DE102015104686B4

DE102015104686B4 - Verfahren und system zum erzeugen eines layouts

Info

Publication number: DE102015104686B4
Application number: DE102015104686.5A
Authority: DE
Inventors: Shien-Yang Wu; Jye-Yen Cheng; Wei-Chang Kung
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2014-09-10
Filing date: 2015-03-27
Publication date: 2018-02-08
Anticipated expiration: 2035-03-28
Also published as: KR101759784B1; DE102015104686A1; KR20160030437A

Abstract

Verfahren zum Erzeugen eines Layouts, das zur Herstellung einer integrierten Schaltung verwendbar ist und das Folgendes umfasst: Erzeugen einer Block-Layoutschicht, die zusammen mit einer ersten leitenden Layoutschicht verwendbar ist, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen, wobei die erste leitende Layoutschicht eine Sicherungs-Layoutstruktur (1010) umfasst und die Block-Layoutschicht eine Block-Layoutstruktur (1052) umfasst, die einen Abschnitt eines Sicherungs-Leitungsabschnitts (1020) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) überlappt; und Erzeugen einer zweiten leitenden Layoutschicht, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen, wobei das Erzeugen der zweiten leitenden Layoutschicht das Anwenden eines Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Verfahrens auf die erste leitende Layoutschicht umfasst, wobei das OPC-Verfahren auf den Abschnitt (10265) des Sicherungs-Leitungsabschnitts (1020) der Sicherungs-Layoutstruktur, der der Block-Layoutstruktur entspricht, nicht angewendet wird.

Description

HINTERGRUND
Die vorliegende Offenbarung betrifft im Allgemeinen das Gebiet der Halbleiterschaltungen und insbesondere integrierte Schaltungen, die Sicherungen aufweisen, und Systeme mit ihnen.
die US 6 566 729 B1 beschreibt eine Halbleitervorrichtung mit schmelzbaren leitfähigen Verbindungen. In der Nähe der schmelzbaren leitfähigen Verbindungen werden Dummy-Strukturen gebildet. Wenn die Dichte eines Sicherungsbereichs durch die Dummy-Strukturen hoch wird, können die schmelzbaren leitfähigen Verbindungen präzise gebildet werden.
Die US 2011/0 116 299 A1 beschreibt eine Halbleitervorrichtung mit einer Dummy-Sicherung neben einer Sicherung, wobei die Leitungsbreiten und der Abstand zwischen den Sicherungen jeweils minimal sind.
In der Halbleiterindustrie wurden Sicherungselemente allgemein in integrierten Schaltungen für eine Vielzahl von Zwecken verwendet, etwa der Verbesserung des Herstellungsertrags oder dem kundenspezifischen Anpassen einer generischen integrierten Schaltung. Sicherungselemente können beispielsweise verwendet werden, um fehlerhafte Schaltungen auf einem Chip mit redundanten Schaltungen auf dem gleichen Chip zu ersetzen, und so können Herstellungserträge wesentlich gesteigert werden. Das Ersetzen von fehlerhaften Schaltungen ist besonders nützlich, um den Herstellungsertrag von Speicherchips zu steigern, da Speicherchips aus vielen identischen Speicherzellen und Zellengruppen bestehen. In einem weiteren Beispiel kann das selektive Auslösen von Sicherungen in einer integrierten Schaltung verwendet werden, um ein generisches integriertes Schaltungsdesign auf eine Vielzahl von kundenspezifischen Verwendungen anzupassen.
Die Erfindung sieht ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und 9 ein Designsystem gemäß Anspruch 16 vor. Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die vorliegende Offenbarung wird am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie mit den beigefügten Figuren gelesen wird. Man beachte verschiedene Einrichtungen nicht maßstabsgetreu gezeigt sind. Tatsächlich können die Anzahl und die Abmessungen der verschiedenen Einrichtungen zur Klarheit der Beschreibung beliebig vergrößert oder verkleinert werden.
1 ist eine schematische Zeichnung, die eine beispielhafte Sicherung einer integrierten Schaltung und mehrere Dummy-SDummy-Strukturen daran anschließend zeigt.
2 ist eine Zeichnung, die eine Simulationsstruktur zeigt, die der Sicherungsstruktur von 1 entspricht.
3 ist eine Zeichnung, die eine weitere Sicherung einer integrierten Schaltung und beispielhafte Dummy-Strukturen daran angrenzend zeigt.
4A–4H sind schematische Zeichnungen, die verschiedene beispielhafte Strukturen von Abschnitten zwischen Sicherungsenden und mittleren Bereichen zeigen.
5A–5F sind schematische Zeichnungen, die verschiedene beispielhafte Strukturen des mittleren Abschnitts der Sicherung zeigen.
6 ist eine Zeichnung, die eine Beziehung zwischen dem Widerstand (Ω) und der Verteilungsfunktion (%) von beispielhaften Sicherungen zeigt.
7 ist eine schematische Zeichnung, die einen Abschnitt einer beispielhaften integrierten Schaltung zeigt.
8 ist eine schematische Zeichnung, die ein System zeigt, das eine beispielhafte integrierte Schaltung umfasst.
9 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Erzeugen eines Layouts in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
10A–10C sind schematische Zeichnungen eines Abschnitts eines Layouts, das zu Bereich A in 1 gehört, in verschiedenen Herstellungsstufen in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen.
11 ist ein funktionales Blockdiagramm eines Designsystems für integrierte Schaltungen in Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Es versteht sich, dass die folgende Offenbarung viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele vorsieht, um verschiedene Einrichtungen der Erfindung zu implementieren. Spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind unten beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind natürlich nur Beispiele und sollen nicht einschränkend wirken. Das Ausbilden einer ersten Einrichtung über oder auf einer zweiten Einrichtung in der folgenden Beschreibung kann beispielsweise Ausführungsformen umfassen, in denen die erste und die zweite Einrichtung in direktem Kontakt ausgebildet sind, und kann auch Ausführungsformen umfassen, in denen zusätzliche Einrichtungen zwischen der ersten Einrichtung und der zweiten Einrichtung ausgebildet sein können, so dass die erste und die zweite Einrichtung nicht in direktem Kontakt sein müssen. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugszeichen und/oder Buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient dem Zweck der Einfachheit und Klarheit und erzwingt an sich keine Beziehung zwischen den verschiedenen beschriebenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen.
Im Allgemeinen gibt es verschiedene Weisen, Sicherungen abzuschalten: Abschalten, das durch die Auswirkung eines Laserstrahls ausgelöst wird (als Lasersicherung bezeichnet); oder Abschalten, das durch elektrische Zerstörung ausgelöst wird, die von der Erzeugung von Wärme herrührt (als elektrische Sicherung oder E-Sicherung bezeichnet).
Laser-programmierbare Redundanz, die Laser-Sicherungen verwendet, wurde allgemein in großen Speichervorrichtungen verwendet. Laser-Reparaturraten in verschiedenen Strukturen, etwa in Metallschichten auf unteren Ebenen, sind jedoch niedrig und das Verfahren ist komplex. Es wird beispielsweise eine zusätzliche Maske benötigt, um eine Öffnung für Laser-Schmelzen auszubilden, und das Verfahren muss genau gesteuert werden. Wenn eine Lasersicherung in einer unteren Ebene tief in einem Chip angeordnet ist, ist die Öffnung tiefer. Die Dicke des Dielektrikums der Verbindung muss genau gesteuert werden, was die Komplexität stark erhöht und den reparierbaren Anteil verringert.
