DE102011083615B4 - Strahlungsschutz für Substratbehandlungsanlagen - Google Patents

Strahlungsschutz für Substratbehandlungsanlagen Download PDF

Info

Publication number
DE102011083615B4
DE102011083615B4 DE102011083615.2A DE102011083615A DE102011083615B4 DE 102011083615 B4 DE102011083615 B4 DE 102011083615B4 DE 102011083615 A DE102011083615 A DE 102011083615A DE 102011083615 B4 DE102011083615 B4 DE 102011083615B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heat shield
transport
substrate treatment
substrate
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102011083615.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011083615A1 (de
Inventor
Dr. Smolke Matthias
Reinhardt BAUER
Torsten Dsaak
Steffen Mosshammer
Thomas Meyer
Michael Hofmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Original Assignee
Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Von Ardenne Asset GmbH and Co KG filed Critical Von Ardenne Asset GmbH and Co KG
Priority to DE102011083615.2A priority Critical patent/DE102011083615B4/de
Publication of DE102011083615A1 publication Critical patent/DE102011083615A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102011083615B4 publication Critical patent/DE102011083615B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Substratbehandlungsanlage zur Behandlung scheibenförmiger Substrate (2) in horizontaler Lage, umfassend eine von Kammerwänden begrenzte Anlagenkammer sowie innerhalb der Anlagenkammer mindestens eine Substratbehandlungseinrichtung und eine Transporteinrichtung (1), wobei die Transporteinrichtung (1) eine Anordnung von in der Transportrichtung hintereinander angeordneten, horizontal ausgerichteten Transportwalzen (3) zur Aufnahme der Substrate (2) in einer horizontalen Substratebene aufweist, zwischen den Transportwalzen (3) untere Heizeinrichtungen (4) angeordnet sind, die jeweils eine untere erste Wärmeabschirmung (5) aufweisen, und oberhalb der Substratebene eine obere zweite Wärmeabschirmung (7) angeordnet ist, wobei die Transportwalzen (3) und die unteren Heizeinrichtungen (4) in axialer Richtung der Transportwalzen (3) eine größere Ausdehnung aufweisen als die zu behandelnden Substrate (2), dadurch gekennzeichnet, dass über den Endbereichen (8) der Transportwalzen (3), die die zu behandelnden Substrate (2) überragen, dritte Wärmabschirmungen (9) angeordnet sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Substratbehandlungsanlage mit einer Transporteinrichtung zum Transport von Substraten.
  • Typische Substratbehandlungsanlagen zur Durchführung von Substratbehandlungen im Durchlaufverfahren umfassen eine langgestreckte Anlagenkammer mit einer Eingangsschleuse an einem Ende und einer Ausgangsschleuse am anderen Ende sowie dazwischen angeordnete Kammern, beispielsweise eine oder mehrere Prozesskammern mit jeweils mindestens einer Substratbehandlungseinrichtung, beispielsweise einer Beschichtungseinrichtung, einer Ätzeinrichtung, einer Heizeinrichtung oder dergleichen, eine oder mehrere Pumpkammern mit jeweils mindestens einer Pumpe zur Evakuierung oder/und zur Atmosphärentrennung zwischen davor und dahinter liegenden Kammern, Transferkammern zum Transfer der Substrate von einer Kammer zur nächsten Kammer, usw.
  • Die durch ihre Funktion definierten Kammern können dabei physisch eigenständige Behälter bilden, die miteinander zu einer Anlagenkammer verbunden sind, oder innerhalb eines gemeinsamen Behälters angeordnet sein, der die Anlagenkammer bildet. Im letzteren Fall können die Kammern physisch durch Trennwände voneinander abgegrenzt sein, die typischerweise eine Substratpassage aufweisen, welche als Strömungswiderstand, d.h. als Öffnung mit einer die Passage der Substrate gerade noch zulassenden Größe, oder als Ventil, beispielsweise Klappen-, Walzen- oder Schieberventil, ausgeführt sein können.
