DE102015107970A1 - Halbleitervorrichtungsgehäuse mit asymmetrischer Chipbefestigungsfläche und Anschlussbreiten - Google Patents

Halbleitervorrichtungsgehäuse mit asymmetrischer Chipbefestigungsfläche und Anschlussbreiten Download PDF

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Abstract

Ein Halbleitervorrichtungsgehäuse weist eine solide Metallbasis mit einer oberen Oberfläche und einer elektrisch leitfähigen Chipbefestigungsfläche auf der oberen Oberfläche auf. Ein erstes und ein zweites Paar von leitfähigen Anschlüssen sind an der Basis befestigt und erstrecken sich weg voneinander in entgegengesetzte Richtungen. Ein erster und ein zweiter Verstärker sind an der oberen Oberfläche befestigt und elektrisch mit dem ersten und dem zweiten Paar von Anschlüssen verbunden. Das erste Paar ist von dem zweiten Paar über einen horizontalen Spalt zwischen Innenkantenseiten der Anschlüsse getrennt. Eine Bezugslinie in dem horizontalen Spalt, der sich senkrecht zu den Kanten der Basis erstreckt, trennt die Chipbefestigungsfläche in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt. Eine Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts ist kleiner als eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts. Der erste und der zweite Anschluss weisen eine kleinere Breite auf als der dritte und der vierte Anschluss.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht den Vorteil und die Priorität der US Provisional Application Nr. 62/002,348, eingereicht am 23. Mai 2014. Der gesamte Inhalt der US Provisional Application ist hierin durch Bezugnahme aufgenommen.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen Halbleitervorrichtungsgehäuse und betrifft insbesondere eine Anpassung des Chipbefestigungsbereichs und der Anschlussbreite eines Vorrichtungsgehäuses an die unterschiedlichen Diegrößen eines mehrwegigen Verstärkers.
  • Halbleitergehäuse werden üblicherweise in integrierten Schaltungsanwendungen verwendet. Eine übliche Anordnung eines Halbleitervorrichtungsgehäuses weist ein Substrat auf, das als Kühlkörper und Deckel dient, der über dem Substrat platziert werden kann, so dass ein interner Hohlraum über dem Substrat gebildet wird. Integrierte Schaltungen, wie z.B. Halbleiterchips, und andere elektrische Bauteile, können innerhalb des Hohlraums platziert werden und elektrisch mit leitfähigen Anschlüssen verbunden werden, die sich von der Basis nach außen erstrecken. Die leitfähigen Anschlüsse ermöglichen eine elektrische Verbindung zwischen dem Gehäuse und einer Anschlussbuchse, wie z.B. einer gedruckten Leiterplatte. Deshalb ermöglicht die Anordnung im Gehäuse eine einfache elektrische Verbindung zwischen den Schaltungen mit externen Vorrichtungen, während sie gleichzeitig den Halbleiterchip und elektrische Verbindungen vor schädlichen Umwelteinflüssen, wie z.B. Feuchtigkeit, Partikeln etc., schützt.
  • Gehäuseentwickler versuchen unentwegt, Gehäuseausführungen zu verbessern. Eine relevante Ausführungsüberlegung ist die gesamte Grundfläche des Gehäuses. Eine Verringerung der gesamten Grundfläche des Gehäuses kann in vorteilhafter Weise die Größe und/oder Kosten des Teils verringern, das die Vorrichtung im Gehäuse enthält. Zwei Parameter, die wesentlich die gesamte Grundfläche des Gehäuses beeinflussen, sind die Größe des Substrats und die Größe der Anschlüsse. Das bedeutet, dass man die gesamte Grundfläche des Gehäuses durch Verringern der Größe dieser Merkmale verringern kann. Die Verringerung der Größe dieser Merkmale führt jedoch zu weiteren Erschwernissen bei der Ausführung. Das Substrat muss eine ausreichende Größe beibehalten, um die Die-Fläche der Halbleitervorrichtungen aufzunehmen. Ferner müssen die Anschlüsse eine ausreichende Querschnittsfläche beibehalten, um die elektrischen Ströme in Zusammenhang mit den elektrischen Vorrichtungen im Gehäuse aufzunehmen. Deshalb hemmen die physikalischen und elektrischen Anforderungen der Vorrichtungen in Gehäusen die Fähigkeit, die gesamte Grundfläche des Gehäuses zu verringern.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist ein Halbleitervorrichtungsgehäuse offenbart. Das Halbleitervorrichtungsgehäuse weist eine solide Metallbasis mit einer oberen Oberfläche und einer elektrisch leitfähigen Chipbefestigungsfläche auf der oberen Oberfläche auf. Ein erstes Paar von leitfähigen Anschlüssen ist an der Basis befestigt und ihr gegenüber isoliert. Das erste Paar weist einen ersten und zweiten Anschluss auf, die sich voneinander weg erstrecken, so dass sich der erste Anschluss seitlich über eine erste Kante der Basis hinaus erstreckt und sich der zweite Anschluss seitlich über eine zweite Kante der Basis gegenüber der ersten Kante hinaus erstreckt. Ein zweites Paar von leitfähigen Anschlüssen ist an der Basis befestigt und ihr gegenüber isoliert. Das zweite Paar weist einen dritten und vierten Anschluss auf, die sich voneinander weg erstrecken, so dass sich der dritte Anschluss seitlich über die erste Kante hinaus erstreckt und sich der vierte Anschluss seitlich über die zweite Kante hinaus erstreckt. Ein erster Verstärker ist an der oberen Oberfläche befestigt und weist ein erstes Anschlussstück, das elektrisch mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und ein zweites Anschlussstück auf, das elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist. Ein zweiter Verstärker ist an der oberen Oberfläche befestigt und weist ein erstes Anschlussstück, das elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden ist, und ein viertes Anschlussstück auf, das elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist. Das erste Paar ist von dem zweiten Paar über einen horizontalen Spalt zwischen Innenkantenseiten des ersten und des dritten Anschlusses und zwischen Innenkantenseiten des zweiten und des vierten Anschlusses getrennt. Eine Bezugslinie in dem horizontalen Spalt, der sich senkrecht zu der ersten und der zweiten Kante der Basis erstreckt, teilt die Chipbefestigungsfläche in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt. Eine Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts ist kleiner ist als eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts. Der erste und der zweite Anschluss weisen eine kleinere Breite auf als der dritte und der vierte Anschluss.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein Doherty-Verstärker im Gehäuse bereitgestellt. Der Verstärker weist eine solide Metallbasis mit einer oberen Oberfläche und einer elektrisch leitfähigen Chipbefestigungsfläche auf der oberen Oberfläche auf. Die Chipbefestigungsfläche ist in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt geteilt. Ein Haupt-Verstärker ist an der oberen Oberfläche innerhalb der ersten Fläche angebracht. Ein Peaking-Verstärker ist an der oberen Oberfläche innerhalb der zweiten Fläche angebracht. Ein erster und ein zweiter leitfähiger Anschluss sind elektrisch mit den Gate- und Drain-Anschlussstücken des Haupt-Verstärkers verbunden. Der erste und der zweite Anschluss erstrecken sich seitlich weg von der Basis in entgegengesetzte Richtungen. Der dritte und der vierte leitfähige Anschluss sind elektrisch mit den Gate- und Drain-Anschlussstücken des Peaking-Verstärkers verbunden. Der dritte und der vierte Anschluss erstrecken sich seitlich weg von der Basis in entgegengesetzte Richtungen. Eine Die-Fläche des Haupt-Verstärkers ist kleiner als eine Die-Fläche des Peaking-Verstärkers. Eine Diebreite des Haupt-Verstärkers ist geringer als eine Diebreite des Peaking-Verstärkers. Eine Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts entspricht der Die-Fläche des Haupt-Verstärkers und eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts entspricht der Die-Fläche des Peaking-Verstärkers. Eine Breite des ersten und des zweiten Anschlusses entspricht der Diebreite des Hauptverstärkers und eine Breite des dritten und des vierten Anschlusses entspricht der Diebreite des Peaking-Verstärkers.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist ein RF-Leistungsverstärker im Gehäuse bereitgestellt. Der Verstärker weist eine solide Metallbasis mit einer oberen Oberfläche und einer elektrisch leitfähigen Chipbefestigungsfläche auf der oberen Oberfläche auf. Die Chipbefestigungsfläche ist in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt geteilt. Ein erster Verstärker ist an der oberen Oberfläche innerhalb der ersten Fläche angebracht. Ein zweiter Verstärker ist an der oberen Oberfläche innerhalb der zweiten Fläche angebracht. Ein erster und ein zweiter leitfähiger Anschluss sind elektrisch mit Gate- und Drain-Anschlussstücken des ersten Verstärkers verbunden. Der erste und der zweite Anschluss erstrecken sich seitlich weg von der Basis in entgegengesetzte Richtungen. Ein dritter und ein vierter leitfähiger Anschluss sind elektrisch mit Gate- und Drain-Anschlussstücken des zweiten Verstärkers verbunden. Der dritte und der vierte Anschluss erstrecken sich seitlich weg von der Basis in entgegengesetzte Richtungen. Eine Die-Fläche des ersten Verstärkers ist kleiner als eine Die-Fläche des zweiten Verstärkers. Eine Diebreite des ersten Verstärkers ist geringer als eine Diebreite des zweiten Verstärkers. Eine Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts entspricht der Die-Fläche des ersten Verstärkers und eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts entspricht der Die-Fläche des zweiten Verstärkers. Eine Breite des ersten und des zweiten Anschlusses entspricht der Diebreite des ersten Verstärkers und eine Breite des dritten und des vierten Anschlusses entspricht der Diebreite des zweiten Verstärkers.
  • Fachmänner erkennen zusätzliche Merkmale und Vorteile beim Lesen der nachfolgenden detaillierten Beschreibung und bei Durchsicht der zugehörigen Zeichnungen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu relativ zueinander. Gleiche Bezugsziffern kennzeichnen entsprechende ähnliche Teile. Die Merkmale der unterschiedlichen dargestellten Ausführungsformen können kombiniert werden, es sei denn sie schließen einander aus. Ausführungsformen sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachstehenden Beschreibung genau beschrieben.
  • 1 zeigt eine perspektivische Ansicht von oben nach unten eines Halbleitervorrichtungsgehäuses, das elektrisch mit einem mehrwegigen Verstärker verbunden ist, gemäß einer Ausführungsform.
  • 2, die 2A und 2B aufweist, zeigt eine perspektivische Ansicht von oben nach unten und eine perspektivische Seitenansicht des Halbleitervorrichtungsgehäuses mit einem Deckel, der an der Oberfläche angebracht ist, so dass er einen Innenhohlraum über dem mehrwegigen Verstärker bereitstellt, gemäß einer Ausführungsform.
  • Hierin beschriebene Ausführungsformen stellen ein Halbleitergehäuse dar, das dazu verwendet werden kann, effizient zwei oder mehr integrierte Schaltungen mit einer wesentlichen Differenz bei Flächenverbrauchs- und/oder Stromführungsanforderungen aufzunehmen. Ein Beispiel für eine derartige Anordnung ist ein Doherty-Verstärker, der ein mehrwegiger Verstärker ist. Eine Doherty-Verstärkerkonfiguration weist einen Peaking-Verstärker und einen Haupt-Verstärker auf. Bei niedrigeren Leistungsbetriebsbereichen ist der Haupt-Verstärker in Betrieb, während der Peaking-Verstärker abgeschaltet ist. Über einer bestimmten Leistungsschwelle wird der Peaking-Verstärker in Betrieb genommen. Wenn die beiden Verstärker in unterschiedlichen Leistungsbereichen betrieben werden, gibt es typischerweise eine Differenz bei der Chipfläche zwischen dem Haupt- und dem Peaking-Verstärker. Beispielsweise kann die Chipfläche des Peaking-Verstärkers zweimal so groß sein wie der Haupt-Verstärker. Ferner kann die Differenz bei den Leistungsbereichen zu unterschiedlichen Stromanforderungen zwischen den beiden Verstärkern führen. Deshalb kann die optimale Anschlussgröße für einen der Verstärker geringer als optimal für den anderen Verstärker sein.
  • Günstig ist, dass die hierin beschriebenen Ausführungsformen ein Halbleitergehäuse bereitstellen, das die Die-Befestigungsfläche und die Anschlussgrößen in Proportion zu den Flächenverbrauchs- und Stromführungsanforderungen von zwei unterschiedlichen integrierten Schaltungen asymmetrisch zuteilt. Das bedeutet, dass die Die-Befestigungsfläche und die Anschlussgröße für die beiden integrierten Schaltungen nicht identisch sind. In einem Doherty-Verstärker, der einen Peaking-Verstärker aufweist, der größer als der Haupt-Verstärker ist, sind beispielsweise die Die-Befestigungsfläche und die Anschlussgrößen unterschiedlich, und entsprechen den jeweiligen Anforderungen des Peaking- und des Haupt-Verstärkers. Somit kann die gesamte Grundfläche des Doherty-Verstärkers im Gehäuse verglichen mit Ausführungen im Gehäuse verringert werden, die die Die-Befestigungsfläche und die Anschlussgrößen ohne Rücksicht auf die Dimensionen unterschiedlich bemessener Verstärker symmetrisch zuteilen.
  • In Bezug auf 1 ist eine Ausführungsform eines Halbleitervorrichtungsgehäuses 100 dargestellt. Das Gehäuse 100 weist eine solide Metallbasis 102 auf, die eine obere Oberfläche 104 aufweist. Die solide Metallbasis 102 kann aus Kupfer, Aluminium und ähnlichen Materialien gebildet sein, die eine Wärmeleitung bereitstellen. Gemäß einer Ausführungsform ist die solide Metallbasis 102 als Kühlkörper ausgestaltet, so dass Wärme weg von den Vorrichtungen, die auf der oberen Oberfläche 104 angeordnet sind, abgeleitet wird. Alternativ kann die solide Metallbasis 102 aus einem wärmedämmenden Material gebildet sein. Eine elektrisch leitfähige Chipbefestigungsfläche 106 ist auf der oberen Oberfläche 104 gebildet. Die elektrisch leitfähige Chipbefestigungsfläche 106 kann aus einem elektrisch leitfähigen Material, wie z.B. Kupfer, Aluminium und dergleichen, gebildet sein.
  • Das erste und das zweite Paar 108, 110 von Anschlüssen erstreckt sich seitlich weg von dem Gehäuse 100. Eine seitliche Richtung bezieht sich auf eine Richtung parallel zur oberen Oberfläche 104. Das Gehäuse 100 kann auf einer Anschlussbuchse, wie z.B. einer gedruckten Leiterplatte, positioniert sein, so dass die obere Oberfläche 104 von der Anschlussbuchse in vertikaler Richtung getrennt ist, die senkrecht zur seitlichen Richtung ist. Die Anschlüsse erstrecken sich seitlich weg von der Basis 102, um eine elektrische Verbindung mit der Anschlussbuchse zu ermöglichen.
  • Das erste Paar 108 weist einen ersten und zweiten Anschluss 112, 114 auf, die sich voneinander weg erstrecken, so dass sich der erste Anschluss 112 seitlich über eine erste Kante 116 der Basis 102 hinaus erstreckt und sich der zweite Anschluss 114 seitlich über eine zweite Kante 118 der Basis gegenüber der ersten Kante 116 hinaus erstreckt. Auf ähnliche Weise weist das zweite Paar 110 einen dritten und einen vierten Anschluss 120, 122 auf, die sich weg voneinander erstrecken, so dass sich der dritte Anschluss 120 seitlich über die erste Kante 116 hinaus erstreckt und sich der vierte Anschluss 122 seitlich über die zweite Kante 118 hinaus erstreckt. Das erste und das zweite Paar 108, 110 grenzen aneinander an. Das bedeutet, dass das Halbleitervorrichtungsgehäuse 100 mit wenigstens vier Anschlüssen ausgestaltet ist, wobei sich der erste und der dritte Anschluss 112, 120 weg von der Basis 102 in entgegengesetzte Richtung wie der zweite und der vierte Anschluss 114, 122 erstrecken. 1 stellt zusätzlich zwei zusätzliche Anschlüsse 124, 126 dar, die sich weg von dem Gehäuse 100 erstrecken. Diese zusätzlichen Anschlüsse 124, 126 können zur Bereitstellung eines Gleichstrom-Signals für die auf der Chipbefestigungsfläche 106 angebrachten Vorrichtungen verwendet werden. Optional können die Anschlüsse 124, 126 mit Leitern verbunden sein, die sich entlang der oberen Oberfläche 104 nahe einer Seite der Chipbefestigungsfläche 106 erstrecken, um die Distanz der elektrischen Verbindung zwischen dem Gleichstrom-Signal und den Vorrichtungen zu minimieren. Die Anschlüsse 124, 126 sind optional und das Gehäuse 100 kann ohne sie bereitgestellt sein.
  • Jeder der Anschlüsse 112, 114, 120 und 122 des ersten und zweiten Paars 108, 110 ist an der Basis 102 befestigt und ihr gegenüber isoliert. Gemäß einer Ausführungsform ist ein Isolierfilm 128 auf der oberen Oberfläche 104 in Bereichen außerhalb der Chipbefestigungsfläche 106 bereitgestellt. Der erste, zweite, dritte und vierte Anschluss 112, 114, 120 und 122 können an den Isolierfilm 128 angrenzen und gegenüber der Chipbefestigungsfläche 106 isoliert sein.
  • Das erste und das zweite Paar 108, 110 von Anschlüssen kann als Bezugspunkt zur Teilung der Chipbefestigungsfläche 106 in zwei erkennbare Befestigungsabschnitte verwendet werden. Das erste und das zweite Paar 108, 110 sind so angeordnet, dass elektrische Bauteile dazwischen platziert und mit den gegenüberliegenden Anschlüssen (112 und 114 oder 120 und 122) elektrisch verbunden sein können. Eine Bezugslinie 130 kann zwischen dem ersten und dem zweiten Paar 108, 110 gezogen werden, die den Chipbefestigungsbereich 106 in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt 132, 134 teilt. Wie in 1 dargestellt, erstreckt sich die Bezugslinie 130 entlang der seitlichen Richtung senkrecht zur ersten und zweiten Kante 116, 118 der Basis 102. Die Bezugslinie 130 liegt in einem horizontalen Spalt 136, der das erste Paar 108 vom zweiten Paar 110 trennt. Der horizontale Spalt 136 liegt zwischen Innenkantenseiten 138 des ersten und dritten Anschlusses 112, 120 und zwischen Innenkantenseiten 138 des zweiten und vierten Anschlusses 114, 122. Deshalb stellt die gesamte Chipbefestigungsfläche 106 auf der linken Seite der Bezugslinie 130 (aus der Perspektive von 1) den ersten Befestigungsabschnitt 132 dar. Die gesamte Chipbefestigungsfläche 106 auf der rechten Seite der Bezugslinie 130 (aus der Perspektive von 1) stellt den zweiten Befestigungsabschnitt 134 dar.
  • Der erste und der zweite Chipbefestigungsabschnitt 132, 134 weisen unterschiedliche Abmessungen auf, so dass sie unterschiedlich bemessene elektrische Vorrichtungen zwischen den gegenüberliegenden Anschlüssen (112 und 114 oder 120 und 122) auf platzsparende Weise aufnehmen. Der erste und der zweite Anschluss 112, 114 weisen ferner andere Abmessungen auf als der dritte und der vierte Anschluss 120, 122. Diese Differenz ermöglicht, dass jedes Paar 108, 110 von Anschlüssen physikalisch mit den Vorrichtungen fluchtet, mit welchen die Anschlüsse 112, 114, 120, 122 verbunden sind, und ermöglicht, dass jedes Paar 108, 110 von Anschlüssen eine Stromführungskapazität aufweist, die proportional zu den Abmessungen der unterschiedlich bemessenen elektrischen Vorrichtungen ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132 kleiner als eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts 134. Ferner weisen der erste und der zweite Anschluss 112, 114 eine geringere Breite auf als der dritte und der vierte Anschluss 120, 122. Die Breite der Anschlüsse wird als maximale Trenndistanz zwischen einer Innenkantenseite 138 und einer Außenkantenseite 140 in einer Richtung senkrecht zur Bezugslinie 130 gemessen. Alternativ kann die Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132 größer sein als die Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts 134, und der erste und der zweite Anschluss 112, 114 können eine größere Breite als der dritte und der vierte Anschluss 120, 122 aufweisen.
  • 1 zeigt ferner einen ersten und einen zweiten Verstärker 142, 144, die an der oberen Oberfläche 104 in der Chipbefestigungsfläche 106 befestigt sind. Der erste Verstärker 142 weist ein erstes Anschlussstück 146 auf, das mit dem ersten Anschluss 112 elektrisch verbunden ist, und ein zweites Anschlussstück 148, das mit dem zweiten Anschluss 114 elektrisch verbunden ist. In gleicher Weise weist der zweite Verstärker 144 ein erstes Anschlussstück 150 auf, das mit dem dritten Anschluss 120 elektrisch verbunden ist, und ein zweites Anschlussstück 152, das mit dem zweiten Anschluss 122 elektrisch verbunden ist. Elektrisch verbunden bezieht sich auf eine direkte elektrische Verbindung zwischen den beiden Anschlussstücken, ohne ein dazwischenliegendes Bauteil, das den Stromfluss in beide Richtungen stört. Der erste Verstärker 142 kann vollständig innerhalb des ersten Befestigungsabschnitts 132 angeordnet sein. Das bedeutet, dass sich kein Teil des ersten Verstärkers 142 in den zweiten Befestigungsabschnitt 134 erstreckt. In ähnlicher Weise kann der zweite Verstärker 146 vollständig innerhalb des zweiten Befestigungsabschnitts 134 angeordnet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform sind der erste und der zweite Verstärker 142, 144 als RF-(Funkfrequenz-)Leistungsverstärker ausgestaltet. Beispielsweise können der erste und zweite Verstärker 142, 144 als Doherty-Verstärker ausgestaltet sein, wobei der erste Verstärker 142 der Haupt-Verstärker ist und wobei der zweite Verstärker 144 der Peaking-Verstärker ist. Der Haupt-Verstärker kann aus einem ersten Die 154 gebildet sein und der Peaking-Verstärker kann aus einem zweiten und dritten Die 156, 158 gebildet sein. Das bedeutet, dass der Peaking-Verstärker aus zwei Die 156, 158 mit gemeinsamen Eingangs-/Ausgangs-Verbindungen gebildet sein kann. Das Gehäuse 100 kann die Die 154, 156, 158 in einer Konfiguration mit der Source nach unten aufnehmen. Gemäß einer Ausführungsform umfasst jeweils das erste, das zweite und das dritte Die 154, 156, 158 Source-Anschlussstücke auf einer unteren Seite, die mit der Chipbefestigungsfläche 106 elektrisch verbunden sind. Das bedeutet, dass die Chipbefestigungsfläche 106 ein gemeinsames Source-Anschlussstück bilden kann, das mit allen Die 154, 156, 158 im Doherty-Verstärker elektrisch verbunden ist. Ein Gate-Anschlussstück des ersten Dies 154, das das zweite Anschlussstück 148 sein kann, kann mit dem zweiten Anschluss 114 elektrisch verbunden sein, und ein Drain-Anschlussstück des ersten Dies 154, das das erste Anschlussstück 146 sein kann, kann mit dem ersten Anschluss 112 elektrisch verbunden sein. Gate-Anschlussstücke des zweiten und dritten Dies 156, 158, die das zweite Anschlussstück 152 sein können, können mit dem vierten Anschluss 122 elektrisch verbunden sein, und Drain-Anschlussstücke des zweiten und dritten Dies 156, 158, die das erste Anschlussstück 150 sein können, können mit dem dritten Anschluss 120 elektrisch verbunden sein.
  • Wie aus 1 ersichtlich ist, ist eine Die-Fläche des ersten Verstärkers 142 (d.h. des Haupt-Verstärkers) kleiner als eine Die-Fläche des zweiten Verstärkers 144 (d.h. des Peaking-Verstärkers). Gemäß einer Ausführungsform sind jeweils das erste, zweite und dritte Die 154, 156, 158 im Wesentlichen gleich groß, so dass ein Verhältnis zwischen der gesamten Die-Fläche des Peaking-Verstärkers und dem Haupt-Verstärker ungefähr 2 zu 1 beträgt. Das bedeutet, dass die Menge an Befestigungsplatz, die gemeinsam von dem zweiten und dritten Die 156, 158 benötigt wird, ungefähr zwei Mal so groß ist wie der Befestigungsplatz, der von dem ersten Die 154 benötigt wird. Alternativ dazu kann der Peaking-Verstärker aus einem einzelnen Die gebildet sein, das eine andere Größe aufweist als das erste Die 154 des Haupt-Verstärkers. Das führt zu einer ähnlichen Diskrepanz bei der Die-Fläche zwischen dem Peaking- und dem Haupt-Verstärker. Das Verhältnis zwischen der gesamten Die-Fläche des Peaking- und des Haupt-Verstärkers kann abhängig von Anwendungsanforderungen schwanken. Ferner kann der Haupt-Verstärker eine größere Die-Fläche benötigen als der Peaking-Verstärker. Das bedeutet, dass das Verhältnis zwischen der gesamten Die-Fläche des Peaking-Verstärkers und des Haupt-Verstärkers ungefähr 1 zu 2 betragen kann.
  • Gemäß einer Ausführungsform entspricht die Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132 der Die-Fläche des Haupt-Verstärkers und die Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts 134 entspricht der Die-Fläche des Peaking-Verstärkers. Wie hierin verwendet, beschreibt der Begriff "entsprechen" ein direktes Verhältnis zwischen den Abmessungen der beiden Teile. Beispielsweise kann die Die-Fläche des Haupt-Verstärkers der Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132 mit einem Verhältnis von 1 zu 4 zugeordnet werden. Die Breite des Haupt-Verstärkers kann ungefähr so groß sein wie die Breite des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132, wohingegen die Höhe des Haupt-Verstärkers ungefähr vier Mal geringer sein kann als die Höhe des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132. Wenn ein größerer Haupt-Verstärker benötigt wird, kann das Verhältnis von 1 zu 4 durch proportionales Vergrößern der Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132 (z.B. durch Vergrößern der Breite) erhalten werden. Andere Entsprechungsverhältnisse sind möglich, vorausgesetzt dass es eine Abhängigkeit zwischen den Abmessungen der Teile gibt.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist ein Verhältnis zwischen der Fläche des zweiten und des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132, 134 identisch mit einem Verhältnis zwischen der Fläche des Haupt- und des Peaking-Verstärkers, oder kommt diesem wesentlich nahe. Beispielsweise können jeweils das erste, zweite und dritte Die 154, 156, 158 im Wesentlichen eine identische Größe aufweisen, so dass ein Verhältnis zwischen der gesamten Die-Fläche des Peaking- und des Haupt-Verstärkers ungefähr 2 zu 1 beträgt. Gleichermaßen kann ein Verhältnis zwischen der Fläche des zweiten und des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132, 134 ungefähr 2 zu 1 betragen.
  • Gemäß einer Ausführungsform entspricht die Breite des ersten und zweiten Anschlusses 112, 114 der Diebreite des Haupt-Verstärkers. Ferner kann die Breite des dritten und vierten Anschlusses 120, 122 der Diebreite des Peaking-Verstärkers entsprechen. Die Diebreite des Haupt-Verstärkers kann geringer als eine Diebreite des Peaking-Verstärkers sein. Gemäß einer Ausführungsform entspricht die Diebreite des Haupt-Verstärkers einer Breite des ersten Dies 154 und die Diebreite des Peaking-Verstärkers entspricht einer kollektiven Breite des zweiten und des dritten Dies 156, 158.
  • Ferner kann das Verhältnis der Anschlussbreiten identisch mit dem Verhältnis der Diebreiten sein oder diesem entsprechen. Dieses Verhältnis setzt voraus, dass beide Anschlüsse 112, 114 und 120, 122 in jedem Paar 108, 110 identische Breiten in Bezug aufeinander aufweisen. Falls das erste, zweite und dritte Die im Wesentlichen identische Abmessungen aufweisen, beträgt das Verhältnis der Diebreite des Peaking-Verstärkers zur Diebreite des Haupt-Verstärkers ungefähr 2 zu 1. Gleichermaßen beträgt das Verhältnis der Breite des dritten und vierten Anschlusses 120, 122 zur Breite des ersten und zweiten Anschlusses 112, 114 ungefähr 2 zu 1.
  • In vorteilhafter Weise stellt die zuvor beschriebene Anpassung der Anschlussbreite und der Chipbefestigungsfläche 106 ein Halbleitergehäuse 100 bereit, das an die Abmessungen der unterschiedlich bemessenen Verstärker 142, 144 angepasst ist. Aufgrund der einander entsprechenden Verhältnisse kann die Chipbefestigungsfläche 106 auf eine minimale Größe verringert werden, da es keinen verschwendeten Platz in dem ersten und dem zweiten Chipbefestigungsabschnitt 132, 134 gibt. Ferner kann die Größe der Anschlüsse optimiert werden, da die breiteren Anschlüsse (z.B. 120 und 122) für den Verstärker mit den höheren Leistungsanforderungen bereitgestellt sind, wohingegen die schmäleren Anschlüsse (z.B. 112 und 114) für den Verstärker mit den geringeren Leistungsanforderungen bereitgestellt sind. Infolgedessen kann die gesamte Grundfläche der Vorrichtung im Gehäuse verringert werden.
  • Zusätzlich zu den Halbleiter Die 154, 156, 158, weist das in 1 dargestellte Gehäuse 100 Eingangs- und Ausgangs-Anpassungsnetzwerke auf. Insbesondere ist ein erstes Eingangs-Anpassungsnetzwerk 160 elektrisch mit dem Gate-Anschlussstück 148 des ersten Dies 154 verbunden und ein zweites Eingangs-Anpassungsnetzwerk 162 ist elektrisch mit den Gate-Anschlussstücken 152 des zweiten und dritten Dies 156, 158 verbunden. Das erste Eingangs-Anpassungsnetzwerk 160 kann aus einem ersten Kondensator 166 gebildet sein, der elektrisch mit dem zweiten Anschluss 114 und dem Gate-Anschlussstück 148 des ersten Dies verbunden ist. In ähnlicher Weise kann das zweite Eingangs-Anpassungsnetzwerk 162 aus einem zweiten und dritten Kondensator 168, 170 gebildet sein, die elektrisch mit dem vierten Anschluss 122 und den Gate-Anschlussstücken 152 des zweiten und dritten Dies 156, 158 verbunden sind. Ein erstes Ausgangs-Anpassungsnetzwerk 164 ist elektrisch mit dem Drain-Anschlussstück 146 des ersten Dies 154 verbunden und ein zweites Ausgangs-Anpassungsnetzwerk 172 ist elektrisch mit den Drain-Anschlussstücken 150 des zweiten und dritten Dies 156, 158 verbunden.
  • Das erste Eingangs-Anpassungsnetzwerk 160 und das erste Ausgangs-Anpassungsnetzwerk 164 können vollständig innerhalb des ersten Chipbefestigungsabschnitts 132 angeordnet sein und das zweite Eingangs-Anpassungsnetzwerk 162 und das zweite Ausgangs-Anpassungsnetzwerk 172 können vollständig innerhalb des zweiten Chipbefestigungsabschnitts 134 angeordnet sein. Die Abmessungen von Elementen in den Eingangs-Anpassungsnetzwerken 160, 162 (z.B. des ersten, zweiten und dritten Kondensators 166, 168, 170) können mit den Abmessungen des ersten und zweiten Verstärkers 142, 144 korrelieren. Deshalb können die Vorteile der oben beschriebenen Zusammenhänge zwischen den Abmessungen der Chipbefestigungsabschnitte 132, 134 und der Anschlussbreiten mit den Abmessungen des ersten und zweiten Verstärkers 142, 144 erhalten bleiben.
  • Die hierin beschriebenen elektrischen Verbindungen können von Kupferleitungen bereitgestellt sein. Gemäß einer Ausführungsform sind die elektrischen Verbindungen zwischen dem ersten und dem zweiten Eingangs-Anpassungsnetzwerk 160, 162, dem ersten und dem zweiten Ausgangs-Anpassungsnetzwerk 164, 172 und den jeweiligen Gate- und Drain-Anschlussstücken 146, 148, 150, 152 des ersten, zweiten und dritten Dies 154, 156, 158 aus Anschlussdrähten gebildet. Die Anschlussdrähte 174 können als Induktoren ausgestaltet sein, die die erforderliche Induktivität des Eingangs- und Ausgangs-Anpassungsnetzwerks 160, 162, 164, 172 bereitstellen.
  • In Bezug auf 2 ist das Halbleitergehäuse 100 mit einem Deckel 176 dargestellt, der an die obere Oberfläche 104 angrenzt. 2A stellt das Gehäuse 100 in einer Perspektive von oben nach unten dar und 2B stellt das Gehäuse 100 in einer Seitenansichtsperspektive dar. Der Deckel 176 stellt einen Innenhohlraum bereit, der die elektrischen Verbindungen umgibt und schützt. Der Innenhohlraum kann unbefüllt (d.h. luftgefüllt) bleiben oder kann optional mit einer gemeinhin bekannten Gießmasse gefüllt sein, die die Vorrichtungen isoliert und schützt. Das erste, zweite und dritte Die 154, 156, 158, das erste und zweite Eingangs- und Ausgangs-Anpassungsnetzwerk 160, 162, 164, 172 und die Anschlussdrähte 174 sind innerhalb des Innenhohlraums angeordnet und von dem Deckel 176 abgedeckt. Das bedeutet, dass das in 2 dargestellte Halbleitergehäuse 100 nicht ein Formgehäuse mit einem geformten Kunststoffmaterial angrenzend an die Vorrichtungen ist.
  • Der Begriff "im Wesentlichen" umfasst Verhältnisse oder physikalische Merkmale der Elemente, die sowohl exakt in Übereinstimmung mit der Anforderung sind, sowie leichte Abweichungen von den Anforderungen, aufgrund von Prozessschwankungen, Anordnungen und anderen Faktoren, die eine Abweichung vom Ideal verursachen können. Der Begriff "ungefähr" umfasst Verhältnisse oder physikalische Merkmale der Elemente, die dem Wert nahe kommen, jedoch nicht unbedingt genau denselben Wert aufweisen, so dass jemand mit durchschnittlichen Fertigkeiten die hierin beschriebenen Elemente gemäß den hierin beschriebenen Funktionen und Spezifikationen verwenden könnte.
  • Räumlich relative Begriffe, wie "unter", "darunter", "niedriger", "über", "obere" und dergleichen, werden zur Vereinfachung der Beschreibung verwendet, um die Positionierung eines Elements relativ zu einem zweiten Element zu erklären. Diese Begriffe dienen dazu, unterschiedliche Ausrichtungen der Vorrichtung zusätzlich zu anderen als in den Figuren dargestellten Ausrichtungen zu umfassen. Ferner werden Begriffe, wie "erstes", "zweites", und dergleichen, auch zur Beschreibung verschiedener Elemente, Bereiche, Abschnitte, etc. verwendet und dienen auch nicht zur Einschränkung. Gleiche Begriffe beziehen sich in der ganzen Beschreibung auf gleiche Elemente.
  • Wie hierin verwendet, sind die Begriffe "aufweisend," "enthaltend", "einschließend" und "umfassend" und dergleichen offene Begriffe, die das Vorhandensein von genannten Elementen oder Merkmalen anzeigen, jedoch keine zusätzlichen Elemente oder Merkmale ausschließen. Die Artikel "ein" "eine", etc., und "der/die/das" dienen dazu, den Plural sowie den Singular einzuschließen, sofern der Kontext nicht klar Gegenteiliges angibt.
  • Es ist zu verstehen, dass die Merkmale der hierin beschriebenen unterschiedlichen Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht ausdrücklich das Gegenteil angegeben ist.
  • Obwohl bestimmte Ausführungsformen hierin dargestellt und beschrieben worden sind, ist von Personen mit durchschnittlichen Fertigkeiten anzuerkennen, dass eine Vielzahl alternativer und/oder äquivalenter Umsetzungen die bestimmten dargestellten und beschriebenen Ausführungsformen ersetzen kann, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Diese Anmeldung soll jegliche Anpassungen oder Variationen der bestimmten hierin erörterten Ausführungsformen abdecken. Daher soll diese Erfindung lediglich von den Ansprüchen und ihren Äquivalenten beschränkt sein.

Claims (16)

  1. Halbleitervorrichtungsgehäuse, das Folgendes aufweist: eine stabile Metallbasis, die eine obere Oberfläche aufweist; eine elektrisch leitfähige Chipbefestigungsfläche auf der oberen Oberfläche; ein erstes Paar von leitfähigen Anschlüssen, das an der Basis befestigt und ihr gegenüber isoliert ist, wobei das erste Paar einen ersten und zweiten Anschluss aufweist, die sich voneinander weg erstrecken, so dass sich der erste Anschluss seitlich über eine erste Kante der Basis hinaus erstreckt und der zweite Anschluss seitlich über eine zweite Kante der Basis gegenüber der ersten Kante hinaus erstreckt; ein zweites Paar von leitfähigen Anschlüssen, das an der Basis befestigt und ihr gegenüber isoliert ist, wobei das zweite Paar einen dritten und vierten Anschluss aufweist, die sich voneinander weg erstrecken, so dass sich der dritte Anschluss seitlich über die erste Kante hinaus erstreckt und sich der vierte Anschluss seitlich über die zweite Kante hinaus erstreckt; einen ersten Verstärker, der an der oberen Oberfläche befestigt ist und ein erstes Anschlussstück, das elektrisch mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und ein zweites Anschlussstück aufweist, das elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist; und einen zweiten Verstärker, der an der oberen Oberfläche befestigt ist und ein erstes Anschlussstück, das elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden ist, und ein zweites Anschlussstück aufweist, das elektrisch mit dem vierten Anschluss verbunden ist, wobei das erste Paar von dem zweiten Paar über einen horizontalen Spalt zwischen Innenkantenseiten des ersten und des dritten Anschlusses und zwischen Innenkantenseiten des zweiten und des vierten Anschlusses getrennt ist, wobei eine Bezugslinie in dem horizontalen Spalt, der sich senkrecht zu der ersten und der zweiten Kante der Basis erstreckt, die Chipbefestigungsfläche in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt teilt, wobei eine Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts kleiner ist als eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts, und wobei der erste und der zweite Anschluss eine geringere Breite aufweisen als der dritte und der vierte Anschluss.
  2. Halbleitervorrichtungsgehäuse nach Anspruch 1, wobei der erste und der zweite Verstärker als RF-Leistungsverstärker ausgestaltet sind.
  3. Halbleitervorrichtungsgehäuse nach Anspruch 2, wobei der erste und der zweite Verstärker als Doherty-Verstärker ausgestaltet sind, wobei der erste Verstärker ein Haupt-Verstärker ist und wobei der zweite Verstärker ein Peaking-Verstärker ist.
  4. Halbleitervorrichtungsgehäuse nach Anspruch 3, wobei der Haupt-Verstärker ein erstes Die aufweist, das innerhalb des ersten Chipbefestigungsabschnitts angeordnet ist, und wobei der Peaking-Verstärker ein zweites und ein drittes Die aufweist, die innerhalb des zweiten Chipbefestigungsabschnitts angeordnet sind.
  5. Halbleitervorrichtungsgehäuse nach Anspruch 4, wobei jeweils das erste, zweite und dritte Die Source-Anschlussstücke umfassen, die elektrisch mit der Chipbefestigungsfläche verbunden sind, wobei das erste Die ein Gate-Anschlussstück aufweist, das elektrisch mit dem zweiten Anschluss verbunden ist, und ein Drain-Anschlussstück, das elektrisch mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und wobei das zweite und das dritte Die Gate-Anschlussstücke umfassen, die elektrisch mit dem vierten Anschluss verbunden sind, und Drain-Anschlussstücke, die elektrisch mit dem dritten Anschluss verbunden sind.
  6. Halbleitervorrichtungsgehäuse nach Anspruch 5, das ferner Folgendes aufweist: ein erstes Eingangs-Anpassungsnetzwerk, das elektrisch mit dem Gate-Anschlussstück des ersten Dies verbunden ist; ein zweites Eingangs-Anpassungsnetzwerk, das elektrisch mit den Gate-Anschlussstücken des zweiten und dritten Dies verbunden ist; ein erstes Ausgangs-Anpassungsnetzwerk, das elektrisch mit dem Drain-Anschlussstück des ersten Dies verbunden ist; und ein zweites Ausgangs-Anpassungsnetzwerk, das elektrisch mit den Drain-Anschlussstücken des zweiten und dritten Dies verbunden ist.
  7. Halbleitervorrichtungsgehäuse nach Anspruch 6, wobei das erste Eingangs-Anpassungsnetzwerk einen ersten Kondensator aufweist, der elektrisch mit dem zweiten Anschluss und mit dem Gate-Anschlussstück des ersten Dies verbunden ist, und wobei das zweite Eingangs-Anpassungsnetzwerk einen zweiten und einen dritten Kondensator aufweist, die elektrisch mit dem vierten Anschluss und den Gate-Anschlussstücken des zweiten und dritten Dies verbunden sind.
  8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, wobei die elektrischen Verbindungen zwischen dem ersten und zweiten Eingangs-Anpassungsnetzwerk und den jeweiligen Gate- und Drain-Anschlussstücken des ersten, zweiten und dritten Dies Anschlussdrähte umfassen.
  9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 8, die ferner einen Deckel aufweist, der an die obere Oberfläche angrenzt, so dass ein Innenhohlraum über der Chipbefestigungsfläche bereitgestellt wird, wobei das erste und das zweite Eingangs- und Ausgangs-Anpassungsnetzwerk und die Anschlussdrähte innerhalb des Innenhohlraums angeordnet sind.
  10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, wobei jeweils das erste, zweite und dritte Die im Wesentlichen dieselbe Größe aufweisen, so dass ein Verhältnis zwischen der gesamten Die-Fläche des Peaking-Verstärkers und der gesamten Die-Fläche des Haupt-Verstärkers ungefähr 2 zu 1 beträgt, und so dass ein Verhältnis zwischen der Fläche des zweiten und des ersten Chipbefestigungsabschnitts ungefähr 2 zu 1 beträgt.
  11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 10, wobei ein Verhältnis zwischen der Breite des dritten und vierten Anschlusses und der Breite des ersten und zweiten Anschlusses ungefähr 2 zu 1 beträgt.
  12. Doherty-Verstärker im Gehäuse, der Folgendes aufweist: eine stabile Metallbasis, die eine obere Oberfläche aufweist; eine elektrisch leitfähige Chipbefestigungsfläche auf der oberen Oberfläche, wobei die Chipbefestigungsfläche in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt geteilt ist; einen Haupt-Verstärker, der an der oberen Oberfläche vollständig innerhalb der ersten Fläche angebracht ist; einen Peaking-Verstärker, der an der oberen Oberfläche vollständig innerhalb der zweiten Fläche angebracht ist; einen ersten und einen zweiten leitfähigen Anschluss, die elektrisch mit Gate- und Drain-Anschlussstücken des Haupt-Verstärkers verbunden sind, wobei sich der erste und der zweite Anschluss seitlich weg von der Basis in entgegengesetzte Richtungen erstrecken; und einen dritten und einen vierten leitfähigen Anschluss, die elektrisch mit Gate- und Drain-Anschlussstücken des Peaking-Verstärkers verbunden sind, wobei sich der dritte und der vierte Anschluss seitlich weg von der Basis in entgegengesetzte Richtungen erstrecken, wobei eine Die-Fläche des Hauptverstärkers kleiner als eine Die-Fläche des Peaking-Verstärkers ist, wobei eine Diebreite des Haupt-Verstärkers kleiner als eine Diebreite des Peaking-Verstärkers ist, wobei eine Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts der Die-Fläche des Haupt-Verstärkers entspricht, wobei eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts der Die-Fläche des Peaking-Verstärkers entspricht, wobei eine Breite des ersten und zweiten Anschlusses der Diebreite des Haupt-Verstärkers entspricht, und wobei eine Breite des dritten und vierten Anschlusses der Diebreite des Peaking-Verstärkers entspricht.
  13. Doherty-Verstärker im Gehäuse nach Anspruch 12, wobei der Haupt-Verstärker ein erstes Die aufweist und die Diebreite des Haupt-Verstärkers einer Breite des ersten Dies entspricht, und wobei der Peaking-Verstärker ein zweites und ein drittes Die aufweist und die Diebreite des Peaking-Verstärkers einer kollektiven Breite des zweiten und dritten Dies entspricht.
  14. Doherty-Verstärker im Gehäuse nach Anspruch 13, wobei ein Verhältnis der Diebreite des Peaking-Verstärkers zur Diebreite des Haupt-Verstärkers ungefähr 2 zu 1 beträgt, und wobei ein Verhältnis der Breite des dritten und des vierten Anschlusses zur Breite des ersten und des zweiten Anschlusses ungefähr 2 zu 1 beträgt.
  15. Doherty-Verstärker im Gehäuse nach Anspruch 14, wobei ein Verhältnis der Fläche des zweiten Abschnitts zur Fläche des ersten Abschnitts ungefähr 2 zu 1 beträgt.
  16. RF-Leistungsverstärker im Gehäuse, der Folgendes aufweist: eine stabile Metallbasis, die eine obere Oberfläche aufweist; eine elektrisch leitfähige Chipbefestigungsfläche auf der oberen Oberfläche, wobei die Chipbefestigungsfläche in einen ersten und einen zweiten Chipbefestigungsabschnitt geteilt ist; einen ersten Verstärker, der an der oberen Oberfläche vollständig innerhalb der ersten Fläche angebracht ist; einen zweiten Verstärker, der an der oberen Oberfläche vollständig innerhalb der zweiten Fläche angebracht ist; einen ersten und einen zweiten leitfähigen Anschluss, die elektrisch mit Gate- und Drain-Anschlussstücken des ersten Verstärkers verbunden sind, wobei sich der erste und der zweite Anschluss seitlich weg von der Basis in entgegengesetzte Richtungen erstrecken; und einen dritten und einen vierten leitfähigen Anschluss, die elektrisch mit Gate- und Drain-Anschlussstücken des zweiten Verstärkers verbunden sind, wobei sich der dritte und der vierte Anschluss seitlich weg von der Basis in entgegengesetzte Richtungen erstrecken, wobei eine Die-Fläche des ersten Verstärkers kleiner als eine Die-Fläche des zweiten Verstärkers ist, wobei eine Diebreite des ersten Verstärkers kleiner als eine Diebreite des zweiten Verstärkers ist, wobei eine Fläche des ersten Chipbefestigungsabschnitts der Die-Fläche des ersten Verstärkers entspricht, wobei eine Fläche des zweiten Chipbefestigungsabschnitts der Die-Fläche des zweiten Verstärkers entspricht, wobei eine Breite des ersten und zweiten Anschlusses der Diebreite des ersten Verstärkers entspricht, und wobei eine Breite des dritten und vierten Anschlusses der Diebreite des zweiten Verstärkers entspricht.
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