DE102017217593A1 - Mehrphasen-package mit gemeinsamem kontakt - Google Patents

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Abstract

Bei manchen Beispielen umfasst eine Vorrichtung ein erstes Leiterrahmensegment und ein zweites Leiterrahmensegment, wobei das zweite Leiterrahmensegment von dem ersten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens vier Transistoren, die wenigstens zwei High-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem ersten Leiterrahmensegment verbunden sind, und wenigstens zwei Low-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmensegment verbunden sind, umfassen. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens zwei leitfähige Ausgangselemente, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der wenigstens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist. Die Vorrichtung umfasst ferner einen integrierten Schaltkreis, der elektrisch mit einem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.

Description

  • Diese Offenbarung betrifft Halbleiter-Packaging und insbesondere Halbleiter-Packages für Leistungselektronikelemente. Insbesondere betrifft die Offenbarung ein Leistungselektronikvorrichtung-Package, ein Verfahren zum Konstruieren eines Leistungselektronikvorrichtung-Packages und eine Mehrphasenleistungsvorrichtung.
  • Ein Halbbrückenschaltkreis kann zwei analoge Vorrichtungen oder Schalter aufweisen. Halbbrückenschaltkreise können in Leistungsversorgungen für Motoren, in Gleichrichtern und zur Leistungswandlung verwendet werden. Jedes Halbbrückenschaltkreis-Package weist einige Kontakte auf und kann einige leitfähige Pfade zum Verbinden der Kontakte miteinander und mit externen Komponenten aufweisen.
  • Manche Schaltkreise können zwei oder mehr Halbbrückenschaltkreise kombinieren, um einen Mehrphasenleistungswandler zu erhalten. Der Mehrphasenleistungswandler kann einen Ausgangsknoten für jede Phase des Schaltkreises aufweisen. Mehrphasenleistungswandler können als Gleichstrom-Gleichstrom(DC-DC)-Wandler (DC: Direct Current – Gleichstrom) oder Wechselstrom-DC(AC-DC)-Wandler (AC: Alternating Current – Wechselstrom) in einer Vielzahl von Anwendungen, wie etwa unter anderem elektronischen Elementen, Automobilanwendungen und Elektromotoren, verwendet werden.
  • Eine der Erfindung zugrunde liegende Aufgabenstellung kann darin gesehen werden, ein vorteilhaftes Leistungselektronikvorrichtung-Package, ein vorteilhaftes Verfahren zum Konstruieren eines Leistungselektronikvorrichtung-Packages und eine vorteilhafte Mehrphasenleistungsvorrichtung anzugeben.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Ausführungsbeispiele und Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Diese Offenbarung beschreibt Techniken für einen Mehrphasenleistungswandler einschließlich eines integrierten Schaltkreises (IC: Integrated Circuit), der elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors des Mehrphasenleistungswandlers verbunden ist. Der Mehrphasenleistungswandler kann Gemeinsamer-Kontakt-Leiterrahmensegmente und leitfähige Elemente aufweisen, um die Länge von Verbindungen innerhalb des Leistungswandler-Packages zu verkürzen und parasitäre Effekte zu reduzieren.
  • Bei manchen Beispielen umfasst eine Vorrichtung ein erstes Leiterrahmensegment (Leadframe-Segment) und ein zweites Leiterrahmensegment, wobei das zweite Leiterrahmensegment von dem ersten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens vier Transistoren, die wenigstens zwei High-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem ersten Leiterrahmensegment verbunden sind, und wenigstens zwei Low-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmensegment verbunden sind, umfassen. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens zwei leitfähige Ausgangselemente, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der wenigstens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist. Die Vorrichtung umfasst ferner einen IC, der elektrisch mit einem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  • Bei manchen Beispielen ist ein Verfahren zum Konstruieren eines Leistungselektronikvorrichtung-Packages beschrieben. Das Verfahren kann elektrisches Verbinden einer ersten Seite jedes High-Side-Transistors von wenigstens zwei High-Side-Transistoren von wenigstens vier Transistoren mit einem ersten Leiterrahmensegment aufweisen. Das Verfahren kann ferner elektrisches Verbinden einer ersten Seite jedes Low-Side-Transistors von wenigstens zwei Low-Side-Transistoren der wenigstens vier Transistoren mit einem zweiten Leiterrahmensegment aufweisen, wobei das erste Leiterrahmensegment von dem zweiten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist. Zusätzlich dazu kann das Verfahren ferner elektrisches Verbinden jedes leitfähigen Ausgangselements von wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselementen mit einer zweiten Seite eines jeweiligen High-Side-Transistors der wenigstens zwei High-Side-Transistoren und einer zweiten Seite eines jeweiligen Low-Side-Transistors der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren aufweisen. Das Verfahren kann auch elektrisches Verbinden eines IC mit einem Steueranschluss auf einer zweiten Seite jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren aufweisen.
  • Bei manchen Beispielen umfasst eine Mehrphasenleistungsvorrichtung ein erstes Leiterrahmensegment und ein zweites Leiterrahmensegment, wobei das zweite Leiterrahmensegment von dem ersten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ferner wenigstens vier vertikale Transistoren, die wenigstens zwei vertikale High-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem ersten Leiterrahmensegment verbunden sind, und wenigstens zwei vertikale Low-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmensegment verbunden sind, umfassen, wobei das erste Leiterrahmensegment und das zweite Leiterrahmensegment elektrisch mit einer ersten Seite der wenigstens vier vertikalen Transistoren verbunden sind. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ferner wenigstens zwei leitfähige Ausgangselemente, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch mit einer zweiten Seite eines jeweiligen vertikalen High-Side-Transistors der wenigstens zwei vertikalen High-Side-Transistoren und einer zweiten Seite eines jeweiligen vertikalen Low-Side-Transistors der wenigstens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren verbunden ist. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ferner wenigstens vier leitfähige Steuerelemente, wobei jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente elektrisch mit einem Steueranschluss auf der zweiten Seite jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ferner einen integrierten Schaltkreis (IC), der durch ein jeweiliges leitfähiges Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente elektrisch mit einem jeweiligen Steueranschluss der wenigstens vier leitfähigen Steueranschlüsse verbunden ist.
  • Die Einzelheiten eines oder mehrerer Beispiele sind in den beiliegenden Zeichnungen und der nachfolgenden Beschreibung dargelegt. Andere Merkmale, Objekte und Vorteile werden aus der Beschreibung und den Zeichnungen und aus den Ansprüchen ersichtlich.
  • 1 ist ein Schaltbild eines Mehrphasenleistungswandlers gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 2 ist ein Draufsichtschaubild einer Zweiphasenvorrichtung gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 3 ist ein Seitenansichtsschaubild der Zweiphasenvorrichtung aus 2 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 4 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung einschließlich integrierter Transistoren gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 5 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung einschließlich diskreter Transistoren gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 6 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung einschließlich eines integrierten Schaltkreises (IC) mit Drahtbondungstechnologie gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 7 ist ein Seitenansichtsschaubild der Dreiphasenvorrichtung aus 6 einschließlich eines IC mit Drahtbondungstechnologie gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 8 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung einschließlich diskreter Transistoren und eines IC mit Drahtbondungstechnologie gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 9 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung einschließlich eines IC mit Flip-Chip-Technologie gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 10 ist ein Seitenansichtsschaubild der Dreiphasenvorrichtung aus 9 einschließlich eines IC mit Flip-Chip-Technologie gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 11 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung einschließlich diskreter Transistoren und eines IC mit Flip-Chip-Technologie gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung.
  • 12 ist ein Flussdiagramm, das eine Beispieltechnik zum Konstruieren eines Mehrphasenleistungswandlers einschließlich eines IC gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung veranschaulicht.
