DE102016115809B4 - Info-spule auf einer metallplatte mit einem schlitz - Google Patents

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Abstract

Struktur, umfassend:ein Kapselungsmaterial (26),eine Spule (30), die einen Durchführungsleiter (32) umfasst, wobei sich der Durchführungsleiter (32) in dem Kapselungsmaterial (26) befindet, wobei eine obere Fläche des Durchführungsleiters (32) im Wesentlichen komplanar mit einer oberen Fläche des Kapselungsmaterials (26) ist, und eine untere Fläche des Durchführungsleiters (32) im Wesentlichen komplanar mit einer unteren Fläche des Kapselungsmaterials (26) ist,eine Metallplatte (18), die unter dem Kapselungsmaterial (26) liegt, undeinen ersten Schlitz (20A) in der Metallplatte (18) und mit einem dielektrischen Material (20) gefüllt, wobei der erste Schlitz (20A) einen durch die Spule (30) überlappten Abschnitt aufweist, wobei der erste Schlitz (20A) eine Länge, die größer ist als eine entsprechende Länge der Spule (30), und eine Breite, die kleiner ist als eine entsprechende Breite der Spule (30), aufweist.

Description

  • STAND DER TECHNIK
  • Bei der Entwicklung von Halbleitertechnologien werden Halbleiter-Chips/Dies zunehmend kleiner. Inzwischen müssen mehr Funktionen in die Halbleiter-Dies integriert werden. Demzufolge müssen die Halbleiter-Dies zunehmend größere Anzahlen von I/O-Pads aufweisen, die in kleinere Bereiche integriert werden, und die Dichte der I/O-Pads steigt schnell im Laufe der Zeit. Folglich wird das Häusen der Halbleiter-Dies schwieriger, was die Ausbeute der Häusung negativ beeinflusst.
  • Herkömmliche Häusungstechnologien können in zwei Kategorien unterteilt werden. In der ersten Kategorie werden Dies auf einem Wafer gehäust, bevor sie durchgesägt werden. Diese Häusungstechnologie weist einige vorteilhafte Merkmale auf, wie z.B. einen größeren Durchsatz und niedrigere Kosten. Außerdem wird weniger Underfill und Moldmasse benötigt. Diese Häusungstechnologie weist Nachteile auf. Zum Beispiel werden die Größen der Dies zunehmend kleiner, und die entsprechenden Packages können lediglich Packages des Fan-In-Typs sein, in denen die I/O-Pads jedes Die auf den Bereich direkt über der Fläche des jeweiligen Die beschränkt sind. Bei den begrenzten Flächen der Dies ist jedoch die Anzahl der I/O-Pads aufgrund der Beschränkung des Abstands der I/O-Pads begrenzt. Wenn der Abstand der Pads verkleinert werden soll, können Lötzinnbereiche Brücken dazwischen bilden, wodurch ein Schaltungsfehler verursacht wird. Bei der Anforderung einer festen Kugelgröße müssen außerdem Lotkugeln eine bestimmte Größe aufweisen, was wiederum die Anzahl von Lotkugeln beschränkt, die in die Fläche eines Die integriert werden kann. Dementsprechend wurden integrierte Fan-Out-Packages (InFO-Packages) entwickelt.
  • InFO-Packages sind für ein Bilden von Spulen, die für bestimmte Anwendungen, wie z.B. drahtloses Aufladen, verwendet werden, nicht geeignet. Aufgrund der kleinen Größe der InFO-Packages, wären die Spulen klein, falls sie in den InFO-Packages ausgebildet würden. Die Gegeninduktivität zwischen den Spulen in den InFO-Packages und den Spulen außerhalb der InFO-Packages ist niedrig und kann die Anforderung einer drahtlosen Leistungsübertragung über magnetische Resonanz nicht erfüllen. Andererseits kann die Gegeninduktivität auch nicht durch Erhöhen der Anzahl von Wicklungen der Spulen erhöht werden, da dies einen Anstieg des Widerstands veranlasst, was wiederum die erhebliche Reduzierung der Effizienz der Leistungsübertragung nach sich zieht.
  • US 2016 / 0 276 424 A1 offenbart einen dreidimensionalen Induktor, ausgebildet in einem Chip für integrierte Schaltkreise. Der Induktor weist ein Kapselungsmaterial, eine Spule in dem Kapselungsmaterial und eine Metallplatte unter dem Kapselungsmaterial auf. Die Metallplatte weist einen Schlitz auf. Der Schlitz ist mit einem dielektrischen Material gefüllt und weist einen durch die Spule überlappten Abschnitt auf.
  • Die vorliegende Erfindung ist durch unabhängige Patentansprüche definiert. Spezifische Ausführungsformen sind durch abhängige Patentansprüche definiert.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten aus der nachstehenden ausführlichen Beschreibung verstanden, wenn sie zusammen mit den begleitenden Figuren gelesen wird. Es ist zu beachten, dass gemäß dem Standardverfahren in der Branche verschiedene Merkmale nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Vielmehr können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale zur Klarheit der Erörterung beliebig vergrößert oder verkleinert sein.
    • 1 zeigt die Querschnittsansicht eines integrierten Fan-Out-Package (InFO-Package) gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 2 zeigt die Querschnittsansicht eines InFO-Package, das einen versiegelten Luftspalt umfasst, gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 3 und 4 zeigen Draufsichten auf Spulen und die Verbindungsvorrichtungs-Dies gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 5, 9, 11, 13 und 15 zeigen die Draufsichten auf Spulen und die jeweiligen Metallplatten und die dielektrischen Bereiche in den Metallplatten gemäß einigen Ausführungsformen.
    • 6 bis 8, 10, 12, 14 und 16 zeigen die für Simulationen verwendeten Strukturen gemäß einigen Ausführungsformen.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Die nachstehende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen, oder Beispiele, zum Implementieren verschiedener Merkmale der Erfindung bereit. Konkrete Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind nachstehend beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind selbstverständlich lediglich Beispiele und sind nicht im beschränkenden Sinne gedacht. Zum Beispiel kann das Ausbilden eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der nachstehenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, in denen das erste und das zweite Merkmal in direktem Kontakt ausgebildet werden, und kann ebenfalls Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und dem zweiten Merkmal ausgebildet werden können, so dass das erste und das zweite Merkmal möglicherweise nicht in direktem Kontakt stehen. Außerdem kann die vorliegende Offenbarung Bezugsnummern und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung geschieht zum Zweck der Einfachheit und Klarheit und sie schreibt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen besprochenen Ausführungsformen und/oder Ausgestaltungen vor.
  • Außerdem können hierin Begriffe, die sich auf räumliche Relativität beziehen, wie z.B. „darunter liegend“, „unter“, „unterer“, „darüber liegend“, „oberer“ und dergleichen, zur Erleichterung der Besprechung verwendet werden, um die Beziehung eines Elements oder Merkmals zu einem anderen Element oder Merkmal (zu anderen Elementen oder Merkmalen), wie in den Figuren dargestellt, zu beschreiben. Die Begriffe, die räumliche Relativität betreffen, sollen verschiedene Ausrichtungen der verwendeten oder betriebenen Vorrichtung zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Ausrichtung umfassen. Die Vorrichtung kann auf eine andere Weise ausgerichtet sein (um 90 Grad gedreht oder anders ausgerichtet) und die hier verwendeten Bezeichnungen, die räumliche Relativität betreffen, können gleichermaßen dementsprechend ausgelegt werden.
  • Ein integriertes Fan-Out-Package (InFO-Package) und eine Spule in dem InFO-Package werden gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen bereitgestellt. Die Spulen in den InFO-Packages werden in der gesamten Beschreibung als InFO-Spulen bezeichnet. Einige Abwandlungen einiger Ausführungsformen werden besprochen. In den verschiedenen Ansichten und Ausführungsbeispielen werden gleiche Bezugszeichen verwendet, um auf gleiche Elemente zu verweisen.
  • 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines InFO-Package 100 gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Das InFO-Package 100 umfasst einen Vorrichtungs-Die 28, der in einem Kapselungsmaterial 26 gekapselt ist. Außerdem werden Durchführungsleiter 32, die Teile einer InFO-Spule 30 bilden, ebenfalls in dem Kapselungsmaterial 26 gekapselt. Das Kapselungsmaterial 26 füllt die Spalte zwischen benachbarten Durchführungsleitern 32 und die Spalte zwischen den Durchführungsleitern 32 und dem Vorrichtungs-Die 28. Das Kapselungsmaterial 26 kann ein Polymer-basiertes Material sein und kann eine Moldmasse, einen Mold-Underfill, ein Epoxid und/oder ein Harz umfassen. Die obere Fläche des Kapselungsmaterials 26 liegt auf gleicher Höhe mit oberen Enden des Vorrichtungs-Die 28, was zum Beispiel durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) erzielt werden kann.
  • Die InFO-Spule 30 wirkt als eine Induktivität und kann verschiedene geeignete Formen aufweisen. Zum Beispiel veranschaulichen 3 und 4 die Draufsichten auf Beispiele von Induktivitäten/Spulen gemäß einigen Ausführungsbeispielen. In 3 bilden die Durchführungsleiter 32 mehrere konzentrische Ringe, wobei die Außenringe die Innenringe einkreisen. In 3 sind zwei Ringe dargestellt, obwohl eine beliebige andere Anzahl von Ringen (wie z.B. 1, 3 oder mehr) ebenfalls betrachtet wird. Die Ringe sind Teilringe, die Unterbrechungen aufweisen, welche es ermöglichen, dass die Außenringe mit den Innenringen über Brücke(n) 35 verbunden werden. Die mehreren Ringe werden in Reihe mit zwei Anschlüssen 37 verbunden. Die Anschlüsse der Spule 30 werden mit dem Vorrichtungs-Die 28 verbunden. In 4 sind die Durchführungsleiter 32 Abschnitte einer integrierten Spirale, die ebenfalls Anschlüsse 37 aufweist. 4 veranschaulicht, dass der linke Anschluss 37 von dem Vorrichtungs-Die 28 getrennt ist. In alternativen Ausführungsformen kann der linke Anschluss 37 auch mit dem Vorrichtungs-Die 28 zum Beispiel über Umverteilungsleitungen 50 und 54 verbunden werden, wie in 1 und 2 dargestellt.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 1 weisen die Durchführungsleiter 32 obere Flächen, die im Wesentlichen mit der oberen Fläche des Kapselungsmaterials 26 komplanar sind, und untere Flächen, die im Wesentlichen mit der unteren Fläche des Kapselungsmaterials 26 komplanar sind, auf. Wenn der Begriff „im Wesentlichen komplanar“ verwendet wird, können in der gesamten Beschreibung die jeweiligen „planen Flächen“ dennoch Höhenunterschiede aufweisen, die innerhalb der Abweichung der entsprechenden Herstellungsprozesse liegen.
  • Der Vorrichtungs-Die 28 kann an einem haftenden Film 24 über einen Die-Befestigungsfilm (Die Attach Film, DAF) 34, der ein haftender Film ist, angehaftet werden. Der DAF 34 kann auch ausgelassen werden, und der Vorrichtungs-Die 28 wird direkt an dem haftenden Film 24 angehaftet. Der Vorrichtungs-Die 28 kann die Funktion des Empfangens eines Stroms von der Spule 30, des Gleichrichtens des Stroms und des Aufladens einer Batterie (nicht dargestellt) aufweisen. Obwohl ein Vorrichtungs-Die 28 dargestellt ist, können mehrere Vorrichtungs-Dies über dem haftenden Film 24 angeordnet werden, wobei die Vorrichtungs-Dies einen CPU-Die (zentrale Verarbeitungseinheit), einen MCU-Die (Mikrosteuerungseinheit), einen IO-Die (Eingabe-Ausgabe), einen BB-Die (Basisband) und/oder einen AP-Die (Anwendungsprozessor) umfassen können.
  • Der Vorrichtungs-Die 28 kann ein Halbleitersubstrat 36 umfassen, das ein Siliziumsubstrat sein kann. Integrierte Schaltungsvorrichtungen 38 werden auf dem Halbleitersubstrat 36 ausgebildet. Integrierte Schaltungsvorrichtungen 38 können aktive Vorrichtungen, wie z.B. Transistoren und Dioden, und/oder passive Vorrichtungen, wie z.B. Widerstände, Kondensatoren, Induktivitäten oder dergleichen, umfassen. Der Vorrichtungs-Die 28 kann Metallsäulen 46 umfassen, die mit den integrierten Schaltungsvorrichtungen 38 elektrisch gekoppelt sind. Die Metallsäulen 46 können in eine dielektrische Schicht 40 eingebettet werden, die zum Beispiel aus PBO oder Polyimid ausgebildet sein kann. Eine Passivierungsschicht 42 ist ebenfalls dargestellt, wobei sich die Metallsäulen 46 in die Passivierungsschicht 42 erstrecken können. Die Passivierungsschicht 42 kann Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder Mehrfachschichten davon umfassen.
  • Die dielektrische Schicht 48 wird über dem Kapselungsmaterial 26 ausgebildet. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird die dielektrische Schicht 48 aus einem Polymer, wie z.B. PBO, Polyimid oder dergleichen, ausgebildet. Gemäß einigen alternativen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird die dielektrische Schicht 48 aus einem anorganischen Material, wie z.B. Siliziumnitrid, Siliziumoxid oder dergleichen, ausgebildet.
  • Umverteilungsleitungen (RDLs) 50 werden ausgebildet, um mit den Metallsäulen 46 und den Durchführungsleitern 32 elektrisch gekoppelt zu werden. Die RDLs 50 können außerdem die Metallsäulen 46 und die Durchführungsleiter 32 miteinander verbinden. Außerdem können die RDLs 50 verwendet werden, um eine Brücke 35 (3) der Induktivität 30 auszubilden. Die RDLs 50 umfassen Metallleiterbahnen (Metallleitungen) über der dielektrischen Schicht 48 und Durchkontaktierungen, die sich in die dielektrische Schicht 48 erstrecken. Die Durchkontaktierungen in den RDLs 50 werden mit den Durchführungsleitern 32 und den Metallsäulen 46 verbunden. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst das Ausbilden der RDLs 50 ein Ausbilden einer flächendeckenden Kupferkeimschicht, ein Ausbilden und Strukturieren einer Maskenschicht über der flächendeckenden Kupferkeimschicht, ein Durchführen eines Plattierens, um die RDLs 50 auszubilden, ein Entfernen der Maskenschicht, und ein Ätzen der Abschnitte der flächendeckenden Kupferkeimschicht, die nicht mit den RDLs 50 abgedeckt sind. Die RDLs 50 können aus einem Metall oder einer Metalllegierung ausbildet werden, das/die Aluminium, Kupfer, Nickel, Wolfram und/oder Legierungen davon aufweist.
  • Eine dielektrische Schicht 52 wird über der dielektrischen Schicht 48 und den RDLs 50 ausgebildet. Die dielektrische Schicht 52 kann unter Verwendung eines Materials ausgebildet werden, das aus denselben in Frage kommenden Materialien ausgewählt wird wie beim Ausbilden der dielektrischen Schicht 48. Die RDLs 54 werden derart ausgebildet, dass sie einen Abschnitt innerhalb der dielektrischen Schicht 52 und einige andere Abschnitte über der dielektrischen Schicht 52 aufweisen. Die RDLs 54 können auch aus einem Metall oder einer Metalllegierung ausbildet werden, das/die Aluminium, Kupfer, Wolfram und/oder Legierungen davon aufweist. Es versteht sich, dass die RDLs eine beliebige Anzahl von Schichten aufweisen können, wie z.B. eine Schicht oder mehr als zwei Schichten, obwohl in den dargestellten Ausführungsbeispielen zwei Schichten von RDLs (50 und 54) ausgebildet sind.
  • Eine dielektrische Schicht 56 wird über der dielektrischen Schicht 52 und den RDLs 54 ausgebildet. Eine dielektrische Schicht 56 kann zum Beispiel unter Verwendung von PBO, Polyimid oder BCB ausgebildet werden. Elektrische Verbinder 58 weisen einen Abschnitt innerhalb der dielektrischen Schicht 56 und einige andere Abschnitte über der dielektrischen Schicht 56 auf. Die elektrischen Verbinder 58 werden derart ausgebildet, dass sie mit den RDLs 54 elektrisch verbunden werden. Die elektrischen Verbinder 58 können Under-Bump-Metallurgien (UBMs), Metallsäulen, Lötzinnbereiche und/oder dergleichen umfassen. Gemäß einigen Ausführungsbeispielen werden die elektrischen Verbinder 58 mit einer flexiblen Leiterplatte (PCB, nicht dargestellt) elektrisch verbunden.
  • Gemäß einigen Ausführungsbeispielen wird ein Ferrit-Material 60, das eine vorgeformte Platte sein kann, an einer oberen Flächenschicht, wie z.B. der Schicht 56, angehaftet. Die Anhaftung kann mithilfe eines haftenden Films 62 erzielt werden. Das Ferrit-Material 60 gemäß einigen Ausführungsformen kann Mangan-Zink, Nickel-Zink oder dergleichen umfassen. Das Ferrit-Material 60 weist niedrige Verluste bei hohen Frequenzen auf und wird verwendet, um die Arbeitsleistung (wie z.B. die Gegeninduktivität) der InFO-Spule 30 zu verbessern. Das Ferrit-Material 60 überlappt einen Abschnitt des Kapselungsmaterials 26. Außerdem überlappt das Ferrit-Material 60 mindestens einen Teil der InFO-Spule 30 und kann sich über die Ränder der InFO-Spule 30 hinaus erstrecken oder nicht.
  • In der gesamten Beschreibung der vorliegenden Offenbarung werden die Merkmale über dem haftenden Film 24, die die elektrischen Verbinder 58, den Vorrichtungs-Die 28, das Kapselungsmaterial 26 und die Durchführungsleiter 32 umfassen, zusammen als ein InFO-Package 100 bezeichnet. Eine Schlitz-haltige Metallplatte 18 liegt unter dem InFO-Package 100 und wird von ihm überlappt. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird das InFO-Package 100 an der Schlitz-haltigen Metallplatte 18 über den haftenden Film 24 angehaftet.
  • Die Schlitz-haltige Metallplatte 18 umfasst eine Metallplatte 22 und ein dielektrisches Material 20 in dem Schlitz der Metallplatte 22. In der gesamten Beschreibung wird das Bezugszeichen 20 verwendet, um sowohl auf die Schlitze in der Schlitz-haltigen Metallplatte 18 als auch auf das dielektrische Material in den Schlitzen zu verweisen. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird die Metallplatte 22 aus einem Metall oder einer Metalllegierung ausgebildet, das/die aus Kupfer, Aluminium, Nickel, Chrom, einem eloxierten Metall und/oder dergleichen ausgebildet wird. Das dielektrische Material 20 kann vollständig oder teilweise den Schlitz in der Metallplatte 22 füllen. Gemäß einigen Ausführungsformen wird das dielektrische Material 20 aus einem organischen Material, wie z.B. einem Kunststoff oder Polymer, oder einem anorganischen dielektrischen Material, wie z.B. einem Glas, einem Oxid, einer Keramik oder dergleichen, ausgebildet. Das dielektrische Material 20 kann lichtdurchlässig oder opak sein.
  • Die Metallplatte 22 und das dielektrische Material 20 können obere Flächen, die im Wesentlichen miteinander komplanar sind, und/oder untere Flächen, die miteinander komplanar sind, aufweisen. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bilden die Metallplatte 22 und das dielektrische Material 20 zusammen einen Teil eines Gehäuses, das zum Beispiel das Gehäuse eines Mobiltelefons, eines Tablets oder eines Rechners sein kann. Der dargestellte Abschnitt des Gehäuses ist ein unterer Teil, und das Gehäuse kann ferner einen über dem dargestellten Teil liegenden oberen Teil und Abschnitte (nicht dargestellt) auf der linken und der rechten Seite davon umfassen.
  • 2 veranschaulicht ein InFO-Package 100 und eine Schlitz-haltige Metallplatte 18 gemäß alternativen Ausführungsformen. Die Schlitz-haltige Metallplatte 18 umfasst einen Schlitz 20 darin, wobei der Schlitz 20 ein mit keinen festen dielektrischen Materialien gefüllter Luftspalt ist. Alternativ ausgedrückt, ist der Schlitz 20 mit Luft gefüllt und bildet daher einen dielektrischen Bereich. Der dielektrische Film 16 wird verwendet, um den Schlitz 20 abzudecken, wobei der dielektrische Film 16 und das Haftmittel 24 den Schlitz 20 abdichten. Wenn auf den Begriff „dielektrisches Material 20“ verwiesen wird, zeigt es in der gesamten Beschreibung an, dass das dielektrische Material 20 ein festes dielektrisches Material oder Luft sein kann. Ein dielektrischer Film 16 kann auch aus einem dielektrischen Material, wie z.B. einem Kunststoff, einem Glas, einer Keramik oder dergleichen, ausgebildet werden.
  • 5 veranschaulicht eine Draufsicht auf einen Teil der in 1 und 2 gezeigten Struktur gemäß einigen Ausführungsbeispielen, wobei die Spule 30 und die Schlitz-haltige Metallplatte 18 dargestellt sind. Andere Materialien und Bereiche, wie z.B. die dielektrischen Schichten 48, 52 und 56, der Vorrichtungs-Die 28 und dergleichen, wie in 1 und 2 gezeigt, sind nicht dargestellt, obwohl sie nach wie vor vorhanden sind. Das dielektrische Material 20 umfasst Abschnitte 20A und 20B (die nachstehend als dielektrische Abschnitte oder Schlitzabschnitte bezeichnet werden). Der dielektrische Abschnitt 20A weist eine Längsrichtung auf, die zu einer ersten Richtung (X-Richtung) parallel ist. Der Abschnitt 20B weist eine Längsrichtung auf, die nicht zu der Längsrichtung des Abschnitts 20A parallel ist. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verläuft die Längsrichtung des Abschnitts 20B in Y-Richtung, die senkrecht zur Längsrichtung des Abschnitts 20A ist. Die Abschnitte 20A und 20B können auch weder parallel noch senkrecht zueinander sein. Außerdem kann der Abschnitt 20A länger sein als der Abschnitt 20B. Der Abschnitt 20A und der Abschnitt 20B sind miteinander verknüpft, um ein Kreuz zu bilden.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen weist die Schlitz-haltige Metallplatte 18 einander gegenüberliegende Ränder 18A und 18B auf. Die Ränder 18A und 18B können je nach der Form und der Verwendung der Schlitz-haltigen Metallplatte 18 parallel zueinander sein oder nicht. Wenn zum Beispiel die Schlitz-haltige Metallplatte 18 als die Rückabdeckung eines Mobiltelefons verwendet wird, wird die Form der Schlitz-haltigen Metallplatte 18 durch die Form des Mobiltelefons bestimmt, und die Ränder 18A und 18B können parallel zueinander sein. Der Schlitzabschnitt 20A weist eine Länge L1 und eine Breite W1 auf. Die Länge L1 gemäß diesen Ausführungsformen ist größer als eine Länge L3 der Spule 30 und ist der Länge der Schlitz-haltigen Metallplatte 18 gleich. Die Breite W1 des Schlitzabschnitts 20A ist kleiner als die Länge L1 und ist kleiner als eine Breite W3 der Spule 30.
  • Der Abschnitt 20B des dielektrischen Materials 20 weist eine Länge L2 und eine Breite W2, die kleiner ist als die Länge L2, auf. Außerdem kann die Breite W2 gleich der Breite W1 des Abschnitts 20A, größer als sie oder kleiner als sie sein. Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung ist die Länge L2 des Abschnitts 20B kleiner als die Breite W3 der Spule 30, und die Breite W2 des Abschnitts 20B ist sowohl kleiner als die Länge L3 als auch kleiner als die Breite W3 der Spule 30.
  • Außerdem kann sich der Abschnitt 20A über die Ränder der Spule 30 hinaus in entgegengesetzten X-Richtungen erstrecken. Andererseits kann sich der Abschnitt 20B vollständig in dem durch die Spule 30 überlappten Bereich befinden und erstreckt sich nicht über die Ränder der Spule 30 hinaus (wie in 5 dargestellt). Alternativ kann sich der Abschnitt 20B auch über die Ränder der Spule 30 in einer oder in beiden der Y-Richtungen hinaus erstrecken. Gemäß einigen Ausführungsbeispielen ist der Kreuzungsbereich der Abschnitte 20A und 20B auf die Spule 30 ausgerichtet. Die Mitte des Kreuzungsbereichs kann auf die Mitte der Spule 30 ausgerichtet sein, um die Verstärkungswirkung zu maximieren, wie in nachstehenden Abschnitten besprochen.
  • Die InFO-Spule 30, wie in 5 dargestellt, weist eine verbesserte Gegeninduktivität mit einer externen Spule 14 (1 oder 2) auf. Wie in 1 und 2 dargestellt, wird die Spule 14 außerhalb des InFO-Package 100 angeordnet und kann sich außerhalb des Produkts (wie z.B. eines Mobiltelefons), in dem das InFO-Package 100 angeordnet ist, befinden. Die Spule 14 kann zum Beispiel als eine Senderspule zum Übertragen von Energie verwendet werden, während die InFO-Spule 30 als eine Empfängerspule zum Empfangen der durch die Spule 14 übertragenen Energie verwendet wird.
  • 6, 7 und 8 veranschaulichen die Strukturen, an denen Simulationen durchgeführt werden. 6 veranschaulicht die perspektivische Ansicht der Spule 14 und der Spule 30. Die InFO-Spule 30 befindet sich über der Spule 14, wobei keine Metallplatte zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 angeordnet ist. Außerdem befindet sich die InFO-Spule 30 über der Spule 14 und die Mitte der Spule 30 ist auf die Mitte der Spule 14 ausgerichtet. Gemäß den Simulationsergebnissen beträgt die Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 123,6 nH. In dieser Anaordnung wird das durch die Spule 14 erzeugte elektromagnetische Feld an die InFO-Spule 30 übertragen, ohne dass es blockiert wird.
  • 7 veranschaulicht die perspektivische Ansicht der Spule 14 und der Spule 30, an denen eine Simulation durchgeführt wird. Die InFO-Spule 30 befindet sich über der Spule 14 und ist auf sie ausgerichtet, wobei sich eine große Metallplatte 22 zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 befindet (und auf die ausgerichtet ist). Die Metallplatte 22 weist keinen Schlitz darin auf und blockiert daher das durch die Spule 14 erzeugte elektromagnetische Feld vollständig, so dass es nicht an die Spule 30 übertragen wird. Gemäß den Simulationsergebnissen beträgt die Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 0,1 nH, was anzeigt, dass im Wesentlichen keine Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 vorhanden ist. Dementsprechend können die InFO-Spule 30 und die Spule 14 nicht für eine drahtlose Leistungsübertragung verwendet werden, wenn eine schlitzfreie Metallplatte (wie z.B. eine schlitzfreie Metallrückabdeckung eines Telefons) dazwischen anageordnet ist. Die aus 6 und 7 erzielten Ergebnisse werden als Bezugsgrößen verwendet, um die Arbeitsleistung anderer Strukturen gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zu vergleichen.
  • 8 veranschaulicht die Draufsicht auf die Spule 14 und die Spule 30, an denen eine Simulation durchgeführt wird. Die InFO-Spule 30 befindet sich über der Spule 14, wobei eine Schlitz-haltige Metallplatte 18 (die gleiche, wie in 5 dargestellt) zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 angeordnet ist. Gemäß den Simulationsergebnissen beträgt die Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 192 nH. Es ist zu beachten, dass diese Gegeninduktivität größer ist als die von 6 erzielte Gegeninduktivität (123,6 nH). Dies zeigt an, dass der kreuzförmige Schlitz, wie in 5 dargestellt, nicht nur ermöglicht, dass das elektromagnetische Feld vollständig hindurchläuft, sondern dass das elektromagnetische Feld auch verstärkt wird, was eine bessere Effizienz der drahtlosen Aufladung bedeutet.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 5 wäre die Gegeninduktivität auf die von 6 erzielte Gegeninduktivität (123,6 nH) reduziert, wenn die Breiten W1 und/oder W2 des Schlitzes 20 zu groß, zum Beispiel größer gleich der Breite W3 der Spule 30 sind. Dementsprechend ist ein derartiges Beibehalten der Breiten W1 und/oder W2, dass sie nicht zu groß sind, vorteilhaft für ein Erhöhen der Gegeninduktivität. Andererseits dürfen die Breiten W1 und/oder W2 nicht zu klein sein, da die Schlitze mit sehr kleinen Breiten W1 und/oder W2 keinen leichten Durchgang des elektromagnetischen Feldes ermöglichen, und sich die Gegeninduktivität auf die in 7 erzielte Gegeninduktivität verschlechtern kann. Gemäß einigen Ausführungsformen sind die Breiten W1 und/oder W2 größer gleich der Wellenlänge der an die Spule 14 angelegten Leistung.
  • 9 veranschaulicht eine Draufsicht auf einen Teil der in 1 und 2 gezeigten Struktur gemäß einigen Ausführungsbeispielen, wobei die Spule 30 und die Schlitz-haltige Metallplatte 18 dargestellt sind. Das dielektrische Material 20 umfasst einen mittleren Bulk-Abschnitt 20C und einen länglichen Abschnitt 20D, der mit dem Bulk-Abschnitt 20C verknüpft ist, um einen durchgehenden dielektrischen Bereich zu bilden. Der Bulk-Abschnitt 20C wird durch die Spule 30 (bei Betrachtung in der Querschnittsansicht) überlappt. Gemäß einigen Ausführungsbeispielen ist der Bulk-Abschnitt 20C kleiner (in der Draufsicht, wie in 6) als die Spule 30. Außerdem können alle Ränder des Bulk-Abschnitts 20C von den entsprechenden Rändern der Spule 30 zurückgezogen sein, und daher überlappt die Spule 30 vollständig den Bulk-Abschnitt 20C. Alternativ ausgedrückt, erstreckt sich die Spule 30 über die Ränder des Bulk-Abschnitts 20C hinaus. Gemäß einigen Ausführungsbeispielen ist der Kreuzungsbereich der Abschnitte 20A und 20B auf die Mitte der Spule 30 ausgerichtet. Die Draufsicht auf die Spule 30 kann eine kreisförmige Form, eine rechteckige Form, eine sechseckige Form, eine achteckige Form oder eine andere geeignete Form aufweisen.
  • Der längliche Abschnitt 20D weist ein erstes Ende, das mit dem Bulk-Abschnitt 20C verbunden ist, und ein zweites Ende, das sich über den entsprechenden Rand (den dargestellten oberen Rand) der Spule 14 hinaus erstreckt, auf. Gemäß einigen Ausführungsformen erstreckt sich, wie in 9 dargestellt, der längliche Abschnitt 20D zum Rand 18A der Schlitz-haltigen Metallplatte 18. Gemäß alternativen Ausführungsformen erstreckt sich der längliche Abschnitt 20D über den entsprechenden Rand (den dargestellten oberen Rand) der Spule 14 hinaus und kommt nicht an den Rand 18A heran. Die Breite W1 des länglichen Abschnitts ist kleiner als die Breite W3 der Spule 30 gemäß einigen Ausführungsformen.
  • 10 veranschaulicht die Draufsicht auf die Spule 14 und die Spule 30, an denen eine Simulation durchgeführt wird. Die InFO-Spule 30 befindet sich über der Spule 14, wobei eine Schlitz-haltige Metallplatte 18 (ähnlich der in 9 dargestellten und mit einem zusätzlichen Schlitz) zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 angeordnet ist. Gemäß den Simulationsergebnissen beträgt die Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 240,4 nH. Die Ergebnisse sind ähnlich, wenn der zusätzliche Schlitz nicht hinzugefügt wurde. Es ist zu beachten, dass diese Gegeninduktivität größer ist als die von 6 erzielte Gegeninduktivität (123,6 nH). Dies zeigt an, dass der Schlitz, wie in 9 dargestellt, die Wirkung einer Verstärkung des elektromagnetischen Feldes aufweist, was eine bessere Effizienz bei der drahtlosen Aufladung bedeutet.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 9 wäre die Gegeninduktivität zu nah der von 6 erzielten Gegeninduktivität, wenn der Abschnitt 20C zu groß ist, zum Beispiel Größen aufweist, die größer gleich der Größe der Spule 30 sind. Dementsprechend ist ein derartiges Beibehalten der Größe des Abschnitts 20C, dass er kleiner ist als die Größe der Spule 30, vorteilhaft für ein Erhöhen der Gegeninduktivität.
  • 11 veranschaulicht eine Draufsicht auf einen Teil der in 1 und 2 gezeigten Struktur gemäß einigen Ausführungsbeispielen, wobei die Spule 30 und die Schlitz-haltige Metallplatte 18 dargestellt sind. Die Form des dielektrischen Materials 20 gemäß diesen Ausführungsformen ist jener in 5 ähnlich, mit der Ausnahme, dass kein kürzer Abschnitt vorhanden ist. Das dielektrische Material 20 erstreckt sich zu beiden Rändern 18A und 18A der Schlitz-haltigen Metallplatte 18. Das dielektrische Material 20 befindet sich in einem einzelnen streifenförmigen Schlitz, der sich vom Rand 18A zum gegenüberliegenden Rand 18B der Schlitz-haltigen Metallplatte 18 erstreckt. Das dielektrische Material 20 erstreckt sich über die Ränder der Spule 30 in entgegengesetzten X-Richtungen hinaus, und die Länge L1 des dielektrischen Materials 20 ist größer als die Länge L3 der Spule 30. Andererseits ist die Breite W1 des dielektrischen Materials 20 kleiner als die Breite W3 der Spule 30.
  • 12 veranschaulicht die Draufsicht auf die Spule 14 und die Spule 30, an denen eine Simulation durchgeführt wird. Die InFO-Spule 30 befindet sich über der Spule 14, wobei eine Schlitz-haltige Metallplatte 18 (wie in 11 dargestellt) zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 angeordnet ist. Gemäß den Simulationsergebnissen beträgt die Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 137,9 nH. Es ist zu beachten, dass diese Gegeninduktivität größer ist als die von 6 erzielte Gegeninduktivität (123,6 nH). Dies zeigt an, dass der Schlitz, wie in 11 dargestellt, ebenfalls die Wirkung der Verstärkung des elektromagnetischen Feldes aufweist, was eine bessere Effizienz bei der drahtlosen Aufladung bedeutet.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf 11, wäre die Gegeninduktivität auf die von 6 erzielte Gegeninduktivität reduziert, wenn die Breite W1 des dielektrischen Materials 20 zu groß, zum Beispiel größer als die Breite W3 der Spule 30 ist. Dementsprechend ist ein Beibehalten der Breite W1, so dass sie kleiner ist als die Breite W3 der Spule 30 vorteilhaft für ein Erhöhen der Gegeninduktivität. Andererseits darf die Breite W1 nicht zu klein sein, da die Schlitze mit einer sehr kleinen Breite W1 keinen leichten Durchgang des elektromagnetischen Feldes ermöglichen, und sich die Gegeninduktivität auf die in 7 erzielte Gegeninduktivität verschlechtern kann.
  • 13 veranschaulicht eine Draufsicht auf einen Teil der in 1 und 2 gezeigten Struktur gemäß einigen Ausführungsbeispielen, wobei die Spule 30 und die Schlitz-haltige Metallplatte 18 dargestellt sind. Die Form des dielektrischen Materials 20 gemäß diesen Ausführungsformen ist jener in 11 ähnlich, mit der Ausnahme, dass sich das dielektrische Material 20 zum Rand 18B erstreckt und sich nicht zum Rand 18A erstreckt. Gleichermaßen erstreckt sich das dielektrische Material 20 über die Ränder der Spule 30 in beiden X-Richtungen hinaus, und die Länge L1 des dielektrischen Materials 20 ist größer als die Länge L3 der Spule 30. Andererseits ist die Breite W1 des dielektrischen Materials 20 kleiner als die Breite W3 der Spule 30.
  • 14 veranschaulicht die Draufsicht auf die Spule 14 und die Spule 30, an denen eine Simulation durchgeführt wird. Die InFO-Spule 30 befindet sich über der Spule 14, wobei eine Schlitz-haltige Metallplatte 18 (wie in 13 dargestellt) zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 angeordnet ist. Gemäß den Simulationsergebnissen beträgt die Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 138,2 nH. Es ist zu beachten, dass diese Gegeninduktivität größer ist als die von 6 erzielte Gegeninduktivität (123,6 nH). Dies zeigt an, dass der Schlitz, wie in 13 dargestellt, die Wirkung der Verstärkung des elektromagnetischen Feldes aufweist, was eine bessere Effizienz bei der drahtlosen Aufladung bedeutet. Die Breite W1 und die Länge L1 des dielektrischen Materials 20 weisen eine ähnliche Anforderung wie in 11 auf.
  • 15 veranschaulicht eine Draufsicht auf einen Teil der in 1 und 2 dargestellten Struktur, wobei die Spule 30 und die Schlitz-haltige Metallplatte 18 gemäß einigen Ausführungsbeispielen gezeigt sind. Die Form des dielektrischen Materials 20 gemäß diesen Ausführungsformen ist jener in 11 ähnlich, mit der Ausnahme, dass das dielektrische Material 20 vollständig durch die Metallplatte 18 eingekreist ist und sich zu keinem der Ränder 18A und 18B erstreckt. Gleichermaßen erstreckt sich das dielektrische Material 20 über die Ränder der Spule 30 in beiden X-Richtungen hinaus, und die Länge L1 des dielektrischen Materials 20 ist größer als die Länge L3 der Spule 30. Andererseits ist die Breite W1 des dielektrischen Materials 20 kleiner als die Breite W3 der Spule 30.
  • 16 veranschaulicht die Draufsicht auf die Spule 14 und die Spule 30, an denen eine Simulation durchgeführt wird. Die InFO-Spule 30 befindet sich über der Spule 14, wobei eine Schlitz-haltige Metallplatte 18, wie in 15 dargestellt, zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 angeordnet ist. Gemäß den Simulationsergebnissen beträgt die Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule 30 und der Spule 14 29,8 nH. Es ist zu beachten, dass diese Gegeninduktivität kleiner ist als die von 6 erzielte Gegeninduktivität (123,6 nH). Dies zeigt an, dass der Schlitz, wie in 13 dargestellt, einen Durchgang des elektromagnetischen Feldes ermöglicht, auch wenn mit einer reduzierten Stärke. Außerdem wird beim Vergleich der Ergebnisse in 8, 10, 12, 14 und 16 festgestellt, dass ein Ermöglichen, dass sich das dielektrische Material (der Schlitz) in der Metallplatte zu einem Rand der Metallplatte erstreckt, zu einer verbesserten Gegeninduktivität führen kann, während ein Nicht-Zulassen, dass das dielektrische Material (der Schlitz) an die Ränder herankommt, zu einer verschlechterten Gegeninduktivität führt.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung weisen einige vorteilhafte Merkmale auf. Durch Ausbilden von Schlitz(en) in Metallplatten kann das elektromagnetische Feld durch die Metallplatte hindurchlaufen, und die Gegeninduktivität zwischen der InFO-Spule und einer externen Spule ist verbessert. Außerdem kann die Gegeninduktivität vergrößert werden, was zur Verbesserung der Effizienz der drahtlosen Aufladung führt.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Struktur ein Kapselungsmaterial und eine Spule, die einen Durchführungsleiter umfasst. Der Durchführungsleiter befindet sich in dem Kapselungsmaterial, wobei eine obere Fläche des Durchführungsleiters im Wesentlichen komplanar mit einer oberen Fläche des Kapselungsmaterials ist, und eine untere Fläche des Durchführungsleiters im Wesentlichen komplanar mit einer unteren Fläche des Kapselungsmaterials ist. Eine Metallplatte liegt unter dem Kapselungsmaterial. Ein Schlitz ist in der Metallplatte vorhanden und mit einem dielektrischen Material gefüllt. Der Schlitz weist einen durch die Spule überlappten Abschnitt auf.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Struktur ein Kapselungsmaterial, einen Vorrichtungs-Die, der in dem Kapselungsmaterial gekapselt ist, und Durchführungsleiter, die in dem Kapselungsmaterial gekapselt sind. Die Durchführungsleiter bilden Teile einer Spule, die mit dem Vorrichtungs-Die elektrisch gekoppelt ist. Die Struktur umfasst ferner eine Metallplatte mit einem durch die Spule überlappten Abschnitt, wobei sich die Metallplatte über Ränder der Spule hinaus erstreckt. Ein dielektrisches Material führt durch die Metallplatte hindurch. Das dielektrische Material umfasst einen ersten länglichen Abschnitt, der eine erste Längsrichtung aufweist, die zu einer ersten Richtung parallel ist. Der erste längliche Abschnitt umfasst einen ersten Abschnitt, der durch die Spule überlappt wird, und einen zweiten Abschnitt, der nicht durch die Spule überlappt wird. Das dielektrische Material umfasst ferner einen zweiten länglichen Abschnitt, der eine zweite Längsrichtung aufweist, die zu einer zweiten Richtung parallel ist, wobei die zweite Richtung nicht zu der ersten Richtung parallel ist. Der zweite längliche Abschnitt ist mit dem ersten länglichen Abschnitt verknüpft und wird durch die Spule überlappt.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Struktur ein Kapselungsmaterial, einen Vorrichtungs-Die, der in dem Kapselungsmaterial gekapselt ist, und Durchführungsleiter, die in dem Kapselungsmaterial gekapselt sind. Die Durchführungsleiter bilden Teile einer Spule, die mit dem Vorrichtungs-Die elektrisch gekoppelt ist. Die Struktur umfasst ferner eine Metallplatte mit einem durch die Spule überlappten Abschnitt. Die Metallplatte erstreckt sich über Ränder der Spule hinaus. Ein dielektrischer Bereich führt durch die Metallplatte hindurch. Der dielektrische Bereich umfasst einen Bulk-Abschnitt, der durch die Spule überlappt wird, und einen länglichen Abschnitt, der mit dem Bulk-Abschnitt verbunden ist. Der längliche Abschnitt ist schmaler als der Bulk-Abschnitt. Der längliche Abschnitt umfasst einen ersten Abschnitt, der durch die Spule überlappt wird, und einen zweiten Abschnitt, der sich über einen Rand der Spule hinaus erstreckt.

Claims (18)

  1. Struktur, umfassend: ein Kapselungsmaterial (26), eine Spule (30), die einen Durchführungsleiter (32) umfasst, wobei sich der Durchführungsleiter (32) in dem Kapselungsmaterial (26) befindet, wobei eine obere Fläche des Durchführungsleiters (32) im Wesentlichen komplanar mit einer oberen Fläche des Kapselungsmaterials (26) ist, und eine untere Fläche des Durchführungsleiters (32) im Wesentlichen komplanar mit einer unteren Fläche des Kapselungsmaterials (26) ist, eine Metallplatte (18), die unter dem Kapselungsmaterial (26) liegt, und einen ersten Schlitz (20A) in der Metallplatte (18) und mit einem dielektrischen Material (20) gefüllt, wobei der erste Schlitz (20A) einen durch die Spule (30) überlappten Abschnitt aufweist, wobei der erste Schlitz (20A) eine Länge, die größer ist als eine entsprechende Länge der Spule (30), und eine Breite, die kleiner ist als eine entsprechende Breite der Spule (30), aufweist.
  2. Struktur nach Anspruch 1, wobei sich der erste Schlitz (20A) über einen Rand der Spule (30) hinaus erstreckt.
  3. Struktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei sich der erste Schlitz (20A) zu einem Rand der Metallplatte (18) erstreckt.
  4. Struktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste Schlitz (20A) ein Luftspalt ist, und die Struktur ferner einen dielektrischen Film (16) umfasst, der den ersten Schlitz (20A) abdichtet, wobei sich der dielektrische Film (16) auf einer entgegengesetzten Seite der Metallplatte (18) befindet als das Kapselungsmaterial (26).
  5. Struktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner einen zweiten Schlitz (20B) umfasst, der senkrecht zu dem ersten Schlitz (20A) ist und diesen kreuzt, wobei sich der zweite Schlitz (20B) nicht über Ränder der Spule (30) hinaus erstreckt.
  6. Struktur, umfassend: ein Kapselungsmaterial (26), einen Vorrichtungs-Die (28), der in dem Kapselungsmaterial (26) gekapselt ist, Durchführungsleiter (32), die in dem Kapselungsmaterial (26) gekapselt sind, wobei die Durchführungsleiter (32) Teile einer Spule (30) bilden, die mit dem Vorrichtungs-Die (28) elektrisch gekoppelt ist, eine Metallplatte (18) mit einem durch die Spule (30) überlappten Abschnitt, wobei sich die Metallplatte (18) über Ränder der Spule (30) hinaus erstreckt, und ein dielektrisches Material (20), das durch die Metallplatte (18) hindurchführt, wobei das dielektrische Material (20) umfasst: einen ersten länglichen Abschnitt (20A), der eine erste Längsrichtung aufweist, die parallel zu einer ersten Richtung ist, wobei der erste längliche Abschnitt (20A) umfasst: einen ersten Abschnitt, der durch die Spule (30) überlappt wird, und einen zweiten Abschnitt, der nicht durch die Spule (30) überlappt wird, und einen zweiten länglichen Abschnitt (20B), der eine zweite Längsrichtung aufweist, die parallel zu einer zweiten Richtung ist, wobei die zweite Richtung nicht zu der ersten Richtung parallel ist, wobei der zweite längliche Abschnitt (20B) mit dem ersten länglichen Abschnitt (20A) verknüpft ist, und durch die Spule (30) überlappt wird.
  7. Struktur nach Anspruch 6, wobei sich der erste längliche Abschnitt (20A) zu einem ersten Rand (18A) der Metallplatte (18) erstreckt.
  8. Struktur nach Anspruch 7, wobei sich der erste längliche Abschnitt (20A) ferner zu einem zweiten Rand (18B) der Metallplatte (18) erstreckt, wobei der erste Rand und der zweite Rand gegenüberliegende Ränder der Metallplatte (18) sind.
  9. Struktur nach Anspruch 6 oder 7, wobei der erste längliche Abschnitt (20A) eine in der zweiten Richtung gemessene Breite (W1) aufweist, und die Breite des ersten länglichen Abschnitts (20A) kleiner ist als eine entsprechende, in der zweiten Richtung gemessene Abmessung (W3) der Spule (30).
  10. Struktur nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei der zweite längliche Abschnitt (20B) eine in der zweiten Richtung gemessene Länge (L2) aufweist, und die Länge (L2) des zweiten länglichen Abschnitts (20B) kleiner ist als eine entsprechende, in der zweiten Richtung gemessene Abmessung (W3) der Spule (30).
  11. Struktur nach Anspruch 10, wobei der zweite längliche Abschnitt (20B) eine in der ersten Richtung gemessene Breite (W2) aufweist, und die Breite (W2) des zweiten länglichen Abschnitts (20B) kleiner ist als eine entsprechende, in der ersten Richtung gemessene Abmessung (L3) der Spule (30).
  12. Struktur nach einem der Ansprüche 6 bis 11, wobei eine Gesamtheit eines Kreuzungsbereichs des ersten länglichen Abschnitts (20A) und des zweiten länglichen Abschnitts (20B) durch die Spule (30) überlappt wird.
  13. Struktur, umfassend: ein Kapselungsmaterial (26), einen Vorrichtungs-Die (28), der in dem Kapselungsmaterial (26) gekapselt ist, Durchführungsleiter (32), die in dem Kapselungsmaterial (26) gekapselt sind, wobei die Durchführungsleiter (32) Teile einer Spule (30) bilden, die mit dem Vorrichtungs-Die (28) elektrisch gekoppelt ist, eine Metallplatte (18) mit einem durch die Spule (30) überlappten Abschnitt, wobei sich die Metallplatte (18) über Ränder der Spule (30) hinaus erstreckt, und einen dielektrischen Bereich (20), der durch die Metallplatte (18) hindurchführt, wobei der dielektrische Bereich (20) umfasst: einen durch die Spule (30) überlappten Bulk-Abschnitt (20C), und einen länglichen Abschnitt (20D), der mit dem Bulk-Abschnitt (20C) verbunden ist, wobei der längliche Abschnitt (20D) schmaler ist als der Bulk-Abschnitt (20C), und der längliche Abschnitt (20D) einen ersten Abschnitt, der durch die Spule (30) überlappt wird, und einen zweiten Abschnitt, der sich über einen Rand der Spule (30) hinaus erstreckt, umfasst.
  14. Struktur nach Anspruch 13, wobei eine Gesamtheit des Bulk-Abschnitts (20C) durch die Spule (30) überlappt wird.
  15. Struktur nach Anspruch 13 oder 14, wobei sich der längliche Abschnitt (20D) zu einem Rand (18A) der Metallplatte (18) erstreckt.
  16. Struktur nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei der dielektrische Bereich (20) einen Luftspalt umfasst.
  17. Struktur nach einem der Ansprüche 13 bis 16, wobei die Durchführungsleiter (32) umfassen: obere Enden, die im Wesentlichen komplanar sowohl mit einer oberen Fläche des Kapselungsmaterials (26) als auch einer oberen Fläche des Vorrichtungs-Die (28) sind, und untere Enden, die im Wesentlichen komplanar mit einer unteren Fläche des Kapselungsmaterials (26) sind.
  18. Struktur nach einem der Ansprüche 13 bis 17, die ferner einen Klebstoff umfasst, der die Metallplatte (18) an dem Kapselungsmaterial (26) befestigt.
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