DE102014213541A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine Halbleitervorrichtung, die eine Verdrahtungsarbeit vereinfachen kann, wird geschaffen. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleiterelement (Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT), das mit einer Emitterhauptelektrode und einer Emittererfassungselektrode versehen ist, eine integrierte Schaltung (IC1) mit einem Detektionsanschluss (CIN) und einen Formharzkörper (1), der das Halbleiterelement und die integrierte Schaltung abdichtet, und eine Zuleitung (RD1). Die Zuleitung ist mit einem inneren Zuleitungsteil, der im Formharzkörper abgedichtet ist und mit der Emittererfassungselektrode elektrisch verbunden ist, einem inneren Zuleitungsteil, der im Formharzkörper abgedichtet ist und mit der Emitterhauptelektrode elektrisch verbunden ist, und einem äußeren Zuleitungsteil, der mit dem Zuleitungsteil auf einer Seite verbunden ist, mit dem inneren Zuleitungsteil auf der anderen Seite verbunden ist und außerhalb des Formharzkörpers freiliegt, versehen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung.
  • Wie in JP 9-139461-A offenbart, ist üblicherweise eine Halbleitervorrichtung bekannt, die ein Aussehen mit mehreren Zuleitungen aufweist, die sich auf einer Seite eines Formharzkörpers parallel erstrecken. Dieser Typ von Aussehen wird unter üblichen integrierten Schaltungen übernommen. Herstellungsschritte davon umfassen im Allgemeinen das Chipbonden und Drahtbonden eines Halbleiterchips an einen Leiterrahmen, das Abdichten des Leiterrahmens mit einem Formharz und dann das Zuleitungsschneiden, wodurch der Leiterrahmen geschnitten wird.
  • Halbleiterelemente, die mit einer Stromerfassungsfunktion versehen sind, sind gut bekannt und Leistungshalbleitermodule, die solche Halbleiterelemente beinhalten, werden weit verbreitet. Es gibt auch ein Schema, das einen Strom durch Detektieren eines Hauptstroms anstelle der Verwendung einer Stromerfassungsfunktion detektiert. Eine Technik ist auch bekannt, die diese zwei Stromdetektionsfunktionen in einem Leistungshalbleitermodul schafft. Mit diesem Typ von Leistungshalbleitermodul kann ein Benutzer eine der zwei Stromdetektionsfunktionen auswählen und verwenden.
  • Das Leistungshalbleitermodul ist an einem Montagesubstrat angebracht und wird als Komponente zusammen mit anderen Teilen für verschiedene elektrische Schaltungen wie z. B. eine Inverterschaltung verwendet. In Anbetracht der vorstehend beschriebenen Alternative des Stromdetektionsschemas muss ein Benutzer ein Montagesubstrat vorbereiten, das für das vom Benutzer ausgewählte Stromdetektionsschema geeignet ist.
  • Insbesondere erfordert die Verwendung der Stromerfassungsfunktion, dass ein Montagesubstrat vorbereitet wird, in dem ein Erfassungswiderstand in einer geeigneten Position angeordnet ist. Ferner erfordert die Detektion eines Hauptstroms, dass ein Montagesubstrat vorbereitet wird, in dem ein Nebenschlusswiderstand in einer geeigneten Position angeordnet ist.
  • Obwohl das vorstehend beschriebene Leistungshalbleitermodul den Bereich von Alternativen für den Benutzer zum Auswählen eines Stromdetektionsschemas vergrößert, muss der Benutzer ein geeignetes Montagesubstrat entwerfen und vorbereiten. Daher besteht noch Raum für eine Verbesserung vom Standpunkt der Benutzerbequemlichkeit.
  • Wenn die vorstehend beschriebene Alternative des Stromdetektionsschemas gegeben ist, nimmt überdies die Belastung der Verdrahtungsarbeit, die vom Benutzer durchgeführt werden sollte, zu. Folglich kann es zu einer Fehlverdrahtung kommen. Mit dem Schwerpunkt auf diesem Problem entdeckte der vorliegende Erfinder schließlich eine Halbleitervorrichtung, die eine Fehlverdrahtung detektieren kann.
  • Die vorliegende Erfindung wurde implementiert, um die vorstehend beschriebenen Probleme zu lösen, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Benutzerbequemlichkeit bei der Verdrahtungsarbeit unter Verwendung einer Halbleitervorrichtung zu verbessern, die ermöglicht, dass ein Benutzer ein Stromdetektionsschema auswählt.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Fehlverdrahtung in einer Halbleitervorrichtung zu detektieren, die ermöglicht, dass ein Benutzer ein Stromdetektionsschema auswählt.