  • 1 ist ein Schaltbild eines Mehrphasenleistungswandlers gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 einen Mehrphasenleistungswandler, wie etwa einen Halbbrücken-Gleichstrom-Gleichstrom(DC-DC)-Abwärtswandler zum Wandeln eines DC-Eingangssignals in ein DC-Ausgangssignal mit einer niedrigeren Spannung, aufweisen. Für jede Phase kann ein Mehrphasenleistungswandler einen Halbbrückenschaltkreis aufweisen. Wie ein DC-DC-Abwärtswandler kann die Vorrichtung 2 bei einer Vielzahl von Anwendungen als ein Spannungsregler wirken. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 für Hochleistungsanwendungen, große Strommengen und hohe Spannungen gestaltet sein. Jedoch können die Techniken dieser Offenbarung auf andere Schaltkreise und Konfigurationen, wie etwa andere Leistungswandler einschließlich Mehrphasenleistungswandlern und Wechselstrom-DC(AC-DC)-Leistungswandlern, zutreffen.
  • Die Vorrichtung 2 kann Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B und einen Treiberschaltkreis 10 aufweisen. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 mehr oder weniger Komponenten als in 1 dargestellt enthalten. Die Vorrichtung 2 kann einen Eingangsknoten 12, einen Referenzknoten 14 und Ausgangsknoten 16A–16C sowie andere in 1 nicht gezeigte Knoten aufweisen. Die Knoten 12, 14 und 16A–16C können dazu konfiguriert sein, mit externen Komponenten verbunden zu werden. Zum Beispiel kann der Eingangsknoten 12 mit einer Eingangsspannung, wie etwa einer Leistungsversorgung, verbunden werden, kann der Referenzknoten 14 mit einer Referenzspannung, wie etwa einer Referenzmasse, verbunden werden und können die Ausgangsknoten 16A–16C mit einer Last, wie etwa einer elektronischen Vorrichtung, verbunden werden. Der Eingangsknoten 12 und der Referenzknoten 14 können jeweils ein Leiterrahmensegment aufweisen und können elektrisch voneinander isoliert sein. Jeder der Ausgangsknoten 16A–16C kann ein leitfähiges Ausgangselement aufweisen und jeder der Ausgangsknoten 16A–16C kann eine Phase einer Ausgangsspannung an eine andere Vorrichtung oder einen anderen Schaltkreis liefern. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 als Mehrphasenmotortreiber arbeiten, wobei jeder der Ausgangsknoten 16A–16C elektrisch mit einer Feldwicklung eines Elektromotors verbunden ist.
  • Bei manchen Beispielen kann elektrische Isolation einen elektrischen Strom von null oder eine sehr hochohmige Verbindung zwischen zwei oder mehr Komponenten bedeuten. Bei manchen Beispielen kann, auch wenn zwei Komponenten so gestaltet sind, dass sie elektrisch isoliert sind, ein Leckstrom, Elektronentunneln oder eine andere Möglichkeit zum Fließen von elektrischem Strom bei sehr niedrigen Raten vorhanden sein. Des Weiteren können zwei elektrisch isolierte Komponenten eine Kapazität zwischen den zwei Komponenten aufweisen.
  • Die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B können Metall-Oxid-Halbleiter(MOS)-Feldeffekttransistoren (FET) (MOS: Metal-Oxide-Semiconductor), Bipolartransistoren (BJTs: Bipolar Junction Transistors) und/oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs: Insulated-Gate Bipolar Transistors) aufweisen. Die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B können n-Typ-Transistoren oder p-Typ-Transistoren aufweisen. Bei manchen Beispielen können die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B andere analoge Vorrichtungen, wie etwa Dioden, aufweisen. Die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B können auch Freilaufdioden aufweisen, die mit Transistoren parallelgeschaltet sind, um einen Durchbruch der Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B in Sperrrichtung zu verhindern. Bei manchen Beispielen können die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B als Schalter, als analoge Vorrichtungen und/oder als Leistungstransistoren arbeiten.
  • Obwohl die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B in 1 als MOSFET-Symbole gezeigt sind, ist es vorgesehen, dass eine beliebige elektrische Vorrichtung, die durch eine Spannung gesteuert wird, anstelle der wie gezeigten MOSFETs verwendet werden kann. Zum Beispiel können die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B unter anderem eine beliebige Art von Feldeffekttransistor (FET), einen Bipolartransistor (BJT), einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), einen Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT: High Electron Mobility Transistor), einen Galliumnitrid(GaN)-basierten Transistor oder ein anderes Element, das eine Spannung für seine Steuerung verwendet, aufweisen.
  • Die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B können verschiedene Materialverbindungen aufweisen, wie etwa Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder eine beliebige andere Kombination von einem oder mehreren Halbleitermaterialien. Um den Vorteil von höheren Leistungsdichteanforderungen bei manchen Schaltkreisen zu nutzen, können Leistungswandler bei höheren Frequenzen arbeiten. Magnetikverbesserungen und schnellere Schalter, wie etwa Galliumnitrid(GaN)-Schalter, können Wandler mit höherer Frequenz unterstützen. Diese Schaltkreise mit höherer Frequenz können erfordern, dass Steuersignale mit genauerem Timing als für Schaltkreise mit niedrigerer Frequenz gesendet werden.
  • Der Treiberschaltkreis 10 kann elektrisch mit den Steueranschlüssen der Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B verbunden sein. Der Treiberschaltkreis 10 kann eine Steuerung und/oder einen Prozessor aufweisen, die bzw. der bewirken kann, dass die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B Elektrizität leiten. Bei manchen Beispielen kann der Treiberschaltkreis 10 auch eine PWM-Steuerung (PWM: Pulse-Width Modulation – Pulsbreitenmodulation) zum Variieren und Übermitteln von PWM-Signalen an die Steueranschlüsse der Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B aufweisen. Zusammen können die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B und der Treiberschaltkreis 10 ein oder mehrere Halbleiter-Packages aufweisen, wie etwa einen Halbleiter-Die, ein Eingebetteter-Chip-Substrat, einen integrierten Schaltkreis (IC) oder ein beliebiges anderes Package. Bei manchen Beispielen kann der Treiberschaltkreis 10 in das Package mit einem oder mehreren der Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B integriert sein oder kann der Treiberschaltkreis 10 ein getrennter IC sein. Bei manchen Beispielen kann der Treiberschaltkreis 10 auch durch einen (in 1 nicht gezeigten) Knoten mit einem externen Schaltkreis oder einer externen Leistungsversorgung verbunden sein.
  • Ein Halbbrückenschaltkreis 18 kann die Transistoren die 4A, 4B aufweisen. Die Transistoren 4A, 4B können miteinander und mit dem Ausgangsknoten 16A gekoppelt sein. Der Halbbrückenschaltkreis 18 kann eine Phase einer Ausgangsspannung für die Vorrichtung 2 erzeugen. Die Transistoren 6A, 6B und die Transistoren 8A, 8B können jeweils andere Phasen der Ausgangsspannung für die Vorrichtung 2 erzeugen. Die Vorrichtung 2 kann in dem in 1 dargestellten Beispiel drei Phasen aufweisen. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 2 zwei oder mehr Phasen aufweisen, wobei jede Phase einen Halbbrückenschaltkreis, wie etwa den Halbbrückenschaltkreis 18, der zwei oder mehr Transistoren umfasst, umfasst.
  • Gemäß den Techniken dieser Offenbarung kann die Vorrichtung 2 ein einziges Package für die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B und den Treiberschaltkreis 10 aufweisen. Indem die Transistoren 4A, 4B, 6A, 6B, 8A, 8B und der Treiberschaltkreis 10 in einem einzigen Package aufgenommen sind, können relativ zu herkömmlichen Vorrichtungen weniger und kürzere Verbindungen zwischen den Komponenten der Vorrichtung 2 vorhanden sein. Bei manchen Beispielen kann Reduzieren der Quantität und der Länge von Verbindungen den Effekt parasitärer Kapazitäten und parasitärer Induktivitäten auf die Leistungsfähigkeit der Vorrichtung 2 reduzieren. Ein einziges Package für alle der Komponenten der Vorrichtung 2 kann im Vergleich zu getrennten Packages oder externen Komponenten für die Vorrichtung 2 auch Platz und Kosten sparen.