Für elektrisches Schmelzen wird ein Polysiliziumstreifen ausgebildet und strukturiert. Der Polysiliziumstreifen wird durch ein Verfahren ausgebildet, das Polysilizium-Gates ausbildet. Als die komplementäre Metalloxid-Halbleiter-(CMOS)-Technologie von den Polysilizium-Gates zu Metallgates voranschritt, wurde ein zusätzliches Verfahren hinzugefügt, das den Polysiliziumstreifen ausbildet. Das zusätzliche Polysiliziumverfahren erhöht die Herstellungskosten. Es wurde auch herausgefunden, dass ein Sicherungs-Einstellungsverhältnis, d. h. ein Endwiderstand nach dem Schmelzen (R_fusing) gegenüber einem anfänglichen Widerstand (R_initial), etwa 50 oder weniger beträgt. Ein solches Sicherungs-Einstellungsverhältnis kann zu einer unerwünschten Schmelz-Fehlerrate oder Reparaturrate führen.
1 ist eine schematische Zeichnung, die eine beispielhafte Sicherung einer integrierten Schaltung und mehrere Dummy-Strukturen daran anschließend zeigt. In 1 umfasst eine integrierte Schaltung 100 eine Sicherung 100a über einem Substrat (nicht gezeigt). Die integrierte Schaltung kann eine Speicherschaltung, eine analoge Schaltung, eine digitale Schaltung, eine Mixed-Mode-Schaltung, einen Prozessor, andere integrierte Schaltungen und/oder Kombinationen daraus umfassen. Zumindest ein Teil der Schaltung in der integrierten Schaltung 100 ist mit der Sicherung 100a verbunden. Das Substrat ist aus Halbleitermaterialien hergestellt, etwa Silizium oder Germanium in einer kristallinen, polykristallinen oder amorphen Struktur; einem Verbundhalbleiter, der Siliziumkarbid, Galliumarsenid, Galliumphosphid, Indiumphosphid, Indiumarsenid und Indiumantimonid umfasst; einem Legierungshalbleiter, der SiGe, GaAsP, AlInAs, AlGaAs, GaInAs, GaInP und GaInAsP umfasst; jedem anderen geeigneten Material oder Kombinationen daraus. In einer Ausführungsform kann das Legierungshalbleiter-Substrat eine SiGe-Gradienteneinrichtung aufweisen, bei der die Si- und Ge-Zusammensetzung sich von einem Verhältnis an einem Ort zu einem anderen Verhältnis an einem anderen Ort der SiGe-Gradienteneinrichtung ändert. In einer weiteren Ausführungsform wird die SiGe-Legierung über einem Siliziumsubstrat ausgebildet. In einer weiteren Ausführungsform ist das SiGe-Substrat gestreckt. Des Weiteren kann das Halbleitersubstrat ein Halbleiter-auf-Isolator sein, etwa ein Silizium-auf-Isolator (SOI) oder ein Dünnfilmtransistor (TFT). In einigen Beispielen kann das Halbleitersubstrat eine dotierte Epi-Schicht oder eine vergrabene Schicht umfassen. In anderen Beispielen weist der Verbundhalbleiter eine Mehrschichtstruktur auf oder das Substrat kann eine Mehrschicht-Verbundhalbleiterstruktur umfassen.
Mit Bezug auf 1 umfasst die Sicherung 100a ein erstes Ende 101, ein zweites Ende 103 und einen mittleren Bereich 105 zwischen dem ersten Ende 101 und dem zweiten Ende 103. Das erste Ende 101 und das zweite Ende 103 der Sicherung 100a sind durch mindestens eine integrierte Schaltung verbunden. Wenn ein Strom, der durch die Sicherung 100a fließt, hoch genug ist, schmilzt der mittlere Abschnitt 105 der Sicherung 100a, was zu der Abschaltung der integrierten Schaltung führt, die damit verbunden ist. In einigen Ausführungsformen weist die Sicherung 100a das gleiche Material auf wie ein Metallgate eines Feldeffekttransistors (FET), z. B. Kupfer, Wolfram, Titan, Tantal, Titannitrid, Tantalnitrid, Nickelsilizid, Kobaltsilizid; andere geeignete leitende Materialien und Kombinationen daraus, ein gleiches Material wie eine metallische Schicht der Verbindung, z. B. Kupfer, Aluminiumoxid, Aluminium, Aluminiumnitrid, Titan, Titannitrid (TiN), Tantal, Tantalnitrid, ein anderes geeignetes Material und/oder Kombinationen daraus und/oder ein anderes geeignetes metallisches Material. In mindestens einer weiteren Ausführungsform wird die Sicherung 100a durch ein Verfahren ausgebildet, das ein Metallgate oder eine Metall-Verbindungsschicht ausbildet, und kein zusätzlicher Schritt zum Ausbilden eines zusätzlichen Polysiliziumstreifens zum Schmelzen ist nötig.
In einer der Ausführungsformen umfasst die integrierte Schaltung 100 erste Dummy-Strukturen 110a und 110b benachbart zu beiden Seiten des mittleren Abschnitts 105 der Sicherung 100a. Die Strukturen der Sicherung 100a und der ersten Dummy-Strukturen 110a, 110b können von Strukturen von mindestens einer Maskenschicht durch ein fotolithographisches Verfahren übertragen werden. In einigen Ausführungsformen ist die Sicherung 100a eine einzelne Leitung. Wenn die Breite des mittleren Abschnitts 105 der Sicherung 100a ohne eine benachbarte Dummy-Struktur gemäß einer Technologieskalierung verkleinert wird, kann das fotolithographische Verfahren die Struktur des mittleren Abschnitts 105 der Sicherung 100a verzerren, was zu unerwarteten Abweichungen der kritischen Abmessung des mittleren Abschnitts 105 der Sicherung 100a führt. Dummy-Strukturen der Maskenschicht, die zu den ersten Dummy-Strukturen 110a und 110b gehören, sind so konfiguriert, dass sie die Änderung der kritischen Abmessung des mittleren Abschnitts 105 der Sicherung 100a beseitigen oder verringern, die von dem fotolithographischen Verfahren oder einer Logikoperation herrührt, die durch Optical Proximity Correction (POC) angewendet wird. Indem Dummy-Strukturen hinzugefügt werden, die zu den ersten Dummy-Strukturen 110a und 110b auf der Maskenschicht gehören, kann das lithographische Verfahren die Struktur des mittleren Abschnitts 105 der Sicherung 100a auf dem Substrat mit der vorbestimmten Abmessung besser ausbilden.
In einigen der Ausführungsformen weisen die ersten Dummy-Strukturen 110a und 110b Leitungen 111, 113 bzw. 117, 119 auf. Die erste Dummy-Struktur 110a weist einen Raum 115a zwischen den Leitungen 111 und 113 auf und die erste Dummy-Struktur 110b weist einen Raum 115b zwischen den Leitungen 117 und 119 auf. In einigen Ausführungsformen sind die Räume 115a und 115b benachbart zu dem mittleren Abschnitt 105 der Sicherung 100a. In anderen Ausführungsformen sind die Räume 115a und 115b benachbart zu der Mitte (nicht gekennzeichnet) des mittleren Abschnitts 105. Wenn ein Stromfluss die Sicherung 100a schmelzt und das geschmolzene Sicherungsmaterial sich zu den Leitungen 111 und/oder 113 bewegt, kann der Raum 115a die Leitung 111 von der Leitung 113 isolieren, was den Weg des Stromflusses offen hält. Die integrierte Schaltung, die mit der Sicherung 100a verbunden ist, kann so gesteuert und/oder betrieben werden. Man beachte, dass die Anzahl und der Ort der Räume 115a und 115b, die in 1 gezeigt sind, nur Beispiele sind. Ein Fachmann kann die Anzahl ändern und/oder den Ort anpassen, um ein angestrebtes Sicherungselement zu erzeugen.
