DE102015103098A1 - Lichtemittierende Vorrichtung - Google Patents

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semiconductor
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Abstract

Die vorliegende Offenbarung stellt eine lichtemittierende Vorrichtung bereit. Die lichtemittierende Vorrichtung umfasst ein Substrat; einen Infrarotlicht (IR) ausstrahlenden lichtemittierenden Stapel auf dem Substrat; und eine zwischen dem Substrat und dem lichtemittierenden Stapel angeordnete Halbleiter-Fensterschicht, die Material der AlGaInP-Serie umfasst.

Description

  • Querverweis auf betreffende Anmeldungen
  • Diese Anmeldung beansprucht das Prioritätsrecht basierend auf die TW-Anmeldung mit der Nummer 103107811 , wie am 6. März 2014 eingereicht; der Inhalt dieser ist hierin durch Bezugnahme in seiner Gesamtheit eingeschlossen.
  • Gebiet der Offenbarung
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine lichtemittierende Vorrichtung, insbesondere auf eine infrarotlichtemittierende Vorrichtung.
  • Hintergrund der Offenbarung
  • Eine lichtemittierende Diode (LED) ist für verschiedene Anwendungen geeignet, da sie gute optoelektrische Eigenschaften aufweist, wie geringen Stromverbrauch, geringe Wärmeerzeugung, lange Lebensdauer, Stoßfestigkeit, Kompaktheit, rasches Antwortverhalten und stabile Ausgabewellenlänge.
  • Viele Anwendungen verwenden heutzutage infrarotlichtemittierende Dioden. Zusätzlich zur konventionellen Anwendung in Fernsteuerungen und Bildschirmen hat sich seit Kurzem die Anwendung von infrarotlichtemittierenden Dioden in Smartphones und Berührungsanzeigen entwickelt. Verglichen mit anderen Anwendungen ist ein geringerer Preis notwendig, da jede Berührungsanzeige eine relativ große Menge von infrarotlichtemittierenden Dioden einsetzt. Deshalb ist das Verringern der Kosten einer infrarotlichtemittierende Diode notwendig.
  • 1 zeigt eine Querschnittsansicht einer konventionellen infrarotlichtemittierenden Diode. Wie in 1 gezeigt, umfasst die lichtemittierende Diode ein dauerhaftes Substrat 101. Ein lichtemittierender Stapel 102, eine Metallreflektionsschicht 103, eine Sperrschicht 104 und eine Verbindungsstruktur 105 werden auf dem dauerhaften Substrat 101 von oben nach unten angeordnet. Zudem wird eine erste Elektrode 106E1 und ihre Verlängerungselektrode 106E1' auf dem lichtemittierenden Stapel 102 angeordnet und eine zweite Elektrode 106E2 wird auf dem dauerhaften Substrat 101 angeordnet. Die erste Elektrode 106E1, die Verlängerungselektrode 106E1' und die zweite Elektrode 106E2 werden verwendet, um der lichtemittierenden Diode Strom bereitzustellen. Der lichtemittierende Stapel 102 strahlt Infrarotlicht aus. Im Herstellungsprozess dieser konventionellen infrarotlichtemittierenden Vorrichtung wird der lichtemittierende Stapel 102 ursprünglich auf einem Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) aufgewachsen, und dann wird der lichtemittierende Stapel mit dem dauerhaften Substrat 101 durch die Verbindungsstruktur 105 verbunden. Deshalb kann die Metallreflektionsschicht 103 auf dem lichtemittierenden Stapel 102 vor dem Verbinden ausgebildet werden. Jedoch, wie oben beschrieben, sind in manchen Anwendungen, wie z. B. die Anwendung in Berührungsanzeigen, bei der eine Kostenverringerung notwendig ist, der vorgenannte Verbindungsvorgang und die Metallreflektionsschicht 103 die Hauptgründe für hohe Kosten. Zudem wird mehr laterales Licht bei der Anwendung von Berührungsanzeigen benötigt, um einen größeren Lichtfernfeldwinkel zu erreichen. Jedoch wurde herausgefunden, dass es in Wirklichkeit für die obige konventionelle infrarotlichtemittierende Vorrichtung schwierig ist, die diesbezüglichen Anforderungen zu erfüllen.
