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Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung betreffen ein Verfahren zum Erzeugen eines Takt-Subsignals eines Oszillators und eine Oszillatorschaltung.
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Oszillatoren sind in elektronischen Schaltungen zum Erzeugen eines Taktsignals weit verbreitet. Solche Taktsignale werden beispielsweise in Schaltwandlern zum Definieren der Frequenz eines pulsweitenmodulierten (PWM) Signals, in digitalen Schaltungen zum Synchronisieren des Betriebs einzelner Bauelemente in den digitalen Schaltungen oder in Kommunikationsschaltungen zum Synchronisieren eines Transmitters und eines Empfängers, die jeweils an einen Übertragungskanal gekoppelt sind, verwendet.
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Verschiedene Arten von Oszillatoren sind bekannt, wie beispielsweise Quarzoszillatoren, mikromechanische Oszillatoren oder Relaxationsoszillatoren. Relaxationsoszillatoren umfassen ein kapazitives Bauelement, das mit einem konstanten Strom periodisch geladen und entladen wird, um ein dreieckförmiges oszillierendes Signal zu erzeugen. Bei dieser Art von Oszillator wird eine Spannung über dem kapazitiven Bauelement mit wenigstens einer Referenzspannung verglichen, um Zeitpunkte zu definieren, zu denen der Oszillator zwischen einem Laden und Entladen (oder umgekehrt), des kapazitiven Bauelements umschaltet. Dies erfordert die Verwendung wenigstens eines Komparators. Komparatoren weisen jedoch eine Laufzeitverzögerung (propagation delay) auf, die abhängig ist von mehreren verschiedenen Faktoren und die die Frequenz des oszillierenden Signals beeinflusst. Die Laufzeitverzögerung eines Komparators kann abhängig sein von Variationen in dessen Herstellungsprozess, jedoch auch von externen Faktoren während des Betriebs, wie beispielsweise der Umgebungstemperatur. Die externen Faktoren, die über der Zeit variieren können, können zu einem oszillierenden Signal mit einer zeitlich variierenden Frequenz führen.
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Die
US 6 052 035 A beschreibt ein Verfahren zum Erzeugen eines Taktsignals. Bei diesem Verfahren werden zwei Kondensatoren abwechselnd jeweils ausgehend von einem vorgegebenen Anfangswert geladen und eine Spannung über jedem der beiden Kondensatoren wird mit einem Schwellenwert verglichen. Erreicht die Spannung über einem ersten der beiden Kondensatoren den Schwellenwert, wird ein erster Signalpegeldes Taktsignals erzeugt und erreicht die Spannung über einem zweiten der beidenKondensatoren den Schwellenwert, wird ein zweiter Signalpegel des Taktsignals erzeugt.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Erzeugen eines oszillierenden Signals zur Verfügung zu stellen, bei dem Laufzeitverzögerungen keinen oder allenfalls einen geringen Einfluss haben, und eine entsprechende Oszillatorschaltung zur Verfügung zu stellen. Diese Aufgabe wird durch Verfahren gemäß Anspruch 1 und durch eine Oszillatorschaltung gemäß Anspruch 14 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
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Ein Aspekt betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer Zeitdauer eines Takt-Subsignals (Subtaktsignals) eines Taktsignals. Das Verfahren umfasst das Vorladen eines kapazitiven Speicherelements bis ein Schwellenwertdetektor detektiert, dass eine Spannung an einem ersten Anschluss des kapazitiven Speicherelements einen ersten Schwellenwert überschritten hat, und das Beenden des Ladens des kapazitiven Speicherelements wenn der Schwellenwertdetektor detektiert, dass die Spannung an dem ersten Anschluss des kapazitiven Speicherelements einen ersten Schwellenwert überschritten hat. Das Verfahren umfasst außerdem das Weiterführen des Ladens des kapazitiven Speicherelements wenn ein Zeitintervall zum Erzeugen eines Subtakts beginnt, und das Beenden des Subtakts, wenn der Schwellenwertdetektor detektiert, dass die Spannung an dem ersten Anschluss des kapazitiven Speicherelements einen zweiten Schwellenwert überschritten hat, wobei der erste Ladezustand abhängig von einem bei Detektion des zweiten Ladezustands auftretenden Laufzeitfehler ist, um diesen Laufzeitfehler zu kompensieren.
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Ein weiterer Aspekt betrifft eine Oszillatorschaltung, die wenigstens zwei Oszillatoreinheiten aufweist. Die wenigstens zwei Oszillatoreinheiten sind dazu ausgebildet, abwechselnd eine frequenzbestimmende Subperiode zu erzeugen, wobei das Erzeugen der Subperiode das Laden eines kapazitiven Speicherelement von einem ersten Ladezustand auf einen zweiten Ladezustand umfasst. Ein Laufzeitfehler bei Detektion des zweiten Ladezustands wird kompensiert durch Vorladen des kapazitiven Speicherelements während einer vorangehenden Subperiode auf den ersten Ladezustand, der abhängig von dem Laufzeitfehler ist.
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Beispiele werden nachfolgend anhand von Zeichnungen erläutert. Die Zeichnungen dienen zur Erläuterung des Grundprinzips, so dass nur solche Merkmale dargestellt sind, die zum Verständnis des Grundprinzips notwendig sind. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht. In den Zeichnungen bezeichnen, sofern nichts anderes angegeben ist, gleiche Bezugszeichen gleiche Merkmale mit gleicher Bedeutung.
- 1 veranschaulicht ein erstes Ausführungsbeispiel einer Oszillatorschaltung.
- 2 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel einer Ladeschaltung.
- 3 veranschaulicht ein erstes Ausführungsbeispiel einer Entladeschaltung.
- 4 veranschaulicht ein zweites Ausführungsbeispiel einer Entladeschaltung.
- 5 veranschaulicht ein zweites Ausführungsbeispiel einer Oszillatorschaltung, die eine Modifikation der Oszillatorschaltung gemäß 1 ist.
- 6 zeigt Zeitverläufe, die das Funktionsprinzip der Oszillatorschaltung gemäß 5 veranschaulicht.
- 7 zeigt Zeitverläufe, die das Funktionsprinzip einer Ausgangsschaltung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel veranschaulichen.
- 8 zeigt Zeitverläufe, die das Funktionsprinzip einer Ausgangsschaltung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel veranschaulichen.
- 9 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel einer Ausgangsschaltung der Oszillatorschaltung gemäß 1 und 2.
- 10 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Oszillatorschaltung.
- 11 zeigt Zeitverläufe, die das Funktionsprinzip der Oszillatorschaltung gemäß 10 veranschaulichen.