  • In derartigen Substratbehandlungsanlagen, beispielsweise Anlagen zur Beschichtung oder/und zum Trockenätzen plattenförmiger Substrate, sind Transporteinrichtungen bekannt, die eine Anordnung von Transporträdern oder Transportwalzen aufweisen, auf denen die Substrate stehend oder liegend in einer Transportrichtung von der Eingangsschleuse zur Ausgangsschleuse durch die Substratbehandlungsanlage und dabei durch die dazwischen angeordneten Funktionsbereiche transportiert werden. Dabei können die Substrate von einem Substrathalter getragen werden, der durch die Transporteinrichtung bewegt wird, oder ohne Substrathalter, d.h. direkt auf der Transporteinrichtung liegend oder stehend, durch die Substratbehandlungsanlage bewegt werden.
  • Eine Transportwalze bezeichnet dabei einen langgestreckten, im wesentlichen zylindrischer Körper, der beispielsweise in einer typischen Transporteinrichtung zum liegenden (horizontalen) Transport plattenförmiger Substrate an jedem seiner beiden Enden drehbar gelagert ist, wobei mehrere Transportwalzen beispielsweise mit jedem Ende in je einer Lagerbank gelagert sein können, die jeweils die Lager für mehrere in der Transportrichtung der Substrate hintereinander angeordnete Transportwalzen aufweisen. Eine derartige Transporteinrichtung ist beispielsweise in DE 10 2005 016 406 A1 beschrieben.
  • In DE 10 2009 011495 A1 wird eine Vakuumanlage zur kontinuierlichen Behandlung flacher Substrate beschrieben mit einer Transportvorrichtung zum Transport von Substraten in einer Substratebene in Transportrichtung durch die Vakuumanlage, mit zumindest einem Behandlungskompartment, welches eine Einrichtung zur Behandlung der Substrate aufweist, und mit einem Gasseparationskompartment mit einem kanalartigen Strömungswiderstand, welcher gebildet ist durch eine der Substratebene gegenüber liegende Wandung oder durch zwei sich beidseitig der Substratebene gegenüber liegende Wandungen, wobei zumindest eine Wandung des Strömungswiderstands zumindest abschnittsweise mittels eines Heizelements heizbar ist zur Erwärmung eines durch den Strömungswiderstand transportierbaren Substrats.
  • Bei der Substratbehandlung erfordern einige Behandlungsschritte, dass das bewegte Substrat erhitzt wird.
  • Es ist bekannt, unterhalb oder zwischen den Transportwalzen Heizeinrichtungen, beispielsweise in Form von Heizkassetten mit Heizmitteln und Wärmeabschirmungen, anzuordnen sowie oberhalb des Substrates Heizeinrichtungen anzuordnen, um Soll-Temperaturprofile auf dem Substrat einzustellen. Stabile Substrattemperaturen sind wünschenswert, damit Schichten mit optimalen Eigenschaften abgeschieden werden können.
  • 1 zeigt den Aufbau eines Heizfeldes. Die Anordnung von unteren Heizeinrichtungen 4 zwischen den Transportwalzen 3 ist vorteilhaft, da dies einen einfachen Ein- und Ausbau der unteren Heizeinrichtungen 4 ermöglicht, ohne Transportwalzen 3 entfernen zu müssen. Zudem ist der Einsatz metallischer Transportwalzen 3 mit sehr guter Vakuumtauglichkeit und geringen Fertigungskosten möglich, da die Transportwalzen 3 aufgrund der Abschattung durch die Substrate 2 keiner direkten Heizerstrahlung ausgesetzt sind. Somit werden trotz deren hohen Wärmeleitfähigkeit keine gefährlichen hohen Wärmeströme in empfindliche Baugruppen des Transportsystems eingetragen. Der Einsatz von preisgünstigen O-Ringen mit begrenzter Einsatztemperatur, die zur Verbesserung des Reibkoeffizienten Walze-Glas und des Anlaufverhaltens auf den Walzen dienen, ist dadurch möglich.