  • Zusammenfassung der Offenbarung
  • Die vorliegende Offenbarung stellt eine lichtemittierende Vorrichtung bereit. Die lichtemittierende Vorrichtung umfasst ein Substrat; einen Infrarotlicht (IR) ausstrahlenden lichtemittierenden Stapel auf dem Substrat; und eine zwischen dem Substrat und dem lichtemittierenden Stapel angeordnete Halbleiter-Fensterschicht, die Material der AlGaInP-Serie umfasst.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt eine konventionelle lichtemittierende Diode.
  • 2 zeigt eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 3 zeigt ein Muster einer zweiten Elektrode in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • 4 zeigt ein weiteres Muster einer zweiten Elektrode in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Detaillierte Beschreibung der Offenbarung
  • 2 zeigt eine lichtemittierende Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Wie in 2 gezeigt, umfasst die lichtemittierende Vorrichtung: ein Substrat 20; einen Infrarotlicht (IR) ausstrahlenden lichtemittierenden Stapel 23 auf dem Substrat 20; und eine zwischen dem Substrat 20 und dem lichtemittierenden Stapel 23 angeordnete Halbleiter-Fensterschicht 22, die Material der AlGaInP-Serie umfasst, wobei das Substrat 20 ein Galliumarsenid(GaAs)-Substrat umfasst. Eine Wellenlänge des Infrarotlichts liegt zwischen ungefähr 750 nm und 1100 nm. In einer Ausführungsform ist die Wellenlänge des Infrarotlichts größer als 900 nm, beispielsweise 940 nm. Die Halbleiter-Fensterschicht 22 ist eine Einzelschichtstruktur und steht in direktem Kontakt mit dem lichtemittierenden Stapel 23. In einem Herstellungsprozess kann der lichtemittierenden Stapel 23 sequenziell ausgebildet werden, nach Bildung der Halbleiter-Fensterschicht 22 in derselben Maschine, in der die Halbleiter-Fensterschicht 22 ausgebildet wird, unter Anpassung der Art oder des Verhältnisses von Gasen, mit denen die Maschine versorgt wird. In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiter-Fensterschicht 22 (AlxGa1-x)0.5In0.5P, wobei x zwischen 0,1 und 1 liegt. Es ist zu beachten, dass der lichtemittierende Stapel 23 einen ersten Brechungsindex n1 umfasst, und die Halbleiter-Fensterschicht 22 einen zweiten Brechungsindex n2 umfasst, wobei der erste Brechungsindex n1 um mindestens 0,2 größer als der zweite Brechungsindex n2 ist. Deshalb breitet sich vom lichtemittierenden Stapel 23 ausgestrahltes Infrarotlicht von einem Material mit hohem Brechungsindex zu einem Material mit niedrigem Brechungsindex aus, wenn es sich vom lichtemittierenden Stapel 23 zur Halbleiter-Fensterschicht 22 hin ausbreitet. Zudem sorgt der Unterschied zwischen dem ersten Brechungsindex n1 des lichtemittierenden Stapels 23 und dem zweiten Brechungsindex n2 der Halbleiter-Fensterschicht 22 dafür, dass das durch den lichtemittierenden Stapel 23 ausgestrahlte Infrarotlicht leichter eine innere Totalreflektion an der Halbleiter-Fensterschicht 22 erfährt. Mit anderen Worten funktioniert die Halbleiter-Fensterschicht 22 wie ein reflektierender Spiegel mit einer Einzelschichtstruktur. Zudem stellt die Halbleiter-Fensterschicht 22 eine bessere Reflektion in einer lateralen Richtung bereit als eine Bragg-Spiegel(Distributed Bragg Reflektor, DBR)-Struktur. Eine Bragg-Spiegel-Struktur benötigt oft dutzende von Schichten, um einen bestimmten Grad an Reflektivität zu erreichen, und nur Licht wird reflektiert, das einen Einfallswinkel aufweist, der innerhalb eines bestimmten begrenzten Bereichs von der Normalrichtung ausgehend liegt. Beispielsweise kann Licht reflektiert werden, das in einem Winkel zwischen 0° und 17° zur Normalen der reflektierenden Struktur einfällt. Im Gegensatz dazu kann Licht, das in einem Winkel zwischen 50° und 90° zur Normalen der Halbleiter-Fensterschicht 22 einfällt, durch die Einzelschichtstruktur der Halbleiter-Fensterschicht 22 reflektiert werden. Die Halbleiter-Fensterschicht 22 stellt eine bessere Lichtauskopplung in lateraler Richtung bereit, um einen größeren Fernfeldwinkel auszubilden. Außerdem wird eine Gesamtleuchtausgabeleistung erhöht, da die Lichtauskopplung verbessert wird. Praktische Tests werden mit den lichtemittierenden Vorrichtungen ausgeführt, die jeweils Licht mit einer Wellenlänge von 850 nm und 940 nm ausstrahlen. Für die lichtemittierende Vorrichtung in der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) für eine erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 des lichtemittierenden Stapels 23 verwendet, um den ersten Brechungsindex n1 von ungefähr 3,4 aufzuweisen, und (Al0,6Ga0,4)0,5In0,5P wird für die Halbleiter-Fensterschicht 22 verwendet, um den zweiten Brechungsindex n2 von ungefähr 2,98 aufzuweisen, wobei der Unterschied zwischen diesen beiden Brechungsindizes ungefähr 0,42 beträgt. Verglichen mit einer lichtemittierenden Vorrichtung mit der gleichen Struktur, außer dass die Halbleiter-Fensterschicht 22 zu Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) mit einem Brechungsindex von ungefähr 3,4 geändert wird, erhöht sich die Leuchtausgabeleistung der lichtemittierenden Vorrichtung von 4,21 mW auf 4,91 mW, die Licht mit einer Wellenlänge von 850 nm in der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ausstrahlt. Die Erhöhung beträgt ungefähr 17%. In ähnlicher Weise erhöht sich die Leuchtausgabeleistung der lichtemittierenden Vorrichtung, die Licht mit einer Wellenlänge von 940 nm in der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ausstrahlt, von 5,06 mW auf 5,27 mW, was eine Erhöhung von ungefähr 4% ist. Zudem wird der Herstellungsprozess vereinfacht und die Kosten sind geringer verglichen mit einer Bragg-Spiegel-Struktur, da die Halbleiter-Fensterschicht 22 in direktem Kontakt mit dem lichtemittierenden Stapel 23 steht. In Bezug auf eine Dicke der Halbleiter-Fensterschicht 22 kann in einer Ausführungsform sogar eine Dicke von weniger als 1 μm einen guten Reflektivitätseffekt aufweisen.
  • Der lichtemittierende Stapel 23 umfasst die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 auf der Halbleiter-Fensterschicht 22, eine aktive Schicht 232 auf der ersten Halbleiterschicht des leitenden Typs 231, und eine zweite Halbleiterschicht des leitenden Typs 233 auf der aktiven Schicht 232, wobei die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 in direktem Kontakt mit der Halbleiter-Fensterschicht 22 steht. Die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231, die aktive Schicht 232 und die zweite Halbleiterschicht des leitenden Typs 232 umfassen ein III–V-Gruppenmaterial. Die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 und die zweite Halbleiterschicht des leitenden Typs 233 weisen verschiedene leitende Typen auf. Beispielsweise ist die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 eine n-Typ-Halbleiterschicht, und die zweite Halbleiterschicht des leitenden Typs 233 ist eine p-Typ-Halbleiterschicht. Wenn eine externe Spannungsquelle zur Verfügung gestellt wird, erzeugen die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 und die zweite Halbleiterschicht des leitenden Typs 233 jeweils Ladungsträger (Elektronen/Löcher), und die Ladungsträger rekombinieren in der aktiven Schicht 232, um Licht zu erzeugen. In einer Ausführungsform wird die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 mit Tellur (Te) oder Selen (Se) dotiert. Die aktive Schicht 232 umfasst eine Mehrfach-Quantentrog(MQW)-Struktur, und die Mehrfach-Quantentrog(MQW)-Struktur umfasst eine Vielzahl von Sperrschichten, wie z. B. Sperrschichten 232b 1, 232b 2, ... 232b n, und eine oder mehrere Quellschichten, wie z. B. Quellschichten 232w 1, 232w 2, ... 232w n-1. Eine Quellschicht wird zwischen zwei angrenzenden Sperrschichten angeordnet. Beispielsweise wird die Quellschicht 232w 1 zwischen zwei angrenzenden Sperrschichten 232b 1 und 232b 2 angeordnet. Für die Mehrzahl von Sperrschichten 232b 1, 232b 2, ... 232b n, enthalten die Sperrschicht, die der ersten Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 (d. h. die Sperrschicht 232b 1) am nächsten liegt, und die Sperrschicht, die der zweiten Halbleiterschicht des leitenden Typs 233 (d. h. die Sperrschicht 232b n) am nächsten liegt, kein Phosphor (P), während der Rest (d. h. Sperrschichten 232b 2, ... 232b n-1) Phosphor (P) umfasst. In einer Ausführungsform umfassen die Quellschichten 232w 1, 232w 2, ... 232w n-1 Indiumgalliumarsenid (InGaAs), wobei ein Gehalt von Indium zwischen ungefähr 2% und 30% liegt und gemäß einer Lichtwellenläge, die durch den lichtemittierenden Stapel 23 ausgestrahlt werden soll, angepasst wird, so dass die Lichtwellenlänge in den vorgenannten Wellenlängenbereich des Infrarotlichts fällt. Da Indium (In), das in den Quellschichten 232w 1, 232w 2, ... 232w n-1 enthalten ist, für eine größere Gitterkonstante sorgt, kann Phosphor (P), das für eine kleinere Gitterkonstante sorgt, in den Quellschichten 232b 2, ... 232b n-1, wie oben erwähnt, verwendet werden, um eine Gesamtgitterkonstante reziprok an einen geeigneten Bereich anzupassen. In einer Ausführungsform umfassen die Sperrschichten 232b 2, ... 232b n-1 Aluminium-Gallium-Arsen-Phosphor (AlGaAsP). Außerdem wird, wie oben beschrieben, eine Gitterkonstante nicht zu klein, selbst wenn eine Dicke groß ist, da die der ersten Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 am nächsten liegende Sperrschicht (d. h. die Sperrschicht 232b 1) und die der zweiten Halbleiterschicht des leitenden Typs 233 am nächsten liegende Sperrschicht (d. h. die Sperrschicht 232b n) kein Phosphor (P) umfassen. Wenn die Sperrschicht 232b 1 und die Sperrschicht 232b n dicker sind, stellen sie einen besseren Sperreffekt für die Diffusion von dotiertem Material in der angrenzenden ersten Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 und der angrenzenden zweiten Halbleiterschicht des leitenden Typs 233 bereit. In einer Ausführungsform umfassen die Sperrschicht 232b 1 und die Sperrschicht 232b n Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs).
  • Die lichtemittierende Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Offenbarung umfasst ferner eine Pufferschicht 21 zwischen dem Substrat 20 und der Halbleiter-Fensterschicht 22. Die Pufferschicht 21 ist mit Silizium (Si) dotiert. Beispielsweise umfasst die Pufferschicht 21 mit Silizium (Si) dotiertes Galliumarsenid (GaAs). Wie oben beschrieben, herrscht eine größere Flexibilität im Herstellungsprozess der lichtemittierenden Vorrichtung, wie z. B. die Vereinfachung der Gitterkonstantenanpassung, da die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs 231 mit Tellur (Te) oder Selen (Se) dotiert ist, und die Pufferschicht 21 mit Silizium (Si) dotiert ist. Zudem umfasst die lichtemittierende Vorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ferner eine Auskopplungsschicht für laterales Licht 24 auf dem lichtemittierenden Stapel 23, eine Kontaktschicht 25 auf der Auskopplungsschicht für laterales Licht 24, eine erste Elektrode 26, die auf der Kontaktschicht 25 angeordnet ist, und eine zweite Elektrode 37, die auf dem Substrat 20 angeordnet ist. Die Auskopplungsschicht für laterales Licht 24 ist zur Lichtauskopplung nützlich, insbesondere für eine verbesserte Lichtauskopplung über Seitenwände aufgrund einer erhöhten Dicke. Deshalb kann die Dicke der Auskopplungsschicht für laterales Licht 24 relativ gesehen dicker sein. Beispielsweise kann die Dicke der Auskopplungsschicht für laterales Licht 24 zwischen ungefähr 5 μm und 30 μm liegen. In einer Ausführungsform umfasst die Auskopplungsschicht für laterales Licht 24 Galliumarsenid (GaAs) dotiertes Zink (Zn) mit einer Dicke von ungefähr 10 μm. Die Kontaktschicht 25 wird verwendet, um einen Ohmschen Kontakt mit der ersten Elektrode 26 zur Verringerung des Widerstands auszubilden. In einer Ausführungsform umfasst die Kontaktschicht 25 mit Zink (Zn) dotiertes Galliumarsenid (GaAs). Die Anordnung, dass sowohl die Auskopplungsschicht für laterales Licht 24 als auch die Kontaktschicht 25 Galliumarsenid (GaAs) dotiertes Zink (Zn) umfassen, vereinfacht die Anordnung der Maschinen im Herstellungsprozess, aber es ist zu beachten, dass die Auskopplungsschicht für laterales Licht 24 und die Kontaktschicht 25 unterschiedliche Funktionen erfüllen. Um einen Ohmschen Kontakt auszubilden, ist ein Gehalt von Zink (Zn) in der Kontaktschicht 25 viel höher als ein Gehalt von Zink (Zn) in der Auskopplungsschicht für laterales Licht 24. Die erste Elektrode 26 kann eine Verlängerungselektrode 26a umfassen, um eine Stromausbreitung zu vereinfachen. Es ist zu beachten, dass es möglich ist, dass ein Teil des Lichts noch immer keine innere Totalreflektion an der Halbleiter-Fensterschicht 22 erfährt, wenn sich vom lichtemittierenden Stapel 23 ausgestrahltes Infrarotlicht zum Substrat 20 hin ausbreitet. Zudem wird, wie zuvor beschrieben, in einigen bestimmten Anwendungen ein größerer Lichtfernfeldwinkel benötigt. Deshalb ist die zweite Elektrode 27 in der vorliegenden Ausführungsform eine gemusterte Elektrode, die im Detail in 3 und 4 dargestellt ist. Von oben betrachtet, kann ein Muster der zweiten Elektrode 27 beispielsweise ein Muster sein, wie in 3 gezeigt. Eine zweite Elektrode 27, die ein Netz aus Germanium-Gold (GeAu) auf einem Galliumarsenid(GaAs)-Substrat umfasst, ist in 3 gezeigt. In einer weiteren Ausführungsform kann ein Muster der zweiten Elektrode 27 eine Vielzahl von Kreisen umfassen, wie in 4 gezeigt. Eine zweite Elektrode 27, die eine Vielzahl von kreisförmigem Germanium-Gold (GeAu) auf einem Galliumarsenid(GaAs)-Substrat umfasst, wird in 4 gezeigt. Die gemusterte zweite Elektrode 27 dient als ein Streuzentrum für Licht, das keine innere Totalreflexion an der Halbleiter-Fensterschicht 22 erfährt. Deshalb erhöht sich die Streuung und der Lichtfernfeldwinkel wird größer. Zudem können, wie in 2 gezeigt, Flächen einer unteren Oberfläche S1 des Substrats 20, auf dem die zweite Elektrode 27 nicht angeordnet ist, wahlweise aufgeraut werden (nicht gezeigt), um die Lichtstreuung zu erhöhen, so dass die Lichtauskopplung über die Seitenwände des Substrats 20 verbessert wird. Ferner kann das Aufrauen (nicht gezeigt) für eine Lichtauskopplung auch an den Seitenwänden S2 des Substrats 20 und Flächen einer oberen Oberfläche S3 der lichtemittierenden Vorrichtung, auf der die erste Elektrode 26 nicht angeordnet ist, durchgeführt werden.
  • Die obigen Ausführungsformen dienen vielmehr nur als Beispiele zur Darstellung der Theorie der vorliegenden Erfindung und ihres Effekts anstatt zur Beschränkung der vorliegenden Offenbarung. Andere Alternativen und Abwandlungen können durch einen Fachmann der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden, ohne vom Umfang der Offenbarung abzuweichen, und diese befinden sich innerhalb des Umfangs der vorliegenden Offenbarung.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • TW 103107811 [0001]

Claims (20)

  1. Eine lichtemittierende Vorrichtung umfassend: ein Substrat; einen Infrarotlicht (IR) ausstrahlenden lichtemittierenden Stapel auf dem Substrat; und eine zwischen dem Substrat und dem lichtemittierenden Stapel angeordnete Halbleiter-Fensterschicht, die Material AlGaInP-Serie umfasst.
  2. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei das Substrat Galliumarsenid (GaAs) umfasst.
  3. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei eine Wellenlänge des Infrarotlichts zwischen ungefähr 750 nm und 1100 nm liegt.
  4. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei eine Wellenlänge des Infrarotlichts größer als 900 nm ist.
  5. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Halbleiter-Fensterschicht in direktem Kontakt mit dem lichtemittierenden Stapel steht.
  6. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Halbleiter-Fensterschicht eine Einzelschichtstruktur ist.
  7. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der lichtemittierende Stapel einen ersten Brechungsindex n1 umfasst, und die Halbleiter-Fensterschicht einen zweiten Brechungsindex n2 umfasst, wobei der erste Brechungsindex n1 um mindestens 0,2 größer als der zweite Brechungsindex n2 ist.
  8. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Halbleiter-Fensterschicht (AlxGa1-x)0.5In0.5P umfasst, wobei x zwischen 0,1 und 1 liegt.
  9. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei eine Dicke der Halbleiter-Fensterschicht kleiner als 1 μm ist.
  10. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der lichtemittierende Stapel umfasst: eine Halbleiterschicht des leitenden Typs auf der Halbleiter-Fensterschicht; eine aktive Schicht auf der ersten Halbleiterschicht des leitenden Typs; und eine zweite Halbleiterschicht des leitenden Typs auf der aktiven Schicht.
  11. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs in direktem Kontakt mit der Halbleiter-Fensterschicht steht.
  12. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 11, wobei die erste Halbleiterschicht des leitenden Typs mit Tellur (Te) oder Selen (Se) dotiert ist.
  13. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 10, wobei die aktive Schicht eine Mehrfach-Quantentrog(MQW)-Struktur umfasst, und die Mehrfach-Quantentrog-Struktur eine Vielzahl von Sperrschichten und eine Quellschicht umfasst, die zwischen zwei angrenzenden Sperrschichten angeordnet ist.
  14. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 13, wobei bei der Vielzahl von Sperrschichten, die der ersten Halbleiterschicht des leitenden Typs am nächsten liegende Sperrschicht und die der zweiten Halbleiterschicht des leitenden Typs am nächsten liegende Sperrschicht keinen Phosphor (P) umfassen, während die restlichen Sperrschichten Phosphor (P) umfassen.
  15. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner umfassend eine Pufferschicht zwischen dem Substrat und der Halbleiter-Fensterschicht, wobei die Pufferschicht mit Silizium (Si) dotiertes Galliumarsenid (GaAs) umfasst.
  16. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner umfassend eine Auskopplungsschicht für laterales Licht auf dem lichtemittierenden Stapel.
  17. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 16, ferner umfassend eine Kontaktschicht auf der Auskopplungsschicht für laterales Licht.
  18. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 17, ferner umfassend eine obere Elektrode auf der Kontaktschicht, und eine untere Elektrode auf dem Substrat.
  19. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 18, wobei die untere Elektrode eine gemusterte Elektrode ist.
  20. Lichtemittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 19, wobei die untere Elektrode ein Muster eines Netzes oder einer Vielzahl von Kreisen umfasst.
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