DE102016113946B4 - PCB-basiertes Halbleitergehäuse mit integrierter elektrischer Funktionalität - Google Patents

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    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/429—Plated through-holes specially for multilayer circuits, e.g. having connections to inner circuit layers

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Abstract

Halbleitergehäuse, umfassend:eine Metallbasisplatte (100) mit einem Die-Befestigungsbereich (102) und einem Randbereich (104);einen Transistor-Die (106; 608) mit einem Referenzanschluss (112), der an dem Die-Befestigungsbereich (102) befestigt ist, und einem Hochfrequenzanschluss (114), der von der Basisplatte (118) abgewandt ist; undeine Mehrschichtleiterplatte (108) mit einer ersten Seite (116), die an dem Randbereich (104) befestigt ist, und einer zweiten Seite, die von der Basisplatte (118) abgewandt ist, wobei die Mehrschichtleiterplatte (108) mehrere verschachtelte Signalschichten (136, 138) und Masseschichten (132, 134) umfasst;wobei sich eine erste Signalschicht (138) der Signalschichten an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und elektrisch mit dem Hochfrequenzanschluss (114) des Transistor-Die (106; 608) verbunden ist,wobei sich eine erste Masseschicht (134) der Masseschichten unterhalb der ersten Signalschicht (138) befindet,wobei sich eine zweite Signalschicht (136) der Signalschichten unterhalb der ersten Masseschicht (134) befindet und elektrisch durch isolierte Durchkontaktierungen (148), die sich durch die erste Masseschicht (134) hindurch erstrecken, mit der ersten Signalschicht (138) verbunden ist,wobei sich eine zweite Masseschicht (132) der Masseschichten an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und an der Metallbasisplatte (100) befestigt ist.

Description

  • Technisches Feld
  • Die vorliegende Anmeldung betrifft HF-Leistungsgehäuse, insbesondere Leiterplatten (PCB, Printed Circuit Board)-basierte Gehäuse für Hochfrequenz(HF)-Leistungsanwendungen.
  • Hintergrund
  • Keramische Lufthohlraum- und Kunststoff-Lufthohlraum-/Overmold-Gehäuse werden weitgehend für diskrete HF-/Mikrowellenleistungstransistoren verwendet. Beide Gehäusearten stellen eine zuverlässige und leicht zu handhabende mechanische Gestaltung bereit. Keramische Lufthohlraum- und Kunststoff-Lufthohlraum-/Overmold-Gehäuse sind jedoch in einem elektrischen Sinn aufgrund ihrer Stapelung und ihrer vorbestimmten physischen Abmessungen schwierig zu gestalten. Es ist eine Aufgabe, hier verbesserte Gehäuse bereitzustellen.
  • Die DE 603 14 353 T2 betrifft ein Verfahren zum Anbringen einer Leiterplatte an einem elektrisch leitenden Gehäuse, um zu verhindern, dass elektromagnetische Störungen emittiert werden. Die Leiterplatte weist dabei eine erste Signalschicht, eine Masseschicht, eine Stromversorgungsschlicht und eine zweite Signalschicht auf. Elektronische Teile können auf den Signalschichten angebracht sein.
  • Kurzdarstellung
  • Es werden ein Halbleitergehäuse nach Anspruch 1 oder 16 sowie eine Halbleiteranordnung nach Anspruch 20 bereitgestellt. Die Unteransprüche definieren weitere Ausführungsformen.
  • Gemäß einer Ausführungsform eines Halbleitergehäuses umfasst das Halbleitergehäuse eine Metallbasisplatte mit einem Die-Befestigungsbereich und einem Randbereich, einen Transistor-Die mit einem Referenzanschluss, der an dem Die-Befestigungsbereich befestigt ist, und einem HF-Anschluss, der von der Basisplatte abgewandt ist, und eine Mehrschichtleiterplatte mit einer ersten Seite, die an dem Randbereich befestigt ist, und einer zweiten Seite, die von der Basisplatte abgewandt ist, wobei die Mehrschichtleiterplatte mehrere verschachtelte Signal- und Masseschichten umfasst. Unter einer verschachtelten Anordnung ist insbesondere eine abwechselnde Anordnung zu verstehen. Eine erste der Signalschichten befindet sich an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte und ist elektrisch mit dem HF-Anschluss des Transistor-Die verbunden. Eine erste der Masseschichten befindet sich unterhalb der ersten Signalschicht. Eine zweite der Signalschichten befindet sich unterhalb der ersten Masseschicht und ist elektrisch durch isolierte Durchkontaktierungen, die sich durch die erste Masseschicht hindurch erstrecken, mit der ersten Signalschicht verbunden. Eine zweite der Masseschichten befindet sich an der ersten Seite der Mehrschichtleiterplatte und ist an der Metallbasisplatte befestigt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform eines Halbleitergehäuses umfasst das Halbleitergehäuse eine Metallbasisplatte, einen Halbleiter-Die mit einem Referenzanschluss, der an der Basisplatte befestigt ist, und einem HF-Anschluss, der von der Basisplatte abgewandt ist, und eine Mehrschichtleiterplatte mit einer ersten Seite, die an der Basisplatte befestigt ist, und einer zweiten Seite, die von der Basisplatte abgewandt ist. Die Mehrschichtleiterplatte umfasst mehrere verschachtelte Signal- und Masseschichten. Eine der Signalschichten befindet sich an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte und ist elektrisch mit dem HF-Anschluss des Halbleiter-Die verbunden. Eine der Masseschichten befindet sich an der ersten Seite der Mehrschichtleiterplatte und ist an der Metallbasisplatte befestigt. Leistungsverteilungsstrukturen sind in der Signalschicht an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte gebildet. HF-Anpassungsstrukturen sind in einer anderen der Signalschichten als die Leistungsverteilungsstrukturen gebildet.
  • Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleiteranordnung umfasst die Halbleiteranordnung ein Substrat und ein an dem Substrat befestigtes Halbleitergehäuse. Das Halbleitergehäuse umfasst eine Metallbasisplatte, einen Halbleiter-Die mit einem Referenzanschluss, der an der Basisplatte befestigt ist, und einem HF-Anschluss, der von der Basisplatte abgewandt ist, und eine Mehrschichtleiterplatte mit einer ersten Seite, die an der Basisplatte befestigt ist, und einer zweiten Seite, die von der Basisplatte abgewandt ist. Die Mehrschichtleiterplatte umfasst mehrere verschachtelte Signal- und Masseschichten. Eine der Signalschichten befindet sich an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte und ist elektrisch mit dem HF-Anschluss des Halbleiter-Die verbunden. Eine der Masseschichten befindet sich an der ersten Seite der Mehrschichtleiterplatte und ist an der Metallbasisplatte befestigt. Leistungsverteilungsstrukturen sind in der Signalschicht an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte gebildet. HF-Anpassungsstrukturen sind in einer anderen der Signalschichten als die Leistungsverteilungsstrukturen gebildet.
  • Ein Fachmann wird bei Lektüre der folgenden ausführlichen Beschreibung und bei Betrachtung der beiliegenden Zeichnungen zusätzliche Merkmale und Vorteile erkennen.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu zueinander. Gleiche Bezugsnummern kennzeichnen entsprechende ähnliche Teile. Die Merkmale der verschiedenen veranschaulichten Ausführungsformen können kombiniert werden, sofern sie sich nicht gegenseitig ausschließen. Ausführungsformen sind in den Zeichnungen abgebildet und werden in der folgenden Beschreibung ausführlich beschrieben.
    • 1 veranschaulicht eine Teilschnittansicht eines Halbleitergehäuses mit einer Mehrschichtleiterplatte.
    • 2A und 2B veranschaulichen verschiedene Ausführungsformen von Signaldurchkontaktierungsstrukturen für die in 1 gezeigte Mehrschichtleiterplatte.
    • 3A veranschaulicht eine perspektivische Teilansicht einer Grenzfläche zwischen einer Mehrschichtleiterplatte eines Halbleitergehäuses und einer Subsystem-/Systemleiterplatte.
    • 3B veranschaulicht eine perspektivische Teilansicht der Subsystem-/Systemleiterplatte aus 3A vor dem Befestigen des Halbleitergehäuses mit einer Mehrschichtleiterplatte.
    • 4 veranschaulicht eine schematische Repräsentation auf höherer Ebene verschiedener elektrischer Funktionen an der Ausgabeseite eines Halbleitergehäuses mit einer Mehrschichtleiterplatte.
    • 5 veranschaulicht eine Hybridansicht einer Mehrschichtleiterplatte, die mit verschiedenen elektrischen Funktionen für die Ausgabeseite eines Halbleitergehäuses implementiert ist.
    • 6 veranschaulicht schematisch eine Ausführungsform einer Mehrschichtleiterplatte eines Halbleitergehäuses, die an der Ausgabeseite des Halbleitergehäuses mit einem Leistungsverteilungsnetz und einem symmetrischen Leistungskombinierer implementiert ist.
