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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung von Keimvorlagen zur Herstellung eines Silizium-Ingots. Die Erfindung betrifft außerdem Keimkristalle aus kristallinem Silizium und die Verwendung derartiger Keimkristalle als Keimvorlage bei der Herstellung eines Silizium-Ingots. Schließlich betrifft die Erfindung einen Schmelztiegel zur Herstellung von Silizium-Ingots.
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Die Herstellung von Silizium-Ingots ist ein wesentlicher Schritt bei der Herstellung von Silizium-Wafern, insbesondere für photovoltaische Anwendungen. Ein Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots ist beispielsweise aus der
US 2010/0203350 A1 bekannt. Es besteht fortwährend Bedarf, derartige Verfahren weiterzuentwickeln.
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Aus der
EP 2 460 775 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Tiegels bekannt. Aus der
DE 10 2010 029 741 A1 ist ein Verfahren zum Herstellen von Silizium-Wafern bekannt. Aus der
WO 2008/095 594 A1 ist ein Tiegel zum Schmelzen von Silizium bekannt.
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Eine Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, ein Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots zu verbessern. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruches 1 gelöst.
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Der Kern der Erfindung besteht darin, Keimvorlagen mit einer bekannten <110>-Richtung derart an einem Tiegelboden anzuordnen, dass die <110>-Richtungen gegeneinander verkippt sind. Sie sind insbesondere derart angeordnet, dass mindestens zwei Keimvorlagen <110>-Richtungen aufweisen, welche um einen Winkel b im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von weniger als 3° gegeneinander verkippt sind. Es ist insbesondere vorgesehen, benachbarte Keimvorlagen entsprechend anzuordnen. Benachbarte Keimvorlagen weisen insbesondere <110>-Richtungen auf, welche um einen Winkel b im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von weniger als 3° gegeneinander verkippt sind. Die Keimvorlagen sind insbesondere derart angeordnet, dass die <110>-Richtungen benachbarter Keimvorlagen aufeinander zu geneigt sind. Es hat sich herausgestellt, dass mit derartigen Keimvorlagen Versetzungen, welche im Bereich der Keimstöße auftreten, und welche sich parallel zur Wachstumsrichtung über die gesamte Blockhöhe erstrecken können, reduziert werden. Durch die erfindungsgemäße Anordnung der Keimvorlagen ist es somit möglich, die Versetzungsdichte im Silizium-Ingot erheblich zu reduzieren. Hierdurch wird die Kristallstruktur des Silizium-Ingots wesentlich verbessert.
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Die Gesamtheit der Keimvorlagen ist Bestandteil einer Keimstruktur. Die Keimstruktur kann unzusammenhängend ausgebildet sein und eine Mehrzahl von separaten Keimvorlagen, welche jeweils eine bestimmten Kristallstruktur aufweisen, umfassen, wobei die Keimvorlagen im Bereich der Keimstöße jeweils voneinander getrennt sind. Sie kann auch als zusammenhängender Kristall ausgebildet sein und eine Mehrzahl von Keimvorlagen, welche jeweils eine bestimmten Kristallstruktur aufweisen, umfassen, wobei die Zwischenräume zwischen den Keimvorlagen jeweils auskristallisiert sind.
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Vorzugsweise ist eine Keimvorlage derart angeordnet, dass ihre <110>-Richtung parallel zur Längsrichtung des Tiegels ausgerichtet ist. Ausgehend von dieser Keimvorlage sind die benachbarten Keimvorlagen vorzugsweise derart angeordnet, dass ihre <110>-Richtungen sukzessive größere Winkel mit der Längsrichtung einschließen. Hierdurch kann erreicht werden, dass die <110>-Richtungen benachbarter Keimvorlagen ausgehend vom Boden des Tiegels aufeinander zu gerichtet sind.
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Vorzugsweise sind die Keimvorlagen symmetrisch zu einer senkrecht zum Boden des Tiegels verlaufenden Ebene angeordnet.
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Benachbarte Keimvorlagen sind insbesondere derart angeordnet, dass mindestens eine derselben eine <110>-Richtung aufweist, welche auf eine durch den jeweiligen gemeinsamen Keimstoß definierte, insbesondere parallel zu diesem verlaufende, sich senkrecht zur Bodenwand erstreckende Ebene zu geneigt ist.
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Beim Bereitstellen einer Silizium-Schmelze im Tiegel, sei es durch Aufschmelzen von stückigem Silizium-Rohstoff oder durch Eingießen einer bereits geschmolzenen Silizium-Schmelze, wird insbesondere darauf geachtet, dass die Keimvorlagen nur angeschmolzen, d. h. insbesondere nur teilweise, nicht vollständig aufgeschmolzen werden. Hierdurch wird sichergestellt, dass sie ihre Kristallstruktur und Orientierung in einer darauffolgenden Erstarrungsphase an die Silizium-Schmelze weitergeben können.
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Vorzugsweise weisen die Keimvorlagen Abmessungen und/oder eine Anordnung am Boden des Tiegels auf, derart, dass die Keimstöße zwischen benachbarten Keimvorlagen sich jeweils in einem Bereich erstrecken, in welchem der fertige Silizium-Ingot zersägt werden soll. Die Keimvorlagen sind mit anderen Worten derartig dimensioniert und ausgerichtet, dass die Lage der Keimstöße im Silizium-Ingot mit der Lage der Sägeschnitte bei der Säulenfertigung übereinstimmen. Entsprechend ist vorzugsweise vorgesehen, die Keimvorlagen derart am Boden des Tiegels anzuordnen, dass die Schnitte der Seitenschwarten mit der Lage der äußersten Keimränder übereinstimmen. Hierdurch kann erreicht werden, dass der durch den Sägeschnitt verursachte Sägeverlust hauptsächlich Silizium-Material betrifft, welches eine durch die Keimstöße verursachte, hohe Versetzungsdichte aufweist, während der Verlust von Silizium-Material hoher Qualität reduziert wird.
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Um eine Verkippung der <110>-Richtung einer Keimvorlage zu erreichen, kann entweder vorgesehen sein, Keime mit einer identischen geometrischen Ausbildung derart herzustellen und/oder zu präparieren, dass sie unterschiedliche Verkippungen ihrer <110>-Orientierung aufweisen. Alternativ hierzu kann es vorgesehen sein, Keime mit einer unterschiedlichen geometrischen Ausbildung zu verwenden, oder die Keimvorlagen angewinkelt auf den Boden des Tiegels zu legen. Eine Kombination der drei Möglichkeiten ist ebenso möglich.
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Die Keimvorlagen sind vorzugsweise monokristallin, d. h. sie bestehen aus einem Einkristall. Sie enthalten vorzugsweise keine Korngrenzen. Auch eine sogenannte quasi-monokristalline Ausbildung der Keimvorlagen, das heißt eine Ausbildung mit großvolumigen monokristallinen Bereichen und einer geringen Anzahl an Korngrenzen ist möglich.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung von Keimvorlagen zur Herstellung von Silizium-Ingots anzugeben. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruches 8 gelöst.
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Der Kern der Erfindung besteht darin, einen Silizium-Block entlang einer Schnittebene zu zerteilen, wobei die Schnittebene eine Normale aufweist, welche mit einer <110>-Richtung der Kristallstruktur des Silizium-Blocks einen Winkel b im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von weniger als 3° einschließt.
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Bei dem zu zerteilenden Silizium-Block handelt es sich vorzugsweise um einen einkristallinen oder monokristallinen Silizium-Block.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Keimkristall, insbesondere zur Verwendung als Keimvorlage bei der Herstellung eines Silizium-Ingots aus einer Silizium-Schmelze, aus kristallinem Silizium zu verbessern. Diese Aufgaben werden durch die Merkmale der Ansprüche 9 und 11 gelöst.
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Der Kern der Erfindung besteht darin, einen Keimkristall mit einer plan ausgebildeten ersten Seite, welche senkrecht zu einer ersten Normalen orientiert ist, und einer Kristallstruktur mit einer <110>-Richtung herzustellen, wobei die <110>-Richtung einen Winkel b im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von weniger als 3°, mit der Normalen einschließt. Bei der ersten Seite, deren Normale gegen die <110>-Richtung geneigt ist, kann es sich um die Oberseite oder um die Unterseite des Keimkristalls handeln.
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Vorzugsweise weist der Keimkristall eine einkristalline Struktur auf.
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Der Keimkristall kann quaderförmig, zylinderförmig, keilförmig oder keilstumpfförmig ausgebildet sein.
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Er kann insbesondere als Keimvorlage bei der Herstellung eines Silizium-Ingots aus einer Silizium-Schmelze verwendet werden.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Schmelztiegel für ein Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots zu verbessern. Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 12 gelöst. Die Vorteile entsprechen den vorhergehend beschriebenen.
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Der Schmelztiegel weist einen Boden auf, welcher auf einer dem Innenraum des Schmelztiegels zugewandten Seite mehrere Bereiche aufweist, welche jeweils plan ausgebildet sind und eine Flächennormale aufweisen, wobei die Flächennormalen mindestens zweier Bereiche, insbesondere benachbarter Bereiche, gegeneinander verkippt sind.
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Die Bodenplatte des Tiegels ist mit anderen Worten auf ihrer dem Innenraum zugewandten Seite konkav ausgebildet. Anders ausgedrückt bildet der Innenraum ein einseitig offenes, konvexes Polyeder.
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Weitere Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen. Es zeigen:
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1 einen schematischen Querschnitt durch einen Tiegel zur Herstellung von Silizium-Ingots mit einer Anordnung von Keimvorlagen am Boden,
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2 eine Darstellung entsprechend 1 mit einer alternativen Anordnung der Keimvorlagen,
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3 ein exemplarisches Beispiel zur Verdeutlichung der Auswirkungen der unterschiedlichen Anordnungen der Keimvorlagen am Boden des Tiegels und
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4 eine Darstellung eines erfindungsgemäßen Schmelztiegels.
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Bei einem Verfahren zur Herstellung von Silizium-Ingots 1 wird zunächst ein als Tiegel oder Kokille ausgebildeter Behälter 2 zur Aufnahme einer Silizium-Schmelze 3 bereitgestellt.
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Der Behälter 2 weist einen sich senkrecht zu einer Längsrichtung 4 erstreckenden Boden 5 und vier sich zumindest komponentenweise in Längsrichtung erstreckende Seitenwände 6 auf. Der Boden 5 ist quadratisch, d. h. der Behälter 2 weist einen quadratischen Querschnitt auf. Es ist jedoch ebenso möglich, den Behälter 2 mit einem hiervon abweichenden Querschnitt, insbesondere mit einem runden, insbesondere kreisförmigen Querschnitt auszubilden.
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Am Boden 5 des Behälters 2 wird eine Mehrzahl von Keimvorlagen 7 angeordnet. Die Gesamtheit der Keimvorlagen 7 wird als Keimstruktur bezeichnet. Die Keimvorlagen 7 sind vorzugsweise aus einem einkristallinen Silizium-Kristall. Sie weisen insbesondere keine Korngrenzen auf. Sie weisen allgemein eine Kristallstruktur mit einer bekannten <110>-Richtung 8, welche in den 1 und 2 zur Verdeutlichung dargestellt ist, auf. Die Keimvorlagen 7 sind jeweils durch Keimstöße 9 voneinander getrennt. Die Keimstöße 9 sind insbesondere geradlinig ausgebildet.
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Die Keimvorlagen 7 weisen in Richtung senkrecht zur Längsrichtung 4 einen rechteckigen, insbesondere einen quadratischen Querschnitt auf. Sie sind insbesondere quaderförmig ausgebildet. Sie weisen insbesondere jeweils eine plan ausgebildete erste Seite 10 auf, welche jeweils senkrecht zu einer ersten Normalen 11 orientiert ist. Bei der ersten Seite 10 handelt es sich insbesondere um die Unterseite der Keimvorlagen 7. Es kann sich jedoch auch um die Oberfläche der Keimvorlagen 7 handeln.
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Die Keimvorlagen 7 sind derart am Boden 5 des Behälters 2 angeordnet, dass mindestens zwei unterschiedliche Keimvorlagen 7 unterschiedliche <110>-Richtungen aufweisen. Mindestens zwei Keimvorlagen 7 sind derart angeordnet, dass sie <110>-Richtungen 8 aufweisen, welche um einen Winkel b im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von höchstens 3°, gegeneinander verkippt sind. Es ist insbesondere vorgesehen, benachbarte Keimvorlagen 7 jeweils derart anzuordnen, dass ihre <110>-Richtungen 8 jeweils um einen Winkel b im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von weniger als 3°, gegeneinander verkippt sind. Hierbei ist die Verkippung der Keimvorlagen 7 derart, dass ihre <110>-Richtungen 8 in Längsrichtung 4, d. h. ausgehend vom Boden 5 des Behälters 2, aufeinander zu geneigt sind.
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Eine der Keimvorlagen 7, insbesondere eine zentrale Keimvorlage 7 Z kann vorzugsweise derart angeordnet sein, dass ihre <110>-Richtung 8 parallel zur Längsrichtung 4 ausgerichtet ist.
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Die Keimvorlagen 7 sind ausgehend von der zentralen Keimvorlage 7 derart angeordnet, dass ihre <110>-Richtungen 8 sukzessive größere Winkel bi mit der in den 1 und 2 jeweils als gestrichelter Pfeil dargestellten Längsrichtung 4 einschließen. Je weiter randseitig, d. h. je näher an der Seitenwand 6 eine Keimvorlage 7 angeordnet ist, umso größer ist der Winkel bi, den sie mit der Längsrichtung 4 einschließt. Hierdurch kann erreicht werden, dass sämtliche Keimvorlagen 7 <110>-Richtungen 8 aufweisen, derart, dass die <110>-Richtungen 8 benachbarter Keimvorlagen 7 jeweils aufeinander zu geneigt sind. Benachbarte Keimvorlagen 7 werden insbesondere derart angeordnet, dass mindestens eine derselben eine <110>-Richtung 8 aufweist, welche auf eine durch den jeweiligen Keimstoß 9 definierte, sich senkrecht zum Boden 5 erstreckende Ebene zu geneigt ist.
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Der Boden 5 des Behälters 2 ist abgesehen von den Keimstößen 9 und gegebenenfalls einem Randspalt 12 vorzugsweise flächendeckend mit Keimvorlagen 7 abgedeckt. Es sind insbesondere 5 × 5 Keimvorlagen 7 mit einem quadratischen Querschnitt vorgesehen. Es ist jedoch auch möglich, 1 × 5 Keimvorlagen 7 mit einem rechteckigen, streifenförmigen Querschnitt zu verwenden. Hierbei entspricht die längere Seite der Keimvorlage 7 vorzugsweise gerade der Ausdehnung des Bodens 5 senkrecht zur Längsrichtung 4 parallel zur Seitenwand 6.
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Die Keimvorlagen 7 sind insbesondere spiegelsymmetrisch zu einer senkrecht zum Boden 5 des Behälters 2 verlaufenden Mittelebene angeordnet.
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Die Keimvorlagen 7 weisen vorzugsweise in Richtung senkrecht zur Längsrichtung 4 eine Breite B auf, welche gerade einem ganzzahligen Vielfachen einer Breite später aus dem Silizium-Ingot 1 zu sägenden Säulen, gegebenenfalls vermehrt um entsprechende Säge-Zwischenräume, entspricht. Die Breite B der Keimvorlagen 7 kann insbesondere im Wesentlichen gerade der späteren Säulenbreite entsprechen. Hierunter sei verstanden, dass sie um maximal 10%, insbesondere maximal 5%, von der Breite der später aus dem Silizium-Ingot 1 zu sägenden Säulen abweicht. Entsprechend können die Randspalte 12 in Richtung senkrecht zur Längsrichtung 4 Abmessungen aufweisen, welche einer Dicke der zu entfernenden Seitenschwarten entspricht.
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Bei der in 1 dargestellten Ausführungsform schließt die <110>-Richtung 8 der Keimvorlagen 7 ausgehend von der zentralen Keimvorlage 7 Z sukzessive größere Winkel bi mit der ersten Normalen 11 ein. Dies kann durch eine weiter unten noch näher beschriebene, spezielle Herstellung oder Präparierung der Keimvorlagen 7 erreicht werden.
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Alternativ hierzu ist es auch möglich, wie in 2 dargestellt, die Keimvorlagen 7 angewinkelt auf den Boden 5 des Behälters 2 aufzulegen. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann die <110>-Richtung jeder Keimvorlage 7 gerade mit ihrer jeweiligen ersten Normalen 11 übereinstimmen.
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Um die Lage der Keimvorlagen 7 auf dem Boden 5 des Behälters 2 präzise vorzugeben, insbesondere um die Verkippung deren <110>-Richtung gegen die Längsrichtung 4 des Behälters 2 präzise vorzugeben, sind Abstandshalter 15 am Boden 5 des Behälters 2 vorgesehen. Die Abstandshalter 15 können insbesondere keilförmig oder keilstumpfförmig ausgebildet sein. Alternativ hierzu ist es möglich, den Boden 5 des Behälters 2 derart zu strukturieren, dass die <110>-Richtung der Keimvorlagen 7 jeweils die gewünschte Neigung zur Längsrichtung 4 des Behälters 2 aufweist.
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Nach der Anordnung der Keimvorlagen 7 am Boden 5 des Behälters 2 wird die Silizium-Schmelze 3 im Behälter 2 bereitgestellt. Hierzu kann stückiges Silizium im Behälter 2 angeordnet und aufgeschmolzen werden. Es ist ebenso möglich, Silizium in einem separaten Behälter aufzuschmelzen und in flüssiger Form, d. h. als Silizium-Schmelze 3, in den Behälter 2 einzufüllen.
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Bei beiden Alternativen wird durch eine entsprechende Temperaturführung sichergestellt, dass die Keimvorlagen 7 lediglich anschmelzen, d. h. teilweise aufschmelzen, jedoch nicht vollständig aufschmelzen. Die Keimvorlagen 7 werden in Längsrichtung 4 insbesondere zu höchstens 70%, insbesondere zu höchstens 50%, insbesondere zu höchstens 30% aufgeschmolzen.
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Anschließend wird die Silizium-Schmelze
3 gerichtet erstarrt. Für Details des Aufschmelzens des Siliziums und des Erstarrens der Silizium-Schmelze
3 sei auf die
DE 10 2005 013 410 B4 verwiesen.
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Nach Erstarren der Silizium-Schmelze 3 zum Silizium-Ingot 1 wird dieser mit Schnitten parallel zur Längsrichtung 4 zu Säulen zersägt. Hierbei fallen Seitenschwarten in Verlängerung der Randspalte 12 als Abfall an. Der Silizium-Ingot 1 wird insbesondere mit Schnitten parallel zur Längsrichtung 4 derart zersägt, dass die Sägeschnitte sich gerade in Verlängerung eines Keimstoßes 9 in Längsrichtung 4 befinden. Hierdurch wird der Sägeverlust an Silizium hoher Qualität verringert.
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Außerdem wird ein Boden und eine Kappe des Silizium-Ingots 1 durch Schnitte senkrecht zur Längsrichtung 4 entfernt. Der Boden, welcher die ursprünglichen Keimvorlagen 7 enthält, deren Zwischenräume im Bereich der Keimstöße 9 auskristallisiert sind, kann vorteilhafter Weise als Keimstruktur für einen nachfolgenden Kristallisierungsprozess verwendet werden.
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In 3 ist exemplarisch ein Querschnitt durch einen erfindungsgemäß hergestellten Silizium-Ingot 1 dargestellt. Die den einzelnen Bereichen entsprechenden Keimvorlagen 7 und deren <110>-Richtungen 8 sind zur Verdeutlichung ebenfalls dargestellt. Wie aus der 3 ersichtlich wird, führt die Anordnung der Keimvorlagen 7 mit aufeinander zu geneigten <110>-Richtungen 8 zu einer erheblich verringerten Ausdehnung von Versetzungszonen 13.
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Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung der Keimvorlagen 7 beschrieben. Zur Herstellung der Keimvorlagen 7 wird ein einkristalliner Silizium-Block mit einer bekannten Kristallstruktur bereitgestellt und entlang von Schnittebenen zerteilt. Hierbei weist die Schnittebene jeweils eine Normale auf, welche mit einer <110>-Richtung der Kristallstruktur des Silizium-Blocks einen Winkel im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von höchstens 3°, einschließt. Die Keimvorlagen 7 können durch zwei voneinander beabstandete, derartige Schnittebenen aus dem einkristallinen Silizium-Block hergestellt werden. Hierbei können die Schnittebenen jeweils parallel zueinander sein. Sie können auch jeweils Normalen aufweisen, welche um einen Winkel im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von höchstens 3°, gegeneinander geneigt sind. Die erste Alternative ist insbesondere zur Herstellung quaderförmiger Keimvorlagen 7 vorteilhaft. Mittels der zweiten Alternative lassen sich keilförmige oder keilstumpfförmige Keimvorlagen 7 herstellen.
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Allgemein handelt es sich bei diesen Keimvorlagen 7 um Blockbereiche, insbesondere Quader aus Silizium, insbesondere einkristallinem Silizium, deren Kristallstruktur derart orientiert ist, dass eine ihrer <110>-Richtungen einen Winkel im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10°, insbesondere im Bereich von 1° bis 5°, insbesondere von höchstens 3°, mit der ersten Normalen 11 auf einer ihrer plan ausgebildeten Seiten 10 einschließt.
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Allgemein sind die Keimkristalle quaderförmig, zylinderförmig, keilförmig oder keilstumpfförmig ausgebildet. Sie können insbesondere als Keimvorlagen 7 bei der Herstellung des Silizium-Ingots 1 aus der Silizium-Schmelze 3 verwendet werden.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die Verkippung der Keimvorlagen 7 durch eine spezielle Ausbildung des Bodens 5 des Behälters 2 erreicht. Der Behälter 2 weist einen Boden 5 auf, welcher ausgehend von einem mittleren Bereich zur Seitenwand 6 hin ansteigend geformt ist. Hierbei weisen unterschiedliche Bodenbereiche jeweils eine Flächennormale auf, welche um einen Verkippungswinkel im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10° gegeneinander verkippt sind.
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Der Boden 5 weist einen stetigen Anstieg zur Seitenwand 6 auf. Er weist mehrere abgrenzbare ebene Bereiche auf, wobei der Anstieg dieser Bereiche in Richtung einer Seitenwand 6 zunimmt.
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Anders ausgedrückt umfasst der Boden 5 auf seiner dem Innenraum des Behälters 2 zugewandten Seite mehrere Bereiche, welche jeweils plan ausgebildet sind und jeweils Flächennormalen 11 aufweisen, wobei die Flächennormalen 11 mindestens zweier Bereiche um einen Winkel im Bereich von 0,2° bis 10°, insbesondere im Bereich von 0,5° bis 10° gegeneinander verkippt sind. Insbesondere die Flächennormalen 11 zweier benachbarter Bereiche sind jeweils gegeneinander verkippt. Die Bodenwand 5 ist somit auf ihrer dem Innenraum zugewandten Seite konkav ausgebildet.
