DE102013210668A1 - Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 15
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 18
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 9
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 claims description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- RIBGNAJQTOXRDK-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-5-(3-chlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C=C(Cl)C=C(Cl)C=2)=C1 RIBGNAJQTOXRDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XLDBTRJKXLKYTC-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,4'-tetrachlorobiphenyl Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1Cl XLDBTRJKXLKYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- BSFZSQRJGZHMMV-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichloro-5-phenylbenzene Chemical compound ClC1=C(Cl)C(Cl)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 BSFZSQRJGZHMMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
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- H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H10K50/80—Constructional details
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- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
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- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0108—Transparent
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
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- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component
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- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls mit den folgenden Schritten: a) Bereitstellen eines Chips mit einem in dem Chip integrierten optischen Element, wobei das optische Element eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist, und wobei der Chip einen ersten Anschlusskontakt für die erste Elektrode und einen zweiten Anschlusskontakt für die zweite Elektrode aufweist, so dass zwischen den ersten und zweiten Anschlusskontakten eine Betriebsspannung für das optische Element anlegbar ist, und wobei der Chip eine optisch wirksame Seite hat, welche dazu ausgebildet ist Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen, b) Verbindung des Chips mit einer Folie, so dass die Folie die optisch wirksame Seite des Chips vollflächig überdeckt, wobei es sich bei der Folie um eine Folie aus Acrylat, Polyarylat oder Polyurethan handelt, wobei die Folie zumindest in dem Bereich, der sich oberhalb der optisch wirksame Seite befindet, für Strahlung transparent ist, die von dem optischen Element bei anliegender Betriebsspannung emittierbar oder empfangbar ist. c) Kontaktierung des ersten Anschlusskontakts des Chips durch eine auf der Folie angeordnete Leiterbahn und Kontaktierung des zweiten Anschlusskontakts durch eine weitere Leiterbahn.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls mit einem in einen Chip integrierten optischen Element, insbesondere einem lichtemittierenden optischen Element, wie zum Beispiel einer LED, EED, HCSELD, OLED oder PLED und/oder einem optischen Sensor.
- Aus der
DE 10 2007 007 847 A1 ist eine Licht aussendende Vorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung bekannt. Zur Herstellung der Vorrichtung werden die Anoden- und Kathodenanschlüsse einer LED durch Drahtbonden elektrisch kontaktiert und es wird ein Vergussharz eingesetzt. - Aus der
DE 10 2007 044 446 A1 ist ein flexibler Schaltkreis mit einem Array aus LEDs bekannt. Auch hier werden die LEDs durch Drahtbonding kontaktiert. - Aus der
DE 199 53 160 B4 ist eine Elektrodenstruktur für LEDs bekannt, bei der die Elektroden für das Wire-Bonding in einem Randbereich angeordnet sein können. - Bei LEDs erfolgt die Abstrahlung des Lichts im Allgemeinen durch eine obere transparente Elektrode. Dies muss aber nicht zwangsläufig so sein:
Aus dem Stand der Technik sind an sich Edge-Emitting Laser Diodes (EELs) bekannt, beispielsweise ausUS 5,105,430 , bei denen das Licht seitlich abgestrahlt wird sowie auch Horizontal-Cavity Surface-Emitting Laser-Dioden (HCSELD), vergleiche Appl. Phys. Lett. 84, 4104 (2004); An InGaN-based horizontal-cavity surface-emitting laser diode. - Aus der zum Anmeldezeitpunkt unveröffentlichten Internationalen Patentanmeldung
PCT/EP2012/059476 - Der vorliegenden Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls zu schaffen.
- Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 gelöst. Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.
- Unter einem „optischen Modul” wird hier eine Vorrichtung verstanden, die für Beleuchtungszwecke dient oder als optischer Sender oder Empfänger für die Zwecke der Signalübertragung ausgebildet ist. Das optische Modul kann ein oder mehrere optische Elemente, insbesondere auch eine Matrix optische Elemente beinhalten, wobei es sich bei den optischen Elementen um Strahlungsquellen und/oder optische Empfänger handeln kann.
- Unter einem „Chip” wird hier eine integrierte Schaltung verstanden, insbesondere eine integrierte Halbleiterschaltung. In einen solchen Chip kann ein optisches Element integriert sein.
- Nach Ausführungsformen der Erfindung erfolgt die Herstellung eines optischen Moduls, indem zunächst ein Chip mit zumindest einem integrierten optischen Element bereitgestellt wird. Das optische Element hat eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode und der Chip hat entsprechende erste und zweite Anschlusskontakte für die Elektroden des integrierten optischen Elements. Durch Anlegen einer Betriebsspannung zwischen diesen Anschlusskontakten wird das optische Element aktiviert, um je nach Ausführungsform Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen. Hierzu hat das optische Element eine optisch wirksame Seite, von der aus die Strahlung emittiert wird bzw. über die Strahlung empfangen wird.
- Je nach Ausführungsform kann beispielsweise die erste Elektrode transparent oder teiltransparent ausgebildet sein, um die optische wirksame Seite des Chips zu bilden. Es ist aber auch möglich, dass eine Kante des Chips die optisch wirksame Seite des Chips bildet, von der aus die Stahlung abgestrahlt wird, wie es z. B. bei einer EED der Fall sein kann.
- Zumindest ein solcher Chip wird dann mit einer Folie verbunden, so dass die Folie zumindest die optisch wirksame Seite des Chips vollständig überdeckt. Die Verbindung des Chips mit der Folie kann beispielsweise durch Kleben, Laminieren und/oder Einpressen erfolgen.
- Bei der Folie handelt es sich um Acrylat, Polyarylat oder Polyurethan, wobei die Folie zumindest in dem Bereich, der sich oberhalb der optisch wirksamen Seite befindet, für Strahlung transparent ist, die von dem optischen Element bei anliegender Betriebsspannung emittierbar oder empfangbar ist. Insbesondere kann die Folie insgesamt transparent sein oder transparente Fenster aufweisen. Im letzteren Fall wird ein transparentes Fenster der Folie vor der Verbindung des Chips mit der Folie über der optisch wirksamen Seite des Chips positioniert woraufhin dann die Verbindung z. B. durch laminieren, kleben oder einpressen hergestellt wird.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung handelt es sich bei der Folie um eine dünne Epoxid-Folie.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung ist auf die Folie eine dünne und flexible Glasfolie laminiert.
- Die Kontaktierung zumindest eines der Anschlusskontakte erfolgt dann über die Folie, indem eine auf einer Oberseite oder Rückseite der Folie angeordnete Leiterbahn mit dem Anschlusskontakt elektrisch verbunden wird, wobei die Leiterbahn beispielsweise drucktechnisch auf die Folie aufgebracht sein kann.
- Ausführungsformen der Erfindung sind besonders vorteilhaft, da das bisher im Allgemeinen erforderliche Wire-Bonding für die Kontaktierung der Elektroden des optischen Elements aufgrund der Verwendung der Folie entfallen kann. Von besonderem weiterem Vorteil ist dabei, dass die Verbindung des Chips mit der Folie sowie die Kontaktierung der Anschlusskontakte inline erfolgen kann, beispielsweise in einer sogenannten Reel-to-Reel-Fertigung.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Verbindung der Chips mit der Folie durch Einpressen, so dass die Folie die Oberseite des Chips und die Kante des Chips vollflächig überdeckt. Ein solches Einpressen wird aufgrund der plastischen Eigenschaften der verwendeten Folie, nämlich Acrylat, Polyarylat oder Polyurethan, ermöglicht. Besonders bevorzugt ist die Verwendung von kalt verformbaren Arylat, da dann eine wesentliche Erhitzung der Chips für die Verbindung mit der Folie nicht erforderlich ist.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung wird nach der Verbindung des Chips mit der Folie ein Loch in der Folie hergestellt, welches sich von der Oberseite der Folie bis zu dem ersten Anschlusskontakt erstreckt. Anschließend erfolgt dann die Kontaktierung des ersten Anschlusskontakts durch das Loch hindurch. Dies kann dadurch erfolgen, dass nach der Herstellung des Lochs durch Aufbringung von leitfähiger Tinte auf die Folie, zum Beispiel durch ein Druckverfahren, wie Inkjet-Druck oder Aerosol-Jet Druck, die Leiterbahn auf die Folie aufgebracht wird sowie auch das Loch mit der leitfähigen Tinte gefüllt wird, um so den Anschlusskontakt durch das Loch hindurch mit der Leiterbahn zu verbinden. Aerosol-Jet Druck ist an sich aus dem Stand der Technik bekannt, vgl. beispielsweise
WO 2010/089081 A1 - Nach einer Ausführungsform der Erfindung wird das Loch durch Beaufschlagung der Folie mit einem Laser oder einem Plasma hergestellt, vorzugsweise nachdem der Chip mit der Folie verbunden worden ist, so dass eine nachträgliche genaue Ausrichtung des Lochs bei der Positionierung der Folie bezüglich des Anschlusskontakts nicht erforderlich ist.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung beinhaltet die optisch wirksame Seite die erste Elektrode, die zumindest teilweise transparent ausgebildet ist. Die erste Elektrode wird durch sich kreuzende Leiterbahnen gebildet, wobei der erste Anschlusskontakt in einem Randbereich der Oberseite des Chips, insbesondere in einem Randbereich der ersten Elektrode, oder an einer der Kante des Chips angeordnet ist, um möglichst wenig Strahlungseffizienz aufgrund des ersten Anschlusskontakts und dessen Kontaktierung einzubüßen.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Kontaktierung der ersten und je nach Ausführungsform auch der zweiten Anschlusskontakte mit Leiterbahnen der Folie durch Flip-Chip-Montage.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Ausbildung zumindest des ersten Anschlusskontakts durch Niedertemperatursintern von Nanopartikeln, welche auf dem ersten Anschlusskontakt und/oder der Folie aufgebracht sein können. Diese Ausführungsform ist in Kombination mit der Verwendung von kalt verformbarem Acrylat besonders vorteilhaft, da dann insgesamt die Temperaturbeanspruchung der Chips bei der Herstellung minimiert wird.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung wird zunächst ein Multilayer Printed Circuit Board (PCB) hergestellt, das eine oder mehrere elektrische und/oder elektronische Komponenten sowie eine Verschaltung dieser Komponenten beinhaltet. Das Multilayer PCB kann bereits einen oder mehrere der Chips mit dem integrierten optischen Element beinhalten. In diesem Fall wird das Multilayer PCB nach oben abgeschlossen, indem die Folie aufgebracht wird. Alternativ wird der Chip zunächst mit der Folie verbunden und kontaktiert und anschließend wird dann die Folie mit dem Chip auf die Multilayer PCB aufgebracht, um diese nach oben abzuschließen. Beispielsweise erfolgt dies, indem die Folie auflaminiert wird.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung werden nach diesem Verfahren zwei verschiedene Multilayer PCBs hergestellt, wobei das oder die optischen Elemente in der jeweiligen Multilayer PCB für eine optische Signalübertragung mit galvanischer Trennung zwischen den Multilayer PCBs dienen.
- Nach einer Ausführungsform der Erfindung handelt es sich bei der Folie um eine Dekorschicht, was besonders vorteilhaft zur Herstellung eines Beleuchtungskörpers zum Beispiel zur Integration in ein Möbelstück ist.
- Im Weiteren werden Ausführungsformen der Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine Schnittansicht einer ersten Ausführungsform eines optischen Moduls, -
2a –2d die Verfahrensschritte einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung des optischen Moduls gemäß1 , -
3 eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform des optischen Moduls mit Anordnung des ersten Anschlusskontakts in einem Randbereich, -
4 –9 Schnittansichten verschiedener Ausführungsformen des optischen Moduls als Multilayer PCB, -
10 einer Schnittansicht zweier einander gegenüberliegende erfindungsgemäße PCB mit optischer Kopplung. - Elemente der nachfolgenden Ausführungsformen, die einander entsprechen oder identisch sind, werden jeweils mit identischen Bezugszeichen gekennzeichnet.
- Die
1 zeigt eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines optischen Moduls10 , welches einen Chip12 beinhaltet, der ein in dem Chip integriertes optisches Element14 , wie zum Beispiel einer LED beinhaltet. Das optische Element14 hat eine erste Elektrode15 , die einen ersten Anschlusskontakt16 des Chips12 aufweist, sowie eine zweite Elektrode18 mit einem zweiten Anschlusskontakt20 des Chips12 . - Bei der hier betrachteten Ausführungsform ist die erste Elektrode
15 zumindest teilweise transparent ausgebildet, so dass Strahlung nach oben in Pfeilrichtung22 abgestrahlt werden kann. Der erste Anschlusskontakt16 befindet sich in etwa mittig auf der ersten Elektrode15 . Dagegen ist die zweite Elektrode18 flächig und nicht transparent ausgebildet und flächig mit dem zweiten Anschlusskontakt20 verbunden. - Durch die erste Elektrode
15 wird bei der hier betrachteten Ausführungsform also die optisch wirksame Seite des Chips12 gebildet. - Der Chip ist mit einer Folie
24 verbunden, wobei die Folie24 die optisch wirksame Seite des Chips, das heißt hier die erste Elektrode15 , vollständig überdeckt, sowie auch die Kanten26 des Chips12 . - Bei der Folie handelt es sich um eine Folie aus Acrylat, Polyarylat oder Polyurethan, wobei das Polyurethan ungeschäumt ist. Vorzugsweise wird kalt verformbares Acrylat eingesetzt.
- Das Material der Folie ist dabei so gewählt, dass es für Strahlung transparent ist, die von dem optischen Element
14 in der Pfeilrichtung22 abgegeben wird, wenn eine Betriebsspannung an den Elektroden15 und18 anliegt. Dabei kann die Folie insgesamt für diese Strahlung transparent sein oder die Folie kann zumindest oberhalb der ersten Elektrode15 transparent ausgebildet sein, um dort ein Fenster für den Hindurchtritt der Strahlung zu schaffen. - Die Folie
24 hat auf ihrer Oberseite eine Leiterbahn28 , welche durch ein Loch30 in der Folie mit dem ersten Anschlusskontakt16 elektrisch verbunden ist. Auf ihrer Rückseite hat die Folie22 eine weitere Leiterbahn32 , welche den zweiten Anschlusskontakt20 kontaktiert. - Beispielsweise ist die Leiterbahn
28 sowie auch die Durchkontaktierung durch das Loch30 drucktechnisch auf die Oberseite der Folie24 aufgebracht, wohingegen die Leiterbahn32 durch eine Strukturierungstechnik, wie zum Beispiel durch Beschichtung der Rückseite mit Kupfer und einem anschließenden Ätzschritt hergestellt wird. Alternativ kann auch die Leiterbahn32 aufgedruckt sein. - Die
2a bis2d zeigt die entsprechenden Schritte eines Herstellungsverfahrens. In dem ersten Schritt, der in der2a dargestellt ist, werden die Folie24 und der Chip12 bereitgestellt. Dies kann beispielsweise durch eine Reel-to-Reel-Fertigung erfolgen, indem die Folie24 von einer Rolle abgewickelt wird und synchron dazu Chips12 , die hintereinander an einem Band befestigt sind, und von denen ein Chip12 exemplarisch in der2a gezeigt ist, ebenfalls von einem Band abgewickelt werden. - In dem zweiten Schritt, der in der
2b dargestellt ist, wird der Chip12 mit der Folie24 verbunden, indem der Chip12 in die Folie24 eingepresst wird, wodurch die Folie24 plastisch verformt wird. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass die Folie24 und das Band mit dem Chip12 an einer Anpressrolle vorbeigeführt werden. - Anschließend wird dann in dem dritten Schritt, der in der
2c dargestellt ist, das Loch30 in der Folie24 hergestellt, beispielsweise indem die Folie20 von oben mit einem Laser oder einem Plasma beaufschlagt wird. - Anschließend werden in dem vierten Schritt, der in der
2d gezeigt ist, die Leiterbahnen28 und32 aufgebracht, beispielsweise durch Inkjet-Druck oder durch Aerosol-Jet-Druck, so dass die Anschlusskontakte16 und20 (vergleiche1 ) hierdurch kontaktiert werden. - Die
3 zeigt eine perspektivische Darstellung einer Ausführungsform eines optischen Moduls10 , wobei die erste Elektrode15 durch sich kreuzende Leiterbahnen34 gebildet wird. Der erste Anschlusskontakt16 ist hier in einem Randbereich der Elektrode15 und damit auch des Chips12 angeordnet, so dass die Leiterbahn28 von der Elektrode15 weg verläuft und diese praktisch nicht überdeckt. Dies ist besonders vorteilhaft, da dadurch die Effizienz des optischen Elements14 gesteigert wird. - Die
4 zeigt eine Schnittansicht einer Multilayer PCB36 , die den Chip12 mit dem optischen Element14 beinhaltet. Im Gegensatz zu den Ausführungsformen gemäß1 bis3 sind hier beide Anschlusskontakte16 und20 des optischen Elements14 an dessen Oberseite, d. h. auf der optisch wirksamen Seite, angeordnet. Diese Anschlusskontakte16 und20 sind mit den entsprechenden Leiterbahnen28 und32 , die bei der hier betrachteten Ausführungsform auf der Unterseite der Folie24 zum Beispiel drucktechnisch aufgebracht sind durch Flip-Chip-Kontaktierung verbunden, wozu entsprechende Kontaktierhügel38 bzw.40 , das heißt sogenannte Solder Bumps, vorgesehen sein können. - Die Leiterbahnen
28 und/oder32 der Folie24 können zum Beispiel über Vias42 mit der darunter liegenden Schaltungsstruktur der Multilayer PCB36 verbunden sein. - Die Herstellung des Moduls
10 kann hier so erfolgen, indem zunächst die Multilayer PCB36 mit dem Chip12 und insbesondere dem Via42 hergestellt wird. Separat davon werden auf die Folie24 die Leiterbahnen28 und32 aufgebracht, beispielsweise drucktechnisch. Schließlich wird die mit den Leiterbahnen28 und32 versehene Folie24 von oben auf die Multilayer PCB36 aufgebracht, beispielsweise auflaminiert, aufgeklebt oder aufgepresst, so dass die Kontaktierhügel38 bzw.40 elektrische Kontakte mit den Leiterbahnen28 bzw.32 ausbilden. - Über die Anschlusskontakte
16 und20 kann eine Betriebsspannung an das optische Element14 des Chips12 angelegt werden. Zusätzlich kann der Chip12 einen Signaleingang44 aufweisen, der zum Beispiel über ein Via46 mit einer Leiterbahn48 des Multilayer PCB36 elektrisch verbunden ist. Über diese Leiterbahn48 kann der Chip12 ein Schaltsignal beispielsweise zum Ein- und Ausschalten des optischen Elements14 empfangen. - Die
5 zeigt eine weitere Ausführungsform des Multilayer PCB36 , bei der die Anschlusskontakte16 und20 an der Unterseite des Chips12 angeordnet sind und die Folie24 die Oberseite des Chips12 , welche die optisch wirksame Seite bildet, überdeckt. - Die
6 zeigt eine weitere Ausführungsform der Multilayer PCB36 . Bei dieser Ausführungsform ist der Anschlusskontakt16 mittig auf der Oberseite des Chips12 angeordnet. Die Folie24 hat an deren Unterseite die Leiterbahn28 , welche mit dem Anschlusskontakt16 kontaktiert und über das Via42 mit der Schaltungsstruktur des Multilayer PCB36 . Die Herstellung kann so erfolgen, dass zunächst das Multilayer PCB36 mit dem Chip12 hergestellt wird und anschließend die Folie24 mit der Leiterbahn28 aufgebracht wird. Der Chip12 kann hier sowohl zur Abgabe eines optischen Signals in Pfeilrichtung22 als auch zum Empfang eines optischen Signals in Pfeilrichtung50 ausgebildet sein. - Nach einer Ausführungsform der Erfindung erfolgt die Ausbildung einer elektrischen Verbindung zwischen dem Anschlusskontakt
16 und der Leiterbahn28 und/oder zwischen dem Anschlusskontakt20 und der Leiterbahn32 durch Niedertemperatursintern. - Hierzu befinden sich beispielsweise auf dem Anschlusskontakt
16 und/oder der Leiterbahn28 Nanopartikel insbesondere aus Gold, Silber, Nickel oder Kupfer oder aus einer Legierung aus diesen Metallen. Das Niedertemperatursintern zur Verbindung des Anschlusskontakts16 mit der Leiterbahn28 kann als „druckloses” Niedertemperatursintern durchgeführt werden, wobei unter „drucklos” hier verstanden wird, dass das Niedertemperatursintern nicht bei den üblicherweise anzuwendenden hohen Drücken von zum Beispiel 200 bar durchgeführt wird, sondern bei einem wesentlich geringeren Druck, wie er auch für das Laminieren verwendet wird, das heißt bei einem Druck von beispielsweise 15–20 bar. - Beispielsweise kann bei der Ausführungsform gemäß
6 so vorgegangen werden, dass die Folie24 auf die PCB36 auflaminiert wird und dabei gleichzeitig das drucklose Niedertemperatursintern durchgeführt wird, um den Anschlusskontakt16 mit der Leiterbahn28 zu verbinden. - Die
7 zeigt eine der6 entsprechende Ausführungsform, wobei die Leiterbahn32 in dem Multilayer PCB36 und nicht auf der Folie24 realisiert ist. Die Leiterbahn32 ist zum Beispiel über ein Via52 mit weiteren Schaltungsstrukturen des Multilayer PCB verbunden. Diese Ausführungsform ist besonders vorteilhaft, wenn die Folie24 die Außenseite des optischen Moduls bildet, und beispielsweise ein Dekor aufweist, da das optische Erscheinungsbild dann nicht durch auf der Oberfläche der Folie24 verlaufende Leiterbahnen beeinträchtigt werden kann. - Die
8 zeigt eine weitere Ausführungsform des Multilayer PCB36 , wobei der Anschlusskontakt16 des Chips12 hier am Rand der optisch wirksamen Seite des Chips12 angeordnet ist und die Leiterbahn28 weg von der optisch wirksamen Seite verläuft, so dass die Leiterbahn28 keine oder nur eine geringe optisch abdeckende Wirkung auf die optisch wirksame Seite des Chips12 hat – ähnlich zu der Ausführungsform gemäß3 . - Die
9 zeigt eine weitere Ausführungsform des PCB36 , wobei hier die Folie24 nur in deren oberen Bereich54 transparent ist. Die Herstellung kann hier so erfolgen, dass zunächst die Schichten in dem unteren Bereich56 der Multilayer PCB36 hergestellt werden. Separat davon wird die Folie24 mit dem Chip verbunden, beispielsweise durch Einpressen und es werden die Leiterbahnen zur Kontaktierung der Anschlusskontakte16 und20 des Chips12 auf und in der Folie hergestellt, einschließlich des Vias58 , welches hier durch die Folie hindurch verläuft. Die so präparierte Folie mit dem Chip12 und den Leiterbahnen, insbesondere den Leiterbahnen28 und32 zur Kontaktierung des Chips12 , wird dann oben auf den Bereich56 aufgebracht und mit diesem verbunden, beispielsweise durch Aufkleben, Auflaminieren oder Aufpressen. - Die
10 zeigt eine weitere Ausführungsform der Multilayer PCB36 mit einer gegenüberliegenden weiteren Multilayer PCB60 , die ebenfalls nach einer Ausführungsform der Erfindung, insbesondere nach einer der4 bis9 ausgebildet sein kann. Der Chip12' der Multilayer PCB60 entspricht dabei dem Chip12 der Multilayer PCB36 und ist hier als optischer Sender ausgebildet, wohingegen der Chip12 als optischer Empfänger ausgebildet ist. Die PCB36 und60 sind zum Beispiel durch Löt- oder Klebepunkte62 miteinander mechanisch, aber nicht galvanisch verbunden, so dass über die Folien24' und24 ein optischer Kanal für die optische Signalübertragung von dem PCB60 an das PCB36 realisiert ist. - Bezugszeichenliste
-
- 10
- Optisches Modul
- 12
- Chip
- 14
- Optisches Element
- 15
- erste Elektrode
- 16
- erster Anschlusskontakt
- 18
- zweite Elektrode
- 20
- zweiter Anschlusskontakt
- 22
- Pfeilrichtung
- 24
- Folie
- 26
- Kante
- 28
- Leiterbahn
- 30
- Loch
- 32
- Leiterbahn
- 34
- Leiterbahn
- 36
- Multilayer PCB
- 38
- Kontaktierhügel
- 40
- Kontaktierhügel
- 42
- Via
- 44
- Signaleingang
- 46
- Via
- 48
- Leiterbahn
- 50
- Pfeilrichtung
- 52
- Via
- 54
- Bereich
- 56
- Bereich
- 58
- Via
- 60
- PCB
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102007007847 A1 [0002]
- DE 102007044446 A1 [0003]
- DE 19953160 B4 [0004]
- US 5105430 [0005]
- EP 2012/059476 [0006]
- WO 2010/089081 A1 [0020]
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
-
- Horizontal-Cavity Surface-Emitting Laser-Dioden (HCSELD), vergleiche Appl. Phys. Lett. 84, 4104 (2004) [0005]
Claims (18)
- Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls (
10 ) mit den folgenden Schritten: a) Bereitstellen eines Chips (12 ) mit einem in den Chip integrierten optischen Element (14 ), wobei das optische Element eine erste Elektrode (15 ) und eine zweite Elektrode (18 ) aufweist, und wobei der Chip einen ersten Anschlusskontakt (16 ) für die erste Elektrode und einen zweiten Anschlusskontakt (20 ) für die zweite Elektrode aufweist, so dass zwischen den ersten und zweiten Anschlusskontakten eine Betriebsspannung für das optische Element anlegbar ist, und wobei der Chip eine optisch wirksame Seite (15 ) hat, welche dazu ausgebildet ist Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen, b) Verbindung des Chips mit einer Folie (24 ), so dass die Folie die optisch wirksame Seite des Chips vollflächig überdeckt, wobei es sich bei der Folie um eine Folie aus Acrylat, Polyarylat oder Polyurethan handelt, wobei die Folie zumindest in dem Bereich, der sich oberhalb der optisch wirksame Seite befindet, für Strahlung transparent ist, die von dem optischen Element bei anliegender Betriebsspannung emittierbar oder empfangbar ist, c) Kontaktierung des ersten Anschlusskontakts des Chips durch eine auf der Folie angeordnete Leiterbahn (28 ) und Kontaktierung des zweiten Anschlusskontakts durch eine weitere Leiterbahn (32 ). - Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Verbindung des Chips mit der Folie durch Einpressen des Chips in die Folie erfolgt, so dass die Folie die Oberseite des Chips und die Kanten des Chips vollflächig überdeckt.
- Verfahren nach Anspruch 2, wobei es sich bei der Folie um ein kalt verformbares Acrylat handelt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die optisch wirksame Seite auf der Oberseite des Chips befindet, und sich der erste Anschlusskontakt auf der Oberseite des Chips befindet, wobei nach der Verbindung des Chips mit der Folie ein Loch (
30 ) in der Folie hergestellt wird, welches sich von der Oberseite der Folie bis zu dem ersten Anschlusskontakt erstreckt, und wobei anschließend die Kontaktierung des ersten Anschlusskontakts des Chips mit der auf der Folie angeordneten Leiterbahn (28 ) durch das Loch hindurch erfolgt. - Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Aufbringung der Leiterbahn auf die Folie und die Kontaktierung der Leiterbahn durch das Loch drucktechnisch, insbesondere durch Inkjet oder Aerosol-Jet Druck, erfolgt.
- Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei das Loch durch Beaufschlagung der Folie mit einem Laser oder einem Plasma hergestellt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optisch wirksame Seite die erste Elektrode beinhaltet, wobei die erste Elektrode des optischen Elements durch sich kreuzende Leiterbahnen (
34 ) gebildet wird und der erste Anschlusskontakt mit zumindest einer der sich kreuzenden Leiterbahnen verbunden ist, wobei der erste Anschlusskontakt in einem Randbereich der Oberseite des Chips oder an einer der Kanten (26 ) des Chips angeordnet ist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das optische Element eine oder mehrere Leuchtdioden (LED), edge-emitting laser Dioden (EED), horizontal-cavity surface-emitting laser Dioden (HCSELD), organische Leuchtdioden (OLED) oder Polymer-Leuchtdioden (PLED) und/oder einen optischen Sensor beinhaltet.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest einer der ersten Anschlusskontakte einen Kontaktierhügel (
38 ,40 ) für eine Flip-Chip-Montage aufweist, um den zumindest einen ersten Anschlusskontakt mittels Flip-Chip-Montage mit der auf der Folie angeordneten Leiterbahn (28 ,32 ) zu kontaktieren. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Nanopartikel, insbesondere aus Gold, Silber, Nickel oder Kupfer oder aus einer Legierung aus diesen Metallen verwendet werden, um die Kontaktierung zumindest des ersten Anschlusskontakts mit der auf der Folie angeordneten Leiterbahn durch Niedertemperatursintern der Nanopartikel herzustellen, wobei die Nanopartikel auf dem ersten Anschlusskontakt und/oder der Folie, insbesondere der Leiterbahn (
28 ), aufgebracht sind. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, wobei die Folie mit dem Chip nach unten auf eine Multilayer PCB (
36 ) aufgebracht wird, so dass die auf der Folie angeordnete Leiterbahn mit einer Leiterbahn der Multilayer PCB eine Verbindung ausbildet. - Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Folie auflaminiert wird.
- Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei eine weitere Multilayer PCB (
60 ), die nach einem Verfahren gemäß Patentanspruch 11 oder 12 hergestellt worden ist, mit der Multilayer PCB verbunden wird, so dass eine optische Signalübertragung zwischen dem optischen Element der Multilayer PCB und der weiteren Multilayer PCB erfolgen kann. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei es sich bei der Folie um eine Dekorschicht handelt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei es sich bei dem optischen Modul um eine Beleuchtungseinheit, einen optischen Sender und/oder einen optischen Empfänger handelt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die ersten und zweiten Anschlusskontakte auf der Oberseite des Chips angeordnet sind.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei es sich bei der Folie um eine Epoxid-Folie handelt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei auf die Folie eine flexible Glasfolie laminiert ist.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013210668.8A DE102013210668A1 (de) | 2013-06-07 | 2013-06-07 | Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013210668.8A DE102013210668A1 (de) | 2013-06-07 | 2013-06-07 | Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013210668A1 true DE102013210668A1 (de) | 2014-12-11 |
Family
ID=50897615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013210668.8A Withdrawn DE102013210668A1 (de) | 2013-06-07 | 2013-06-07 | Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9748514B2 (de) |
EP (1) | EP3003672B1 (de) |
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