    • 7 veranschaulicht eine obere Draufsicht der obersten Signalschicht der in 5 gezeigten Mehrschichtleiterplatte, die mit einem Leistungsverteilungsnetz und einem symmetrischen Leistungskombinierer implementiert ist.
    • 8 veranschaulicht schematisch eine Ausführungsform einer mittleren Signalschicht der in 5 gezeigten Mehrschichtleiterplatte, die mit einem Harmonischenterminierungsresonator implementiert ist.
    • 9 veranschaulicht eine perspektivische Teilansicht eines Halbleitergehäuses mit einem Leistungsverteilungsnetz, einem symmetrischen Leistungskombinierer und einem Harmonischenterminierungsresonator, die in einer Mehrschichtleiterplatte des Halbleitergehäuses gebildet sind.
    • 10 veranschaulicht eine schematische Repräsentation auf höherer Ebene verschiedener elektrischer Funktionen an der Eingangsseite des Halbleitergehäuses mit einer Mehrschichtleiterplatte.
    • 11 veranschaulicht eine perspektivische Teilansicht eines Halbleitergehäuses mit HF-Anpassungs- und Leistungsverteilungs- und -kombinierungsstrukturen, die in einer Mehrschichtleiterplatte an der Eingangsseite des Halbleitergehäuses gebildet sind.
  • Ausführliche Beschreibung
  • Folgend werden Ausführungen eines PCB-basierten (Printed Circuit Board) Leistungshalbleitergehäuses beschrieben, in denen das Gehäuse auch als Teil der elektrischen Gestaltung des Systems, anstatt als eine lediglich mechanische Komponente, behandelt wird. Auf diese Weise wird Flexibilität in der Gestaltung, verbesserte Integration und erhöhte Leistungsfähigkeit bereitgestellt, während eine kompaktere physische Größe bereitgestellt wird. Durch die Kombination des Konzepts eines diskreten Gehäuses mit einem Subsystemmodul im elektrischen Gestaltungssinn wird die Gestaltungsflexibilität dennoch realisiert, während auch die elektrische Leistungsfähigkeit des Systems erhöht wird und die physischen Abmessungen des endgültigen Schaltkreises reduziert werden.
  • Die hier beschriebenen Ausführungsformen stellen ein organisches mehrschicht-PCB-basiertes Gehäuse für hohe Gestaltungsintegration bereit. Die PCB weist ein Minimum von vier Schichten auf, von denen zwei Masseschichten sind. Signal- und Masseschichten können verschachtelt sein, um Störungen zu reduzieren und Leistungsfähigkeit zu verbessern. HF-Anpassungs- und Leistungsverteilungs- und - kombinierungsstrukturen können in einer oder mehreren Signalschichten der PCB gebildet sein. Zum Beispiel können integrierte Harmonischenresonatoren zur Bereitstellung von Harmonischenterminierung in einer oder mehreren Signalschichten der PCB gebildet sein, um die Funktionalität eines Leistungsverstärkers mit hoher Effizienzklasse bereitzustellen. Ein symmetrisches Leistungskombinierernetz kann in einer oder mehreren der Signalschichten der PCB gebildet sein, um gleichmäßige Leistungsverteilung über eine große Die-Peripherie oder eine große Pad-Abmessung bereitzustellen. Zusätzlich oder alternativ kann das PCBbasierte Gehäuse verschachtelte Masse-Signal-Masse-Padverbindungen aufweisen, um einen elektrischen Kontakt für hohe Frequenz und hohe Zuverlässigkeit zwischen dem PCB-basierten Gehäuse und einer anderen Leiterplatte bereitzustellen.
  • 1 veranschaulicht eine Teilschnittansicht eines Halbleitergehäuses gemäß einer Ausführungsform. Das Leistungshalbleitergehäuse umfasst eine Metallbasisplatte 100 mit einem Die-Befestigungsbereich 102 und einem Randbereich 104, einen Transistor-Die 106, der an dem Die-Befestigungsbereich 102 der Basisplatte 100 befestigt ist, eine Mehrschichtleiterplatte 108, wie etwa eine PCB, zur Bereitstellung elektrischer Verbindungen zu dem Transistor-Die 106 und einen optionalen Deckel 110, um den Transistor-Die 106 einzuschließen. Die Basisplatte 100 besteht aus einem elektrisch leitenden und wärmeleitenden Material, wie etwa Cu, CPC (Kupfer-Kupfermolybdän-Kupfer-Laminatstruktur), CuW usw. In manchen Fällen ist der an der Basisplatte 100 befestigte Transistor-Die 106 ein Leistungstransistor-Die, wie etwa ein HF-Verstärker-Die. Zum Beispiel kann der Transistor-Die 106 ein LDMOS- (laterally diffused metal oxide semiconductor), ein vertikaler Leistungs-MOSFET- (metal oxide semiconductor field effect transistor) oder ein GaN-HF-Leistungstransistor-Die sein. Der Transistor-Die 106 weist einen Referenzanschluss 112, wie etwa einen Source- oder Emitteranschluss, der an dem Die-Befestigungsbereich 102 befestigt ist, und einen HF-Anschluss 114, wie etwa einen Drain- oder Kollektoranschluss, der von der Basisplatte 100 abgewandt ist, auf. Der Steueranschluss (Gate) des Transistor-Die liegt außerhalb der Ansicht in 1. Mehr als ein Transistor-Die kann an der Basisplatte 100 befestigt sein, z.B. im Fall eines Doherty-Verstärkers, in dem ein Haupt- und ein oder mehrere Spitzenverstärker an der Basisplatte 100 befestigt sein können.
  • Im Allgemeinen weist die Mehrschichtleiterplatte 108 eine erste Seite 116, die an dem Randbereich 104 der Basisplatte 100 befestigt ist, und eine zweite Seite 118, die von der Basisplatte 100 abgewandt ist, auf. Die Mehrschichtleiterplatte 108 erstreckt sich zur Befestigung an einer anderen Leiterplatte 122 über eine äußere Seitenwand 120 der Basisplatte 100 hinaus. Die andere Leiterplatte 122 gehört zu einem Subsystem oder einem System, das das Halbleitergehäuse enthält. Diese Leiterplatte 122 kann einen vertieften Bereich zur Aufnahme der Basisplatte 100 des Halbleitergehäuses aufweisen. Ein Metallrohling 124 kann in der Vertiefung angeordnet sein, um die thermische und elektrische Grenzfläche mit der Basisplatte 100 des Halbleitergehäuses zu verbessern. Ein Kühlkörper 126, der z.B. Aluminium oder Kupfer umfasst, kann an der Rückseite 128 der zusätzlichen Leiterplatte 122 befestigt sein.
  • Der Teil der Mehrschichtleiterplatte 108, der sich über die äußere Seitenwand 120 der Basisplatte 100 hinaus erstreckt, ist an der Vorderseite 130 der anderen Leiterplatte 122 befestigt. Die Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses umfasst mehrere verschachtelte Signal- und Masseschichten. Das in 1 gezeigte Beispiel weist 4 Schichten auf: zwei Masseschichten 132, 134 und zwei Signalschichten 136 und 138, die miteinander verschachtelt sind. Im Allgemeinen kann die Mehrschichtleiterplatte 108 zwei oder mehr Signalschichten und zwei oder mehr Masseschichten aufweisen. Die unterste Schicht 132 ist eine Masseschicht mit Massepads 140, die sowohl an der Basisplatte 100 des Halbleitergehäuses als auch an der anderen Leiterplatte 122 befestigt sind. Das heißt, die Massepads 140 der untersten Schicht 132 der Mehrschichtleiterplatte 108 sind an der Metallbasisplatte 100 befestigt und erstrecken sich außerdem zur Befestigung an der anderen Leiterplatte 122 über die äußere Seitenwand 120 der Basisplatte 100 hinaus.
  • Die oberste Schicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 bildet die Haupt-HF-Signalschicht des Halbleitergehäuses und ist elektrisch durch einen oder mehrere elektrische Leiter 142, wie etwa ein oder mehrere Bonddrähte, Bänder, einen Metallklipp usw., mit dem HF-Anschluss 114 des Transistor-Die 106 verbunden. Die Haupt-HF-Signalschicht 138 kann durch isolierte Signaldurchkontaktierungen 144, die sich durch die Mehrschichtleiterplatte 108 hindurch zu den Signalpads 146, die in der untersten Masseschicht 132 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sind, erstrecken, auch elektrisch mit der Vorderseite 130 der anderen Leiterplatte 122 verbunden sein. Die Signalpads 146 an der untersten Masseschicht 132 sind außerhalb der äußeren Seitenwand 120 der Basisplatte 100 positioniert und sind von den Massepads 140 an der untersten Schicht 132 getrennt, um angemessene elektrische Isolation zu gewährleisten.
  • Eine mittlere Masseschicht 134 ist unterhalb der Haupt-HF-Signalschicht 138 angeordnet und eine mittlere Signalschicht 136 ist unterhalb dieser Masseschicht 134 und oberhalb der untersten Masseschicht 132 angeordnet. Die mittlere Signalschicht 136 ist durch isolierte Durchkontaktierungen 148, die sich durch die Masseschicht 134, die zwischen der mittleren Signalschicht 136 und der Haupt-HF-Signalschicht 138 liegt, hindurch erstrecken, elektrisch mit der Haupt-HF-Signalschicht 138 verbunden. Auf ähnliche Weise sind die Masseschichten 132, 134 durch isolierte Massedurchkontaktierungen 150 elektrisch verbunden. Die Mehrschichtleiterplatte 108 kann, falls erwünscht, zusätzliche verschachtelte Masse- und Signalschichten aufweisen.
  • 2A veranschaulicht eine Schnittansicht einer Ausführungsform einer der isolierten Signaldurchkontaktierungen 144 zum elektrischen Verbinden der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 über die gesamte Dicke der Mehrschichtleiterplatte 108. Gemäß dieser Ausführungsform umfasst die isolierte Signaldurchkontaktierung 144 eine Kappe 200, wie etwa eine Kupferkappe im Fall von Kupferdurchkontaktierungen, und ein oberes Pad 202, das an die Kappe 200 in der obersten Signalschicht 138 angrenzt. Ein plattiertes Durchgangsloch 204 erstreckt sich vertikal durch die Mehrschichtleiterplatte 108 hindurch, wobei es optional eine oder mehrere mittlere Signalschichten 136 mittels eines entsprechenden vergrabenen Pads 202 kontaktiert. Die Unterseite der isolierten Signaldurchkontaktierung 144 umfasst eine Kappe 206, wie etwa eine Kupferkappe im Fall von Kupferdurchkontaktierungen, und ein unteres Pad 208, das in der untersten Masseschicht 132 gebildet ist. Die untere Kappe 206 und das untere Pad 208 sind durch ein dielektrisches Material 210 der Mehrschichtleiterplatte 108, wie etwa Polytetrafluorethylen, FR-1, FR-2, FR-3, FR-4, FR-5, FR-6, G-10, CEM-1, CEM-2, CEM-3, CEM-4, CEM-5 usw., von den Massemetallbahnen/-pads der untersten Masseschicht 132 elektrisch isoliert. Ein nichtleitendes Harz 212 kann die plattierten Durchgangslöcher 204 füllen. Die in 1 gezeigten Massedurchkontaktierungen 150 können den gleichen oder einen ähnlichen Aufbau wie in 2A gezeigt aufweisen.
  • 2B veranschaulicht eine Schnittansicht einer Ausführungsform einer der isolierten Signaldurchkontaktierungen 148 zum elektrischen Verbinden der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 mit einer mittleren Signalschicht 136, die in der Mehrschichtleiterplatte 108 vergraben ist, gemäß einer Ausführungsform. Gemäß dieser Ausführungsform umfasst die isolierte Signaldurchkontaktierung 148 eine Kappe 220, wie etwa eine Kupferkappe im Fall von Kupferdurchkontaktierungen, und ein oberes Pad 222, das an die Kappe 220 in der obersten Signalschicht 138 angrenzt. Ein plattiertes Sackloch 224 erstreckt sich vertikal teilweise durch die Mehrschichtleiterplatte 108 bis zu der mittleren Signalschicht 136. Die Unterseite der isolierten Signaldurchkontaktierung 148 umfasst ein Pad 226, das eine Signalmetallbahn der mittleren Signalschicht 136 kontaktiert. Das plattierte Sackloch 224 ist elektrisch durch ein dielektrisches Material 228, wie etwa der oben in Verbindung mit 2A beschriebenen Art, von der Masseschicht 134, die zwischen der obersten Signalschicht 138 und der mittleren Signalschicht 136 liegt, isoliert.
  • Durch Benutzung eines solchen Mehrschichtleiterplattenaufbaus können optimierte elektrische Verbindungen zu jedem in dem Halbleitergehäuse beinhaltetem Transistor-Die 106 realisiert werden. Zum Beispiel ist, im Fall, dass der Transistor-Die 106 ein HF-Hochleistungsverstärker-Die ist, die Propagation des elektromagnetischen Feldes von der Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses zu der Subsystem-/Systemleiterplatte 122 entscheidend für die Leistungsfähigkeit des Leistungsverstärkers bei hoher Frequenz. Die elektromagnetische Feldpropagation kann optimiert werden, um hohe Leistungsfähigkeit bei hoher Frequenz zu erzielen. Zum Beispiel wird die Induktivität der Signaldurchkontaktierungen 144, 148 mit der Anwesenheit der Massedurchkontaktierungen 150 reduziert. Die Massedurchkontaktierungen 150 stellen einen sanften vertikalen Übergang für den HF-Rückkehrpfad bereit, wodurch die gesamte Schleifeninduktivität der Signaldurchkontaktierungen 144, 148 reduziert wird, wodurch wiederum Verluste reduziert werden. Der HF-Signalstrompfad ist in 1 mit nach rechts zeigenden Pfeilen hervorgehoben und der Rückkehrpfad ist in 1 mit nach links zeigenden Pfeilen hervorgehoben.
  • 3A veranschaulicht eine Ausführungsform der Grenzfläche zwischen der Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses und der Subsystem-/Systemleiterplatte 122. Das dielektrische Material der Mehrschichtleiterplatte 108 ist in 3 nicht gezeigt, so dass die Signal- und Massemetallbahnen und die Signal- und Massedurchkontaktierungen jeweils wenigstens teilweise sichtbar sind. Gemäß dieser Ausführungsform umfasst die oberste Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 mehrere Signalmetallbahnen 300, wie etwa Mikrostreifenleitungen, die elektrisch durch isolierte Signaldurchkontaktierungen 302, die sich durch die Mehrschichtleiterplatte 108 hindurch erstrecken, mit jeweiligen Signalpads 146 (außerhalb der Ansicht in 3A) an der Unterseite der Mehrschichtleiterplatte 108 verbunden sind. Massepads 140 (ebenfalls außerhalb der Ansicht in 3A) an der Unterseite der Mehrschichtleiterplatte 108 sind von den Signalpads 146 getrennt und mit diesen verschachtelt. Die Massepads 140 sind elektrisch durch isolierte Massedurchkontaktierungen 304, die sich durch die Mehrschichtleiterplatte 108 hindurch erstrecken, mit den Masseschichten 132, 134 der Mehrschichtleiterplatte 108 verbunden. Die Masseschichten 132, 134 können jeweils ein einzelnes Metallblech 306, wie in 3 gezeigt, umfassen, jedoch sind andere Konfigurationen möglich, wie etwa mehrere Massemetallbahnen, wie etwa mehrere Bleche oder Streifenleitungen. Zusätzlich oder alternativ können sich die Massemetallstreifen 308 in manchen Ausführungsformen teilweise auf die oberste Signalschicht 138 erstrecken. In jedem Fall weist die Subsystem-/Systemleiterplatte 122 verschachtelte Masse- und Signalpads 310, 312 auf, die der verschachtelten Masse/Signalpadkonfiguration der Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses entsprechen. Die Leiterplatten 108, 122 können an diesen Verbindungspunkten, z.B. durch jeweilige Lötverbindungsstücke 152, 154, 156, wie in 1 gezeigt, aneinandergelötet sein.
  • 3B zeigt die Subsystem-/Systemleiterplatte 122 vor dem Platzieren und Befestigen des Halbleitergehäuses. Die Subsystem-/Systemleiterplatte 122 kann einen vertieften Bereich 314 zum Aufnehmen der Basisplatte 100 des Halbleitergehäuses aufweisen. Der Teil der Mehrschichtleiterplatte 108, der sich über die äußere Seitenwand 120 der Basisplatte 100 hinaus erstreckt, ist in 3A gezeigt und ist durch die verschachtelten Masse- und Signalpads 310,312 an der Vorderseite der Subsystem-/Systemleiterplatte 122 befestigt. Die Subsystem-/Systemleiterplatte 122 kann isolierte Massedurchkontaktierungen 316 zum Verbinden mit einer oder mehreren anderen Masseschichten der Subsystem-/Systemleiterplatte 122 beinhalten. Ähnliche Durchkontaktierungsverbindungen können zu den Signalmetallbahnen der Subsystem-/Systemleiterplatte 122 vorgenommen werden, sind aber zur Erleichterung der Veranschaulichung nicht gezeigt. Die in 3A und 3B gezeigte verschachtelte Masse-Signal-Masse-Konfiguration stellt eine effiziente vertikale Propagation des elektrischen Feldes zwischen der Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses und der Subsystem-/Systemleiterplatte 122 bereit.
  • Zusätzlich oder alternativ zu der oben erläuterten verschachtelten Masse-Signal-Masse-Konfiguration können HF-Anpassungs- und Leistungsverteilungs- und -kombinierungsstrukturen in den Signalschichten 136, 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses gebildet sein. Auf diese Weise kann die Mehrschichtleiterplatte 108 sowohl mechanische als auch elektrische Funktionen in die Gestaltung des Halbleitergehäuses einbinden.
  • 4 veranschaulicht eine schematische Repräsentation auf höherer Ebene verschiedener elektrischer Funktionen an der Ausgabeseite des Halbleitergehäuses, die in die Mehrschichtleiterplatte 108 eingebunden sein können. Eine einzelne Transistorkomponente mit einem Source-Anschluss (S), einem Drain-Anschluss (D) und einem Gate-Anschluss (G) ist gezeigt, die einen oder mehrere physische Transistor-Dies repräsentieren kann. In diesem Beispiel ist der Source-Anschluss des Leistungstransistors durch die unterste Schicht 132 der Mehrschichtleiterplatte 108 elektrisch mit Masse verbunden und der Drain-Anschluss des Leistungstransistors ist elektrisch mit der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108, wie zuvor hier beschrieben, verbunden. Die Mehrschichtleiterplatte 108 weist eine oder mehrere zusätzliche Signalschichten 136 auf, die zwischen der obersten Signalschicht 138 und der untersten Masseschicht 132 liegen. Eine zusätzliche Masseschicht 134 liegt zwischen vertikal angrenzenden Signalschichten 136, 138, wie ebenfalls zuvor hier beschrieben. HF-Anpassungs- und Leistungsverteilungs- und -kombinierungsstrukturen sind in den Signalschichten 136, 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet.
  • Zum Beispiel wird die elektrische Verbindung zwischen dem Drain-Anschluss des Leistungstransistors und der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 durch die Induktivität L1 in 4 repräsentiert. Die oberste Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 kann ein Leistungsverteilungsnetz, das durch die Übertragungsleitung TL1 repräsentiert wird, beinhalten. Das Leistungsverteilungsnetz kann an einen Harmonischenterminierungsresonator gekoppelt sein, der konfiguriert ist, störende Harmonischen, die in einem Signal an dem HF-Anschluss (z.B. Drain) des Transistors vorliegen, einzufangen. Der Harmonischenterminierungsresonator kann einen Harmonischenterminierungsresonator zweiter Ordnung beinhalten, der durch Übertragungsleitung TL2 repräsentiert wird, einen Harmonischenterminierungsresonator dritter Ordnung, der durch Übertragungsleitung TL3 repräsentiert wird, usw. Der Harmonischenterminierungsresonator kann in einer anderen Signalschicht der Mehrschichtleiterplatte 108 als das Leistungsverteilungsnetz gebildet sein. Zusätzlich zu dem Leistungsverteilungsnetz kann die oberste Signalschicht 138 auch einen symmetrischen Leistungskombinierer, der durch Übertragungslinie TL4 repräsentiert wird, zum Kombinieren der Ausgabe des Harmonischenterminierungsresonators beinhalten. Die elektrische Verbindung von der Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses mit der Subsystem-/Systemleiterplatte 122 wird durch die Induktivität L2 repräsentiert. Die oben beschriebenen HF-Anpassungs- und Leistungsverteilungs- und -kombinierungsstrukturen können in den Signalschichten 136, 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sein.
  • 5 veranschaulicht eine Schnittansicht der Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses mit verschiedenen schematischen Einblendungen, die beispielhafte Arten von HF-Anpassungs- und Leistungsverteilungs- und - kombinierungsstrukturen zeigen, die in den Signalschichten 136, 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sein können. Zum Beispiel können ein Leistungskombinierernetz (A) und integrierte passive Komponenten, wie etwa Ausgangskondensatoren (B1, B2) und -spulen (C1, C2, C3, C4), in Metallbahnen gebildet sein, die auf der obersten Schicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 geleitet sind. Die integrierten passiven Komponenten bilden ein quasikonzentriertes Übertragungsleitungsbauelement.
  • Integrierte Harmonischenterminierungsstrukturen können in einer oder mehreren Signalschichten 136 unterhalb der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 zum Einfangen störender Harmonischen, die in einem Signal an dem HF-Anschluss des Transistors vorliegen, gebildet sein. Zum Beispiel können ein offener Stichleitungsresonator (D1) mit einer elektrischen Länge gleich einer Viertelwellenlänge bei 2f0 (2.-Harmonischenterminierung) oder bei 3f0 (3.-Harmonischenterminierung), ein quasikonzentrierter Resonator (D2), ein radialer Stichleitungsresonator (D3), ein offener Quadratresonator (D4), ein offener Quadratresonator mit gefalteten Armen (D5), ein offener Quadratresonator mit mäandernder Leitung (D6), offener zweimodiger Quadratresonator (E) usw. in einer oder mehreren mittleren Signalschichten 136 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sein.
  • In einem Beispiel kann ein offener Quadratresonator verwendet werden, um ein quasielliptisches Tiefpassfilter am Ausgang mit hoher Unterdrückung bei 2f0 zu gestalten, das eine Erhöhung der Bandbreite des Leistungsverstärkers im Vergleich zu einem offenen Standardstichleitungsresonator ermöglicht. Noch andere Harmonischenterminierungsresonatortypen und - konfigurationen können in der (den) Signalschicht(en) 136 unterhalb der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sein.
  • Ein Impedanzwandlernetz kann in der gleichen oder einer anderen mittleren Signalschicht als der Harmonischenterminierungsresonator gebildet sein. Das Impedanzwandlernetz ist konfiguriert, eine niedrigere Impedanz an dem HF-Anschluss des Transistors in eine höhere Impedanz zu wandeln. In einer Ausführungsform umfasst das Impedanzwandlernetz eine radiale Stichleitung (D3), die in einer der Signalschichten 136, 138 gebildet ist. Eine Masseschicht 134 liegt zwischen vertikal angrenzenden Signalschichten 136, 138, wie zuvor hier beschrieben.
  • Um eine hohe Leistungsausgabe zu erzielen, wird typischerweise für den Transistor 106 eine Peripherie mit breiter Fingerlänge verwendet. Dies bedeutet eine große (breite) Transistor-Die-Größe. Zum Beispiel kann eine Peripherie mit breiter Fingerlänge durch eine parallele Anordnung von Subeinheitszellen, die jeweils eine vordefinierte Peripherielänge aufweisen, für den gleichen Transistor-Die 106 realisiert werden. Das Drain-Bondungspad eines herkömmlichen Transistor-Die ist typischerweise mit einer breiten Zuleitung verbunden, was zu einer hohen Stromdichte lediglich an der Kante der Zuleitung führt, woraus eine unausgeglichene Amplitude und Phasenverschiebung zwischen den Einheitszellen des gleichen Transistor-Die folgt.
  • 6 veranschaulicht schematisch eine Ausführungsform der Mehrschichtleiterplatte 108 des Halbleitergehäuses, die an der Ausgabeseite des Halbleitergehäuses mit einem Leistungsverteilungsnetz 400 und einem symmetrischen Leistungskombinierer 402, die in der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sind, implementiert ist. In diesem Beispiel ist der Transistor-Die 106 mit acht Einheitszellen (1-8) gezeigt. Jede Einheitszelle trägt einen Teil der gesamten Transistor-Die-Signalkapazität bei. Die Ausgänge der Einheitszellen sind parallel angeordnet. Die oberste Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 beinhaltet eine separate Metallsignalbahn (8*Zi) für jeden Einheitszellenausgang. Die Einheitszellenausgänge können durch einen oder mehrere elektrische Leiter, wie etwa ein oder mehrere Bonddrähte, Bänder, einen Metallklipp usw., elektrisch mit den jeweiligen Metallsignalbahnen verbunden sein. In jedem Fall fährt das Leistungsverteilungsnetz 400 auf verschiedenen Niveaus fort, sich zusammenzuschließen (z.B. von 8 Bahnen, zu 4 Bahnen, zu 2 Bahnen in diesem Beispiel), wobei die Metallsignalbahnen (X*Zi) auf jedem Niveau ihre Breite von dem vorherigen Niveau verdoppeln. Der symmetrische Leistungskombinierer 402 verteilt Strom gleich in Amplitude und Phase auf jede Metallbahn (X*Zi) des Leistungsverteilungsnetzes 400. In 6 repräsentiert Zi die Eingangsimpedanz jeder Einheitszelle des Transistor-Die 106 und Z0 repräsentiert die Impedanz, an die der Ausgang des Halbleitergehäuses anzupassen ist (50 Q in diesem Beispiel).
  • 7 veranschaulicht eine obere Draufsicht der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108, die mit dem Leistungsverteilungsnetz 400 und dem symmetrischen Leistungskombinierer 402, wie schematisch in 6 gezeigt, implementiert ist. Die Metallsignalbahnen, die in der obersten Signalschicht 138 zur Realisierung des Leistungsverteilungsnetzes 400 und des symmetrischen Leistungskombinierers 402 gebildet sind, können in manchen Ausführungsformen eine strukturierte Kupfermetallisierung 404 umfassen.
  • 8 veranschaulicht schematisch eine Ausführungsform einer mittleren Signalschicht 136 der Mehrschichtleiterplatte 108, die mit einer Harmonischenterminierungsresonatorstruktur 500 implementiert ist. Die mittlere Signalschicht 136 ist unterhalb der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 angeordnet. In diesem Beispiel sind Metallsignalbahnen so angeordnet, um eine 2.-Harmonischenterminierungsstruktur 502 und eine 3.-Harmonischenterminierungsstruktur 504 in der mittleren Schicht 136 zu bilden. Eine Masseschicht 134 kann zwischen der mittleren Signalschicht 136 mit der Harmonischenterminierungsresonatorstruktur 500 und der obersten Signalschicht 138 liegen. Die Harmonischenterminierungsresonatorstruktur 500 kann an einem Ende durch eine erste Gruppe isolierter Signaldurchkontaktierungen (nicht gezeigt in 8) mit der Leistungsverteilungsnetzstruktur 400, die in der obersten Signalschicht 138 gebildet ist, elektrisch verbunden sein und kann an einem anderen Ende durch eine zweite Gruppe isolierter Signaldurchkontaktierungen (ebenfalls nicht gezeigt in 8) mit dem symmetrischen Leistungskombinierer 402, der in der obersten Signalschicht 138 gebildet ist, elektrisch verbunden sein.
  • Die Harmonischenterminierungsresonatorstruktur 500 ist in einer anderen Signalschicht 136 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet als das Leistungsverteilungsnetz 400 und der symmetrische Leistungskombinierer 402, um unerwünschte parasitäre induktive oder elektrische Kopplung zwischen den HF-Anpassungskomponenten und der Harmonischenterminierungsresonatorstruktur 500 zu reduzieren, was wiederum Verluste aufgrund parasitärer Kopplungseffekte reduziert. Die Harmonischenterminierungsresonatorstruktur 500 kann eine Streifenleitungskonfiguration, wie in 8 gezeigt, aufweisen, um eine wohl gesteuerte dielektrische Konstante aufzuweisen, was bedeutet, dass die Harmonischenterminierungsresonatoren 502, 504 eine gesteuerte elektrische Länge und eine sehr genaue Resonanzfrequenz aufweisen. Zusätzlich sind Streifenleitungen durch darüberliegende und darunterliegende Masseebenenschichten gut abgeschirmt.
  • 9 veranschaulicht eine Ausführungsform des Halbleitergehäuses mit einem Leistungsverteilungsnetz 600, einem symmetrischen Kombinierer 602 und einem Harmonischenterminierungsresonator 604, z.B. von der oben beschriebenen Art, die in der Mehrschichtleiterplatte 108 an der Ausgabeseite des Halbleitergehäuses gebildet sind. Mehrere elektrische Leiter 606 verbinden den HF-Ausgabeanschluss eines Halbleiter-Die 608 mit einer ersten Vielzahl von Signalmetallbahnen 610, die in der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sind. Diese Signalmetallbahnen 610 bilden das Leistungsverteilungsnetz 600, das Leistung über die Breite (W) des Transistor-Die 608 verteilt. Eine mittlere Signalschicht 136, die unterhalb der obersten Signalschicht 138 angeordnet ist, umfasst mehrere Signalmetallbahnen 612, die den Harmonischenterminierungsresonator 604 bilden.
  • Die oberste Signalschicht 138 umfasst außerdem eine zweite Vielzahl von Signalmetallbahnen 614, separat von den Signalmetallbahnen 610, die das Leistungsverteilungsnetz 600 bilden. Diese zusätzlichen Signalmetallbahnen 614 der obersten Signalschicht 138 bilden den symmetrischen Leistungskombinierer 602. Die Signalmetallbahnen 612 der mittleren Signalschicht 136, die den Harmonischenterminierungsresonator 604 bilden, sind elektrisch durch eine erste Gruppe von isolierten Signaldurchkontaktierungen 616 mit den jeweiligen ersten Signalmetallbahnen 610, die das Leistungsverteilungsnetz 600 bilden, verbunden und sind elektrisch durch eine zweite Gruppe von isolierten Signaldurchkontaktierungen 618 mit jeweiligen zweiten Signalmetallbahnen 614, die den symmetrischen Leistungskombinierer 602 bilden, verbunden. Die mittlere Masseschicht 134, die zwischen der obersten Signalschicht 138 und der mittleren Signalschicht 136 liegt, und das dielektrische Material der Mehrschichtleiterplatte 108 sind in 9 nicht gezeigt, so dass die Signalmetallbahnen und entsprechende Signaldurchkontaktierungen wenigstens teilweise sichtbar sind.
  • Die oberste Signalschicht 138 kann ferner mehrere Massemetallbahnen 620, separat von den ersten und zweiten Signalmetallbahnen 610, 614, umfassen, die jeweils das Leistungsverteilungsnetz 600 und den symmetrischen Leistungskombinierer 602 bilden. Die Signalmetallbahnen 614, die den symmetrischen Leistungskombinierer 602 bilden, und die Massemetallbahnen 620 der obersten Signalschicht 138 können an der Oberseite der Mehrschichtleiterplatte 108 verschachtelt sein, wie in 9 gezeigt. Die Massemetallbahnen 620 der obersten Signalschicht 138 sind durch isolierte Massedurchkontaktierungen 622, die sich durch die Mehrschichtleiterplatte 108 hindurch erstrecken, elektrisch mit der untersten Masseschicht 132 an der Unterseite der Mehrschichtleiterplatte 108 verbunden. Die Signalmetallbahnen 614, die den symmetrischen Leistungskombinierer 602 bilden, können durch isolierte Signaldurchkontaktierungen 626, die sich durch die Mehrschichtleiterplatte 108 hindurch erstrecken, elektrisch mit jeweiligen Signalpads 624 an der Unterseite der Mehrschichtleiterplatte 108 verbunden sein. Die Signalpads 626 und die Massepads 628 an der Unterseite der Mehrschichtleiterplatte 108 sind voneinander getrennt und miteinander verschachtelt. Von daher kann der Ausgabeteil der Mehrschichtleiterplatte 108, der an einer Subsystem-/Systemleiterplatte 630 zu befestigen ist, eine verschachtelte Masse-Signal-Masse-Konfiguration (GND/SIG/GND/SIG/GND) aufweisen, z.B. wie hier zuvor in Verbindung mit 3A und 3B beschrieben. Die Subsystem-/Systemleiterplatte 630 weist die gleiche verschachtelte Masse-Signal-Masse-Konfiguration (GND/SIG/GND/SIG/GND) wie die Ausgabeseite der Mehrschichtleiterplatte 108 auf.
  • 10 veranschaulicht eine Repräsentation auf höherer Ebene verschiedener elektrischer Funktionen an der Eingabeseite des Halbleitergehäuses, die in die Mehrschichtleiterplatte eingebunden sein können. Eine einzelne Transistorkomponente mit einem Source-Anschluss (S), einem Drain-Anschluss (D) und einem Gate-Anschluss (G) ist gezeigt, die einen oder mehrere physische Transistor-Dies repräsentieren kann. In diesem Beispiel ist der Source-Anschluss des Leistungstransistors elektrisch durch die unterste Schicht 132 der Mehrschichtleiterplatte 108 mit Masse verbunden und der Gate-Anschluss des Leistungstransistors ist elektrisch mit der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 verbunden. Die Mehrschichtleiterplatte 108 weist eine oder mehrere zusätzliche Signalschichten 136 auf, die zwischen der obersten Signalschicht 138 und der untersten Masseschicht 132 liegen. Eine zusätzliche Masseschicht 134 liegt zwischen jeder Signalschicht 136, 138, wie auch zuvor hier beschrieben. HF-Anpassungs- und Leistungsverteilungs- und -kombinierungsstrukturen sind in den Signalschichten 136, 138 der Mehrschichtleiterplatte an der Eingabeseite des Halbleitergehäuses gebildet.
  • Zum Beispiel kann eine integrierte Anpassungskomponente, wie etwa eine radiale Stichleitung Stub1, in einer mittleren Signalschicht 136 unterhalb der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sein. Die integrierte Anpassungskomponente stellt Impedanzangleichung zwischen dem Gate des Transistors und der Subsystem-/Systemplatte bereit. Die integrierte Impedanzanpassungskomponente ist durch einen Übergang, der durch die Induktivität L3, die der Induktivität der physischen Verbindung zwischen den zwei Platten entspricht, repräsentiert wird, mit der Subsystem-/Systemplatte verbunden. Die oberste Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 weist einen symmetrischen Leistungskombinierer und ein Leistungsverteilungsnetz, die durch die Übertragungsleitung TL1 schematisch repräsentiert werden, auf. Der Leistungskombinierer und das Leistungsverteilungsnetz können in der gleichen Signalschicht 138, die sich von der Signalschicht 136, die die integrierte Impedanzanpassungskomponente beinhaltet, unterscheidet, angeordnet sein.
  • Der Leistungskombinierer ist an einem Ende elektrisch mit der integrierten Anpassungskomponente und am anderen Ende mit dem Leistungsverteilungsnetz verbunden. Das gegenüberliegende Ende des Leistungsverteilungsnetzes ist durch ein Eingangsanpassnetz elektrisch mit dem Gate-Anschluss des Transistors verbunden. Das Eingangsanpassnetz beinhaltet die elektrischen Verbindungen zu dem Gate-Anschluss, die durch Reiheninduktivitäten L1 und L2 repräsentiert werden, einen Shunt-Kondensator SRC1 und eine 2.-Harmonischenterminierungsstruktur SLC1. Das Eingangsanpassnetz kann in eine oder mehrere Signalschichten 136, 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 integriert sein oder als diskrete passive Komponenten, wie etwa z.B. als integrierte passive Bauelemente im Fall der Kondensatoren, bereitgestellt sein.
  • 11 veranschaulicht eine Ausführungsform des Halbleitergehäuses mit HF-Anpassungs- und Leistungsverteilungs- und -kombinierungsstrukturen, z.B. von der zuvor in Verbindung mit 10 oben beschriebenen Art, die in der Mehrschichtleiterplatte 108 an der Eingabeseite des Halbleitergehäuses gebildet sind. Das Eingangsanpassnetz ist gemäß dieser Ausführungsform in Form von Drahtbondungsverbindungen 700 und diskreten Kondensatoren 702 implementiert. Das Eingangsanpassnetz ist an einem Ende mit dem Gate-Anschluss 704 eines Transistor-Die 706 und am anderen Ende mit einem Leistungsverteilungsnetz 708 verbunden. Das Leistungsverteilungsnetz 708 umfasst eine erste Vielzahl von Metallsignalbahnen 710, die in der obersten Signalschicht 138 der Mehrschichtleiterplatte 108 gebildet sind. Ein symmetrischer Kombinierer 712 ist durch eine zweite Vielzahl von Metallsignalbahnen 714 gebildet, die in der obersten Signalschicht 138 gebildet sind. Eine integrierte Impedanzanpassungskomponente, die als radiale Stichleitung 716 gebildet ist, ist in einer der darunterliegenden mittleren Signalschichten 136 der Mehrschichtleiterplatte 108 angeordnet. Die radiale Stichleitung 716 ist elektrisch durch eine oder mehrere isolierte Signaldurchkontaktierungen 718 mit jeweiligen zweiten Signalmetallbahnen 714, die den symmetrischen Leistungskombinierer 712 bilden, verbunden. Die mittlere Masseschicht 134, die zwischen der obersten Signalschicht 138 und der mittleren Signalschicht 136 mit der radialen Stichleitung 716 liegt, und das dielektrische Material der Mehrschichtleiterplatte 108 sind in 11 nicht gezeigt, so dass die Signalmetallbahnen und entsprechende Signaldurchkontaktierungen wenigstens teilweise sichtbar sind.
  • Die oberste Signalschicht 138 kann ferner mehrere Massemetallbahnen 720, separat von den Metallbahnen 714 des symmetrischen Leistungskombinierer 712, umfassen. Der symmetrische Leistungskombinierer 712 und die Massemetallbahnen 720, die in der obersten Signalschicht 138 gebildet sind, können an der Oberseite der Mehrschichtleiterplatte 108 verschachtelt sein, wie in 11 gezeigt. Die Massemetallbahnen 720 der obersten Signalschicht 138 können elektrisch durch isolierte Massedurchkontaktierungen 722, die sich durch die Mehrschichtleiterplatte 108 hindurch erstrecken, mit der untersten Masseschicht 132 an der Unterseite der Mehrschichtleiterplatte 108 verbunden sein. Der symmetrische Leistungskombinierer 712 ist durch isolierte Signaldurchkontaktierungen 724, die sich durch die Mehrschichtleiterplatte 108 hindurch erstrecken, elektrisch mit einem Signalpad an der Unterseite der Mehrschichtleiterplatte 108 verbunden. Die Masse- und Signalpads (beide außerhalb der Ansicht in 11) an der Unterseite der Mehrschichtleiterplatte 108 sind voneinander getrennt und miteinander verschachtelt. Von daher kann der Eingabeteil der Mehrschichtleiterplatte 108, der an einer Subsystem-/Systemleiterplatte 726 zu befestigen ist, eine verschachtelte Masse-Signal-Masse-Konfiguration (GND/SIG/GND) aufweisen. Die Subsystem-/Systemleiterplatte 726 weist die gleiche verschachtelte Masse-Signal-Masse-Konfiguration (GND/SIG/GND) wie die Eingabeseite der Mehrschichtleiterplatte 108 auf.
  • Räumlich relative Begriffe wie etwa „unter“, „unterhalb“, „untere(r/s)“, „über“, „obere(r/s)“ und dergleichen werden zur einfacheren Beschreibung verwendet, um die Positionierung von einem Element relativ zu einem zweiten Element zu erläutern. Diese Begriffe sollen verschiedene Orientierungen der Vorrichtung zusätzlich zu den verschiedenen in den Figuren abgebildeten Orientierungen einschließen. Ferner werden auch Begriffe wie etwa „erste(r/s)“, „zweite(r/s)“ und dergleichen verwendet, um verschiedene Elemente, Bereiche, Abschnitte usw. zu beschreiben, und sollen ebenfalls nicht einschränkend sein. Gleiche Begriffe beziehen sich durch die Beschreibung hinweg auf gleiche Elemente.
  • Wie hier verwendet, sind die Begriffe „aufweisend“, „enthaltend“, „beinhaltend“, „umfassend“ und dergleichen offene Begriffe, die die Anwesenheit von genannten Elementen oder Merkmalen anzeigen, aber zusätzliche Elemente oder Merkmale nicht ausschließen. Die Artikel „ein“, „eine“ und „der/die/das“ sollen den Plural sowie den Singular beinhalten, sofern der Kontext nicht ausdrücklich Anderes angibt.
  • Es versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hier beschriebenen Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben.
  • Obwohl spezielle Ausführungsformen hier veranschaulicht und beschrieben wurden, ist es für einen Durchschnittsfachmann klar, dass eine Vielzahl von alternativen und/oder äquivalenten Implementationen die speziellen gezeigten und beschriebenen Ausführungsformen ersetzen kann, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Diese Anmeldung soll jegliche Anpassungen oder Variationen der speziellen hier besprochen Ausführungsformen abdecken. Deshalb soll diese Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalenten beschränkt werden.

Claims (24)

  1. Halbleitergehäuse, umfassend: eine Metallbasisplatte (100) mit einem Die-Befestigungsbereich (102) und einem Randbereich (104); einen Transistor-Die (106; 608) mit einem Referenzanschluss (112), der an dem Die-Befestigungsbereich (102) befestigt ist, und einem Hochfrequenzanschluss (114), der von der Basisplatte (118) abgewandt ist; und eine Mehrschichtleiterplatte (108) mit einer ersten Seite (116), die an dem Randbereich (104) befestigt ist, und einer zweiten Seite, die von der Basisplatte (118) abgewandt ist, wobei die Mehrschichtleiterplatte (108) mehrere verschachtelte Signalschichten (136, 138) und Masseschichten (132, 134) umfasst; wobei sich eine erste Signalschicht (138) der Signalschichten an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und elektrisch mit dem Hochfrequenzanschluss (114) des Transistor-Die (106; 608) verbunden ist, wobei sich eine erste Masseschicht (134) der Masseschichten unterhalb der ersten Signalschicht (138) befindet, wobei sich eine zweite Signalschicht (136) der Signalschichten unterhalb der ersten Masseschicht (134) befindet und elektrisch durch isolierte Durchkontaktierungen (148), die sich durch die erste Masseschicht (134) hindurch erstrecken, mit der ersten Signalschicht (138) verbunden ist, wobei sich eine zweite Masseschicht (132) der Masseschichten an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und an der Metallbasisplatte (100) befestigt ist.
  2. Halbleitergehäuse nach Anspruch 1, wobei: die erste Signalschicht (138) eine erste Vielzahl von Signalmetallbahnen (610) umfasst, die elektrisch mit dem Hochfrequenzanschluss (114) des Transistor-Die (106; 608) verbunden sind; und die zweite Signalschicht (136) eine erste Vielzahl von Signalmetallbahnen (612) umfasst, die durch isolierte Durchkontaktierungen (148) elektrisch mit jeweiligen der ersten Vielzahl von Signalmetallbahnen (610) der ersten Signalschicht (138) verbunden sind.
  3. Halbleitergehäuse nach Anspruch 2, wobei: die erste Signalschicht (138) eine zweite Vielzahl von Signalmetallbahnen (614), getrennt von der ersten Vielzahl von Signalmetallbahnen (610) der ersten Signalschicht (138), umfasst; und die erste Vielzahl von Signalmetallbahnen (612) der zweiten Signalschicht (136) durch eine erste Gruppe von isolierten Durchkontaktierungen (616) elektrisch mit jeweiligen der ersten Vielzahl von Signalmetallbahnen (610) der ersten Signalschicht (138) verbunden ist und durch eine zweite Gruppe von isolierten Durchkontaktierungen (618) elektrisch mit jeweiligen der zweiten Vielzahl von Signalmetallbahnen (614) der ersten Signalschicht (138) verbunden ist.
  4. Halbleitergehäuse nach Anspruch 3, wobei: die erste Signalschicht (138) mehrere Massemetallbahnen (620), separat von der ersten (612) und der zweiten (614) Vielzahl von Signalmetallbahnen der ersten Signalschicht (138), umfasst; und die zweite Vielzahl von Signalmetallbahnen (614) und die mehreren Massemetallbahnen (620) der ersten Signalschicht (138) an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) verschachtelt sind.
  5. Halbleitergehäuse nach Anspruch 4, wobei die mehreren Massemetallbahnen (620) der ersten Signalschicht (138) durch isolierte Durchkontaktierungen (622), die sich durch die Mehrschichtleiterplatte (108) hindurch erstrecken, elektrisch mit der zweiten Masseschicht (132) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) verbunden sind.
  6. Halbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 3-5, wobei die zweite Vielzahl von Signalmetallbahnen (614) der ersten Signalschicht (138) durch isolierte Durchkontaktierungen (302), die sich durch die Mehrschichtleiterplatte (108) hindurch erstrecken, elektrisch mit jeweiligen Signalpads (146) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) verbunden sind.
  7. Halbleitergehäuse nach Anspruch 6, ferner Massepads (140) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) umfassend, die von den Signalpads (146) getrennt und mit diesen verschachtelt sind.
  8. Halbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 1-7, wobei die erste Masseschicht (134) der Masseschichten ein einziges Metallblech umfasst, das zwischen der ersten Signalschicht (138) und der zweiten Signalschicht (136) liegt.
  9. Halbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 1-8, wobei ein Harmonischenterminierungsresonator (604) in der zweiten Signalschicht (136) gebildet ist und eingerichtet ist, störende Harmonischen einzufangen, die in einem Signal an dem Hochfrequenzanschluss (114) des Transistor-Die (106; 608) vorliegen.
  10. Halbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 1-9, wobei ein Impedanzwandlernetz in der zweiten Signalschicht (136) der Signalschichten gebildet ist und eingerichtet ist, eine niedrigere Impedanz an dem Hochfrequenzanschluss (114) des Transistor-Die (106; 608) in eine höhere Impedanz zu wandeln.
  11. Halbleitergehäuse nach Anspruch 10, wobei das Impedanzwandlernetz eine radiale Stichleitung umfasst, die in der zweiten Signalschicht (136) gebildet ist.
  12. Halbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 1-11, wobei: die erste Signalschicht (138) der Signalschichten einen Leistungskombinierer (402; 602) und mehrere Metallbahnen umfasst; die Metallbahnen elektrisch parallel mit dem Hochfrequenzanschluss (114) des Transistor-Die (106; 608) an einem ersten Ende der Metallbahnen verbunden sind; die Metallbahnen mit dem Leistungskombinierer (402; 602) an einem zweiten, dem ersten Ende gegenüberliegenden Ende der Metallbahnen verbunden sind; und der Leistungskombinierer (402; 602) eingerichtet ist, Strom gleich in Amplitude und Phase auf jede Metallbahn zu verteilen.
  13. Halbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 1-12, wobei die zweite Masseschicht (132) Massepads (140) und Signalpads (146) umfasst, wobei die Massepads (140) an der Metallbasisplatte (100) befestigt sind und sich über eine äußere Seitenwand der Basisplatte (118) hinaus erstrecken und zum Befestigen an einer anderen Leiterplatte eingerichtet sind, und wobei die Signalpads (146) von den Massepads (140) beabstandet sind und jenseits der äußeren Seitenwand der Basisplatte (118) positioniert sind und ebenfalls zum Befestigen an der gleichen Leiterplatte wie die Massepads (140) eingerichtet sind.
  14. Halbleitergehäuse nach Anspruch 13, wobei die Massepads (140) durch isolierte Massedurchkontaktierungen, die sich wenigstens teilweise durch die Mehrschichtleiterplatte (108) hindurch erstrecken, elektrisch mit jeder Masseschicht (132, 134) der Mehrschichtleiterplatte (108) verbunden sind, und wobei die Signalpads (146) durch isolierte Signaldurchkontaktierungen, die sich wenigstens teilweise durch die Mehrschichtleiterplatte (108) hindurch erstrecken, elektrisch mit jeder Signalschicht (136, 138) der Mehrschichtleiterplatte (108) verbunden sind.
  15. Halbleitergehäuse nach einem der Ansprüche 1-14, wobei die Masseschichten (132, 134) durch isolierte Massedurchkontaktierungen, die sich wenigstens teilweise durch die Mehrschichtleiterplatte (108) hindurch erstrecken, elektrisch miteinander verbunden sind.
  16. Halbleitergehäuse, umfassend: eine Metallbasisplatte (100); einen Halbleiter-Die (106, 108) mit einem Referenzanschluss (112), der an der Basisplatte (118) befestigt ist, und einem Hochfrequenzanschluss (114), der von der Basisplatte (118) abgewandt ist; eine Mehrschichtleiterplatte (108) mit einer ersten Seite (116), die an der Basisplatte (118) befestigt ist, und einer zweiten Seite, die von der Basisplatte (118) abgewandt ist, wobei die Mehrschichtleiterplatte (108) mehrere verschachtelte Signalschichten (136, 138) und Masseschichten (132, 134) umfasst, wobei sich eine der Signalschichten (136, 138) an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und mit dem Hochfrequenzanschluss (114) des Halbleiter-Die (106, 108) elektrisch verbunden ist und wobei sich eine der Masseschichten (132, 134) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und an der Metallbasisplatte (100) befestigt ist; Leistungsverteilungsstrukturen (402, 602), die in der Signalschicht an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) gebildet sind; und Hochfrequenz-Anpassungsstrukturen, die in einer anderen der Signalschichten (136, 138) als die Leistungsverteilungsstrukturen gebildet sind.
  17. Halbleitergehäuse nach Anspruch 16, ferner Leistungskombinierungsstrukturen umfassend, die in der Signalschicht (138) an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) gebildet und separat von den Leistungsverteilungsstrukturen (402, 602) sind, wobei die Leistungsverteilungsstrukturen (402, 602) durch die Hochfrequenz-Anpassungsstrukturen elektrisch mit den Leistungskombinierungsstrukturen verbunden sind.
  18. Halbleitergehäuse nach Anspruch 17, wobei die Leistungskombinierungsstrukturen durch isolierte Durchkontaktierungen (148), die sich durch die Mehrschichtleiterplatte (108) hindurch erstrecken, elektrisch mit jeweiligen Signalpads (146) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) verbunden sind.
  19. Halbleitergehäuse nach Anspruch 18, ferner Massepads (140) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) umfassend, die mit den Masseschichten (132, 134) der Mehrschichtleiterplatte (108) elektrisch verbunden sind und die mit den Signalpads (146) verschachtelt sind.
  20. Halbleiteranordnung, umfassend: ein Substrat; und ein Halbleitergehäuse, das an dem Substrat befestigt ist und das umfasst: eine Metallbasisplatte (100); einen Halbleiter-Die (106, 108) mit einem Referenzanschluss (112), der an der Basisplatte (118) befestigt ist, und einem Hochfrequenzanschluss (114), der von der Basisplatte (118) abgewandt ist; eine Mehrschichtleiterplatte (108) mit einer ersten Seite (116), die an der Basisplatte (118) befestigt ist, und einer zweiten Seite, die von der Basisplatte (118) abgewandt ist, wobei die Mehrschichtleiterplatte (108) mehrere verschachtelte Signalschichten (136, 138) und Masseschichten (132, 134) umfasst, wobei sich eine der Signalschichten (136, 138) an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und mit dem Hochfrequenzanschluss (114) des Halbleiterdies elektrisch verbunden ist und sich eine der Masseschichten (132, 134) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) befindet und an der Metallbasisplatte (100) befestigt ist; Leistungsverteilungsstrukturen (402, 602), die in der Signalschicht (138) an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) gebildet sind; und Hochfrequenz-Anpassungsstrukturen, die in einer anderen der Signalschichten (136, 138) als die Leistungsverteilungsstrukturen (402, 602) gebildet sind.
  21. Halbleiteranordnung nach Anspruch 20, wobei die Masseschicht an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) umfasst: eine erste Gruppe von Massepads (140), die an der Metallbasisplatte (100) befestigt sind; eine zweite Gruppe von Massepads, die jenseits der äußeren Seitenwand der Basisplatte (118) positioniert und an einer ersten Metallisierung des Substrats befestigt sind; und eine Gruppe von Signalpads (146), die jenseits der äußeren Seitenwand der Basisplatte (118) positioniert und an einer zweiten Metallisierung des Substrats befestigt sind.
  22. Halbleiteranordnung nach Anspruch 20 oder 21, ferner Leistungskombinierungsstrukturen umfassend, die in der Signalschicht (138) an der zweiten Seite der Mehrschichtleiterplatte (108) gebildet und von den Leistungsverteilungsstrukturen (402, 602) separat sind, wobei die Leistungsverteilungsstrukturen (402, 602) durch die Hochfrequenz-Anpassungsstrukturen elektrisch mit den Leistungskombinierungsstrukturen verbunden sind.
  23. Halbleiteranordnung nach Anspruch 22, wobei: die Leistungskombinierungsstrukturen durch isolierte Durchkontaktierungen (148), die sich durch die Mehrschichtleiterplatte (108) hindurch erstrecken, elektrisch mit jeweiligen Signalpads (146) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) verbunden sind; und die Signalpads (146) an einer ersten Metallisierung des Substrats befestigt sind.
  24. Halbleiteranordnung nach Anspruch 23, ferner Massepads (140) an der ersten Seite (116) der Mehrschichtleiterplatte (108) umfassend, wobei: die Massepads (140) elektrisch mit den Masseschichten (132, 134) der Mehrschichtleiterplatte (108) verbunden und mit den Signalpads (146) verschachtelt sind; und die Massepads (140) an einer zweiten Metallisierung des Substrats befestigt sind.
DE102016113946.7A 2015-07-28 2016-07-28 PCB-basiertes Halbleitergehäuse mit integrierter elektrischer Funktionalität Active DE102016113946B4 (de)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015212232B4 (de) * 2015-06-30 2020-03-05 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungscombiner zur Kopplung von Hochfrequenzsignalen und Leistungscombineranordnung mit einem solchen Leistungscombiner
US10225922B2 (en) 2016-02-18 2019-03-05 Cree, Inc. PCB based semiconductor package with impedance matching network elements integrated therein
US10741476B2 (en) 2017-04-19 2020-08-11 Infineon Technologies Ag Passive electrical component with thermal via
US10332847B2 (en) * 2017-06-01 2019-06-25 Infineon Technologies Ag Semiconductor package with integrated harmonic termination feature
US10141303B1 (en) 2017-09-20 2018-11-27 Cree, Inc. RF amplifier package with biasing strip
US20190150296A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Raytheon Company Additive manufacturing technology microwave vertical launch
US10673386B2 (en) 2017-12-05 2020-06-02 Nxp Usa, Inc. Wideband power amplifiers with harmonic traps
US10685925B2 (en) 2018-01-26 2020-06-16 Nvidia Corporation Resistance and capacitance balancing systems and methods
CN110213880B (zh) * 2018-02-28 2020-08-25 苏州旭创科技有限公司 柔性电路板、电路板组件、光收发组件及光模块
US10622736B2 (en) 2018-07-10 2020-04-14 Futurewei Technologies, Inc. Harmonic termination integrated passive device
WO2021119898A1 (zh) * 2019-12-16 2021-06-24 瑞声声学科技(深圳)有限公司 传输线
US11769768B2 (en) * 2020-06-01 2023-09-26 Wolfspeed, Inc. Methods for pillar connection on frontside and passive device integration on backside of die
US11342289B2 (en) * 2020-09-01 2022-05-24 Intel Corporation Vertical power plane module for semiconductor packages
JP7491188B2 (ja) 2020-11-09 2024-05-28 株式会社デンソー 電気機器
CN117202545B (zh) * 2023-08-30 2024-05-10 山东航天电子技术研究所 一种宇航模块电源的高密度封装结构

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60314353T2 (de) 2002-11-06 2008-02-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Leiterplatte und Methode um eine Leiterplatte an einem elektrisch leitenden Gehäuse anzubringen

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3966196A (en) * 1974-01-14 1976-06-29 Roland Offsetmaschinenfabrik Faber & Schleicher Ag Sheet delivery mechanism
US3986196A (en) * 1975-06-30 1976-10-12 Varian Associates Through-substrate source contact for microwave FET
JPH06295962A (ja) 1992-10-20 1994-10-21 Ibiden Co Ltd 電子部品搭載用基板およびその製造方法並びに電子部品搭載装置
US5622588A (en) 1995-02-02 1997-04-22 Hestia Technologies, Inc. Methods of making multi-tier laminate substrates for electronic device packaging
US5597643A (en) 1995-03-13 1997-01-28 Hestia Technologies, Inc. Multi-tier laminate substrate with internal heat spreader
US5609889A (en) * 1995-05-26 1997-03-11 Hestia Technologies, Inc. Apparatus for encapsulating electronic packages
US5843808A (en) 1996-01-11 1998-12-01 Asat, Limited Structure and method for automated assembly of a tab grid array package
JPH10242377A (ja) 1997-02-25 1998-09-11 Hitachi Ltd 高周波電力増幅器モジュール
US5973389A (en) 1997-04-22 1999-10-26 International Business Machines Corporation Semiconductor chip carrier assembly
US6329713B1 (en) * 1998-10-21 2001-12-11 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip carrier assembly comprising a stiffener attached to a dielectric substrate
US6261868B1 (en) 1999-04-02 2001-07-17 Motorola, Inc. Semiconductor component and method for manufacturing the semiconductor component
US6511866B1 (en) 2001-07-12 2003-01-28 Rjr Polymers, Inc. Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices
JP2003179181A (ja) 2001-12-11 2003-06-27 Ngk Spark Plug Co Ltd 樹脂製配線基板
JP3813098B2 (ja) 2002-02-14 2006-08-23 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
US20030150641A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Noyan Kinayman Multilayer package for a semiconductor device
DE10223035A1 (de) 2002-05-22 2003-12-04 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit Hohlraumgehäuse, insbesondere Hochfrequenz-Leistungsmodul
US7298046B2 (en) 2003-01-10 2007-11-20 Kyocera America, Inc. Semiconductor package having non-ceramic based window frame
KR20050072881A (ko) * 2004-01-07 2005-07-12 삼성전자주식회사 임피던스 정합 비아 홀을 구비하는 다층기판
US7446411B2 (en) 2005-10-24 2008-11-04 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor structure and method of assembly
US7961470B2 (en) * 2006-07-19 2011-06-14 Infineon Technologies Ag Power amplifier
US8238116B2 (en) * 2007-04-13 2012-08-07 Avx Corporation Land grid feedthrough low ESL technology
US7728774B2 (en) * 2008-07-07 2010-06-01 International Business Machines Corporation Radio frequency (RF) integrated circuit (IC) packages having characteristics suitable for mass production
US8013429B2 (en) 2009-07-14 2011-09-06 Infineon Technologies Ag Air cavity package with copper heat sink and ceramic window frame
US8110915B2 (en) 2009-10-16 2012-02-07 Infineon Technologies Ag Open cavity leadless surface mountable package for high power RF applications
JP5765174B2 (ja) 2011-09-30 2015-08-19 富士通株式会社 電子装置
US8907467B2 (en) 2012-03-28 2014-12-09 Infineon Technologies Ag PCB based RF-power package window frame
EP2845455A4 (de) * 2012-05-04 2015-08-05 Sierra Wireless Inc In einer leiterplatte eines drahtlosen endgeräts verkapselte uicc
KR101442354B1 (ko) * 2012-12-21 2014-09-17 삼성전기주식회사 예비 공간 변환기 및 이를 이용하여 제조된 공간 변환기, 그리고 상기 공간 변환기를 구비하는 반도체 소자 검사 장치
CN204332946U (zh) * 2014-01-27 2015-05-13 半导体元件工业有限责任公司 半导体封装结构和电子封装结构

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60314353T2 (de) 2002-11-06 2008-02-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Leiterplatte und Methode um eine Leiterplatte an einem elektrisch leitenden Gehäuse anzubringen

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