  • Erfindungsgemäß werden diese Aufgaben durch eine Halbleitervorrichtung gemäß den Ansprüchen 1–3 und 8 gelöst.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Halbleitervorrichtung Folgendes: ein Halbleiterelement, das mit einer Hauptelektrode und einer Stromdetektionselektrode versehen ist; eine integrierte Schaltung mit einem Detektionsanschluss; einen Formharzkörper, der das Halbleiterelement und die integrierte Schaltung abdichtet; und eine Zuleitung, die mit einem ersten inneren Zuleitungsteil, einem zweiten inneren Zuleitungsteil und einem äußeren Zuleitungsteil versehen ist. Der erste innere Zuleitungsteil ist mit der Stromdetektionselektrode elektrisch verbunden und im Formharzkörper abgedichtet. Der zweite innere Zuleitungsteil ist im Formharzkörper abgedichtet und mit der Hauptelektrode elektrisch verbunden. Der äußere Zuleitungsteil ist mit dem ersten inneren Zuleitungsteil auf einer Seite verbunden und der äußere Zuleitungsteil ist mit dem zweiten inneren Zuleitungsteil auf der anderen Seite verbunden. Der äußere Zuleitungsteil liegt außerhalb des Formharzkörpers frei.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Halbleitervorrichtung Folgendes: ein Halbleiterelement, das mit einer Hauptelektrode und einer Stromdetektionselektrode versehen ist; eine integrierte Schaltung mit einem Detektionsanschluss und einem Referenzpotentialanschluss; einen Formharzkörper, der das Halbleiterelement und die integrierte Schaltung abdichtet; und eine Zuleitung, die mit einem ersten inneren Zuleitungsteil, einem zweiten inneren Zuleitungsteil und einem äußeren Zuleitungsteil versehen ist. Der erste innere Zuleitungsteil ist mit der Stromdetektionselektrode elektrisch verbunden und im Formharzkörper abgedichtet. Der zweite innere Zuleitungsteil ist im Formharzkörper abgedichtet und mit dem Referenzpotentialanschluss elektrisch verbunden. Der äußere Zuleitungsteil ist mit dem ersten inneren Zuleitungsteil auf einer Seite verbunden und der äußere Zuleitungsteil ist mit dem zweiten inneren Zuleitungsteil auf der anderen Seite verbunden. Der äußere Zuleitungsteil liegt außerhalb des Formharzkörpers frei.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Halbleitervorrichtung Folgendes: ein Halbleiterelement, das mit einer Hauptelektrode und einer Stromdetektionselektrode versehen ist; eine integrierte Schaltung mit einem Detektionsanschluss und einem Referenzpotentialanschluss; einen Formharzkörper, der das Halbleiterelement und die integrierte Schaltung abdichtet; und eine Zuleitung, die teilweise mit dem Formharzkörper abgedichtet ist, die die Stromdetektionselektrode, den Referenzpotentialanschluss und die Hauptelektrode elektrisch verbindet. Die Zuleitung umfasst Folgendes: einen ersten inneren Zuleitungsteil, der mit der Stromdetektionselektrode elektrisch verbunden ist und im Formharzkörper abgedichtet ist; einen zweiten inneren Zuleitungsteil, der mit dem Referenzpotentialanschluss elektrisch verbunden ist und im Formharzkörper abgedichtet ist; einen dritten inneren Zuleitungsteil, der im Formharzkörper abgedichtet ist und mit der Hauptelektrode elektrisch verbunden ist; und einen äußeren Zuleitungsteil, der einen ersten Verzweigungsteil, der mit dem ersten inneren Zuleitungsteil verbunden ist, einen zweiten Verzweigungsteil, der mit dem zweiten inneren Zuleitungsteil verbunden ist, und einen dritten Verzweigungsteil, der mit dem dritten inneren Zuleitungsteil verbunden ist, aufweist. Der äußere Zuleitungsteil liegt außerhalb des Formharzkörpers frei.
  • Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Halbleitervorrichtung Folgendes: ein Halbleiterelement, das mit einer Hauptelektrode und einer Stromdetektionselektrode versehen ist; einen Hauptelektrodenanschluss, der mit der Hauptelektrode elektrisch verbunden ist; einen Detektionselektrodenanschluss, der mit der Stromdetektionselektrode elektrisch verbunden ist; und eine integrierte Schaltung. Die integrierte Schaltung weist einen Spannungsdetektionsanschluss zum Durchführen einer alternativen Spannungsdetektion an der Hauptelektrode und der Stromdetektionselektrode auf. Die integrierte Schaltung bestimmt, dass, wenn die in den Spannungsdetektionsanschluss eingegebene Spannung einen ersten Schwellenwert überschreitet, eine Überstromanomalität auftritt. Die integrierte Schaltung bestimmt, dass, wenn die in den Spannungsdetektionsanschluss eingegebene Spannung unter einen zweiten Schwellenwert fällt, der kleiner ist als der erste Schwellenwert, eine Fehlverdrahtung auftritt.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
  • 1 und 2 eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3 und 4 eine Schaltung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 5 ein Diagramm, das eine Fehlverdrahtung darstellt, die in der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auftreten kann.
  • 6 bis 12 eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Erste Ausführungsform
  • [Struktur der Vorrichtung der ersten Ausführungsform]
  • 1 bis 3 stellen eine Halbleitervorrichtung PM1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. 1 ist eine Draufsicht der Halbleitervorrichtung PM1, die eine perspektivische Ansicht eines Teils einer inneren Struktur davon zeigt.
  • Die Halbleitervorrichtung PM1 weist ein Aussehen mit mehreren Zuleitungen auf, die sich auf beiden Seiten eines Formharzkörpers parallel erstrecken. Dieser Typ von Aussehen wird für übliche integrierte Schaltungen verwendet.
  • Herstellungsschritte davon sehen im Allgemeinen einen Ablauf von Chipbonden und Drahtbonden eines Halbleiterchips an einen Leiterrahmen, Abdichten mit Formharz und Schneiden des Leiterrahmens, um ihn in separate Zuleitungen zu unterteilen, vor.
  • Die Halbleitervorrichtung PM1 unterstützt sowohl ein Stromdetektionsschema unter Verwendung einer Stromerfassungsfunktion als auch ein Stromdetektionsschema, das einen Hauptstrom detektiert. Eine Halbleitervorrichtung PM1 kann diese zwei Stromdetektionsschemen unterstützen und ermöglicht, dass ein Benutzer eines der zwei Stromdetektionsschemen auswählt.
  • Die Halbleitervorrichtung PM1 ist mit Halbleiterelementen 10a und 10b versehen. Die Halbleiterelemente 10a und 10b sind Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT). Das Halbleiterelement 10a ist mit einer Gateelektrode G, in die ein Steuersignal eingegeben wird, einer Kollektorhauptelektrode C und einer Emitterhauptelektrode N, die beide Hauptelektroden sind, versehen. Das Halbleiterelement 10a ist ferner mit einer Emittererfassungselektrode ES versehen. Obwohl auf eine ausführliche Darstellung verzichtet ist, sind in 1 diese Elektroden, die auf der Oberfläche des Halbleiterelements 10a vorgesehen sind, voneinander isoliert.
  • Die Emittererfassungselektrode ES ist eine Elektrode, durch die ein Erfassungsstrom fließt, der teilweise von einem Hauptstrom abgezweigt ist, der zwischen dem Emitter und dem Kollektor fließt. Es ist möglich, eine Stromerfassung des Halbleiterelements 10a über die Emittererfassungselektrode ES zu verwirklichen. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf begrenzt und die vorliegende Erfindung kann auch auf andere Halbleiterelemente außer IGBTs anwendbar sein, die mit Stromerfassungsfunktionen versehen sind.
  • Es ist zu beachten, dass 1 der Zweckmäßigkeit halber auch Freilaufdiodenelemente 20a und 20b darstellt und die Halbleiterelemente 10a und 10b mit den Freilaufdiodenelementen 20a und 20b über Bonddrähte verbunden sind. Dieser Typ von elektrischer Verbindungsstruktur ist bereits bekannt und kein neuer Gegenstand und daher wird auf eine ausführliche Beschreibung davon verzichtet.
  • Es ist zu beachten, dass ein anderes Halbleiterelement auch in dem Teil vorgesehen ist, der mit der Oberfläche eines Formharzkörpers 1 in 1 bedeckt ist (verborgener Teil).
  • Eine integrierte Schaltung IC1 umfasst einen Masseanschluss GND, der mit einem Massepotential verbunden werden soll, das ein Referenzpotential ist, und einen Detektionsanschluss CIN.
  • Der Formharzkörper 1 dichtet die Halbleiterelemente 10a und 10b und die integrierte Schaltung IC1 ab. Der Formharzkörper 1 ist mit zwei entgegengesetzten Hauptoberflächen (insbesondere einer vorderen Oberfläche der Platte und einer hinteren Oberfläche der Platte in 1) und vier Seiten 2a, 2b, 2c und 2d, die die zwei Hauptoberflächen verbinden, versehen. Von den vier Seiten stehen mehrere andere Zuleitungen, die die Halbleiterelemente 10a und 10b und die integrierte Schaltung IC1 elektrisch verbinden, parallel von der Seite 2a und der Seite 2b, die der Seite 2a zugewandt ist, parallel vor.
  • Die Halbleitervorrichtung PM1 ist intern mit mehreren Zuleitungen versehen. Die jeweiligen Zuleitungen sind mit einem inneren Zuleitungsteil, der mit dem Formharzkörper 1 abgedichtet ist, und einem äußeren Zuleitungsteil, der sich außerhalb des Formharzkörpers 1 erstreckt, versehen. In jeder Zuleitung ist die Oberfläche des inneren Zuleitungsteils mit den jeweiligen Elektroden der Halbleiterelemente 10a und 10b oder den jeweiligen Elektroden der integrierten Schaltung IC1 über Bonddrähte verbunden, die als Draht der elektrischen Schaltung der Halbleitervorrichtung PM1 eine Rolle spielen.
  • Wie in 1 gezeigt, ist die Halbleitervorrichtung PM1 mit Chipkontaktstellen 22a und 22b versehen. Die Halbleiterelemente 10a und 10b und die Freilaufdiodenelemente 20a und 20b sind an die Chipkontaktstellen 22a und 22b chipgebondet. Die Chipkontaktstelle 22a ist einteilig mit einer Zuleitung 23a verbunden, die Chipkontaktstelle 22b ist einteilig mit einer Zuleitung 23b verbunden und die Zuleitungen 23a und 23b erstrecken sich außerhalb des Formharzkörpers 1.
  • Die Halbleitervorrichtung PM1 ist mit Zuleitungen 32, 33 und 34 versehen. Die Halbleitervorrichtung PM1 ist ferner mit einer Zuleitung RD1 versehen, die eines der technischen Merkmale der vorliegenden Ausführungsform ist.
  • Die Zuleitung 32 ist mit Gateelektroden der Halbleiterelemente 10a und 10b über einen Bonddraht elektrisch verbunden. Ferner ist die Zuleitung 32 mit einem Steuersignalanschluss der integrierten Schaltung IC1 über den Bonddraht elektrisch verbunden. Dies ermöglicht, dass ein Gateansteuersignal, das aus der integrierten Schaltung IC1 ausgegeben wird, zu den Gateelektroden der Halbleiterelemente 10a und 10b über die Zuleitung 32 zugeführt wird.
  • Die Zuleitung 33 ist mit einem Chipkontaktstellenteil, an den die integrierte Schaltung IC1 chipgebondet ist, und Enden 33a und 33b, die sich in einer im Wesentlichen entgegengesetzten Richtung von diesem Chipkontaktstellenteil erstrecken, versehen. Das Ende 33a erstreckt sich von der Seite 2a des Formharzkörpers 1 nach außen. Das Ende 33b liegt außerhalb von der Seite 2c des Formharzkörpers 1 frei. Diese Zuleitung 33 ist mit dem Masseanschluss der integrierten Schaltung IC1 über einen. Bonddraht verbunden. Das Ende 33a ist eine Masseverbindungszuleitung, die mit einem Massepotential verbunden werden soll, wenn die Halbleitervorrichtung PM1 montiert wird.
  • Die Zuleitung 34 ist mit dem Detektionsanschuss CIN der integrierten Schaltung IC1 über einen Bonddraht elektrisch verbunden. Die Zuleitung 34 steht von der Seite 2a des Formharzkörpers 1 nach außen vor. Durch Konfigurieren einer elektrischen Schaltung zusammen mit einem Erfassungswiderstand und einem Nebenschlusswiderstand unter Verwendung des freigelegten Endes dieser Zuleitung 34 kann die integrierte Schaltung IC1 eine Stromerfassung durchführen, wie in 4 gezeigt, was später beschrieben wird.
  • Die Zuleitung RD1 ist mit inneren Zuleitungsteilen 30 und 31, die im Formharzkörper 1 abgedichtet sind, und einem äußeren Zuleitungsteil 40, der außerhalb des Formharzkörpers 1 freiliegt, versehen. Der äußere Zuleitungsteil 40 verbindet die inneren Zuleitungsteile 30 und 31. Der äußere Zuleitungsteil 40 erstreckt sich in einer Längenrichtung der Seite 2c auf der Seite 2c.
  • Die Seite 2c ist eine Seite, die von den Seiten 2a und 2b verschieden ist, von denen viele Zuleitungen parallel vorstehen. Dies ermöglicht, dass der äußere Zuleitungsteil 40 eine Störung der mehreren Zuleitungen vermeidet, die auf den Seiten 2a und 2b angeordnet sind, was es möglich macht, die Montage der Halbleitervorrichtung PM1 an einem üblichen Montagesubstrat ohne Schwierigkeiten zu erreichen.
  • Der innere Zuleitungsteil 30 ist im Formharzkörper 1 abgedichtet und mit den Emitterhauptelektroden E der Halbleiterelemente 10a und 10b über Bonddrähte elektrisch verbunden. Der innere Zuleitungsteil 30 ist mit einem flachen Teil, mit dem zwei Bonddrähte von den Halbleiterelementen 10a bzw. 10b verbunden sind, und drei Enden 30a, 30b und 30c, die von diesem flachen Teil durch die Seite 2b des Formharzkörpers 1 vorstehen, versehen.
  • Die Enden 30a, 30b und 30c werden als Emitterelektrodenzuleitungen verwendet, die mit den Emittern der Halbleiterelemente 10a und 10b verbunden werden sollen. Der innere Zuleitungsteil 30 ist ferner mit einem Ende 30d versehen, das sich in Richtung der Seite 2c des Formharzkörpers 1 erstreckt. Das Ende 30d ist mit dem äußeren Zuleitungsteil 40 verbunden.
  • Der innere Zuleitungsteil 31 ist im Formharzkörper 1 abgedichtet und mit den Emittererfassungselektroden ES der Halbleiterelemente 10a und 10b über Bonddrähte elektrisch verbunden.
  • Insbesondere ist der innere Zuleitungsteil 31 mit einem Ende 31a versehen, um einen Emittererfassungsstrom zur Detektion eines Emittererfassungsstroms zur Außenseite der Halbleitervorrichtung PM1 zu entnehmen.
  • Ferner ist der innere Zuleitungsteil 31 mit einem Ende 31b versehen, das sich in Richtung der Seite 2c des Formharzkörpers 1 erstreckt. Das Ende 31b ist mit dem äußeren Zuleitungsteil 40 verbunden.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist der äußere Zuleitungsteil 40 mit dem inneren Zuleitungsteil 31 einerseits verbunden und mit dem inneren Zuleitungsteil 30 andererseits verbunden. Der äußere Zuleitungsteil 40 liegt auf der Seite 2c des Formharzkörpers 1 frei. Wie später beschrieben wird, kann der äußere Zuleitungsteil 40 in Abhängigkeit vom Stromdetektionsschema, das vom Benutzer ausgewählt wird, geschnitten werden oder kann nicht geschnitten werden. Das Schneiden des äußeren Zuleitungsteils 40 macht es möglich, die inneren Zuleitungsteile 30 und 31 mechanisch und elektrisch zu unterteilen.
  • 2 stellt die Halbleitervorrichtung PM1 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. Eine Kerbe 40a, die sich in einer Richtung der kurzen Seite des äußeren Zuleitungsteils 40 erstreckt, ist auf der Oberfläche des äußeren Zuleitungsteils 40 vorgesehen. Dies erleichtert das Schneiden des äußeren Zuleitungsteils 40.
  • [Schaltung der ersten Ausführungsform]
  • 3 und 4 stellen die Halbleitervorrichtung PM1 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar und stellen einen Teil der inneren Schaltung der Halbleitervorrichtung PM1 dar. Teile, denen dieselben Bezugszeichen zwischen dem in 1 gezeigten Strukturdiagramm und den in 3 und 4 gezeigten Schaltplänen zugewiesen sind, sind in einer Eins-zu-Eins-Entsprechung einander zugeordnet.
  • (Hauptstromdetektionsschema)
  • 3 stellt eine Schaltung im Fall der Übernahme eines Stromdetektionsschemas zum Detektieren eines Hauptstroms, wenn die Halbleitervorrichtung PM1 montiert ist, dar. In diesem Fall ist ein externer Nebenschlusswiderstand Rsh für ein Montagesubstrat (nicht dargestellt) vorgesehen, auf dem die Halbleitervorrichtung PM1 montiert werden soll. Ein Draht 60 ist zum elektrischen Verbinden des Endes 31a und eines Endes der Zuleitung 34 auf der Montagesubstratseite ausgebildet, um den Detektionsanschluss CIN und die Emittererfassungselektrode ES zu verbinden.
  • Wenn das Schema zum Detektieren eines Hauptstroms übernommen wird, wird hier der äußere Zuleitungsteil 40 ungeschnitten belassen. Ein Ende des Nebenschlusswiderstandes Rsh wird mit der Masse verbunden und das andere Ende des Nebenschlusswiderstandes Rsh wird mit dem äußeren Zuleitungsteil 40 elektrisch verbunden. Dies ermöglicht, dass das andere Ende des Nebenschlusswiderstandes Rsh mit der Emitterhauptelektrode N und dem Detektionsanschluss CIN über den äußeren Zuleitungsteil 40 elektrisch verbunden wird.
  • (Schema unter Verwendung der Stromerfassungsfunktion)
  • 4 stellt eine Schaltung dar, die ein Stromdetektionsschema zum Detektieren eines Stromerfassungsstroms unter Verwendung der Stromerfassungsfunktion der Halbleiterelemente 10a und 10b übernimmt, wenn die Halbleitervorrichtung PM1 montiert wird. In diesem Fall wird in der ersten Ausführungsform der externe Erfassungswiderstand Rs1 für das Montagesubtrat (nicht dargestellt) bereitgestellt, auf dem die Halbleitervorrichtung PM1 montiert werden soll.
  • Im Fall von 4 sowie 3 ist ein Draht zum elektrischen Verbinden des Endes 31a und des Endes der Zuleitung 34 auf der Montagesubstratseite ausgebildet, um den Detektionsanschluss CIN und die Emittererfassungselektrode ES elektrisch zu verbinden.
  • Wenn die Stromerfassungsfunktion verwendet wird, wird der äußere Zuleitungsteil 40 geschnitten. Dadurch wird, wie in 4 gezeigt, die Emitterhauptelektrode N vom Detektionsanschluss CIN elektrisch getrennt. Andererseits wird ein Ende des Erfassungswiderstandes Rs1 mit sowohl dem Detektionsanschluss CIN als auch der Emittererfassungselektrode ES verbunden und das andere Ende des Erfassungswiderstandes Rs1 wird mit Masse verbunden.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird gemäß der ersten Ausführungsform in der Halbleitervorrichtung PM1, für die eines von mehreren Stromdetektionsschemen auswählbar ist, die Zuleitung RD1, die elektrisch zu verbindende Teile verbindet, die für ein spezifisches Stromdetektionsschema erforderlich sind, im Voraus ausgebildet und ein Teil davon wird außerhalb des Formharzkörpers 1 freigelegt. Der äußere Zuleitungsteil 40, der der freigelegte Teil der Zuleitung RD1 ist, kann in Abhängigkeit vom Stromdetektionsschema belassen und verwendet werden oder kann geschnitten werden, wenn er unnötig ist. Aus diesem Grund wird die Halbleitervorrichtung PM1 geschaffen, die die Verdrahtungsarbeit vereinfachen kann.
  • [Fehlverdrahtungsbestimmungsfunktion der Vorrichtung der ersten Ausführungsform]
  • 5 ist ein Diagramm, das eine Fehlverdrahtung darstellt, die in der Halbleitervorrichtung PM1 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auftreten kann. Die in 5 gezeigte Fehlverdrahtung ergibt sich aus der Herstellung einer Schaltungsverbindung unter dem in 4 gezeigten Stromerfassungsschema, wobei der äußere Zuleitungsteil 40 ungeschnitten belassen wird.
  • In der ersten Ausführungsform ist die integrierte Schaltung IC1 mit der folgenden Fehlverdrahtungsbestimmungsfunktion montiert. Die integrierte Schaltung IC1 führt eine alternative Spannungsdetektion an der Emitterhauptelektrode N und der Emittererfassungselektrode ES über den Detektionsanschluss CIN durch. Die integrierte Schaltung IC1 bestimmt, dass eine Überstromanomalität aufgetreten ist, wenn die Spannung des Detektionsanschlusses CIN einen ersten Schwellenwert Vth1 überschreitet, oder bestimmt, dass eine Fehlverdrahtung aufgetreten ist, wenn die Spannung des Detektionsanschlusses unter einen zweiten Schwellenwert Vth2 fällt, der kleiner ist als der erste Schwellenwert.
  • Gründe für diese Bestimmung sind wie folgt. Erstens, wenn die korrekte Schaltungsverbindung, wie in 4 gezeigt, durchgeführt wurde, ändert sich die Spannung des Erfassungswiderstandes Rs1 gemäß dem Erfassungsstrom von der Emittererfassungselektrode ES.
  • Die Spannung des Erfassungswiderstandes Rs1 wird in den Detektionsanschluss CIN eingegeben, und wenn diese Spannung übermäßig groß ist, bestimmt die integrierte Schaltung IC1, dass ein Überstrom durch das Halbleiterelement 10a (IGBT) fließt. Der vorstehend beschriebene erste Schwellenwert Vth1 ist ein Schwellenwert zum Bestimmen dieses Überstroms. Wenn ein Überstrom erzeugt wird, unternimmt die integrierte Schaltung IC1 eine Handlung wie z. B. Einstellen eines Gateansteuersignals, Stoppen der Ausgabe des Halbleiterelements 10a oder Verringern des Stroms.
  • Bei der Fehlverdrahtung in 5 wird jedoch der Detektionsanschluss CIN aufgrund der Anwesenheit des äußeren Zuleitungsteils 40 mit Masse verbunden. Selbst wenn ein Erfassungsstrom von der Emittererfassungselektrode ES vorliegt, ändert sich aus diesem Grund die Spannung des Erfassungswiderstandes Rs1 nicht. Folglich wird die Spannung des Detektionsanschlusses CIN ein Massepotential und wird auf einer Spannung gehalten, die offensichtlich niedriger ist als im Fall der normalen Verdrahtung in 4.
  • Folglich speichert die vorliegende Ausführungsform einen zweiten Schwellenwert Vth2, der kleiner ist als der erste Schwellenwert Vth1, und bestimmt, dass eine Fehlverdrahtung aufgetreten ist, wenn die Spannung des Detektionsanschlusses CIN unter diesem zweiten Schwellenwert Vth2 ist liegt.
  • Das Bestimmungsergebnis kann durch Senden eines Fehlersignals zur Außenseite der Halbleitervorrichtung PM1 über eine der anderen Zuleitungen, die mit der IC1 verbunden sind, übertragen werden. Es kann auch veranlasst werden, dass die integrierte Schaltung IC1 eine vorbestimmte Schutzoperation durchführt.
  • Zweite Ausführungsform
  • 6 und 7 stellen eine Halbleitervorrichtung PM2 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. 6 weist ein Format ähnlich zu jenem in 1 der ersten Ausführungsform auf und ist eine Draufsicht der Halbleitervorrichtung PM2, die eine perspektivische Ansicht eines Teils von einer inneren Struktur davon zeigt. 7 ist eine vergrößerte Ansicht des Umfangs des Halbleiterelements 10a und der integrierten Schaltung IC1 in 6.
  • Die Halbleitervorrichtung PM2 weist eine Konfiguration ähnlich zu jener der Halbleitervorrichtung PM1 gemäß der ersten Ausführungsform auf, außer dass eine Zuleitung RD2 anstelle der Zuleitung RD1 und der Zuleitung 33 vorgesehen ist und die integrierte Schaltung IC1 eine andere Bonddrahtverbindung aufweist. Daher werden Komponenten, die zu jenen in der ersten Ausführungsform identisch sind oder diesen entsprechen, so beschrieben, dass dieselben Bezugszeichen zugewiesen sind, und die Beschreibung wird auf Unterschiede zur ersten Ausführungsform konzentriert und die Beschreibung von gemeinsamen Elementen wird vereinfacht oder weggelassen.
  • Die Zuleitung RD2 ist mit inneren Zuleitungsteilen 30 und 31, einem inneren Zuleitungsteil 133 und einem äußeren Zuleitungsteil 140 versehen. Der innere Zuleitungsteil 30 ist mit einer Emitterhauptelektrode N elektrisch verbunden, die in einem Formharzkörper 1 abgedichtet ist. Der innere Zuleitungsteil 31 ist mit einer Emittererfassungselektrode ES elektrisch verbunden, die im Formharzkörper 1 abgedichtet ist. Dieser Aspekt ist derselbe wie jener in der ersten Ausführungsform.
  • Der innere Zuleitungsteil 133 ist insofern ähnlich zur Zuleitung 33 in der ersten Ausführungsform, als er im Formharzkörper 1 abgedichtet ist und mit einem Referenzpotentialanschluss GND elektrisch verbunden ist. Der innere Zuleitungsteil 133 ist jedoch ein Teil der Zuleitung RD2 und mit den inneren Zuleitungsteilen 30 und 31 über den äußeren Zuleitungsteil 140 verbunden. Der innere Zuleitungsteil 133 ist von der Zuleitung 33 in dieser Hinsicht verschieden.
  • Der innere Zuleitungsteil 133 ist mit Enden 133a und 133b versehen und diese entsprechen den Enden 33a und 33b der Zuleitung 33. Wie später beschrieben wird, ist das Ende 133b des inneren Zuleitungsteils 133 mit einem Verzweigungsteil 140a des äußeren Zuleitungsteils 140 verbunden.
  • Der äußere Zuleitungsteil 140 ist in Verzweigungsteile 140a, 140b und 140c verzweigt. Der Verzweigungsteil 140b ist mit dem inneren Zuleitungsteil 31 verbunden. Der Verzweigungsteil 140a ist mit dem inneren Zuleitungsteil 133 verbunden. Der Verzweigungsteil 140c ist mit dem inneren Zuleitungsteil 30 verbunden. Der äußere Zuleitungsteil 140 liegt nach außen auf der Seite 2c des Formharzkörpers 1 frei.
  • Der äußere Zuleitungsteil 140 ist in zwei Abschnitte unterteilt: einen Verdrahtungsabschnitt X1 und einen Verdrahtungsabschnitt X2. Der Verdrahtungsabschnitt X1 bezieht sich auf einen Abschnitt, der vom Verzweigungsteil 140a zum Verzweigungsteil 140b verbindet. Der Verdrahtungsabschnitt X2 bezieht sich auf einen Abschnitt, der vom Verzweigungsteil 140b zum Verzweigungsteil 140c verbindet. Die Halbleitervorrichtung PM2 kann selektiv diese Verdrahtungsabschnitte X1 und X2 gemäß dem ausgewählten Stromdetektionsschema verwenden.
  • Wie in 6 und 7 gezeigt, beinhaltet die Halbleitervorrichtung PM2 einen Erfassungswiderstand Rs2. Der Erfassungswiderstand Rs2 ist im Formharzkörper 1 abgedichtet und in Reihe an irgendeinem Mittelpunkt des inneren Zuleitungsteils 133 eingefügt. Insbesondere ist der Erfassungswiderstand Rs2 nahe dem Ende 133b des inneren Zuleitungsteils 133 ausgebildet. Der Erfassungswiderstand Rs2 ist in Reihe zwischen die Chipkontaktstelle in der Mitte des inneren Zuleitungsteils 133 und das Ende 133b eingefügt.
  • Dieser Erfassungswiderstand Rs2 ist ein Widerstand, der verwendet wird, wenn eine Stromerfassungsfunktion verwendet wird. Der Erfassungswiderstand Rs2 muss nur einen kleineren Widerstandswert aufweisen als der Nebenschlusswidderstand Rsh, der für die Detektion eines Hauptstroms verwendet wird. Aus diesem Grund genügt sogar ein kleiner Widerstand und ist daher geeignet zum Abdichten im Formharzkörper 1 wie im Fall der vorliegenden Ausführungsform.
  • Wie in 7 gezeigt, ist in der Halbleitervorrichtung PM2 der Detektionsanschluss CIN der integrierten Schaltung IC1 mit dem inneren Zuleitungsteil 31 über einen Bonddraht BW1 elektrisch verbunden. Die vorliegende Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform in dieser Hinsicht.
  • 8 ist ein Schaltplan, der die Halbleitervorrichtung PM2 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 8 stellt einen Teil einer inneren Schaltung der Halbleitervorrichtung PM2, die in 6 gezeigt ist, dar und Komponenten, denen identische Bezugszeichen zugewiesen sind, weisen eine Eins-zu-Eins-Entsprechung auf. In der in 6 gezeigten Stufe ist der äußere Zuleitungsteil 140 nicht geschnitten und beide Verdrahtungsabschnitte X1 und X2 bleiben. Wie später beschrieben wird, wird in Abhängigkeit davon, ob die Stromerfassungsfunktion oder die Hauptstromdetektionsfunktion ausgewählt wird, der äußere Zuleitungsteil 140 geschnitten, so dass einer der Verdrahtungsabschnitte X1 und X2 belassen wird.
  • [Verfahren zur Verwendung der Vorrichtung der zweiten Ausführungsform]
  • (Wenn die Stromerfassungsfunktion verwendet wird)
  • 9 und 10 stellen die Halbleitervorrichtung PM2 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden. Erfindung dar und zeigen eine Situation, in der die Stromerfassungsfunktion verwendet wird. Wenn die Stromerfassungsfunktion verwendet wird, wird der Verdrahtungsabschnitt X1 verwendet und der Verdrahtungsabschnitt X2 wird nicht verwendet.
  • Das heißt, der Bereich, der vom Verzweigungsteil 140b zum Verzweigungsteil 140c verbindet, wird geschnitten, während nur der Bereich belassen wird, der vom Verzweigungsteil 140a zum Verzweigungsteil 140b des äußeren Zuleitungsteils 140 verbindet. Folglich wird das in 9 gezeigte Aussehen erhalten. Es ist zu beachten, dass das Ende 30d auf der Seite 2c des Formharzkörpers 1 freiliegt.
  • 10 stellt eine elektrische Schaltung dar, die auszubilden ist, wenn die Halbleitervorrichtung PM2, die in 9 gezeigt ist, an einem Montagesubstrat (nicht dargestellt) montiert wird. Wie in 10 gezeigt, verbindet der Verdrahtungsabschnitt X1 des äußeren Zuleitungsteils 140 elektrisch einen Verbindungspunkt zwischen dem Detektionsanschluss CIN und der Emittererfassungselektrode ES und ein Ende des Erfassungswiderstandes Rs2. Das andere Ende des Erfassungswiderstandes Rs2 ist mit Masse verbunden.
  • (Wenn der Hauptstrom detektiert wird)
  • 11 und 12 stellen die Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar und zeigen einen Fall, in dem ein Schema zur Detektion des Hauptstroms übernommen wird. Wenn der Hauptstrom detektiert wird, wird der Verdrahtungsabschnitt X2 verwendet und der Verdrahtungsabschnitt X1 wird nicht verwendet, was zu dem Fall entgegengesetzt ist, in dem die Stromerfassungsfunktion verwendet wird.
  • Das heißt, der Bereich, der vom Verzweigungsteil 140a zum Verzweigungsteil 140b verbindet, wird geschnitten, während nur der Bereich belassen wird, der vom Verzweigungsteil 140b zum Verzweigungsteil 140c des äußeren Zuleitungsteils 140 verbindet. Folglich wird das in 11 gezeigte Aussehen erhalten. Es ist zu beachten, dass das Ende 133b auf der Seite 2c des Formharzkörpers 1 freiliegt.
  • 12 stellt eine auszubildende elektrische Schaltung dar, wenn die Halbleitervorrichtung PM2, die in 11 gezeigt ist, an einem Montagesubstrat (nicht dargestellt) montiert wird. Wie in 12 gezeigt, verbindet der Verdrahtungsabschnitt X2 des äußeren Zuleitungsteils 140 elektrisch einen Verbindungspunkt zwischen dem Detektionsanschluss CIN und der Emittererfassungselektrode ES und die Emitterhauptelektrode N. Ein Ende des Nebenschlusswiderstandes Rsh ist mit dem Verdrahtungsabschnitt X2 verbunden und das andere Ende des Nebenschlusswiderstandes Rsh ist mit der Masse verbunden.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird gemäß der zweiten Ausführungsform in der Halbleitervorrichtung PM2, für die eines von mehreren Stromdetektionsschemen auswählbar ist, die Zuleitung RD2, die elektrisch zu verbindende Teile verbindet, die für ein spezifisches Stromdetektionsschema erforderlich sind, im Voraus ausgebildet und ein Teil davon wird außerhalb des Formharzkörpers 1 freigelegt. Der äußere Zuleitungsteil 140, der der freigelegte Teil dieser Zuleitung RD2 ist, kann in Abhängigkeit vom Stromdetektionsschema belassen und verwendet werden oder kann geschnitten werden, falls er unnötig ist. In dieser Weise wird die Halbleitervorrichtung PM2, die die Verdrahtungsarbeit vereinfachen kann, geschaffen.
  • In den Halbleitervorrichtungen PM1 und PM2 gemäß den vorstehend erwähnten ersten und zweiten Ausführungsformen können die äußeren Zuleitungsteile 40 und 140 nach dem erforderlichen Schneiden vertrieben werden oder ungeschnitten belassen und vertrieben werden. Das heißt, gemäß der zweiten Ausführungsform kann die Halbleitervorrichtung PM2 nach dem Schneiden des äußeren Zuleitungsteils 140, wie in 9 und 11 gezeigt, vertrieben werden. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf begrenzt, sondern die Halbleitervorrichtung PM2 kann vertrieben werden, wobei der äußere Zuleitungsteil 140 ungeschnitten belassen ist, wie in 6 gezeigt. Dies liegt daran, dass in diesem Fall ein Käufer (Benutzer) den äußeren Zuleitungsteil 140 nach Bedarf schneiden kann.
  • Die integrierte Schaltung IC1, die mit der vorstehend erwähnten Fehlverdrahtungsbestimmungsfunktion versehen ist, kann auch auf andere Halbleitervorrichtungen ohne Zuleitungen RD1 und RD2 anwendbar sein. Dies liegt daran, dass, selbst bei einer Halbleitervorrichtung, die nicht mit Zuleitungen RD1 und RD2 versehen ist, wenn der Benutzer die Schaltungsverdrahtung entsprechend der Zuleitung RD1 auf der Montagesubstratseite durchführen kann, die Fehlverdrahtungsbestimmungsfunktion der integrierten Schaltung IC1 effektiv funktioniert. Daher kann nur das technische Konzept in Bezug auf die integrierte Schaltung IC1, die mit der Fehlverdrahtungsbestimmungsfunktion versehen ist, aus den Halbleitervorrichtungen PM1 und PM2 gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform gewonnen werden und kann unabhängig implementiert werden.
  • Dagegen kann nur das technische Konzept, das in den Zuleitungen RD1 und RD2 verkörpert ist, unabhängig von der integrierten Schaltung IC1, die mit der Fehlverdrahtungsbestimmungsfunktion versehen ist, implementiert werden. Das heißt, in den Halbleitervorrichtungen PM1 und PM2 gemäß der ersten und der zweiten Ausführungsform kann die integrierte Schaltung IC1 durch eine integrierte Schaltung ersetzt werden, die nicht mit einer Fehlverdrahtungsbestimmungsfunktion versehen ist.
  • Offensichtlich sind viele Modifikationen und Veränderungen der vorliegenden Erfindung angesichts der obigen Lehren möglich. Daher kann die Erfindung selbstverständlich innerhalb des Schutzbereichs der beigefügten Ansprüche anders als spezifisch beschrieben ausgeführt werden.
  • Die ganze Offenbarung von JP 2013-165997 , eingereicht am 9. August 2013, einschließlich der Patentbeschreibung, der Ansprüche, der Zeichnungen und der Zusammenfassung, auf der die Unionspriorität der vorliegenden Anmeldung basiert, wird durch den Hinweis in ihrer Gesamtheit hier aufgenommen.
  • Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung können wie folgt zusammengefasst werden. Die Halbleitervorrichtungen gemäß dem ersten bis dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ermöglichen, dass die Verdrahtungsarbeit vereinfacht wird. Die Halbleitervorrichtung gemäß dem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ermöglicht, dass eine Fehlverdrahtung detektiert wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 9-139461 A [0002]
    • JP 2013-165997 [0082]

Claims (8)

  1. Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Halbleiterelement (10a, 10b), das mit einer Hauptelektrode (C, N) und einer Stromdetektionselektrode (ES) versehen ist; eine integrierte Schaltung (IC1) mit einem Detektionsanschluss (CIN); einen Formharzkörper (1), der das Halbleiterelement (10a, 10b) und die integrierte Schaltung (IC1) abdichtet; und eine Zuleitung (RD1), die mit einem ersten inneren Zuleitungsteil (31), der mit der Stromdetektionselektrode (ES) elektrisch verbunden ist und im Formharzkörper (1) abgedichtet ist, einem zweiten inneren Zuleitungsteil (30), der im Formharzkörper (1) abgedichtet ist und mit der Hauptelektrode (C, N) elektrisch verbunden ist, und einem äußeren Zuleitungsteil (40), der mit dem ersten inneren Zuleitungsteil auf einer Seite verbunden ist, mit dem zweiten inneren Zuleitungsteil auf der anderen Seite verbunden ist und außerhalb des Formharzkörpers (1) freiliegt, versehen ist.
  2. Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Halbleiterelement (10a, 10b), das mit einer Hauptelektrode (C, N) und einer Stromdetektionselektrode (ES) versehen ist; eine integrierte Schaltung (IC1) mit einem Detektionsanschluss (CIN) und einem Referenzpotentialanschluss; einen Formharzkörper (1), der das Halbleiterelement (10a, 10b) und die integrierte Schaltung (IC1) abdichtet; und eine Zuleitung (RD2), die mit einem ersten inneren Zuleitungsteil (31), der mit der Stromdetektionselektrode (ES) elektrisch verbunden ist und im Formharzkörper (1) abgedichtet ist, einem zweiten inneren Zuleitungsteil (133), der im Formharzkörper (1) abgedichtet ist und mit dem Referenzpotentialanschluss elektrisch verbunden ist, und einem äußeren Zuleitungsteil (140), der mit dem ersten inneren Zuleitungsteil auf einer Seite verbunden ist, mit dem zweiten inneren Zuleitungsteil auf der anderen Seite verbunden ist und außerhalb des Formharzkörpers (1) freiliegt, versehen ist.
  3. Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Halbleiterelement (10a, 10b), das mit einer Hauptelektrode (C, N) und einer Stromdetektionselektrode (ES) versehen ist; eine integrierte Schaltung (IC1) mit einem Detektionsanschluss (CIN) und einem Referenzpotentialanschluss; einem Formharzkörper (1), der das Halbleiterelement (10a, 10b) und die integrierte Schaltung (IC1) abdichtet; und eine Zuleitung (RD2), die teilweise mit dem Formharzkörper (1) abgedichtet ist, die die Stromdetektionselektrode (ES), den Referenzpotentialanschluss und die Hauptelektrode (C, N) elektrisch verbindet; wobei die Zuleitung (RD2) Folgendes umfasst: einen ersten inneren Zuleitungsteil (31), der mit der Stromdetektionselektrode (ES) elektrisch verbunden ist und im Formharzkörper (1) abgedichtet ist; einen zweiten inneren Zuleitungsteil (133), der mit dem Referenzpotentialanschluss elektrisch verbunden ist und im Formharzkörper (1) abgedichtet ist; einen dritten inneren Zuleitungsteil (30), der im Formharzkörper (1) abgedichtet ist und mit der Hauptelektrode (C, N) elektrisch verbunden ist; und einen äußeren Zuleitungsteil (140), der einen ersten Verzweigungsteil (140b), der mit dem ersten inneren Zuleitungsteil (31) verbunden ist, einen zweiten Verzweigungsteil (140a), der mit dem zweiten inneren Zuleitungsteil (133) verbunden ist, und einen dritten Verzweigungsteil (140c), der mit dem dritten inneren Zuleitungsteil (30) verbunden ist, aufweist und außerhalb des Formharzkörpers (1) freiliegt.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, die ferner einen Widerstand (Rs2) umfasst, der im Formharzkörper (1) abgedichtet ist und in Reihe im zweiten inneren Zuleitungsteil eingefügt ist.
  5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Kerbe (40a), die sich in einer seitlichen Richtung des äußeren Zuleitungsteils erstreckt, auf einer Oberfläche des äußeren Zuleitungsteils vorgesehen ist.
  6. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die integrierte Schaltung (IC1) eine alternative Spannungsdetektion an der Hauptelektrode (C, N) und der Stromdetektionselektrode (ES) über den Detektionsanschluss (CIN) durchführt, bestimmt, dass, wenn die Spannung des Detektionsanschlusses (CIN) einen ersten Schwellenwert überschreitet, eine Überstromanomalität auftritt, und bestimmt, dass, wenn die Spannung des Detektionsanschlusses (CIN) unter einen zweiten Schwellenwert fällt, der kleiner ist als der erste Schwellenwert, eine Fehlverdrahtung auftritt.
  7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Formharzkörper (1) mit zwei entgegengesetzten Hauptoberflächen und vier Seiten (2a, 2b, 2c, 2d), die die zwei Hauptoberflächen verbinden, versehen ist, mehrere andere Zuleitungen, die das Halbleiterelement (10a, 10b) und die integrierte Schaltung (IC1) elektrisch verbinden, parallel von einer ersten Seite und einer zweiten Seite entgegengesetzt zur ersten Seite von den vier Seiten vorstehen, und der äußere Zuleitungsteil (40, 140) sich von einer dritten Seite, die von der ersten und der zweiten Seite verschieden ist, von den vier Seiten erstreckt.
  8. Halbleitervorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Halbleiterelement (10a, 10b), das mit einer Hauptelektrode (C, N) und einer Stromdetektionselektrode (ES) versehen ist; einen Hauptelektrodenanschluss (30d), der mit der Hauptelektrode (C, N) elektrisch verbunden ist; einen Detektionselektrodenanschluss (31b), der mit der Stromdetektionselektrode (ES) elektrisch verbunden ist; und eine integrierte Schaltung (IC1) mit einem Spannungsdetektionsanschluss (CIN) zum Durchführen einer alternativen Spannungsdetektion an der Hauptelektrode (C, N) und der Stromdetektionselektrode (ES), die bestimmt, dass, wenn die in den Spannungsdetektionsanschluss (CIN) eingegebene Spannung einen ersten Schwellenwert (Vth1) überschreitet, eine Überstromanomalität auftritt, und bestimmt, dass, wenn die in den Spannungsdetektionsanschluss (CIN) eingegebene Spannung unter einen zweiten Schwellenwert (Vth2) fällt, der kleiner ist als der erste Schwellenwert, eine Fehlverdrahtung auftritt.
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