  • 2 ist ein Draufsichtschaubild einer Zweiphasenvorrichtung 30 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Die Vorrichtung 30 kann Halbleiter-Dies 34, 36 aufweisen, die elektrisch mit Leiterrahmensegmenten 32A, 32B verbunden sind. Der Halbleiter-Die 34 kann zwei High-Side-Transistoren aufweisen und der Halbleiter-Die 36 kann zwei Low-Side-Transistoren aufweisen. Die Leiterrahmensegmente 32A, 32B können Die-Grundplatten, Metallschichten und/oder ein beliebiges anderes leitfähiges Material aufweisen. Das Leiterrahmensegment 32A kann elektrisch mit einem Drain-Anschluss jedes High-Side-Transistors in dem Halbleiter-Die 34 verbunden sein. Das Leiterrahmensegment 32A kann auf eine dem Eingangsknoten 12 in 1 ähnliche Weise arbeiten. Das Leiterrahmensegment 32B kann elektrisch mit einem Source-Anschluss jedes Low-Side-Transistors in dem Halbleiter-Die 36 verbunden sein. Das Leiterrahmensegment 32B kann auf eine dem Referenzknoten 14 in 1 ähnliche Weise arbeiten. Die Leiterrahmensegmente 32A, 32B können als „gemeinsame Kontakte“ bezeichnet werden, weil jedes der Leiterrahmensegmente 32A, 32B elektrisch mit allen der Transistoren in dem Halbleiter-Die 34 oder dem Halbleiter-Die 36 verbunden werden kann. Leitfähige Ausgangselemente 38A, 38B können als „gemeinsame Kontakte“ bezeichnet werden, weil jedes der leitfähigen Ausgangselemente 38A, 38B elektrisch mit allen Transistoren in einer Phase der Zweiphasenvorrichtung 30 verbunden werden kann.
  • Bei manchen Beispielen können die Transistoren in den Halbleiter-Dies 34, 36 Transistoren sein, die in ein einziges Stück des Halbleitermaterials integriert sind. Jedes der leitfähigen Ausgangselemente 38A, 38B kann elektrisch mit einem Source-Anschluss eines jeweiligen High-Side-Transistors in dem Halbleiter-Die 34 und einem Drain-Anschluss eines jeweiligen Low-Side-Transistors in dem Halbleiter-Die 36 verbunden sein. Jedes der leitfähigen Ausgangselemente 38A, 38B kann als Schaltknotenelement und/oder als Ausgangselement für eine Phase der Vorrichtung 30 wirken. Das leitfähige Ausgangselement 38A kann elektrisch von dem leitfähigen Ausgangselement 38B isoliert sein, so dass die Vorrichtung 30 zwei getrennte Ausgangsphasen erzeugen kann.
  • Die Transistoren in den Halbleiter-Dies 34, 36 können zwei Lastanschlüsse, wie etwa einen Source-Anschluss und einen Drain-Anschluss für einen MOSFET oder einen Emitteranschluss und einen Kollektoranschluss für einen BJT und einen IGBT, aufweisen. Jeder Transistor in den Halbleiter-Dies 34, 36 kann einen Steueranschluss, wie etwa einen Gate-Anschluss für einen MOSFET oder einen Basisanschluss für einen BJT und einen IGBT, aufweisen. Jeder der Steueranschlüsse und der Lastanschlüsse der Transistoren in den Halbleiter-Dies 34, 36 kann ein Pad oder einen Bereich an einer Oberfläche des Transistors zum Bilden externer elektrischer Verbindungen aufweisen. Die High-Side-Transistoren in dem Halbleiter-Die 34 können auf eine den Transistoren 4A, 6A, 8A in 1 ähnliche Weise funktionieren und die Low-Side-Transistoren in dem Halbleiter-Die 36 können auf eine den Transistoren 4B, 6B, 8B in 1 ähnliche Weise funktionieren.
  • Die Transistoren in den Halbleiter-Dies 34, 36 können so konfiguriert sein, dass der Source-Anschluss eines High-Side-Transistors in dem Halbleiter-Die 34 durch das Schaltelement 38B elektrisch mit einem Drain-Anschluss eines Low-Side-Transistors in dem Halbleiter-Die 36 verbunden ist. Die leitfähigen Ausgangselemente 38A, 38B sowie die leitfähigen Ausgangselemente aus 3–11 können eine Metallisierungsschicht, einen Clip, ein Band, eine Die-Grundplatte, eine Drahtbondung und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material aufweisen. Bei manchen Beispielen können die leitfähigen Ausgangselemente 38A, 38B elektrisch mit einem (in 2 nicht gezeigten) induktiven Element verbunden sein.
  • Jedes von leitfähigen Steuerelementen 40A, 40B, 42A, 42B kann elektrisch mit einem Steueranschluss eines jeweiligen Transistors der Vorrichtung 30 verbunden sein. Jedes der leitfähigen Ausgangselemente 38A, 38B kann elektrisch mit zwei der Schalterleiterrahmensegmente 44A, 44B, 46A, 46B verbunden sein. Jedes der leitfähigen Steuerelemente 40A, 40B, 42A, 42B kann elektrisch mit einem der Steuerleiterrahmensegmente 48A, 48B, 50A, 50B verbunden sein. Die leitfähigen Ausgangselemente 38A, 38B und die leitfähigen Steuerelemente 40A, 40B, 42A, 42B können dazu konfiguriert sein, elektrisch mit externen Komponenten auf einer ersten Seite der Vorrichtung 30, wie etwa einer oberen Seite, verbunden zu werden. Die Schalterleiterrahmensegmente 44A, 44B, 46A, 46B und die Steuerleiterrahmensegmente 48A, 48B, 50A, 50B können dazu konfiguriert sein, elektrisch mit externen Komponenten auf einer zweiten Seite der Vorrichtung 30, wie etwa einer unteren Seite, verbunden zu werden.
  • Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 30 einen (in 2 nicht dargestellten) Treiber-IC aufweisen, der durch die leitfähigen Steuerelemente 40A, 40B, 42A, 42B elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors der Vorrichtung 30 verbunden ist. Der Treiber-IC kann Steuersignale an die Steueranschlüsse der Transistoren der Vorrichtung 30 übermitteln. Die Steuersignale können Pulsbreitenmodulations(PWM)-Signale, wie etwa Rechteckschwingungen, aufweisen. Unter Verwendung der Steuersignale kann der Treiber-IC bewirken, dass ein erster Transistor Elektrizität leitet, während er bewirkt, dass ein zweiter Transistor Elektrizität nicht leitet, wobei der erste Transistor und der zweite Transistor elektrisch mit demselben leitfähigen Ausgangselement der leitfähigen Ausgangselemente 38A, 38B verbunden sind. Der Treiber-IC kann auch elektrisch mit den leitfähigen Ausgangselementen 38A, 38B verbunden sein, so dass der Treiber-IC den Strom und/oder die Spannung an den leitfähigen Ausgangselementen 38A, 38B detektieren kann.
  • 3 ist ein Seitenansichtsschaubild der Zweiphasenvorrichtung 30 aus 2 gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. 3 kann die Vorrichtung 30 in einem Querschnitt A'-A' aus 2 darstellen. Die Leiterrahmensegmente 32A, 32B können auf einer ersten Seite, d. h. der unteren Seite, der Halbleiter-Dies 34, 36 positioniert sein. Das leitfähige Ausgangselement 38A kann auf einer zweiten Seite, d. h. der oberen Seite, der Halbleiter-Dies 34, 36 positioniert sein. Die leitfähigen Steuerelemente 40A, 40B, 42A, 42B (siehe 2) können ebenfalls auf der zweiten Seite der Halbleiter-Dies 34, 36 positioniert sein. Die erste Seite und die zweite Seite können auf gegenüberliegenden Seiten der Halbleiter-Dies 34, 36 sein.
  • Bei manchen Beispielen, wie in 3 dargestellt, kann die Vorrichtung 30 wenigstens teilweise mit einer Vergussmasse 60 verkapselt sein. Die Vergussmasse 60 kann die Komponenten der Vorrichtung 30 fixieren, während sie eine Wärmedissipation durch die Leiterrahmensegmente 32A, 32B und das leitfähige Ausgangselement 38B ermöglicht. Die Vergussmasse 60 kann ein beliebiges geeignetes isolierendes Material aufweisen, wie etwa ein Laminatsubstrat, Prepreg, ein harzbasiertes dielektrisches Material zum Bedecken der Halbleiter-Dies 34, 36 oder eine Epoxidvergussmasse, die ein siliziumdioxidverstärktes oder aluminiumverstärktes Epoxidlaminatmaterial ist, das oft zur Herstellung von Leiterplatten (PCBs: Printed Circuit Boards) verwendet wird. Eine Epoxidvergussmasse kann einen Schmelzpunkt für ihre erste Schmelze aufweisen, welcher niedriger als zweihundert Grad Celsius ist, was niedriger als für andere Materialien, wie etwa FR-4, sein kann. Eine Epoxidvergussmasse kann bei niedrigeren Temperaturen vor und während der ersten Schmelze formbar sein. Eine Epoxidvergussmasse kann nach der ersten Schmelze eine höhere Schmelztemperatur aufweisen, wodurch sie, nachdem der Herstellungsprozess abgeschlossen ist, gegenüber Wärme widerstandsfähig gemacht wird.
  • Bei manchen Beispielen kann die Abscheidung der Vergussmasse 60 als „Umspritzen“ („Over-Molding“) bezeichnet werden. Die Vorrichtung 30 kann als ein „Eingebetteter-Chip-Substrat“ („Chip-Embedded Substrat“) bezeichnet werden, weil die Vergussmasse 60 die Halbleiter-Dies 34, 36 verkapselt. Die Vergussmasse 60 kann weniger viskos als eine Vergussmasse 50 sein, um zu ermöglichen, dass die Vergussmasse 60 in die Räume um die Komponenten der Vorrichtung 30 und eines (in 3 nicht gezeigten) Treiber-IC herum fließt und diese füllt. Die Füllstoffgröße oder die Teilchengröße in der Vergussmasse 60 kann klein genug sein, um in die Räume zwischen den Komponenten der Vorrichtung 30 und eines Treiber-IC zu passen. Bei manchen Beispielen kann die Vergussmasse 60 ein Verkapselungsmaterial oder eine Epoxidvergussmasse aufweisen. Bei manchen Beispielen kann der Fertigungsprozess einen flüssigen Underfill oder ein anisotropes Band mit einem leitfähigen Film für den Raum zwischen einem Treiber-IC und einem Isolationselement 62 aufweisen.
  • Einer oder beide der Halbleiter-Dies 34, 36 können vertikale Transistoren aufweisen, die aus Silizium oder einem anderen geeigneten Halbleiter hergestellt sind. Für einen vertikalen Transistor können sich der Source-Anschluss und der Drain-Anschluss auf gegenüberliegenden Seiten oder gegenüberliegenden Oberflächen des Transistors befinden. Ein Strom in einem vertikalen Transistor kann von oben nach unten oder von unten nach oben durch den Transistor fließen. Zum Beispiel kann ein herkömmlicher Strom für einen High-Side-Transistor in dem Halbleiter-Die 34 von dem Leiterrahmensegment 32A zu einem der leitfähigen Ausgangselemente 38A–38C fließen. Für einen Low-Side-Transistor in dem Halbleiter-Die 36 kann ein herkömmlicher Strom von einem der leitfähigen Ausgangselemente 38A–38C zu dem Leiterrahmensegment 32B fließen. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 30 laterale Transistoren oder horizontale Transistoren aufweisen, die gewisse Vorteile, wie eine Einfachheit der Herstellung und Kosten, bieten können.
  • Die Leiterrahmensegmente 32A, 32B, 44B, 46B können Die-Grundplatten, Metallisierungsschichten und/oder ein beliebiges anderes leitfähiges Material aufweisen. Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 30 zusätzlich zu oder anstelle von den Leiterrahmensegmenten 32A, 32B, 44B, 46B eingebettete Metallschichten aufweisen, wie etwa bei einer Hochfrequenzverschmelzungsvorrichtung. Die eingebetteten Schichten können Kupfer und/oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material aufweisen. Das leitfähige Ausgangselement 38B kann durch leitfähige Elemente 64A, 64B elektrisch mit den Schalterleiterrahmensegmenten 44B, 46B verbunden sein. Die leitfähigen Elemente 64A, 64B können Vias, Stifte, vorgebildete Säulen, plattierte Löcher oder ein beliebiges anderes leitfähiges Element aufweisen. Bei manchen Beispielen können die leitfähigen Elemente 64A, 64B einen Querschnittsdurchmesser von näherungsweise einhundert Mikrometer bis einhundertfünfzig Mikrometer aufweisen. Bei manchen Beispielen kann der Querschnittsdurchmesser für plattierte Löcher näherungsweise zweihundertfünfzig Mikrometer betragen.
  • Bei manchen Beispielen können die elektrischen Verbindungen zwischen den Halbleiter-Dies 34, 36 und dem leitfähigen Ausgangselement 38B und zwischen den Halbleiter-Dies 34, 36 und den Leiterrahmensegmenten 32A, 32B durch Löten gebildet werden. Die elektrischen Verbindungen zwischen dem leitfähigen Ausgangselement 38B und den Leiterrahmensegmenten 32A, 32B können ebenfalls durch Löten gebildet werden. Löten von Komponenten, um elektrische Verbindungen zu bilden, kann Platzieren von Lot zwischen den Komponenten, Anwenden von Wärme, um das Lot zu schmelzen, und Ermöglichen, dass sich das Lot abkühlt, um die elektrische Verbindung zu bilden, aufweisen. Die Komponenten der Vorrichtung 30 können auch mit einer leitfähigen Paste, einem leitfähigen Band, einem leitfähigen Harz und/oder durch Metallsintern aneinander geklebt oder gehaftet werden. Die Verbindungen zwischen den Halbleiter-Dies 34, 36, den Leiterrahmensegmenten 32A, 32B, dem leitfähigen Ausgangselement 38B können metallisierte, plattierte Laser-Vias, Lot und/oder eine metallisierte Hochdruck/Hochfrequenz-Bondung, wie etwa eine Diffusionsbondung, aufweisen. Diffusionsbonden kann direktes Bonden zwischen den Halbleiter-Dies 34, 36, von denen jeder ein Halbleiter-Die sein kann, und den Leiterrahmensegmenten 32A, 32B und dem leitfähigen Ausgangselement 38B aufweisen.
  • Das Isolationselement 62 kann auf einer Seite der Vorrichtung 30, an der ein Treiber-IC angebracht ist, positioniert werden. Bei manchen Beispielen kann der Treiber-IC durch das Isolationselement 62 hindurch oder um dieses herum elektrisch mit den leitfähigen Ausgangselementen 38A, 38B und/oder den leitfähigen Steuerelementen 40A, 40B, 42A, 42B verbunden werden. Die Isolationselemente 66A–66C können auf einer Seite der Vorrichtung 30, die auf einer PCB montiert wird, positioniert werden. Die Isolationselemente 66A–66C können einen Spalt zwischen der Vorrichtung 30 und der PCB zum Erzeugen von elektrischen und/oder haftenden Verbindungen zwischen der Vorrichtung 30 und der PCB erzeugen. Bei manchen Beispielen kann Löten verwendet werden, um die elektrischen und/oder haftenden Verbindungen zwischen der Vorrichtung 30 und der PCB zu erzeugen. Die Isolationselemente 66A–66C können einen Lötstopplack oder eine Lötmaske aufweisen, der oder die das Löten einer elektrischen Verbindung zwischen den Leiterrahmensegmenten 32A und 44B, zwischen den Leiterrahmensegmenten 32A und 32B oder zwischen den Leiterrahmensegmenten 32B und 46B verhindert.