  • Um eine homogene Substratbeheizung bis zu den Substraträndern sicherstellen zu können, muss das Heizfeld breiter als das Substrat 2 sein. Metallische Transportwalzen 3 sind in Bereichen, die noch innerhalb der unteren Heizeinrichtungen 4, aber schon außerhalb des abschirmenden Substrates 2 liegen, direkter Heizerstrahlung ausgesetzt. 2 zeigt die direkte Heizereinstrahlung auf ungeschützte Transportwalzenbereiche und Schädigung von wärmeempfindlichen Bauteilen. Damit können die ungeschützten Transportwalzenbereiche sehr hohe Temperaturen annehmen. Die aus der hohen Wärmeleitfähigkeit der metallischen Transportwalzen 3 resultierenden Wärmeströme können dann zu Schäden an wärmeempfindlichen Baugruppen des Transportsystems, beispielsweise an den Lagern und den O-Ringen unterhalb des Substrats 2 führen.
  • Ausgehend von diesem Stand der Technik besteht die Aufgabe, bekannte Durchlauf-Substratbehandlungsanlagen zu verbessern.
  • Die Aufgabe wird durch eine Substratbehandlungsanlage gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 gelöst. Die abhängigen Ansprüche 2 bis 7 betreffen besondere Ausführungsformen.
  • Vorgeschlagen wird eine Substratbehandlungsanlage zur Behandlung scheibenförmiger Substrate in horizontaler Lage, umfassend eine von Kammerwänden begrenzte Anlagenkammer sowie innerhalb der Anlagenkammer mindestens eine Substratbehandlungseinrichtung und eine Transporteinrichtung, wobei die Transporteinrichtung eine Anordnung von in der Transportrichtung hintereinander angeordneten, horizontal ausgerichteten Transportwalzen zur Aufnahme der Substrate in einer horizontalen Substratebene aufweist. Zwischen den Transportwalzen sind untere Heizeinrichtungen angeordnet, die jeweils eine untere erste Wärmeabschirmung aufweisen. Oberhalb der Substratebene ist mindestens eine obere zweite Wärmeabschirmung angeordnet. Die Transportwalzen, die unteren Heizeinrichtungen und die obere Heizeinrichtung weisen in axialer Richtung der Transportwalzen eine größere Ausdehnung auf als die zu behandelnden Substrate. Über den Endbereichen der Transportwalzen, die die zu behandelnden Substrate überragen, sind dritte Wärmabschirmungen angeordnet.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die dritte Wärmeabschirmung die Mantelfläche der Transportwalze zumindest teilweise umschließen. Die dritte Wärmabschirmung kann gekrümmt ausgebildet sein. Die dritte Wärmeabschirmung kann mehrfach abgewinkelt ausgebildet sein. Die dritte Wärmeabschirmung kann in Form eines Blechpaketes aus mindestens zwei zueinander beabstandet angeordneten Einzelblechen ausgebildet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die dritte Wärmeabschirmung mit zwei benachbarten unteren ersten Wärmeabschirmungen verbunden sein. Die Verbindung mit weiteren Wärmesenken ist hinsichtlich der Wärmeabfuhr vorteilhaft, da somit die Wärmeabschirmung erhöht wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform können die unteren ersten Wärmeabschirmungen als Blechpakete aus mindestens zwei zueinander beabstandet angeordneten Einzelblechen ausgebildet sein, wobei mindestens das äußerste, der unteren Heizeinrichtung abgewandte Einzelblech kühlbar ist. Mindestens das innerste, der Transportwalze zugewandte Einzelblech der dritten Wärmeabschirmung kann mit den gekühlten Einzelblechen von zwei benachbarten unteren ersten Wärmeabschirmungen wärmeleitend verbunden sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist oberhalb der Substratebene mindestens eine obere Heizeinrichtung angeordnet, welche vorzugsweise in axialer Richtung der Transportwalzen eine größere Ausdehnung als die zu behandelnden Substrate aufweist.
  • Gemäß einer Ausführungsform befindet sich die mindestens eine obere Heizeinrichtung unterhalb der mindestens einen oberen zweiten Wärmeabschirmung.
  • Im Folgenden wird die erfindungsgemäße Vorrichtung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen anhand von Ausführungsbeispielen detaillierter beschrieben. Darin zeigen
    • 1 den Aufbau des Heizfeldes in einer Substratbehandlungsanlage nach dem Stand der Technik,
    • 2 eine direkter Heizerstrahlung ausgesetzte Transportwalze in einer Substratbehandlungsanlage nach dem Stand der Technik,
    • 3 einen gekrümmten oder mehrfach abgewinkelten, aus mehreren Einzelblechen bestehenden Strahlungsschutz
    • 4 eine Befestigung des Strahlungsschutzes an einer Heizerkassette, und
    • 5 eine Positionierung des Strahlungsschutzes.
  • 3 zeigt eine dritte Wärmeabschirmung 9 in einer ersten und zweiten Ausführungsform. Die dritte Wärmeabschirmung 9 besteht aus mehreren dünnen Einzelblechen. Sie ist zwischen Transportwalze 3 und oberer Heizeinrichtung 6 mit zweiter oberer Wärmeabschirmung 7, welche sich entlang des Transportpfades erstreckt, angeordnet. Zwischen zwei benachbarten Transportwalzen 3 befindet sich eine untere Heizeinrichtung 4 mit einer unteren ersten Wärmeabschirmung 5. In der ersten Ausführungsform ist die dritte Wärmeabschirmung 9 mehrfach abgewinkelt ausgeführt, 3 links. In einer zweiten Ausführungsform ist die dritte Wärmeabschirmung 9 gekrümmt ausgeführt, 3 rechts.
  • Dadurch soll eine vollständige Abschirmung gegenüber der aus verschiedenen Richtungen einfallenden Wärmestrahlung gewährleistet werden.
  • Die Bleche der Wärmeabschirmung sind elektrisch poliert. Durch den dadurch erzeugten hohen Reflexionsgrad kann der Wärmestrom auf die Rolle auch schon durch den Einsatz weniger Bleche stark reduziert sein. Die Bleche weisen eine geringe Dicke auf. Für die Wirksamkeit der Wärmeabschirmung im Dauerbetrieb ist nur die Anzahl der Schirmbleche sowie der Reflexionsgrad der Oberflächen entscheidend. Durch die geringe Dicke der Bleche wird deren thermische Trägheit reduziert. Damit behindern die Bleche der Wärmeabschirmung ein schnelles Einschwingen der Kammertemperatur nicht.
  • In einer dritten Ausführungsform ist das innerste, der Transportwalze 3 zugewandte Einzelblech 12 der dritten Wärmeabschirmung 9 an dem gekühlten Einzelblech 11 der unteren ersten Wärmeabschirmung 5, die in Form einer Blechwanne ausgebildet ist, befestigt, 4. Vorteilhaft ist dabei, dass diese Blechwanne die niedrigste Temperatur aufweist und häufig mit einer aktiven Wasserkühlung versehen ist. Damit kommt das innerste Einzelblech 12 der Abschirmung nur mit Bauteilen, die eine geringe Temperatur aufweisen bzw. gekühlt sind in thermischen Kontakt. Eine ungewünschte Erwärmung des innersten Einzelblechs 12 der Abschirmung durch thermischen Kontakt wird somit vermieden.
  • In einer vierten Ausführungsform ist die dritte Wärmeabschirmung 9 über dem ungeschützten Endbereich 8 der Transportwalzen 3 in einem ausreichenden Abstand s zum vorbeifahrenden Substrat 2 platziert, 5. Vorteil dieser Ausführungsform ist, dass das Substrat 2 auch bei leichtem Quertransport nicht mit der dritten Wärmeabschirmung 9 kollidiert.
  • Die Erfindung wurde anhand von Ausführungsbeispielen und Zeichnungen näher erläutert, wobei diese Darstellung die Erfindung nicht einschränken soll. Es versteht sich, dass Fachleute Änderungen und Abwandlungen machen können, ohne den Umfang der folgenden Ansprüche zu verlassen. Insbesondere umfasst die Erfindung Ausführungsformen mit jeglicher Kombination von Merkmalen verschiedener Ausführungsformen, die hier beschrieben sind.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Transporteinrichtung
    2
    Substrat
    3
    Transportwalze
    4
    untere Heizeinrichtung
    5
    untere erste Wärmeabschirmung
    6
    obere Heizeinrichtung
    7
    obere zweite Wärmeabschirmung
    8
    Endbereich der Transportwalze
    9
    dritte Wärmeabschirmung
    10
    Mantelfläche der Transportwalze
    11
    gekühltes Einzelblech der unteren Wärmeabschirmung
    12
    innerstes, der Transportwalze zugewandtes Einzelblech

Claims (9)

  1. Substratbehandlungsanlage zur Behandlung scheibenförmiger Substrate (2) in horizontaler Lage, umfassend eine von Kammerwänden begrenzte Anlagenkammer sowie innerhalb der Anlagenkammer mindestens eine Substratbehandlungseinrichtung und eine Transporteinrichtung (1), wobei die Transporteinrichtung (1) eine Anordnung von in der Transportrichtung hintereinander angeordneten, horizontal ausgerichteten Transportwalzen (3) zur Aufnahme der Substrate (2) in einer horizontalen Substratebene aufweist, zwischen den Transportwalzen (3) untere Heizeinrichtungen (4) angeordnet sind, die jeweils eine untere erste Wärmeabschirmung (5) aufweisen, und oberhalb der Substratebene eine obere zweite Wärmeabschirmung (7) angeordnet ist, wobei die Transportwalzen (3) und die unteren Heizeinrichtungen (4) in axialer Richtung der Transportwalzen (3) eine größere Ausdehnung aufweisen als die zu behandelnden Substrate (2), dadurch gekennzeichnet, dass über den Endbereichen (8) der Transportwalzen (3), die die zu behandelnden Substrate (2) überragen, dritte Wärmabschirmungen (9) angeordnet sind.
  2. Substratbehandlungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Wärmeabschirmung (9) die Mantelfläche (10) der Transportwalze (3) zumindest teilweise umschließt.
  3. Substratbehandlungsanlage nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Wärmeabschirmung (9) gekrümmt ausgebildet ist.
  4. Substratbehandlungsanlage nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Wärmabschirmung (9) mehrfach abgewinkelt ausgebildet ist.
  5. Substratbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Wärmabschirmung (9) in Form eines Blechpaketes aus mindestens zwei zueinander beabstandet angeordneten Einzelblechen ausgebildet ist.
  6. Substratbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die dritte Wärmeabschirmung (9) mit zwei benachbarten unteren ersten Wärmeabschirmungen (5) verbunden ist.
  7. Substratbehandlungsanlage nach Anspruch 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, dass die unteren ersten Wärmeabschirmungen (5) als Blechpakete aus mindestens zwei zueinander beabstandet angeordneten Einzelblechen ausgebildet sind, wobei mindestens das äußerste, der unteren Heizeinrichtung (4) abgewandte Einzelblech (11) kühlbar ist und mindestens das innerste, der Transportwalze (3) zugewandte Einzelblech (12) der dritten Wärmeabschirmung (9) mit den gekühlten Einzelblechen (11) von zwei benachbarten unteren ersten Wärmeabschirmungen (5) wärmeleitend verbunden ist.
  8. Substratbehandlungsanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass oberhalb der Substratebene eine obere Heizeinrichtung (6) angeordnet ist, welche vorzugsweise in axialer Richtung der Transportwalzen (3) eine größere Ausdehnung als die zu behandelnden Substrate (2) aufweist.
  9. Substratbehandlungsanlage nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die obere Heizeinrichtung (6) unterhalb der oberen zweiten Wärmeabschirmung (7) angeordnet ist.
DE102011083615.2A 2011-09-28 2011-09-28 Strahlungsschutz für Substratbehandlungsanlagen Expired - Fee Related DE102011083615B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011083615.2A DE102011083615B4 (de) 2011-09-28 2011-09-28 Strahlungsschutz für Substratbehandlungsanlagen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011083615.2A DE102011083615B4 (de) 2011-09-28 2011-09-28 Strahlungsschutz für Substratbehandlungsanlagen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011083615A1 DE102011083615A1 (de) 2013-03-28
DE102011083615B4 true DE102011083615B4 (de) 2019-01-10

Family

ID=47827761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011083615.2A Expired - Fee Related DE102011083615B4 (de) 2011-09-28 2011-09-28 Strahlungsschutz für Substratbehandlungsanlagen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102011083615B4 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017130941A1 (de) * 2017-12-21 2019-06-27 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Prozessieranordnung und Verfahren

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1602097A1 (de) * 1967-04-05 1970-04-02 Kloeckner Werke Ag Rollgang
DE2204179A1 (de) * 1971-02-26 1972-09-07 Davy & United Eng Co Ltd Forder und Kuhltisch bzw bett
DE1456610B2 (de) * 1966-12-23 1975-06-26 Ingenjoersfirma Hebe Aktiebolag, Oerebro (Schweden)
DE69912211T2 (de) * 1998-08-28 2004-07-29 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Heizvorrichtung
DE102005016406A1 (de) 2005-04-08 2006-10-19 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Transporteinrichtung, insbesondere zum Transport flächiger Substrate durch eine Beschichtungsanlage
DE102009011495A1 (de) 2009-03-06 2010-09-09 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Substraten unter Verwendung einer Gasseparation

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1456610B2 (de) * 1966-12-23 1975-06-26 Ingenjoersfirma Hebe Aktiebolag, Oerebro (Schweden)
DE1602097A1 (de) * 1967-04-05 1970-04-02 Kloeckner Werke Ag Rollgang
DE2204179A1 (de) * 1971-02-26 1972-09-07 Davy & United Eng Co Ltd Forder und Kuhltisch bzw bett
DE69912211T2 (de) * 1998-08-28 2004-07-29 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Heizvorrichtung
DE102005016406A1 (de) 2005-04-08 2006-10-19 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Transporteinrichtung, insbesondere zum Transport flächiger Substrate durch eine Beschichtungsanlage
DE102009011495A1 (de) 2009-03-06 2010-09-09 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Substraten unter Verwendung einer Gasseparation

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011083615A1 (de) 2013-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3717850B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum temperieren von werkstücken
DE102010041376A1 (de) Verdampfereinrichtung für eine Beschichtungsanlage und Verfahren zur Koverdampfung von mindestens zwei Substanzen
DE102011083615B4 (de) Strahlungsschutz für Substratbehandlungsanlagen
DE102007035086B3 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Gut in Durchlaufanlagen
DE102011082334A1 (de) Substratbehandlungsanlage
DE102004041854B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Vakuumbeschichtung
DE102013112068B4 (de) Substratbehandlungsanlage
DE102012206591B4 (de) Vakuumsubstratbehandlungsanlage
DE102010038385B4 (de) Anordnung zur Belüftung einer Ausgangsschleuse in einer Vakuumbehandlungsanlage
EP2246573B1 (de) Schutzvorrichtung für Hochvakuumpumpen
DE102013108405B4 (de) Durchlauf-Substratbehandlungsanlage und Reinigungsverfahren
DE102008039430A1 (de) Durchlaufbeschichtungsanlage
DE102010031226A1 (de) Transporteinrichtung und Substratbehandlungsanlage
EP2795638B1 (de) Kühlradiator mit flüssigkeitskühlung
DE102013108411B4 (de) Durchlauf-Substratbehandlungsanlage
DE102010016512A1 (de) Mehrtagen-Rollenofen
DE102010028958A1 (de) Substratbehandlungsanlage
EP1475458B1 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats.
DE102013107167B4 (de) Anordnung zum Schutz von Einbauten in Vakuumkammern
DE102013106735A1 (de) Vakuumkammer einer Durchlauf-Substratbehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb
DE102018110392A1 (de) Vakuumdurchlaufanlage mit hohem Durchsatz
DE102013108403B4 (de) Durchlauf-Substratbehandlungsanlage
DE102012106325A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Aufheizen und Abkühlen einer Substratbehandlungsanlage
DE102013111968B4 (de) Vakuumbehandlungsanlage zur Behandlung eines bandförmigen Substrates
DE102010003215B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Wärmeabsorption in Vakuumbeschichtungsanlagen

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VON ARDENNE GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE

Effective date: 20140918

Owner name: VON ARDENNE ASSET GMBH & CO. KG, DE

Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE

Effective date: 20140918

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE

Effective date: 20140918

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VON ARDENNE ASSET GMBH & CO. KG, DE

Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE GMBH, 01324 DRESDEN, DE

R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee