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HINTERGRUND
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GEBIET
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Die Offenbarung betrifft im Allgemeinen einen DC-zu-DC-Spannungswandler und insbesondere Schaltwandlerschaltungen mit verbesserter Effizienz bei deren Bedingungen mit geringer Last.
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BESCHREIBUNG DER VERWANDTEN TECHNIK
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Schaltwandler für batteriebetriebene Systeme sind erforderlich, um Lastströme zu liefern. Die Lastströme von Interesse sind aus einem Bereich von 0 bis 10 A. Zusätzlich muss der Wandler eine ausgezeichnete Energieeffizienz bieten und ein Laststrom-Schalten von 0A zu dem Maximalstrom, Imax, mit einer minimalen Ausgangsspannungswelligkeit unterstützen können.
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Als ein Beispiel zeigt 1 die Quellen eines Leistungsverlusts für einen synchronen Buck- bzw. Abwärtswandler. In einem Betrieb mit hoher Last dominieren die Leitungsverluste. 1 zeigt einen synchronen Abwärtswandler 100. Der synchrone Abwärtswandler 100 weist einen p-Kanal-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET – metal oxide semiconductor field effect transistor) 110 und einen n-Kanal-MOSFET 120 auf. Ein Vor-Treiber umfasst eine p-Kanal-MOSFET-Vor-Treiber-Schaltung 115 und eine n-Kanal-MOSFET-Vor-Treiber-Schaltung 125. Die synchrone Wandlerschaltung umfasst einen Induktor 130 und einen Kondensator 140. Der Ausgang umfasst eine Last 150. Der Eingang hat eine Energieversorgung Vin 160 parallel zu einem Eingangskondensator 165. Eine Rückkopplungsschleife koppelt elektrisch den Ausgang vout(t) mit einer Steuervorrichtung 170, die ein Signal an die Vor-Treiber-Elemente 115 und 125 liefert.
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Die Leitungsverluste, wie in 1 gezeigt, umfassen die MOSFET-Schalt- und Leitungsverluste der p-Kanal-MOSFET-Vorrichtung 110 und Verluste einer Body-Diode des n-Kanal-MOSFETs 120. Die Verluste der passiven Elemente umfassen den Verlust des elektrischen Serienwiderstands (ESR – electrical series resistance) des Eingangskondensators 165, des elektrischen Serienwiderstands (ESR – electrical series resistance) des Induktors 130 und den Verlust des elektrischen Serienwiderstands (ESR – electrical series resistance) des Ausgangskondensators 140.
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Daher sind Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs – metal oxide semiconductor field effect transistors) mit niedrigem Ein-Widerstand (Ron) und ein Induktor mit einem niedrigen elektrischen Serienwiderstand (ESR – electrical series resistance) erforderlich, um Spezifikationen hinsichtlich einer Effizienz zu erfüllen. Jedoch werden bei Bedingungen geringer Last MOSFET-Schalt- und Gate-Treiber-Verluste signifikant, insbesondere für integrierte Wandler mit einer Betriebsfrequenz über mehrere MHz. Als Ergebnis verschlechtert sich die Effizienz, wenn der Laststrom abnimmt. Eine Leichtlasteffizienz ist ein wichtiges Anliegen in Anwendungen, in denen die digitalen Last-ICs den Großteil ihrer Zeit in einem inaktiven Modus verbringen.
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Es wurden verschiedene Techniken dargelegt, um Schaltverluste bei einer Bedingung mit geringer Last zu reduzieren, die in zwei Kategorien eingeteilt werden können: variable Frequenztechniken und adaptive Ausgangsstufen.
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Variable Frequenztechniken umfassen eine Pulsfrequenzmodulation (PFM – pulse frequency modulation), „Puls überspringen“ (PS – pulse-skip) und Burst-Modus-Steuerung. Der Nachteil dieser Techniken ist, dass sie im Allgemeinen zu einer schlechten Regelung der Ausgangsspannung führen aufgrund der Lastabhängigkeit einer Quellenfrequenz (fs). Diese variablen Frequenztechniken haben auch ein Problem mit elektromagnetischer Interferenz (EMI – electromagnetic interference).
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Bei der Technik der adaptiven Ausgangsstufe ist die Schaltwandler-Ausgangsstufe als Segmente definiert (zum Beispiel oder auch als Finger bezeichnet), wobei Teile der adaptiven Ausgangsstufe bei Bedingungen mit geringer Last ausgeschaltet werden können, um den Kompromiss zwischen der effektiven Gate-Kapazität und dem Ein-Widerstand rON zu optimieren. Dies ist auch als das „geschaltete Breite“-Konzept bekannt. Eine Segmentierung wird praktisch erreicht durch Trennen der MOSFET-Gate-Struktur von Leistungs-MOSFET-Zellen in dem physikalischen Design-Layout, während das MOSFET-Drain- und Source-Metallisierungsmuster unverändert bleibt.
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2A zeigt eine schematische Schaltung einer segmentierten Ausgangsstufe 200. Die Schaltung in 2A umfasst eine Leistungsstufe mit MOSFETs verschiedener Breiten, eine Segmentierung vorsehend, dargestellt zum Beispiel als 210(i), 210(j), 210(k) bis 210(n). Die Logikgatter 230(i), 230(j), 230(k) bis 230(n) sind elektrisch mit der Leistungsstufe der MOSFETs 210(i), 210(j), 210(k) bis 210(n) gekoppelt. Der Ausgang der Leistungsstufe ist mit einem Induktor 240, einer kapazitiven Last 250, einer resistiven Last 260 mit einem Ausgangssignal 280 verbunden. Das Eingangssignal 270 ist mit den Logikgattern 230(i) bis 230(n) verbunden.
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Die typische Implementierung einer adaptiven Ausgangsstufe ist ein Überwachen des Ausgangsstroms und Einstellen der Anzahl von aktiven Stufen unter Verwendung einer vordefinierten Laststromschwelle, die zuvor berechnete Werte für typische Betriebsparameter sind. Ähnlich ist ein Wechseln von einem synchronen Modus zu dem PFM-Modus normalerweise durch eine vordefinierte Laststromschwelle definiert. Jedoch müssen auch verschiedene andere Betriebsbedingungsdimensionen berücksichtigt werden. Zum Beispiel sind Schaltverluste keine konstante Größe; sie sind eine Funktion von Eingangsspannung (die sich um mehr als zwei Größenordnungen ändern kann), Gate-Kapazität und Betriebsfrequenz.
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Unter der Annahme, dass diese Parameter während des Schaltungsbetriebs konstant sind, verursachen die Parameter signifikante Fehler, die das System von einem Betrieb mit optimaler Effizienz abbringen. Darüber hinaus beeinflussen Effekte wie Alterung, Prozessschwankungen oder Temperatur signifikant einen Schalttransistor-„Ein-Widerstand“ (rON); dies kann Schätzungsfehler (zum Beispiel hinsichtlich resistiven Verlusten) erzeugen, die alle zu einer nicht optimalen Effizienz für den Schaltwandler führen.
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US. Patent 8,618,783 von Oki beschreibt einen DC-zu-DC-Wandler mit einem Verfahren einer adaptiven Phasenkompensation.
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US Patent RE44587 E1 von Qui et al, beschreibt einen DC-zu-DC-Wandler mit einer Treiberstufe, die adaptiv ist.
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In diesen Ausführungsbeispielen des Standes der Technik verwendet die Lösung zum Herstellen einer Abtastschaltung in einem Schaltregler verschiedene alternative Lösungen.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Es ist wünschenswert, eine Lösung für einen effizienten DC-zu-DC-Regler mit einem minimalen Leistungsverlust vorzusehen.
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Es ist wünschenswert, eine Lösung mit einer Vergleichstechnik vorzusehen, die kapazitive und resistive Leistungsverluste vergleicht.
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Es ist wünschenswert, eine Lösung mit einer kapazitiven (schaltenden) Verlustinformationsberechnungstechnik vorzusehen.
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Eine andere weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine Lösung mit einer kapazitiven (schaltenden) Verlustinformationsberechnungstechnik unter Berücksichtigung von Eingangsversorgungsspannung, Betriebsfrequenz und Gate-Kapazität vorzusehen.
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Es ist wünschenswert, eine Lösung mit einer resistiven Verlustinformationsberechnungstechnik vorzusehen.
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Eine andere weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine Lösung vorzusehen mit einer resistiven Verlustinformationsberechnungstechnik für den Komparator unter Berücksichtigung einer tatsächlichen rON-Information und Laststrom, daher Kompensationsprozess-, Alterungs- und Temperatureffekte.
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Eine Hauptaufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine neue adaptive Ausgangsstufe-Größenauswahltechnik vorzusehen, die eine aktive Anzahl von Ausgangsstufensegmenten entscheidet durch Vergleichen kapazitiver (schaltender) und resistiver Leistungsverluste; unter Berücksichtigung von: Eingangsversorgungsspannung, Betriebsfrequenz, Gate-Kapazität, tatsächlicher rON-Information und Laststrom, um die optimale Effizienz für den Schaltwandler in allen möglichen Betriebsbedingungskompensationsvorrichtungsvariationen aufgrund von Alterung, Prozess und Temperatur zu finden.
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Zusammenfassend, ein Leistungswandler, der einen adaptiven Ausgang, einen ersten adaptiven Transkonduktanzblock, der konfiguriert ist zum Evaluieren von resistiven Leistungsanteilen, einen zweiten adaptiven Transkonduktanzblock, der konfiguriert ist zum Vorsehen von kapazitiven Leistungsanteilen, und einen Komparator aufweist, der konfiguriert ist zum Vergleichen der resistiven Leistungsanteile und der kapazitiven Leistungsanteile für die Bestimmung der Auswahl von Zweigen des adaptiven Ausgangs.
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Zusätzlich, ein zweites Ausführungsbeispiel eines Synchronschaltwandlers mit einer adaptiven Ausgangsstufe, die einen adaptiven Transkonduktanzblock aufweist, der konfiguriert ist zum Evaluieren von resistiven Leistungsanteilen, einen Multipliziererblock, der konfiguriert ist zum Vorsehen von kapazitiven Leistungsanteilen, einen ersten Komparator, der konfiguriert ist zum Vergleichen von resistiven Leistungsanteilen und kapazitiven Leistungsanteilen zum Bestimmen der Auswahl der Zweige des adaptiven Ausgangs, und einen zweiten Komparator, der konfiguriert ist zum Vergleichen von resistiven Leistungsanteilen und kapazitiven Leistungsanteilen zum Bestimmen der Auswahl der Zweige des adaptiven Ausgangs.
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Darüber hinaus, ein drittes Ausführungsbeispiel einer Schaltung, die einen Synchronschaltwandler mit einer adaptiven Ausgangsstufe vorsieht, die eine Stromerfassung und eine Steigungsrampe aufweist, einen Fehlerverstärker, ein Kompensationsnetzwerk, einen Abwärts-SR-Flip-Flop, einen ersten und zweiten adaptiven Ausgangs-Vor-Treiber, einen Ausgangstreiber mit einem ersten und zweiten Ausgangstransistor elektrisch gekoppelt mit dem ersten und zweiten adaptiven Ausgangs-Vor-Treiber, einen Induktor elektrisch gekoppelt mit dem Ausgangstreiber, eine Induktorstromerfassungsschaltung, die elektrisch mit dem Induktor gekoppelt ist, einen Ausgangskondensator und ein Komparator-Netzwerk, das konfiguriert ist zum Evaluieren des resistiven Leistungsverlusts und des kapazitiven Leistungsverlusts.
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Zusätzlich wird ein Verfahren in Übereinstimmung mit dem Ausführungsbeispiel der Offenbarung gezeigt. Ein Verfahren zum Vorsehen eines Schaltwandlers mit einer adaptiven Ausgangsstufe, das die Schritte aufweist eines ersten Schritts (a) eines Vorsehen eines Schaltwandlers, eines zweiten Schritts (b) eines Evaluierens eines kapazitiven Leistungsverlusts, eines dritten Schritts (c) eines Evaluierens eines resistiven Leistungsverlusts, eines vierten Schritts (d) eines Vergleichens eines kapazitiven Leistungsverlusts und eines resistiven Leistungsverlusts, und eines fünften Schritts (e) eines Anpassens der Größe der Ausgangsstufe.
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Weitere Vorteile sind für Fachleute offensichtlich.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die vorliegende Offenbarung und die entsprechenden dadurch vorgesehenen Vorteile und Merkmale sind am besten zu verstehen und zu beurteilen bei Lektüre der folgenden detaillierten Beschreibung der Offenbarung in Verbindung mit den folgenden Zeichnungen, in denen gleiche Ziffern gleiche Elemente bezeichnen, in denen:
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1 eine schematische Schaltung gemäß dem Stand der Technik eines synchronen Abwärtswandlers ist unter Hervorhebung von Quellen eines Leistungsverlusts;
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2A eine schematische Schaltung einer adaptiven Ausgangsstufe ist;
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2B eine schematische Schaltung einer adaptiven Ausgangsstufe ist, modifiziert basierend auf einem kapazitiven und resistiven Leistungsverlust;
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3 eine Darstellung eines kapazitiven und resistiven Leistungsverlusts eines typischen Ausgangstreibertransistors ist;
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4A, 4B und 4C schematische Schaltungen der Komponenten und idealen Elemente in Übereinstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel der Offenbarung sind;
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5 eine Darstellung der Simulationsergebnisse eines typischen Betriebs ist;
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6 eine Vergleichsdarstellung des adaptiven Ausgangsstufe-Abwärtswandlers und des herkömmlichen Abwärtswandlers ist;
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7A, 7B und 7C schematische Schaltungen in Übereinstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel eines synchronen Abwärtswandlers mit zwei Komparatoren sind;
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8A, 8B und 8C schematische Schaltungen in Übereinstimmung mit dem zweiten Ausführungsbeispiel eines synchronen Abwärtswandlers mit einem einzigen Komparator sind; und
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9 ein Verfahren in Übereinstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Die Offenbarung sieht eine neue Größenauswahltechnik für eine adaptive Ausgangsstufe vor, die hinsichtlich einer aktiven Anzahl von Ausgangsstufensegmenten entscheidet. Durch Vergleichen kapazitiver (schaltender) und resistiver Leistungsverluste (unter Berücksichtigung von Eingangsversorgungsspannung, Betriebsfrequenz, Gate-Kapazität, tatsächlicher rON-Information und Laststrom) wird die optimale Effizienz für den Schaltwandler in allen möglichen Betriebsbedingungskompensationsvorrichtungsvariationen aufgrund Alterung, Prozess, Temperatur erlangt.
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Die vorliegende Offenbarung umfasst eine Ausgangsstufe mit adaptiver Breite für einen DCDC-Wandler. Eine Vergleichstechnik wird verwendet, die kapazitive (schaltende) und resistive Leistungsverluste vergleicht. Die kapazitive (schaltende) Verlustinformationsberechnungstechnik berücksichtigt die Eingangsversorgungsspannung, die Betriebsfrequenz und die Gate-Kapazität. Die resistive Verlustinformationsberechnungstechnik für den Komparator berücksichtigt die tatsächliche rON-Information und den Laststrom, und kompensiert somit Prozess-, Alterungs- und Temperatureffekte.
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Es ist möglich, ron von Durchlassvorrichtungen zu überwachen: zum Beispiel durch den Spannungsabfall an dem LX-Knoten, da wir auch den Laststrom messen können, ron = ΔVonLX/ILOAD. Unter der Annahme des synchronen Modus (PWM-Modus) und unter der Annahme, dass Vin (vbat) konstant ist, dann, wenn sich ron von Durchlassvorrichtungen mit dem Laststrom ILOAD (abrupt) ändern, dann existiert die adaptive Ausgangsstufe. Wenn unter der Annahme, Iload ist konstant und ron der Durchlassvorrichtung ändert sich mit Vin auf eine nichtmonotone Weise, dann gibt es eine zusätzliche Regelschleife zum Manipulieren der adaptiven Ausgangsstufe, die Vin berücksichtigt. Nach dem Sammeln von Daten hinsichtlich Laststrom ILOAD, der Eingangsspannung Vin und einer Größe der adaptiven Ausgangsstufe, können dann die Kriterien festgelegt werden und die Betriebsfähigkeit einer weiteren Regelschleife kann evaluiert werden. Wenn die Regelschleife eine resistive Leistung mit einer kapazitiven Leistung vergleicht, dann verwendet sie die grundlegenden Prinzipien, die in dieser Offenbarung definiert werden.
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Ein kapazitiver Leistungsverlust eines Schalt-MOSFETs mit einer Anzahl von Fingern nf und unter der Annahme einer Näherung erster Ordnung ist gegeben durch: Pc = nfCggfV 2 / DD (1)
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Resistiver Leistungsverlust eines MOSFETs mit einer Anzahl von Fingern n
f und unter Annahme einer Näherung erster Ordnung ist gegeben durch:
wobei r
on der Schaltwiderstand ist und I
L der Drain-Strom ist.
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2B ist eine schematische Schaltung einer adaptiven Ausgangsstufe, modifiziert basierend auf kapazitivem und resistivem Leistungsverlust. 2B zeigt die adaptive segmentierte Ausgangsstufe 210, Frequenzkompensations- und Steuerlogikblock 220 und einen Funktionsblock für die Entscheidung der Segmentgröße 225. Wie in 2A sind der Induktor 240, die kapazitive Last 250 und die resistive Last 260 elektrisch mit der Ausgangsspannung VOUT 280 gekoppelt. Der Frequenzkompensations- und Steuerlogikblock empfängt Eingangssignale von der Referenzspannung VREF 221 und der Ausgangsspannung VOUT 222. Der Funktionsblock, der die Segmentgröße entscheidet, empfängt ein Eingangssignal, das mit kapazitiver Leistung 227 und resistiver Leistung 229 assoziiert ist.
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3 vergleicht kapazitive und resistive Leistungsverluste eines typischen Abwärts-Treibertransistors (L = 0,25u) für IL = 100 mA und VDD steigend von 2,5V auf 5,5V. Dies ist ein typischer Versorgungsspannungsbereich für batteriebetriebene tragbare Einzelzelle-Systeme.
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Die vorgeschlagene adaptive Ausgangsstufe entscheidet eine aktive Anzahl von Segmenten (Finger) durch Vergleichen von kapazitiven und resistiven Leistungsverlusten, und erreicht eine optimale Effizienz durch d.h. Erhöhen der Anzahl von Segmenten, wenn der Laststrom (somit resistiver Verlust) zunimmt. Die vorgeschlagene Vergleichsprozedur ist wie folgt:
PC <> PR (3) ein Kondensatorstrom I
C wird derart definiert, dass
wobei t gleich 1/f ist. Ebenfalls berücksichtigt wird
wobei V
sense der durchschnittliche Spannungsabfall an den Treibertransistor-Drain- und Source-Anschlüssen ist.
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Gleichung (4) kann nun ausgedrückt werden als: nSICVDD <> ILVsense (7)
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Durch Dividieren beider Seiten des Ausdrucks (um einen Stromkomparator zu erlangen) wird erhalten:
wobei V
senseI
L/V
DD als ein adaptiver gm-Block zu implementieren ist. Die linke Seite (LHS – left hand side) der Gleichung n
S·I
C kann als ein Strom-DAC mit einem Eingangsstrom von I
C und n
S als die Anzahl von ausgewählten Zweigen implementiert werden.
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Zwei mögliche Verfahren werden betrachtet, um Strom I
C zu erzeugen, der in (5) definiert ist. Das erste und einfachste Verfahren ist ein Aufbauen einer „Strom-Regelschleife“, wobei ein variierender Strom (I
C) einen C
gg-Kondensator in einer gegebenen Zeit t lädt. Die Schleife versucht, I
C derart anzupassen, dass in der gegebenen Zeit t die Spannung an dem Kondensator gleich zu- ist, d.h. die Hälfte von V
DD, ansonsten ändert die Schleife I
C entsprechend. Ein einfacheres Verfahren, das in dem nächsten Abschnitt implementiert und simuliert wird, ist wie folgt:
Wir definieren eine Kondensatorspannung V
C2 derart, dass:
zu implementieren ist als die Spannung eines Kondensators C
gg, geladen von einem Referenzstrom I
R (d.h. 1uA) für einen Zeitrahmen von t. I
C ist dann gleich:
wobei V
DDI
R/V
C2 als ein adaptiver gm-Block und die Energieversorgungsspannung V
DD als der Eingang dieses gm-Blocks zu implementieren ist.
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Die 4A, 4B und 4C sind schematische Darstellungen der Komponenten und idealen Elemente in Übereinstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die 4A, 4B und 4C umfassen die Elemente, wie aufgezählt,
die Stromerfassung und die Steigungsrampe für den Abwärtswandler 410
das Fehlerverstärker- und Kompensationsnetzwerk 420
Abwärts-SR_FF zum Erzeugen eines Arbeitszyklus 430
adaptiver Ausgangsstufe-Vor-Treiber 440 und 445: der SR_FF-Ausgang wird in 8 NAND-Gatter zugeführt, die die aktiven PMOS-Treibertransistoren zusammen mit finger_sel-Decodiererblock (unter Verwendung von nf) auswählen PMOS-Treibertransistoren 450, wobei der NMOS normalerweise in dem Treiberschaltung-Pulldown-Teil des Treibers mit einer idealen Diode zur Vereinfachung ersetzt wird, Induktor und Idealstromerfassung 460 Ausgangskondensator 470, durchschnittliche Ausgangsstromerfassung 480 – hier implementiert durch Überwachen des Induktorstroms und dann durch einen RC-Filter, PMOS-Treiber 490 Spannungsabfallerfassung – implementiert mit idealen Schaltern, um ΔV abzutasten, wenn der Transistor EIN ist, der Ausgang dieses Blocks ist Vsense der Gleichung-7. Der Laststrom geteilt durch die Energieersorgungsspannung, IL/VDD, wird als ein adaptiver gm-Block 4010 implementiert (in anderen Worten Gm = IL/VDD), der Eingang dieses Blocks ist Vsense, somit ist der Ausgang dieses Blocks Vsense × IL/VDD, wie in (Gleichung-8) definiert, um den resistiven Leistungsanteil der Gleichung zu berechnen. Block 4011 zum Erzeugen von IC, definiert durch die Gleichung 9 und 10, wobei ein Strompuls der Zeitdauer t einen PMOS-Kondensator Cgg lädt, IR/VC2 wird als adaptiver gm-Block implementiert (Gm = IR/VC2) mit VDD als der Eingang dieses gm-Blocks. Somit wird der Ausgang von 11 VDD × IR/VC2, wie in Gleichung-10 definiert.
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(11) Der Schaltungsblock 4011 umfasst die Eingänge Vin, Ir und Vr, und dessen Ausgang ist V_Ic. Die Eingangssignale 4014 umfassen vdc-Generator vdc = 1,25 vdd, einen MOSFET in Kondensatorkonfiguration und eine Pulsgeneratorstromquelle. Die Signale von 4014 umfassen vdc-Signale, vdc = 20 u, vdc = vdd, und vdc = 1,25 vdd Signale.
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(12) Der Multipliziererblock 4012, wo der Ausgang von 11 multipliziert wird mit (nf + 1) oder die Anzahl der ausgewählten Stufen. Der Ausgang des Multipliziererblocks 4012 ist der kapazitive Leistungsanteil der Gleichung (zum Beispiel Gleichung 8).
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(13) Der Komparator 4013 vergleicht den resistiven Leistungsanteil res_pow und kapazitiven Leistungsanteil cap_pow und entscheidet die Anzahl von ausgewählten Zweigen (nf ist der Ausgang). Der Komparator 4013 umfasst auch ein Taktsignal clk_cnt. In diesem Simulationsaufbau ist der Komparator derart definiert, dass nf um 1 zunimmt, wenn ein resistiver Verlust 20% mehr als ein kapazitive Verlust ist, und nf wird um 1 verringert, wenn ein resistiver Verlust 20% weniger ist als ein kapazitiver Verlust. Die Beziehung zwischen resistivem Verlust und kapazitivem Verlust kann von 1% bis 100% reichen. Bei einer unteren Grenze von 1% oder weniger, gibt es zu viel Umschalten an dem Ausgang des (resistiver Verlust vs. kapazitiver Verlust) Komparators. An der oberen Grenze von 100% hat die offenbarte Schaltung bei weitem keinen optimalen Effizienzbetrieb (zum Beispiel kapazitiver Verlust wäre 80% mehr als resistiver Verlust, aber noch immer würde sich der Ausgang des Komparators nicht ändern). Dieser Komparator kann auch auf verschiedene Weise definiert werden. Der res_pow-Eingang mit dem vin_p-Signal gekoppelt und der cap_pow-Eingang ist mit dem vin_n-Signal gekoppelt.
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5 ist eine Darstellung der Simulationsergebnisse 500 eines typischen Betriebs 510, 520 und 530. Die Simulationsergebnisse für den typischen Betrieb (Setzen von nf) sind in der 5 für die Ausgangsspannung 510 gegeben. Die Darstellung 520 der 5 umfasst eine Widerstandsspannung 525 und eine Kondensatorspannung 527. Die Darstellung 530 der 5 umfasst eine nf-Spannung. Während der Simulation vergleicht der Komparator einen resistiven Leistungsverlust und einen kapazitiven Leistungsverlust und entscheidet einen Wert von nf derart, dass beide Verluste gleich sind.
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Um eine Funktionsfähigkeit zu verifizieren, ob das System die richtigen kapazitiven und resistiven Leistungsverlustwerte finden kann, wird die folgende analytische Prüfung für den Simulationsfall von 5 durchgeführt, mit den folgenden extrahierten Werten und Parametern:
- • Eingangskapazität von Treiber-MOS/Einzelstufe = 12pF (bei 2 V vorgespannt)
- • Treiber ron/Einzelstufe = 0,58Ω
- • Frequenz = 1 MHz
- • Eingangsspannung VDD = 5 V
- • Laststrom = 0,25 A
- • Arbeitszyklus bei gegebenem Betriebspunkt = 20,1%
- • ausgewählte Anzahl von Stufen = 5 (nf = 4, beginned von 0)
- • cap_pow-Wert = 320u (extrahiert von 5 527, Ausgang von Block (12) 4012 von 4C)
- • res_pow-Wert = 295u (extrahiert von 5 525, Ausgang von Block (10) 4010 von 4B)
cap_pow-Wert ist tatsächlich die linke Seite von Gl. (8), wobei somit ist der berechnete kapazitive Leistungsverlust PC, aus Simulation = VDD × cap_pow = 5 × 320u = 1,6mW und unter Verwendung der Formel für kapazitiven Verlust: PC = nsCggfV 2 / DD = 5 × 12p × 1M × 25 = 1,5mW die sehr nahe sind, die Diskrepanz ist aufgrund einer nichtlinearen Kapazitätscharakteristik einer PMOS-Treiberkapazität. Ähnlich ist der res_pow-Wert tatsächlich die rechte Seite von Gl. (8), wobei somit ist der berechnete resistive Leistungsverlust PR, aus Simulation = VDD × res_pow = 5 × 295u = 1,475mW und unter Verwendung der Formel für resistiven Verlust: die ebenfalls sehr nahe sind.
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6 zeigt Effizienzvergleichsdarstellungen 600 als eine Funktion der Stromlast, einschließlich eines Vergleichs der adaptiven Ausgangsstufe und eines herkömmlichen Abwärtswandlers 610, und eine zweite Darstellung einer Anzahl von Fingern nf 630. Aus dem Vergleich der Abwärts-Effizienz 615 der adaptiven Ausgangsstufe zu herkömmlichem Abwärts 620. Die Darstellung 630 der Anzahl von Stufen für den adaptiven Ausgang zeigt die Änderungen von nf 635 als eine Funktion der Stromlast. Der herkömmliche Abwärtswandler 620 ist für den Fall einer festen Anzahl von Stufen (nf = 7). Eine signifikante Effizienzverbesserung kann bei geringem Laststrom beobachtet werden.
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Die 7A, 7B und 7C sind eine schematische Darstellung der Komponenten und idealen Elemente in Übereinstimmung mit dem ersten Ausführungsbeispiel der Offenbarung. Die 7A, 7B und 7C umfassen die Elemente, wie aufgezählt:
- (a) Stromerfassung und Steigungsrampe für den Abwärtswandler 710,
- (b) Fehlerverstärker- und Kompensationsnetzwerk 720,
- (c) SR-Logikgatter-Abwärts-SR_FF zum Erzeugen von Arbeitszyklus 730,
- (d) erste und zweite adaptive-Ausgangsstufe-Vor-Treiberlogik 740A und 740B und Vor-Treiber 745A und 745B. Der SR_FF-Ausgang wird in 8 NAND-Gatter zugeführt, die die aktiven PMOS-Treibertransistoren zusammen mit finger_sel-Decodiererblock (unter Verwendung von nf) auswählen,
- (e) erste und zweite Treibertransistoren 750A und 750B,
- (f) Induktor- und idealer-Strom-Erfassung 760,
- (g) Ausgangskondensator 770,
- (h) NGATE-Schaltnetzwerk 790A und 790B mit zwei Schaltern und zwei Widerstandselementen,
- (i) adaptiver Block 7010A und 7010B mit Induktorstromeingang und vdd-Eingang zum Vorsehen von Widerstandsleistung res_pow,
- (j) Schaltungsblock 7011A und 7011B, gefolgt von Block 7012A beziehungsweise 7012B
- (k) Vergleichsschaltungsblock 7013A und 7013B zum Vergleichen der Widerstandsleistung res_pow, und der Kondensatorleistung cap_pow und Taktsignal clk_cnt und ein Fingerauswahlblock.
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Die 8A, 8B und 8C sind schematische Darstellungen 800 in Übereinstimmung mit dem zweiten Ausführungsbeispiel eines synchronen Abwärtswandlers mit einem einzelnen Komparator. Die 8A, 8B und 8C zeigen ein Ausführungsbeispiel mit einem einzelnen Komparator, wobei kapazitive und resistive Verluste beider Durchlassvorrichtungen miteinander verglichen werden. Das adaptive Segment weist eine NMOS- und PMOS-Einheit-Durchlassvorrichtung auf. In diesem Ausführungsbeispiel wird der kapazitive Verluste für jeden Schaltzyklus für ein adaptives Segment sowie der resistive Verlust berechnet unter Verwendung: ΔV = D’ × ΔVPMOS + DΔVNMOS oder ΔV = Isense × (D’ × RPMOS + D × RNMOS)
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Die 8A, 8B und 8C bestehen aus den folgenden Blöcken
- (1) Schaltungsblock 810 und 820, deren Ausgang cap_pow ist;
- (2) Schaltungsblock 830 und 835, wobei der Schaltungsblock 830 ein Komparator ist, der Widerstandsleistung res_pow und Kapazitätsleistung cap_pow vergleicht;
- (3) Schaltungsblock 840, der konfiguriert ist zum Vorsehen von Signal Vramp und Vc_buck
- (4) Komparator 850, dessen Eingänge das Eingangssignal Vramp und das Referenzsignal Vc_buck vergleichen;
- (5) RS-Flip-Flop 852 und Logikblock 854, wobei der Eingang in den SR-Block Vreset und Vset ist, und Logikgatter 854 konfiguriert ist zum Bestimmen der Fingerauswahl
- (6) Vor-Treiberschaltungen 860A und 860B, die konfiguriert sind zum Vorsehen von Empfangssignalen von Logikblock 854, und Treiberschaltungselement einer Ausgangsstufe PMOS 865A und NMOS 865B, konfiguriert zum Empfangen von Signalen von den Vor-Treiberschaltungen 860A beziehungsweise 860B;
- (7) Schaltnetzwerk und Widerstand/Kondensatornetzwerk 870 zur Ausgabe einer Erfassungsspannung v_sense;
- (8) Widerstands- und Kondensator-Filterblock 880, der konfiguriert ist zum Evaluieren der Induktorstromkopie ILcopy und eines durchschnittlichen Induktorstromdurchschnitts IL_avg;
- (9) Widerstandsleistungevaluierungs-Logikblock 890, der konfiguriert ist zum Empfangen eines durchschnittlichen Induktorstroms IL_avg.
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9 beschreibt das Verfahren 900 in Übereinstimmung mit den Ausführungsbeispielen der Offenbarung. Ein Verfahren 900 zur Verbesserung einer Effizienz in einem Schaltwandler mit einer adaptiven Ausgangsstufe besteht aus den Schritten:
Ein erster Schritt 910 (a) zum Vorsehen eines Schaltwandlers, ein zweiter Schritt 920 (b) zum Evaluieren eines kapazitiven Leistungsverlusts, ein dritter Schritt 930 (c) zum Evaluieren eines resistiven Leistungsverlusts, ein vierter Schritt 940 (d) zum Vergleichen des kapazitiven Leistungsverlusts und des resistiven Leistungsverlusts, und ein fünfter Schritt 950 (e) zum Anpassen der Größe der Ausgangsstufe.
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Weiter umfasst das Verfahren ferner einen Schaltungsblock, dessen Ausgang eine kapazitive Leistung ist, einen Schaltungsblock, dessen Ausgang eine resistive Leistung ist, einen Komparator, ein Schaltungsblock zum Vorsehen des Signals Vramp und Vc_buck, einen Komparator zum Vergleichen des Eingangssignals Vramp und des Referenzsignals Vc_buck, einen RS-Flip-Flop, einen Fingerauswahllogikblock, eine Vor-Treiber-Schaltung, ein Treiberschaltungselement, ein Schaltnetzwerk, ein Spannungserfassungs-Widerstands/Kondensator-Netzwerk, einen Widerstands- und Kondensator-Filterblock. Zusätzlich ist der Widerstands- und Kondensator-Filterblock derart, um die Induktorstromkopie ILcopy und den durchschnittlichen Induktorstromdurchschnitt IL_avg zu evaluieren. Zusätzlich empfängt der resitive-Leistung-Evaluierungs-Logikblock einen durchschnittlichen Induktorstrom IL_avg.
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Das Verfahren des Ausführungsbeispiels einer adaptiven Ausgangsstufe ist auf alle Schaltwandler anwendbar (zum Beispiel Abwärts-, Abwärts-Aufwärts-Wandler und Aufwärtswandler). Als Abwärts-Aufwärts-Wandler, der vier Schalter verwendet, kann die Verbesserung signifikanter sein.
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Alternative Ausführungsbeispiele, die funktionell äquivalent sind, können implementiert werden. Komparator-Schaltungsblöcke können unterschiedlich implementiert werden, um eine schnellere Schaltungsreaktion vorzusehen. Die vorliegende Offenbarung ist nicht abhängig von dem Komparatorverhalten, außer von dem Vergleich der resistiven und kapazitiven Leistung.
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In der vorliegenden Implementierung, können Vor-Treiber-Schaltungen einen zusätzlichen kapazitiven Leistungsverlust erzeugen. Alternative Ausführungsbeispiele mit Korrekturfaktoren können in Schaltungsblöcke zum Erhöhen des geschätzten kapazitiven Verlusts implementiert werden.
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Darüber hinaus können alternative Ausführungsbeispiele eine PMOS-Treiberspannungs-Erfassung umfassen, wobei ΔV = Isense × RPMOS, wobei RPMOS ein kleineres Replikat eines PMOS-Durchlasstransistors ist.
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In dieser Offenbarung ist die Linearität des Ausgangszustands für die Funktionsfähigkeit nicht entscheidend. Die adaptiven Ausgangsstufensegmente müssen nicht linear sein, sondern können logarithmisch sein – oder jede Funktion, solange sie monoton ist.
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Das Ausführungsbeispiel in den 4A, 4B und 4C zeigt eine PMOS-Durchlassvorrichtung und eine Diode des Abwärtswandlers. Die Erfindung ist auch auf synchrone Schaltwandler anwendbar, wo sowohl NMOS- als auch PMOS-Durchlassvorrichtungen verwendet werden.
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Es sollte angemerkt werden, dass die Beschreibung und die Zeichnungen die Prinzipien der vorgeschlagenen Verfahren und Systeme lediglich veranschaulichen. Es ist somit offensichtlich, dass Fachleute auf dem Gebiet in der Lage sind, verschiedene Anordnungen zu entwickeln, die, obwohl hier nicht explizit beschrieben oder gezeigt, die Prinzipien der Erfindung verkörpern und in ihrem Sinn und Umfang aufgenommen sind. Weiter sind alle hier angeführten Beispiele hauptsächlich ausdrücklich nur für pädagogische Zwecke vorgesehen, um den Leser beim Verständnis der Prinzipien der vorgeschlagenen Verfahren und Systeme und der Konzepte zu unterstützen, die von den Erfindern zur Weiterentwicklung der Technik beigetragen werden, und sollen als ohne Einschränkung auf derartige spezifisch angeführte Beispiele und Bedingungen angesehen werden. Außerdem sollen alle hier gemachten Aussagen, die Prinzipien, Aspekte und Ausführungsbeispiele der Offenbarung rezitieren, sowie spezifische Beispiele davon, deren Äquivalente umfassen.
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Weitere Vorteile sind für Fachleute auf dem Gebiet offensichtlich. Die obige detaillierte Beschreibung der Offenbarung und die hier beschriebenen Beispiele wurde zum Zweck einer Veranschaulichung und Beschreibung präsentiert. Während die Prinzipien der Offenbarung oben in Verbindung mit einer spezifischen Vorrichtung beschrieben wurden, ist offensichtlich, dass diese Beschreibung nur beispielhaft ist und keine Einschränkung des Umfangs der Offenbarung.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- US 8618783 [0012]
- US 44587 E1 [0015]
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- IEEE Custom Integrated Circuits Conference von S. Kudva, S. Chaubey, und R. Harjani, mit dem Titel “High Power-Density Hybrid Inductive/Capacitive Converter with Area Reuse for Multi-domain DVS,” (September 2014) [0013]
- IEEE Custom Integrated Circuits Conference von R. Harjani und S. Chaubey, mit dem Titel “A Unified Framework for Capacitive Series-Parallel DC-DC Converter Design,” (September 2014) [0014]
- IEEE Power Electronics Letters, von S. Musunuri und P. Chapman, mit dem Titel “Improvement of Light-Load Efficiency Using Width-Switching Scheme for CMOS Transistors,” IEEE Power Electronics Letters, Vol. 3, S. 105–110 (September 2005) [0016]
- Journal of Solid State Circuits, von S. Kudva und R. Harjani, mit dem Titel “Fully-Integrated On-Chip DC-DC Converter With a 450X Output Range,” JSSC, Vol.46, Nr. 8, S. 1940–1951, August 2011 [0017]