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1 veranschaulicht ein erstes Ausführungsbeispiel einer Oszillatorschaltung. Die Oszillatorschaltung umfasst n, mit n≥2, kapazitive Speicherelemente 111 , 11n , wie beispielsweise Kondensatoren. Die Oszillatorschaltung gemäß 1 umfasst n=2 kapazitive Speicherelemente. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel. Es ist auch möglich mehr als n=2 kapazitive Speicherelemente zu verwenden, was nachfolgend anhand von 10 noch im Detail erläutert ist. Die kapazitiven Speicherelemente sind insbesondere so ausgebildet, dass sie eine lineare Kapazität aufweisen, d.h. dass die Spannung über einem kapazitiven Speicherelement linear ansteigt, wenn die in dem kapazitiven Speicherelement gespeicherte Ladung linear zunimmt. Die kapazitiven Speicherelemente können als herkömmliche Kondensatoren ausgebildet sein, wie beispielsweise als Plattenkondensatoren, als Koppelkondensatoren zwischen Leitungen, oder als MOS-Kondensatoren.
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Jedes der kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n ist in einer Oszillatoreinheit 101 , 10n angeordnet. Die Oszillatoreinheiten 101 , 10n erzeugen jeweils ein Takt-Subsignal CLK1 , CLKn , das einer Steuer- und Ausgangsschaltung 2 zugeführt ist. Die Steuer- und Ausgangsschaltung 2 erzeugt ein Taktsignal CLK an einem Ausgang und steuert den Betrieb der einzelnen Oszillatoreinheiten 101 , 10n in einer Weise, die nachfolgend noch im Detail erläutert ist.
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Jede der Oszillatoreinheiten 101 , 10n umfasst eine Ladeschaltung 121 , 12n , die an einen ersten Anschluss des zugehörigen kapazitiven Speicherelements 111 , 11n angeschlossen ist. Die Ladeschaltungen 121 , 12n sind steuerbare Ladeschaltungen, die durch Steuersignale S121 , S12n , die durch die Steuer- und Ausgangsschaltung 20 erzeugt werden, gesteuert sind. Die Ladeschaltungen 121 , 12n können durch ihre Steuersignale S121 , S12n aktiviert und deaktiviert werden, wobei die Ladeschaltungen 121 , 12n im aktivierten Zustand einen konstanten Ladestrom, der sich von Null unterscheidet, an die kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n liefert, während der Ladestrom im deaktivierten Zustand Null ist. Die Ladeschaltungen 121 , 12n sind jeweils zwischen einen Anschluss für ein Versorgungspotential V+ und den ersten Anschluss des zugehörigen Ladungsspeicherelements 111 , 11n geschaltet. Das Versorgungspotential V+ kann für jede der Ladeschaltungen 121 , 12n dasselbe sein. Es ist jedoch auch möglich, verschiedene Versorgungspotentiale für die einzelnen Ladeschaltungen 121 , 12n zu erzeugen.
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Bezugnehmend auf 2 kann jede der Ladeschaltungen 121 , 12n eine konstante Stromquelle 121 und einen Schalter 122, der in Reihe zu der Stromquelle 121 geschaltet ist, aufweisen, wobei der Schalter durch das zugehörige Steuersignal S121 , S12n ein- und ausgeschaltet wird. In 2 repräsentiert die Ladeschaltung 12i eine der Ladeschaltungen 121 , 12n , die in 1 dargestellt sind, und das Steuersignal S12i repräsentiert das zugehörige Steuersignal S121 , S12n , das in 1 dargestellt ist.
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Die Kapazitäten der einzelnen kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n können gleich oder können unterschiedlich sein. Außerdem können die durch die Ladeschaltungen 121 , 12n erzeugten Ladeströme gleich oder unterschiedlich sein. Es sei allerdings erwähnt, dass exakt dieselben Kapazitäten und exakt dieselben Ladeströme schwierig zu realisieren sind, da es unvermeidliche Toleranzen im Herstellungsprozess der einzelnen kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n und Ladeschaltungen 121 , 12n gibt. Daher bedeutet in diesem Zusammenhang „gleich“, dass Unterschiede der Kapazitäten und der Ladeströme von bis zu 2% oder von sogar bis zu 5% vorhanden sein können.
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Jede der Oszillatoreinheiten 101 , 10n umfasst außerdem eine steuerbare Entladeschaltung 131 , 13n . Die Entladeschaltungen 131 , 13n können durch Steuersignale S131 , S13n , die durch die Steuer- und Ausgangsschaltung erzeugt werden, aktiviert und deaktiviert werden. Im deaktivierten Zustand entladen die Entladeschaltungen 131 , 13n die zugehörigen kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n . Hierzu sind die Entladeschaltungen 131 , 13n zwischen den ersten Anschluss des zugehörigen kapazitivem Speicherelements 111 , 11n und einen Anschluss für ein gemeinsames Bezugspotential GND, wie beispielsweise Masse, geschaltet.
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3 veranschaulicht ein erstes Ausführungsbeispiel der Entladeschaltungen 131 , 13n . Die Entladeschaltung 13i , die in 3 dargestellt ist, repräsentiert eine der Entladeschaltungen 131 , 13n gemäß 1 und das Steuersignal S13i in 3 repräsentiert eines der Steuersignale S131 , S13n gemäß 1. Bezugnehmend auf 3 kann die Entladeschaltung 13i mit einer Stromquelle 131 und einem in Reihe zu der Stromquelle 131 geschalteten Schalter 132 realisiert sein. Der Schalter 132 wird durch das Steuersignal S13i gesteuert. Die Entladeschaltung 13 ist aktiviert, wenn das Steuersignal S13i den Schalter 132 einschaltet und die Entladeschaltung 13i ist deaktiviert, wenn das Steuersignal S13i den Schalter 132 ausschaltet. Im aktivierten Zustand zieht die Entladeschaltung 13i gemäß 3 einen Entladestrom aus dem zugehörigen kapazitiven Speicherelement 111 , 11n , wobei der Entladestrom definiert ist durch den durch die Stromquelle 131 bereitgestellten Strom.
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4 veranschaulicht ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Entladeschaltung 13i . Bei diesem Ausführungsbeispiel umfasst die Entladeschaltung 13i nur den Schalter 132, der durch das Steuersignal S13i gesteuert ist. Diese Art von Entladeschaltung wird aktiviert, wenn der Schalter 132 eingeschaltet ist (geschlossen ist) und ist deaktiviert, wenn der Schalter 132 ausgeschaltet ist (geöffnet ist). Bei der Entladeschaltung gemäß 4 ist der aus dem zugehörigen Speicherelement 111 , 11n gezogene Entladestrom abhängig von einer Potentialdifferenz zwischen dem elektrischen Potential an dem ersten Anschluss des zugehörigen kapazitiven Speicherelements 111 , 11n und dem Bezugspotential GND, während bei der Entladeschaltung gemäß 3 der Entladestrom durch die Stromquelle 131 definiert ist.
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Es ist möglich, die Entladeschaltungen 131 , 13n unterschiedlich zu realisieren. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist eine der Entladeschaltungen 131 , 13n wie in 3 ausgebildet, während eine andere der Entladeschaltungen wie in 4 ausgebildet ist.
