DE102013219783B4 - Explosionsgeschütztes halbleitermodul - Google Patents

Explosionsgeschütztes halbleitermodul Download PDF

Info

Publication number
DE102013219783B4
DE102013219783B4 DE102013219783.7A DE102013219783A DE102013219783B4 DE 102013219783 B4 DE102013219783 B4 DE 102013219783B4 DE 102013219783 A DE102013219783 A DE 102013219783A DE 102013219783 B4 DE102013219783 B4 DE 102013219783B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sound absorber
semiconductor
chip
semiconductor module
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102013219783.7A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102013219783A1 (de
Inventor
Olaf Hohlfeld
Guido Boenig
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102013219783.7A priority Critical patent/DE102013219783B4/de
Priority to CN201410406510.9A priority patent/CN104517910B/zh
Priority to US14/499,737 priority patent/US9214432B2/en
Publication of DE102013219783A1 publication Critical patent/DE102013219783A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102013219783B4 publication Critical patent/DE102013219783B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48095—Kinked
    • H01L2224/48096—Kinked the kinked part being in proximity to the bonding area on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48105—Connecting bonding areas at different heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48105—Connecting bonding areas at different heights
    • H01L2224/48106—Connecting bonding areas at different heights the connector being orthogonal to a side surface of the semiconductor or solid-state body, e.g. parallel layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905—Shape
    • H01L2224/4909—Loop shape arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Soundproofing, Sound Blocking, And Sound Damping (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Halbleitermodul mit einem Träger (2), wenigstens einem auf dem Träger (2) montierten Halbleiterchip (1), einem Bonddraht (4), einem Modulgehäuse (7), sowie einem ersten Schallabsorber (8), wobei das Modulgehäuse (7) eine Gehäuseseitenwand (71) aufweist; der Bonddraht (4) in dem Modulgehäuse (7) angeordnet ist; und zumindest ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers (8) zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Gehäuseseitenwand (71) angeordnet ist; bei dem Sand (6) in dem Modulgehäuse (7) angeordnet ist; der erste Schallabsorber (8) einen mit Gas gefüllten Zwischenraum (81) oder mehrere mit Gas gefüllte Zwischenräume (81) aufweist und zusammen mit sämtlichen mit Gas gefüllten Zwischenräumen (81) einen ersten Raumbereich einnimmt, der ein erstes Volumen (V1) aufweist; der Sand (6) einschließlich darin befindlicher, mit Gas gefüllter Lücken einen zweiten Raumbereich einnimmt, der ein zweites Volumen (V2) aufweist; das Verhältnis (V2 ÷ V1) zwischen dem zweiten Volumen (V2) und dem ersten Volumen (V1) im Bereich von 1 bis 10 liegt.

Description

  • Die Erfindung betrifft Halbleitermodule. Bei vielen Anwendungen von Halbleitermodulen kann eine im Inneren des Moduls auftretende Explosion die Umgebung, in der sich das Modul befindet, beschädigen oder zumindest verschmutzen. Derartige Explosionen können beispielsweise auftreten, wenn, beispielsweise bei Stoßstrombelastungen, bestimmte Grenzwerte überschritten werden. Beispielsweise können dann die in dem Halbleitermodul verbauten Halbleiterchips und/oder Bonddrähte explosionsartig verdampfen. Im Extremfall platzt das Modulgehäuse unter Freisetzung von elektrisch leitfähigem Plasma. Außerdem kann im Modulgehäuse ein Lichtbogen entstehen, durch den weiteres Material verdampft und durch den entstehenden Druck aus dem Modulgehäuse herausgeschleudert wird. Im ungünstigsten Fall kann austretendes Plasma zu elektrischen Kurzschlüssen außerhalb des Modulgehäuses führen.
  • Aus US 5 977 621 A ist ein Leistungshalbleitermodul mit einer Grundplatte, einem Substrat und einem auf dem Substrat angeordneten Chip bekannt. In ein Gehäuse des Leistungshalbleitermoduls ist ein Schaum eingefüllt, der ein Kompensationsvolumen aufweist, welches die im Fall eines Kurzschlusses freiwerdende Energie aufnimmt.
  • Die US 6 979 782 B1 betrifft eine Anordnung mit einem Land Grid Array (LGA). Die Anordnung weist ein organisches Substrat auf, auf dem ein Chip angeordnet ist. Um den Chip herum ist eine ringförmig ausgebildete, wabenförmige Versteifungsstruktur auf dem organischen Substrat angeordnet. Diese Anordnung wird derart zwischen eine Rückplatte und einen Deckel eingespannt, dass der Chip dem Deckel zugewandt ist und das Substrat der Rückplatte.
  • In der DE 10 2008 034 075 A1 ist ein Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse beschrieben, in dem ein Bauelement angeordnet ist. Um die Wärmeabfuhr des Bauelements zu verbessern, ist es in eine Pulverschüttung aus einem Pulvermaterial eingebettet.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Halbleitermodul bereitzustellen, das einen guten Explosionsschutz aufweist. Diese Aufgabe wird durch ein Halbleitermodul gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Ein Halbleitermodul gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst einen Träger, wenigstens einen auf dem Träger montierten Halbleiterchip, einen Bonddraht, ein Modulgehäuse mit einer Gehäuseseitenwand, sowie einen ersten Schallabsorber. Der Bonddraht ist in dem Modulgehäuse angeordnet, und der erste Schallabsorber oder zumindest ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers ist zwischen dem Halbleiterchip und der Gehäuseseitenwand angeordnet. Außerdem ist Sand in dem Modulgehäuse angeordnet. Der erste Schallabsorber weist einen mit Gas gefüllten Zwischenraum oder mehrere mit Gas gefüllte Zwischenräume auf und nimmt - zusammen mit sämtlichen mit Gas gefüllten Zwischenräumen - einen ersten Raumbereich ein, der ein erstes Volumen aufweist. Der Sand einschließlich darin befindlicher, mit Gas gefüllter Lücken nimmt einen zweiten Raumbereich ein, der ein zweites Volumen aufweist. Das Verhältnis zwischen dem zweiten Volumen und dem ersten Volumen liegt im Bereich von 1 bis 10.
  • Optional weist der erste Schallabsorber zumindest in einer ersten Richtung einen längenbezogenen Strömungswiderstand r auf, der größer ist als 50 kPa·s·m-2 und/oder kleiner als 150 kPa·s·m-2.
  • Dabei kann die erste Richtung grundsätzlich beliebig verlaufen, insbesondere aber auch parallel zu einer dem Träger zugewandten, ebenen Unterseite des Halbleiterchips. Weiterhin kann der genannte Wertebereich für den längenbezogenen Strömungswiderstand nicht nur in einer ersten Richtung gelten, sondern auch in jeder Richtung, die parallel zu einer dem Träger zugewandten Unterseite des Halbleiterchips verläuft.
  • Optional kann der erste Schallabsorber in einer ersten Richtung oder sogar in jeder ersten Richtung, die parallel zu einer ebenen, dem Träger zugewandten Unterseite des Halbleiterchips verläuft, nach DIN EN 290 53 einen spezifischen Strömungswiderstand Rs im Bereich von 250 Pa·s/m bis 4,5 kPa·s/m aufweisen.
  • Der erste Schallabsorber bewirkt, dass eine im Inneren des Modulgehäuses auftretende Explosion gedämpft wird und die eingangs geschilderten Auswirkungen vermieden oder zumindest abgemildert werden.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher erläutert. Soweit nicht anders angegeben bezeichnen in den Figuren gleiche Bezugszeichen gleiche oder gleich wirkende Elemente. Es zeigen:
    • 1 einen Vertikalschnitt durch einen Abschnitt eines Halbleitermoduls, in dessen Gehäuse ein erster Schallabsorber angeordnet ist, der sich zumindest abschnittweise zwischen dem Halbleiterchip und einer Gehäuseseitenwand befindet.
    • 2 einen Vertikalschnitt durch einen Abschnitt eines Halbleitermoduls, bei dem Sand in das Modulgehäuse eingefüllt ist.
    • 3 einen Vertikalschnitt durch einen Abschnitt eines Halbleitermoduls, bei dem oberhalb des Halbleiterchips ein zweiter Schallabsorber angeordnet ist.
    • 4 einen Vertikalschnitt durch einen Abschnitt eines Halbleitermoduls, bei dem der erste Schallabsorber ein Vlies ist.
    • 5 einen Horziontalschnitt durch das gesamte Halbleitermodul gemäß 4in einer Schnittebene B-B.
    • 6 einen vergrößerten Abschnitt eines Halbleitermoduls mit einem ersten Schallabsorber, der eine Wabenstruktur aufweist, in einer 1 dargestellten Schnittebene A-A, die parallel zu der dem Träger zugewandten Unterseite des Halbleiterchips verläuft.
  • 1 zeigt einen Vertikalschnitt durch einen Abschnitt eines Halbleitermoduls. Das Halbleitermodul 100 weist einen oder mehrere Halbleiterchips 1 auf, von denen jeder auf einem Träger 2 montiert ist.
  • Jeder Halbleiterchip 1 weist einen ersten Lastanschluss 11 und einen zweiten Lastanschluss 12 auf. Der erste Lastanschluss 11 und/oder der zweite Lastanschluss 12 können beispielsweise jeweils als flächige Chipmetallisierung ausgebildet sein, die auf einen Halbleiterkörper 10 aufgebracht ist. Der Halbleiterkörper 10 besteht aus einem beliebigen Halbleitergrundmaterial, beispielsweise Silizium oder Siliziumkarbid, das zur Realisierung eines elektrischen Bauelementes p-dotierte und n-dotierte Halbleitergebiete aufweist. Außerdem können in den Halbleiterkörper 10 verschiedenste dielektrische Schichten wie zum Beispiel Schichten aus Siliziumoxid, Siliziumnitrid, etc., integriert sein.
  • Bei derartigen Halbleiterchips 1 kann es sich beispielsweise um steuerbare Halbleiterchips 1 handeln, bei denen ein Strom über eine zwischen dem ersten Lastanschluss 11 und dem zweiten Lastanschluss 12 ausgebildete Laststrecke mit Hilfe eines Steueranschlusses (hier nicht dargestellt) gesteuert werden kann. Über einen derartigen Steueranschluss kann die Laststrecke des jeweiligen Halbleiterchips 1 ganz oder teilweise geöffnet oder aber gesperrt werden. Beispiele für geeignete steuerbare Halbleiterchips 1 sind unipolare und bipolare Transistoren, z. B. IGBTs, MOSFETs, Sperrschicht-Feldeffekttransistoren oder Thyristoren. Bei dem ersten und zweiten Lastanschluss 11 bzw. 12 handelt es sich je nach Art des betreffenden Halbleiterchips 1 um Drain und Source, um Source und Drain, um Emitter und Kollektor, um Kollektor und Emitter, um Anode und Kathode, oder um Kathode und Anode. Entsprechend handelt es sich je nach Art des Halbleiterchips 1 bei dem Steueranschluss um einen Gate- oder einen Basisanschluss. Ein Halbleiterchip 1 muss jedoch nicht notwendigerweise steuerbar sein. So kann es sich beispielsweise bei dem Halbleiterchip 1 auch um eine Diode handeln, bei der der erste und zweite Lastanschluss 11 bzw. 12 Anode und Kathode bzw. Kathoden und Anode darstellen.
  • Als erster Lastanschluss 11, als zweiter Lastanschluss 12 sowie als Steueranschluss werden im Sinne der vorliegenden Erfindung Kontaktelektroden, beispielsweise Metallisierungsschichten angesehen, die auf den Halbleiterkörper 10 aufgebracht sind. Diese Kontaktelektroden werden bei der Prozessierung des betreffenden Halbleiterchips 1, beispielsweise bei der Prozessierung von mehreren gleichartigen Halbleiterchips 1 im Waferverbund, auf den Halbleiterkörper 10 des Halbleiterchips 1 aufgebracht.
  • Als Halbleiterchips 1 können sowohl vertikale Halbleiterchip 1 eingesetzt werden, bei denen der erste Lastanschluss 11 und der zweite Lastanschluss 12 auf einander entgegengesetzte Seiten des Halbleiterkörpers 10 aufgebracht sind, aber auch als laterale Halbleiterchip 1 eingesetzt werden, bei denen sich der erste Lastanschluss 11 und der zweite Lastanschluss 12 an derselben Seite des Halbleiterchips 1 befinden. Außerdem können vertikalen Halbleiterchips 1 und laterale Halbleiterchips 1 in dem Halbleitermodul 100 auch gemischt einge setzt werden. Wenigstens einer der Halbleiterchips 1 kann eine dem Träger 2 zugewandte, ebene Unterseite 1b aufweisen.
  • Die Montage des oder der Halbleiterchips 1 auf dem Träger 2 kann beispielsweise mittels einer Verbindungsschicht erfolgen, die beispielsweise als Lotschicht oder als gesinterte Schicht aus einem gesinterten Metallpulver, oder als Klebeschicht ausgebildet ist. Durch die Verbindungsschicht ist der betreffende Halbleiterchip 1 an seiner dem Träger 2 zugewandten Unterseite 1b stoffschlüssig mit dem Träger 2 verbunden. Die Verbindungsschicht ist dabei durchgehend zwischen dem Halbleiterchip 1 und dem Träger 2 ausgebildet.
  • Die Verbindungsschicht kann optional elektrisch leitend sein. Im Fall einer Klebeverbindung kann die Verbindungsschicht ein Leitkleber sein. Sofern die Verbindungsschicht elektrisch leitend ist, kann der Halbleiterchip 1, falls sich dessen zweiter Lastanschluss 12 an seiner dem Träger 2 zugewandten Unterseite 1b befindet, an seinem zweiten Lastanschluss 12 elektrisch leitend mit dem Träger 2 verbunden sein.
  • Der Träger 2 kann zum Beispiel als Metallplatte ausgebildet sein, oder er kann ein dielektrisches keramisches Plättchen aufweisen, auf das eine Metallisierungsschicht aufgebracht ist. Im Fall einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen dem zweiten Lastanschluss 12 und dem Träger 2 kann die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem zweiten Lastanschluss 12 und der Metallplatte erfolgen bzw. zwischen dem zweiten Lastanschluss 12 und der Metallisierungsschicht.
  • Der oder gegebenenfalls die Halbleiterchips 1 sind in einem Modulgehäuse 7 angeordnet, das zumindest eine Gehäuseseitenwand 71 aufweist. Das Modulgehäuse 7 kann aus einem dielektrischen Material bestehen, beispielsweise einem duroplatischen, einem thermoplatischen oder einem keramischen Material.
  • Zur Realisierung einer bestimmten elektronischen Schaltung in dem Halbleitermodul 100 sind ein oder mehrere Bonddrähte 4 in dem Modulgehäuse 7 angeordnet. Grundsätzlich kann ein Bonddraht 4 beliebige Teile im Inneren des Modulgehäuses 7 elektrisch leitend miteinander verbinden. Bei dem gezeigten Beispiel ist zumindest ein Bonddraht 4 an einer ersten Bondstelle B1 unmittelbar an eine Chipmetallisierung 11 des Halbleiterchips 1 gebondet, die sich an der dem Träger 2 abgewandten Seite des Halbleiterchips 1 befindet. An einer weiteren, zweiten Bondstelle B2 ist der Bonddraht 4 unmittelbar an ein elektrisch leitendes Anschlussblech 5 gebondet. Wie dargestellt, kann das Gehäuse 7 einen Vorsprung 72 aufweisen, der sich ausgehend von der Gehäuseseitenwand 71 in das Innere des Modulgehäuses 7 erstreckt und der als Träger für das Anschlussblech 5 dient. Das Anschlussblech 5 dient dazu, das Halbleitermodul 100 nach Außen hin zu kontaktieren. Bei dem gezeigten Beispiel kann eine elektrisch leitende Platte auf eine Stufe 51des Anschlussbleches 5 aufgelegt werden, die als elektrischer Außenanschluss des Halbleitermoduls 100 dient.
  • Entlang der Gehäuseseitenwand 71 ist zwischen dem Halbleiterchip 1 und der Gehäuseseitenwand und/oder zwischen dem Bonddraht 4 und der Gehäuseseitenwand 71 ein Schallabsorber 8 angeordnet. Der Schallabsorber 8 dient dazu, im Fall einer im Inneren des Modulgehäuses 7 auftretenden Explosion die daraus resultierende Druckwelle zu dämpfen und damit zu verhindern, dass die Gehäuseseitenwand 71 reißt oder weggesprengt wird. Um die durch die Explosion erzeugte Druckwelle abzubauen, besitzt der erste Schallabsorber 8 eine Vielzahl von Zwischenräumen und damit viel Oberfläche, die dazu dient, die Energie der Druckwelle durch Verformung aufzunehmen. Der erste Schallabsorber 8 ist lediglich schematisch dargestellt.
  • Bei dem ersten Schallabsorber 8 kann es sich beispielsweise um einen offenen Polymerschaum handeln, oder um ein Vlies, oder um Mineralwolle, z. B. Steinwolle oder Glaswolle, oder er kann eine Wabenstruktur aufweisen.
  • Zur Absorption einer derartigen Druckwelle kann der erste Schallabsorber 8 zumindest in einer ersten Richtung x, die optional parallel zu einer dem Träger 2 zugewandten, ebenen Unterseite 2b des Halbleiterchips 1 verlaufen kann, einen längenbezogenen Strömungswiderstand r von 50 kPa·s·m-2 bis 150 kPa·s·m-2 aufweisen. Grundsätzlich kann die erste Richtung jedoch beliebig verlaufen. Ebenso kann der erste Schallabsorber 8 in jeder Richtung, die parallel zu einer dem Träger 2 zugewandten, ebenen Unterseite 2b des Halbleiterchips 1 verläuft, einen längenbezogenen Strömungswiderstand r von mehr als 50 kPa·s·m-2 aufweisen, und/oder von weniger als 150 kPa·s·m-2, soweit der erste Schallabsorber 8 in der betreffenden Richtung gasdurchlässig ist.
  • Wie ebenfalls in 1 schematisch dargestellt ist, kann ein erster Schallabsorber 8 im Sinne der vorliegenden Erfindung optional einen oder mehrere mit einem Gas, z. B. Luft, gefüllte Zwischenräume 81 aufweisen.
  • Sofern der erste Schallabsorber 8 eine Wabenstruktur (siehe 6) aufweist oder als offener Polymerschaum ausgebildet ist, kann er auch einstückig mit dem Modulgehäuse 7 ausgebildet sein.
  • Unabhängig von seiner konkreten Ausgestaltung kann ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers 8 in einer oder in jeder Richtung x, die zu der dem Träger 2 zugewandten Chipunterseite 1 b parallele verläuft, zwischen dem Halbleiterchip 1 und der Gehäuseseitenwand 71 abgeordnet sein, und/oder zwischen dem Bonddraht 4 und der Gehäuseseitenwand 71.
  • Weiterhin kann der erste Schallabsorber 8 in einer oder in jeder zu der dem Träger 2 zugewandten Chipunterseite 1b parallelen Richtung x eine Breite b8 von wenigstens 5 mm und/oder von höchstens 30 mm aufweisen.
  • Um im Fall einer Explosion im Inneren des Modulgehäuses 7 eine noch stärkere Dämpfung der Druckwelle zu erzielen, ist in dem Modulgehäuse 7 Sand 6 angeordnet, was in 2 anhand des bereits unter Bezugnahme auf 1 erläuterten Halbleitermoduls 100 beispielhaft gezeigt ist. Dabei kann sich der Sand 6 in einer zur Chipunterseite 1b senkrechten vertikalen Richtung v durchgehend vom Halbleiterchip 1 bis über den Bonddraht 4 hinaus erstrecken, und/oder vom Träger 2 bis über den Bonddraht 4 hinaus. In 2 - wie auch in den folgenden 3 und 4 - sind die Bonddrähte 4 durch den Sand 6 verdeckt. Ihr Verlauf ist deshalb nur gestrichelt dargestellt.
  • Der Sand 6 kann derart zwischen den Bonddraht 4 und den ersten Schallabsorber 8 eingefüllt sein, dass jede gerade Strecke g, die parallel zur Chipunterseite 1b vom Bonddraht 4 zum ersten Schallabsorber 8 verläuft, den Sand 6 schneidet.
  • Wie weiterhin in 3 anhand des Ausführungsbeispiels gemäß 2 dargestellt ist, kann in einem Halbleitermodul 100 noch ein zweiter Schallabsorber 9 vorgesehen sein, der auf der dem Träger 2 abgewandten Seite des Bonddrahtes 4 angeordnet ist. Im Übrigen kann das Halbleitermodul 100 gemäß 3 denselben Aufbau besitzen, wie er bereits anhand der 1 und 2 erläutert wurde. Der zweite Schallabsorber 9 kann aus denselben Materialien bestehen, wie sie bereits für den ersten Schallabsorber 8 erläutert wurden. Dabei sind beliebige Kombinationen verschiedener Ausgestaltungen von Schallabsorbern möglich.
  • Sofern das Halbleitermodul 100 einen zweiten Schallabsorber 9 aufweist, befindet sich der Sand 6 zwischen dem Träger 2 und dem zweiten Schallabsorber 9.
  • Ebenso wie der erste Schallabsorber 8 kann auch der optionale zweite Schallabsorber 9 in zumindest einer Richtung einen längenbezogenen Strömungswiderstand aufweisen, der nach der genannten DIN EN 290 53 größer ist als 50 kPa·s·m-2, und/oder kleiner als 150 kPa·s·m-2.
  • 4 zeigt eine Ausgestaltung eines Halbleitermoduls 100, wie es bereits unter Bezugnahme auf die vorangehenden Figuren erläutert wurde, bei dem sowohl der erste Schallabsorber 8 als auch der zweite Schallabsorber 9 jeweils als Vlies ausgebildet sind.
  • 5 zeigt noch beispielhaft einen Horizontalschnitt durch das Halbleitermodul 100 gemäß 4 in einer Schnittebene B-B. Aus dieser Darstellung wird deutlich, dass bei einem Halbleitermodul 100 der erste Schallabsorber 8 als geschlossener Ring ausgebildet sein kann, der sich im Inneren des Modulgehäuses 7 entlang der Gehäuseseitenwand 71 erstreckt und der ringförmig ausgebildet ist und dabei zumindest einen Halbleiterchip 1 und/oder, wie sich in Verbindung mit 4 ergibt, zumindest einen Bonddraht 4, ringförmig umgibt.
  • Wie ebenfalls auch 5 hervorgeht, kann die Gehäuseseitenwand 71 eine Außenwand des Halbleitermoduls 100 bilden. Die Gehäusewand 71 kann beispielsweise als Ring ausgebildet sein, der zumindest einen Halbleiterchip 1 und/oder zumindest einen Bonddraht 4 umgibt. Die Gehäuseseitenwand 71 kann optional einteilig ausgebildet sein, oder sie kann aus zwei oder mehr Teilen zusammengesetzt sein. Das Halbleitermodul 100 muss nicht notwendigerweise eine Grundfläche aufweisen, die - wie in 5 dargestellt - im Wesentlichen rechteckig ist. Vielmehr kann die Grundfläche beliebig geformt sein. Sie kann zum Beispiel auch im Wesentlichen kreisförmig sein.
  • Wie außerdem anhand der 1, 2, 3 und 4 beispielhaft gezeigt ist, kann eine Bondstelle B2, an der ein Bonddraht 4 an eine elektrisch leitende Struktur (hier beispielsweise an ein elektrisch leitendes Anschlussblech 5) gebondet ist, so angeordnet sein, dass ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers 8 zwischen der Bondstelle B2 und dem Träger 2 angeordnet ist.
  • Bei sämtlichen Halbleitermodulen nimmt der erste Schallabsorber 8 zusammen mit all seinen mit Gas gefüllten Zwischenräumen 81 einen ersten Raumbereich ein, der ein erstes Volumen V1 aufweist. Entsprechend nimmt der Sand 6 einschließlich darin befindlicher, mit Gas gefüllter Lücken einen zweiten Raumbereich ein, der ein zweites Volumen V2 aufweist. Hierbei liegt das Verhältnis V2 ÷ V1 zwischen dem zweiten Volumen V2 und dem ersten Volumen V1 im Bereich von 1 bis 10.
  • 6 zeigt noch eine Ausgestaltung eines ersten Schallabsorbers 8 in einer in 1 dargestellten Schnittebene A-A. Diese vergrößerte Ansicht des Halbleitermoduls 100 gemäß 1 zeigt im Wesentlichen, dass ein erster Schallabsorber auch eine Wabenstruktur aufweisen kann. In dem dargestellten Beispiel handelt es sich um eine Wabenstruktur mit im Querschnitt sechseckigen Waben, allerdings können prinzipiell beliebige andere Wabenstrukturen mit unregelmäßigen oder mit regelmäßigen, im Querschnitt beispielsweise dreieckigen oder viereckigen, Waben verwendet werden. Wie 6 ebenfalls zu entnehmen ist, können die Waben eine Verlaufsrichtung parallel zur vertikalen Richtung v aufweisen. Ein erster Schallabsorber 8 mit einer Wabenstruktur kann auch bei allen anderen Ausgestaltungen der Erfindung eingesetzt werden.
  • Entsprechend kann auch ein zweiter Schallabsorber 9, wie er in 3 erläutert wurde, eine solche Wabenstruktur aufweisen. Die Verlaufsrichtung der Waben könnte dabei senkrecht zur vertikalen Richtung v gewählt werden.

Claims (20)

  1. Halbleitermodul mit einem Träger (2), wenigstens einem auf dem Träger (2) montierten Halbleiterchip (1), einem Bonddraht (4), einem Modulgehäuse (7), sowie einem ersten Schallabsorber (8), wobei das Modulgehäuse (7) eine Gehäuseseitenwand (71) aufweist; der Bonddraht (4) in dem Modulgehäuse (7) angeordnet ist; und zumindest ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers (8) zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Gehäuseseitenwand (71) angeordnet ist; bei dem Sand (6) in dem Modulgehäuse (7) angeordnet ist; der erste Schallabsorber (8) einen mit Gas gefüllten Zwischenraum (81) oder mehrere mit Gas gefüllte Zwischenräume (81) aufweist und zusammen mit sämtlichen mit Gas gefüllten Zwischenräumen (81) einen ersten Raumbereich einnimmt, der ein erstes Volumen (V1) aufweist; der Sand (6) einschließlich darin befindlicher, mit Gas gefüllter Lücken einen zweiten Raumbereich einnimmt, der ein zweites Volumen (V2) aufweist; das Verhältnis (V2 ÷ V1) zwischen dem zweiten Volumen (V2) und dem ersten Volumen (V1) im Bereich von 1 bis 10 liegt.
  2. Halbleitermodul nach Anspruch 1, bei dem der erste Schallabsorber (8) - als offener Polymerschaum ausgebildet ist; oder - als Vlies ausgebildet ist; oder - aus Steinwolle besteht; oder - aus Glaswolle besteht; oder zumindest eine der genannten Strukturen aufweist.
  3. Halbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der erste Schallabsorber (8) zumindest in einer ersten Richtung (x) einen längenbezogenen Strömungswiderstand (r) aufweist, der größer ist als 50 kPa·s·m-2.
  4. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Schallabsorber (8) zumindest in einer ersten Richtung (x) einen längenbezogenen Strömungswiderstand (r) aufweist, der kleiner ist als 150 kPa·s·m-2.
  5. Halbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der erste Schallabsorber (8) eine Wabenstruktur aufweist.
  6. Halbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der erste Schallabsorber (8) als offener Polymerschaum ausgebildet ist oder einen offenen Polymerschaum aufweist, wobei der Polymerschaum jeweils einstückig mit dem Modulgehäuse (7) ausgebildet ist, oder als Wabenstruktur ausgebildet ist oder eine Wabenstruktur aufweist, wobei die Wabenstruktur jeweils einstückig mit dem Modulgehäuse (7) ausgebildet ist.
  7. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) eine ebene Chipunterseite (1b) aufweist, die dem Träger (2) zugewandt ist; und der erste Schallabsorber (8) in einer oder in jeder zu der Chipunterseite (1b) parallelen Richtung (x) zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Gehäusewand (1) angeordnet ist.
  8. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) eine ebene Chipunterseite (1b) aufweist, die dem Träger (2) zugewandt ist; und der erste Schallabsorber (8) in einer oder in jeder zu der Chipunterseite (1b) parallelen Richtung (x) eine Breite (b8) von wenigstens 3 mm aufweist.
  9. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) eine ebene Chipunterseite (1b) aufweist, die dem Träger (2) zugewandt ist; und der erste Schallabsorber (8) in einer oder in jeder zu der Chipunterseite (1b) parallelen Richtung (x) eine Breite (b8) von höchstens 30 mm aufweist.
  10. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) eine ebene Chipunterseite (1b) aufweist, die dem Träger (2) zugewandt ist; und ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers (8) in einer zur Chipunterseite (1b) parallelen Richtung (x) zwischen dem Halbleiterchip (1) und der Gehäuseseitenwand (71) angeordnet ist.
  11. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Schallabsorber (8) als geschlossener Ring ausgebildet ist, der den Halbleiterchip (1) umgibt.
  12. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Schallabsorber (8) einen mit Gas gefüllten Zwischenraum (81) oder mehrere mit Gas gefüllte Zwischenräume (81) aufweist.
  13. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Bonddraht (4) an den Halbleiterchip (1) gebondet ist.
  14. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) an seiner dem Träger (2) zugewandten Seite (1b) elektrisch leitend mit dem Träger (2) verbunden ist.
  15. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) eine ebene Chipunterseite (1b) aufweist, die dem Träger (2) zugewandt ist; und sich der Sand (6) in einer zur Chipunterseite (1b) senkrechten vertikalen Richtung (v) durchgehend vom Halbleiterchip (1) und/oder vom Träger (2) bis über den Bonddraht (4) erstreckt.
  16. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterchip (1) eine ebene Chipunterseite (1b) aufweist, die dem Träger (2) zugewandt ist; und jede gerade Strecke (g), die parallel zu der Chipunterseite (1b) vom Bonddraht (4) zum Schallabsorber (8) verläuft, den Sand (6) schneidet.
  17. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Schallabsorber (8) in der ersten Richtung (x) einen spezifischen Strömungswiderstand (Rs) im Bereich größer 250 Pa·s·m-1 aufweist.
  18. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der erste Schallabsorber (8) in der ersten Richtung (x) einen spezifischen Strömungswiderstand (Rs) im Bereich von kleiner 4,5 kPa·s·m-1 aufweist.
  19. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Bonddraht (4) eine Bondstelle (B2) aufweist; und ein Abschnitt des ersten Schallabsorbers (8) zwischen der Bondstelle (B2) und dem Träger (2) angeordnet ist.
  20. Halbleitermodul nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einem zweiten Schallabsorber (9), der auf der dem Träger (2) abgewandten Seite des Bonddrahtes (4) angeordnet ist; und der einen längenbezogenen Strömungswiderstand (r) von 50 kPa·s·m-2 bis 150 kPa·s·m-2 aufweist.
DE102013219783.7A 2013-09-30 2013-09-30 Explosionsgeschütztes halbleitermodul Active DE102013219783B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013219783.7A DE102013219783B4 (de) 2013-09-30 2013-09-30 Explosionsgeschütztes halbleitermodul
CN201410406510.9A CN104517910B (zh) 2013-09-30 2014-08-18 一种防爆的半导体模块
US14/499,737 US9214432B2 (en) 2013-09-30 2014-09-29 Explosion-protected semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013219783.7A DE102013219783B4 (de) 2013-09-30 2013-09-30 Explosionsgeschütztes halbleitermodul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102013219783A1 DE102013219783A1 (de) 2015-04-02
DE102013219783B4 true DE102013219783B4 (de) 2020-04-16

Family

ID=52673049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013219783.7A Active DE102013219783B4 (de) 2013-09-30 2013-09-30 Explosionsgeschütztes halbleitermodul

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9214432B2 (de)
CN (1) CN104517910B (de)
DE (1) DE102013219783B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014206433B3 (de) * 2014-04-03 2015-08-20 Ecom Instruments Gmbh Geräte-Anordnung, insbesondere zur Verwendung in einem explosionsgefährdeten Bereich

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5977621A (en) * 1996-12-02 1999-11-02 Abb Research Ltd Power semiconductor module
US6979782B1 (en) * 2005-05-09 2005-12-27 International Business Machines Corporation Apparatus and method for mechanical coupling of land grid array applications
DE102008034075A1 (de) * 2008-07-22 2010-04-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5635443A (en) * 1979-08-31 1981-04-08 Toshiba Corp Semiconductor device
DE19839422A1 (de) * 1998-08-29 2000-03-02 Asea Brown Boveri Explosionsschutz für Halbleitermodule

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5977621A (en) * 1996-12-02 1999-11-02 Abb Research Ltd Power semiconductor module
US6979782B1 (en) * 2005-05-09 2005-12-27 International Business Machines Corporation Apparatus and method for mechanical coupling of land grid array applications
DE102008034075A1 (de) * 2008-07-22 2010-04-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Norm DIN EN 29 053 Mai 1993. Materialien für akustische Anwendungen; Bestimmung des Strömungswiderstandes. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN104517910A (zh) 2015-04-15
US20150091148A1 (en) 2015-04-02
US9214432B2 (en) 2015-12-15
DE102013219783A1 (de) 2015-04-02
CN104517910B (zh) 2018-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016105765B4 (de) Umgekehrt leitender igbt
DE112012004043B4 (de) Halbleitereinrichtung
DE102011086407B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102005021249B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102015215133B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE112016005793B4 (de) Gleitende thermische Abschirmung
DE112014006352T5 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102011005767A1 (de) Integrierte-Schaltung-Gehäuseanordnung, die einen Wellenleiter umfasst
EP3017479B1 (de) Feldplatten-trench-fet sowie ein halbleiterbauelement
DE102008023316A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE112013006905B4 (de) IGBT mit Verwendung einer Grabengateelektrode
DE102016208034B4 (de) Halbleiterbauelement
DE112015005654T5 (de) Isolierte Leiterplatte, Leistungsmodul und Leistungseinheit
DE102010011259A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE112015000253T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE102009044486A1 (de) Halbleiter-Bauelement
DE102015100389A1 (de) Elektronisches Bauteil
DE102013210972A1 (de) Halbleiterbauelement
DE112018002137T5 (de) Halbleiterbauteil
DE102017120747B4 (de) SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung und Verfahren zu seiner Bereitstellung
DE102018208437A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102016102476A1 (de) Halbleiteranordnung, die einen mehrschichtigen Träger aufweist
DE112014001296T5 (de) Leistungshalbleitervorrichtung und entsprechendes Modul
DE112020000206T5 (de) Halbleitermodul-Schaltkreisstruktur
DE102013219783B4 (de) Explosionsgeschütztes halbleitermodul

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R082 Change of representative