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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft Fotomaskenstrukturen und insbesondere modifizierte Oberflächen von Fotomasken für die Extrem-Ultraviolett-Lithografie und Herstellungsverfahren.
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Hintergrund
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Die Extrem-Ultraviolett(EUV)-Lithografie soll die herkömmliche Tief-Ultraviolett(DUV)-Lithografie aufgrund der bedeutend engeren Beleuchtungswellenlänge (λ = 13,5 nm) ergänzen und schließlich ersetzen, wobei unter anderen Vorteilen eine bessere Strukturauflösung und eine geringere Prozesskomplexität bereitgestellt werden. Gegenwärtig wird EUV für eine mögliche zukünftige Anwendung in Kombination mit der Immersionslithografie bei einer Pitchauflösung von 32 nm entwickelt, welches manchmal als 7-nm-Knoten bezeichnet wird.
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Optische Elemente, die in der EUV-Lithografie verwendet werden, basieren auf reflektierenden Optiken anstelle von brechenden Optiken. EUV-Spiegel bestehen aus alternierenden Materialschichten (beispielsweise Mo und Si), die auch als Multischicht bezeichnet werden. EUV-Fotomasken verwenden eine reflektierende Beschichtung zusätzlich zu einem EUV-Absorptionsmaterial, das zur Darstellung des beabsichtigten Schaltungsdesigns geätzt (strukturiert) wurde. Gegenwärtige in der EUV-Lithografie verwendete Absorber absorbieren jedoch nicht das gesamte EUV-Licht und weisen abhängig von der Absorptionshöhe tatsächlich ein Reflexionsvermögen von ungefähr 1–3% auf. EUV-Fotomasken zeigen auch überlappende Aufnahmen benachbarter Felder, die zu einer zusätzlichen Hintergrundlicht an Kanten von 1,5%–5,0% und an Ecken des Schaltungsdesigns von 4,5%–15% führen können. Der Einfluss der kritischen Waferdimension (CD) kann sich um ungefähr 1 nm/% erhöhen, was zu einem großen Abfall in der kritischen Dimension (CD) führt.
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Zusammenfassung
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Eine Struktur umfasst in einem Aspekt der Erfindung: eine reflektierende Oberfläche mit einem strukturierten Design; und ein schwarzes Randgebiet an Kanten des strukturierten Designs. Das schwarze Randgebiet umfasst eine modifizierte Oberflächenmorphologie, um Licht vor einem Erreichen eines nachfolgenden Spiegels wegzurichten.
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Eine Struktur umfasst in einem Aspekt der Erfindung: ein Substrat; ein Rückseitenmetall auf einer Oberfläche des Substrats; eine reflektierende Oberfläche an einer gegenüberliegenden Oberfläche des Substrats, umfassend eine Mehrzahl von alternierenden Schichten mit Materialien relativ hoher und niedriger Ordnungszahl; eine schützende Beschichtung auf der reflektierenden Oberfläche; eine Absorptionsschicht auf der schützenden Beschichtung; ein strukturiertes Design, das innerhalb der Absorptionsschicht an der schützenden Beschichtung gebildet ist; und ein schwarzes Randgebiet, das durch die reflektierende Oberfläche, die schützende Beschichtung und die Absorptionsschicht gebildet wird, wobei eine Oberfläche des Substrats freiliegt. Das schwarze Randgebiet umfasst eine modifizierte Oberflächenmorphologie des Substrats.
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Ein Verfahren umfasst in einem Aspekt der Erfindung: ein Bilden eines schwarzen Randgebiets in einer Maske; und ein Modifizieren einer Oberflächenmorphologie des schwarzen Randgebiets, um eine Lichtstreuung von tief-ultravioletten Licht vor einem Erreichen eines nächsten Spiegels zu bewirken.
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Kurze Beschreibung der Figuren
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Die vorliegende Erfindung wird in der folgenden detaillierten Beschreibung mit Bezug auf die angemerkte Mehrzahl von Figuren mittels nicht beschränkender Beispiele beispielhafter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
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1 zeigt eine Fotomaskenstruktur mit einer modifizierten Oberflächenmorphologie gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung.
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2a–2c zeigen unterschiedliche Oberflächenmorphologien innerhalb eines schwarzen Randgebiets gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung.
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Detaillierte Beschreibung
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Die vorliegende Erfindung betrifft Fotomaskenstrukturen und insbesondere modifizierte Oberflächen von Fotomasken der Extrem-Ultraviolett-Lithografie und Herstellungsverfahren. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung Strukturen und Verfahren, um eine Beeinflussung eines abgebildeten Rands der Extrem-Ultraviolett(EUV)-Fotomaske durch Tief-Ultraviolett (DUV) Strahlung zu verhindern. Vorteilhafterweise können die hierin beschriebenen Fotomasken eine modifizierte Oberflächenmorphologie innerhalb eines ”schwarzen Rand”(BB)-gebiets umfassen, so dass reflektiertes DUV-Licht weggestreut wird und verhindert wird, dass es den nächsten Spiegel erreicht, wodurch eine Überlappung von Strahlung an den Designelementen der Schaltung verringert oder eliminiert wird. In dieser Weise können kritische Dimensionen des Schaltungsdesigns an Kanten und Ecken des Belichtungsfelds bewahrt werden.
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Zur Unterdrückung von Fokusänderungen und zur Verbesserung der Fokustiefe werden EUV-Fotomasken typischerweise so flach wie möglich gefertigt. Des Weiteren soll eine Lösung für die Überlappung des EUV-Lichts benachbarter Felder, die eine übermäßige Entwicklung kritischer Dimensionen (CD) bewirkt, darin bestehen, das Absorptionsmaterial und den Mehrschichtbereich um das Belichtungsfeld zur Erzeugung eines „schwarzen Rand”-gebiets zu entfernen. Durch Modifizierung der Maske, so dass diese die schwarzen Randgebiete umfasst, kann das EUV-Reflexionsvermögen in dem schwarzen Randgebiet auf weniger als ungefähr 0,05% abfallen. Auch kann ein nicht strahlungsbedingtes (150 nm > λ > 300 nm) Reflexionsvermögen um ungefähr 5–6% verringert werden. Die Oberflächenmorphologie der schwarzen Randgebiete wird typischerweise aufgrund von Reinheit und zur Verbesserung einer möglichen Partikelquelle und zum Ausgleichung der Ätzselektivität so flach und gleichförmig wie möglich geätzt. Trotz einer Verbesserung des EUV-Reflexionsvermögens an den schwarzen Randgebieten reflektiert die flache Oberfläche jedoch weiterhin DUV. Das DUV-Reflexionsvermögen kann ungefähr 5%–6% betragen, was weiterhin die Wafer-CD beeinflusst und einen CD-Abfall von 0,5 nm bis 0,6 nm an der Kante und von ungefähr 1,5 nm bis 2 nm in Ecken des Belichtungsfelds des Schaltungsdesigns bewirkt. Darüber hinaus muss ein vorgegebenes DUV-Reflexionsvermögen kleiner sein als 1,5%, um den Einfluss auf die Wafer-CD auf akzeptable Niveaus zu reduzieren.
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Eine Lösung des obigen Problems besteht darin, DUV-Licht vor einem Erreichen des nächsten Spiegels in der Scanneroptik durch Hinzufügen von für EUV transparenten Strukturen (beispielsweise Si) auf der Spiegeloberfläche zu reduzieren, um unerwünschte DUV-Strahlung zu streuen. Dies ist jedoch extrem schwer umzusetzen. Vorteilhafterweise stellt die vorliegende Erfindung eine verbesserte Lösung für das oben angemerkte Problem bereit, während die Nachteile von anderen Lösungen vermieden werden, wie z. B. eine Komplexität der Umsetzung. Insbesondere werden die hierin beschriebenen Fotomasken vorsätzlich an der Oberfläche der schwarzen Randgebiete modifiziert, so dass reflektiertes DUV-Licht weg gestreut und verhindert wird, dass es den nächsten Spiegel erreicht.
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Die Fotomaskenstrukturen der vorliegenden Erfindung können in einer Vielzahl von Weisen unter Verwendung einer Vielzahl unterschiedlicher Werkzeugen hergestellt werden. Obwohl die Methoden und Werkzeuge im Allgemeinen zur Bildung von Strukturen mit Dimensionen im Mikrometer- und Nanometerbereich eingesetzt werden. Die Methodologien, insbesondere Technologien, die zur Herstellung der Fotomaskenstrukturen gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden, wurden für die Technologie der integrierten Schaltung (IC) angenommen. Beispielsweise werden die Strukturen auf Wafern gebildet und in Materialfilmen realisiert, die durch fotolithografische Prozesse an der Oberseite eines Wafers strukturiert werden. Die Herstellung der Fotomaskenstrukturen verwendet insbesondere drei grundsätzliche Bildungsblöcke: (i) Abscheidung von dünnen Materialfilmen auf einem Substrat, (ii) Anwendung einer strukturierten Maske auf den Filmen mittels fotolithografischer Bildgebung, und (iii) Ätzen der Filme selektiv zur Maske.
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1 zeigt eine Fotomaskenstruktur mit einer modifizierten Oberflächenmorphologie gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung. Insbesondere umfasst die Fotomaskenstruktur 10 ein Rückseitenmaterial 12, das an einem Substrat 14 gebildet ist. Das Rückseitenmaterial 12 kann in Ausführungsformen Chrom oder eine andere Metallbeschichtung sein. Das Chrom oder die andere Metallbeschichtung kann unter Verwendung herkbömmlicher CMOS-Technologien gebildet werden, wie z. B. Galvanisierung oder anderer Abscheidungsverfahren (beispielsweise PECVD für andere Metalle), die dem Fachmann bekannt sind. In Ausführungsformen wird das Rückseitenmaterial 12 mittels elektrostatischer Kräfte auf einem Chuck platziert. Das Substrat 14 kann gemäß einem Beispiel ein Glassubstrat sein, obwohl auch andere nicht reflektierende Materialien möglich sind.
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Mit weiterem Bezug auf 1 wird eine reflektierende Mehrschichtbeschichtung 16 auf dem Substrat 14 gebildet. Darstellungsgemäß wird die reflektierende Mehrschichtbeschichtung 16 auf dem Substrat 14 an einer zum Rückseitenmaterial 12 gegenüberliegenden Oberfläche gebildet. In Ausführungsformen umfasst die reflektierende Mehrschichtbeschichtung 16 alternierende Schichten aus Materialien mit hoher und niedriger Ordnungszahl. Die alternierenden Schichten aus Materialien mit hoher und niedriger Ordnungszahl können z. B. defektfreie Mo/Si-Multischichten umfassen, die Licht mittels Zwischenschichtinterferenz reflektieren können. Es ist bekannt, dass Mo eine große Ordnungszahl aufweist; wohingegen Si eine niedrige Ordnungszahl aufweist. In Ausführungsformen können hierin andere Materialien mit einer niedrigen Ordnungszahl, beispielsweise Z im Bereich von 10, und andere Materialien mit hoher Ordnungszahl, beispielsweise Z im Bereich von 40, verwendet werden. In Ausführungsformen kann die reflektierende Multischichtbeschichtung 16 als eine Ätzstoppschicht und Schutzschicht für nachfolgende Prozesse fungieren.
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In Ausführungsformen können bis zu 40 oder mehr Materialschichten zur Bildung der reflektierenden Mehrschichtbeschichtung 16 verwendet werden. Diese Schichten können unter Verwendung herkömmlicher Abscheidungsverfahren, wie z. B. chemische Gasphasenabscheidungs(CVD)-Prozesse, abgeschieden werden. In Ausführungsformen sollte die oberste Schicht der reflektierenden Mehrschichtbeschichtung 16 ein Material mit hoher Ordnungszahl sein, beispielsweise ein besser reflektierendes Material.
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1 zeigt ferner eine schützende Beschichtung 18, die auf einer oberseitigen Oberfläche der reflektierenden Mehrschichtbeschichtung 16 gebildet ist. Die schützende Beschichtung 18 ist gemäß Ausführungsformen ein Film, der die reflektierende Mehrschichtbeschichtung 16 vor einer Verschlechterung aufgrund einer fortwährenden Verwendung der Fotomaske 10 schützt. Die schützende Beschichtung 18 ist gemäß Ausführungsformen ein Material mit einer großen Ordnungszahl, beispielweise Z im Bereich von 40. Die schützende Beschichtung 18 kann z. B. Ruthenium sein; obwohl auch andere Materialien mit hoher Ordnungszahl eingesetzt werden können. Die schützende Beschichtung 18 kann auf der reflektierenden Mehrschichtbeschichtung 16 unter Verwendung herkömmlicher Abscheidungsprozesse mit einer Dicke im Nanometerbereich, beispielsweise ungefähr 2 nm, gebildet werden. Die schützende Beschichtung 18 kann gemäß Ausführungsformen mittels Ionenstrahlabscheidung (IBD) abgeschieden werden.
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Auf der schützenden Beschichtung 18 wird ein Absorptionsmaterial 20 gebildet. In Ausführungsformen kann das Absorptionsmaterial 20 auf Tantal basieren, beispielsweise TaN; obwohl andere herkömmliche Absorptionsmaterialien auch zur Verwendung mit den hierin beschriebenen Strukturen eingesetzt werden können. Das Absorptionsmaterial 20 kann mit einer Dicke von ungefähr 50 nm bis ungefähr 70 nm abgeschieden werden; obwohl andere Dicken möglich sind. Es ist ersichtlich, dass die Dicke des Absorptionsmaterials 20 einen bedeutenden Einfluss auf 3D-Maskeneffekte, wie z. B. einen horizontal-vertikal-Bias aufgrund von Abschattung, einen Strukturversatz durch Fokus und einen Bild-Kontrast-Verlust aufgrund von Apodisierung durch die reflektierende Maskenbeschichtung aufweisen kann. In Ausführungsformen kann das Absorptionsmaterial 20 unter Verwendung herkömmlicher Abscheidungsverfahren abgeschieden werden, wie z. B. CVD-Prozesse.
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In Ausführungsformen unterläuft die Fotomaske 10 Lithografie- und Ätzprozesse zur Bildung von Strukturen 22 und von schwarzen Randgebieten 24. Die Strukturen 22 sind repräsentativ für Schaltungsdesignelemente; wohingegen die schwarzen Randgebiete 24 an Kanten der Strukturen bereitgestellt werden, um eine Strahlungsüberlappung zu verhindern, wie hierin beschrieben ist. Insbesondere verringern die schwarzen Randgebiete 24 das DUV-Reflexionsvermögen, welches die Wafer-CD beeinflusst und einen CD-Abfall an der Kante und den Ecken des Schaltungsdesigns hervorruft.
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Durch das speziellere Beispiel können die Strukturen 22 mittels Platzieren eines Lacks auf dem Absorptionsmaterial 20 und einem Aussetzen davon mit einer Energie (z. B. Licht) zur Bildung von Öffnungen (Struktur) gebildet werden. Das Absorptionsmaterial 20 kann dann mittels herkömmlicher Ätztechniken unter Einsatz von Chemikalien, die zum Absorptionsmaterial 20 selektiv sind, strukturiert, beispielsweise zur Bildung von Öffnungen geätzt, werden. In Ausführungsformen können die Ätztechnologien Trockenätzmethodologien umfassen, wie z. B. reaktives Ionenätzen (RIE). In Ausführungsformen fungiert die schützende Beschichtung 18 im Ätzprozess als Ätzstopp. Der Lack kann dann mittels herkömmlicher Prozesse, wie z. B. Sauerstoffveraschung oder anderen Striptechnologien entfernt werden, die dem Fachmann bekannt sind.
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In ähnlicher Weise können die schwarzen Randgebiete 24 unter Verwendung herkömmlicher Lithografie und Ätzprozesse gebildet werden. In diesem Prozess werden jedoch die schwarzen Randgebiete 24 auf dem darunter liegenden Substrat 14 gebildet. In dieser Weise wird die Oberfläche des Substrats 14 freigelegt, das Reflexionsvermögen bedeutend reduziert, insbesondere kann das EUV-Reflexionsvermögen auf weniger als ungefähr 0,05% in den schwarzen Randgebieten 24 abfallen. Auch kann ein nicht-aktinisches (150 nm > λ > 300 nm) Reflexionsvermögen auf ungefähr 5–6% reduziert werden.
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Zusätzlich zu den schwarzen Randgebieten 24 kann die Morphologie der freiliegenden Oberfläche des Substrats 14 modifiziert werden, z. B. aufgeraut oder andere streuende Oberflächen (wie durch Bezugszeichen 26 dargestellt wird), um Überlappungsproblematiken, beispielsweise eine Überentwicklung von kritischen Dimensionen (CD), weiter zu reduzieren. Insbesondere reflektiert oder streut die modifizierte Oberfläche 26 DUV-Licht, was es davon abhält, den nächsten Spiegel zu erreichen. In dieser Weise kann die modifizierte Oberflächenmorphologie dazu verwendet werden, einen Strahlungsüberlapp und eine Überbelichtung der Designschaltungselemente an den Kanten und Ecken zu verhindern.
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Die 2a–2c zeigen unterschiedliche Oberflächenmorphologien innerhalb der schwarzen Randgebiete gemäß Aspekten der vorliegenden Erfindung. In Ausführungsformen kann die modifizierte Oberfläche 26 durch unterschiedliche Methodologien gebildet werden, was zu unterschiedlichen Oberflächentopografien führt. Gemäß der repräsentativen Darstellung in 2a kann die modifizierte Oberfläche 26' z. B. eine aufgeraute Oberfläche sein, wobei sich eine Streuung unter beliebigen Winkeln ergibt. Gemäß der Darstellung in 2b kann die modifizierte Oberfläche 26'' eine schräge Oberfläche unter einem konstanten Winkel sein, beispielsweise ungefähr 20°, wobei sich eine Streuung unter einem konstanten Winkel weg von dem nächsten Spiegel ergibt. Darüber hinaus kann die modifizierte Oberfläche 26''' gemäß der Darstellung in 2c eine unter variablem Winkel geneigte Oberfläche sein, beispielsweise eine parabolische oder konkave Oberfläche, wobei sich eine variable Winkelstreuung von dem nächsten Spiegel weg ergibt. In den Ausführungsformen der 2b und 2c bewirken die geneigten Oberflächen eine Streuung des Lichts unter vorbestimmten Winkeln.
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Insbesondere kann die modifizierte Oberfläche 26', d. h. die aufgeraute Streuoberfläche mit beliebigem Winkel, mit Bezug auf 2a durch eine zusätzliche selektive Substratätzung zur Rauheit der Oberfläche des Substrats 14 gebildet werden. Die aufgeraute Oberfläche 26' kann z. B. durch unterschiedliche Ätzchemikalien gebildet werden, z. B. eine Ätzchemie auf Basis von Fluor, die dann zur Bildung des schwarzen Rands 24 verwendet wird. In Ausführungsformen kann die auf Fluor basierte Ätzchemie mit der gleichen Maske verwendet werden, die zur Bildung der schwarzen Randgebiete 24 verwendet wurde, wobei sich demzufolge insgesamt die Herstellungskosten verringern. In Ausführungsformen kann die aufgeraute Oberfläche durch eine eingestellte Rauheit der Oberfläche während oder nach der Bildung des schwarzen Gebiets gebildet werden. Es ist verständlich, dass die aufgeraute Oberfläche 26' zu einer beliebigen Lichtstreuung führt.
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In alternativen Ausführungsformen kann die modifizierte Oberfläche 26' unterschiedlich gestaltete Oberflächen repräsentieren, die z. B. das Licht von folgenden Spiegeln weg reflektieren würden. Diese unterschiedlichen Gestalten können pyramidenförmig, stabförmig, säulenförmig usw. sein. In diesen Ausführungsformen kann eine Strukturierung auf zweitem Niveau und ein Ätzschritt nach der Bildung der schwarzen Randgebiete 24 und des Entfernen des Lacks in einer Herstellung nach der Bildung der schwarzen Randgebiete durchgeführt werden. In diesem Prozess kann ein Lack nach der Bildung des schwarzen Randgebiets über der gesamten Maske gebildet und unter Verwendung herkömmlicher Lithografieprozesse strukturiert werden, um die unterschiedlichen Gestalten zu bilden. Die unterschiedlichen Gestalten können dann auf die Oberfläche des Substrats innerhalb des schwarzen Randgebiets 24 mittels herkömmlicher Ätzprozesse übertragen werden, beispielsweise RIE mit selektiven Chemikalien, wobei die speziell ausgestaltete Oberflächenmorphologie gebildet wird.
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Mit Bezug auf 2b können die modifizierten Oberflächen 26'' eine geneigte Oberfläche darstellen, die in der Herstellung nach der Bildung des schwarzen Randgebiets gebildet werden. In 2c kann die modifizierte Oberfläche 26''' eine Oberfläche mit variablem Winkel darstellen, die in der Herstellung nach der Bildung des schwarzen Randgebiets gebildet wird. In den Methodologien zur Bildung dieser unterschiedlich modifizierten Oberflächen, beispielsweise die modifizierten Oberflächen 26'' und 26''', kann das Postentwicklungslackprofil durch Belichtung mit einer variablen Energiedosis variiert werden. Zum Beispiel kann die Belichtungsdosis für die modifizierte Oberfläche 26'' variiert werden, so dass sich das Postentwicklungslackprofil von dünn zu dick ändert (beispielsweise unter Bildung einer geneigten oder abgewinkelten Oberfläche); wohingegen die Belichtungsdosis für die modifizierte Oberfläche 26''' variiert werden kann, so dass sich das Postentwicklungslackprofil von dick zu dünn zu dick ändert (z. B. unter Bildung einer konkaven oder parabolischen Oberfläche). Dies ist dann gefolgt von einem Ätzprozess, beispielsweise RIE, um das Lackprofil auf die Oberfläche der freiliegenden Oberfläche des Substrats 14 zu übertragen, wobei demzufolge die geneigte Oberfläche 26'', die in 2b gezeigt ist, oder die geneigte Oberfläche 26''' gebildet wird, die in 2c gebildet ist.
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In alternativen Ausführungsformen kann das geneigte Profil 26'' durch Neigen der Induktoren in der Ätzkammer gebildet werden, um während des Ätzens des schwarzen Randgebiets zur beabsichtigten Ätzung einer geneigten Oberfläche eine Leistungsgradientenverteilung zu bilden, wobei sich beispielsweise ein geneigtes Ätzprofil 26'' innerhalb der schwarzen Randgebiete 24 ergibt, die in 2b gezeigt sind. Dieser gleiche Prozess kann zur Bildung des Profils 26''' mit variablem Winkel innerhalb der schwarzen Randgebiete 24 verwendet werden, die in 2c gezeigt sind. Alternativ kann der Gasfluss in der Ätzkammer moduliert werden, um eine Gradientendichte des Plasmas hervorzurufen, wobei sich geneigte Ätzprofile ergeben, die in den 2b und 2c gezeigt sind.
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Das/die oben beschriebene/n Verfahren wird/werden in der Herstellung von integrierten Schaltungschips verwendet. Die sich ergebenden integrierten Schaltungschips können durch den Hersteller in Form eines rohen Wafers (insbesondere eines einzelnen Wafers, der mehrere nicht eingehauste Chips aufweist) oder einer reinen Die oder in einer eingehausten Form vertrieben werden. Im letzteren Fall ist der Chip in einem Einzelchipgehäuse (beispielsweise ein Plastikträger mit an einem Motherboard befestigten Leitungen oder einem Träger von einem höheren Niveau) oder in einem Multichipgehäuse (z. B. ein Keramikträger, der entweder eine oder beide Oberflächenzwischenverbindungen oder vergrabene Zwischenverbindungen aufweist) angebracht. In jedem Fall wird der Chip dann mit anderen Chips, diskreten Schaltungselementen und/oder anderen signalverarbeitenden Vorrichtungen als Teil von (a) eines Zwischenprodukts, wie z. B. eines Motherboards, oder (b) eines Endprodukts integriert. Das Endprodukt kann ein beliebiges Produkt im Bereich von Spielzeug und anderen Low-End-Anwendungen bis zu fortgeschrittenen Computerprodukten mit einem Display, einer Tastatur oder einer anderen Eingabevorrichtung und einem Zentralprozessor sein, das integrierte Schaltungschips umfasst.
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Die Beschreibungen der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wurden zu Darstellungszwecken präsentiert, sollen jedoch nicht vollständig oder auf die offenbarten Ausführungsformen beschränkend sein. Dem Fachmann sind viele Modifizierungen und Abänderungen ersichtlich, ohne vom Rahmen und Gehalt der beschriebenen Ausführungsformen abzuweichen. Die hierin verwendete Terminologie wurde gewählt, um die Prinzipien der Ausführungsformen, die praktische Anwendung oder technische Verbesserung gegenüber Technologien auf dem Markt zu erläutern, oder um andere als dem Fachmann die hierin offenbarten Ausführungsformen verständlich zu machen.