Mit Bezug auf 1 umfasst in einer Ausführungsform die integrierte Schaltung 100 mindestens eine zweite Dummy-Struktur, etwa die zweiten Dummy-Strukturen 120a und 120b. Die zweiten Dummy-Strukturen 120a und 120b sind benachbart zu den ersten Dummy-Strukturen 110a bzw. 110b angeordnet. Wie erwähnt, kann das fotolithographische Verfahren, das die Struktur der Sicherung 100a von der Maskenschicht zu dem Substrat überträgt, den zentralen Abschnitt 105 der Sicherung 100a verzerren. Dummy-Strukturen auf der Maskenschicht, die zu den zweiten Dummy-Strukturen 120a und 120b gehören, verringern die Verzerrung und stellen die lokale Strukturdichte sicher.
In mindestens einer der Ausführungsformen weisen die zweiten Dummy-Strukturen 120a und 120b Leitungen 121, 123 bzw. 127, 129 auf. Die zweite Dummy-Struktur 120a weist einen Raum 1255 zwischen den Leitungen 121 und 123 auf und die zweite Dummy-Struktur 120b weist einen Raum 125b zwischen den Leitungen 127 und 129 auf. Die Räume 125 und 125b sind benachbart zu den Räumen 115a bzw. 115b der ersten Dummy-Strukturen 110a und 110b. Wenn ein Stromfluss die Sicherung 100a schmelzt und das geschmolzene Sicherungsmaterial sich zu den Leitungen 111 und/oder 113 und weiter zu den Leitungen 121 und/oder 123 bewegt, kann der Raum 125 die Leitung 121 von der Leitung 123 isolieren, was den Weg des Stromflusses offen hält. Die integrierte Schaltung, die mit der Sicherung 100a verbunden ist, kann so gesteuert und betrieben werden. Man beachte, dass die Anzahl und der Ort der Räume 125a und 125b, die in 1 gezeigt sind, nur Beispiele sind. Ein Fachmann kann die Anzahl ändern und/oder den Ort anpassen, um ein angestrebtes Sicherungselement zu erzeugen.
Bezieht man sich wieder auf 1, umfasst in noch einer weiteren Ausführungsform die integrierte Schaltung 100 mindestens eine dritte Dummy-Struktur, etwa die dritten Dummy-Strukturen 130a und 130b. Die dritten Dummy-Strukturen 130a und 130b verringern die Verzerrung des mittleren Abschnitts 105 der Sicherung 100a, die von dem fotolithographischen Verfahren herrührt, und stellen auch die lokale Strukturdichte sicher. In einigen Ausführungsformen umfassen die dritten Dummy-Strukturen 130a und 130b mehrere Leitungen 131–133 bzw. 136–138. Die Dummy-Strukturen 130a und 130b erstrecken sich durchgehend über das Substrat. In anderen Ausführungsformen umfassen die Dummy-Strukturen 130a und 130b mindestens einen Raum, der oben mit Bezug auf die Dummy-Strukturen 110a und 110b beschrieben wurde.
Man beachte, dass die Orte der Räume 115a, 115b, 1255 und 125b geändert werden können, solange die Räume 115a, 115b, 125a und 125b den Stromfluss durch das sich bewegende Sicherungsmaterial angemessen brechen können. Man beachte auch, dass die Strukturen und die Anzahl der Dummy-Strukturen 110a–110b, 120a–120b, 130a–130b und der Leitungen 111, 113, 117, 119, 121, 123, 127, 129, 131–133 und 136–138 nur Beispiele sind. Der Schutzumfang der Erfindung ist nicht darauf eingeschränkt. Ein Fachmann kann sie ändern, um eine angestrebte Sicherungsstruktur zu erzeugen.
Bezieht man sich wieder auf 1, umfasst in einer Ausführungsform die Sicherung 100a Abschnitte 107 und 109 zwischen dem ersten Ende 101 und dem mittleren Abschnitt 105 bzw. zwischen dem zweiten Ende 103 und dem mittleren Abschnitt 105. Wie erwähnt, kann das fotolithographische Verfahren die Struktur des mittleren Abschnitts 105 verzerren. Das fotolithographische Verfahren kann auch die Struktur des Grenzbereichs zwischen dem ersten Ende 101 und dem mittleren Abschnitt 105 und zwischen dem zweiten Ende 103 und dem mittleren Abschnitt 105 verzerren. Eine Struktur auf der Maskenschicht, die zu dem Abschnitt 107 gehört, ist so konfiguriert, dass sie die Verzerrung an dem Grenzbereich zwischen dem ersten Ende 101 und dem mittleren Abschnitt 105 beseitigt oder verringert. In einigen Ausführungsformen weist die Struktur auf der Maskenschicht, die zu dem Abschnitt 107 gehört, eine verringerte Breite von dem ersten Ende 101 zu dem mittleren Abschnitt 105 auf. Die Struktur auf der Maskenschicht, die zu dem Abschnitt 107 gehört, kann als Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Technik bezeichnet werden. Man beachte, dass die Struktur des Abschnitts 107, der in 1 gezeigt ist, nur der Beschreibung dient. Indem die Struktur auf der Maskenschicht auf das Substrat übertragen wird, kann die endgültige Struktur des Abschnitts 107 als das Bezugszeichen 207 gezeigt werden, das in 2 gezeigt ist. 2 ist eine Zeichnung, die eine Simulationsstruktur zeigt, die der Sicherungsstruktur von 1 entspricht. Elemente von 2, die Elementen in 1 ähneln oder gleichen, sind durch entsprechende Bezugszeichen gekennzeichnet, die Bezugszeichen von 1 sind, erhöht um 100. Wie gezeigt, kann die endgültige Struktur des Abschnitts 207 eine Breite „w” haben, die sich von dem ersten Ende (in 2 nicht gezeigt) zu dem mittleren Abschnitt langsam verkleinert.
3 ist eine Zeichnung, die eine weitere Sicherung einer integrierten Schaltung und beispielhafte Dummy-Strukturen dazu benachbart zeigt. Elemente von 3, die den Elementen in 1 gleichen oder ähneln, sind durch entsprechende Bezugszeichen gekennzeichnet, die die Bezugszeichen von 1 sind, erhöht um 200. In einer der Ausführungsformen umfasst die erste Dummy-Struktur 310a „L”-förmige Dummy-Strukturen 311 und 313. Jede der L-förmigen Dummy-Strukturen, z. B. die Dummy-Struktur 311, weist eine Ecke auf, z. B. die Ecke 311a, die dem Abschnitt 307 zwischen dem ersten Ende 301 und dem mittleren Abschnitt 305 zugewandt ist. Die Dummy-Strukturen auf der Maskenschicht, die der L-förmigen Dummy-Struktur 307 entsprechen, beseitigen oder verringern Verzerrungen an dem mittleren Abschnitt 305 und/oder dem Abschnitt 307 der Sicherung 300a, die von dem fotolithographischen Verfahren herrühren. Man beachte, dass die Form der Dummy-Strukturen 310a und 310b nur ein Beispiel ist. Ein Fachmann kann die Form der Dummy-Strukturen ändern, um eine angestrebte Sicherungsstruktur zu erzeugen.
4A–4H sind schematische Zeichnungen, die verschiedene beispielhafte Strukturen von Abschnitten zwischen Sicherungsenden und mittleren Abschnitten zeigen, die in den Ausführungsformen anwendbar sind, die in 1 und 3 gezeigt sind. Elemente der 4A–4H, die Elementen in 1 ähneln oder gleichen, sind durch entsprechende Bezugszeichen gekennzeichnet, die die Bezugszeichen von 1 sind, erhöht um 300 zusammen mit einem Buchstaben, der sich von „a” zu „h” für jede Zeichnung entsprechend ändert. Man beachte, dass die Strukturen der Abschnitte 407a–407h, die in den 4A–4H gezeigt sind, nur Beispiele sind und denen auf Maskenschichten ähneln können. Die endgültigen Strukturen der Abschnitte 407a–407h auf Substraten können dem Abschnitt 207 ähneln, der in 2 gezeigt ist, und/oder können gemäß den Strukturen auf der Maskenschicht geändert werden. Man beachte, dass die Strukturen der Abschnitte 407a–407h zwischen den Sicherungsenden und den mittleren Abschnitten nur Beispiele sind. Ein Fachmann kann die Strukturen ändern, um eine angestrebte endgültige Struktur zu erzeugen.
5A–5F sind schematische Zeichnungen, die verschiedene beispielhafte Strukturen des mittleren Abschnitts der Sicherung zeigen, die zusammen mit den Ausführungsformen verwendbar sind, die in 1 und 3 gezeigt sind. Elemente der Elemente der 5A–5F, die Elementen in 1 ähneln oder gleichen, sind durch entsprechende Bezugszeichen gekennzeichnet, die die Bezugszeichen von 1 sind, erhöht um 400 zusammen mit einem Buchstaben, der sich von „a” zu „f” für jede Zeichnung entsprechend ändert. In Ausführungsformen, die in 5A–5E gezeigt sind, weisen die mittleren Abschnitte 505a–505e Abschnitte 545a–545e jeweils zwischen Abschnitten 540a–540e auf. Die Breiten der Abschnitte 545a–545e sind kleiner als die Breite jeweils eines der Abschnitte 540a–540e. Die Abschnitte 545a–545e sind so konfiguriert, dass sie schmelzen, wenn ein hoher Strom durch die mittleren Abschnitte 505a–505e fließt. In 5F weist der mittlere Abschnitt 505f einen Abschnitt 545f zwischen Abschnitten 540f auf, wobei die Breite des Abschnitts 545f größer als jeder der Abschnitte 540f ist. In einer Ausführungsform sind die Abschnitte 540f so konfiguriert, dass sie schmelzen, wenn ein hoher Strom durch die mittleren Abschnitte 505f fließt. Man beachte, dass die Strukturen der mittleren Abschnitte 505a–505f nur Beispiele sind. Ein Fachmann kann die Strukturen ändern, um einen angestrebten mittleren Abschnitt der Sicherung zu erzeugen.
6 ist eine Zeichnung, die eine Beziehung zwischen dem Widerstand (Ω) und der Verteilungsfunktion (%) von beispielhaften Sicherungen zeigt. Wie gezeigt, kann ein Verhältnis eines Endwiderstands (R_fusing) nach dem Schmelzen gegenüber einem Anfangswiderstand (R_initial) etwa 10.000 oder mehr betragen. Das heißt, dass die Sicherungen, die oben mit Bezug auf 1, 3, 4A–4H und 5A–5F beschrieben sind, wünschenswert auslösen können, wenn ein hoher Strom durch die Sicherung fließt, und daher ist die integrierte Schaltung, die mit der Sicherung verbunden ist, geschützt.
7 ist eine schematische Zeichnung, die einen Abschnitt einer integrierten Schaltung zeigt. In 7 umfasst in Übereinstimmung mit einer der Ausführungsformen eine integrierte Schaltung 700 eine Sicherung 700a, einen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) 710 und eine Abtastschaltung 720. Die Sicherung 700a wird durch ein Widerstandssymbol in dem schematischen Diagramm wiedergegeben. Die Sicherung 700a kann den Sicherungen 100a oder 300a ähneln, die oben mit Bezug auf 1 bzw. 3 beschrieben sind. Ein erster Anschluss der Sicherung 700a ist mit einer Versorgungsspannung, z. B. V_CC, verbunden und ein zweiter Anschluss ist mit einem Drain-Anschluss des MOSFETs 710 verbunden, z. B. eines n-MOSFETs. Ein Source-Anschluss des MOSFETs 710 ist mit V_SS oder der Erde verbunden. In einer der Ausführungsformen ist der MOSFET 710 eine Treibervorrichtung, die betrieben werden kann, um einen Einstellungsstrom und einen Spannungsabfall an der Sicherung 700a anzulegen. Ein Steuersignal (nicht gezeigt) wird an den Gate-Anschluss 710a des MOSFETs 710 angelegt, das betrieben werden kann, um den MOSFET 710 AN oder AUS zu schalten. Die Abtastschaltung 720 ist dem Drain-Anschluss des MOSFETs 710 verbunden. Die Abtastschaltung 720 kann erfassen, ob die Sicherung 700a eingestellt ist. Wie erwähnt, ist der Widerstandsunterschied der Sicherung 700a zwischen ihrem nicht eingestellten Zustand und ihrem eingestellten Zustand groß. In einer Ausführungsform erfasst die Abtastschaltung 720, ob die Sicherung 700a eingestellt ist, indem beispielsweise ein Strom, der durch den Drain-Anschluss des MOSFETs 710 fließt, oder eine Spannung an dem Drain-Anschluss des MOSFETs 700 erfasst wird.
Obwohl in diesem Beispiel ein n-MOSFET gezeigt wurde, kann ein p-MOSFET oder eine andere geeignete Treibervorrichtung verwendet werden. In einigen Ausführungsformen ist die Treibervorrichtung von einfacher Struktur und kann durch geeignete Verfahrensschritte ausgebildet werden.
Im Betrieb zeigt, in Übereinstimmung mit einer der Ausführungsformen, wenn die Sicherung 700a in einem nicht eingestellten Zustand ist, sie einen niedrigen Widerstand. Der Ausgabe-Spannungspegel am Drain-Anschluss des MOSFETs 710 ist im Wesentlichen nahe an dem Versorgungsspannungspegel. Um die Sicherung 700a einzustellen, wird ein Steuersignal (nicht gezeigt) an den Gate-Anschluss 710a des MOSFETs 710 angelegt, das den MOSFET 710 anschalten kann. Ein Spannungsabfall von im Wesentlichen V_CC wird an die Sicherung 700a angelegt und ein Strom fließt durch die Sicherung 700a. Der mittlere Abschnitt der Sicherung 700a muss den Stromfluss tragen und schmilzt somit oder wird ausgelöst. Es wird eine Unterbrechung in der Sicherung 700a gebildet. Die Sicherung 700a wird zu einer offenen Schaltung oder ihr Widerstand wird sehr hoch. In einer Ausführungsform erkennt die Abtastschaltung 720 einen Spannungspegel, der etwa gleich V_CC ist, wenn die Sicherung 700a in einem nicht eingestellten Zustand ist, und einen erdfreien oder sehr niedrigen Spannungspegel, wenn die Sicherung 700a in einem eingestellten Zustand ist.
In bestimmten Ausführungsformen weist die Sicherung 700a eine erstrebenswerte Einstellungsbedingung auf. Die angestrebte Einstellungsspannung und/oder der angestrebte Einstellungsstrom wandeln die Sicherung 700a beispielsweise von einem nicht eingestellten Zustand mit einem niedrigen Widerstand in einen eingestellten Zustand mit einem hohen Widerstand um.
8 ist eine schematische Zeichnung, die ein System zeigt, das eine beispielhafte integrierte Schaltung umfasst. In 8 kann ein System 800 einen Prozessor 810 umfassen, der mit der integrierten Schaltung 700 verbunden ist. Der Prozessor 810 kann auf die integrierte Schaltung 700 zugreifen. In bestimmten Ausführungsformen kann der Prozessor 810 eine Verarbeitungseinheit, eine Zentralprozessor-Einheit, ein digitaler Signalprozessor oder ein anderer Prozessor sein.
In einigen Ausführungsformen sind der Prozessor 810 und die integrierte Schaltung 700 in einem System ausgebildet, das körperlich und elektrisch mit einem Printed Wiring Board oder einer Leiterplatte (PCB) verbunden ist, um eine elektronische Einrichtung auszubilden. In einer weiteren Ausführungsform ist die elektrische Einrichtung Teil eines elektronischen Systems, etwa von Computern, drahtlosen Kommunikationsvorrichtungen, Computer-Peripheriegeräten, Unterhaltungsgeräten oder Ähnlichem.
In einigen Ausführungsformen sieht das System 800, das die integrierte Schaltung 700 umfasst, ein gesamtes System in einem IC vor, so genannte System-on-a-Chip-(SOC)- oder System-on-Integrated-Circuit-(SOIC)-Vorrichtungen. Diese SOC-Vorrichtungen stellen beispielsweise alle Schaltungen breit, die benötigt werden, um ein Mobiltelefon, einen PDA, einen digitalen Videorecorder, einen digitalen Camcorder, eine digitale Kamera, einen MP3-Player oder Ähnliches in einer einzigen integrierten Schaltung zu integrieren.
9 ist ein Flussdiagramm eines Verfahrens 900 zum Erzeugen eines Layouts in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. 10A–10C sind schematische Zeichnungen eines Abschnitts eines Layouts 1000, der dem Bereich A in 1 entspricht, in verschiedenen Herstellungsstufen in Übereinstimmung mit einigen Ausführungsformen. Das Verfahren 900 wird zusammen mit den Beispielen beschrieben, die in 10A–10C gezeigt sind. Es versteht sich, dass zusätzliche Vorgänge vor, während und/oder nach dem Verfahren 900 ausgeführt werden können, das in 9 gezeigt ist, und dass einige weitere Verfahren hier nur kurz beschrieben werden können.
Wie in 9 und 10A gezeigt ist, beginnt das Verfahren 900 mit Vorgang 910, in dem ein Layout 1000 erzeugt wird, das zur Herstellung einer integrierten Schaltung verwendbar ist, die eine Sicherungskomponente aufweist, wie sie mit Bezug auf 1–8 beschrieben wurde.
Das Layout 1000 umfasst eine erste leitende Layoutschicht, die eine Sicherungs-Layoutstruktur 1010 und mehrere Dummy-Layoutstrukturen 1040 umfasst. Die Sicherungs-Layoutstruktur 1010 umfasst einen ersten Endabschnitt 1012, einen zweiten Endabschnitt 1014, einen Sicherungs-Leitungsabschnitt 1020 zwischen dem ersten Endabschnitt 1012 und dem zweiten Endabschnitt 1014, einen ersten Stufenabschnitt 1016, der den ersten Endabschnitt 1012 und den Sicherungs-Leitungsabschnitt 1020 verbindet, und einen zweiten Stufenabschnitt 1018, der den zweiten Endabschnitt 1014 und den Sicherungs-Leitungsabschnitt 1020 verbindet. In einigen Ausführungsformen entspricht der erste Endabschnitt 1012 dem ersten Ende 101 in 1; der zweite Endabschnitt 1014 entspricht dem zweiten Ende 103; der Sicherungs-Leitungsabschnitt 1020 entspricht dem mittleren Abschnitt 105; der erste Stufenabschnitt 1016 entspricht dem Abschnitt 107 und der zweite Stufenabschnitt 1018 entspricht dem Abschnitt 109.
Der Sicherungs-Leitungsabschnitt 1020 umfasst einen ersten Leitungsabschnitt 1022, einen zweiten Leitungsabschnitt 1024 und einen Zwischenabschnitt 1026 zwischen dem ersten Leitungsabschnitt 1022 und dem zweiten Leitungsabschnitt 1024. In einigen Ausführungsformen hat der erste Leitungsabschnitt 1022 eine Breite, die gleich derjenigen des zweiten Leitungsabschnitts 1024 ist, und der Zwischenabschnitt 1026 hat eine Breite, die kleiner als die des ersten und des zweiten Leitungsabschnitts 1022 und 1024 ist. In einigen Ausführungsformen hat der Zwischenabschnitt 1026 eine Form, die den Formen entspricht, die in 5A–5F gezeigt sind.
Die mehreren Dummy-Layoutstrukturen 1040 umfassen eine erste Dummy-Layoutstruktur 1042 und eine zweite Dummy-Layoutstruktur 1044 benachbart zu der ersten Seite des mittleren Abschnitts 1020 und eine dritte Dummy-Layoutstruktur 1046 und eine vierte Dummy-Layoutstruktur 1048 benachbart zu einer zweiten Seite des mittleren Abschnitts 1040. Zudem erstrecken sich die erste Dummy-Layoutstruktur 1042 und die dritte Dummy-Layoutstruktur entlang dem ersten Leitungsabschnitt 1022 und die zweite Dummy-Layoutstruktur 1044 und die vierte Dummy-Layoutstruktur 1048 erstrecken sich entlang dem zweiten Leitungsabschnitt 1044. Die erste Dummy-Layoutstruktur 1042 und die zweite Dummy-Layoutstruktur 1044 sind durch eine Lücke getrennt und die dritte Dummy-Layoutstruktur 1046 und die vierte Dummy-Layoutstruktur 1048 sind durch eine Lücke getrennt. Als solche erstrecken sind die erste, zweite, dritte und vierte Dummy-Layoutstruktur 1042–1048 nicht entlang dem Zwischenabschnitt 1026.
In einigen Ausführungsformen entspricht die erste Dummy-Layoutstruktur 1042 den Dummy-Strukturen 111 oder 311; die zweite Dummy-Layoutstruktur 1044 entspricht den Dummy-Strukturen 113 oder 313; die dritte Dummy-Layoutstruktur 1046 entspricht den Dummy-Strukturen 117 oder 317 und die vierte Dummy-Layoutstruktur 1048 entspricht den Dummy-Strukturen 119 oder 319. Eine detaillierte Beschreibung davon wird also ausgelassen.
Wie in 9 und 10B gezeigt ist, fährt das Verfahren 900 mit Vorgang 920 fort, in dem eine Block-Layoutschicht erzeugt wird, die zusammen mit der leitenden Layoutschicht 1010 verwendet werden kann. Die Block-Layoutschicht umfasst eine oder mehrere Block-Layoutstrukturen, etwa die Block-Layoutstruktur 1052. Die Block-Layoutstruktur 1052 überlappt einen Abschnitt 1026a des Zwischenabschnitts 1026, ohne Abschnitte 1026b des Zwischenabschnitts 1026 zu überlappen. In einigen Ausführungsformen überlappt die Block-Layoutstruktur 1052 den gesamten Zwischenabschnitt 1026. Die Block-Layoutstruktur 1052 liegt in einem Bereich des Layouts 1000, der an die erste, zweite, dritte und vierte Dummy-Layoutstruktur 1042–1048 angrenzt, ohne sie zu überlappen. Daher überlappen die erste, zweite, dritte und vierte Dummy-Layoutstruktur 1042–1048 die Block-Layoutstruktur 1052 nicht.
In einigen Ausführungsformen definieren die eine oder mehreren Layoutstrukturen Blockierbereiche, in denen ein nachfolgendes Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Verfahren ausgelassen wird. In einigen Ausführungsformen wird das OPC-Verfahren durch einen Prozessor eines Computers ausgeführt, etwa den Prozessor 1112 (11), der eine Menge von Befehlen (z. B. 1114a) ausführt, und die Block-Layoutstruktur 1052 hat eine Größe, die größer oder gleich einer minimalen Größe ist, die für die Menge von Befehlen für OPC zulässig ist.
Wie in 9 und 10C gezeigt ist, fährt das Verfahren 900 mit Vorgang 430 fort, in dem ein nachfolgendes OPC-Verfahren auf die erste leitende Layoutschicht angewendet wird, außer in dem einen oder den mehreren Bereichen, die der einen oder den mehreren Block-Layoutstrukturen entsprechen, und eine zweite leitende Layoutschicht wird demgemäß erzeugt. In einigen Ausführungsformen wird das OPC-Verfahren ausgeführt, um eine Leitungsbreite der ersten, zweiten, dritten und vierten Dummy-Layoutstruktur 1042–1048 anzupassen. In einigen Ausführungsformen wird das OPC-Verfahren ausgeführt, um die Form oder Abmessung der Sicherungs-Layoutstruktur 1010 und der mehreren Dummy-Layoutstrukturen 1040 anzupassen, außer in den blockierten Bereichen auf Grundlage der Block-Layoutschicht. Die zweite leitende Layoutschicht umfasst geänderte Layoutstrukturen, die Abschnitte 1012', 1014', 1014', 1018', 1022', 1024', 1042', 1044', 1046' und 1048' umfassen, die jeweils den Abschnitten 1012, 1014, 1016, 1018, 1022, 1024, 1042, 1044, 1046 und 1048 entsprechen. Darüber hinaus umfassen die Abschnitte 1022', 1024' auch OPC-verarbeitete Abschnitte, die den Abschnitten 1026b entsprechen. Des Weiteren umfasst, da der Abschnitt 1026a in dem Blockbereich liegt, der durch die Block-Layoutstruktur 1052 definiert ist, die zweite leitende Layoutschicht den Abschnitt 1026a, der in der ersten leitenden Layoutschicht vorgesehen ist.
Wie in 9 gezeigt ist, fährt das Verfahren 900 mit Vorgang 940 fort, in dem die zweite leitende Layoutschicht die erste leitende Layoutschicht in dem Layout 1000 ersetzt.
11 ist ein funktionales Blockdiagramm eines Designsystems für integrierte Schaltungen 1100 in Übereinstimmung mit einer oder mehreren Ausführungsformen. Das Designsystem für integrierte Schaltungen 1100 umfasst ein erstes Computersystem 1110, ein zweites Computersystem 1120, eine vernetzte Speichervorrichtung 1130 und ein Netzwerk 1140, das das erste Computersystem 1110, das zweite Computersystem 1120 und die vernetzte Speichervorrichtung 1130 verbindet. In einigen Ausführungsformen fehlen das zweite Computersystem 1120, die Speichervorrichtung 1130 und/oder das Netzwerk 1140.
Das erste Computersystem 1110 umfasst einen Hardwareprozessor 1112, der mit einem nicht-flüchtigen, computerlesbaren Speichermedium 1114 kommunikativ verbunden ist, das mit einer Menge von Befehlen 1114a, einem Layout 1114b oder allen Zwischendaten 1114c zum Ausführen der Menge von Befehlen 1114a kodiert ist, d. h. sie speichert. Die Verarbeitungseinheit 1112 ist mit dem computerlesbaren Speichermedium 1114 elektrisch und kommunikativ verbunden. Die Verarbeitungseinheit 1112 ist so konfiguriert, dass sie die Menge von Befehlen 1114a ausführt, die in dem computerlesbaren Speichermedium 1114 kodiert sind, um den Computer 1110 zu veranlassen, als Layout-Prüfwerkzeug zum Ausführen eines Verfahrens verwendet zu werden, wie es mit Bezug auf 9 beschrieben wurde.
In einigen Ausführungsformen sind die Menge von Befehlen 1114a, das Layout 1114b oder die Zwischendaten 1114c in einem nicht-flüchtigen Speichermedium gespeichert, das sich von dem Speichermedium 1114 unterscheidet. In einigen Ausführungsformen werden die Menge von Befehlen 1114a, das Layout 1114b und/oder die Zwischendaten 1114c in einem nicht-flüchtigen Speichermedium in der vernetzten Speichervorrichtung 1130 oder dem zweiten Computersystem 1120 gespeichert. In diesem Fall sind die Menge von Befehlen 1114a, das Layout 1114b und/oder die Zwischendaten 1114c, die außerhalb des Computers 1110 gespeichert sind, durch die Verarbeitungseinheit 1112 durch das Netzwerk 1140 zugänglich.
In einigen Ausführungsformen ist der Prozessor 1112 eine Zentralprozessor-Einheit (CPU), eine Mehrprozessoreinheit, ein verteiltes Verarbeitungssystem, eine anwenderspezifische integrierte Schaltung (ASIC) und/oder eine geeignete Verarbeitungseinheit.
In einigen Ausführungsformen ist das computerlesbare Speichermedium 1114 ein elektronisches, magnetisches, optisches, elektromagnetisches, Infrarot- und/oder Halbleitersystem (oder -gerät oder -vorrichtung). Das computerlesbare Speichermedium 1114 umfasst beispielsweise einen Halbleiter- oder Festkörperspeicher, ein Magnetband, eine entfernbare Computerdiskette, einen Arbeitsspeicher (RAM), einen Festspeicher (ROM), eine feste Magnetplatte und/oder eine optische Platte. In einigen Ausführungsformen unter Verwendung einer optischen Platte umfasst das computerlesbare Speichermedium 1114 eine CD-ROM, eine CD-R/W und/oder eine DVD.
Das Computersystem 1110 umfasst zumindest in einigen Ausführungsformen eine Eingabe/Ausgabe-Schnittstelle 1116 und eine Anzeigeeinheit 1117. Die Eingabe/Ausgabe-Schnittstelle 1116 ist mit dem Prozessor 1112 verbunden und ermöglicht es dem Schaltungsdesigner, das erste Computersystem 1110 zu betreiben. In zumindest einigen Ausführungsformen zeigt die Anzeigeeinheit 1117 den Status der Ausführung der Menge von Befehlen 1114a und stellt, in zumindest einigen Ausführungsformen, eine graphische Benutzeroberfläche (GUI) bereit. In zumindest einigen Ausführungsformen zeigt die Anzeigeeinheit 1117 den Status der Ausführung der Menge von Befehlen 1114a in Echtzeit an. In zumindest einigen Ausführungsformen ermöglichen es die Eingabe/Ausgabe-Schnittstelle 116 und die Anzeige 1117 einem Benutzer, das Computersystem 1110 in einer interaktiven Weise zu betreiben.
In zumindest einigen Ausführungsformen umfasst das Computersystem 1100 auch eine Netzwerkschnittstelle 1118, die mit dem Prozessor 1112 verbunden ist. Die Netzwerkschnittstelle 1118 ermöglicht es dem Computersystem 1110, mit dem Netzwerk 1140 zu kommunizieren, mit dem ein oder mehrere andere Computersysteme verbunden sind. Die Netzwerkschnittstelle umfasst drahtlose Netzwerkschnittstellen wie Bluetooth, WiFi, WiMax, GPRS oder WCDMA oder verdrahtete Netzwerkschnittstellen wie Ethernet, USB oder IEEE-1394.
In Übereinstimmung mit einer Ausführungsform ist ein Verfahren zum Erzeugen eines Layouts offenbart, das zur Herstellung einer integrierten Schaltung verwendbar ist. Das Verfahren umfasst das Erzeugen einer Block-Layoutschicht, die zusammen mit einer ersten leitenden Layoutschicht verwendbar ist. Die erste leitende Layoutschicht umfasst eine Sicherungs-Layoutstruktur und die Block-Layoutschicht umfasst eine Block-Layoutstruktur, die einen Abschnitt eines Sicherungs-Leitungsabschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur überlappt. Eine zweite leitende Layoutschicht wird erzeugt, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen. Das Erzeugen der zweiten leitenden Layoutschicht umfasst das Anwenden eines Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Verfahrens auf die erste leitende Layoutschicht, außer dem Abschnitt des Sicherungs-Leitungsabschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur, der der Block-Layoutstruktur entspricht.
In Übereinstimmung mit einer weiteren Ausführungsform ist ein Verfahren zum Erzeugen eines Layouts offenbart, um eine integrierte Schaltung herzustellen. Das Verfahren umfasst das Erzeugen einer Block-Layoutschicht, die zusammen mit einer ersten leitenden Layoutschicht verwendbar ist. Die erste leitende Layoutschicht umfasst eine Sicherungs-Layoutstruktur, eine erste Dummy-Layoutstruktur, eine zweite Dummy-Layoutstruktur, eine dritte Dummy-Layoutstruktur und eine vierte Dummy-Layoutstruktur. Die Sicherungs-Layoutstruktur umfasst einen ersten Endabschnitt, einen zweiten Endabschnitt und einen mittleren Abschnitt zwischen dem ersten Endabschnitt und dem zweiten Endabschnitt. Die erste Dummy-Layoutstruktur ist benachbart zu einer ersten Seite des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur. Die zweite Dummy-Layoutstruktur ist benachbart zu der ersten Seite des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur und die erste Dummy-Layoutstruktur und die zweite Dummy-Layoutstruktur sind durch eine erste Lücke getrennt.
Die dritte Dummy-Layoutstruktur ist benachbart zu einer zweiten Seite des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur. Die vierte Dummy-Layoutstruktur ist benachbart zu der zweiten Seite des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur und die dritte Dummy-Layoutstruktur und die vierte Dummy-Layoutstruktur sind durch eine zweite Lücke getrennt. Die Block-Layoutschicht umfasst eine oder mehrere Block-Layoutstrukturen und eine der einen oder mehreren Block-Layoutstrukturen überlappt einen Abschnitt des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur und innerhalb eines Bereichs des Layouts. Der Bereich grenzt an die erste, zweite, dritte und vierte Dummy-Layoutstruktur an, ohne sie zu überlappen. Das Verfahren umfasst auch das Erzeugen einer zweiten leitenden Layoutschicht, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen. Das Erzeugen der zweiten leitenden Layoutschicht umfasst das Anwenden eines Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Verfahrens auf die erste leitende Layoutschicht, außer einen oder mehrere Bereiche, die der einen oder den mehreren Block-Layoutstrukturen entsprechen.
In Übereinstimmung mit einer weiteren Ausführungsform umfasst ein Designsystem für integrierte Schaltungen ein nicht-flüchtiges Speichermedium, das mit einer Menge von Befehlen kodiert ist, und einen Hardwareprozessor, der mit dem nicht-flüchtigen Speichermedium kommunikativ verbunden ist. Der Prozessor ist so konfiguriert, dass er die Menge von Befehlen ausführt, um eine Block-Layoutschicht zu erzeugen, die zusammen mit einer ersten leitenden Layoutschicht verwendbar ist, und um ein Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Verfahren auszuführen. Die erste leitende Layoutschicht umfasst eine Sicherungs-Layoutstruktur und die Block-Layoutschicht umfasst eine Block-Layoutstruktur, die einen Abschnitt eines Sicherungs-Leitungsabschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur überlappt. Das OPC-Verfahren wird auf die erste leitende Layoutschicht angewendet, außer auf den Abschnitt des Sicherungs-Leitungsabschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur, die der Block-Layoutstruktur entspricht, wodurch eine zweite leitende Layoutschicht erzeugt wird, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen.

Claims

Verfahren zum Erzeugen eines Layouts, das zur Herstellung einer integrierten Schaltung verwendbar ist und das Folgendes umfasst: Erzeugen einer Block-Layoutschicht, die zusammen mit einer ersten leitenden Layoutschicht verwendbar ist, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen, wobei die erste leitende Layoutschicht eine Sicherungs-Layoutstruktur (1010) umfasst und die Block-Layoutschicht eine Block-Layoutstruktur (1052) umfasst, die einen Abschnitt eines Sicherungs-Leitungsabschnitts (1020) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) überlappt; und Erzeugen einer zweiten leitenden Layoutschicht, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen, wobei das Erzeugen der zweiten leitenden Layoutschicht das Anwenden eines Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Verfahrens auf die erste leitende Layoutschicht umfasst, wobei das OPC-Verfahren auf den Abschnitt (10265) des Sicherungs-Leitungsabschnitts (1020) der Sicherungs-Layoutstruktur, der der Block-Layoutstruktur entspricht, nicht angewendet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Sicherungs-Layoutstruktur (1010) Folgendes umfasst: einen ersten Endabschnitt (1012); einen zweiten Endabschnitt (1014); den Sicherungs-Leitungsabschnitt (1020) zwischen dem ersten Endabschnitt (1012) und dem zweiten Endabschnitt (1014); einen ersten Stufenabschnitt (1016), der den ersten Endabschnitt (1012) und den Sicherungs-Leitungsabschnitt (1020) verbindet; und einen zweiten Stufenabschnitt (1018), der den zweiten Endabschnitt (1014) und den Sicherungs-Leitungsabschnitt (1020) verbindet.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Sicherungs-Leitungsabschnitt (1020) Folgendes umfasst: einen ersten Leitungsabschnitt (1022); einen zweiten Leitungsabschnitt (1024); und einen Zwischenabschnitt (1026) zwischen dem ersten Leitungsabschnitt (1022) und dem zweiten Leitungsabschnitt (1024), wobei die Block-Layoutstruktur (1052) einen Abschnitt des Zwischenabschnitts (1026) überlappt.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei der erste Leitungsabschnitt (1022) eine Breite hat, die gleich der des zweiten Leitungsabschnitts (1024) ist; und der Zwischenabschnitt (1026) eine Breite hat, die kleiner als die des ersten und des zweiten Leitungsabschnitts (1022, 1024) ist.
Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, wobei die erste leitende Layoutschicht weiter Folgendes umfasst: eine erste Dummy-Layoutstruktur (1042), die sich entlang des ersten Leitungsabschnitts (1022) der Sicherungs-Layoutstruktur erstreckt; eine zweite Dummy-Layoutstruktur (1044), die sich entlang des zweiten Leitungsabschnitts (1024) der Sicherungs-Layoutstruktur erstreckt; eine dritte Dummy-Layoutstruktur (1046), die sich entlang des ersten Leitungsabschnitts (1022) der Sicherungs-Layoutstruktur erstreckt, wobei der erste Leitungsabschnitt (1022) zwischen der ersten und der dritten Dummy-Layoutstruktur (1042, 1044) liegt; und eine vierte Dummy-Layoutstruktur (1048), die sich entlang des zweiten Leitungsabschnitts (1024) der Sicherungs-Layoutstruktur erstreckt, wobei der zweite Leitungsabschnitt (1024) zwischen der zweiten und der vierten Dummy-Layoutstruktur (1044, 1048) liegt, wobei die erste, die zweite, die dritte und die vierte Dummy-Layoutstruktur (1042–1048) sich nicht entlang dem Zwischenabschnitt (1026) der Sicherungs-Layoutstruktur erstrecken und die Block-Layoutstruktur nicht überlappen.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die erste, die zweite, die dritte und/oder die vierte Dummy-Layoutstruktur (1042–1048) eine „L”-Form hat und eine innere Ecke der „L”-förmigen Struktur dem ersten Endabschnitt (1012) oder dem zweiten Endabschnitt (1014) zugewandt ist.
Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei das OPC-Verfahren das Anpassen einer Leitungsbreite der ersten, der zweiten, der dritten oder der vierten Dummy-Layoutstruktur (10425–1048) umfasst.
Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das OPC-Verfahren durch einen Computer ausgeführt wird, der eine Menge von Befehlen ausführt, und die Block-Layoutstruktur eine Größe hat, die größer oder gleich einer minimalen Größe ist, die gemäß der Menge von Befehlen zulässig ist.
Verfahren zum Erzeugen eines Layouts, das zur Herstellung einer integrierten Schaltung verwendbar ist und das Folgendes umfasst: Erzeugen einer Block-Layoutschicht, die zusammen mit einer ersten leitenden Layoutschicht verwendbar ist, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen, wobei die erste leitende Layoutschicht Folgendes umfasst: eine Sicherungs-Layoutstruktur (1010), die Folgendes umfasst: einen ersten Endabschnitt (1012); einen zweiten Endabschnitt (1014); und einen mittleren Abschnitt zwischen dem ersten Endabschnitt (1012) und dem zweiten Endabschnitt (1014); eine erste Dummy-Layoutstruktur (1042) benachbart zu einer ersten Seite des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur (1010); eine zweite Dummy-Layoutstruktur (1044) benachbart zu der ersten Seite des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur (1010), wobei die erste Dummy-Layoutstruktur (1042) und die zweite Dummy-Layoutstruktur (1044) durch eine erste Lücke getrennt sind; eine dritte Dummy-Layoutstruktur (1046), die benachbart zu einer zweiten Seite des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur ist; eine vierte Dummy-Layoutstruktur (1048), die benachbart zu der zweiten Seite des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) ist, wobei die dritte Dummy-Layoutstruktur (1046) und die vierte Dummy-Layoutstruktur (1048) durch eine zweite Lücke getrennt sind; und wobei die Block-Layoutschicht eine oder mehrere Block-Layoutstrukturen (1052) umfasst, wobei eine der einen oder mehreren Block-Layoutstrukturen (1052) einen Teil des mittleren Abschnitts der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) innerhalb eines Bereichs des Layouts überlappt, wobei der Bereich an die erste, die zweite, die dritte und die vierte Dummy-Layoutstruktur (1048) angrenzt, ohne sie zu überlappen; und Erzeugen einer zweiten leitenden Schicht, um die erste leitende Schicht zu ersetzen, wobei das Erzeugen der zweiten leitenden Layoutschicht das Anwenden eines Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Verfahrens auf die erste leitende Layoutschicht umfasst, wobei das OPC-Verfahren auf einen oder mehrere Bereiche, die der einen oder den mehreren Block-Layoutstrukturen (1052) entsprechen, nicht angewendet wird.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Sicherungs-Layoutstruktur (1010) weiter Folgendes umfasst: einen ersten Stufenabschnitt (1016), der den ersten Endabschnitt (1012) und den mittleren Abschnitt verbindet; und einen zweiten Stufenabschnitt (1018), der den zweiten Endabschnitt (1014) und den mittleren Abschnitt verbindet.
Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, wobei die erste, die zweite, die dritte und/oder die vierte Dummy-Layoutstruktur (1048) eine „L”-Form hat und eine innere Ecke der „L”-förmigen Struktur dem ersten Endabschnitt (1012) oder dem zweiten Endabschnitt (1014) zugewandt ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei das OPC-Verfahren das Anpassen einer Leitungsbreite der ersten, der zweiten, der dritten oder der vierten Dummy-Layoutstruktur (1048) umfasst.
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei das OPC-Verfahren durch einen Computer ausgeführt wird, der eine Menge von Befehlen ausführt, und die Block-Layoutstruktur (1052) eine Größe hat, die größer oder gleich einer minimalen Größe ist, die gemäß der Menge von Befehlen zulässig ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei der mittlere Abschnitt Folgendes umfasst: einen ersten Leitungsabschnitt (1022); einen zweiten Leitungsabschnitt (1024); und einen Zwischenabschnitt zwischen dem ersten Leitungsabschnitt (1022) und dem zweiten Leitungsabschnitt (1024), wobei die eine der einen oder mehreren Block-Layoutstrukturen (1052) einen Abschnitt des Zwischenabschnitts überlappt.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei der erste Leitungsabschnitt (1022) eine Breite hat, die gleich der des zweiten Leitungsabschnitts (1024) ist; und der Zwischenabschnitt eine Breite hat, die kleiner als die des ersten und des zweiten Leitungsabschnitts (1022, 1024) ist.
Designsystem für integrierte Schaltungen, das Folgendes umfasst: ein nicht-flüchtiges Speichermedium, das mit einer Menge von Befehlen kodiert ist; und einen Hardwareprozessor, der mit dem nicht-flüchtigen Speichermedium kommunikativ verbunden ist und so konfiguriert ist, dass er die Menge von Befehlen ausführt, um eine Block-Layoutschicht zu erzeugen, die zusammen mit einer ersten leitenden Layoutschicht verwendbar ist, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen, wobei die erste leitende Layoutschicht eine Sicherungs-Layoutstruktur umfasst und die Block-Layoutschicht eine Block-Layoutstruktur (1052) umfasst, die einen Abschnitt eines Sicherungs-Leitungsabschnitts (1020) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) überlappt; und ein Optical-Proximity-Correction-(OPC)-Verfahren auf die erste leitende Layoutschicht, aber nicht auf den Abschnitt des Sicherungs-Leitungsabschnitts (1020) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010), die der Block-Layoutstruktur entspricht, anzuwenden, wodurch eine zweite leitende Layoutschicht erzeugt wird, um die erste leitende Layoutschicht zu ersetzen.
Designsystem für integrierte Schaltungen nach Anspruch 16, wobei der Sicherungs-Leitungsabschnitt (1020) Folgendes umfasst: einen ersten Leitungsabschnitt (1022); einen zweiten Leitungsabschnitt (1024); und einen Zwischenabschnitt (1026) zwischen dem ersten Leitungsabschnitt (1022) und dem zweiten Leitungsabschnitt (1024), wobei die Block-Layoutstruktur (1052) einen Teil des Zwischenabschnitts überlappt.
Designsystem für integrierte Schaltungen nach Anspruch 16 oder 17, wobei die Sicherungs-Layoutstruktur (1010) weiter Folgendes umfasst: eine erste Dummy-Layoutstruktur (1042), die sich entlang des ersten Leitungsabschnitts (1022) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) erstreckt; eine zweite Dummy-Layoutstruktur (1044), die sich entlang des zweiten Leitungsabschnitts (1024) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) erstreckt; eine dritte Dummy-Layoutstruktur (1046), die sich entlang des ersten Leitungsabschnitts (1022) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) erstreckt, wobei der erste Leitungsabschnitt (1022) zwischen der ersten und der dritten Dummy-Layoutstruktur (1042, 1046) liegt; und eine vierte Dummy-Layoutstruktur (1048), die sich entlang des zweiten Leitungsabschnitts (1024) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) erstreckt, wobei der zweite Leitungsabschnitt (1024) zwischen der zweiten und der vierten Dummy-Layoutstruktur (1044, 1048) liegt, wobei die erste, die zweite, die dritte und die vierte Dummy-Layoutstruktur sich nicht entlang dem Zwischenabschnitt (1026) der Sicherungs-Layoutstruktur (1010) erstrecken und die Block-Layoutstruktur (1052) nicht überlappen.
Designsystem für integrierte Schaltungen nach Anspruch 18, wobei das OPC-Verfahren umfasst, den Hardwareprozessor zu veranlassen, eine Leitungsbreite der ersten, der zweiten, der dritten oder der vierten Dummy-Layoutstruktur (1048) anzupassen.
Designsystem für integrierte Schaltungen nach einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei die Block-Layoutstruktur (1052) eine Größe hat, die größer oder gleich einer minimalen Größe ist, die gemäß der Menge von Befehlen zulässig ist.