  • 4 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung 80 einschließlich integrierter Transistoren gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Alle der High-Side-Transistoren der Vorrichtung 80 können in ein einziges Stück eines Halbleiters als ein Halbleiter-Die 84 integriert werden und alle der Low-Side-Transistoren der Vorrichtung 80 können in ein einziges Stück eines Halbleiters als ein Halbleiter-Die 86 integriert werden.
  • Bei manchen Beispielen kann die Vorrichtung 80 einen (in 4 nicht dargestellten) Treiber-IC aufweisen, der durch die leitfähigen Steuerelemente 90A–C, 92A–C elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors der Vorrichtung 80 verbunden ist. Der Treiber-IC kann Steuersignale an die Steueranschlüsse übermitteln, um zu bewirken, dass ein erster Transistor Elektrizität leitet, während er bewirkt, dass ein zweiter Transistor Elektrizität nicht leitet, wobei der erste Transistor und der zweite Transistor elektrisch mit demselben leitfähigen Ausgangselement der leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C verbunden sind.
  • Jedes der leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C kann elektrisch mit zwei der Schalterleiterrahmensegmente 94A–94C, 94A–94C verbunden sein. Für jedes leitfähige Ausgangselement kann ein Schalterleiterrahmensegment größer als das andere Schalterleiterrahmensegment sein. Das größere Schalterleiterrahmensegment kann als „Fuß“ des leitfähigen Ausgangselements bezeichnet werden. Bei manchen Beispielen kann der Fußteil des leitfähigen Ausgangselements 88A an den Halbleiter-Die 84 angrenzen, kann der Fußteil des leitfähigen Ausgangselements 88B an den Halbleiter-Die 86 angrenzen und kann der Fußteil des leitfähigen Ausgangselements 88C an den Halbleiter-Die 84 angrenzen. Durch Positionieren der Fußteile der leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C auf alternativen Seiten der Vorrichtung 80 können die leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C näher aneinander positioniert werden.
  • Bestimmte Formen der leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C, einschließlich der zugeordneten Fußteile, können dazu beitragen, ein Verschieben der leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C zu verhindern. Die Vorrichtung 80 kann gut funktionieren, wenn die leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C nach der Herstellung und während des Betriebs an ihrer Stelle verbleiben. Falls die leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C wie gerade Linien geformt sind, können sich die leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C während der Installation oder des Betriebs der Vorrichtung 80 verschieben oder bewegen. Durch Installieren von L-förmigen leitfähigen Ausgangselementen 88A–88C mit Fußteilen, die sich in die Schalterleiterrahmensegmente verzweigen, können die leitfähigen Ausgangselemente 88A–88C einem Verschieben während der Installation und des Betriebs der Vorrichtung 80 widerstehen.
  • 5 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung 120 einschließlich diskreter Transistoren 124A–124C, 126A–126C gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Jeder der Transistoren 124A–124C, 126A–126C kann von anderen Transistoren der Transistoren 124A–124C, 126A–126C getrennt, d.h. nicht mit anderen Transistoren in einen einzigen Halbleiter-Die integriert, sein. Bei manchen Beispielen kann jeder der Transistoren 124A–124C, 126A–126C einen getrennten Halbleiter-Die aufweisen. Bei manchen Beispielen können diskrete Transistoren 124A–124C, 126A–126C eine Wärmedissipation der Vorrichtung 120 im Vergleich zu integrierten Transistoren verbessern. Falls ein diskreter Transistor defekt ist, können die Kosten des Aussonderns des Halbleiter-Die mit dem defekten Transistor bei manchen Beispielen im Vergleich zu einem defekten integrierten Transistor innerhalb eines Halbleiter-Die mit wenigstens einem anderen Transistor geringer sein. Falls ein Testen einen defekten integrierten Transistor aufzeigt, kann der Halbleiter-Die mit zwei oder mehr Transistoren ausgesondert werden. Im Gegensatz dazu kann, falls ein Testen einen defekten diskreten Transistor aufzeigt, nur der diskrete Transistor ausgesondert werden.
  • 6 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung 150 einschließlich eines integrierten Schaltkreises (IC) 168, der durch Drahtbondungstechnologie verbunden ist, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Der IC 168 kann durch Drahtbondungen 164A–164C, 166A–166C elektrisch mit den Steueranschlüssen der Transistoren in den Halbleiter-Dies 154, 156 verbunden sein. Bei manchen Beispielen kann der IC 168 durch in 6 nicht gezeigte Drahtbondungen elektrisch mit den leitfähigen Ausgangselementen 158A–158C verbunden sein. Zum Beispiel kann die Drahtbondung 164A den IC 168 elektrisch mit dem leitfähigen Steuerelement 160A verbinden, das elektrisch mit einem Steueranschluss eines High-Side-Transistors in dem Halbleiter-Die 154 verbunden sein kann. Bei manchen Beispielen kann „leitfähiges Steuerelement“ auf ein leitfähiges Steuerelement 160A und/oder eine Drahtbondung 164A verweisen.
  • Die Drahtbondungen 164A–164C, 166A–166C und die Drahtbondungen 164D, 166D (siehe 7) können Metalldrähte, wie etwa Kupferdrähte oder Golddrähte, ein Aluminiumband, ein Silberelement oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material aufweisen. Bei manchen Beispielen kann jede der Drahtbondungen 164A–164C, 166A–166C, 164D, 166D eine Länge von näherungsweise ein oder zwei Millimeter aufweisen.
  • 7 ist ein Seitenansichtsschaubild der Dreiphasenvorrichtung 150 aus 6 einschließlich eines IC 168, der durch Drahtbondungstechnologie verbunden ist, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. 7 kann die Vorrichtung 150 in einem Querschnitt B'-B' aus 6 darstellen. Der IC 168 kann durch die Drahtbondungen 164D, 166D elektrisch mit dem leitfähigen Ausgangselement 158A verbunden sein. Die Drahtbondungen 164D, 166D können eine optionale Komponente in der Vorrichtung 150 sein, um zu ermöglichen, den IC 168 elektrisch mit dem leitfähigen Ausgangselement 158A zu verbinden. Die Drahtbondungen 164D, 166D können durch ein Isolationselement 172 hindurch oder um dieses herum verlaufen.
  • Die Vorrichtung 150 kann eine Vorrichtung ohne Anschlussbeinchen, wie etwa ein PQFN-Package (PQFN: Power Quad Flat No-Lead), umfassen, so dass die Leiterrahmensegmente 152A, 152B auf einer PCB montiert werden können. Die Leiterrahmensegmente 152A, 152B können durch Löten oder ein beliebiges anderes geeignetes Verfahren an die PCB angehaftet und elektrisch mit dieser verbunden werden. Der IC 168 kann vollständig in einer Vergussmasse 170 verkapselt sein oder der IC 168 kann teilweise verkapselt sein, um eine Wärmedissipation und elektrische Verbindungen zu externen Komponenten oder Leistungsquellen zu ermöglichen. Die Halbleiter-Dies 154, 156 können in einer Vergussmasse 174 verkapselt sein, um die Halbleiter-Dies 154, 156 elektrisch von Komponenten, die außerhalb der Vorrichtung 150 sind, zu isolieren.
  • 8 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung 200 einschließlich diskreter Transistoren 204A–204C, 206A–206C und eines IC 218, der durch Drahtbondungstechnologie verbunden ist, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Jeder der Transistoren 204A–204C, 206A–206C kann von anderen Transistoren der Transistoren 204A–204C, 206A–206C getrennt, d. h. nicht mit anderen Transistoren in einen einzigen Halbleiter-Die integriert, sein. Bei manchen Beispielen kann jeder der Transistoren 204A–204C, 206A–206C einen getrennten Halbleiter-Die aufweisen. Die diskreten Transistoren 204A–204C, 206A–206C können wie unter Bezugnahme auf 5 beschrieben Vorteile bieten.
  • 9 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung 230 einschließlich eines IC 248, der durch Flip-Chip-Technologie verbunden ist, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Der IC 248 kann durch leitfähige Höcker 244A–244C, 246A–246C elektrisch mit den Steueranschlüssen der Transistoren in den Halbleiter-Dies 234, 236 verbunden sein. Bei manchen Beispielen kann der IC 248 durch leitfähige Höcker 250A–250C elektrisch mit den leitfähigen Ausgangselementen 238A–238C verbunden sein. Zum Beispiel kann der leitfähige Höcker 244A den IC 248 elektrisch mit dem leitfähigen Steuerelement 240A verbinden, das elektrisch mit einem Steueranschluss eines High-Side-Transistors in dem Halbleiter-Die 234 verbunden sein kann. Bei manchen Beispielen kann „leitfähiges Steuerelement“ auf ein leitfähiges Steuerelement 240A und/oder einen leitfähigen Höcker 244A verweisen.
  • Die leitfähigen Höcker 244A–244C, 246A–246C, 244D, 246D können Löthöcker, Metallsäulen, wie etwa Kupfersäulen, oder ein beliebiges anderes geeignetes leitfähiges Material aufweisen. Bei manchen Beispielen können die leitfähigen Höcker 244A–244C, 246A–246C, 244D, 246D einen Durchmesser von näherungsweise fünfundsechzig oder einhundert Mikrometer aufweisen. Die Implementierungskosten der leitfähigen Höcker 244A–244C, 246A–246C, 244D, 246D können vergleichbar mit den Implementierungskosten einer Drahtbondungstechnologie zum elektrischen Verbinden der Halbleiter-Dies 234, 236 und des IC 248 sein.
  • 10 ist ein Seitenansichtsschaubild der Dreiphasenvorrichtung 230 aus 9 einschließlich eines IC 248, der durch Flip-Chip-Technologie verbunden ist, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. 10 kann die Vorrichtung 230 in einem Querschnitt C'-C' aus 9 darstellen. Der IC 248 kann durch einen leitfähige Höcker 250C elektrisch mit dem leitfähigen Ausgangselement 238C verbunden sein. Der leitfähige Höcker 250C kann eine optionale Komponente in der Vorrichtung 230 sein, um zu ermöglichen, den IC 248 elektrisch mit dem leitfähigen Ausgangselement 238C zu verbinden. Der leitfähige Höcker 250C kann durch die Isolationselemente 262A, 262B hindurch oder um diese herum laufen.
  • Während des Herstellungsprozesses kann der IC 248 an das leitfähige Ausgangselement 238C gelötet werden, indem der leitfähige Höcker 250C zwischen dem IC 248 und dem leitfähigen Ausgangselement 238C positioniert wird. Die Temperatur des leitfähigen Höckers 250C kann erhöht werden, bis das Material in dem leitfähigen Höcker 250C schmilzt. Das Material in dem leitfähigen Höcker 250C kann außerhalb der Vorrichtung 230 geschmolzen werden und in den Spalt zwischen dem IC 248 und dem leitfähigen Ausgangselement 238C gefüllt oder injiziert werden. Wenn die Temperatur des leitfähigen Höckers 250C abnimmt, kann der leitfähige Höcker 250C an dem IC 248 und dem leitfähigen Ausgangselement 238C anhaften und diese elektrisch verbinden.
  • Der IC 248 kann vollständig in einer Vergussmasse 260 verkapselt sein oder der IC 248 kann teilweise verkapselt sein, um eine Wärmedissipation und elektrische Verbindungen zu externen Komponenten oder Leistungsquellen zu ermöglichen. Die Halbleiter-Dies 234, 236 können in einer Vergussmasse 264 verkapselt sein, um die Halbleiter-Dies 234, 236 von Komponenten, die außerhalb der Vorrichtung 230 sind, elektrisch zu isolieren.
  • 11 ist ein Draufsichtschaubild einer Dreiphasenvorrichtung 280 einschließlich diskreter Transistoren 284A–284C, 286A–286C und eines IC 298, der durch Flip-Chip-Technologie verbunden ist, gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung. Jeder der Transistoren 284A–284C, 286A–286C kann von anderen Transistoren der Transistoren 284A–284C, 286A–286C getrennt, d. h. nicht mit anderen Transistoren in einen einzigen Halbleiter-Die integriert, sein. Bei manchen Beispielen kann jeder der Transistoren 284A–284C, 286A–286C einen getrennten Halbleiter-Die aufweisen. Die diskreten Transistoren 284A–284C, 286A–286C können wie unter Bezugnahme auf 5 beschrieben Vorteile bieten.
  • 12 ist ein Flussdiagramm, das eine Beispieltechnik 400 zum Konstruieren eines Mehrphasenleistungswandlers einschließlich eines IC gemäß manchen Beispielen dieser Offenbarung veranschaulicht. Die Technik 400 ist unter Bezugnahme auf die Vorrichtung 280 in 11 beschrieben, obgleich andere Komponenten, wie etwa die Vorrichtungen 2, 30, 80, 120, 150, 200, 230 in 1–10, als Beispiel für ähnliche Techniken dienen können.
  • Die Technik aus 12 umfasst ein elektrisches Verbinden einer ersten Seite jedes High-Side-Transistors der wenigstens zwei High-Side-Transistoren 284A–284C von wenigstens vier Transistoren 284A–284C, 286A–286C mit einem ersten Leiterrahmensegment 282A (402). Die High-Side-Transistoren 284A–284C können an den Leiterrahmen 282A gelötet oder diffusionsgebondet werden. Bei manchen Beispielen kann das Leiterrahmensegment 282A elektrisch mit einer Quelle für eine Eingangsspannung, wie etwa einer High-Side-Spannungsschiene für einen Mehrphasenhalbbrückenschaltkreis, verbunden werden.
  • Die Technik aus 12 umfasst auch ein elektrisches Verbinden einer ersten Seite jedes Low-Side-Transistors der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren 286A–286C von den wenigstens vier Transistoren 284A–284C, 286A–286C mit einem zweiten Leiterrahmensegment 282B, wobei das erste Leiterrahmensegment 282A von dem zweiten Leiterrahmensegment 282B elektrisch isoliert ist (404). Die Low-Side-Transistoren 286A–286C können an das Leiterrahmensegment 282B gelötet oder diffusionsgebondet werden. Bei manchen Beispielen kann das Leiterrahmensegment 282B elektrisch mit einer Quelle für eine Referenzspannung, wie etwa einer Low-Side-Spannungsschiene für einen Mehrphasenhalbbrückenschaltkreis, verbunden werden.
  • Die Technik aus 12 umfasst auch ein elektrisches Verbinden jedes leitfähigen Ausgangselements von wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselementen 288A–288C mit einer zweiten Seite eines jeweiligen High-Side-Transistors der wenigstens zwei High-Side-Transistoren 284A–284C und einer zweiten Seite eines jeweiligen Low-Side-Transistors der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren 284A–284C (406). Die leitfähigen Ausgangselemente 288A–288C können an die Transistoren 284A–284C, 286A–286C gelötet oder diffusionsgebondet werden. Die leitfähigen Ausgangselemente 288A–288C können durch Schalterleiterrahmensegmente elektrisch mit externen Komponenten, wie etwa den Feldwicklungen eines Elektromotors, verbunden werden. Jede Phase eines Mehrphasenmotors kann elektrisch mit einem der leitfähigen Ausgangselemente 288A–288C verbunden werden.
  • Die Technik aus 12 umfasst auch ein elektrisches Verbinden eines integrierten Schaltkreises (IC) 298 mit einem Steueranschluss auf einer zweiten Seite jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren 284A–284C, 286A–286C (408). Der IC 298 kann Steuersignale durch leitfähige Höcker 294A–294C, 296A–296C und leitfähige Steuerelemente 290A–290C, 292A–292C an die Steueranschlüsse der Transistoren 284A–284C, 286A–286C übermitteln. Der IC 298 kann teilweise oder vollständig in einer Vergussmasse verkapselt werden, um den IC 298 elektrisch zu isolieren und möglicherweise eine Wärmedissipation zu ermöglichen.
  • Die folgenden nummerierten Beispiele demonstrieren einen oder mehrere Aspekte der Offenbarung.
  • Beispiel 1. Eine Vorrichtung umfasst ein erstes Leiterrahmensegment und ein zweites Leiterrahmensegment, wobei das zweite Leiterrahmensegment von dem ersten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens vier Transistoren, die wenigstens zwei High-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem ersten Leiterrahmensegment verbunden sind, und wenigstens zwei Low-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmensegment verbunden sind, umfassen. Die Vorrichtung umfasst ferner wenigstens zwei leitfähige Ausgangselemente, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der wenigstens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist. Die Vorrichtung umfasst ferner einen IC, der elektrisch mit einem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  • Beispiel 2. Die Vorrichtung nach Beispiel 1, wobei das erste Leiterrahmensegment und das zweite Leiterrahmensegment auf einer ersten Seite der wenigstens vier Transistoren positioniert sind und wobei die wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente und der IC auf einer zweiten Seite der wenigstens vier Transistoren positioniert sind.
  • Beispiel 3. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1–2 oder Kombinationen von diesen, die ferner eine Vergussmasse umfasst, die die wenigstens vier Transistoren verkapselt und den IC wenigstens teilweise verkapselt.
  • Beispiel 4. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1–3 oder Kombinationen von diesen, die ferner wenigstens vier Drahtbondungen umfasst, wobei der IC durch eine jeweilige Drahtbondung der wenigstens vier Drahtbondungen elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  • Beispiel 5. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1–4 oder Kombinationen von diesen, die ferner wenigsten vier Löthöcker umfasst, wobei der IC durch einen jeweiligen Löthöcker der wenigstens vier Löthöcker elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  • Beispiel 6. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1–5 oder Kombinationen von diesen, die ferner wenigsten vier Kupfersäulen umfasst, wobei der IC durch eine jeweilige Kupfersäule der wenigstens vier Kupfersäulen elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  • Beispiel 7. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1–6 oder Kombinationen von diesen, die ferner einen Mehrphasenmotortreiber einschließlich des ersten Leiterrahmensegments, des zweiten Leiterrahmensegments, der wenigstens vier Transistoren, der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente und des IC umfasst, wobei jeder Transistor der wenigstens vier Transistoren einen vertikalen Leistungstransistor umfasst.
  • Beispiel 8. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1–7 oder Kombinationen von diesen, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente eine Metallschicht umfasst, und wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch von allen anderen leitfähigen Ausgangselementen der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente isoliert ist.
  • Beispiel 9. Die Vorrichtung nach einem der Beispiele 1–8 oder Kombinationen von diesen, die ferner wenigstens vier leitfähige Steuerelemente umfasst, wobei jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente elektrisch mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist, wobei der IC elektrisch mit jedem leitfähigen Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente verbunden ist, und wobei jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente eine Metallschicht umfasst.
  • Beispiel 10. Ein Verfahren zum Konstruieren eines Leistungselektronikvorrichtung-Packages, wobei das Verfahren elektrisches Verbinden einer ersten Seite jedes High-Side-Transistors von wenigstens zwei High-Side-Transistoren von wenigstens vier Transistoren mit einem ersten Leiterrahmensegment umfasst. Das Verfahren umfasst ferner elektrisches Verbinden einer ersten Seite jedes Low-Side-Transistors von wenigstens zwei Low-Side-Transistoren der wenigstens vier Transistoren mit einem zweiten Leiterrahmensegment, wobei das erste Leiterrahmensegment von dem zweiten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist. Das Verfahren umfasst ferner elektrisches Verbinden jedes leitfähigen Ausgangselements von wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselementen mit einer zweiten Seite eines jeweiligen High-Side-Transistors der wenigstens zwei High-Side-Transistoren und einer zweiten Seite eines jeweiligen Low-Side-Transistors der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren. Das Verfahren umfasst ferner elektrisches Verbinden eines integrierten Schaltkreises (IC) mit einem Steueranschluss auf einer zweiten Seite jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren.
  • Beispiel 11. Das Verfahren nach Beispiel 10, das ferner Verkapseln der wenigstens vier Transistoren in einer Vergussmasse und wenigstens teilweises Verkapseln des IC in der Vergussmasse umfasst.
  • Beispiel 12. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10–11 oder Kombinationen von diesen, wobei das elektrische Verbinden des IC mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors elektrisches Verbinden einer Drahtbondung von wenigstens vier Drahtbondungen mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren umfasst. Elektrisches Verbinden des IC mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors umfasst ferner elektrisches Verbinden der wenigstens vier Drahtbondungen mit dem IC.
  • Beispiel 13. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10–12 oder Kombinationen von diesen, wobei das elektrische Verbinden des IC mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors Löten von wenigstens vier Löthöckern an den IC umfasst. Elektrische Verbinden des IC mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors umfasst ferner elektrisches Verbinden jedes Löthöckers der wenigstens vier Löthöcker mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren.
  • Beispiel 14. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10–13 oder Kombinationen von diesen, wobei elektrisches Verbinden des IC mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors elektrisches Verbinden jeder Kupfersäule von wenigstens vier Kupfersäulen mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren umfasst. Elektrisches Verbinden des IC mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors umfasst ferner elektrisches Verbinden der wenigstens vier Kupfersäulen mit dem IC.
  • Beispiel 15. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10–14 oder Kombinationen von diesen, wobei jeder Transistor der wenigstens vier Transistoren einen vertikalen Leistungstransistor umfasst.
  • Beispiel 16. Das Verfahren nach einer Kombination der Beispiele 10–15, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente eine Metallschicht umfasst.
  • Beispiel 17. Das Verfahren nach einem der Beispiele 10–16 oder Kombinationen von diesen, das ferner elektrisches Verbinden jedes leitfähigen Steuerelements der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren umfasst, wobei jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente eine Metallschicht umfasst. Elektrisches Verbinden des IC mit einem Steueranschluss auf der zweiten Seite jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren umfasst elektrisches Verbinden des IC mit den wenigstens vier leitfähigen Steuerelementen.
  • Beispiel 18. Eine Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ein erstes Leiterrahmensegment und ein zweites Leiterrahmensegment, wobei das zweite Leiterrahmensegment von dem ersten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ferner wenigstens vier vertikale Transistoren, die wenigstens zwei vertikale High-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem ersten Leiterrahmensegment verbunden sind, und wenigstens zwei vertikale Low-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmensegment verbunden sind, umfassen, wobei das erste Leiterrahmensegment und das zweite Leiterrahmensegment elektrisch mit einer ersten Seite der wenigstens vier vertikalen Transistoren verbunden sind. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ferner wenigstens zwei leitfähige Ausgangselemente, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch mit einer zweiten Seite eines jeweiligen vertikalen High-Side-Transistors der wenigstens zwei vertikalen High-Side-Transistoren und einer zweiten Seite eines jeweiligen vertikalen Low-Side-Transistor der wenigstens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren verbunden ist. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ferner wenigstens vier leitfähige Steuerelemente, wobei jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente elektrisch mit einem Steueranschluss auf der zweiten Seite jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung umfasst ferner einen integrierten Schaltkreis (IC), der durch ein jeweiliges leitfähiges Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente elektrisch mit jedem jeweiligen Steueranschluss der wenigstens vier leitfähigen Steueranschlüsse verbunden ist.
  • Beispiel 19. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung nach Beispiel 18, die ferner eine Vergussmasse umfasst, die die wenigstens vier Transistoren verkapselt und die den IC wenigstens teilweise verkapselt, wobei die wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente wenigstens vier Löthöcker umfassen.
  • Beispiel 20. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung nach einem der Beispiele 18–19 oder Kombinationen von diesen, die ferner eine Vergussmasse umfasst, die die wenigstens vier Transistoren verkapselt und die den IC wenigstens teilweise verkapselt, wobei die wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente wenigstens vier Kupfersäulen umfassen.
  • Beispiel 21. Die Mehrphasenleistungsvorrichtung nach einem der Beispiele 18–20 oder Kombinationen von diesen, die ferner eine Vergussmasse umfasst, die die wenigstens vier Transistoren verkapselt und die den IC wenigstens teilweise verkapselt, wobei die wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente wenigstens vier Drahtbondungen umfassen.
  • Es wurden verschiedene Beispiele der Offenbarung beschrieben. Eine beliebige Kombination der beschriebenen Systeme, Vorgänge oder Funktionen ist beabsichtigt.

Claims (20)

  1. Vorrichtung, die aufweist: ein erstes Leiterrahmensegment; ein zweites Leiterrahmensegment, wobei das zweite Leiterrahmensegment von dem ersten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist; wenigstens vier Transistoren, die wenigstens zwei High-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem ersten Leiterrahmensegment verbunden sind, und wenigstens zwei Low-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmensegment verbunden sind, umfassen; wenigstens zwei leitfähige Ausgangselemente, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch mit einem jeweiligen High-Side-Transistor der wenigstens zwei High-Side-Transistoren und einem jeweiligen Low-Side-Transistor der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren verbunden ist; und einen integrierten Schaltkreis, der elektrisch mit einem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Leiterrahmensegment und das zweite Leiterrahmensegment auf einer ersten Seite der wenigstens vier Transistoren positioniert sind; und die wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente und der integrierte Schaltkreis auf einer zweiten Seite der wenigstens vier Transistoren positioniert sind.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner eine Vergussmasse aufweist, die die wenigstens vier Transistoren verkapselt und die den integrierten Schaltkreis wenigstens teilweise verkapselt.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner wenigstens vier Drahtbondungen aufweist, wobei der integrierte Schaltkreis durch eine jeweilige Drahtbondung der wenigstens vier Drahtbondungen elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner wenigsten vier Löthöcker aufweist, wobei der integrierte Schaltkreis durch einen jeweiligen Löthöcker der wenigstens vier Löthöcker elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner wenigsten vier Kupfersäulen aufweist, wobei der integrierte Schaltkreis durch eine jeweilige Kupfersäule der wenigstens vier Kupfersäulen elektrisch mit dem Steueranschluss jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist.
  7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner einen Mehrphasenmotortreiber einschließlich des ersten Leiterrahmensegments, des zweiten Leiterrahmensegments, der wenigstens vier Transistoren, der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente und des integrierten Schaltkreises aufweist, wobei jeder Transistor der wenigstens vier Transistoren einen vertikalen Leistungstransistor umfasst.
  8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente eine Metallschicht aufweist; und jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente von allen anderen Ausgangselementen der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch isoliert ist.
  9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner wenigstens vier leitfähige Steuerelemente aufweist, wobei: jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente elektrisch mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist; der integrierte Schaltkreis elektrisch mit jedem leitfähigen Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente verbunden ist; und jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente eine Metallschicht umfasst.
  10. Verfahren zum Konstruieren eines Leistungselektronikvorrichtung-Packages, wobei das Verfahren umfasst: elektrisches Verbinden einer ersten Seite jedes High-Side-Transistors von wenigstens zwei High-Side-Transistoren von wenigstens vier Transistoren mit einem ersten Leiterrahmensegment; elektrisches Verbinden einer ersten Seite jedes Low-Side-Transistors von wenigstens zwei Low-Side-Transistoren der wenigstens vier Transistoren mit einem zweiten Leiterrahmensegment, wobei das erste Leiterrahmensegment von dem zweiten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist; elektrisches Verbinden jedes leitfähigen Ausgangselements von wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselementen mit einer zweiten Seite eines jeweiligen High-Side-Transistors der wenigstens zwei High-Side-Transistoren und einer zweiten Seite eines jeweiligen Low-Side-Transistors der wenigstens zwei Low-Side-Transistoren; und elektrisches Verbinden eines integrierten Schaltkreises mit einem Steueranschluss auf einer zweiten Seite jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, das ferner umfasst: Verkapseln der wenigstens vier Transistoren in einer Vergussmasse; und wenigstens teilweises Verkapseln des integrierten Schaltkreises in der Vergussmasse.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei elektrisches Verbinden des integrierten Schaltkreises mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors umfasst: elektrisches Verbinden einer Drahtbondung von wenigstens vier Drahtbondungen mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren; und elektrisches Verbinden der wenigstens vier Drahtbondungen mit dem integrierten Schaltkreis.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei elektrisches Verbinden des integrierten Schaltkreises mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors Folgendes umfasst: Löten von wenigstens vier Löthöckern an den integrierten Schaltkreis; und elektrisches Verbinden jedes Löthöckers der wenigstens vier Löthöcker mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei elektrisches Verbinden des integrierten Schaltkreises mit dem Steueranschluss jedes High-Side-Transistors umfasst: elektrisches Verbinden jeder Kupfersäule von wenigstens vier Kupfersäulen mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren; und elektrisches Verbinden der wenigstens vier Kupfersäulen mit dem integrierten Schaltkreis.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei jeder Transistor der wenigstens vier Transistoren einen vertikalen Leistungstransistor umfasst.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente eine Metallschicht umfasst.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, das ferner elektrisches Verbinden jedes leitfähigen Steuerelements von wenigstens vier leitfähigen Steuerelementen mit einem Steueranschluss jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren umfasst, wobei: jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente eine Metallschicht umfasst, und elektrisches Verbinden des integrierten Schaltkreises mit einem Steueranschluss auf der zweiten Seite jedes Transistors der wenigstens vier Transistoren elektrisches Verbinden des integrierten Schaltkreises mit den wenigstens vier leitfähigen Steuerelementen umfasst.
  18. Mehrphasenleistungsvorrichtung, die aufweist: ein erstes Leiterrahmensegment; ein zweites Leiterrahmensegment, wobei das zweite Leiterrahmensegment von dem ersten Leiterrahmensegment elektrisch isoliert ist; wenigstens vier vertikale Transistoren, die wenigstens zwei vertikale High-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem ersten Leiterrahmensegment verbunden sind, und wenigstens zwei vertikale Low-Side-Transistoren, die elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmensegment verbunden sind, umfassen, wobei das erste Leiterrahmensegment und das zweite Leiterrahmensegment elektrisch mit einer ersten Seite der wenigstens vier vertikalen Transistoren verbunden sind; wenigstens zwei leitfähige Ausgangselemente, wobei jedes leitfähige Ausgangselement der wenigstens zwei leitfähigen Ausgangselemente elektrisch mit einer zweiten Seite eines jeweiligen vertikalen High-Side-Transistors der wenigstens zwei vertikalen High-Side-Transistoren und einer zweiten Seite eines jeweiligen vertikalen Low-Side-Transistor der wenigstens zwei vertikalen Low-Side-Transistoren verbunden ist; wenigstens vier leitfähige Steuerelemente, wobei jedes leitfähige Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente elektrisch mit einem Steueranschluss auf der zweiten Seite jedes jeweiligen Transistors der wenigstens vier Transistoren verbunden ist; und einen integrierten Schaltkreis, der durch ein jeweiliges leitfähiges Steuerelement der wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente elektrisch mit einem jeweiligen Steueranschluss der wenigstens vier leitfähigen Steueranschlüsse verbunden ist.
  19. Mehrphasenleistungsvorrichtung nach Anspruch 18, die ferner eine Vergussmasse umfasst, die die wenigstens vier Transistoren verkapselt und die den integrierten Schaltkreis wenigstens teilweise verkapselt, wobei die wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente wenigstens vier Löthöcker umfassen.
  20. Mehrphasenleistungsvorrichtung nach Anspruch 18 oder 19, die ferner eine Vergussmasse umfasst, die die wenigstens vier Transistoren verkapselt und die den integrierten Schaltkreis wenigstens teilweise verkapselt, wobei die wenigstens vier leitfähigen Steuerelemente wenigstens vier Drahtbondungen umfassen.
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