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Bezugnehmend auf 1 umfasst jede Oszillatoreinheit einen Anschluss für ein erstes Referenzpotential REF11 , REF1n und einen Anschluss für ein zweites Referenzpotential REF21 , REF2n . Abhängig von Potentialsteuersignalen S141 , S14n , die durch die Steuer- und Ausgangsschaltung 2 erzeugt werden, sind zweite Anschlüsse der kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n entweder an den entsprechenden Anschluss für das erste Potential REF11 , REF1n oder an den entsprechenden Anschluss für das zweite Referenzpotential REF21 , REF2n angeschlossen. Hierzu umfasst jede der Oszillatoreinheiten 101 , 10n einen Schalter 141 , 14n , der an den zweiten Anschluss des zugehörigen kapazitiven Speicherelements 111 , 11n gekoppelt ist. Jeder dieser Schalter ist dazu ausgebildet, den zweiten Anschluss des zugehörigen kapazitiven Speicherelements 111 , 11n zwischen den Anschluss für das erste Referenzpotential REF11 , REF1n und den Anschluss für das zweite Referenzpotential REF21 , REF2n , jeweils gesteuert durch das Steuersignal S141 , S14n , umzuschalten.
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Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist das erste Referenzpotential REF11 , REF1n , das an dem ersten Anschluss in jeder der Oszillatoreinheiten 101 , 10n verfügbar ist, höher als das zweite Referenzpotential REF21 , REF2n , das an dem zweiten Anschluss zur Verfügung steht. Die ersten Referenzpotentiale REF11 , REF1n werden beispielsweise durch erste Spannungsquellen 151 , 15n erzeugt, wobei jede dieser Spannungsquellen zwischen einen der Anschlüsse für das erste Referenzpotential REF11 , REF1n und ein gemeinsames Bezugspotential geschaltet sind. Die zweiten Referenzpotentiale REF21 , REF2n werden beispielsweise durch zweite Spannungsquellen 161 , 16n erzeugt, die jeweils zwischen einen der Anschlüsse für das zweite Referenzpotential REF21 , REF2n und das gemeinsame Bezugspotential GND geschaltet sind. Die zweiten Spannungsquellen 161 , 16n sind optional. Wenn diese zweiten Referenzspannungsquellen 161 , 16n weggelassen werden, entsprechen die zweiten Referenzpotentiale REF21 , REF2n der einzelnen Oszillatoreinheiten dem gemeinsamen Bezugspotential GND.
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Außerdem kann jede Oszillatoreinheit 101 , 10n einen Schwellenwertdetektor 171 , 17n aufweisen, der dazu ausgebildet ist, die elektrischen Potentiale V111 , V11n an den ersten Anschlüssen der kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n oder die Spannungen V111 , V11n zwischen den ersten Anschlüssen und dem gemeinsamen Bezugspotential mit Referenzspannungen V181 , V18n zu vergleichen, die durch weitere Referenzspannungsquellen 181 , 18n erzeugt werden. Jeder der Schwellendetektoren 171 , 17n ist insbesondere dazu ausgebildet zu detektieren, wenn das elektrische Potential V111 , V11n , das er überwacht, die zugehörige Referenzspannung V181 , V18n erreicht und ein Ausgangssignal zu erzeugen, das anzeigt, wenn das überwachte elektrische Potential V111 , V11n die zugehörige Referenzspannung V181 , V18n erreicht. Die Takt-Subsignale CLK1 , CLKn , die durch die einzelnen Oszillatoreinheiten 101 , 10n erzeugt werden, sind an den Ausgängen dieser Schwellendetektoren 171 , 17n verfügbar.
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Die Schwellendetektoren 171 , 17n können als Komparatoren ausgebildet sein, wie dies in 1 dargestellt ist. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel. Jeder dieser Schwellendetektoren 171 , 17n könnte auch als Schmitt-Trigger, als Inverter oder als Inverterkette mit wenigstens zwei in Reihe geschalteten Invertern ausgebildet sein. In einem Schmitt-Trigger oder einem Inverter wird die Referenzspannung intern erzeugt, wobei das Ausgangssignal eines Schmitt-Triggers oder Inverters jedes Mal dann wechselt, wenn ein Eingangssignal den intern erzeugten Schwellenwert erreicht.
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Die ersten Referenzpotentiale REF11 , REF1n der einzelnen Oszillatoreinheiten 101 , 10n können sich voneinander unterscheiden, die zweiten Referenzpotentiale REF21 , REF2n der einzelnen Oszillatoreinheiten 101 , 10n können sich voneinander unterscheiden und die Referenzspannungen V181 , V18n können sich voneinander unterscheiden. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel. Gemäß einem in 5 dargestellten weiteren Ausführungsbeispiel weisen die einzelnen Oszillatoreinheiten 101 , 10n ein gemeinsames Referenzpotential REF1, das durch eine erste Referenzpotentialquelle 15 erzeugt wird, weisen ein gemeinsames zweites Referenzpotential REF2 auf, das durch eine zweite Referenzpotentialquelle 16 erzeugt wird, und weisen ein gemeinsames Referenzpotential V18 auf, das durch eine gemeinsame Referenzpotentialquelle 18 erzeugt wird.
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Das Funktionsprinzip der Oszillatorschaltungen gemäß der 1 und 5 ist nachfolgend anhand von 6 erläutert. 6 veranschaulicht Zeitverläufe der Spannung V111 an dem ersten Anschluss des ersten kapazitiven Speicherelements 111 , der Spannung V11n an dem ersten Anschluss des zweiten kapazitiven Speicherelements 11n , der Spannung VR1 an dem zweiten Anschluss des ersten kapazitiven Speicherelements 111 und der Spannung VRn an dem zweiten Anschluss des zweiten kapazitiven Speicherelements 11n . Diese Spannungen sind Spannungen, die auf das gemeinsame Bezugspotential GND bezogen sind. Außerdem veranschaulicht 6 Zeitverläufe von Ladeströmen I121 , I12n und von Entladeströmen I131 , I13n der ersten und zweiten Oszillatoreinheiten 101 bzw. 10n . Außerdem veranschaulicht 6 Zeitverläufe der ersten und zweiten Takt-Subsignale CLK1 , CLKn .
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Zu Zwecken der Erläuterung sei angenommen, dass, wie in 5 dargestellt ist, die ersten Referenzpotentiale REF11 , REF1n , gleich sind, so dass REF11=REF1n=REF1, dass die zweiten Referenzpotentiale REF21 , REF2n gleich sind, so dass REF21=REF2n=REF2, und dass die Referenzspannungen V181 , V18n gleich sind, so dass V181=V18n=V18. Allerdings sind die Zeitverläufe gemäß 6 auch repräsentativ für das Funktionsprinzip der Oszillatorschaltung gemäß 1, wenn jeweils unterschiedliche erste Referenzpotentiale REF11 , REF1n , jeweils unterschiedliche zweite Referenzpotentiale REF21 , REF2n und jeweils unterschiedliche Referenzspannungen V181 , V18n verwendet werden.
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Bei dem durch die Oszillatorschaltungen gemäß der 1 und 5 durchgeführten Verfahren wird das Taktsignal CLK so erzeugt, dass es aufeinanderfolgende Oszillationsperioden aufweist, wobei jede Oszillationsperiode wenigstens n aufeinanderfolgende Subperioden aufweist. Jede dieser Subperioden wird unter Verwendung eines der kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n erzeugt. In 6 bezeichnet T die Zeitdauer einer Periode des Oszillatorsignals CLK, T1 bezeichnet die Zeitdauer der Subperiode, die unter Verwendung des ersten kapazitiven Speicherelements 111 erzeugt wird, und Tn bezeichnet die Dauer der Subperiode, die unter Verwendung des zweiten kapazitiven Speicherelements 11n erzeugt wird. Jedes der ersten und zweiten kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n kann einen ersten Ladezustand und einen zweiten Ladezustand annehmen. Die Dauern T1 , Tn der ersten und zweiten Subperioden sind solche Zeitdauern, die benötigt werden, den Ladezustand der korrespondierenden kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n vom durch den zugehörigen Schwellendetektor 171 , 17n detektierten ersten Ladezustand zu dem durch den zugehörigen Schwellenwertdetektor 171 , 17n detektierten zweiten Ladezustand zu ändern, wobei das Ändern des Ladezustands das Bereitstellen eines konstanten Stroms aus der korrespondieren Ladeschaltung 121 , 12n an das korrespondierende kapazitive Speicherelement 111 , 11n umfasst.
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Das Funktionsprinzip des Änderns des Ladezustands des kapazitiven Speicherelements 111 , 11n vom ersten Ladezustand zu dem zweiten Ladezustand und das Zurücksetzen des Ladezustands vom zweiten Ladezustand auf den ersten Ladezustand ist für beide kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n , gleich. Nachfolgend bezeichnet 11i eines der n kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n . REF1i bezeichnet das korrespondierende erste Referenzpotential, REF2i bezeichnet das korrespondierende zweite Referenzpotential, VRi bezeichnet die Spannung an dem zweiten Anschluss des kapazitiven Speicherelements 111 und V18i bezeichnet die korrespondierende Schwellenspannung, die nachfolgend auch als Schwellendetektorreferenzpotential bezeichnet wird. Zu Zwecken der Erläuterung sei angenommen, dass REF1i=REF1, REF2i=REF2 und V18i=V18. Nachfolgend bezeichnet Ti die Dauer der Subperiode, die unter Verwendung des kapazitiven Speicherelements 11i erzeugt wird.
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Das kapazitive Speicherelement 11i ist im ersten Ladezustand, wenn das elektrische Potential VRi an dem zweiten Anschluss dem ersten Referenzpotential REF1i entspricht und wenn das elektrische Potential V11i am ersten Anschluss dem Schwellenwertdetektorreferenzpotential V18i entspricht, was durch den entsprechenden Schwellendetektor 17i detektiert wird.
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Bezugnehmend auf 6 wird zu Beginn jeder Subperiode Ti das elektrische Potential VRi an dem zweiten Anschluss des kapazitiven Speicherelements 11i von dem ersten Referenzpotential REF1i auf das niedrigere zweite Referenzpotential REF2i umgeschaltet, so dass das Potential V11i an dem ersten Anschluss zu Beginn jeder Subperiode rasch absinkt. Während der Subperiode steigt das elektrische Potential V11i an dem ersten Anschluss dann aufgrund des Ladestroms I12i , der dem kapazitiven Speicherelement 11i zugeführt ist, an. Bei dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel werden die kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n so angesteuert, dass sie abwechselnd ihre Ladezustände vom ersten Ladezustand zum zweiten Ladezustand ändern, so dass, sobald eines der kapazitiven Speicherelemente den zweiten Ladezustand erreicht hat, der Ladeprozess des anderen der kapazitiven Speicherelemente beginnt. Entsprechend umfasst eine Periode T oder ein Taktzyklus des Taktsignals CLK zwei aufeinanderfolgende Subperioden T1 , T2, wobei jede dieser Subperioden durch den Ladeprozess eines der kapazitiven Speicherelemente 111 , 112 definiert ist.
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Nachdem eines der kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n den zweiten Ladezustand erreicht hat, muss der Ladezustand auf den ersten Ladezustand zurückgesetzt werden, bevor eine neue Subperiode, die durch dieses kapazitive Speicherelement definiert ist, beginnt. Bei dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel wird der Ladezustand jedes kapazitiven Speicherelements 111 , 11n während derjenigen Subperiode zurückgesetzt, in der das andere der kapazitiven Speicherelemente „aktiv“ ist. Ein kapazitives Speicherelement ist aktiv, wenn es seinen Ladezustand von dem ersten Ladezustand zu dem zweiten Ladezustand ändert. Bei dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel wird das erste kapazitive Speicherelement 111 während der Subperiode Tn zurückgesetzt, während der das zweite kapazitive Speicherelement 11n aktiv ist, und das zweite kapazitive Speicherelement 11n wird während der Subperiode T1 zurückgesetzt, während der das erste kapazitive Speicherelement 111 aktiv ist. Das Zurücksetzen des kapazitiven Speicherelements 11i von dem zweiten Ladezustand auf den ersten Ladezustand umfasst: Umschalten des Referenzpotentials VRi an dem zweiten Anschluss von dem niedrigeren zweiten Referenzpotential REF2i auf das höhere erste Referenzpotential REF1i ; Entladen des kapazitiven Speicherelements 11i bis das elektrische Potential V11i das Schwellendetektorreferenzpotential V18i erreicht oder unter dieses Schwellendetektorreferenzpotential V18i absinkt; und erneutes Laden des kapazitiven Speicherelements 11i unter Verwendung des Ladestroms I12i bis das elektrische Potential V11i an dem ersten Anschluss detektiert durch den zugehörigen Schwellendetektor 17i das Schwellendetektorreferenzpotential V18i erreicht. Dies wird nachfolgend anhand des ersten kapazitiven Speicherelements 111 erläutert, das seinen Ladezustand während der Subperiode Tn vom zweiten Ladezustand zurück zum ersten Ladezustand ändert.
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Bezugnehmend auf 6 ändert sich das Potential VR1 an dem zweiten Anschluss des kapazitiven Speicherelements 111 von dem unteren zweiten Referenzpotential REF21=REF2 auf das höhere erste Referenzpotential REF11=REF1 zu Beginn der Subperiode Tn , so dass das Potential V111 an dem ersten Anschluss rasch ansteigt. Durch den Entladestrom I131 nimmt dann das Potential V111 an dem ersten Anschluss ab, bis dieses Potential des Schwellendetektorreferenzpotentials V181=V18 erreicht, oder unter dieses Schwellendetektorreferenzpotential absinkt. Nachdem das Potential V111 an dem ersten Anschluss das Schwellendetektorreferenzpotential V181 erreicht, oder unter dieses abgesunken ist, wird das erste kapazitive Speicherelement 111 erneut und unter Verwendung des Ladestroms I121 geladen, bis die Spannung V111 an dem ersten Anschluss detektiert durch den Schwellendetektor 171 das Schwellendetektorreferenzpotential V181 erreicht. Wenn das Potential V111 an dem ersten Anschluss das Schwellendetektorreferenzpotential V181 erreicht, endet der Ladestrom I121 . Dieser Ladestrom I121 beginnt T1 erneut zu fließen zu Beginn der nächsten Subperiode, in der das erste kapazitive Speicherelement 111 seinen Ladezustand von dem ersten Ladezustand zu dem zweiten Ladezustand ändert, um die Subperiode T1 zu definieren, oder, genauer, um die Dauer T1 der Subperiode zu definieren.
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Bezugnehmend auf 6 sind Verzögerungszeiten zwischen solchen Zeitpunkten, zu denen das Potential V11i an dem ersten Anschluss eines kapazitiven Speicherelements 11i das Schwellendetektorreferenzpotential V18i erreicht, und solchen Zeitpunkten, zu denen ein korrespondierendes Takt-Subsignal CLKi seinen Signalpegel ändert, vorhanden. Solche Verzögerungszeiten treten auf, wenn das kapazitive Speicherelement 111 seinen Ladezustand von dem ersten Ladezustand zu dem zweiten Ladezustand ändert und wenn das kapazitive Speicherelement 111 wieder auf den ersten Ladezustand zurückgesetzt wird. Diese Verzögerungszeiten werden unter Bezugnahme auf solche Verzögerungszeiten erläutert, die während Lade- und Entladeprozessen des ersten kapazitiven Speicherelements 111 auftreten. In der Subperiode T1 , die durch das erste kapazitive Speicherelement definiert ist, erreicht das Potential V111 das Schwellendetektorreferenzpotential V181 zu einem ersten Zeitpunkt t1, während das erste Takt-Subsignal CLK1 am Ausgang des ersten Schwellendetektors 171 seinen Signalpegel zu einem späteren Zeitpunkt t2 ändert, um anzuzeigen, dass das Potential V111 das Schwellendetektorreferenzpotential erreicht hat. Eine Zeitdifferenz Td1 zwischen den ersten und zweiten Zeitpunkten t1, t2 ist aufgrund von Laufzeitverzögerungen (propagation delays) oder Laufzeiten (runtimes) in dem ersten Schwellendetektor 171 vorhanden. Diese Laufzeitverzögerung kann von verschiedenen Faktoren abhängig sein, wie beispielsweise von Variationen im Herstellungsprozess des Schwellendetektors, oder von externen Faktoren, wie beispielsweise der Umgebungstemperatur. Während diese Laufzeitverzögerung während der Lebensdauer des Schwellendetektors variieren kann, kann angenommen werden, dass die Laufzeitverzögerung innerhalb eines Taktzyklus des Taktsignals CLK konstant ist.
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Die Laufzeitverzögerung Td1 , die in der ersten Subperiode T1 auftritt, hat den Effekt, dass das Potential V111 an dem ersten Anschluss des ersten kapazitiven Speicherelements 111 am Ende der ersten Subperiode T1 oberhalb des Schwellendetektorreferenzpotentials V181 liegt. In der zweiten Subperiode Tn , wenn der Ladezustand des ersten kapazitiven Speicherelements 111 von dem zweiten Ladezustand auf den ersten Ladezustand zurückgesetzt wird, tritt die Laufzeitverzögerung des Schwellendetektors 171 zweimal auf, zum ersten Mal, wenn das kapazitive Speicherelement 111 entladen wird, und zum zweiten Mal, wenn dieses erste kapazitive Speicherelement 111 erneut geladen wird. Zu einem dritten Zeitpunkt t3 erreicht das absinkende Potential V111 das Schwellendetektorreferenzpotential V181 , während aufgrund einer Laufzeitverzögerung des Schwellendetektors 171 das Ausgangssignal CLK1 des ersten Schwellendetektors 171 seinen Signalpegel zu einem vierten Zeitpunkt t4 ändert. Eine Zeitdifferenz zwischen den dritten und vierten Zeitpunkten t3, t4 entspricht der Laufzeitverzögerung Td1 des Schwellendetektors 171 . Abhängig von der Art des Schwellendetektors der verwendet wird, kann die Laufzeitverzögerung Td1 (zwischen t1 und t2), die auftritt, wenn das Potential V111 über den Schwellenwert V181 ansteigt, verschieden sein von der Laufzeitverzögerung, die auftritt, wenn das Potential V111 unter den Schwellenwert V181 absinkt. Die Laufzeitverzögerung Td1 , die bei einer steigenden Flanke des Signalverlaufs des Potentials V111 auftritt, wird daher nachfolgend als erste Laufzeitverzögerung bezeichnet, während die Laufzeitverzögerung, die bei einer fallenden Flanke des Signalverlaufs des Potentials V111 auftritt, nachfolgend als zweite Laufzeitverzögerung Td2 bezeichnet wird.
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Später, in der zweiten Subperiode Tn , wenn das erste kapazitive Speicherelement 111 geladen wird, erreicht das Potential V111 das Schwellendetektorreferenzpotential V181 zu einem fünften Zeitpunkt t5, während das Ausgangssignal CLK1 des ersten Schwellendetektors 171 seinen Signalpegel zu einem sechsten Zeitpunkt t6 ändert. Eine Verzögerungszeit zwischen den fünften und sechsten Zeitpunkten t5, t6 entspricht der ersten Laufzeitverzögerung Td1 des ersten Schwellendetektors 171 . Eine Steigung der steigenden Flanke des Signalverlaufs des Potentials V111 ist zu den Zeitpunkten t1 und t5 gleich.
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Obwohl Laufzeitverzögerungen in den Schwellendetektoren 171 , 17n vorhanden sind, beeinflussen diese Laufzeitverzögerungen nicht die Dauern der Subperioden T1 , Tn und beeinflussen somit nicht die Frequenz f des Taktsignals CLK, wobei f=1/T=1/(T1+Tn). Nachfolgend wird die Dauer T1 der ersten Subperiode hergeleitet. Hieraus wird ersichtlich, dass die Dauer T1 der ersten Subperiode unabhängig ist von der Laufzeitverzögerung des ersten Schwellendetektors 171 . Es sei erwähnt, dass alles, was nachfolgend unter Bezugnahme auf die erste Subperiode T1 erläutert wird, für die zweite Subperiode Tn entsprechend gilt.
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Bezugnehmend auf
6 zeigt das erste Takt-Subsignal
CLK1 zum Zeitpunkt
t2 an, dass das erste kapazitive Speicherelement
111 den zweiten Ladezustand erreicht hat. Zu diesem Zeitpunkt wurde eine Ladung
Q2 in dem ersten kapazitiven Speicherelement
111 gespeichert, wobei:
wobei
C111 die Kapazität des ersten kapazitiven Speicherelements,
V181 das Schwellendetektorreferenzpotential,
REF2, das zweite Referenzpotential,
Td1 die Laufzeitverzögerung des ersten Schwellendetektors und
I121 der erste Ladestrom ist. In Gleichung (1) bezeichnet C11
1 ·(V18
1-REF2
1) die in dem ersten kapazitiven Speicherelement
111 gespeicherte Ladung, wenn die Spannung über dem kapazitiven Speicherelement
111 gleich V18
1-REF2
1 ist, und
Td1 ·I12
1 bezeichnet die Ladung, die zusätzlich in das kapazitive Speicherelement während der Laufzeitverzögerung
Td1 des ersten Schwellendetektors
171 fließt. Wenn das erste kapazitive Speicherelement
111 im ersten Ladezustand ist, wurde eine Ladung
Q1 in dem ersten kapazitiven Speicherelement 11
1 gespeichert, wobei:
wobei
REF11 das erste Referenzpotential ist. In Gleichung (2) ist C11
1·(V18
1-REF1
1) die in dem ersten kapazitiven Speicherelement
111 gespeicherte Ladung, wenn die Spannung über dem kapazitiven Speicherelement
111 gleich V18
1-REF1
1 ist, und Td
1·I12
1 ist die elektrische Ladung, die zusätzlich in das erste kapazitive Speicherelement
111 während der Laufzeitverzögerung des Schwellendetektors
171 fließt, nachdem das Potential
V111 an dem ersten Anschluss des kapazitiven Speicherelements
111 ein Schwellendetektorreferenzpotential
V181 erreicht hat. In dem Zeitdiagramm gemäß
6 ist die Zeitdauer, in der die zusätzliche Ladung in dem ersten kapazitiven Speicherelement
111 gespeichert wird, die Zeitdauer zwischen
t5 und
t6.
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Um den Ladezustand des ersten kapazitiven Speicherelements
111 von dem durch den ersten Schwellendetektor
171 detektierten ersten Ladezustand in den von dem ersten Schwellendetektor
171 detektierten zweiten Ladezustand zu ändern, muss eine Ladungsdifferenz ΔQ in dem ersten kapazitiven Speicherelement
111 gespeichert werden. Diese Ladungsdifferenz wird durch Laden des ersten kapazitiven Speicherelements
111 und den konstanten Ladestrom
I121 während der Zeitdauer
T1 bereitgestellt, so dass
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Unter Verwendung der Gleichungen (1)-(3) kann die Dauer
T1 der ersten Subperiode wie folgt ausgedrückt werden:
-
Aus Gleichung (4) ist ersichtlich, dass die Dauer T1 der ersten Subperiode nur abhängig ist von der Kapazität C111 des ersten kapazitiven Speicherelements 111 , von den ersten und zweiten Referenzpotentialen REF11 , REF21 und von dem Ladestrom I121 .
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Entsprechend kann die Dauer
Tn der zweiten Subperiode wie folgt ausgedrückt werden:
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Die Dauer Tn der zweiten Subperiode ist also nur abhängig von der Kapazität C11n des zweiten kapazitiven Speicherelements 11n , den ersten und zweiten Referenzpotentialen REF1n , REF2n der zweiten Oszillatorschaltung und von dem zweiten Ladestrom I12n . Die Dauer T eines Taktzyklus des Taktsignals CLK entspricht der Summe der zwei Subperioden, d.h.: T=T1+Tn.
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Bezugnehmend auf die Gleichungen (4) und (5) sind die einzelnen Subperioden unabhängig von den Schwellendetektorreferenzpotentialen und sind auch unabhängig von den Entladeströmen I131 , I13n .
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Das Taktsignal CLK kann aus den ersten und zweiten Takt-Subsignalen auf viele verschiedene Weisen erzeugt werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird das Taktsignal CLK von nur einem der Takt-Subsignale abgeleitet und weist eine steigende Flanke jedes Mal dann auf, wenn die steigende Flanke des zugehörigen Subsignals am Ende der Subperiode auftritt. 7 veranschaulicht ein Zeitdiagramm eines Taktsignals CLK, das von dem ersten Subsignal CLK1 abgeleitet ist. Bezugnehmend auf 6 weist das Taktsignal CLK eine steigende Flanke oder einen Taktimpuls am Ende jeder ersten Subperiode T1 auf. Die Dauer des Taktimpulses ist beliebig. In dem Ausführungsbeispiel gemäß 7 entspricht das Taktsignal CLK dem Impuls des ersten Subsignals CLK1 , der nach dem Ende jeder ersten Subperiode T1 auftritt.
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Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, das in 8 dargestellt ist, weist das Taktsignal CLK einen Taktimpuls während jeder der Subperioden auf. In diesem Fall sind, wenn die ersten und zweiten Subperioden T1 , Tn nicht gleich sind, die Zeitdauern zwischen zwei aufeinanderfolgenden Taktimpulsen unterschiedlich. Allerdings ist die mittlere Frequenz, die gegeben ist durch 2/(T1+Tn) und die unter Verwendung der Gleichungen (4) und (5) berechnet werden kann, konstant. Bei vielen Anwendungen kann eine variierende zeitliche Differenz zwischen aufeinanderfolgenden Taktimpulsen toleriert werden, solange die mittlere Frequenz konstant ist.
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9 veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel einer Steuer- und Ausgangsschaltung 2, der die Takt-Subsignale CLK1 , CLKn zugeführt sind und die das Taktsignal CLK, die Steuersignale S121 , S12n der Ladeschaltungen 121 , 12n , Steuersignale S131 , S13n für die Entladeschaltungen 131 , 13n , und die Steuersignale S141 , S14n zum Setzen der Referenzpotentiale an den zweiten Anschlüssen der kapazitiven Speicherelemente erzeugt. Die Steuerschaltung 2 gemäß 9 erzeugt das Taktsignal CLK entsprechend dem in 8 dargestellten Zeitverlauf.
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Die Steuerschaltung 2 umfasst ein Ausgangs-Flip-Flop 21 mit einem ersten Ausgangsanschluss QN und einem zweiten Ausgangsanschluss Q, wobei bei dem vorliegenden Beispiel der erste Ausgangsanschluss QN ein invertierender Ausgangsanschluss und der zweite Ausgangsanschluss Q ein nicht-invertierender Ausgangsanschluss ist. Das Potentialsteuersignal S141 der ersten Oszillatoreinheit ist an dem ersten Ausgang QN und das Potentialsteuersignal S14n der zweiten Oszillatoreinheit ist an dem zweiten Ausgang Q des Flip-Flops 21 verfügbar. Dadurch weisen diese zwei Potentialsteuersignale S141 , S14n komplementäre Signalpegel auf, so dass, wenn das elektrische Potential an dem zweiten Anschluss eines kapazitiven Speicherelements 111 , 11n erste Referenzpotential ist, elektrische Potentiale am zweiten Anschluss des anderen kapazitiven Speicherelements das zweite Referenzpotential ist. Die Steuersignale S121 , S12n für die Ladeschaltungen und das Steuersignal S131 , S13n der Entladeschaltungen werden abhängig von den Takt-Subsignalen CLK1 , CLKn und den Potentialsteuersignalen S141 , S14n erzeugt. Die Steuerschaltung 2 umfasst erste und zweite Logikeinheiten 201 , 20n , die diese Steuersignale S121 , S12n , S131 , S13n erzeugen. Jede dieser Logikeinheiten 201 , 20n umfasst ein NOR-Gatter 221 , 22n an seinem Eingang. Dem NOR-Gatter 221 der ersten Einheit 201 ist ein erstes Takt-Subsignal CLK1 und ein erstes Potentialsteuersignal S141 zugeführt und dem NOR-Gatter 22n der zweiten Einheit 20n ist das zweite Takt-Subsignal CLKn und das zweite Potentialsteuersignal S14n zugeführt. Das Ausgangssignal jedes dieser NOR-Gatter 221 , 22n ist dem Setz-Eingang eines Flip-Flops 241 , 24n zugeführt, wobei ein Ausgangssignal jedes Flip-Flops 241 , 24n zusammen mit einem Potentialsteuersignal S141 , S14n ein Steuersignal S131 , S13n einer Entladeschaltung definiert. Das Steuersignal S131 der ersten Entladeschaltung 131 ist am Ausgang eines weiteren NOR-Gatters 251 verfügbar, dem das Ausgangssignals 241 an einem ersten Eingang und das erste Potentialsteuersignal S141 an einem zweiten Eingang zugeführt ist. Das Steuersignal S13n der zweiten Entladeschaltung 13n ist an einem Ausgang eines NOR-Gatters 25n verfügbar, dem das Ausgangssignal des Flip-Flops 24n an einem ersten Eingang und das zweite Potentialsteuersignal S14n an einem zweiten Eingang zugeführt ist.
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Die Flip-Flops 241 , 24n werden durch die zugehörigen Potentialsteuersignale S141 , S14n zurückgesetzt.
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Die Steuersignale S121 , S12n der Ladeschaltungen 121 , 12n sind an Ausgängen von OR-Gattern 231 , 23n verfügbar. Jedem dieser OR-Gatter 231 , 23n ist das Ausgangssignal des Eingangs-NOR-Gatters 221 , 22n an einem ersten Eingang und das Potentialsteuersignal S141 , S14n an einem zweiten Eingang zugeführt.
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Das Taktsignal CLK ist am Ausgang eines weiteren NOR-Gatters 27 verfügbar, dem das Ausgangssignal des Flip-Flops 241 der ersten Einheit 201 an einem ersten Eingang und das Ausgangssignal des Flip-Flops 24n der zweiten Einheit 20n an einem zweiten Eingang zugeführt ist.
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Das Ausgangs-Flip-Flop 21 wird abhängig von dem ersten Takt-Subsignal CLK1 und dem Ausgangssignal des Flip-Flops 24n der zweiten Einheit 20n gesetzt. Diese Signale werden durch ein erstes AND-Gatter 261 AND-verknüpft (=UND-verknüpft). Das Ausgangs-Flip-Flop 21 wird abhängig von dem zweiten Takt-Subsignal CLKn und dem Ausgangssignal des Flip-Flops 241 der zweiten Einheit 201 zurückgesetzt. Diese Signale werden durch ein zweitens AND-Gatter 26n AND-verknüpft.
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Es sei erwähnt, dass das Realisieren der Steuerschaltung 2 entsprechend der Darstellung in 9 lediglich ein Beispiel ist. Selbstverständlich kann dieselbe Funktionalität, die durch die Steuerschaltung 2 gemäß 9 bereitgestellt wird, auch durch andere Logikschaltungen realisiert werden.
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Bezugnehmend auf die voranstehenden Erläuterungen kann die Steuer- und Ausgangsschaltung 2 so ausgebildet sein, den Ladezustand der kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n abwechselnd von dem ersten Ladezustand zu dem zweiten Ladezustand zu ändern, nämlich durch Bereitstellen eines konstanten Ladestroms I121 , I12n , wobei die zum Ändern des Ladezustands eines kapazitiven Speicherelements benötigte Zeitdauer eine der Subperioden T1 , Tn definiert. In der Subperiode, in der ein kapazitives Speicherelement aktiv ist, wird der Ladezustand des anderen kapazitiven Speicherelements von dem zweiten Ladezustand auf den ersten Ladezustand zurückgesetzt, indem das kapazitive Speicherelement bis unter den ersten Ladezustand entladen wird und dann unter Verwendung des konstanten Ladestroms wieder geladen wird.
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Die zuvor erläuterten Oszillatorschaltungen umfassen jeweils zwei Oszillatoreinheiten 101 , 10n , die jeweils ein kapazitives Speicherelement 111 , 11n aufweisen, wobei diese kapazitiven Speicherelemente abwechselnd aktiviert werden, um Takt-Subsignale CLK1 , CLKn zu erzeugen, aus denen das Taktsignal CLK erzeugt wird. Entsprechend umfasst das zuvor erläuterte Verfahren das Erzeugen jeder Periode oder jedes Taktzyklus des Taktsignals CLK derart, dass jede Periode zwei Subperioden T1 , Tn oder nur eine Subperiode aufweist, wobei jede dieser Subperioden unter Verwendung eines kapazitiven Speicherelements 111 , 11n erzeugt wird. Es sei allerdings erwähnt, dass eine Oszillatorschaltung mit n=2 Oszillatoreinheiten lediglich ein Beispiel ist. Eine beliebige Anzahl n>2 von Oszillatoreinheiten kann ebenfalls verwendet werden.
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10 veranschaulicht exemplarisch ein Ausführungsbeispiel einer Oszillatorschaltung, die n=3 Oszillatoreinheiten 101 , 102 , 10n aufweist. Jede dieser Oszillatoreinheiten ist wie eine der Oszillatoreinheiten, die in 5 dargestellt sind, ausgebildet und umfasst ein kapazitives Speicherelement 11i , eine Ladeschaltung 12i , eine Entladeschaltung 13i und eine Schaltung 14i zum Variieren des Referenzpotentials Vi an dem zweiten Anschluss des kapazitiven Speicherelements 11i . Jeder dieser Oszillatoreinheiten 101 , 102 , 10n erzeugt ein Takt-Subsignal CLK1 , CLK2 , CLKn , das der Steuer- und Ausgangsschaltung 2 zugeführt ist. Die Steuer- und Ausgangsschaltung 2 erzeugt die Steuersignale S12i für die Ladeschaltungen 12i , die Steuersignale S13i für die Entladeschaltungen 13i und die Steuersignale S14i zum Ändern der Referenzpotentiale an den zweiten Anschlüssen der kapazitiven Speicherelemente 11i .
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Das Funktionsprinzip der Oszillatorschaltung gemäß 10 wird nachfolgend anhand von 11 erläutert, in der Zeitverläufe der elektrischen Potentiale V11i an den ersten Anschlüssen der kapazitiven Speicherelemente 11i , der Referenzpotentiale VRi an den zweiten Anschlüssen der kapazitiven Speicherelemente 11i , der Takt-Subsignale CLKi und des Taktsignals CLK dargestellt sind. Bezugnehmend auf 10 werden die einzelnen kapazitiven Speicherelemente 11i innerhalb eines Taktzyklus des Taktsignals CLK in einer vorgegebenen Reihenfolge aktiviert. Bei dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel ist diese Reihenfolge: 111-112-11n-111-112-..., so dass jeder Taktzyklus des Taktsignals CLK eine Folge T1-T2-Tn-T1-T2-... von Subperioden aufweist, wobei jede dieser Subperioden durch Ändern des Ladezustands eines der kapazitiven Speicherelemente 11i von einem ersten Ladezustand auf einen zweiten Ladezustand durch Bereitstellen eines konstanten Ladestroms I12i erzeugt wird. Während solcher Perioden, während der ein kapazitives Speicherelement nicht aktiv ist, wird der Ladezustand des kapazitiven Speicherelements von dem zweiten Ladezustand auf den ersten Ladezustand zurückgesetzt (bzw. vorgeladen) durch Entladen des kapazitiven Speicherelements bis unterhalb des ersten Ladezustands und dann Laden des kapazitiven Speicherelements bis auf den ersten Ladezustand durch Bereitstellen des konstanten Ladestroms. Bei der Oszillatorschaltung gemäß 10 kann das Zurücksetzen (bzw. Vorladen) des Ladezustands eines kapazitiven Speicherelements länger dauern als bei den Ausführungsbeispielen gemäß der 4 und 5, da in der Oszillatorschaltung gemäß 10 das Zurücksetzen des Ladezustands eines kapazitiven Speicherelements zwei Subperioden der zwei anderen kapazitiven Speicherelemente dauern darf, während bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der 1 und 5 das Zurücksetzen eines kapazitiven Speicherelements nur eine Subperiode dauern darf. Ein Taktsignal CLK kann so erzeugt werden, dass es nur einen Taktimpuls während eines Taktzyklus T umfasst, oder so, dass es einen Taktimpuls innerhalb jeder Subperiode oder jedes Subzyklus umfasst. Im zuletzt genannten Fall kann ein Zeitabstand zwischen zwei aufeinanderfolgenden Taktperioden aufgrund unterschiedlicher Dauern der einzelnen Subperioden T1 , T2 , Tn variieren. Allerdings ist eine mittlere Frequenz, die gegeben ist durch 3/(T1+T2+Tn) konstant und ist unabhängig von Laufzeitverzögerungen der Schwellendetektoren 171 , 172 , 17n .
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Es sei erwähnt, dass es nicht notwendig ist, die einzelnen kapazitiven Speicherelemente in jedem Taktzyklus des Taktsignals CLK in derselben Reihenfolge zu aktivieren. Es ist ebenso möglich, die Reihenfolge, in der die einzelnen kapazitiven Speicherelemente innerhalb eines Taktzyklus aktiviert werden, zu ändern. Außerdem ist es nicht notwendig, jedes kapazitive Speicherelement innerhalb eines Taktzyklus des Taktsignals CLK nur einmal zu aktivieren. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist es auch möglich, wenigstens eines der kapazitiven Speicherelemente innerhalb eines Taktzyklus T des Taktsignals CLK mehr als einmal zu aktivieren.
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Bei dem zuvor erläuterten Ausführungsbeispiel umfasst jede Oszillatoreinheit 10i einen Schwellendetektor, der das Subsignal bereitstellt. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel. Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel (nicht dargestellt) sind weniger Schwellendetektoren als kapazitive Speicherelemente vorhanden, so dass wenigstens zwei kapazitive Speicherelemente einen Schwellendetektor „teilen“ bzw. gemeinsam haben, wobei jedes kapazitive Speicherelement einen ihm zugewiesenen Schwellendetektor aufweist, der detektiert, wenn das kapazitive Speicherelement den ersten oder zweiten Ladezustand erreicht hat. Dies ist insbesondere hilfreich bei Oszillatoren, die n=3 oder mehr Oszillatoreinheiten aufweist. Dies ist nachfolgend kurz erläutert. Bezugnehmend auf die bisherige Erläuterung wird ein Schwellendetektor benötigt, um zu detektieren, wann das zugeordnete kapazitive Speicherelement im aktiven Zustand den zweiten Ladezustand erreicht hat, und um zu detektieren, wann das kapazitive Speicherelement während einer Zeitdauer, zu der eines der anderen kapazitiven Speicherelemente aktiv ist, auf den ersten Ladezustand zurückgesetzt wurde. Es sei angenommen, dass aufgrund des Vorhandenseins von n=3 oder mehr kapazitiven Speicherelementen eine lange Zeitdauer vorhanden ist zwischen dem Erreichen des ersten Ladezustands durch ein kapazitives Speicherelement und dem nächsten Zeitpunkt, zu dem dieses kapazitive Speicherelement aktiv wird. Während dieser Zeitdauer kann der diesem kapazitiven Speicherelement zugeordnete Schwellendetektor dazu verwendet werden, Ladezustände eines anderen kapazitiven Speicherelements zu detektieren.
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Bei den zuvor erläuterten Ausführungsbeispielen umfasst das Ändern das Ladezustandes eines beliebigen der kapazitiven Speicherelemente 111 von dem ersten Ladezustand zu dem zweiten Ladezustand das Bereitstellen eines Ladestroms an das kapazitive Speicherelement, um das kapazitive Speicherelement zu laden. In diesem Fall ist in dem kapazitiven Speicherelement im zweiten Ladezustand mehr elektrische Ladung gespeichert als im ersten Ladezustand. Dies ist jedoch lediglich ein Beispiel. Es ist auch möglich, das Verfahren so zu implementieren, dass im zweiten Zustand weniger elektrische Ladungen im kapazitiven Speicherelement 111 gespeichert ist als im ersten Zustand. In diesem Fall ist das zweite Referenzpotential REF2i s als das erste Referenzpotential REF1i . Das Ändern des Ladezustands des kapazitiven Speicherelements von dem ersten Ladezustand zu dem zweiten Ladezustand umfasst: Anlegen des zweiten Referenzpotentials REF2i und Entladen des kapazitiven Speicherelements mit einem konstanten Ladestrom, was äquivalent ist zum Bereitstellen eines konstanten negativen Ladestroms über das kapazitive Speicherelement, bis die Spannung V11i das Schwellendetektorreferenzpotential V18i erreicht. Das Ändern des Ladezustands von dem zweiten Ladezustand zu dem ersten Ladezustand umfasst: Anlegen des ersten Referenzpotentials REF1i und Laden des kapazitiven Speicherelements mit einem Ladestrom, was äquivalent ist zu dem Bereitstellen eines negativen Entladestroms für das kapazitive Speicherelement, bis die Spannung V11i das Schwellendetektorreferenzpotential V18i erreicht; und Bereitstellen des konstanten Ladestroms (konstanter negativer Entladestrom) bis die Spannung V11i das Schwellendetektorreferenzpotential V18i erreicht.
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Bei den zuvor erläuterten Oszillatoren ist das Schwellendetektorreferenzpotential V18i konstant, während das Referenzpotential an den zweiten Anschlüssen der kapazitiven Speicherelemente 111 , 11n derart variabel ist, dass dieses Referenzpotential einen ersten und einen zweiten Referenzwert annehmen kann. Dies ist jedoch lediglich eines von mehreren möglichen Ausführungsbeispielen. Gemäß einem weiteren Beispiel (nicht dargestellt) ist das Referenzpotential an dem zweiten Anschluss konstant, während das Schwellendetektorreferenzpotential V181 variabel ist, um die ersten oder zweiten Ladezustände zu detektieren.
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Merkmale, die zuvor im Zusammenhang mit einem Ausführungsbeispiel erläutert wurden, können selbstverständlich auch mit Merkmalen anderer Ausführungsbeispiele kombiniert werden, sofern sich diese Merkmale nicht gegenseitig ausschließen auch wenn dies zuvor nicht explizit erwähnt wurde.