DE102017203253A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102017203253A1
DE102017203253A1 DE102017203253.7A DE102017203253A DE102017203253A1 DE 102017203253 A1 DE102017203253 A1 DE 102017203253A1 DE 102017203253 A DE102017203253 A DE 102017203253A DE 102017203253 A1 DE102017203253 A1 DE 102017203253A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
capsule
units
semiconductor units
portions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102017203253.7A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichiro HINATA
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Publication of DE102017203253A1 publication Critical patent/DE102017203253A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Haftung wird durch einen Verankerungseffekt verbessert, der durch Kanalabschnitte in jeweiligen Vorderseiten einer Vielzahl von Halbleitereinheiten und Eingriffsabschnitte auf Seiten, auf denen es keinen Eingriff gibt, erzeugt wird. D. h. die Haftung einer zweiten Kapsel an den Halbleitereinheiten, die verbunden sind, wird verbessert. Die Vielzahl von Halbleitereinheiten ist durch den Eingriff der Eingriffsabschnitte verbunden. Dies bedeutet, dass die zweite Kapsel nicht zwischen die Halbleitereinheiten eingeschoben wird, und dass eine Trennung der zweiten Kapsel zwischen den Halbleitereinheiten vermieden wird, was bedeutet, dass ein Verschieben der Halbleitereinheiten verhindert wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die hier besprochenen Ausführungsformen betreffen eine Halbleitervorrichtung.
  • 2. Beschreibung der verwandten Technik
  • Leistungshalbleitermodule umfassen Halbleiterelemente, wie etwa IGBT (Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode), Leistungs-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekt-Transistoren) und FWD (Freilaufdioden) und werden weitläufig als Stromrichtgeräte und andere Anwendungen verwendet.
  • Als ein Beispiel umfasst ein Leistungshalbleitermodul Halbleiterelemente und ein Schichtsubstrat. Das Schichtsubstrat weist ein isolierendes Substrat auf, auf dessen Vorderseite eine Leiterplatte und auf dessen Rückseite eine Metallplatte gebildet ist, und weist Halbleiterelemente auf, die mit Lötmetall auf der Leiterplatte montiert sind. Dieses Leistungshalbleitermodul umfasst auch eine Leiterplatte, die dem Schichtsubstrat zugewandt angeordnet ist und aus leitenden Stützstiften gebildet ist, die zusammengefügt sind und sowohl mit den Halbleiterelementen als auch mit der Leiterplatte elektrisch verbunden sind. Die Halbleiterelemente, das Schichtsubstrat und die Leiterplatte sind auch in einer ersten Kapsel, die aus einem Vergussharz besteht, eingekapselt (siehe beispielsweise die japanische Patent-Auslegeschrift Nr. 2009-064852 ).
  • Als ein Beispiel wird die Halbleitervorrichtung dadurch konfiguriert, dass vier dieser Leistungshalbleitermodule (bzw. „Halbleitereinheiten”) in einer Anordnung aus zwei Reihen und zwei Spalten angeordnet werden, eine Anschlusseinheit zwischen den Steuerelektroden und den Hauptklemmen der jeweiligen Halbleitereinheiten bereitgestellt wird und alle Halbleitereinheiten und die Anschlusseinheit in einer zweiten Kapsel, die aus Vergussharz besteht, eingekapselt werden. Durch das Ausbilden einer Halbleitervorrichtung, die vier Halbleitereinheiten umfasst, ist es möglich, die Strombelastbarkeit zu erhöhen.
  • Auf die erste Kapsel, die eine Halbleitereinheit ausbildet, ist ein Trennmittel oder dergleichen aufgetragen, um die Trenneigenschaften aus der Gussform zu verbessern, die während des Versiegelungsprozesses verwendet wird. Dadurch verringert sich die Haftung zwischen den ersten Kapseln und der zweiten Kapsel, welche die Halbleitervorrichtung ausbildet, indem die Halbleitereinheiten eingekapselt werden, was zu dem Risiko einer Trennung zwischen den ersten Kapseln und der zweiten Kapsel führt. Falls sich die Kapseln nach und nach innerhalb einer Halbleitervorrichtung trennen und die Halbleitereinheiten nicht mehr ganz eingekapselt sind, besteht das Risiko einer Verschiebung und einer mechanischen Beschädigung und Bruchstelle der Halbleitervorrichtung.
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Die Ausführungsformen wurden angesichts der obigen Punkte erstellt, und eine Aufgabe derselben besteht darin, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, eine Vielzahl von Halbleitereinheiten zuverlässig einzukapseln.
  • Bei einem Aspekt der Ausführungsformen wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, die Folgendes umfasst: eine Vielzahl von Halbleitereinheiten, die jeweils ein Halbleiterelement umfassen, und eine erste Kapsel, die gebildet ist, um das Halbleiterelement einzukapseln, und eine Vielzahl von konvexen Abschnitten aufweist, die auf einer Vorderseite derselben gebildet sind, die in einer Matrix angeordnet sind, die mit Eingriffsabschnitten versehen sind, die ineinandergreifen, und die mit den Eingriffsabschnitten verbunden sind; und eine zweite Kapsel, die gebildet ist, um die Halbleitereinheiten einzukapseln.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Es zeigen:
  • 1 eine Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform;
  • 2 eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform;
  • 3 eine Draufsicht einer Halbleitereinheit gemäß der ersten Ausführungsform;
  • 4 eine Querschnittsansicht einer Halbleitereinheit gemäß der ersten Ausführungsform;
  • 5 eine Draufsicht einer Halbleitereinheit gemäß einer zweiten Ausführungsform; und
  • 6 eine Querschnittsansicht einer Halbleitereinheit gemäß einer dritten Ausführungsform.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Erste Ausführungsform
  • Es wird nun eine erste Ausführungsform mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
  • Zuerst wird eine Halbleitervorrichtung mit Bezug auf 1 und 2 beschrieben.
  • 1 ist eine Draufsicht einer Halbleitereinheit gemäß der ersten Ausführungsform.
  • Es sei zu beachten, dass in 1 die angeordneten Positionen der Halbleitereinheiten 100a, 100b, 100c und 100d mit gestrichelten Linien angegeben sind.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
  • Es sei zu beachten, dass 2 eine Querschnittsansicht ist, die entlang der strichpunktierten Linie X-X in 1 gesehen ist.
  • Die Halbleitervorrichtung 10 umfasst die Vielzahl von Halbleitereinheiten 100a, 100b, 100c und 100d (in der vorliegenden Beschreibung insgesamt als „Halbleitereinheiten 100” bezeichnet), eine Basisplatte 11 und eine Anschlusseinheit 14. Es sei zu beachten, dass die Halbleitereinheiten 100 noch ausführlich beschrieben werden. Die Rückseiten der jeweiligen Halbleitereinheiten 100 werden mit Lötmetall 12a mit der Basisplatte 11 zusammengefügt. Die Steuerklemmen 152 und Hauptklemmen 151 (nachstehend insgesamt als „Anschlussklemmen” bezeichnet) der Vielzahl von Halbleitereinheiten 100 werden mit Lötmetall 12b mit der Anschlusseinheit 14 zusammengefügt. Die Anschlusseinheit 14 verbindet die Vielzahl von Halbleitereinheiten 100 parallel. Es sei zu beachten, dass bei der vorliegenden Ausführungsform ein Beispiel, bei dem die Halbleitervorrichtung 10 mit vier Halbleitereinheiten 100 in einer Zwei-mal-Zwei-Anordnung (zwei Reihen und zwei Spalten) konfiguriert ist, beschrieben wird.
  • Die Basisplatte 11 besteht aus einem Metall mit günstiger Wärmeleitfähigkeit, wie etwa aus Kupfer oder Aluminium.
  • Die Anschlusseinheit 14 umfasst eine Leiterplatte 14a, externe Anschlussklemmen 14b und externe Steuerklemmen 14c.
  • Die Leiterplatte 14a wird konfiguriert, indem eine Vielzahl von Schaltschichten (nicht abgebildet) und isolierenden Schichten (ebenfalls nicht abgebildet) gestapelt werden.
  • Die externen Anschlussklemmen 14b sind an die Schaltschichten, die in der Leiterplatte 14a enthalten sind, elektrisch angeschlossen. Die externen Anschlussklemmen 14b sind an eine externe Vorrichtung angeschlossen und geben Ausgangsströme von den Halbleitereinheiten 100 aus.
  • Die externen Steuerklemmen 14c sind an eine entsprechende Schaltschicht der Leiterplatte 14a elektrisch angeschlossen. Die externen Steuerklemmen 14c sind an eine externe Vorrichtung angeschlossen, die Steuersignale ausgibt und verwendet wird, um vorbestimmte Steuersignale einzugeben.
  • Es sei zu beachten, dass die externen Anschlussklemmen 14b jeweils über eine entsprechende Schaltschicht der Leiterplatte 14a an die Hauptklemmen 151 der Halbleitereinheiten 100 elektrisch angeschlossen sind. Die externen Anschlussklemmen 14c sind ebenfalls über eine entsprechende Schaltschicht der Leiterplatte 14a an die Hauptklemmen 152 der Halbleitereinheiten 100 elektrisch angeschlossen.
  • Ein Gehäuse 13 umgibt den äußeren Umfang des Aufbaus, lässt jedoch eine Rückseite der Basisplatte 11 frei. Die Vielzahl von Halbleitereinheiten 100 wird anhand des Lötmetalls 12a auf der Basisplatte 11 über eine Öffnung 13a in dem Gehäuse 13 angeordnet. Die externen Steuerklemmen 14c stehen aus den Öffnungen 13b in dem Gehäuse 13 vor.
  • Eine zweite Kapsel 15 wird erzeugt, indem das Innere des Gehäuses 13 mit Vergussharz ausgefüllt wird, so dass die Basisplatte 11, die Halbleitereinheiten 100 und die Anschlusseinheit 14 durch die zweite Kapsel 15 eingekapselt werden. Es sei als ein Beispiel zu beachten, dass die zweite Kapsel 15 durch Härten eines Vergussharzes, wie etwa Epoxidharz, ausgebildet wird. Es sei ebenfalls zu beachten, dass die Basisplatte 11 und das Gehäuse 13 entfallen können.
  • Als Nächstes werden die Halbleitereinheiten 100 mit Bezug auf 3 und 4 beschrieben.
  • 3 ist eine Draufsicht einer Halbleitereinheit gemäß der ersten Ausführungsform.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitereinheit gemäß der ersten Ausführungsform.
  • Es sei zu beachten, dass 4 eine Querschnittsansicht ist, die entlang der strichpunktierten Linie X-X in 3 gesehen ist.
  • Jede Halbleitereinheit 100 umfasst ein Schichtsubstrat 110, Halbleiterelemente 120, eine Leiterplatte 140, die Hauptklemmen 151 und die Steuerklemmen 152 und wird dadurch konfiguriert, dass diese Bauteile in einer ersten Kapsel 160 eingekapselt werden.
  • Das Schichtsubstrat 110 wird konfiguriert, indem die Leiterplatten 112a und 112b, eine Isolierplatte 111 und eine Metallplatte 113 gestapelt werden. Die Leiterplatten 112a und 112b werden auf einer Vorderseite der Isolierplatte 111 angeordnet und weisen Strukturen auf, die vorbestimmte Schaltkreise im Innern der Halbleitereinheit 100 ausbilden. Die Metallplatte 113 ist auf einer Rückseite der Isolierplatte 111 angeordnet. Zum Beispiel wird die Isolierplatte 111 aus Aluminiumnitrid oder Siliziumnitrid, einer isolierenden Keramik, wie etwa Aluminiumoxid, oder einem isolierenden Harzmaterial, wie etwa Epoxidharz, hergestellt. Die Leiterplatten 112a und 112b und die Metallplatte 113 werden beispielsweise aus Kupfer oder Aluminium hergestellt. Zum Beispiel kann das Schichtsubstrat 110 ein DCB-(direktes Kupferbonding-)Substrat oder ein AMB-(Aktivlöt-)Substrat verwenden.
  • Zum Beispiel werden je nach Bedarf IGBT, MOSFET und FWD als Halbleiterelemente 120 verwendet. Die Elektroden auf den Rückseiten der jeweiligen Halbleiterelemente 120 werden mit der Leiterplatte 112b des Schichtsubstrats 110 unter Verwendung eines Fügematerials 131, wie etwa Lötmetall, zusammengefügt.
  • Die Leiterplatte 140 umfasst eine Harzschicht 141 und die Schaltschichten 142 und 143, die auf der Vorderseite und der Rückseite der Harzschicht 141 angeordnet sind. Die Leiterplatte 140 ist auch mit einer Vielzahl von leitenden Stützstiften 144 ausgestattet, die sowohl auf der Vorderseite als auch auf der Rückseite der Leiterplatte 140 vorstehen. Diese leitenden Stützstifte 144 sind an die Schaltschichten 142 und 143 elektrisch angeschlossen. Die leitenden Stützstifte 144 sind an die vorderseitigen Elektroden (beispielsweise die Gate-Elektroden, Emitter-Elektroden oder Source-Elektroden) der Halbleiterelemente 120 mit einem Fügematerial 132 einer ähnlichen Zusammenstellung wie das Fügematerial 131 elektrisch angeschlossen und angebracht.
  • Die Vielzahl von Hauptklemmen 151 geht durch Durchgangslöcher (nicht abgebildet) der Leiterplatte 140 und ist an die Leiterplatten 112a und 112b des Schichtsubstrats 110 elektrisch angeschlossen. In einem Zustand, in dem die Hauptklemmen 151 jeweils an externe positive und negative Elektroden angeschlossen sind, erzeugen die Halbleiterelemente 120 eine Ausgabe, die mit einem eingegebenen Steuersignal übereinstimmt.
  • Die Vielzahl von Steuerklemmen 152 ist an der Leiterplatte 140 befestigt und ist an die Schaltschichten 142 und 143 der Leiterplatte 140 elektrisch angeschlossen. Die Steuerklemmen 152 geben Steuersignale von außen ein und geben die eingegebenen Steuersignale über die Schaltschichten 142 und 143 und die leitenden Stützstifte 144 an die Halbleiterelemente 120 aus.
  • Als ein Beispiel wird die erste Kapsel 160 ausgebildet, indem ein Vergussharz, wie etwa Epoxidharz, gehärtet wird. Die erste Kapsel 160 kapselt das Schichtsubstrat 110, die Vielzahl von Halbleiterelementen 120 und die Leiterplatte 140 ein, wobei die Hauptklemmen 151 und die Steuerklemmen 152, die an die Leiterplatte 140 angeschlossen sind, aus der ersten Kapsel 160 vorstehen. Die erste Kapsel 160 weist auch konvexe Abschnitte auf, die ausgebildet werden, indem Kanalabschnitte 161 in einer Vorderseite der ersten Kapsel 160 gebildet werden. Wie in 3 abgebildet, werden die Kanalabschnitte 161 in einer einzigen Richtung gebildet, die in 3 die Richtung von oben nach unten ist. Die Eingriffsabschnitte 162, 163, 164 und 165 sind auf den jeweiligen Rändern der ersten Kapsel 160 gebildet. Die Eingriffsabschnitte 162 und 165 sind in der Form von nach oben gerichteten Längskeilen gebildet, und die Eingriffsabschnitte 163 und 164 sind in der Form von nach unten gerichteten Längskeilen gebildet.
  • Es sei zu beachten, dass Formen, die den Kanalabschnitten 161 und den Eingriffsabschnitten 162 und 163 entsprechen, im Voraus in der Gussform gebildet werden, die verwendet wird, um die erste Kapsel 160 zu bilden. Ein Trennmittel wird im Voraus auf das Innere der Gussform aufgetragen, und dann werden das Schichtsubstrat 110, die Halbleiterelemente 120, die über das Fügematerial 131 auf den Leiterplatten 112a und 112b des Schichtsubstrats 110 bereitgestellt werden, und die Leiterplatte 140, die mit den leitenden Stützstiften 144 ausgestattet ist, die über das Fügematerial 132 auf den Halbleiterelementen 120 bereitgestellt werden, in die Gussform gelegt. Nachdem das Innere der Gussform, welche die Bauteile aufnimmt, mit Vergussharz, wie etwa Epoxidharz, ausgefüllt wurde, und das Vergussharz ausgehärtet ist, wird die Gussform entfernt. Dadurch wird eine Halbleitereinheit 100 erzielt, in der das Schichtsubstrat 110, die Halbleiterelemente 120, die Leiterplatte 140, die Hauptklemmen 151 und die Steuerklemmen 152 von der ersten Kapsel 160 eingekapselt sind.
  • Es ist ebenfalls möglich, Bauteile, wie etwa elektronische Bauteile, derart zu montieren, dass sie in die Kanalabschnitte 161 auf der Vorderseite der ersten Kapsel 160 einer Halbleitereinheit 100 passen.
  • Wie in 2 abgebildet, wird eine Vielzahl von Halbleitereinheiten 100 mit dem Lötmetall 12a auf der Basisplatte 11 in einem angeschlossenen Zustand angeordnet, in dem die Eingriffsabschnitte 162 und 163 ineinander eingreifen. Die Halbleitereinheiten 100 sind in diesem Zustand in dem Gehäuse 13 aufgenommen und in der zweiten Kapsel 15 eingekapselt.
  • Für die Vielzahl von Halbleitereinheiten 100, die in der zweiten Kapsel 15 eingekapselt sind, wird die Haftung durch einen Verankerungseffekt verbessert, der durch die Kanalabschnitte 161 auf den jeweiligen Vorderseiten der Halbleitereinheiten 100 und die Eingriffsabschnitte 162, 163, 164 und 165 auf den Seiten, auf denen kein Eingriff mit einer anderen Halbleitereinheit 100 besteht, verbessert. D. h. die Haftung der zweiten Kapsel 15 an den Halbleitereinheiten 100 wird verbessert.
  • Wenn die Halbleitereinheiten 100 nicht mit den Eingriffsabschnitten 162, 163, 164 und 165 ausgestattet wären, würden Teile der zweiten Kapsel 15 zwischen den Halbleitereinheiten 100, die in zwei Reihen und zwei Spalten angeordnet sind, eingeschoben. Wenn sich ein eingeschobener Teil der zweiten Kapsel 15 zwischen den Halbleitereinheiten 100 abtrennen würde, bestünde das Risiko, dass sich die Positionen der Halbleitereinheiten 100 verschieben, und dass es zu einer Beschädigung, einer Bruchstelle und dergleichen an den Trennstellen kommt. Da die Vielzahl von Halbleitereinheiten 100 gemäß der ersten Ausführungsform durch den Eingriff zwischen den Eingriffsabschnitten 162 und 163 verbunden sind, wird jedoch die zweite Kapsel 15 nicht zwischen den Halbleitereinheiten 100 eingeschoben, und es ist möglich, die Trennung (Ablösung) zu unterdrücken, wodurch verhindert werden kann, dass sich die Halbleitereinheiten 100 verschieben.
  • Die zuvor beschriebene Halbleitervorrichtung 10 umfasst eine Vielzahl der Halbleitereinheiten 100, die gebildet werden, indem die Halbleiterelemente 120 eingekapselt werden, die jeweils mit einer ersten Kapsel 160 ausgestattet sind, welche die Kanalabschnitte 161 aufweist, die eine Vielzahl von konvexen Abschnitten ausbilden, die auf der Vorderseite gebildet sind, die parallel angeordnet sind, die ferner mit den Eingriffsabschnitten 162 und 163 ausgestattet sind, die ineinandergreifen, und die durch Eingriffsabschnitte von den Eingriffsabschnitten 162, 163, 164 und 165, die durch die Anordnung der Halbleitereinheiten 100 bestimmt werden, verbunden sind. Die Halbleitervorrichtung 10 weist auch die Halbleitereinheiten 100 auf, die in der zweiten Kapsel 15 eingekapselt sind.
  • Bei der Halbleitervorrichtung 10 wird die Haftung durch einen Verankerungseffekt verbessert, der durch die Kanalabschnitte 161 auf den jeweiligen Vorderseiten der Vielzahl von Halbleitereinheiten 100 und durch die Eingriffsabschnitte 162, 163, 164 und 165 auf Seiten, auf denen kein Eingriff mit einer anderen Halbleitereinheit 100 besteht, verbessert. D. h. die Haftung der zweiten Kapsel 15 an den Halbleitereinheiten 100, die verbunden sind, wird verbessert. Die Vielzahl von Halbleitereinheiten 100 ist durch den Eingriff von Eingriffsabschnitten von den Eingriffsabschnitten 162, 163, 164 und 165, über die durch die Anordnung der Halbleitereinheiten 100 entschieden wird, verbunden. Dies bedeutet, dass die zweite Kapsel 15 nicht zwischen die Halbleitereinheiten 100 eingeschoben wird, und dass es möglich ist, eine Trennung der zweiten Kapsel 15 zwischen den Halbleitereinheiten 100 zu vermeiden, was bedeutet, dass es möglich ist, ein Verschieben der Halbleitereinheiten 100 zu verhindern. Entsprechend ist es mit der Halbleitervorrichtung 10 möglich, die Vielzahl von Halbleitereinheiten 100 mit der zweiten Kapsel 15 zuverlässig einzukapseln, um Bruchstellen und dergleichen auf Grund einer mechanischen Beschädigung an der Halbleitervorrichtung 10 zu verhindern und einen Verlust an Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung 10 zu verhindern.
  • Zweite Ausführungsform
  • Die erste Ausführungsform beschreibt ein Beispiel, bei dem die Kanalabschnitte 161, die auf den Vorderseiten der Halbleitereinheiten 100 gebildet sind, alle in einer ersten (einzigen) Richtung orientiert sind.
  • Dagegen wird bei der zweiten Ausführungsform ein Beispiel beschrieben, bei dem die Kanalabschnitte, die in den Vorderseiten der Halbleitereinheiten in der Halbleitervorrichtung 10 gebildet sind, nicht alle in einer einzigen Richtung orientiert sind. Dieses Beispiel wird nachstehend mit Bezug auf 5 beschrieben.
  • 5 ist eine Draufsicht einer Halbleitereinheit gemäß der zweiten Ausführungsform.
  • Außer der Konfiguration der Kanalabschnitte, die in der Vorderseite einer ersten Kapsel 260 gebildet sind, weist jede Halbleitereinheit 200 die gleiche Konfiguration wie die Halbleitereinheiten 100 auf.
  • In jeder Halbleitereinheit 200 ist die Vorderseite der ersten Kapsel 260 in vier, d. h. zwei Reihen mal zwei Spalten, geteilt. Die Kanalabschnitte 261 in der Richtung von oben nach unten in 5 sind in 5 in den Regionen oben rechts und unten links gebildet. Dagegen sind die Kanalabschnitte 262 in der Richtung von links nach rechts in 5 in den Regionen oben links und unten rechts in 5 gebildet.
  • Mit den Halbleitereinheiten 200 weisen im Innern der Halbleitervorrichtung 10, wie bei der ersten Ausführungsform, die Kanalabschnitte 261 und 262, die in den jeweiligen Vorderseiten gebildet sind, einen Verankerungseffekt auf, der die Haftung an der ersten Kapsel 260 erhöht. D. h. die Haftung der zweiten Kapsel 15 an den Halbleitereinheiten 200, die verbunden sind, wird verbessert.
  • Es sei zu beachten, dass obwohl zuvor ein Beispiel beschrieben wurde, bei dem die Vorderseite der ersten Kapsel 260 einer Halbleitereinheit 200 in vier geteilt ist, es auch möglich ist, die Vorderseite in zwei oder mehrere Teile zu unterteilen. Die Kanalabschnitte 261 und 262 sind nicht auf das Beispiel eingeschränkt, das in 5 abgebildet ist, und es ist möglich die Kanäle in frei wählbaren Regionen bereitzustellen. Die Kanalabschnitte 261 und 262 sind nicht auf die Richtung von oben nach unten und von links nach rechts in 5 eingeschränkt, und es ist möglich, Kanalabschnitte in einer diagonalen Richtung, einer wellenartigen Form, einer Keilform, einem Punktmuster oder dergleichen oder in einer beliebigen Kombination dieser Formen zu bilden.
  • Dritte Ausführungsform
  • Bei der ersten Ausführungsform wird ein Beispiel beschrieben, bei dem die Eingriffsabschnitte 162, 163, 164 und 165 der Halbleitereinheiten 100 in Längskeilformen gebildet sind.
  • Dagegen wird bei der dritten Ausführungsform ein Beispiel beschrieben, bei dem die Eingriffsabschnitte der Halbleitereinheiten eine andere Form aufweisen. Diese Konfiguration wird mit Bezug auf 6 beschrieben.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitereinheit gemäß der dritten Ausführungsform.
  • Außer den Eingriffsabschnitten 361 und 362 einer ersten Kapsel 360 und den Eingriffsabschnitten an Stellen, die den Eingriffsabschnitten 164 und 165 in 3 entsprechen, ist die Konfiguration jeder Halbleitereinheit 300 die gleiche wie die Konfiguration der Halbleitereinheiten 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
  • Die erste Kapsel 360 einer Halbleitereinheit 300 weist Kanalabschnitte 161 auf, die in ihrer Vorderseite gebildet sind. Es sei zu beachten, dass die Kanalabschnitte 161 auf der Vorderseite der ersten Kapsel 360 nur ein Beispiel sind, und dass es als anderes Beispiel auch möglich ist, die Kanalabschnitte 261 und 262 zu bilden, die bei der zweiten Ausführungsform beschrieben wurden.
  • Ein konvexer Eingriffsabschnitt 361 (rechts in 6) und ein konkaver Eingriffsabschnitt 362 (links in 6) sind an der ersten Kapsel 360 gebildet. Es sei zu beachten, dass der konvexe Eingriffsabschnitt 361 den Eingriffsabschnitten 163 und 164 in 3 entspricht und der konkave Eingriffsabschnitt 362 den Eingriffsabschnitten 162 und 165 entspricht.
  • Die Halbleitereinheiten 300 werden der Reihe nach verbunden, indem der Eingriffsabschnitt 361 einer Halbleitereinheit 300 in einem Paar von Halbleitereinheiten 300 in den Eingriffsabschnitt 362 der anderen Halbleitereinheit 300 in dem Paar eingepasst wird. Die Vielzahl von Halbleitereinheiten 300, die somit verbunden werden, wird über das Lötmetall 12a auf der Basisplatte 11 bereitgestellt. Die Hauptklemmen 151 und die Steuerklemmen 152 jeder Halbleitereinheit 300 sind an die Leiterplatte 14a der Anschlusseinheit 14 angeschlossen und in dem Gehäuse 13 aufgenommen. Das Innere des Gehäuses 13 wird dann mit Vergussharz ausgefüllt, um die zweite Kapsel 15 zu erzeugen, welche die Basisplatte 11, die Vielzahl von Halbleitereinheiten 300, die angeschlossen wurden, und die Anschlusseinheit 14 einkapselt.
  • Auch mit dieser Konfiguration wird für die Vielzahl von Halbleitereinheiten 300, die in der zweiten Kapsel 15 eingekapselt sind, die Haftung durch einen Verankerungseffekt verbessert, der durch die Kanalabschnitte 161 auf den Vorderseiten der Halbleitereinheiten 300 und die Eingriffsabschnitte 361, 362 und 163 auf den Seiten, auf denen kein Eingriff mit einer anderen Halbleitereinheit besteht, verbessert. D. h. die Haftung der zweiten Kapsel 15 an den Halbleitereinheiten 300 wird verbessert.
  • Da auch die Halbleitereinheiten 300 durch den Eingriff der Eingriffsabschnitte 361 und 362 verbunden sind, wird die zweite Kapsel 15 nicht zwischen den Halbleitereinheiten 300 eingeschoben, was bedeutet, dass es möglich ist, die Trennung zu reduzieren und ein Verschieben der Halbleitereinheiten 300 zu verhindern.
  • Da auch die Vielzahl von Halbleitereinheiten 300 gemäß der dritten Ausführungsform durch den Eingriff der Eingriffsabschnitte 361 und 362 verbunden ist, wird die zweite Kapsel 15 nicht zwischen den Halbleitereinheiten 300 eingeschoben, was bedeutet, dass es möglich ist, die Trennung zu reduzieren und ein Verschieben der Halbleitereinheiten 300 zu verhindern.
  • Zudem ist es durch Bilden von Eingriffsabschnitten, die in die Kanalabschnitte 161 auf der Seite der Halbleitereinheiten 100 der Leiterplatte 14a eingreifen, möglich, auch ein Verschieben der Leiterplatte 14a zu verhindern. Es sei zu beachten, dass obwohl bei der vorliegenden Ausführungsform eine Kombination der Leiterplatte 14a und der Kanalabschnitte 161 verwendet wird, es auch durch Bilden von Eingriffsabschnitten, die in die Kanalabschnitte 161 an einem anderen Element eingreifen, in dem Mutterbohrungen gebildet sind, möglich ist, zu verhindern, dass sich die Bauteile abgesehen von der Leiterplatte 14a verschieben.
  • Entsprechend ist bei der Halbleitervorrichtung 10, die mit einer Vielzahl der Halbleitereinheiten 300 ausgestattet ist, die Vielzahl von Halbleitereinheiten 300 zuverlässig durch die zweite Kapsel 15 eingekapselt, so dass eine Bruchstelle auf Grund einer mechanischen Beschädigung an der Halbleitervorrichtung 10 verhindert wird und es möglich ist, einen Verlust an Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung 10 zu vermeiden.
  • Gemäß den vorliegenden Ausführungsformen ist es möglich, eine mechanische Beschädigung und eine Bruchstelle einer Halbleitervorrichtung zu verhindern, wodurch es möglich ist, einen Verlust an Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung zu vermeiden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2009-064852 [0003]

Claims (7)

  1. Halbleitervorrichtung, umfassend: eine Vielzahl von Halbleitereinheiten, die jeweils ein Halbleiterelement und eine erste Kapsel, die gebildet ist, um das Halbleiterelement einzukapseln und eine Vielzahl von konvexen Abschnitten aufweist, die auf einer Vorderseite derselben gebildet sind, umfassen, die in einer Matrix angeordnet sind, die mit Eingriffsabschnitten versehen sind, die ineinandergreifen, und die durch die Eingriffsabschnitte verbunden sind; und eine zweite Kapsel, die gebildet ist, um die Halbleitereinheiten einzukapseln.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei jede Halbleitereinheit eine Anschlussklemme umfasst, die an das Halbleiterelement elektrisch angeschlossen ist und aus der ersten Kapsel vorsteht, und die Halbleitervorrichtung ferner eine Anschlusseinheit umfasst, die an die Anschlussklemmen der Halbleitereinheiten elektrisch angeschlossen ist, die Halbleitereinheiten elektrisch parallel schaltet und zusammen mit den Halbleitereinheiten in der zweiten Kapsel eingekapselt ist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Anschlusseinheit einen Eingriffsabschnitt aufweist, der in die Vielzahl von konvexen Abschnitten eingreift.
  4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Eingriffsabschnitte längskeilförmig sind, und die Halbleitereinheiten durch Eingriff in die längskeilförmigen Eingriffsabschnitte verbunden sind.
  5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Eingriffsabschnitte konvexe Abschnitte und konkave Abschnitte sind und die Halbleitereinheiten verbunden sind, indem die konvexen Abschnitte und die konkaven Abschnitte zusammen eingepasst werden.
  6. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die konvexen Abschnitte, die auf der Vorderseite der ersten Kapsel gebildet sind, durch Bilden einer Vielzahl von Kanalabschnitten in der Vorderseite konfiguriert sind.
  7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, wobei einige der Kanalabschnitte in einer Richtung gebildet sind und einige der Kanalabschnitte in einer Richtung gebildet sind, die zu der einen Richtung rechtwinklig ist.
DE102017203253.7A 2016-03-18 2017-02-28 Halbleitervorrichtung Withdrawn DE102017203253A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-054849 2016-03-18
JP2016054849A JP2017168770A (ja) 2016-03-18 2016-03-18 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017203253A1 true DE102017203253A1 (de) 2017-09-21

Family

ID=59751764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017203253.7A Withdrawn DE102017203253A1 (de) 2016-03-18 2017-02-28 Halbleitervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170271224A1 (de)
JP (1) JP2017168770A (de)
CN (1) CN107204313A (de)
DE (1) DE102017203253A1 (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4012759B8 (de) 2020-12-10 2024-01-03 Hitachi Energy Ltd Leistungshalbleitermodul, leistungshalbleiteranordnung und verfahren zur herstellung eines leistungshalbleitermoduls
WO2024009753A1 (ja) * 2022-07-05 2024-01-11 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置ユニット

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009064852A (ja) 2007-09-05 2009-03-26 Okutekku:Kk 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7067905B2 (en) * 2002-08-08 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic devices including first and second casings
WO2015111202A1 (ja) * 2014-01-27 2015-07-30 株式会社日立製作所 半導体モジュール
JP6300682B2 (ja) * 2014-08-04 2018-03-28 株式会社東芝 半導体装置、および半導体モジュール

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009064852A (ja) 2007-09-05 2009-03-26 Okutekku:Kk 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20170271224A1 (en) 2017-09-21
JP2017168770A (ja) 2017-09-21
CN107204313A (zh) 2017-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006051454B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102009005650B4 (de) Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
DE102009011233B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102014100512B4 (de) Chip-gehäuse mit anschlusspads mit unterschiedlichen formfaktoren
DE10221891C5 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102006012429B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102004043523B4 (de) Halbleitervorrichtung mit Wärmeabstrahlplatte und Anheftteil
DE102015110653A1 (de) Doppelseitiges Kühl-Chipgehäuse und Verfahren zum Herstellen desselben
DE102014100509B4 (de) Verfahren zur herstellung und testung eines chipgehäuses
DE102016210161A1 (de) Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelementherstellungsverfahren
DE202011110802U1 (de) Verbesserte mikroelektronische Stapelanordnungen mit mittigen Kontakten und verbessertem wärmetechnischem Kennwert
DE112013007214T5 (de) Halbleitervorrichtung-Herstellungsverfahren und Halbleitervorrichtung
DE102014118769B4 (de) Drucksensor-Modul mit einem Sensor-Chip und passiven Bauelementen innerhalb eines gemeinsamen Gehäuses
EP2044627A1 (de) Elektronikanordnung
DE102014100878A1 (de) Chipanordnung und Chipbaugruppe
DE102014010373A1 (de) Elektronisches Modul für ein Kraftfahrzeug
DE102017120747A1 (de) SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung
DE102017203253A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102021006157A1 (de) Mehrfachsubstratgehäusesysteme und verwandte verfahren
DE102017213210A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
DE102017218875B4 (de) Leistungsmodul-Baugruppe
DE102015104956A1 (de) Gedruckte Leiterplatte mit einem Leiterrahmen mit eingefügten gehäusten Halbleiterchips
DE102016221387B4 (de) Halbleitermodul
DE102005001151B4 (de) Bauelementanordnung zur Serienschaltung bei Hochspannungsanwendungen
EP3944312A1 (de) Leistungselektronische baugruppe

Legal Events

Date Code Title Description
R083 Amendment of/additions to inventor(s)
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee