DE102012203215A1 - Hochfrequenzschaltmodul - Google Patents

Hochfrequenzschaltmodul Download PDF

Info

Publication number
DE102012203215A1
DE102012203215A1 DE102012203215A DE102012203215A DE102012203215A1 DE 102012203215 A1 DE102012203215 A1 DE 102012203215A1 DE 102012203215 A DE102012203215 A DE 102012203215A DE 102012203215 A DE102012203215 A DE 102012203215A DE 102012203215 A1 DE102012203215 A1 DE 102012203215A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transmission signal
switching element
terminal
band
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102012203215A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102012203215B4 (de
Inventor
Osamu Shibata
Takanori Uejima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of DE102012203215A1 publication Critical patent/DE102012203215A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102012203215B4 publication Critical patent/DE102012203215B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band

Abstract

Ein Hochfrequenzschaltmodul umfasst ein erstes Schaltelement und ein zweites Schaltelement. Ein gemeinsamer Anschluss des ersten Schaltelements ist mit einer Antenne verbunden. Ein gemeinsamer Eingangsanschluss des zweiten Schaltelements ist mit einem Mehrbandleistungsverstärker verbunden. Ein zweiter Einzelausgangsanschluss des zweiten Schaltelements ist mit einem vierten Einzelanschluss des ersten Schaltelements über ein erstes Tiefpassfilter verbunden, und ist mit einem dritten Einzelanschluss des ersten Schaltelements über eine Reihenschaltung eines zweiten Tiefpassfilters und eines Hochpassfilters verbunden. Ein erster Einzelausgangsanschluss des zweiten Schaltelements ist über eine Phasenverschiebungsschaltung und einen ersten SAW-Duplexer mit einem ersten Einzelanschluss des ersten Schaltelements verbunden, und ist über die Phasenverschiebungsschaltung und einen zweiten SAW-Duplexer mit einem zweiten Einzelanschluss des ersten Schaltelements verbunden.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Hochfrequenzmodul zum Senden und Empfangen einer Mehrzahl von Kommunikationssignalen mit einer gemeinsamen Antenne.
  • Verschiedene Typen von Hochfrequenzmodulen zum Senden und Empfangen einer Mehrzahl von Kommunikationssignalen, mit einer gemeinsamen Antenne, unter Verwendung unterschiedlicher Frequenzbänder wurden in jüngster Zeit entwickelt. Beispielsweise ist in einem Hochfrequenzmodul, offenbart in der japanischen ungeprüften Patentanmeldungsveröffentlichung (Übersetzung der PCT-Anmeldung) Nr. 2010-528498 , ein gemeinsamer Anschluss eines Verteilers mit einer Antenne verbunden, und eine Mehrzahl von Einzelanschlüssen des Verteilers sind einzeln mit gemeinsamen Anschlüssen von Schaltelementen verbunden. Einzelanschlüsse von jedem der Schaltelemente sind einzeln mit einer Sendesignaleingangsschaltung, einer Empfangssignalausgangsschaltung und einer Sende-/Empfangsgerätschaltung verbunden.
  • In jüngster Zeit wurden auch Hochfrequenzschaltmodule entwickelt, bei denen der oben beschriebene Verteiler nicht angeordnet ist und ein Schaltelement entweder eine Sendesignaleingangsschaltung, eine Empfangssignalausgangsschaltung oder eine Sende-/Empfangsgerätschaltung mit einer Antenne verbindet. Das Schaltelement in solch einem Hochfrequenzschaltmodul benötigt so viele Einzelanschlüsse wie die Anzahl von Sendesignaleingangsschaltungen, Empfangssignalausgangsschaltungen und Sende-/Empfangsgerätschaltungen. Mit steigender Anzahl von verarbeiteten Kommunikationssignalen erhöht sich die Anzahl der Einzelanschlüsse des Schaltelements.
  • Viele Mehrbandleistungsverstärker, die in der Lage sind, Kommunikationssendesignale unter Verwendung unterschiedlicher Frequenzbänder zu verstärken, wurden in jüngster Zeit entwickelt, und solch ein Mehrbandleistungsverstärker wird für ein Hochfrequenzschaltmodul verwendet. Falls solch ein Mehrbandleistungsverstärker verwendet wird, ist es notwendig, Sendesignale, die durch den Mehrbandleistungsverstärker verstärkt sind, einzeln in die oben erwähnten Sendesignaleingangsschaltungen einzugeben.
  • 1 ist ein Diagramm, das eine Schaltungskonfiguration eines Hochfrequenzschaltmoduls 10P des Stands der Technik unter Verwendung eines Mehrbandleistungsverstärkers darstellt. Ein beispielhaftes Hochfrequenzschaltmodul ist dargestellt, das ein GSM 850 Sendesignal (etwa 900 MHz Band), ein GSM 1.800 Sendesignal (etwa 1,8 GHz bis etwa 1,9 GHz Band), ein GSM 1.900 Sendesignal (etwa 1,9 GHz bis etwa 2,0 GHz Band), ein WCDMA-Band 1 Sendesignal (etwa 2,1 GHz Band) und ein WCDMA-Band 8 Sendesignal (etwa 900 MHz Band) verarbeitet.
  • Wie es in 1 dargestellt ist, umfasst das Hochfrequenzschaltmodul 10P des Stands der Technik ein Schaltelement 11, das einen gemeinsamen Anschluss PIC0 aufweist, der mit einer Antenne ANT verbunden ist, und zwischen Senden und Empfangen schaltet. Außerdem umfasst das Hochfrequenzschaltmodul 10P ein Sendesignalschaltelement 30P zwischen einem Mehrbandleistungsverstärker 40 und dem Schaltelement 11.
  • Ein gemeinsamer Anschluss PICt0 des Sendesignalschaltelements 30P ist mit dem Mehrbandleistungsverstärker 40 verbunden. Als Folge wird ein Sendesignal in einem vorbestimmten Frequenzband, verstärkt durch den Mehrbandleistungsverstärker 40, zu Einzelanschlüssen PIC11 bis PIC14 des Schaltelements 11 übertragen.
  • Ein Einzelanschluss PICt1P des Sendesignalschaltelements 30P ist über ein erstes Tiefpassfilter 12 mit dem Einzelanschluss PIC11 des ersten Schaltelements 11 verbunden. Als Folge wird ein GSM 850 Sendesignal, verstärkt durch den Mehrbandleistungsverstärker 40, an den Einzelanschluss PIC11 des Schaltelements 11 übertragen.
  • Ein Einzelanschluss PICt2P des Sendesignalschaltelements 30P ist über ein zweites Tiefpassfilter 13 mit dem Einzelanschluss PIC12 des Schaltelements 11 verbunden. Als Folge werden ein GSM 1.800 Sendesignal und ein GSM 1.900 Sendesignal, verstärkt durch den Mehrbandleistungsverstärker 40, an den Einzelanschluss PIC12 des Schaltelements 11 gesendet.
  • Ein Einzelanschluss PICt3P des Sendesignalschaltelements 30P ist über einen SAW-Duplexer 14 mit dem Einzelanschluss PIC13 des Schaltelements 11 verbunden. Als Folge wird ein WCDMA-Band 1 Sendesignal, verstärkt durch den Mehrbandleistungsverstärker 40, an den Einzelanschluss PIC13 des Schaltelements 11 gesendet.
  • Ein Einzelanschluss PICt4P des Sendesignalschaltelements 30P ist über einen SAW-Duplexer 15 mit dem Einzelanschluss PIC14 des Schaltelements 11 verbunden. Als Folge wird ein WCDMA-Band 8 Sendesignal, verstärkt durch den Mehrbandleistungsverstärker 40, an den Einzelanschluss PIC14 des Schaltelements 11 gesendet.
  • Wie es oben beschrieben wurde, werden bei dem Hochfrequenzschaltmodul 10P des Stands der Technik in einem Fall, wo es Sendesignale gibt, die unterschiedlichen Signalspezifikationen entsprechen und Frequenzbänder verwenden, die voneinander beabstandet sind, so viele Einzelanschlüsse wie die Anzahl von Sendesignalen in dem Sendesignalschaltelement 30P benötigt. Beispielsweise ist es in dem Fall des in 1 dargestellten Beispiels, obwohl das GSM 1.800 Sendesignal und das GSM 1.900 Sendesignal, die der gleichen Signalspezifikation entsprechen und Frequenzbänder verwenden, die nahe zueinander sind, von einem einzigen Einzelanschluss ausgegeben werden können, notwendig, Einzelanschlüsse für die anderen Sendesignale anzuordnen. Folglich erhöht sich mit zunehmender Anzahl von Kommunikationssignalen (Sendesignalen) die Anzahl der Einzelanschlüsse. Dieser Anstieg bei der Anzahl der Einzelanschlüsse führt zum Anstieg bei der Größe und den Kosten eines Schaltelements. Als Folge sind die Größe und Kosten eines Hochfrequenzschaltmoduls ebenfalls erhöht.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein kostengünstiges kleines Hochfrequenzschaltmodul zu schaffen, selbst wenn das Hochfrequenzschaltmodul eine große Anzahl von Kommunikationssignalen verarbeitet.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Hochfrequenzschaltmodul gemäß Anspruch 1 gelöst.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Hochfrequenzschaltmodul, das zwischen einen Mehrbandleistungsverstärker zum Verstärken einer Mehrzahl von Sendesignaltypen und eine Antenne zum externen Ausgeben der Mehrzahl von Sendesignaltypen geschaltet ist. Das Hochfrequenzschaltmodul umfasst ein erstes Schaltelement, ein zweites Schaltelement und eine Phasenverschiebungsschaltung.
  • Das erste Schaltelement hat einen gemeinsamen Anschluss, der mit der Antenne verbunden ist, und eine Mehrzahl von Einzelanschlüssen, von denen einer selektiv mit dem gemeinsamen Anschluss verbunden ist. Das zweite Schaltelement hat einen gemeinsamen Eingangsanschluss, der mit dem Mehrbandleistungsverstärker und einer Mehrzahl von Einzelausgangsanschlüssen verbunden ist, von denen einer selektiv mit dem gemeinsamen Eingangsanschluss verbunden ist.
  • Die Phasenverschiebungsschaltung ist zwischen einen ersten Einzelausgangsanschluss des zweiten Schaltelements und jeden eines ersten Einzelanschlusses und eines zweiten Einzelanschlusses des ersten Schaltelements geschaltet. Die Phasenverschiebungsschaltung umfasst einen Induktor und einen Kondensator.
  • Ein Induktivitätswert des Induktors und ein Kapazitätswert des Kondensators sind eingestellt, sodass der erste Einzelanschluss in einem im Wesentlichen leitfähigen Zustand ist und der zweite Einzelanschluss in einem im Wesentlichen offenen Zustand (Leerlaufzustand) ist für ein erstes Sendesignal (beispielsweise ein WCDMA-Band 1 Sendesignal), das von dem ersten Einzelausgangsanschluss ausgegeben wird. Ferner sind der Induktivitätswert des Induktors und der Kapazitätswert des Kondensators eingestellt, sodass der erste Einzelanschluss in einem im Wesentlichen offenen Zustand ist und der zweite Einzelanschluss in einem im Wesentlichen leitfähigen Zustand ist für ein zweites Sendesignal (beispielsweise ein WCDMA-Band 8 Sendesignal), das von dem ersten Einzelausgangsanschluss ausgegeben wird.
  • Mit dieser Konfiguration ist die Notwendigkeit, einen Einzelausgangsanschluss für jedes Sendesignal in dem zweiten Schaltelement anzuordnen, dessen gemeinsamer Eingangsanschluss mit dem Mehrbandleistungsverstärker verbunden ist, eliminiert. Selbst in einem Fall, wo ein einziger Einzelausgangsanschluss für eine Mehrzahl von Sendesignalen verwendet wird, können die Sendesignale einzeln in die Einzelanschlüsse des ersten Schaltelements eingegeben werden.
  • Das Hochfrequenzschaltmodul gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hat vorzugsweise die folgende Konfiguration.
  • Das Hochfrequenzschaltmodul umfasst ferner einen ersten Duplexer, der zwischen die Phasenverschiebungsschaltung und den ersten Einzelanschluss geschaltet ist, und ist konfiguriert, um Sende- und Empfangssignale, einschließlich des ersten Sendesignals, für ein erstes Kommunikationssystem zu verteilen, und einen zweiten Duplexer, der zwischen die Phasenverschiebungsschaltung und den zweiten Einzelanschluss geschaltet ist, und konfiguriert ist, um Sende- und Empfangssignale einschließlich des zweiten Sendesignals für ein zweites Kommunikationssystem zu verteilen.
  • Mit dieser Konfiguration verläuft jedes erste Sendesignal und zweite Sendesignal durch eine Phasenverschiebungsschaltung und einen Duplexer. Folglich ist es unnötig, strenge charakteristische Einstellungsbedingungen für die Phasenverschiebungsschaltung und den Duplexer festzulegen. Folglich ist es möglich, die Phasenverschiebungsschaltung und den Duplexer leicht zu konfigurieren und zu entwerfen.
  • Das Hochfrequenzschaltmodul gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hat vorzugsweise die folgende Konfiguration.
  • Das zweite Schaltelement hat einen zweiten Einzelausgangsanschluss zum Ausgeben eines dritten Sendesignals (beispielsweise eines GSM 1.800 Sendesignals oder eines GSM 1.900 Sendesignals) mit einem Frequenzband, das sich von Frequenzbändern des ersten Sendesignals und des zweiten Sendesignals unterscheidet. Das Frequenzband des ersten Sendesignals und das Frequenzband des zweiten Sendesignals sind voneinander beabstandet mit dem Frequenzband des dritten Sendesignals zwischen denselben.
  • Mit dieser Konfiguration sind die Frequenzbänder des ersten und des zweiten Sendesignals, die in die Phasenverschiebungsschaltung eingegeben werden, voneinander beabstandet. Folglich ist es möglich, die Einstellung einer Induktivität und einer Kapazität, die für die Einrichtung der oben beschriebenen Phasenbeziehung notwendig sind (der Beziehung zwischen einem leitfähigen Zustand und einem offenen Zustand), leicht durchzuführen.
  • Das Hochfrequenzschaltmodul gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hat vorzugsweise die folgende Konfiguration.
  • Der zweite Einzelausgangsanschluss gibt ein viertes Sendesignal (beispielsweise ein GSM 850 Sendesignal) mit einem Frequenzband aus, das sich von dem Frequenzband des dritten Sendesignals unterscheidet.
  • Das erste Schaltelement hat einen dritten Einzelanschluss und einen vierten Einzelanschluss. Der dritte Einzelanschluss ist mit dem zweiten Einzelausgangsanschluss über ein Tiefpassfilter verbunden, das das Frequenzband des dritten Sendesignals als ein Durchlassband aufweist. Der vierte Einzelanschluss ist mit dem zweiten Einzelausgangsanschluss über ein Tiefpassfilter verbunden, das das Frequenzband des vierten Sendesignals als ein Durchlassband aufweist.
  • Ein Hochpassfilter mit einem höheren der Frequenzbänder des dritten Sendesignals und des vierten Sendesignals als Durchlassband ist zwischen eines der Tiefpassfilter zum Senden eines (beispielsweise bei dem oben beschriebenen Fall eines GSM 1.800 Sendesignals oder eines GSM 1.900 Sendesignals) des dritten Sendesignals und des vierten Sendesignals mit einem höheren Frequenzband und den zweiten Einzelausgangsanschluss geschaltet.
  • In dieser Konfiguration sind ein Anschluss zum Ausgeben des dritten Sendesignals und ein Anschluss zum Ausgeben des vierten Sendesignals in einen einzigen Anschluss in dem zweiten Schaltelement integriert. Folglich kann das zweite Schaltelement in der Größe reduziert werden. Da zwei Tiefpassfilter und ein Hochpassfilter, die mit einem der Tiefpassfilter verbunden sind, vorgesehen sind, ist es möglich, das dritte Sendesignal und das vierte Sendesignal einzeln in Einzelanschlüsse des ersten Schaltelements einzugeben.
  • Das Hochpassfilter gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise konfiguriert, sodass es ein niedrigeres (beispielsweise in dem oben erwähnten Fall ein GSM 850 Sendesignal) der Frequenzbänder des dritten Sendesignals (beispielsweise eines GSM 1.800 Sendesignals oder eines GSM 1.900 Sendesignals) und des vierten Sendesignals (beispielsweise eines GSM 850 Sendesignals) in einem Dämpfungsband des Hochpassfilters enthalten ist.
  • Mit dieser Konfiguration ist es möglich, das dritte Sendesignal und das vierte Sendesignal einzeln in Einzelanschlüsse des ersten Schaltelements mit größerer Sicherheit einzugeben.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird ein kostengünstiges kleines Hochfrequenzschaltmodul geschaffen, selbst wenn das Hochfrequenzschaltmodul mit einem Mehrbandleistungsverstärker verbunden ist, der in der Lage ist, Sendesignale in einer Mehrzahl von Frequenzbändern zu verstärken.
  • Andere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden von der folgenden detaillierten Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung mit Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen offensichtlich.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf beiliegende Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein Diagramm, das eine Schaltungskonfiguration eines Hochfrequenzschaltmoduls des Stands der Technik darstellt;
  • 2 ein Diagramm, das eine Schaltungskonfiguration eines Hochfrequenzschaltmoduls gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt;
  • 3 ein Schaltbild einer Phasenverschiebungsschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
  • 4 ein Schaltbild eines Hochpassfilters (HPF) gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Ein Hochfrequenzschaltmodul 10 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird mit Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben. 2 ist ein Diagramm, das eine Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzschaltmoduls 10 gemäß diesem Ausführungsbeispiel darstellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein WCDMA-Band 1 Kommunikationssignal als ein erstes Kommunikationssignal verwendet, ein WCDMA-Band 8 Kommunikationssignal wird als ein zweites Kommunikationssignal verwendet, ein GSM 1.800 Kommunikationssignal oder ein GSM 1.900 Kommunikationssignal wird als ein drittes Kommunikationssignal verwendet und ein GSM 850 Kommunikationssignal wird als ein viertes Kommunikationssignal verwendet. Ein Hochfrequenzschaltmodul zum Senden und Empfangen dieser Kommunikationssignale mit einer einzigen Antenne ANT wird beschrieben.
  • Zuerst wird die Schaltungskonfiguration des Hochfrequenzschaltmoduls 10 gemäß diesem Ausführungsbeispiel beschrieben. Das Hochfrequenzschaltmodul 10 umfasst ein erstes Schaltelement 11, ein erstes Tiefpassfilter 12, ein zweites Tiefpassfilter 13, SAW-Duplexer 14 und 15, SAW-Filter 16, 17 und 18 und eine Antennenseitenanpassungsschaltung 20, ein zweites Schaltelement 30, eine Phasenverschiebungsschaltung 101 und ein Hochpassfilter 102.
  • Das erste Schaltelement 11 wird aus einem Halbleiterschalter gebildet, wie z. B. einem FET, und umfasst einen einzigen gemeinsamen Anschluss PIC0, sieben Einzelanschlüsse PIC11 bis PIC17, eine Mehrzahl von Antriebssignaleingangsanschlüssen (nicht dargestellt) und einen Masseverbindungsanschluss (nicht dargestellt).
  • Das erste Schaltelement 11 wird mit einer Antriebsspannung eingeschaltet, die von den Antriebssignaleingangsanschlüssen eingegeben wird, und verbindet selektiv den gemeinsamen Anschluss PIC0 mit einem der Einzelanschlüsse PIC11 bis PIC17 gemäß der Kombination einer Mehrzahl von Antriebssignalen.
  • Der gemeinsame Anschluss PIC0 ist über die Antennenseitenanpassungsschaltung 20 mit der Antenne ANT verbunden.
  • Der Einzelanschluss PIC11 entspricht einem vierten Einzelanschluss gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und ist über das erste Tiefpassfilter 12 mit einem Einzelausgangsanschluss PICt2 des Schaltelements 30 verbunden. Der Einzelausgangsanschluss PICt2 entspricht einem zweiten Einzelausgangsanschluss gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Der Einzelanschluss PIC12 entspricht einem dritten Einzelanschluss gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und ist über das zweite Tiefpassfilter 13 und das Hochpassfilter 102 mit dem Einzelausgangsanschluss PICt2 des Schaltelements 30 verbunden.
  • Der Einzelanschluss PIC13 entspricht einem ersten Einzelanschluss gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und ist über ein Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 und die Phasenverschiebungsschaltung 101 mit einem Einzelausgangsanschluss PICt1 des Schaltelements 30 verbunden. Der Einzelausgangsanschluss PICt1 entspricht einem ersten Einzelausgangsanschluss gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Ein Empfangs-SAW-Filter SAWr1 in dem SAW-Duplexer 14 ist mit einem Empfangssignalausgangsanschluss Prx1 verbunden.
  • Der Einzelanschluss PIC14 entspricht einem zweiten Einzelanschluss gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung und ist über ein Sende-SAW-Filter SAWt2 in dem SAW-Duplexer 15 und die Phasenverschiebungsschaltung 101 mit dem Einzelausgangsanschluss PICt1 des Schaltelements 30 verbunden. Ein Empfangs-SAW-Filter SAWr2 in dem SAW-Duplexer 15 ist mit einem Empfangssignalausgangsanschluss Prx2 verbunden.
  • Der Einzelanschluss PIC15 ist über das SAW-Filter 16 mit einem Empfangssignalausgangsanschluss Prx3 verbunden. Der Einzelanschluss PIC16 ist über das SAW-Filter 17 mit einem Empfangssignalausgangsanschluss Prx4 verbunden. Der Einzelanschluss PIC17 ist über das SAW-Filter 18 mit einem Empfangssignalausgangsanschluss PrxS verbunden.
  • Das Schaltelement 30 umfasst einen gemeinsamen Eingangsanschluss PICt0, zusätzlich zu den Einzelausgangsanschlüssen PICt1 und PICt2. Das Schaltelement 30 umfasst ferner eine Mehrzahl von Antriebssignaleingangsanschlüssen (nicht dargestellt) und einen Masseverbindungsanschluss (nicht dargestellt). Das Schaltelement 30 wird mit einer Antriebsspannung eingeschaltet, die von den Antriebssignaleingangsanschlüssen eingegeben wird, und verbindet selektiv den gemeinsamen Eingangsanschluss PICt0 mit einem der Einzelausgangsanschlüsse PICt1 und PICt2 gemäß der Kombination einer Mehrzahl von Antriebssignalen. Da das Schaltelement 30 eine geringe Anzahl von Einzelausgangsanschlüssen umfasst, kann daher die Reduzierung bei der Größe und den Kosten des Schaltelements 30 erreicht werden.
  • Der gemeinsame Eingangsanschluss PICt0 des Schaltelements 30 ist mit dem Mehrbandleistungsverstärker 40 verbunden, zum Verstärken von Kommunikationssendesignalen. Der Mehrbandleistungsverstärker 40 kann ein einziger Verstärker oder eine Mehrzahl von Verstärkern sein, von denen Signale in unterschiedlichen Frequenzbändern ausgegeben werden.
  • Das erste Tiefpassfilter 12 umfasst Induktoren GLt1 und GLt2, die in Reihe geschaltet sind zwischen den Einzelanschluss PIC11 des ersten Schaltelements 11 und den Einzelausgangsanschluss PICt2 des zweiten Schaltelements 30.
  • Ein Kondensator GCc1 ist parallel zu dem Induktor GLt1 geschaltet. Ein Ende des Induktors GLt1 auf der Seite des Einzelanschlusses PIC11 ist über einen Kondensator GCu1 mit Masse verbunden.
  • Ein Verbindungspunkt zwischen dem Induktor GLt1 und dem Induktor GLt2 ist über einen Kondensator GCu2 mit Masse verbunden. Ein Kondensator GCc2 ist parallel zu dem Induktor GLt2 geschaltet. Ein Ende des Induktors GLt2 auf der Seite des Einzelausgangsanschlusses PICt2 ist über einen Kondensator GUc3 mit Masse verbunden.
  • Das Durchlassband und das Dämpfungsband des ersten Tiefpassfilters 12 sind eingestellt, sodass die Frequenzen der Harmonischen zweiter und dritter Ordnung eines Sendesignals (eines vierten Sendesignals), das dem vierten Kommunikationssignal entspricht, in dem Dämpfungsband sind, die Grundfrequenz des vierten Sendesignals in dem Durchlassband ist und Frequenzen höher als die Grundfrequenz in dem Dämpfungsband sind.
  • Das zweite Tiefpassfilter 13 umfasst Induktoren DLt1 und DLt2, die in Reihe geschaltet sind zwischen den Einzelanschluss PIC12 des ersten Schaltelements und das Hochpassfilter 102. Ein Kondensator DCc1 ist parallel zu dem Induktor DLt1 geschaltet.
  • Ein Verbindungspunkt zwischen dem Induktor DLt1 und dem Induktor DLt2 ist über einen Kondensator DCu2 mit Masse verbunden. Ein Ende des Induktors DLt2 auf der Seite des Hochpassfilters 102 ist über einen Kondensator DCu3 mit Masse verbunden.
  • Das Durchlassband und das Dämpfungsband des zweiten Tiefpassfilters 13 sind eingestellt, sodass die Grundfrequenz eines Sendesignals (eines dritten Sendesignals), das dem dritten Kommunikationssignal entspricht, in dem Durchlassband ist, und Frequenzen höher als die Grundfrequenz in dem Dämpfungsband sind.
  • Der SAW-Duplexer 14 umfasst das Sende-SAW-Filter SAWt1 und das Empfangs-SAW-Filter SAWr1. In dem Sende-SAW-Filter SAWt1 ist das Grundfrequenzband eines Sendesignals (erstes Sendesignal), das dem ersten Kommunikationssignal entspricht, als ein Durchlassband eingestellt, und Bänder niedriger und höher als das Durchlassband sind als ein Dämpfungsband eingestellt. In dem Empfangs-SAW-Filter SAWr1 ist das Grundfrequenzband eines Empfangssignals (erstes Empfangssignal), das dem ersten Kommunikationssignal entspricht, als ein Durchlassband eingestellt, und Bänder niedriger und höher als das Durchlassband sind als ein Dämpfungsband eingestellt.
  • Der SAW-Duplexer 15 umfasst das Sende-SAW-Filter SAWt2 und das Empfangs-SAW-Filter SAWr3. In dem Sende-SAW-Filter SAWt2 ist das Grundfrequenzband eines Sendesignals (eines zweiten Sendesignals), das dem zweiten Kommunikationssignal entspricht, als ein Durchlassband eingestellt, und Bänder niedriger und höher als das Durchlassband sind als ein Dämpfungsband eingestellt. In dem Empfangs-SAW-Filter SAWr2 ist das Grundfrequenzband eines Empfangssignals (eines zweiten Empfangssignals), das dem zweiten Kommunikationssignal entspricht, als ein Durchlassband eingestellt, und Bänder niedriger und höher als das Durchlassband sind als ein Dämpfungsband eingestellt.
  • In dem SAW-Filter 16 ist das Grundfrequenzband eines Empfangssignals (eines vierten Empfangssignals), das dem vierten Kommunikationssignal entspricht, als ein Durchlassband eingestellt, und Bänder niedriger und höher als das Durchlassband sind als ein Dämpfungsband eingestellt.
  • In jedem der SAW-Filter 17 und 18 ist das Grundfrequenzband eines Empfangssignals (eines dritten Empfangssignals), das dem dritten Kommunikationssignal entspricht, als ein Durchlassband eingestellt, und Bänder niedriger und höher als das Durchlassband sind als ein Dämpfungsband eingestellt. In dem SAW-Filter 17 ist beispielsweise das Grundfrequenzband eines Empfangssignals, das einem GSM 1.800 Kommunikationssignal entspricht, das eines der dritten Kommunikationssignale ist, als ein Durchlassband eingestellt, und Bänder niedriger und höher als das Durchlassband sind als ein Dämpfungsband eingestellt. Andererseits ist in dem SAW-Filter 18 das Grundfrequenzband eines Empfangssignals, das einem GSM 1.900 Kommunikationssignal entspricht, das das andere der dritten Kommunikationssignale ist, als ein Durchlassband eingestellt, und Bänder niedriger und höher als das Durchlassband sind als ein Dämpfungsband eingestellt.
  • In einem Fall, wo jedes der Sendesignale von der Antenne ANT in dem Hochfrequenzschaltmodul 10 mit der oben beschriebenen Konfiguration gesendet wird, wird die folgende Steuerverarbeitung durchgeführt. Mit der Phasenverschiebungsschaltung 101 und dem Hochpassfilter 102 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist es möglich, die Sendesignale zu klassifizieren, die durch den Mehrbandleistungsverstärker 40 verstärkt werden, und die Sendesignale von der Antenne ANT mit Sicherheit zu senden.
  • (i) Senden eines ersten Sendesignals (WCDMA-Band 1 Sendesignal)
  • In einem Fall wo das erste Sendesignal gesendet wird, sind der Einzelanschluss PIC13 und der gemeinsame Anschluss PIC0 in dem ersten Schaltelement 11 verbunden. In dem zweiten Schaltelement 30 sind der gemeinsame Eingangsanschluss PICt0 und der Einzelausgangsanschluss PICt1 verbunden.
  • Das erste Sendesignal, das durch den Mehrbandleistungsverstärker 40 verstärkt wird, wird über das zweite Schaltelement 30 in die Phasenverschiebungsschaltung 101 eingegeben.
  • 3 ist ein Schaltbild der Phasenverschiebungsschaltung 101 gemäß diesem Ausführungsbeispiel. Die Phasenverschiebungsschaltung 101 umfasst einen Kondensator CpH, der zwischen das zweite Schaltelement 30 und das Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 geschaltet ist. Ein Ende des Kondensators CpH auf der Seite des SAW-Duplexers 14 ist über einen Induktor LpH mit Masse verbunden.
  • Die Phasenverschiebungsschaltung 101 umfasst ferner einen Induktor LpL, der zwischen das zweite Schaltelement 30 und das Sende-SAW-Filter SAWt2 in dem SAW-Duplexer 15 geschaltet ist. Ein Ende des Induktors LpL auf der Seite SAW-Duplexers 15 ist über einen Kondensator CpL mit Masse verbunden.
  • In der Phasenverschiebungsschaltung 101 sind die Induktivitäten der Induktoren LpH und LpL und die Kapazitäten der Kondensatoren CpH und CpL eingestellt, sodass das Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 in einem leitfähigen Zustand ist, und das Sende-SAW-Filter SAWt2 in dem SAW-Duplexer 15 in einem offenen Zustand ist, von dem zweiten Schaltelement 30 bei der Grundfrequenz des ersten Sendesignals aus gesehen. Außerdem sind in der Phasenverschiebungsschaltung 101 die Induktivitäten der Induktoren LpH und LpL und die Kapazitäten der Kondensatoren CpH und CpL eingestellt, sodass das Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 in einem offenen Zustand ist und das Sende-SAW-Filter SAWt2 in dem SAW-Duplexer 15 in einem leitfähigen Zustand ist, von dem zweiten Schaltelement 30 bei der Grundfrequenz des zweiten Sendesignals aus gesehen.
  • Wenn das Hochfrequenzschaltmodul 10 wie oben konfiguriert ist, wird das erste Sendesignal, das von dem Einzelausgangsanschluss PICt1 des zweiten Schaltelements 30 ausgegeben wird, an das Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 gesendet und nicht an das Sende-SAW-Filter SAWt2 in dem SAW-Duplexer 15 gesendet. Da folglich das erste Sendesignal mit großer Leistung nicht über einen Sendeweg gesendet wird, der sich von einem ordnungsgemäßen Sendeweg unterscheidet, kann der nachteilige Effekt des ersten Sendesignals auf die Charakteristik des Hochfrequenzschaltmoduls 10 unterdrückt werden.
  • Somit verläuft das erste Sendesignal, das durch die Phasenverschiebungsschaltung 101 verlaufen ist, durch das Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 und wird in den Einzelanschluss PIC13 des ersten Schaltelements 11 eingegeben. Da das erste Sendesignal über den oben beschriebenen Weg gesendet wird, wird die Frequenz jeder höheren Harmonischen des ersten Sendesignals in dem Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 gedämpft, und die höhere Harmonische wird nicht an den Einzelanschluss PIC13 des ersten Schaltelements 11 gesendet. Indem die Phasenverschiebungsschaltung 101 in einen im Wesentlichen offenen Zustand gebracht wird, von dem Einzelausgangsanschluss PICt1 des zweiten Schaltelements 30 aus gesehen, mit der Frequenz jeder höheren Harmonischen des ersten Sendesignals, ist es ferner möglich, eine höhere Harmonische weiter zu unterdrücken, die in den Einzelanschluss PIC13 des ersten Schaltelements 11 eingegeben wird.
  • Somit wird das erste Sendesignal, das an das erste Schaltelement 11 gesendet wird, von dem gemeinsamen Anschluss PIC0 des ersten Schaltelements 11 ausgegeben und wird extern von der Antenne ANT gesendet.
  • (ii) Senden eines zweiten Sendesignals (WCDMA-Band 8 Sendesignal)
  • In einem Fall wo das zweite Sendesignal gesendet wird, sind der Einzelanschluss PIC14 und der gemeinsame Anschluss PIC0 in dem ersten Schaltelement 11 verbunden. In dem zweiten Schaltelement 30 sind der gemeinsame Eingangsanschluss PICt0 und der Einzelausgangsanschluss PICt1 verbunden.
  • Das zweite Sendesignal, das durch den Mehrbandleistungsverstärker 40 verstärkt wird, wird über das zweite Schaltelement 30 in die Phasenverschiebungsschaltung 101 eingegeben.
  • Da die Phaseneinstellung der Phasenverschiebungsschaltung 101 wie oben beschrieben durchgeführt wird, wird das zweite Sendesignal, das von dem Einzelausgangsanschluss PICt1 des zweiten Schaltelements 30 ausgegeben wird, an das Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 15 gesendet und wird nicht an das Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 gesendet. Da das zweite Sendesignal mit großer Leistung nicht über einen Sendeweg gesendet wird, der sich von einem ordnungsgemäßen Sendeweg unterscheidet, kann entsprechend der nachteilige Effekt des zweiten Sendesignals auf die Charakteristik des Hochfrequenzschaltmoduls 10 unterdrückt werden.
  • Somit verläuft das zweite Sendesignal, das durch die Phasenverschiebungsschaltung 101 verlaufen ist, durch das Sende-SAW-Filter SAWt1 in dem SAW-Duplexer 15 und wird in den Einzelanschluss PIC14 des ersten Schaltelements 11 eingegeben. Da das zweite Sendesignal über den oben beschriebenen Weg gesendet wird, wird die Frequenz jeder höheren Harmonischen des zweiten Sendesignals in dem Sende-SAW-Filter SAWt2 in dem SAW-Duplexer 15 gedämpft, und die höhere Harmonische wird nicht an den Einzelanschluss PIC14 des ersten Schaltelements 11 gesendet. Indem die Phasenverschiebungsschaltung 101 in einen im Wesentlichen offenen Zustand gebracht wird, von dem Einzelausgangsanschluss PICt1 des zweiten Schaltelements 30 aus gesehen, mit der Frequenz jeder höheren Harmonischen des zweiten Sendesignals, ist es ferner möglich, eine höhere Harmonische, die in den Einzelanschluss PIC14 des zweiten Schaltelements 11 eingegeben wird, weiter zu unterdrücken.
  • Das zweite Sendesignal, das an das erste Schaltelement 11 gesendet wurde, wird von dem gemeinsamen Anschluss PIC0 des ersten Schaltelements 11 ausgegeben und wird extern von der Antenne ANT gesendet.
  • Mit der Phasenverschiebungsschaltung 101 gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann die Anzahl von Einzelausgangsanschlüssen des zweiten Schaltelements 30, die mit dem Ausgangsanschluss des Mehrbandleistungsverstärkers 40 verbunden sind, kleiner sein als die Anzahl von Sendesignalen, wie es in den Fällen (i) und (ii) beschrieben ist. Es ist daher möglich, die Größe und Kosten des zweiten Schaltelements 30 zu reduzieren. Wie es oben beschrieben wurde, umfasst die neu hinzugefügte Phasenverschiebungsschaltung 101 Induktoren und Kondensatoren, die für Phaseneinstellung verwendet werden. Durch Bilden des Hochfrequenzschaltmoduls 10 mit einem Laminat kann die Phasenverschiebungsschaltung 101 mit Innenschichtelektrodenstrukturen des Laminats gebildet werden. Folglich führt die Hinzufügung der Phasenverschiebungsschaltung 101 nicht zu einem Anstieg bei der Größe und den Kosten des Hochfrequenzschaltmoduls 10.
  • Da SAW-Filter an einer Stufe nach der Phasenverschiebungsschaltung auf Sendewegen von Sendesignalen angeordnet sind, wie es oben beschrieben ist, kann der oben beschriebene Betriebseffekt ausreichend erhalten werden, selbst wenn die Phasenverschiebungsschaltung Phaseneinstellungen nicht genau durchführt, d. h. ein leitfähiger Zustand wird nicht genau eingestellt für ein Sendesignal, von dem ausgegangen wird, dass es gesendet wird, und ein offener Zustand wird nicht genau eingestellt für ein Sendesignal, von dem erwartet wird, dass es gesperrt wird. Folglich ist die Entwurfsflexibilität verbessert und Größenreduzierung und Kostenreduzierung können ohne weiteres erreicht werden.
  • In einem Fall, wo die Phasenverschiebungsschaltung 101 nicht angeordnet ist, wird ein Sendesignal großer Leistung, das nicht gesendet werden sollte, oder die Harmonische jedes Sendesignals direkt in die SAW-Duplexer 14 und 15 eingegeben. Durch Anordnen der Phasenverschiebungsschaltung 101 wird nur ein Sendesignal, das gesendet werden soll, in die SAW-Duplexer 14 und 15 eingegeben. Folglich ist es möglich, einen nachteiligen Effekt auf die SAW-Duplexer 14 und 15 zu unterdrücken und zu verhindern, dass die SAW-Duplexer 14 und 15 brechen. Ferner können die Dämpfungscharakteristika des Sende-SAW-Filters SAWt1 in dem SAW-Duplexer 14 und des Sende-SAW-Filters SAWt2 in dem SAW-Duplexer 15 leicht entworfen werden hinsichtlich der Beziehung mit der Phasencharakteristik der Phasenverschiebungsschaltung 101.
  • In den oben beschriebenen Fällen wird ein WCDMA-Band 1 Sendesignal (2,1 GHz Band) als das erste Sendesignal verwendet und ein WCDMA-Band 8 Sendesignal (900 MHz Band) wird als das zweite Sendesignal verwendet. Somit kann in einem Fall, wo Frequenzbänder von zwei Typen von Sendesignalen, die durch die Phasenverschiebungsschaltung 101 verlaufen, voneinander beabstandet sind, die oben beschriebene Phaseneinstellung ohne weiteres durchgeführt werden. Folglich kann die Phasenverschiebungsschaltung 101 ohne weiteres erhalten werden.
  • (iii) Senden eines dritten Sendesignals (GSM 1.800 Sendesignal oder GSM 1.900 Sendesignal)
  • In einem Fall, wo das dritte Sendesignal gesendet wird, sind der Einzelanschluss PIC12 und der gemeinsame Anschluss PIC0 in dem ersten Schaltelement 11 verbunden. In dem zweiten Schaltelement 30 sind der gemeinsame Eingangsanschluss PICt0 und der Einzelausgangsanschluss PICt2 verbunden.
  • Das dritte Sendesignal, das durch den Mehrbandleistungsverstärker 40 verstärkt wird, wird über das zweite Schaltelement 30 in das erste Tiefpassfilter 12 und das Hochpassfilter 102 eingegeben.
  • Wie es vorher beschrieben wurde, ist die Grundfrequenz des vierten Sendesignals (GSM 850 Sendesignal) in dem Durchlassband des ersten Tiefpassfilters 12, und ein Frequenzband höher als die Grundfrequenz wird als das Dämpfungsband des ersten Tiefpassfilters 12 eingestellt. Folglich sperrt das erste Tiefpassfilter 12 das dritte Sendesignal.
  • 4 ist ein Schaltbild des Hochpassfilters 102 gemäß diesem Ausführungsbeispiel. Das Hochpassfilter 102 umfasst Kondensatoren Cf1 und Cf2, die in Reihe geschaltet sind zwischen den Einzelausgangsanschluss PICt2 des zweiten Schaltelements 30 und das zweite Tiefpassfilter 13. Ein Verbindungspunkt zwischen den Kondensatoren Cf1 und Cf2 ist mit Masse verbunden über eine Reihenschaltung eines Induktors Lf0 und eines Kondensators Cf0.
  • Die Kapazitäten der Kondensatoren Cf0, Cf1 und Cf2 und die Induktivität des Induktors Lf0 sind wie geeignet eingestellt, sodass die Grundfrequenz des dritten Sendesignals in dem Durchlassband des Hochpassfilters 102 enthalten ist, und die Grundfrequenz des vierten Sendesignals in dem Dämpfungsband des Hochpassfilters 102 enthalten ist.
  • Folglich verläuft das dritte Sendesignal durch das Hochpassfilter 102 und wird in das zweite Tiefpassfilter 13 eingegeben. Wie es oben beschrieben ist, ist die Grundfrequenz des dritten Sendesignals in dem Durchlassband des zweiten Tiefpassfilters 13 und das Frequenzband einer höheren Harmonischen des dritten Sendesignals ist in dem Dämpfungsband des zweiten Tiefpassfilters 13. Folglich verläuft das dritte Sendesignal durch das zweite Tiefpassfilter 13 und wird in den Einzelanschluss PIC12 des ersten Schaltelements 11 eingegeben. Das dritte Sendesignal, das an das erste Schaltelement 11 gesendet wurde, wird von dem gemeinsamen Anschluss PIC0 des ersten Schaltelements 11 ausgegeben und wird extern von der Antenne ANT gesendet.
  • (iv) Senden eines vierten Sendesignals (GSM 850 Sendesignal)
  • In einem Fall, wo das vierte Sendesignal gesendet wird, sind der Einzelanschluss PIC11 und der gemeinsame Anschluss PIC0 in dem ersten Schaltelement 11 verbunden. In dem zweiten Schaltelement 30 sind der gemeinsame Eingangsanschluss PICt0 und der Einzelausgangsanschluss PICt2 verbunden.
  • Das vierte Sendesignal, das durch den Mehrbandleistungsverstärker 40 verstärkt wird, wird über das zweite Schaltelement 30 in das erste Tiefpassfilter 12 und das Hochpassfilter 102 eingegeben.
  • Wie es oben beschrieben ist, ist die Grundfrequenz des vierten Sendesignals (GSM 850 Sendesignal) in dem Durchlassband des ersten Tiefpassfilters 12 und ein Band höher als die Grundfrequenz ist in dem Dämpfungsband des ersten Tiefpassfilters 12. Folglich sendet das erste Tiefpassfilter 12 das vierte Sendesignal.
  • Wie es oben beschrieben ist, ist die Grundfrequenz des dritten Sendesignals in dem Durchlassband des Hochpassfilters 102, und die Grundfrequenz des vierten Sendesignals ist in dem Dämpfungsband des Hochpassfilters 102. Folglich sperrt das Hochpassfilter 102 das vierte Sendesignal.
  • Das vierte Sendesignal verläuft durch das erste Tiefpassfilter 12 und wird in den Einzelanschluss PIC11 des ersten Schaltelements 11 eingegeben. Das vierte Sendesignal, das an das erste Schaltelement 11 gesendet wurde, wird von dem gemeinsamen Anschluss PIC0 des ersten Schaltelements 11 ausgegeben und wird extern von der Antenne ANT gesendet.
  • Mit dem Hochpassfilter 102 gemäß diesem Ausführungsbeispiel kann die Anzahl von Einzelausgangsanschlüssen des zweiten Schaltelements 30, die mit dem Ausgangsanschluss des Mehrbandleistungsverstärkers 40 verbunden sind, geringer sein als die Anzahl von Sendesignalen, wie es in den Fällen (iii) und (iv) beschrieben ist. Es ist daher möglich, die Größe und die Kosten des zweiten Schaltelements 30 zu reduzieren. Die Hinzufügung des Hochpassfilters 102 führt nicht zum Anstieg der Größe und der Kosten des Hochfrequenzschaltmoduls 10 wie in dem Fall der Phasenverschiebungsschaltung 101.
  • Wie es oben beschrieben wurde, da das erste Tiefpassfilter 12 nicht nur eine Funktion des Dämpfens der Harmonischen des vierten Sendesignals, sondern auch eine Funktion des Dämpfens des dritten Sendesignals hat, können das dritte Sendesignal und das vierte Sendesignal jeweils in die Einzelanschlüsse PIC12 und PIC11 des ersten Schaltelements 11 eingegeben werden, ohne ein Tiefpassfilter anzuordnen, das sich mit dem Hochpassfilter 102 verbindet. Als Folge kann das Hochfrequenzschaltmodul 10 weiter in der Größe reduziert werden.
  • Ein Hochfrequenzschaltmodul zum Verarbeiten von vier Typen von Sendesignalen (Kommunikationssignalen) wurde beschrieben. Ein Hochfrequenzschaltmodul zum Verarbeiten von zumindest drei Typen von Sendesignalen (Kommunikationssignalen) kann die oben beschriebene Konfiguration haben. Insbesondere wenn drei Typen von Sendesignalen verwendet werden, ist die Sendeschaltung einschließlich des Hochpassfilters 102 entfernt, und zwei der Sendesignale, zwischen denen der weiteste Abstand erhalten wird, werden von einem einzigen Einzelausgangsanschluss ausgegeben.
  • Ein beispielhafter Fall, in dem das Hochpassfilter 102 mit einem Dämpfungspol verwendet wird, wurde beschrieben. Ein einfaches Hochpassfilter ohne Dämpfungspol kann jedoch ebenfalls verwendet werden.
  • Die oben beschriebene Kombination von Kommunikationssignalen ist lediglich darstellend, und andere Kommunikationssignale können verwendet werden unter der Voraussetzung, dass die oben beschriebene Frequenzbandbeziehung erhalten wird.
  • Obwohl oben bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben wurden, ist klar, dass Variationen und Modifikationen für Fachleute auf dem Gebiet klar sind, ohne von dem Schutzbereich und der Wesensart der Erfindung abzuweichen. Der Schutzbereich der Erfindung ist daher lediglich durch die folgenden Ansprüche bestimmt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2010-528498 [0002]

Claims (5)

  1. Hochfrequenzschaltmodul (10), das zwischen einen Mehrbandleistungsverstärker (40) zum Verstärken einer Mehrzahl von Sendesignaltypen und eine Antenne zum externen Ausgeben der Mehrzahl von Sendesignaltypen geschaltet ist, das folgende Merkmale aufweist: ein erstes Schaltelement (11), das einen gemeinsamen Anschluss aufweist, der mit der Antenne verbunden ist, und eine Anzahl von Einzelanschlüssen, von denen einer selektiv mit dem gemeinsamen Anschluss verbunden ist; ein zweites Schaltelement (30), das einen gemeinsamen Eingangsanschluss aufweist, der mit dem Mehrbandleistungsverstärker (40) verbunden ist, und eine Mehrzahl von Einzelausgangsanschlüssen, von denen einer selektiv mit dem gemeinsamen Eingangsanschluss verbunden ist; und eine Phasenverschiebungsschaltung (101), die zwischen einen ersten Einzelausgangsanschluss des zweiten Schaltelements (30) und jeden eines ersten Einzelanschlusses und eines zweiten Einzelanschlusses des ersten Schaltelements (11) geschaltet ist, und wobei die Phasenverschiebungsschaltung (101) einen Induktor und einen Kondensator umfasst, und wobei ein Induktivitätswert des Induktors und ein Kapazitätswert des Kondensators eingestellt sind, sodass der erste Einzelanschluss in einem im Wesentlichen leitfähigen Zustand ist und der zweite Einzelanschluss in einem im Wesentlichen offenen Zustand ist für ein erstes Sendesignal, das von dem ersten Einzelausgangsanschluss ausgegeben wird, und der erste Einzelanschluss in einem im Wesentlichen offenen Zustand ist und der zweite Einzelanschluss in einem im Wesentlichen leitfähigen Zustand ist für ein zweites Sendesignal, das von dem ersten Einzelausgangsanschluss ausgegeben wird.
  2. Hochfrequenzschaltmodul (10) gemäß Anspruch 1, das ferner folgende Merkmale aufweist: einen ersten Duplexer (14), der zwischen die Phasenverschiebungsschaltung (101) und den ersten Einzelanschluss geschaltet ist, und konfiguriert ist, um Sende- und Empfangssignale, einschließlich des ersten Sendesignals, für ein erstes Kommunikationssystem zu verteilen; und einen zweiten Duplexer (15), der zwischen die Phasenverschiebungsschaltung (101) und den zweiten Einzelanschluss geschaltet ist, und konfiguriert ist, um Sende- und Empfangssignale, einschließlich des zweiten Sendesignals, für ein zweites Kommunikationssystem zu verteilen.
  3. Hochfrequenzschaltmodul (10) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das zweite Schaltelement (30) einen zweiten Einzelausgangsanschluss aufweist zum Ausgeben eines dritten Sendesignals mit einem Frequenzband, das sich von Frequenzbändern des ersten Sendesignals und des zweiten Sendesignals unterscheidet, und wobei das Frequenzband des ersten Sendesignals und das Frequenzband des zweiten Sendesignals beabstandet sind voneinander, mit dem Frequenzband des dritten Sendesignals dazwischen liegend.
  4. Hochfrequenzschaltmodul (10) gemäß Anspruch 3, bei dem der zweite Einzelausgangsanschluss ein viertes Sendesignal ausgibt mit einem Frequenzband, das sich von dem Frequenzband des dritten Sendesignals unterscheidet, wobei das erste Schaltelement (11) einen dritten Einzelanschluss aufweist, der mit dem zweiten Einzelausgangsanschluss verbunden ist, über ein Tiefpassfilter, mit dem Frequenzband des dritten Sendesignals als Durchlassband, und einen vierten Einzelanschluss, der mit dem zweiten Einzelausgangsanschluss verbunden, ist über ein Tiefpassfilter, mit dem Frequenzband des vierten Sendesignals als Durchlassband, und wobei ein Hochpassfilter (102) mit einem höheren der Frequenzbänder des dritten Sendesignals und des vierten Sendesignals als ein Durchlassband zwischen eines der Tiefpassfilter zum Senden entweder des dritten Sendesignals oder des vierten Sendesignals mit einem höheren Frequenzband und den zweiten Einzelausgangsanschluss geschaltet ist.
  5. Hochfrequenzschaltmodul (10) gemäß Anspruch 4, bei dem das Hochpassfilter (102) konfiguriert ist, sodass ein niedrigeres der Frequenzbänder des dritten Sendesignals und des vierten Sendesignals in einem Dämpfungsband des Hochpassfilters (102) enthalten ist.
DE102012203215.0A 2011-03-04 2012-03-01 Hochfrequenzschaltmodul Expired - Fee Related DE102012203215B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-047901 2011-03-04
JP2011047901A JP5293762B2 (ja) 2011-03-04 2011-03-04 高周波スイッチモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102012203215A1 true DE102012203215A1 (de) 2012-09-06
DE102012203215B4 DE102012203215B4 (de) 2014-10-16

Family

ID=46671556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012203215.0A Expired - Fee Related DE102012203215B4 (de) 2011-03-04 2012-03-01 Hochfrequenzschaltmodul

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8699966B2 (de)
JP (1) JP5293762B2 (de)
CN (1) CN102684732B (de)
DE (1) DE102012203215B4 (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101991489B1 (ko) * 2012-09-03 2019-09-30 삼성전자주식회사 무선 통신 회로와 장치 및 그 제어 방법
US9128177B2 (en) * 2013-05-29 2015-09-08 Nokia Technologies Oy Band grouping combinations for tunable UMTS multi-band filters
US9621327B2 (en) * 2013-09-17 2017-04-11 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to carrier aggregation front-end module applications
CN111355497B (zh) * 2013-09-17 2022-08-23 株式会社村田制作所 高频模块及通信装置
WO2015151329A1 (ja) * 2014-04-01 2015-10-08 株式会社村田製作所 アンテナ整合装置
CN106134075B (zh) * 2014-04-08 2019-04-23 株式会社村田制作所 高频模块
JP6477731B2 (ja) * 2015-02-05 2019-03-06 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール
WO2016194923A1 (ja) * 2015-06-03 2016-12-08 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路
JP6376291B2 (ja) 2015-06-03 2018-08-22 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路
KR101945798B1 (ko) * 2015-06-16 2019-02-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 프런트엔드 회로
JP6465210B2 (ja) * 2015-06-24 2019-02-06 株式会社村田製作所 分波回路
JP6451605B2 (ja) 2015-11-18 2019-01-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN105634533A (zh) * 2015-12-25 2016-06-01 广州科技职业技术学院 通信装置及其功率放大电路
CN109560832A (zh) * 2019-01-24 2019-04-02 广西芯百特微电子有限公司 一种用于5g通信的射频电路及终端
CN114641937B (zh) * 2019-11-20 2023-08-08 株式会社村田制作所 高频电路、高频前端电路以及通信装置
CN112929039B (zh) * 2021-02-25 2022-11-08 浙江海通通讯电子股份有限公司 一种高频模块及通信装置
CN116938429A (zh) * 2022-04-11 2023-10-24 中兴通讯股份有限公司 多工器、射频设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010528498A (ja) 2007-04-23 2010-08-19 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 共有アンテナを備える多帯域マルチスタンダード通信エンドデバイス用のフロントエンドモジュール

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19960299A1 (de) 1999-12-14 2001-06-21 Epcos Ag Duplexer mit verbesserter Sende-/Empfangsbandtrennung
DE10053205B4 (de) * 2000-10-26 2017-04-13 Epcos Ag Kombinierte Frontendschaltung für drahtlose Übertragungssysteme
EP1223634A3 (de) * 2000-12-26 2003-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Hochfrequenzschalter, laminierter Hochfrequenzschalter, Hochfrequenz-Funkeinheit und Hochfrequenz-Schaltverfahren
JP2002325049A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Hitachi Ltd 異なる通信方式に共用可能な通信端末およびこれに用いるアンテナ共用器、電力増幅器
JP4123435B2 (ja) * 2003-10-14 2008-07-23 富士通メディアデバイス株式会社 高周波スイッチモジュール
JP2005269305A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Sharp Corp 高周波フロントエンド回路および高周波通信装置
US20060189277A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Tero Ranta Transceiver device with switching arrangement of improved linearity
JPWO2006118055A1 (ja) * 2005-04-27 2008-12-18 松下電器産業株式会社 無線送信装置、ポーラ変調送信装置及び無線通信装置
JP4637026B2 (ja) * 2006-02-08 2011-02-23 株式会社日立メディアエレクトロニクス 高周波回路装置及びこれを搭載した通信装置。
DE102006025169A1 (de) * 2006-05-30 2007-12-13 Benq Mobile Gmbh & Co. Ohg Sende-/Empfangsanordnung und Verfahren zur Signalverarbeitung in einer Sende-/Empfangsanordnung
WO2008004396A1 (fr) 2006-07-05 2008-01-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module de filtre et appareil de communication
JP5257719B2 (ja) * 2009-07-02 2013-08-07 株式会社村田製作所 無線通信用高周波回路及び無線通信機

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010528498A (ja) 2007-04-23 2010-08-19 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 共有アンテナを備える多帯域マルチスタンダード通信エンドデバイス用のフロントエンドモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
DE102012203215B4 (de) 2014-10-16
CN102684732A (zh) 2012-09-19
CN102684732B (zh) 2014-09-10
JP2012186623A (ja) 2012-09-27
JP5293762B2 (ja) 2013-09-18
US8699966B2 (en) 2014-04-15
US20120224514A1 (en) 2012-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012203215B4 (de) Hochfrequenzschaltmodul
DE102012223187B4 (de) System und Verfahren für einen Hochfrequenzschalter
DE102015106509B4 (de) System und Verfahren für eine integrierte Hochfrequenzschaltung
DE102019210493A1 (de) Hybrides akustisches lc-filter kaskadiert mit lc-filter
DE102015122185B4 (de) Multiplexervorrichtung mit einer ersten und einer zweiten Filtereinrichtung, die mit einem gemeinsamen Anschluss verbunden sind
DE112009005411B4 (de) Leistungsverstärkerschaltung und Anpassungsschaltung
DE102012108030B4 (de) Multiplexer mit verringerten Intermodulationsprodukten
DE102015108819A1 (de) System und Verfahren für einen Hochfrequenz-Schalter
DE102012010201A1 (de) Kommunikationsmodul
DE102008003820B4 (de) Frontendschaltung
DE102011111951A1 (de) Einstellbares Filter, einstellbarer Duplexer und damit arbeitendes mobiles Nachrichtenendgerät
DE112015004609T5 (de) Abzweigungsvorrichtung
DE10115851A1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE102017115705A1 (de) Multiplexierer, Hochfrequenz-Frontend-Kreis, Kommunikationsvorrichtung und Konstruktionsverfahren für einen Multiplexierer
DE102010037624A1 (de) Multiplexer
DE102015104621A1 (de) System und Verfahren für einen rauscharmen Verstärker
EP3292634B1 (de) Hf-schaltung und hf-modul
DE112013007619T5 (de) HF-Antennenschalter und Verfahren zum Betreiben des Antennenschalters
DE102012202299B4 (de) Empfänger zum Empfangen von HF-Signalen in einer Mehrzahl von unterschiedlichen Kommunikationsbändern und Sende-/ Empfangsgerät
DE102018103642A1 (de) Electronic RF Filter
DE102016125014A1 (de) RF Frontend-Schaltung
DE102009012170B4 (de) Integrierte Verstärkerschaltung und Verfahren zum Bereitstellen einer Gleichstromversorgung
DE102005020084B4 (de) Empfänger mit Hochfrequenz-Schaltanordnung
DE102010029076A1 (de) Hochfrequenzmodul
WO2020254311A1 (de) Schaltungsanordnung zur übertragung von funksignalen und verfahren zum betrieb einer schaltungsanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee