf dem Schaltelement 66A, ein Verbinden der Elemente 62 und 64 auf den Halbleiter-Dies 60A und 60B, ein Abscheiden einer Vergussmasse 72 und ein Herumdrehen der Vorrichtung 2B beinhalten. Somit kann die Vorrichtung 2B ein Flip-Chip genannt werden.
  • 6 ist ein konzeptuelles Draufsicht-Blockdiagramm einer anderen beispielhaften Vorrichtung 2C gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Vorrichtung 2C beinhaltet Schaltelemente 86A-86C, die über Transistoren 92A-92C und 94A-94C in Halbleiter-Dies 80A und 80B verbunden sind. 6 bildet die Schaltelemente 86A-86C als Metallklammern und/oder Metallschichten ab (siehe Figur 7 für eine Abbildung von Schaltelementen als Bonddrähte).
  • Der Halbleiter-Die 80A kann auf einem Leistungsversorgungselement 82 positioniert sein und der Halbleiter-Die 80B kann auf einem Referenzspannungselement 84 positioniert sein. Obwohl 6 die Vorrichtung 2C als drei Phasen beinhaltend abbildet, kann die Vorrichtung 2C bei manchen Beispielen zwei, drei, vier oder mehr als vier Phasen beinhalten. Bei manchen Beispielen kann die erste Phase der Vorrichtung 2C ein Schaltelement 86A und Transistoren 92A und 94A beinhalten, die zweite Phase der Vorrichtung 2C kann ein Schaltelement 86B und Transistoren 92B und 94B beinhalten und die dritte Phase der Vorrichtung 2C kann ein Schaltelement 86C und Transistoren 92C und 94C beinhalten.
  • Die High-Side-Transistoren 92A-92C können in den High-Side-Halbleiter-Die 80A integriert sein. Die Low-Side-Transistoren 94A-94C können in den Low-Side-Halbleiter-Die 82A integriert sein. Durch das Integrieren von sowohl den High-Side-Transistoren 92A-92C als auch den Low-Side-Transistoren 94A-94C in einen einzelnen Halbleiter-Die kann das Volumen, das durch die High-Side-Transistoren 92A-92C eingenommen wird, im Vergleich zu drei diskreten High-Side-Transistoren verringert werden. Zusätzlich dazu kann die Zeit und die Komplexität der Montage der Vorrichtung 2C geringer als die Zeit und die Komplexität der Montage einer Mehrphasenvorrichtung sein, die diskrete Transistoren beinhaltet. Eine geringere Zeit und ein geringerer Aufwand kann zu geringeren Kosten für die Vorrichtung 2C im Vergleich zu einer Mehrphasenvorrichtung, die diskrete Transistoren beinhaltet, führen.
  • Jedes der Schaltelemente 86A-86C kann elektrisch mit einem oder mehreren Pins (in 6 nicht dargestellt) verbunden sein. Gemäß den Techniken dieser Offenbarung kann jedes der Schaltelemente 86A-86C einen Pin beinhalten, der sich durch die Umhüllung der Vorrichtung 2C erstreckt. Der Pin kann ein integrierter Pin sein, sodass der Pin und das jeweilige eine der Schaltelemente 86A-86C eine einzelne Komponente sind.
  • 7 ist ein konzeptuelles Draufsicht-Blockdiagramm einer anderen beispielhaften Vorrichtung 2D gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Vorrichtung 2D kann eine Slug-down-Konfiguration beinhalten, sodass Elemente 102 und 104 zumindest teilweise auf einer Unterseite der Vorrichtung 2D freigelegt sind. Die Vorrichtung 2D kann Schaltelemente 106A-106C beinhalten, die in 7 als Bonddrähte veranschaulicht sind. Bei manchen Beispielen können die Schaltelemente 106A-106C Aluminiumdraht, Aluminiumband und/oder Kupferdraht beinhalten. Jedes der Schaltelemente 106A-106C kann elektrisch mit einem Lastanschluss von einem von Transistoren 112A-112C und mit einem Lastanschluss von einem von Transistoren 114A-114C verbunden sein. Jedes der Schaltelemente 106A-106C kann elektrisch mit einem von Stiften 110B, 110D und 110F verbunden sein, sodass die Schaltelemente 106A-106C und/oder die Pins 110B, 110D und 110F dazu konfiguriert sein können, als Ausgangsknoten der Vorrichtung 2D zu arbeiten.
  • Bonddrähte 116A-116C und 118A-118C können Aluminiumdraht, Aluminiumband und/oder Kupferdraht beinhalten. Jeder der Bonddrähte 116A-116C und 118A-118C kann elektrisch mit einem Steueranschluss, wie etwa einem Gate-Anschluss, von einem der Transistoren 112A-112C und 114A-114C verbunden sein. Jeder der Bonddrähte 116A-116C und 118A-118C kann auch elektrisch mit einem der Pins 110A, 110C, 110E, 110H, 110J und 110L verbunden sein.
  • Die 8A und 8B sind Draufsicht-Diagramme von zwei Leiterplatten 130A und 130B. 8A bildet ein Layout von Schaltern 134A, 134B, 136A, 136B, 138A und 138B auf der PCB 130A ab. 8B bildet ein Layout einer Vorrichtung 2 auf der PCB 130B ab. Die Größe und die Grundfläche der Vorrichtung 2 auf der PCB 130B ist kleiner als die Größe und die Grundfläche der Schalter 134A, 134B, 136A, 136B, 138A und 138B auf der PCB 130A. Durch das Verwenden von Transistoren, die in den Halbleiter-Die in der Vorrichtung 2 integriert sind, kann die Vorrichtung 2 ein kleineres Gehäuse als diskrete Schalter in einem einzelnen Gehäuse und ein kleineres Layout als separate Gehäuse für jeden der Schalter 134A, 134B, 136A, 136B, 138A und 138B beinhalten. Das Integrieren der Komponenten der Vorrichtung 2 in eine einzelne Vorrichtung kann den Aufwand für den Kunden zur Montage einer PCB-Vorrichtung im Vergleich zur Montage einer PCB-Vorrichtung, die die Schalter 134A, 134B, 136A, 136B, 138A und 138B beinhaltet, verringern.
  • 9 ist ein konzeptuelles Blockdiagramm einer beispielhaften Anwendung für eine andere beispielhafte Vorrichtung 2E gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Bei dieser beispielhaften Anwendung kann die Vorrichtung 2E eine Motortreiberschaltung für einen Elektromotor 144 sein. Der Elektromotor 144 kann zwei oder mehr Phasen beinhalten. Wie in 9 abgebildet, beinhalten die Vorrichtung 2E und der Elektromotor 144 drei Phasen.
  • Die Vorrichtung 2E beinhaltet Pins 150A-150C, die jeweils elektrisch mit Schaltelementen innerhalb der Vorrichtung 2E verbunden sein können. Verbindungen 146A-146C können Ausgangssignale von den Pins 150A-150C zu Spulen 148A-148C des Elektromotors 144 abliefern. Bei manchen Beispielen können die Spulen 148A-148C Rotorspulen im Rotor des Elektromotors 144 sein. Zusätzlich oder alternativ dazu können die Spulen 148A-148C Statorspulen im Stator des Elektromotors 144 sein.
  • Die Verbindungen 146A-146C können Leiterbahnen in einer PCB 142 beinhalten. Die Vorrichtung 2E kann auf der PCB 142 befestigt sein und die Pins 150A-150C können zu den Leiterbahnen und/oder Pads der PCB 142 gelötet sein. Die Verbindungen 146A-146C können auch Drähte zum Abliefern der Ausgangssignale von den Leiterbahnen in der PCB 142 zu den Spulen 148A-148C des Elektromotors 144 beinhalten. Jedes der Schaltelemente der Vorrichtung 2E kann über eine jeweilige der Verbindungen 146A-146C elektrisch mit einer jeweiligen der Spulen 148A-148C verbunden sein.
  • 10 ist ein Flussdiagramm, das eine beispielhafte Technik 200 zur Montage einer Halbleitervorrichtung gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung veranschaulicht. Die Technik 200 ist unter Bezugnahme auf die Vorrichtung 2C in 6 beschrieben, obgleich andere Komponenten, wie etwa die Vorrichtungen 2, 2A, 2B und 2D in Figuren 1, 3-5, 7 und 8B, als Beispiel für ähnliche Techniken dienen können.
  • Die Technik von 10 beinhaltet ein elektrisches Verbinden von jedem der High-Side-Transistoren 92A-92C im High-Side-Halbleiter-Die 80A mit dem Leistungsversorgungselement 82 (200). Die Technik von 10 beinhaltet ferner ein elektrisches Verbinden von jedem der Low-Side-Transistoren 94A-94C im Low-Side-Halbleiter-Die 80B mit dem Referenzspannungselement 84, wobei das Referenzspannungselement 84 von dem Leistungsversorgungselement 82 elektrisch isoliert ist (202). Ein Lotmaterial oder eine Paste kann auf den High-Side-Lastanschluss von jedem der Transistoren 92A-92C aufgetragen werden und der Halbleiter-Die 80A kann auf dem Leistungsversorgungselement 82 positioniert werden. Ein Lotmaterial oder eine Paste kann auch auf den Low-Side-Lastanschluss von jedem der Transistoren 94A-94C aufgetragen werden und der Halbleiter-Die 80B kann auf dem Referenzspannungselement 84 positioniert werden. Die Verbindungen zwischen den Halbleiter-Dies 80A und 80B und den Elementen 82 und 84 können durch Löten, Diffusionsbondung, Ankleben, Kleben und/oder ein beliebiges anderes geeignetes Verfahren hergestellt werden.
  • Die Technik von 10 beinhaltet ferner ein elektrisches Verbinden von jedem der Schaltelemente 86A-86C mit einem jeweiligen der High-Side-Transistoren 92A-92C (204). Die Technik von 10 beinhaltet ferner ein elektrisches Verbinden von jedem der Schaltelemente 86A-86C mit einem jeweiligen der Low-Side-Transistoren 94A-94C (206). Falls jedes der Schaltelemente 86A-86C eine Klammer beinhaltet, kann die Lötpaste auf den Low-Side-Lastanschluss von jedem der Transistoren 92A-92C und den High-Side-Lastanschluss von jedem der Transistoren 94A-94C aufgetragen werden und die Schaltelemente 86A-86C können auf den Transistoren 92A-92C und 94A-94C positioniert werden. Die Verbindung zwischen den Halbleiter-Dies 80A und 80B und den Schaltelementen 86A-86C können durch einen Wiederaufschmelzprozess gebildet werden. Falls jedes der Schaltelemente 86A-86C einen Bonddraht beinhaltet, kann der Bonddraht durch Löten entstehen.
  • Die Montage der Vorrichtung 2C kann ein elektrisches Verbinden von jedem der Schaltelemente 86A-86C mit einem oder mehreren Pins beinhalten. Die Montage der Vorrichtung 2C kann optional ein elektrisches Verbinden der Steueranschlüsse der Transistoren in den Halbleiter-Dies 80A und 80B mit einem oder mehreren Pins durch zum Beispiel Bonddraht beinhalten.
  • Die Montage der Vorrichtung 2C kann optional ein Verkapseln der Halbleiter-Dies 80A und 80B in einer Vergussmasse und ein zumindest teilweises Verkapseln der Elemente 82 und 84 in einer Vergussmasse beinhalten. Die Montage kann ein Verkapseln der Halbleiter-Dies 80A und 80B und der Schaltelemente 86A-86C in einer Umhüllung beinhalten. Nach dem Anbringen der Umhüllung können die Elemente 82 und 84 zumindest teilweise auf der Umhüllung als ein freigelegtes Slug oder ein freigelegtes Pad freigelegt werden. Die Elemente 82 und 84 können ein leitfähiges Material beinhalten, das zumindest teilweise auf der Oberfläche der Vorrichtung 2C freigelegt ist. Falls die Vorrichtung 2C eine Slug-up-Konfiguration beinhaltet, kann der Prozess ein Umdrehen der Vorrichtung 2C nach dem elektrischen Verbinden der Schaltelemente 86A-86C beinhalten.
  • Die folgenden nummerierten Beispiele demonstrieren einen oder mehrere Aspekte der Offenbarung.
    • Beispiel 1. Eine Vorrichtung beinhaltet ein Leistungsversorgungselement und ein Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist. Die Vorrichtung beinhaltet ferner einen High-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei High-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist. Die Vorrichtung beinhaltet auch einen Low-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei Low-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist. Die Vorrichtung beinhaltet mindestens zwei Schaltelemente, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist.
    • Beispiel 2. Die Vorrichtung des Beispiels 1, die ferner eine Vergussmasse beinhaltet, wobei die Vergussmasse den High-Side-Halbleiter-Die und den Low-Side-Halbleiter-Die verkapselt und die Vergussmasse zumindest teilweise die mindestens zwei Schaltelemente verkapselt.
    • Beispiel 3. Die Vorrichtung der Beispiele 1-2 oder eine beliebige Kombination davon, die ferner eine Umhüllung umfasst, wobei die Umhüllung den High-Side-Halbleiter-Die, den Low-Side-Halbleiter-Die und mindestens zwei Schaltelemente verkapselt und die Umhüllung zumindest teilweise das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement verkapselt.
    • Beispiel 4. Die Vorrichtung der Beispiele 1-3 oder eine beliebige Kombination davon, die ferner mindestens zwei Pins beinhaltet, die sich durch die Umhüllung erstrecken, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins verbunden ist und wobei die mindestens zwei Pins so auf der Umhüllung positioniert sind, dass eine erste Seite der Umhüllung dazu konfiguriert ist, auf einer Leiterplatte befestigt zu werden, und dass die mindestens zwei Pins dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden.
    • Beispiel 5. Die Vorrichtung der Beispiele 1-4 oder eine beliebige Kombination davon, wobei das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement auf der ersten Seite der Umhüllung freigelegt sind und dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden.
    • Beispiel 6. Die Vorrichtung der Beispiele 1-5 oder eine beliebige Kombination davon, wobei das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement auf einer zweiten Seite der Umhüllung freigelegt sind und nicht dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden.
    • Beispiel 7. Die Vorrichtung der Beispiele 1-6 oder eine beliebige Kombination davon, wobei ein Steueranschluss jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren elektrisch mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins verbunden ist. Ein Steueranschluss jedes Low-Side-Transistors der mindestens zwei Low-Side-Transistoren ist elektrisch mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins verbunden.
    • Beispiel 8. Die Vorrichtung der Beispiele 1-7 oder eine beliebige Kombination davon, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente einen Pin beinhaltet, der sich durch die Umhüllung erstreckt.
    • Beispiel 9. Die Vorrichtung der Beispiele 1-8 oder eine beliebige Kombination davon, wobei das Leistungsversorgungselement ein leitfähiges Material beinhaltet, das zumindest teilweise auf einer Oberfläche der Vorrichtung freigelegt ist. Das Referenzspannungselement beinhaltet das leitfähige Material, das zumindest teilweise auf einer Oberfläche der Vorrichtung freigelegt ist.
    • Beispiel 10. Die Vorrichtung der Beispiele 1-9 oder eine beliebige Kombination davon, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente eine Kupferclip, ein Aluminiumband oder einen Bonddraht beinhaltet.
    • Beispiel 11. Die Vorrichtung der Beispiele 1-10 oder eine beliebige Kombination davon, wobei jeder High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren ein vertikaler High-Side-Feldeffekttransistor ist. Jeder Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren ist ein vertikaler Low-Side-Feldeffekttransistor. Ein Drain-Anschluss jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren des High-Side-Halbleiter-Dies ist elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden. Ein Source-Anschluss jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren des High-Side-Halbleiter-Dies ist elektrisch mit einem jeweiligen Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente verbunden. Ein Drain-Anschluss jedes Low-Side-Transistors der mindestens zwei Low-Side-Transistoren des Low-Side-Halbleiter-Dies ist elektrisch mit einem jeweiligen Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente verbunden. Ein Source-Anschluss jedes Low-Side-Transistors der mindestens zwei Low-Side-Transistoren des Low-Side-Halbleiter-Dies ist elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden.
    • Beispiel 12. Ein Verfahren zur Montage einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren ein elektrisches Verbinden jedes High-Side-Transistors von mindestens zwei High-Side-Transistoren in einem High-Side-Halbleiter-Die mit einem Leistungsversorgungselement beinhaltet. Das Verfahren beinhaltet ferner ein elektrisches Verbinden jedes Low-Side-Transistors von mindestens zwei Low-Side-Transistoren in einem Low-Side-Halbleiter-Die mit einem Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist. Das Verfahren beinhaltet auch ein elektrisches Verbinden jedes Schaltelements von mindestens zwei Schaltelementen mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren. Das Verfahren beinhaltet auch ein elektrisches Verbinden jedes Schaltelements von mindestens zwei Schaltelementen mit einem jeweiligen Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren.
    • Beispiel 13. Das Verfahren des Beispiels 12, das ferner Verkapseln des High-Side-Halbleiter-Dies und des Low-Side-Halbleiter-Dies in einer Vergussmasse beinhaltet. Das Verfahren beinhaltet auch ein zumindest teilweises Verkapseln der mindestens zwei Schaltelemente in der Vergussmasse.
    • Beispiel 14. Das Verfahren der Beispiele 12-13 oder eine beliebige Kombination davon, das ferner ein elektrisches Verbinden jedes Schaltelements der mindestens zwei Schaltelemente mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins beinhaltet. Das Verfahren beinhaltet auch ein Verkapseln des High-Side-Halbleiter-Dies, des Low-Side-Halbleiter-Dies und von mindestens zwei Schaltelementen in einer Umhüllung. Das Verfahren beinhaltet ferner ein zumindest teilweises Verkapseln des Leistungsversorgungselements, des Referenzspannungselements und der mindestens zwei Pins in der Umhüllung. Die mindestens zwei Pins sind so auf der Umhüllung positioniert, dass eine erste Seite der Umhüllung dazu konfiguriert ist, auf einer Leiterplatte befestigt zu werden, und dass die mindestens zwei Pins dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden.
    • Beispiel 15. Das Verfahren der Beispiele 12-14 oder eine beliebige Kombination davon, das ferner ein elektrisches Verbinden eines Steueranschlusses jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins beinhaltet. Das Verfahren beinhaltet auch ein elektrisches Verbinden eines Steueranschlusses jedes Low-Side-Transistors der mindestens zwei Low-Side-Transistoren mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins.
    • Beispiel 16. Das Verfahren der Beispiele 12-15 oder eine beliebige Kombination davon, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente ein Aluminiumband, einen Kupferclip oder einen Bonddraht beinhaltet.
    • Beispiel 17. Eine Vorrichtung beinhaltet einen Elektromotor, der einen Stator, der mindestens zwei Statorspulen beinhaltet, und einen Rotor, der mindestens zwei Rotorspulen beinhaltet, beinhaltet. Die Vorrichtung beinhaltet ferner eine Leiterplatte, die mindestens zwei Leiterbahnen beinhaltet, und eine Leistungswandlungsvorrichtung, die auf der Leiterplatte befestigt ist, wobei die Leistungswandlungsvorrichtung ein Leistungsversorgungselement und ein Referenzspannungselement beinhaltet, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist. Die Leistungswandlungsvorrichtung beinhaltet auch einen High-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei vertikale High-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder vertikale High-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen High-Side-Transistoren elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist. Die Leistungswandlungsvorrichtung beinhaltet ferner einen Low-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei vertikale Low-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder vertikale Low-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist. Die Leistungsversorgungseinrichtung beinhaltet mindestens zwei Schaltelemente, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen vertikalen High-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen High-Side-Transistoren und einem jeweiligen vertikalen Low-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren verbunden ist. Jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente ist über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen elektrisch mit einer jeweiligen Rotorspule der mindestens zwei Rotorspulen oder mit einer jeweiligen Statorspule der mindestens zwei Statorspulen verbunden.
    • Beispiel 18. Die Vorrichtung des Beispiels 17, wobei die Leistungswandlungsvorrichtung ferner eine Vergussmasse beinhaltet, die den High-Side-Halbleiter-Die und den Low-Side-Halbleiter-Die verkapselt und zumindest teilweise die mindestens zwei Schaltelemente verkapselt. Die Leistungswandlungsvorrichtung beinhaltet auch eine Umhüllung, die den High-Side-Halbleiter-Die, den Low-Side-Halbleiter-Die, die mindestens zwei Schaltelemente und die Vergussmasse verkapselt und zumindest teilweise das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement verkapselt.
    • Beispiel 19. Die Vorrichtung der Beispiele 17-18 oder eine beliebige Kombination davon, die ferner mindestens zwei Pins beinhaltet, die sich durch eine Umhüllung, die insbesondere durch die Vergussmasse gebildet sein kann, erstrecken, wobei die mindestens zwei Pins dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen und über einen jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins elektrisch mit der jeweiligen Rotorspule oder mit der jeweiligen Statorspule verbunden ist.
    • Beispiel 20. Die Vorrichtung der Beispiele 17-19 oder eine beliebige Kombination davon, wobei die Leiterplatte einen Leistungsversorgungsschaltkreis und einen Referenzspannungsschaltkreis beinhaltet und wobei das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement auf der Umhüllung freigelegt sind und dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden. Das Leistungsversorgungselement ist über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen elektrisch mit dem Leistungsversorgungsschaltkreis verbunden. Das Referenzspannungselement ist über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen elektrisch mit dem Referenzspannungsschaltkreis verbunden.
  • Es wurden verschiedene Beispiele der Offenbarung beschrieben. Eine beliebige Kombination der beschriebenen Systeme, Vorgänge oder Funktionen ist beabsichtigt. Diese und andere Beispiele befinden sich innerhalb des Schutzumfangs der folgenden Ansprüche.

Claims (20)

  1. Vorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Leistungsversorgungselement; ein Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist; einen High-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei High-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist; einen Low-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei Low-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist; und mindestens zwei Schaltelemente, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, die ferner eine Vergussmasse umfasst, wobei: die Vergussmasse den High-Side-Halbleiter-Die und den Low-Side-Halbleiter-Die verkapselt und die Vergussmasse die mindestens zwei Schaltelemente zumindest teilweise verkapselt.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner eine Umhüllung umfasst, wobei: die Umhüllung den High-Side-Halbleiter-Die, den Low-Side-Halbleiter-Die und mindestens zwei Schaltelemente verkapselt und die Umhüllung zumindest teilweise das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement verkapselt.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 3, die ferner mindestens zwei Pins umfasst, die sich durch die Umhüllung erstrecken, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins verbunden ist und wobei die mindestens zwei Pins so auf der Umhüllung positioniert sind, dass eine erste Seite der Umhüllung dazu konfiguriert ist, auf einer Leiterplatte befestigt zu werden, und dass die mindestens zwei Pins dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement auf der ersten Seite der Umhüllung freigelegt sind und dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden.
  6. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement auf einer zweiten Seite der Umhüllung freigelegt sind und nicht dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4-6, wobei: ein Steueranschluss jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren elektrisch mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins verbunden ist und ein Steueranschluss jedes Low-Side-Transistors der mindestens zwei Low-Side-Transistoren elektrisch mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins verbunden ist.
  8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3-7, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente einen Pin beinhaltet, der sich durch die Umhüllung erstreckt.
  9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-8, wobei: das Leistungsversorgungselement ein leitfähiges Material beinhaltet, das zumindest teilweise auf einer Oberfläche der Vorrichtung freigelegt ist; und das Referenzspannungselement das leitfähige Material beinhaltet, das zumindest teilweise auf einer Oberfläche der Vorrichtung freigelegt ist.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente einen Kupferclip, ein Aluminiumband oder einen Bonddraht umfasst.
  11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-10, wobei: jeder High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren ein vertikaler High-Side-Feldeffekttransistor ist; jeder Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren ein vertikaler Low-Side-Feldeffekttransistor ist; ein Drain-Anschluss jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren des High-Side-Halbleiter-Dies elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist; ein Source-Anschluss jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren des High-Side-Halbleiter-Dies elektrisch mit einem jeweiligen Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente verbunden ist; ein Drain-Anschluss jedes Low-Side-Transistors der mindestens zwei Low-Side-Transistoren des Low-Side-Halbleiter-Dies elektrisch mit einem jeweiligen Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente verbunden ist und ein Source-Anschluss jedes Low-Side-Transistors der mindestens zwei Low-Side-Transistoren des Low-Side-Halbleiter-Dies elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist.
  12. Verfahren zur Montage einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: elektrisches Verbinden jedes High-Side-Transistors von mindestens zwei High-Side-Transistoren in einem High-Side-Halbleiter-Die mit einem Leistungsversorgungselement; elektrisches Verbinden jedes Low-Side-Transistors von mindestens zwei Low-Side-Transistoren in einem Low-Side-Halbleiter-Die mit einem Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist; elektrisches Verbinden jedes Schaltelements von mindestens zwei Schaltelementen mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der mindestens zwei High-Side-Transistoren; und elektrisches Verbinden jedes Schaltelements von mindestens zwei Schaltelementen mit einem jeweiligen Low-Side-Transistor der mindestens zwei Low-Side-Transistoren.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, das ferner Folgendes umfasst: Verkapseln des High-Side-Halbleiter-Dies und des Low-Side-Halbleiter-Dies in einer Vergussmasse und zumindest teilweises Verkapseln der mindestens zwei Schaltelemente in der Vergussmasse.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, das ferner Folgendes umfasst: elektrisches Verbinden jedes Schaltelements von mindestens zwei Schaltelementen mit einem jeweiligen Pin von mindestens zwei Pins; Verkapseln des High-Side-Halbleiter-Dies, des Low-Side-Halbleiter-Dies und von mindestens zwei Schaltelementen in einer Umhüllung und zumindest teilweises Verkapseln des Leistungsversorgungselements, des Referenzspannungselements und der mindestens zwei Pins in der Umhüllung, wobei die mindestens zwei Pins so auf der Umhüllung positioniert sind, dass eine erste Seite der Umhüllung dazu konfiguriert ist, auf einer Leiterplatte befestigt zu werden, und dass die mindestens zwei Pins dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, das ferner Folgendes umfasst: elektrisches Verbinden eines Steueranschlusses jedes High-Side-Transistors der mindestens zwei High-Side-Transistoren mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins und elektrisches Verbinden eines Steueranschlusses jedes Low-Side-Transistors der mindestens zwei Low-Side-Transistoren mit einem jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12-15, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente ein Aluminiumband, einen Kupferclip oder einen Bonddraht umfasst.
  17. Vorrichtung, die Folgendes umfasst: einen Elektromotor, der einen Stator, der mindestens zwei Statorspulen beinhaltet, und einen Rotor, der mindestens zwei Rotorspulen beinhaltet, beinhaltet; eine Leiterplatte, die mindestens zwei Leiterbahnen beinhaltet; und eine Leistungswandlungsvorrichtung, die auf der Leiterplatte befestigt ist, wobei die Leistungswandlungsvorrichtung Folgendes beinhaltet: ein Leistungsversorgungselement; ein Referenzspannungselement, wobei das Referenzspannungselement von dem Leistungsversorgungselement elektrisch isoliert ist; einen High-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei vertikale High-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder vertikale High-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen High-Side-Transistoren elektrisch mit dem Leistungsversorgungselement verbunden ist; einen Low-Side-Halbleiter-Die, der mindestens zwei vertikale Low-Side-Transistoren beinhaltet, wobei jeder vertikale Low-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren elektrisch mit dem Referenzspannungselement verbunden ist; und mindestens zwei Schaltelemente, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente elektrisch mit einem jeweiligen vertikalen High-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen High-Side-Transistoren und einem jeweiligen vertikalen Low-Side-Transistor der mindestens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren verbunden ist, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen elektrisch mit einer jeweiligen Rotorspule der mindestens zwei Rotorspulen oder mit einer jeweiligen Statorspule der mindestens zwei Statorspulen verbunden ist.
  18. Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei die Leistungswandlungsvorrichtung ferner Folgendes umfasst: eine Vergussmasse, die den High-Side-Halbleiter-Die und den Low-Side-Halbleiter-Die verkapselt und zumindest teilweise die mindestens zwei Schaltelemente verkapselt; und eine Umhüllung, die den High-Side-Halbleiter-Die, den Low-Side-Halbleiter-Die, die mindestens zwei Schaltelemente und die Vergussmasse verkapselt und zumindest teilweise das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement verkapselt.
  19. Vorrichtung nach Anspruch 18, die ferner mindestens zwei Pins umfasst, die sich durch eine Umhüllung, die insbesondere durch die Vergussmasse gebildet sein kann, erstrecken, wobei die mindestens zwei Pins dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden, wobei jedes Schaltelement der mindestens zwei Schaltelemente über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen und über einen jeweiligen Pin der mindestens zwei Pins elektrisch mit der jeweiligen Rotorspule oder mit der jeweiligen Statorspule verbunden ist.
  20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17-19, wobei: die Leiterplatte einen Leistungsversorgungsschaltkreis und einen Referenzspannungsschaltkreis beinhaltet; das Leistungsversorgungselement und das Referenzspannungselement auf der Umhüllung freigelegt sind und dazu konfiguriert sind, auf der Leiterplatte befestigt zu werden; das Leistungsversorgungselement über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen elektrisch mit dem Leistungsversorgungsschaltkreis verbunden ist und das Referenzspannungselement über eine jeweilige Leiterbahn der mindestens zwei Leiterbahnen elektrisch mit dem Referenzspannungsschaltkreis verbunden ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6599564B1 (ja) * 2018-01-26 2019-10-30 新電元工業株式会社 電子モジュール
CN110366816B (zh) * 2018-01-26 2021-09-10 新电元工业株式会社 电子模块
US11094617B2 (en) * 2019-06-27 2021-08-17 Alpha And Omega Semiconductor (Cayman), Ltd. Semiconductor package including low side field-effect transistors and high side field-effect transistors and method of making the same
TWI698969B (zh) * 2019-08-14 2020-07-11 朋程科技股份有限公司 功率元件封裝結構
CN112447614A (zh) * 2019-08-30 2021-03-05 朋程科技股份有限公司 功率器件封装结构
US11750089B2 (en) * 2021-10-28 2023-09-05 Alpha And Omega Semiconductor International Lp Power converter for high power density
WO2024009294A1 (en) * 2022-07-07 2024-01-11 Visic Technologies Ltd. Small footprint power switch

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6680593B2 (en) * 2001-03-02 2004-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Disk drive apparatus and motor
DE10344841B4 (de) * 2003-09-26 2010-02-25 Infineon Technologies Ag Ansteuerschaltung für ein Zündelement eines Insassenschutzsystems
JP4244318B2 (ja) 2003-12-03 2009-03-25 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4566678B2 (ja) 2004-10-04 2010-10-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュール
US7898092B2 (en) * 2007-11-21 2011-03-01 Alpha & Omega Semiconductor, Stacked-die package for battery power management
DE102005047055A1 (de) 2005-09-30 2007-04-05 Infineon Technologies Austria Ag Ansteuerschaltung mit einem Transformator für ein Halbleiterschaltelement
JP4665735B2 (ja) * 2005-11-30 2011-04-06 株式会社日立製作所 同期モータの駆動システム及び同期モータの駆動方法
DE102006020243B3 (de) 2006-04-27 2008-01-17 Infineon Technologies Austria Ag Leistungshalbleitermodul als H-Brückenschaltung und Verfahren zur Herstellung desselben
US7880280B2 (en) 2007-02-16 2011-02-01 Infineon Technologies Ag Electronic component and method for manufacturing an electronic component
JP2009148074A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Renesas Technology Corp モータ駆動装置
JP5175569B2 (ja) * 2008-02-07 2013-04-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 同期電動機の駆動システム
US8138585B2 (en) 2008-05-28 2012-03-20 Fairchild Semiconductor Corporation Four mosfet full bridge module
US7915721B2 (en) * 2008-03-12 2011-03-29 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package including IC driver and bridge
JP5107839B2 (ja) * 2008-09-10 2012-12-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP5002568B2 (ja) * 2008-10-29 2012-08-15 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
CN101752358B (zh) * 2008-12-08 2012-07-04 万国半导体有限公司 带有整合旁路电容器的紧密半导体封装及其方法
US7943955B2 (en) 2009-01-27 2011-05-17 Infineon Technologies Austria Ag Monolithic semiconductor switches and method for manufacturing
US20110049580A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Sik Lui Hybrid Packaged Gate Controlled Semiconductor Switching Device Using GaN MESFET
CN102340233B (zh) 2010-07-15 2014-05-07 台达电子工业股份有限公司 功率模块
US20120098090A1 (en) * 2010-10-22 2012-04-26 Intersil Americas Inc. High-efficiency power converters with integrated capacitors
US8704269B2 (en) 2010-12-22 2014-04-22 Infineon Technologies Ag Die package
US9087829B2 (en) 2011-08-05 2015-07-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement
JP5755533B2 (ja) 2011-08-26 2015-07-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6161889B2 (ja) 2012-10-23 2017-07-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP5937503B2 (ja) * 2012-12-26 2016-06-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路およびその動作方法
US9379048B2 (en) * 2013-02-28 2016-06-28 Semiconductor Components Industries, Llc Dual-flag stacked die package
US9368434B2 (en) 2013-11-27 2016-06-14 Infineon Technologies Ag Electronic component
DE102014203899B4 (de) 2014-03-04 2024-03-14 Volkswagen Aktiengesellschaft Vorrichtung und elektrische Baugruppe zum Wandeln einer Gleichspannung in eine Wechselspannung
WO2016021092A1 (ja) 2014-08-04 2016-02-11 日本電気株式会社 スイッチング増幅器および無線送信機
EP3257336A4 (de) 2014-12-10 2018-10-10 Texas Instruments Incorporated Leistungsfeldeffekttransistor (fet), vortreiber, steuergerät und messwiderstandsintegration

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