DE102010034915A1 - Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streukörper - Google Patents

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Abstract

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) weist dieses einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) auf. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Streukörper (34), der ein strahlungsdurchlässiges Matrixmaterial (3) und darin eingebettete Streupartikel (4) aus einem Partikelmaterial beinhaltet. Der Streukörper (34) ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Bei einer Temperaturänderung verändert sich ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial. Bei einer Temperatur von 300 K beträgt der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial höchstens 0,15.

Description

  • Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein Streukörper für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das eine näherungsweise stabile spektrale Abstrahlcharakteristik aufzeigt. Weiterhin besteht eine zu lösende Aufgabe darin, einen Streukörper für ein solches Halbleiterbauteil anzugeben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips. Bei den Halbleiterchips handelt es sich insbesondere um auf einem III-V-Halbleitermaterial basierende Halbleiterchips. Beispielsweise basieren die Halbleiterchips auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-nGamN oder auf AlnIn1-nGamP, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1. Dabei kann dieses Material einen oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters, also Al, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Bevorzugt sind die optoelektronischen Halbleiterchips dazu eingerichtet, im Betrieb des Halbleiterbauteils eine sichtbare Strahlung, beispielsweise im blauen, im grünen, im gelben und/oder im roten Spektralbereich, zu erzeugen. Die Strahlungserzeugung erfolgt bevorzugt in mindestens einer aktiven Zone, die mindestens eine Quantentopfstruktur und/oder mindestens einen pn-Übergang beinhaltet.
  • Es können alle Halbleiterchips des Halbleiterbauteils baugleich sein. Alternativ ist es möglich, dass das Halbleiterbauteil verschiedenartige, insbesondere auf verschiedenen Halbleitermaterialien basierende Halbleiterchips beinhaltet, die bevorzugt zur Emission in verschiedenen Spektralbereichen eingerichtet sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das optoelektronische Halbleiterbauteil eine Leuchtdiode, kurz LED. Mit anderen Worten emittiert das Halbleiterbauteil dann inkohärente Strahlung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils umfasst dieses mindestens einen Streukörper. Der Streukörper weist ein für Strahlung durchlässiges, bevorzugt ein klarsichtiges und transparentes Matrixmaterial auf, in das Streupartikel eingebettet sind. Die Streupartikel bestehen aus einem Partikelmaterial. Das Partikelmaterial ist von dem Matrixmaterial verschieden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Streukörpers ist dieser nicht oder näherungsweise nicht zu einer Änderung eines Spektrums der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung eingerichtet. Insbesondere ist der Streukörper frei von einem Filtermittel und/oder frei von einem Konversionsmittel, das zu einer teilweisen oder vollständigen Wellenlängenkonversion der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung eingerichtet ist. Es ist der Streukörper also dann ausschließlich oder im Wesentlichen zu einer Streuung und/oder Reflexion und nicht zu einer Absorption oder spektralen Umwandlung der von dem Halbleiterchip emittierten Strahlung eingerichtet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Streukörper wenigstens einem der Halbleiterchips nachgeordnet. Weist das Halbleiterbauteil mehrere baugleiche Halbleiterchips auf, so ist ein gemeinsamer Streukörper den Halbleiterchips nachgeordnet oder es ist insbesondere jedem der Halbleiterchips ein eigener Streukörper nachgeordnet. Weist das Halbleiterbauteil voneinander verschiedene, nicht baugleiche Halbleiterchips auf, so ist es möglich, dass nur einem Teil der Halbleiterchips ein Streukörper nachgeordnet ist. Nachgeordnet bedeutet insbesondere, dass entlang einer Hauptabstrahlrichtung den Halbleiterchips der Streukörper nachfolgt. Der Streukörper kann unmittelbar an oder auf dem Halbleiterchip angebracht sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils verändert sich ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial bei einer Temperaturänderung. Mit anderen Worten ist ein temperaturabhängiger Verlauf des Brechungsindexes des Matrixmaterials von einem temperaturabhängigen Verlauf des Brechungsindexes des Partikelmaterials verschieden.
  • Beispielsweise kann der Brechungsindex gegenüber der Temperatur im relevanten Temperaturbereich sowohl für das Matrixmaterial als auch für das Partikelmaterial näherungsweise durch eine Gerade beschreibbar sein. Die Geraden, die den temperaturabhängigen Brechungsindex des Matrixmaterials und des Partikelmaterials beschreiben, können dann voneinander verschiedene Steigungen aufweisen. Die Steigungen können gleiche oder auch unterschiedliche Vorzeichen aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beträgt der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial bei einer Temperatur von 300 K höchstens 0,15, bevorzugt höchstens 0,10, insbesondere höchstens 0,07 oder höchstens 0,05. Das heißt, bei Raumtemperatur ist der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial vergleichsweise klein. Jedoch unterscheiden sich die Brechungsindices bevorzugt voneinander, sodass der Brechungsindexunterschied ungleich Null ist.
  • In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist dieses einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips auf, die insbesondere zu einer Emission von sichtbarem Licht vorgesehen sind. Weiterhin umfasst das Halbleiterbauteil mindestens einen Streukörper, der ein strahlungsdurchlässiges, bevorzugt ein transparentes, Matrixmaterial und darin eingebettete Streupartikel aus einem Partikelmaterial beinhaltet. Der Streukörper ist wenigstens einem der Halbleiterchips, insbesondere entlang einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterchips, diesem nachgeordnet. Bei einer Temperaturänderung verändert sich ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial. Bei einer Temperatur von 300 K beträgt der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial höchstens 0,15.
  • Optoelektronische Halbleiterbauteile wie Leuchtdioden werden bei unterschiedlichen Temperaturen betrieben. Beim Anschalten hat zum Beispiel eine aktive Zone des Halbleiterchips in etwa Umgebungstemperatur, beispielsweise Raumtemperatur. während einer Aufwärmehase, deren Dauer insbesondere abhängig ist von thermischen Widerständen des Halbleiterchips sowie des Halbleiterbauteils und abhängig ist von einer Ankopplung an eine Wärmesenke, steigt eine Temperatur der aktiven Zone an, bis typischerweise eine stabile Temperatur in einem stationären Arbeitspunkt erreicht ist. Dieser Vorgang spielt sich im Regelfall in einem Zeitraum der ersten 10 min bis 30 min nach dem Einschalten ab. Nach der Aufwärmehase liegt die Temperatur beispielsweise zwischen circa 75°C und 125°C, wobei in dem stationären Arbeitspunkt die Temperatur auch bei über 150°C liegen kann.
  • Bei für optoelektronische Halbleiterchips verwendeten Materialsystemen ändert sich ein Lichtstrom oder ein Strahlungsfluss typischerweise in Abhängigkeit von der Temperatur, insbesondere bei Vorliegen eines konstanten, temperaturunabhängigen Stroms. Höhere Arbeitstemperaturen führen in der Regel zu einem Abnehmen des Lichtstroms. Beispielsweise für auf InGaN basierende Halbleiterchips beträgt der Lichtstrom bei 100°C circa 85% des Lichtstroms bei 25°C. Bei auf InGaAlP basierenden Halbleiterchips ist dieser Effekt stärker ausgeprägt, insbesondere auch, da sich die Emissionswellenlänge aus einem Bereich höherer Augenempfindlichkeit herausschiebt. So kann bei einem auf InGaAlP basierenden, im gelben Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip die Helligkeit bei 100°C auf circa 40% des Werts bei 25°C abfallen, bei einer Emission im roten Wellenlängenbereich kann dieser Abfall etwa 50%, bezogen auf die vom menschlichen Auge empfundene Helligkeit, betragen.
  • Diese Temperaturabhängigkeit des Lichtstromes kann in Anwendungen Probleme verursachen. Beispielsweise bei Blinklichtern oder Rücklichtern im Automobilbereich ist ein bestimmter, vorgegebener Lichtstrom zu erreichen. Sind die verwendeten Leuchtdioden kalt, nahe Raumtemperatur, so leuchten diese zu hell. Bei der Allgemeinbeleuchtung von Arbeitsräumen oder von Wohnräumen werden insbesondere grünlich-weiß emittierende Halbleiterchips mit roten Halbleiterchips oder rote, grüne, blaue und/oder gelbe Halbleiterchips miteinander kombiniert. Bei einer derartigen Kombination von verschiedenartig emittierenden Halbleiterchips und dem mit steigender Temperatur einhergehenden, vergleichsweise starken Abfall des Lichtstromes der roten und gegebenenfalls gelben LEDs kann es zu starken Farbveränderungen kommen. Beispielsweise ändert sich die korrelierte Farbtemperatur um 600 K von circa 2400 K bei Raumtemperatur hin zu 3000 K am stationären Arbeitspunkt des Halbleiterchips bei circa 100°C. Es wird also nach dem Einschalten rotstichiges Licht emittiert, bevor erst nach circa 10 min bis 30 min die gewünschte Lichtfarbe erreicht ist. Weiterhin können derartige, temperaturabhängige und sich über vergleichsweise lange Zeiträume erstreckende Farbänderungen bei Hinterleuchtungen etwa für Flüssigkristallanzeigen Probleme bereiten.
  • Eine derartige Helligkeitsänderung oder Änderung der spektralen Zusammensetzung der emittierenden Strahlung kann reduziert oder vermieden werden, in dem so genannte Vollkonversionsleuchtdioden eingesetzt werden. Bei diesen Leuchtdioden, die insbesondere auf dem InGaN-Materialsystem beruhen, wird eine im Halbleiterchip emittierte Strahlung vollständig durch ein Konversionsmaterial in eine Strahlung anderer Wellenlänge umgewandelt. Derartige Leuchtdioden sind aber vergleichsweise teuer. Weiterhin ist es möglich, die Helligkeit und/oder die spektrale Zusammensetzung elektronisch nachzuregeln, beispielsweise in Verbindung mit Temperatursensoren und/oder optischen Sensoren und nachfolgender elektronischer Ansteuerung, beispielsweise über Pulsweitenmodulation. Jedoch sind diese Verfahren zur Nachregelung vergleichsweise aufwändig und kompliziert sowie relativ kostenintensiv.
  • Bei dem angegebenen optoelektronischen Halbleiterbauteil wird alternativ oder zusätzlich das Temperaturverhalten des Lichtstromes durch den Streukörper beeinflusst. Durch das unterschiedliche Temperaturverhalten der Brechungsindices von Matrixmaterial und Partikelmaterial ändert sich der Brechungsindexunterschied bei Raumtemperatur im Vergleich zum Brechungsindexunterschied beim stationären Arbeitspunkt, der zum Beispiel bei circa 100°C liegt. Durch eine Änderung des Brechungsindexunterschieds ändern sich die Licht streuenden Eigenschaften des Streukörpers. Hierdurch ist es möglich, dass der Streukörper bei Raumtemperatur stärker streut und bei höheren Temperaturen das Streuverhalten abnimmt. Mit anderen Worten ist über den Streukörper eine Abnahme des Lichtstromes aufgrund der temperaturabhängigen Effizienz des Halbleiterchips ausgleichbar. Hierdurch kann das System aus Streukörper und Halbleiterchip eine bei Temperaturänderung vergleichsweise konstante Lichtabstrahlung erzielen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Brechungsindex des Partikelmaterials bei einer Temperatur von 300 K kleiner als der Brechungsindex des Matrixmaterials.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils nimmt der Brechungsindex des Matrixmaterials mit steigender Temperatur ab. Dies gilt insbesondere für einen Temperaturbereich zwischen einschließlich 300 K und 450 K. Alternativ oder zusätzlich steigt der Brechungsindex des Partikelmaterials mit steigender Temperatur in diesem Temperaturbereich an.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils nimmt der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial mit steigender Temperatur ab. Insbesondere gilt dies in einem Temperaturbereich zwischen einschließlich 300 K und 375 K und/oder zwischen einschließlich 375 K und 450 K.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils nimmt ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial zumindest in einem Temperaturbereich zwischen einschließlich 300 K und 375 K und/oder zwischen einschließlich 375 K und 450 K zu.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils gleichen sich die Brechungsindices von Matrixmaterial und Partikelmaterial in einen Temperaturbereich zwischen einschließlich 300 K und 450 K mit zunehmender Temperatur zuerst an und nachfolgend, bei noch höheren Temperaturen in oder außerhalb des genannten Temperaturbereichs, nimmt ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial wieder zu.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beträgt ein mittlerer Streuquerschnitt der Streupartikel im Temperaturbereich zwischen einschließlich 375 K und 450 K höchstens 50% oder höchstens 25% oder höchstens 10% des mittleren Streuquerschnitts der Streupartikel bei einer Temperatur von 300 K. Der mittlere Streuquerschnitt ist unter anderem abhängig von dem Brechungsindexunterschied zwischen dem Partikelmaterial und dem Matrixmaterial. Weiterhin gehen in den Streuquerschnitt geometrische Eigenschaften der Streupartikel, insbesondere die Form der Streupartikel und deren Größe, ein.
  • Mit anderen Worten nähern sich gemäß dieser Ausführungsform die Brechungsindices des Matrixmaterials und des Partikelmaterials soweit an, dass der Streuquerschnitt im Bereich der stationären Arbeitstemperatur des Halbleiterchips, also beispielsweise bei einer Temperatur zwischen einschließlich 375 K und 450 K, im Vergleich zum Streuquerschnitt der Streupartikel bei Raumtemperatur gering ist oder vernachlässigbar ist. Es wirken die Streupartikel bei Raumtemperatur also streuend, wohingegen bei der höheren stationären Arbeitstemperatur des Halbleiterchips die Streupartikel nicht oder nicht signifikant streuend wirken, aufgrund der Änderungen der Brechungsindices des Matrixmaterials und gegebenenfalls des Partikelmaterials.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beträgt der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial bei einer Temperatur von 300 K mindestens 0,02 oder mindestens 0,025 oder mindestens 0,03.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beträgt bei der stationären Arbeitstemperatur der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial höchstens 0,015, bevorzugt höchstens 0,010 oder höchstens 0,005. Insbesondere ist der Brechungsindexunterschied bei einer Temperatur von circa 400 K, oder bei einer davon abweichenden stationären Arbeitstemperatur des Halbleiterchips, vernachlässigbar oder gleich Null.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils weist das Matrixmaterial wenigstens eines der folgenden Materialen auf oder besteht hieraus oder aus einer Mischung aus zumindest zwei der folgenden Materialien: einem Silikon, einem Epoxid, einem Polyurethan, einem Acrylat, einem Polycarbonat.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist das Partikelmaterial in einem Temperaturbereich von einschließlich 300 K bis 450 K transparent und klarsichtig. Zum Beispiel beinhaltet oder ist das Partikelmaterial eines der folgenden Materialien: ein Siliziumoxid wie Glas oder ein Metallfluorid wie Kalziumfluorid, Bariumfluorid, Lithiumfluorid oder Magnesiumfluorid.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils liegt ein mittlerer Durchmesser der Streupartikel zwischen einschließlich 0,15 μm und 20 μm, insbesondere zwischen einschließlich 0,2 μm und 5 μm. Der mittlere Durchmesser ist hierbei insbesondere der Durchmesser d50 über Q0.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils beträgt ein Gewichtsanteil der Streupartikel an dem gesamten Streukörper zwischen einschließlich 10% und 50%, insbesondere zwischen einschließlich 20% und 40% oder zwischen einschließlich 25% und 35% oder zwischen einschließlich 15% und 30%. Alternativ oder zusätzlich liegt ein Volumenanteil der Streupartikel unterhalb von 30% oder unterhalb von 25% oder unterhalb von 20%.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Streukörper plättchenartig oder scheibenartig geformt. Beispielsweise erstreckt sich der Streukörper dann über eine Strahlungshauptfläche des Halbleiterchips mit konstanter oder im Wesentlichen konstanter Dicke, wobei Flanken des Halbleiterchips ebenfalls von dem Streukörper bedeckt sein können. Eine Dicke der Schicht oder des Plättchens beträgt bevorzugt höchstens 500 μm oder höchstens 100 μm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist der Streukörper linsenartig geformt. Beispielsweise weist der Streukörper die Form einer Sammellinse auf. Der Streukörper kann also sphärisch oder ellipsoid ausgebildet sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils gleicht sich, ausgehend von einer Temperatur von 300 K, der Brechungsindex des Matrixmaterials an den Brechungsindex des Partikelmaterials an, mindestens bis zu einer Temperatur von 375 K. Mit anderen Worten ändert sich der Brechungsindex des Matrixmaterials stärker als der Brechungsindex des Partikelmaterials. Beispielsweise bleibt der Brechungsindex des Partikelmaterials näherungsweise konstant und es ändert sich näherungsweise nur der Brechungsindex des Matrixmaterials. Zum Beispiel liegt eine temperaturabhängige Brechungsindexänderung des Partikelmaterials um mindestens einen Faktor 10 oder um mindestens einen Faktor 50 unterhalb der Brechungsindexänderung des Matrixmaterials, bezogen auf denselben Temperaturbereich. Der relevante Temperaturbereich liegt hierbei insbesondere zwischen einschließlich 300 K und 375 K und/oder zwischen einschließlich 375 K und 450 K.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils ist dessen Lichtstrom insbesondere zwischen einschließlich 300 K und 375 K und/oder zwischen einschließlich 375 K und 450 K konstant oder nahezu konstant. Zum Beispiel ändert sich der Lichtstrom in den angegebenen Temperaturbereichen höchstens um 25% oder höchstens um 15% oder höchstens um 5%, bezogen auf einen Lichtstrom des Halbleiterbauteils bei 300 K.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils wirkt der Streukörper kurz nach dem Einschalten, zum Beispiel mindestens bis zu 1 min oder mindestens bis zu 5 min nach dem Einschalten bei Raumtemperatur, streuend. Mit anderen Worten erscheint einem Betrachter der Streukörper dann als trüb, so dass insbesondere unter dem Streukörper befindliche Strukturen, zum Beispiel einer Stromaufweitungsstruktur des Halbleiterchips, verschwommen erscheinen können.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils wirkt der Streukörper längere Zeit nach dem Einschalten, zum Beispiel nach 10 min oder nach 30 min oder nach dem Einstellen einer stationären Arbeitstemperatur, nicht mehr streuend. Mit anderen Worten erscheint einem Betrachter der Streukörper dann als klarsichtig.
  • Darüber hinaus wird ein Streukörper für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Zum Beispiel beinhaltet das Halbleiterbauteil, wie in mindestens einer der vorangegangenen Ausführungsformen beschrieben, einen solchen Streukörper. Merkmale des Streukörpers sind daher auch für das optoelektronische Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt.
  • In mindestens einer Ausführungsform des Streukörpers weist dieser ein strahlungsdurchlässiges Matrixmaterial auf. In das Matrixmaterial sind Streupartikel aus einem Partikelmaterial eingebettet. Ein Brechungsindex des Matrixmaterials verhält sich bei einer Temperaturänderung anders als ein Brechungsindex des Partikelmaterials. Bei einer Temperatur von 300 K beträgt der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial und dem Partikelmaterial höchstens 0,15.
  • Nachfolgend wird ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil sowie ein hier beschriebener Streukörper unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Es zeigen:
  • 1 bis 4 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen mit hier beschriebenen Streukörpern.
  • In 1 ist ein Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 dargestellt. Auf einem Träger 5 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 2 angebracht. An einer dem Träger 5 abgewandten Strahlungshauptfläche 20 des Halbleiterchips 2 befindet sich ein Streukörper 34. Der Streukörper 34 weist ein Matrixmaterial 3 auf, das klarsichtig und transparent für eine von dem Halbleiterchip 2 zu emittierende Strahlung ist und in das Streupartikel 4 eingebettet sind. Der Streukörper 34 ist plättchenartig geformt und beispielsweise auf die Strahlungshauptfläche 20 aufgeklebt oder unmittelbar aufgedruckt.
  • Das Matrixmaterial 3 ist zum Beispiel ein Silikon oder ein Silikon-Epoxid-Hybridmaterial, insbesondere beinhaltend ein phenylisiertes Silikon. Ein Brechungsindex des Matrixmaterials 3 bei Raumtemperatur beträgt zum Beispiel circa 1,49. Die Streupartikel 4 sind beispielsweise Glaskugeln mit einem mittleren Durchmesser von circa 0,5 μm und einem Brechungsindex von 1,46 bei Raumtemperatur. Ein Gewichtsanteil der Streupartikel 4 an den Streukörper 34 liegt bei circa 30%.
  • Der Halbleiterchip 2, der insbesondere auf InGaAlP basiert, weist eine stationäre Arbeitstemperatur im Dauerbetrieb zum Beispiel bei 100°C auf. Gegenüber Raumtemperatur von circa 25°C bedeutet dies einen Temperaturunterschied von 75°C. Eine Brechungsindexänderung des Silikons beträgt im relevanten Temperaturbereich circa –4 × 10–4 K–1. Ein Brechungsindex des Silikons nimmt also mit steigender Temperatur ab. Eine Brechungsindexänderung der Streupartikel 3 liegt bei ungefähr 0,1 × 10–5 K–1 bis 1 × 10–5 K–1 und ist, im Vergleich zur Brechungsindexänderung des Matrixmaterials 3, klein und kann als näherungsweise konstant angesehen werden.
  • Aufgrund des Brechungsindexunterschieds zwischen dem Matrixmaterial 3 und den Streupartikeln 4 von circa 0,03 bei Raumtemperatur wirkt der Streukörper 34 bei Raumtemperatur streuend. Dies führt zu einer Rückstreuung von Licht aus dem Halbleiterchip 2. Das rückgestreute Licht wird beispielsweise an dem Träger 5 oder in dem Halbleiterchip 2 absorbiert. Bei Raumtemperatur ist eine Auskoppeleffizienz von in dem Halbleiterchip 2 erzeugter Strahlung aus dem gesamten Halbleiterbauteil 1 heraus also gezielt reduziert.
  • Hin zu der stationären Arbeitstemperatur nähert sich der Brechungsindex des Matrixmaterials 3 an dem Brechungsindex der Streupartikel 4 an und beide Brechungsindices betragen dann circa 1,46. Hierdurch wirkt der Streukörper 34, bei der stationären Arbeitstemperatur von circa 100°C, nicht mehr oder näherungsweise nicht mehr streuend und eine Auskoppeleffizienz ist bei dieser Temperatur erhöht. Durch den temperaturabhängigen Verlauf der Auskoppeleffizienz aufgrund der Brechungsindexänderung des Matrixmaterials 3 relativ zu den Streupartikeln 4 ist ein gegenüber Temperaturänderungen vergleichsweise unempfindlicher, stabiler Lichtstrom erzielbar.
  • Gemäß 1 sind die Streupartikel 4 in etwa sphärisch. Alternativ oder zusätzlich hierzu können Streupartikel 4 kantige Formen, beispielsweise quaderartig oder würfelartig oder pyramidenartig, aufweisen, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen. Nicht sphärische Streupartikel 4 weisen einen größeren Streuquerschnitt auf als kugelartige Streupartikel 4 mit gleichem mittlerem Durchmesser. Auch über den Durchmesser der Streupartikel 4 lässt sich der Streuquerschnitt anpassen. So kann der mittlere Durchmesser der Streupartikel 4 im Bereich der Wellenlänge der vom Halbleiterchip 2 emittierten Strahlung liegen, also zum Beispiel zwischen einschließlich 400 nm und 700 nm.
  • Im Vergleich zu herkömmlichen Streukörpern weisen die Streupartikel 4 gegenüber dem Matrixmaterial 3 bei Raumtemperatur einen kleinen Brechungsindexunterschied auf. Bei herkömmlichen Streukörpern sind die Streupartikel insbesondere mit einem Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid oder Titanoxid gebildet und ein Brechungsindexunterschied zwischen einem Matrixmaterial und derartigen Partikeln ist im Regelfall größer als 0,3.
  • Optional ist der plättchenartige Streukörper 34 von einem weiteren Vergusskörper 6 umgeben. Der Vergusskörper 6 ist bevorzugt linsenartig, beispielsweise in Form einer Sammellinse, ausgeformt. Weiterhin optional kann dem Vergusskörper 6 ein Konversionsmittel 7 zur teilweisen Wellenlängenänderung von im Halbleiterchip 2 erzeugter Strahlung beigegeben sein.
  • In den folgenden Figuren sind die Streupartikel 4 sowie das Matrixmaterial 3 nicht gezeichnet, sondern nur vereinfacht der Streukörper 34 als Ganzes.
  • In 2A und 2B sind weitere Ausführungsbeispiele des Halbleiterbauteils 1 dargestellt. Gemäß 2A bedeckt der Streukörper 34 ausschließlich die Strahlungshauptfläche 20 des Halbleiterchips 2. Der Streukörper 34 steht also nicht in Kontakt zu einer Trägeroberseite 50 des Trägers 5, wobei der Halbleiterchip 2 an der Trägeroberseite 50 angebracht ist.
  • Gemäß 2B weist der Streukörper 34 in laterale Richtung im Wesentlichen gleiche Abmessungen auf wie der Halbleiterchip 2. Im Wesentlichen kann hierbei bedeuten, dass in lateraler Richtung eine Abmessung des Streukörpers 34 eine Abmessung des Halbleiterchips 2 entlang derselben Richtung höchstens um 30%, insbesondere höchstens um 20% oder höchstens um 15% übersteigt. Gemäß 2B bedeckt der Streukörper 34, der eine lateral größere Ausdehnung aufweist als der Halbleiterchip 2, Flanken 25 des Halbleiterchips 2, wobei die Flanken 25 laterale Begrenzungsflächen des Halbleiterchips 2 bilden.
  • Bei den Ausführungsbeispielen gemäß den 3A und 3B ist der Streukörper 34 als Volumenverguss gestaltet. In 3A ist der Streukörper 34 sphärisch oder linsenartig ausgebildet, wobei eine laterale Ausdehnung des Streukörpers 34 eine laterale Ausdehnung des Halbleiterchips 2 beispielsweise um mehr als einen Faktor 1,5 oder um mehr als einen Faktor 2 übersteigt. Eine Höhe des Streukörpers 34, in eine Richtung senkrecht zu der Trägeroberseite 50, übersteigt zum Beispiel eine mittlere Kantenlänge des Halbleiterchips 2.
  • Beim Ausführungsbeispiel gemäß 3B weist der Träger 5 eine Ausnehmung 55 auf, in der der Halbleiterchip 2 angebracht ist. Die Ausnehmung 55 ist mit dem Streukörper 34 ausgefüllt.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel ist in 4 illustriert. Gemäß 4 weist das optoelektronische Halbleiterbauteil 1 mehrere Halbleiterchips 2a, 2b auf. Zum Beispiel basiert der Halbleiterchip 2a auf InAlGaP und emittiert Strahlung im gelben oder im roten Spektralbereich. Der Halbleiterchip 2b basiert insbesondere auf AlInGaN und emittiert Strahlung im blauen Spektralbereich. Beide Halbleiterchips 2a, 2b sind auf der Trägeroberseite 50 in der optionalen Ausnehmung 55 des Trägers 5 angebracht.
  • Dem Halbleiterchip 2a ist der plättchenartige Streukörper 34 an der Strahlungshauptfläche 20a nachgeordnet. Der Halbleiterchip 2b ist frei von einem Streukörper. Optional ist an der Strahlungshauptfläche 20b des Halbleiterchips 2b ein Konversionsmittel 7, beispielsweise ebenfalls schichtartig ausgebildet wie der Strahlkörper 34, angebracht.
  • Das Halbleiterbauteil 1 gemäß 4 kann im Betrieb weißes Licht emittieren, wobei sich zum Beispiel grünlich-weißes Licht des Halbleiterchips 2b mit rotem Licht des Halbleiterchips 2a mischt. Eine Temperaturabhängigkeit des Lichtstromes des Halbleiterchips 2a ist durch den Streukörper 34 ausgleichbar, so dass das Halbleiterbauteil 1 auch unmittelbar nach dem Einschalten und vor Erreichen der stationären Arbeitstemperatur bereits die Strahlung der gewünschten Farbtemperatur emittiert.
  • Optional ist den Halbleiterchips 2a, 2b eine Abdeckplatte 8 nachgeordnet. Die Abdeckplatte 8 beinhaltet zum Beispiel ein weiteres Streumittel, über das eine Mischung der von den Halbleiterchips 2a, 2b emittierten Strahlung verbesserbar ist.
  • Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmale sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims (14)

  1. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit – einem oder mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (2), und – mindestens einem Streukörper (34), der ein strahlungsdurchlässiges Matrixmaterial (3) und darin eingebettete Streupartikel (4) aus einem Partikelmaterial aufweist und der wenigstens einem der Halbleiterchips (2) nachgeordnet ist, wobei sich bei einer Temperaturänderung ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial verändert, und der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial bei einer Temperatur von 300 K höchsten 0,15 beträgt.
  2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Partikelmaterial bei einer Temperatur von 300 K einen kleineren Brechungsindex aufweist als das Matrixmaterial.
  3. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem, in einem Temperaturbereich von einschließlich 300 K bis 450 K, ein Brechungsindex des Matrixmaterials (3) mit steigender Temperatur abnimmt.
  4. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem, in einem Temperaturbereich von einschließlich 300 K bis 450 K, der Brechungsindex des Partikelmaterials (3) mit steigender Temperatur zunimmt.
  5. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem, in einem Temperaturbereich von einschließlich 300 K bis 375 K, der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial mit steigender Temperatur abnimmt.
  6. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem bei mindestens einer Temperatur, in einem Temperaturbereich von einschließlich 375 K bis 450 K, ein mittlerer Streuquerschnitt der Streupartikel (4) für im Betrieb in dem Halbleiterchip (2) erzeugte Strahlung höchstens 25% des mittleren Streuquerschnitts der Streupartikel (4) bei einer Temperatur von 300 K beträgt.
  7. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial bei einer Temperatur von 300 K mindestens 0,02 und/oder bei einer Temperatur von 400 K höchstens 0,01 beträgt.
  8. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Matrixmaterial (3) eines der folgenden Materialien oder eine Mischung aus zumindest zwei der folgenden Materialien beinhaltet oder ist: ein Silikon, ein Epoxid, ein Polyurethan, ein Acrylat, ein Polycarbonat.
  9. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Partikelmaterial in einem Temperaturbereich von einschließlich 300 K bis 450 K transparent und klarsichtig ist.
  10. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Partikelmaterial eines der folgenden Materialien oder eine Mischung aus zumindest zwei der folgenden Materialien beinhaltet oder ist: ein Siliziumoxid, ein Metallfluorid.
  11. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein mittlerer Durchmesser der Streupartikel (4) zwischen einschließlich 0,15 μm und 20 μm liegt.
  12. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Gewichtsanteil der Streupartikel (4) an dem Streukörper (34) zwischen einschließlich 10% und 50% beträgt.
  13. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem – das Matrixmaterial (3) ein Silikon oder ein Silikon-Epoxid-Hybridmaterial ist, – das Partikelmaterial Glas, BaF2, LiF oder MgF2 ist, – ein Gewichtsanteil der Streupartikel (4) an dem Streukörper (34) zwischen einschließlich 20% und 40% beträgt, – ein mittlerer Durchmesser der Streupartikel (4) zwischen einschließlich 0,2 μm und 5 μm liegt, – der Streukörper (34) ein Plättchen mit einer Dicke von höchstens 500 μm oder eine Sammellinse ist, – das Halbleiterbauteil (1) wenigstens zwei in voneinander verschiedenen Spektralbereichen emittierende Halbleiterchips (2) umfasst, – zumindest einem der Halbleiterchips (2) kein Streukörper (34) nachgeordnet ist oder zumindest zwei der Halbleiterchips (2) Streukörper (34) mit unterschiedlichem temperaturabhängigem Streuverhalten nachgeordnet sind, – sich bis zu einer Temperatur von mindestens 375 K, ausgehend von einer Temperatur von 300 K, sich der Brechungsindex des Matrixmaterials (3) an den Brechungsindex des Partikelmaterials angleicht, und – wenigstens einer der Halbleiterchips (2) auf AlInGaN oder auf AlInGaP basiert.
  14. Streukörper (34) für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit – einem strahlungsdurchlässigen Matrixmaterial (3), und – Streupartikeln (4) aus einem Partikelmaterial, wobei – die Streupartikel (3) in das Matrixmaterial (3) eingebettet sind, – sich ein Brechungsindex des Matrixmaterials (3) bei einer Temperaturänderung anders verhält als ein Brechungsindex des Partikelmaterials, und – ein Brechungsindexunterschied zwischen dem Matrixmaterial (3) und dem Partikelmaterial bei einer Temperatur von 300 K höchsten 0,15 beträgt.
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WO (1) WO2012022628A1 (de)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012022628A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und streukörper
DE102011085645A1 (de) 2011-11-03 2013-05-08 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls
DE102012204408A1 (de) * 2012-03-20 2013-09-26 Osram Gmbh Led-chip mit temperaturabhängiger wellenlänge und leuchtvorrichtung mit solchem led-chip
DE102012205770A1 (de) * 2012-04-10 2013-10-10 Osram Gmbh Optisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen des optischen Bauelementes, Verfahren zum Betreiben eines optischen Bauelements und Verfahren zum Homogenisieren der Strahlungsdichte elektromagnetischer Strahlung in einem optischen Bauelement
DE102012205465A1 (de) 2012-04-03 2013-10-10 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung
CN103367604A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 晶元光电股份有限公司 发光元件
WO2014029773A1 (de) * 2012-08-21 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende diodenanordnung zur erzeugung von weissem licht
DE102012217643A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102012219460A1 (de) * 2012-10-24 2014-04-24 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul
WO2014067716A1 (de) * 2012-10-30 2014-05-08 Osram Gmbh Led-lichtsystem
US9362470B2 (en) 2012-09-19 2016-06-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device, optical element and method for producing same
DE102015204057A1 (de) * 2015-03-06 2016-09-08 Osram Gmbh Herstellen eines Beleuchtungsmoduls
DE102016201308A1 (de) * 2016-01-28 2017-08-03 Osram Gmbh Leuchtstoffelement
DE102016114474A1 (de) * 2016-08-04 2018-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil mit einem lichtemittierenden Bauelement
DE102017101880A1 (de) 2017-01-31 2018-08-02 Ledvance Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10522518B2 (en) * 2010-12-23 2019-12-31 Bench Walk Lighting, LLC Light source with tunable CRI
DE102011105010A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6435594B2 (ja) * 2012-12-21 2018-12-12 東レ株式会社 シリコーン樹脂組成物
BR102016004795B1 (pt) 2015-03-05 2021-09-08 Nichia Corporation Diodo emissor de luz
JP6805505B2 (ja) * 2015-03-05 2020-12-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6925100B2 (ja) * 2015-05-21 2021-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI678551B (zh) 2015-07-28 2019-12-01 美商道康寧公司 智慧型光學材料、配方、方法、用途、物品、及裝置
JP6632834B2 (ja) * 2015-08-24 2020-01-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
US11081628B2 (en) 2016-09-01 2021-08-03 Lumileds Llc White-appearing semiconductor light-emitting devices having a temperature sensitive low-index particle layer
JP6864082B2 (ja) * 2016-09-01 2021-04-21 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 感温性の低屈折率粒子層を備えた白色に見える半導体発光デバイス
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
EP3729501A1 (de) 2017-12-21 2020-10-28 Lumileds Holding B.V. Beleuchtungsvorrichtung
US10761246B2 (en) 2017-12-22 2020-09-01 Lumileds Llc Light emitting semiconductor device having polymer-filled sub-micron pores in porous structure to tune light scattering
JP7224355B2 (ja) * 2017-12-22 2023-02-17 ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー 光散乱を調整するための多孔質のミクロン・サイズの粒子

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005013785A1 (de) * 2004-03-26 2005-11-10 Koito Manufacturing Co., Ltd. Lichtquellenmodul und Fahrzeugscheinwerfer
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
DE102008030253A1 (de) * 2008-06-25 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement und Leuchtmittel

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0525397A (ja) 1991-07-17 1993-02-02 Tokuyama Soda Co Ltd 樹脂組成物
JP3721935B2 (ja) * 2000-04-19 2005-11-30 住友電気工業株式会社 光学装置
US7160972B2 (en) 2003-02-19 2007-01-09 Nusil Technology Llc Optically clear high temperature resistant silicone polymers of high refractive index
DE102005017528A1 (de) * 2004-08-27 2006-03-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtmittel mit vorgegebener Abstrahlcharakteristik und Primäroptikelement für ein Leuchtmittel
JP4348267B2 (ja) 2004-09-22 2009-10-21 シャープ株式会社 光半導体装置、光通信装置および電子機器
JP2006179804A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Sharp Corp 光半導体素子および電子機器
TWI280673B (en) * 2004-09-22 2007-05-01 Sharp Kk Optical semiconductor device, optical communication device, and electronic equipment
WO2006077995A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-27 Fujifilm Corporation Transparent film and method for manufacturing the same, polarized plate and image display device
JP2007165508A (ja) 2005-12-13 2007-06-28 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 発光素子封止用組成物及び発光素子並びに光半導体装置
JP2008108835A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Harison Toshiba Lighting Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20080121911A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
JP2009197185A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Hitachi Chem Co Ltd 透明熱伝導接着フィルム及びその用途
KR101562772B1 (ko) * 2008-03-31 2015-10-26 서울반도체 주식회사 백열등 색의 발광 디바이스
JP2009275196A (ja) 2008-05-19 2009-11-26 Sony Corp 硬化性樹脂材料組成物、光学材料、発光装置及びその製造方法、並びに電子デバイス
JP5245614B2 (ja) * 2008-07-29 2013-07-24 豊田合成株式会社 発光装置
DE102008057347A1 (de) 2008-11-14 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
DE102009005907A1 (de) * 2009-01-23 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102010034915A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streukörper

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005013785A1 (de) * 2004-03-26 2005-11-10 Koito Manufacturing Co., Ltd. Lichtquellenmodul und Fahrzeugscheinwerfer
DE102006051746A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
DE102008030253A1 (de) * 2008-06-25 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement und Leuchtmittel

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012022628A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und streukörper
US9209365B2 (en) 2011-11-03 2015-12-08 Osram Gmbh Light-emitting diode module and method for operating a light-emitting diode module
DE102011085645A1 (de) 2011-11-03 2013-05-08 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls
WO2013064361A1 (de) 2011-11-03 2013-05-10 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul und verfahren zum betreiben eines leuchtdiodenmoduls
DE102012204408A1 (de) * 2012-03-20 2013-09-26 Osram Gmbh Led-chip mit temperaturabhängiger wellenlänge und leuchtvorrichtung mit solchem led-chip
DE102012204408B4 (de) * 2012-03-20 2013-10-10 Osram Gmbh Led-chip mit temperaturabhängiger wellenlänge und leuchtvorrichtung mit solchem led-chip
DE102012205465A1 (de) 2012-04-03 2013-10-10 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung
CN103367604B (zh) * 2012-04-06 2017-05-03 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN103367604A (zh) * 2012-04-06 2013-10-23 晶元光电股份有限公司 发光元件
WO2013153007A1 (de) * 2012-04-10 2013-10-17 Osram Gmbh Optisches bauelement und verfahren zur homogenisierung der optischen strahlungsdichte
DE102012205770A1 (de) * 2012-04-10 2013-10-10 Osram Gmbh Optisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen des optischen Bauelementes, Verfahren zum Betreiben eines optischen Bauelements und Verfahren zum Homogenisieren der Strahlungsdichte elektromagnetischer Strahlung in einem optischen Bauelement
WO2014029773A1 (de) * 2012-08-21 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende diodenanordnung zur erzeugung von weissem licht
US9746141B2 (en) 2012-08-21 2017-08-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diode arrangement for generating white light
US9362470B2 (en) 2012-09-19 2016-06-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device, optical element and method for producing same
DE102012217643A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US9459383B2 (en) 2012-09-27 2016-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic device
US9620486B2 (en) 2012-10-24 2017-04-11 Osram Gmbh Light-emitting diode module
DE102012219460A1 (de) * 2012-10-24 2014-04-24 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul
US9431587B2 (en) 2012-10-30 2016-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED light system
WO2014067716A1 (de) * 2012-10-30 2014-05-08 Osram Gmbh Led-lichtsystem
DE102015204057A1 (de) * 2015-03-06 2016-09-08 Osram Gmbh Herstellen eines Beleuchtungsmoduls
US9893230B2 (en) 2015-03-06 2018-02-13 Osram Gmbh Producing a lighting module
DE102016201308A1 (de) * 2016-01-28 2017-08-03 Osram Gmbh Leuchtstoffelement
US10371355B2 (en) 2016-01-28 2019-08-06 Osram Gmbh Phosphor element
DE102016114474A1 (de) * 2016-08-04 2018-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil mit einem lichtemittierenden Bauelement
DE102017101880A1 (de) 2017-01-31 2018-08-02 Ledvance Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung
DE102017101880B4 (de) * 2017-01-31 2018-10-11 Ledvance Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung

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