DE102011085645A1 - Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls - Google Patents

Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls Download PDF

Info

Publication number
DE102011085645A1
DE102011085645A1 DE102011085645A DE102011085645A DE102011085645A1 DE 102011085645 A1 DE102011085645 A1 DE 102011085645A1 DE 102011085645 A DE102011085645 A DE 102011085645A DE 102011085645 A DE102011085645 A DE 102011085645A DE 102011085645 A1 DE102011085645 A1 DE 102011085645A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting diode
phosphor
radiation
light
diode module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102011085645A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102011085645B4 (de
Inventor
Reiner Windisch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Original Assignee
Osram GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram GmbH filed Critical Osram GmbH
Priority to DE102011085645.5A priority Critical patent/DE102011085645B4/de
Priority to US14/355,234 priority patent/US9209365B2/en
Priority to PCT/EP2012/070388 priority patent/WO2013064361A1/de
Publication of DE102011085645A1 publication Critical patent/DE102011085645A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102011085645B4 publication Critical patent/DE102011085645B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/20Controlling the colour of the light
    • H05B45/24Controlling the colour of the light using electrical feedback from LEDs or from LED modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls (10) weist dieses einen ersten Leuchtdiodenchip (1) auf, der auf dem Materialsystem AlInGaN basiert und der dazu eingerichtet ist, eine erste Strahlung im blauen Spektralbereich zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtdiodenmodul (10) mindestens einen zweiten Leuchtdiodenchip (2), der auf dem Materialsystem InGaAlP basiert und der dazu eingerichtet ist, eine zweite Strahlung im roten Spektralbereich zu emittieren. Ein Konversionselement (3) ist mindestens dem ersten Leuchtdiodenchip (1) nachgeordnet und zur Umwandlung eines Teils der ersten Strahlung in eine dritte Strahlung eingerichtet. Das Konversionselement (3) umfasst einen erste sowie einen zweiten Leuchtstoff, wobei der erste Leuchtstoff dazu eingerichtet ist, kurzwelliger zu emittieren als der zweite Leuchtstoff. Der erste Leuchtstoff weist im langwelligen blauen Spektralbereich eine zu größeren Wellenlängen hin abnehmende Absorption auf und der zweite Leuchtstoff weist im mittleren blauen Spektralbereich ein Absorptionsmaximum auf.

Description

  • Es wird ein Leuchtdiodenmodul angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls angegeben.
  • Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Leuchtdiodenmodul sowie ein Verfahren zum Betreiben des Leuchtdiodenmoduls anzugeben, wobei sich ein Farbwiedergabeindex einer von dem Leuchtdiodenmodul erzeugten Strahlung gegenüber Temperaturänderungen nicht oder kaum ändert.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls umfasst dieses einen oder mehrere erste Leuchtdiodenchips. Bei den Leuchtdiodenchips handelt es sich insbesondere um eine erste Strahlung im blauen Spektralbereich oder im blau-grünen Spektralbereich emittierende Leuchtdiodenchips, kurz LEDs.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Leuchtdiodenmodul einen oder mehrere zweite Leuchtdiodenchips auf. Der wenigstens eine zweite Leuchtdiodenchip ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine zweite Strahlung zu emittieren, wobei die zweite Strahlung im roten Spektralbereich oder im orange-roten Spektralbereich liegt.
  • Halbleiterschichtenfolgen der ersten und zweiten Leuchtdiodenchips basieren bevorzugt auf einem III–V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamAs, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1 ist. Dabei können die Halbleiterschichtenfolgen Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolgen, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können. Insbesondere basiert der erste Leuchtdiodenchip auf dem Materialsystem AlInGaN und der zweite Leuchtdiodenchip auf dem Materialsystem InGaAlP.
  • Die Halbleiterschichtenfolgen umfassen zumindest eine aktive Schicht, die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist. Die aktive Schicht beinhaltet insbesondere wenigstens einen pn-Übergang und/oder mindestens eine Quantentopfstruktur. Eine von der aktiven Schicht im Betrieb erzeugte Strahlung liegt insbesondere im Spektralbereich zwischen einschließlich 400 nm und 800 nm oder zwischen einschließlich 450 nm und 480 nm sowie zwischen einschließlich 600 nm und 660 nm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das Leuchtdiodenmodul ein oder mehrere Konversionselemente. Das Konversionselement ist ausschließlich oder mindestens dem ersten Leuchtdiodenchip nachgeordnet und zur Umwandlung eines Teils der ersten Strahlung, die im blauen Spektralbereich liegt, in eine dritte Strahlung mit Wellenlängen im grünen oder grün-gelben oder grün-orangen Spektralbereich eingerichtet. Weist das Leuchtdiodenmodul mehrere erste Leuchtdiodenchips auf, so ist das Konversionselement mindestens einem der ersten Leuchtdiodenchips, bevorzugt allen ersten Leuchtdiodenchips, nachgeordnet oder jedem der ersten Leuchtdiodenchips ist ein separates Konversionselement zugeordnet. Nachgeordnet kann bedeuten, dass sich das Konversionselement in einem Strahlweg der von dem Leuchtdiodenchip emittierten Strahlung befindet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Konversionselement einen ersten Leuchtstoff sowie einen zweiten Leuchtstoff. Der erste Leuchtstoff ist hierbei dazu eingerichtet, kurzwelliger zu emittieren als der zweite Leuchtstoff. Das heißt, ein von dem ersten Leuchtstoff emittiertes Spektrum führt zu einer kleineren dominanten Wellenlänge als das vom zweiten Leuchtstoff emittierte Spektrum. Mit anderen Worten ist es möglich, dass alle beide Leuchtstoffe gemeinsam dem ersten Leuchtdiodenchip nachgeordnet sind.
  • Es ist die dominante Wellenlänge insbesondere die Wellenlänge, die sich als Schnittpunkt der Spektralfarblinie der CIE-Normfarbtafel mit einer geraden Linie ergibt, wobei diese gerade Linie, ausgehend vom Weißpunkt in der CIE-Normfarbtafel, durch den tatsächlichen Farbort der Strahlung verläuft. Im allgemeinen ist die dominante Wellenlänge von einer Wellenlänge, bei der eine höchste Strahlungsintensität emittiert wird, englisch peak wavelength, verschieden. Hinsichtlich einer Emissionswellenlänge wird nachfolgend jeweils auf die dominante Wellenlänge Bezug genommen, sofern nicht anders angegeben.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der erste Leuchtstoff im langwelligen blauen Spektralbereich eine zu größeren Wellenlängen hin abnehmende Absorption auf. Ferner weist der zweite Leuchtstoff im mittleren blauen Spektralbereich ein Absorptionsmaximum auf. Mit anderen Worten weisen der erste Leuchtstoff und der zweite Leuchtstoff im blauen Spektralbereich, in dem die erste Strahlung liegt, unterschiedliche Absorptionsverhalten auf.
  • In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weist dieses mindestens einen ersten Leuchtdiodenchip auf, der auf dem Materialsystem AlInGaN basiert und der dazu eingerichtet ist, eine erste Strahlung im blauen Spektralbereich zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtdiodenmodul mindestens einen zweiten Leuchtdiodenchip, der auf dem Materialsystem InGaAlP basiert und der dazu eingerichtet ist, eine zweite Strahlung im roten Spektralbereich zu emittieren. Ein Konversionselement des Leuchtdiodenmoduls ist mindestens dem ersten Leuchtdiodenchip nachgeordnet und zur Umwandlung eines Teils der ersten Strahlung in eine dritte Strahlung eingerichtet, wobei die dritte Strahlung im grünen bis grün-gelben Spektralbereich liegt. Das Konversionselement umfasst einen erste Leuchtstoff sowie einen zweiten Leuchtstoff, wobei der erste Leuchtstoff dazu eingerichtet ist, kurzwelliger zu emittieren als der zweite Leuchtstoff. Der erste Leuchtstoff weist im langwelligen blauen Spektralbereich eine zu größeren Wellenlängen hin abnehmende Absorption auf und der zweite Leuchtstoff weist im mittleren blauen Spektralbereich ein Absorptionsmaximum auf.
  • Eine von einem Leuchtdiodenchip emittierte Strahlungsleistung ist insbesondere abhängig von der Temperatur des Leuchtdiodenchips. Bei auf InGaAlP basierenden Halbleiterchips sinkt eine emittierte Lichtleistung bei Temperaturzunahme stärker ab als bei InGaN-basierten Leuchtdiodenchips. Dies führt zu einer vergleichsweise starken Abhängigkeit des Farborts des emittierten Lichts von der Temperatur der Leuchtdiodenchips. Nach einem Einschalten des Leuchtdiodenmoduls dauert es beispielsweise bis zu 10 Minuten oder bis zu 30 Minuten, bis eine stationäre Betriebstemperatur der Leuchtdiodenchips und des umgebenden Konversionselements erreicht ist. Während dieser Zeitspanne kann es daher zu Farbortänderungen kommen. In vielen Anwendungen ist diese Farbortänderung unerwünscht, beispielsweise in der Allgemeinbeleuchtung oder etwa bei der Hinterleuchtung von Displays.
  • Zudem verschiebt sich mit steigender Temperatur eine Emissionswellenlänge insbesondere des auf AlInGaN-basierenden Leuchtdiodenchips hin zu größeren Wellenlängen. Beispielsweise beträgt eine solche Wellenlängenverschiebung zwischen einschließlich 3 nm und 5 nm, bezogen auf die dominante Wellenlänge und bezogen auf eine Temperaturveränderung von Raumtemperatur hin zur Betriebstemperatur von ungefähr 80° C bis ungefähr 100° C. Auch hierdurch wird eine Farbortverschiebung des vom Leuchtdiodenmodul emittierten Lichts ausgelöst.
  • Bei dem angegebenen Leuchtdiodenmodul weist das Konversionselement zwei verschiedene Leuchtstoffe auf mit unterschiedlicher Absorptionscharakteristik im blauen Spektralbereich. Steigt die Temperatur des ersten Leuchtdiodenchips an und verschiebt sich dessen Emissionswellenlänge hin zu größeren Wellenlängen, so wird ein zunehmender Anteil der ersten Strahlung in dem zweiten Leuchtstoff absorbiert, während der relative Anteil von im ersten Leuchtstoff absorbierter und umgewandelter erster Strahlung abnimmt. Hierdurch emittiert der zweite Leuchtstoff verstärkt und die von dem gesamten Konversionselement emittierte zweite Strahlung verschiebt sich daher mit steigender Temperatur zu größeren Wellenlängen. Dies führt insbesondere dazu, dass sich ein Farbort der von dem Leuchtdiodenmodul insgesamt emittierten Strahlung nicht oder weniger stark verschiebt.
  • Bei herkömmlichen Konversionsmitteln mit nur einem Leuchtstoff, der insbesondere auf einem Granat wie YAG:Ce basiert, verschiebt sich mit zunehmender Temperatur eine Emissionswellenlänge hin zu kürzeren Wellenlängen. Da sich eine Emission des zweiten, im roten Spektralbereich emittierenden Leuchtdiodenchips mit steigender Temperatur auch zu größeren Wellenlängen hin verschiebt, bildet sich im gesamten, von dem Leuchtdiodenmodul emittierten Strahlungsspektrum eine Lücke zwischen der Emission des zweiten Leuchtdiodenchips und eines solchen Konversionsmittels. Diese Lücke im Emissionsspektrum führt zu einer Abnahme des Farbwiedergabeindexes bei zunehmender Temperatur der Leuchtdiodenchips sowie des Konversionsmittels. Ein von der Temperatur abhängiger Farbwiedergabeindex ist in vielen Anwendungen ebenfalls unerwünscht.
  • Dadurch, dass das Konversionselement die zwei Leuchtstoffe aufweist, ist eine spektrale Lücke zwischen der zweiten Strahlung und der dritten Strahlung bei zunehmender Temperatur vermeidbar und ein von der Temperatur unabhängiger Farbwiedergabeindex ist realisierbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weist der erste Leuchtstoff eine dominante Emissionswellenlänge auf, die kleiner oder gleich 570 nm oder kleiner oder gleich 566 nm oder kleiner oder gleich 562 nm ist. Weiterhin weist der zweite Leuchtstoff eine dominante Emissionswellenlänge auf, die größer oder gleich 570 nm oder größer oder gleich 572 nm oder größer oder gleich 574 nm ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weist der erste Leuchtstoff ein Absorptionsspektrum auf, bei dem zwischen einschließlich 450 nm und 460 nm mit zunehmender Wellenlänge eine Absorption abnimmt. Das heißt, die Absorption des ersten Leuchtstoffs nimmt von 450 nm hin zu 460 nm monoton oder streng monoton ab.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der zweite Leuchtstoff ein Absorptionsmaximum zwischen einschließlich 450 nm und 470 nm auf, beispielsweise bei zirka 460 nm. Es ist also möglich, dass in dem Spektralbereich insbesondere zwischen einschließlich 450 nm und 460 nm, in dem die Emissionswellenlänge des ersten Leuchtdiodenchips liegen kann, eine Absorption des ersten Leuchtstoffs und des zweiten Leuchtstoffs gegenläufig zueinander verlaufen, dass also die Absorption des ersten Leuchtstoffs zu größeren Wellenlängen hin abnimmt und die Absorption des zweiten Leuchtstoffs zu größeren Wellenlängen hin zunimmt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils liegen die Leuchtstoffe in Form von Partikeln vor. Ein mittlerer Durchmesser der Leuchtstoffpartikel liegt dann beispielsweise bei mindestens 2 µm oder bei mindestens 3 µm oder bei mindestens 5 µm. Alternativ oder zusätzlich beträgt der mittlere Durchmesser höchstens 20 µm oder höchstens 15 µm oder höchstens 40 µm.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls umfasst das Konversionselement, das dem ersten Leuchtdiodenchip nachgeordnet ist, ein erstes Matrixmaterial und erste Streupartikel. Die ersten Streupartikel sind bevorzugt in das erste Matrixmaterial eingebettet. Ein Brechungsindexunterschied zwischen dem ersten Matrixmaterial und den ersten Streupartikeln ist bei einer Temperatur von 300 K kleiner als bei einer Temperatur von 380 K oder bei einer Temperatur von 400 K.
  • Durch solche erste Streupartikel und ein solches erstes Matrixmaterial wird bei einer Temperatur von 300 K, also ungefähr Raumtemperatur, eine geringere Streuung bewirkt als bei einer stationären Betriebstemperatur, also bei ungefähr 380 K oder ungefähr 400 K. Eine streuende Wirkung steigt somit mit zunehmender Temperatur in dem angegebenen Temperaturbereich an. Dies führt dazu, dass in dem Konversionselement die erste Strahlung im blauen Spektralbereich mit zunehmender Temperatur eine größere mittlere Weglänge zurücklegt und dass eine Konversionseffizienz der ersten Strahlung in die zweite Strahlung ansteigt. Es gelangt dann also anteilig weniger erste Strahlung aus dem Leuchtdiodenmodul, wenn sich die Temperatur erhöht.
  • Bei zunehmender Temperatur verschiebt sich die erste Strahlung hin zu größeren Wellenlängen, beispielsweise um einen Wert zwischen einschließlich 2 nm und 5 nm. Da eine maximale Empfindlichkeit des blauen Farbrezeptors im menschliche Auge bei ungefähr 450 nm liegt, verschiebt sich der Farbort der ersten Strahlung hin ins Blaue, zumindest falls eine Wellenlänge maximaler Intensität des ersten Strahlung bei Raumtemperatur unterhalb von 450 nm liegt, wie vorliegend bevorzugt der Fall.
  • Durch ein wie angegeben gestaltetes Konversionselement ist der Anteil der emittierten ersten Strahlung dann verkleinerbar und der Effekt des Verschiebens der dominanten Wellenlänge der ersten Strahlung mit der Temperatur ist reduzierbar oder kompensierbar. Alternativ oder zusätzlich kann eine Farbortverschiebung in Richtung Blau auch dadurch auftreten, dass eine Konversionseffizienz der Leuchtstoffe bei zunehmender Temperatur abnimmt. Auch die Farbortverschiebung aufgrund diesen Effekts ist durch die Kombination der beiden Leuchtstoffe zumindest reduzierbar.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls sind der erste Leuchtstoff und der zweite Leuchtstoff zwischen dem ersten Leuchtdiodenchip und den ersten Streupartikeln angeordnet. Das heißt, entlang einer Abstrahlrichtung des ersten Leuchtdiodenchips gesehen, folgt das Matrixmaterial mit den ersten Streupartikeln den beiden Leuchtstoffen nach. Die beiden Leuchtstoffe sind hierbei bevorzugt in einem Leuchtstoffplättchen mit einer Keramikmatrix eingebettet.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls sind der erste Leuchtstoff und der zweite Leuchtstoff mit den ersten Streupartikeln nicht vermischt. Das heißt, mindestens der erste Leuchtstoff und/oder der zweite Leuchtstoff liegen räumlich getrennt von den ersten Streupartikeln vor.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls sind der erste Leuchtstoff und/oder der zweite Leuchtstoff mit den ersten Streupartikeln durchmischt. Die Durchmischung kann homogen sein. Ebenso ist es möglich, dass einer der Leuchtstoffe oder beide Leuchtstoffe sedimentiert sind, sodass eine Konzentration der Leuchtstoffe in eine Richtung weg von dem ersten Leuchtdiodenchip abnimmt und dass eine Konzentration der ersten Streupartikel in Richtung weg von dem ersten Leuchtdiodenchip zunimmt.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist dem zweiten Leuchtdiodenchip, der insbesondere im roten Spektralbereich emittiert, ein Streukörper nachgeordnet. Bei einer Temperatur von 300 K weist der Streukörper ein größeres Streuvermögen auf als bei einer Temperatur von 380 K oder 400 K. Bei einer Temperatur von 300 K wird die zweite Strahlung also stärker gestreut als bei einer Temperatur von zum Beispiel 400 K. Insbesondere ist der Streukörper bei einer Temperatur von ungefähr 400 K klarsichtig und weist keine oder keine signifikante Streuwirkung mehr auf. Solche Streukörper 4 sind in der Druckschrift DE 10 2010 034 915 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt durch Rückbezug mit aufgenommen wird.
  • Durch einen solchen Streukörper ist die stärkere Leistungsabhängigkeit bei Temperaturänderungen des zweiten Leuchtdiodenchips, im Vergleich zum ersten Leuchtdiodenchip, mindestens zum Teil kompensierbar. Da bei Raumtemperatur die zweite Strahlung stärker gestreut wird, erfolgt auch eine verstärkte Absorption der zweiten Strahlung an dem zweiten Leuchtdiodenchip, da anteilig mehr Strahlung zurück in den zweiten Leuchtdiodenchip zurückgeworfen wird. Eine Strahlungsauskoppeleffizienz der zweiten Strahlung aus dem Streukörper heraus nimmt also mit steigender Temperatur zu.
  • Eine alternative Möglichkeit, eine Farbortverschiebung der vom Leuchtdiodenmodul emittierten Strahlung aufgrund eines Temperaturgangs des zweiten Leuchtdiodenchips zu reduzieren, besteht darin, eine elektrische Leistung, mit der der zweite Leuchtdiodenchip versorgt wird, temperaturabhängig zu regeln, also bei niedrigen Temperaturen die elektrische Leistung des zweiten Leuchtdiodenchips herabzuregeln. Eine solche elektronische Regelung ist allerdings vergleichsweise aufwändig.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weist der Streukörper ein zweites Matrixmaterial auf, in das zweite Streupartikel eingebettet sind. Ein Brechungsindexunterschied zwischen dem zweiten Matrixmaterial und den zweiten Streupartikeln ist bei einer Temperatur von 300 K größer als bei einer Temperatur von 380 K oder 400 K.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind das erste Matrixmaterial und/oder das zweite Matrixmaterial durch ein Silikon, ein Silikon-Epoxid-Hybridmaterial oder ein Epoxid gebildet. Bei dem ersten Matrixmaterial handelt es sich insbesondere um ein niedrig-brechendes Silikon mit einem Brechungsindex von beispielsweise 1,41 ± 0,02 bei 300 K. Bei dem zweiten Matrixmaterial handelt es sich bevorzugt um ein hoch-brechendes Silikon mit einem Brechungsindex bei 300 K von beispielsweise 1,51 ± 0,02. Bevorzugt weist das zweite Matrixmaterial bei Raumtemperatur also einen höheren Brechungsindex auf als das erste Matrixmaterial.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weisen die ersten und/oder die zweiten Streupartikel mindestens eines der nachfolgend genannten Materialien auf oder bestehen aus einem oder mehreren der genannten Materialien: einem Glas, Quarz, Siliziumdioxid, einem Metallfluorid wie Bariumfluorid, Kalziumfluorid oder Magnesiumfluorid. Es ist nicht erforderlich, dass alle ersten Streupartikel oder alle zweiten Streupartikel aus derselben Materialkomposition gebildet sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls sind die ersten Streupartikel und die zweiten Streupartikel aus demselben Material gebildet, insbesondere aus Siliziumdioxid. Sind die ersten und die zweiten Streupartikel aus dem gleichen Material gebildet, so unterscheiden sich bevorzugt das erste Matrixmaterial und das zweite Matrixmaterial voneinander.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils liegt ein Gewichtsanteil der ersten und/oder zweiten Streupartikel, bezogen auf das erste und/oder zweite Matrixmaterial oder das gesamte Konversionselement und/oder den gesamten Streukörper, bei mindestens 0,5 % oder bei mindestens 1 %. Alternativ oder zusätzlich beträgt der Gewichtsanteil höchstens 50 % oder höchstens 20 % oder höchstens 12 % oder höchstens 5 %.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls weisen die ersten und/oder die zweiten Streupartikel mittlere Durchmesser von mindestens 50 nm oder von mindestens 150 nm oder von mindestens 250 nm oder von mindestens 400 nm auf. Alternativ oder zusätzlich liegt der mittlere Durchmesser bei höchstens 20 m oder bei höchstens 12 m oder bei höchstens 8 m oder bei höchstens 2 m. Es ist möglich, dass die ersten und/oder die zweiten Streupartikel voneinander abweichende mittlere Durchmesser oder denselben mittleren Durchmesser aufweisen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist der erste Leuchtstoff aus einem der folgenden Materialien gebildet: Y3(Al, Ga)5O12:Ce, (Lu, Y)3(Al, Ga)5O12:Ce, Lu3(Al, Ga)5O12:Ce, einem Orthosilikat, einem Nitrido-Orthosilikat.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist der zweite Leuchtstoff einer der folgenden Stoffe: Y3Al5O12:Ce, Y3(Al, Ga)5O12:Ce.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist dieses dazu vorgesehen, bei einer mittleren Temperatur der Leuchtdiodenchips und/oder des Konversionselements von mindestens 70 °C oder von mindestens 80 °C oder von mindestens 100 °C betrieben zu werden. Im bestimmungsgemäßen Gebrauch des Leuchtdiodenmoduls liegt dann, wenn eine Aufwärmphase vorüber und ein stationärer Betriebszustand erreicht ist, mindestens eine der genannten Temperaturen an den Leuchtdiodenchips und/oder dem Konversionselement vor.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist dieses dazu eingerichtet, eine Mischstrahlung aus der ersten Strahlung, der zweiten Strahlung und der dritten Strahlung zu emittieren. Ein Farbwiedergabeindex der Mischstrahlung liegt bevorzugt bei mindestens 88 oder bei mindestens 90. Der Farbwiedergabeindex ist einstellbar durch die Materialwahl der Leuchtstoffe sowie durch die relativen Anteile des ersten Leuchtstoffs und des zweiten Leuchtstoffs zueinander.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdiodenmoduls ist der Farbwiedergabeindex, mit einer Toleranz von höchstens 1,5 Prozentpunkten oder von höchstens 1,0 Prozentpunkten, über einen Temperaturbereich von einschließlich 300 K bis 400 K konstant. Dies ist erzielbar durch die Kombination des ersten Leuchtstoffs mit dem zweiten Leuchtstoff, die unterschiedliche Emissionswellenlängen und unterschiedliche Absorptionsverhalten aufweisen.
  • Darüber hinaus wird ein Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls angegeben. Mit dem Verfahren wird bevorzugt ein Leuchtdiodenmodul betrieben, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für das Leuchtdiodenmodul offenbart und umgekehrt.
  • In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens erhöht sich, ausgehend von 300 K, eine Temperatur der Leuchtdiodenchips und/oder des Konversionselements nach einem Einschalten des Leuchtdiodenmoduls. Durch diese Temperaturerhöhung erfolgt eine Verschiebung der dominanten Wellenlänge der ersten und/oder der zweiten Strahlung um einen Wert von einschließlich 2 nm und 8 nm hin zu größeren Wellenlängen. Durch die Temperaturerhöhung erhöht sich ein Anteil der ersten Strahlung, die im zweiten Leuchtstoff umgewandelt wird, und ein Anteil der ersten Strahlung, die im ersten Leuchtstoff umgewandelt wird, nimmt ab. Ferner verschiebt sich die dritte Strahlung, die sich zusammensetzt aus der vom ersten Leuchtstoff und vom zweiten Leuchtstoff umgewandelten ersten Strahlung, bei Temperaturerhöhung hin zu größeren Wellenlängen.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens nimmt ein mittlerer Laufweg der ersten Strahlung in dem Konversionselement mit steigender Temperatur, ausgehend von 300 K hin zu 380 K oder hin zu 400 K, zu. Ein Anteil der ersten Strahlung, der in die dritte Strahlung umgewandelt wird, nimmt mit steigender Temperatur insgesamt zu.
  • Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Leuchtdiodenmodul unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Es zeigen:
  • 1 bis 4 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Leuchtdiodenmodulen,
  • 5 schematische Darstellungen von Spektren, und
  • 6 schematische Darstellungen eines Verlaufs des Farbwiedergabeindexes, der relativen Leistung sowie des Farborts bei Temperaturänderungen.
  • In 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines Leuchtdiodenmoduls 10 illustriert. Auf einem Träger 5 sind ein erster Leuchtdiodenchip 1 sowie ein zweiter Leuchtdiodenchip 2 angebracht. Der erste Leuchtdiodenchip basiert auf AlInGaN und emittiert eine Strahlung im blauen Spektralbereich. Der zweite Leuchtdiodenchip 2 basiert auf AlInGaP und emittiert eine Strahlung im roten Spektralbereich.
  • Dem ersten Leuchtdiodenchip 1 ist entlang einer Abstrahlrichtung ein Konversionselement 3 nachgeordnet. Das Konversionselement 3 umfasst einen ersten Leuchtstoff sowie einen zweiten Leuchtstoff, die in ein erstes Matrixmaterial eingebettet sind. Die Leuchtstoffe unterscheiden sich in ihrer Absorptionscharakteristik im blauen Spektralbereich sowie in ihrer Emissionscharakteristik im grünen bis grün-gelben Spektralbereich, vergleiche auch 5. Die Leuchtstoffe absorbieren also einen Teil der ersten Strahlung und wandeln diese in eine dritte Strahlung um.
  • Dem zweiten Leuchtdiodenchip 2 ist optional ein Streukörper 4 nachgeordnet. Der Streukörper 4 umfasst ein zweites Matrixmaterial sowie zweite Streupartikel, die in das zweite Matrixmaterial eingebettet sind. Mit steigender Temperatur, ausgehend von Raumtemperatur, nimmt ein Brechungsindexunterschied zwischen den zweiten Streupartikeln und dem zweiten Matrixmaterial ab. Bei einer stationären Betriebstemperatur des Leuchtdiodenmoduls 10 wirkt der Streukörper 4 bevorzugt nicht streuend, anders als bei Raumtemperatur, ungefähr 300 K.
  • Durch die zwei Leuchtstoffe in dem Konversionselement 3 ist eine Temperaturabhängigkeit eines Farborts eines von dem Leuchtdiodenmodul 10 emittierten Lichts reduzierbar, ebenso wie ein Temperaturgang eines Farbwiedergabeindexes des vom Leuchtdiodenmodul 10 emittierten Lichts.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel des Leuchtdiodenmoduls 10 ist in 2 gezeigt. Die Leuchtdiodenchips 1, 2 sind in einer Ausnehmung des Trägers 5 angebracht. Wie auch in den anderen Figuren sind Bonddrähte, elektrische Kontaktflächen sowie Leiterbahnen nicht gezeichnet.
  • In das Konversionselement 3 sind zusätzlich erste Streupartikel 33 eingebracht. Bei Raumtemperatur ist ein Brechungsindexunterschied zwischen dem ersten Matrixmaterial und den ersten Streupartikeln 33 vergleichsweise klein. Der Brechungsindexunterschied nimmt hin zu einer stationären Betriebstemperatur, ausgehend von Raumtemperatur, zu. Eine Streuwirkung der ersten Streupartikel 33 nimmt daher, hin zur stationäre Betriebstemperatur von zum Beispiel ungefähr 400 K, zu. Hierdurch ist bei höheren Temperaturen eine erhöhte Konversionseffizienz der vom ersten Leuchtdiodenchip 1 emittierten blauen Strahlung in grünes Licht oder in grün-gelbes Licht erzielbar.
  • Zwischen dem ersten Leuchtdiodenchip 1 und dem zweiten Leuchtstoff 32 oder auch zwischen der Lage mit den Leuchtstoffen 31, 32 und der Lage mit den ersten Streupartikeln 33 können sich jeweils Schichten eines Verbindungsmittels befinden, das bevorzugt eine Dicke von höchstens 20 µm aufweist. Bevorzugt sind die Leuchtstoffe 31, 32 und die Streupartikel 33 unmittelbar aufeinander angeordnet.
  • Der zweite Leuchtdiodenchip 2 ist optional mit dem Streukörper 4 versehen. Weiterhin optional ist es möglich, dass ein Verguss 6 die Leuchtdiodenchips 1, 2 umgibt. Der Verguss 6 kann durch ein transparentes Material gebildet sein oder Beimengungen in Form von Diffusoren oder Filtermitteln aufweisen. Der Verguss 6 kann, wie auch der Streukörper 4 und/oder das Konversionselement 3, linsenartig geformt sein.
  • In 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Leuchtdiodenmoduls 10 gezeigt. In dem Konversionselement 3 liegen die Leuchtstoffe 31, 32 als voneinander separierte Schichten vor. An einer dem ersten Leuchtdiodenchip 1 abgewandten Seite des Konversionselements 3 befindet sich eine Schicht mit den ersten Streupartikeln 33.
  • Die beiden Leuchtdiodenchips 1, 2 befinden sich gemäß 3 in der Ausnehmung des Trägers 5. Optional ist die Ausnehmung mit einem ersten Verguss 6a und/oder mit einem zweiten Verguss 6b gefüllt. Bei dem ersten Verguss 6a kann es sich um ein reflektierendes, insbesondere weißes Material handeln. Zum Beispiel ist der erste Verguss 6a durch eine Silikonmatrix gebildet, der weiße, reflektierende Titandioxidpartikel beigemischt sind. Bei dem zweiten Verguss 6b kann es sich um einen klarsichtigen, transparenten Verguss handeln, der die Ausnehmung in dem Träger 5 vollständig auffüllt. Es ist möglich, dass eine den Halbleiterchips 1, 2 abgewandte Seite des Konversionselements 3 sowie des Streukörpers 4 in einer Ebene liegen. Eine dem Träger 5 abgewandte Oberseite des ersten Vergusses 6a kann ebenfalls bis an diese Ebene heranreichen.
  • Beim Ausführungsbeispiel gemäß 4 ist dem ersten Leuchtdiodenchip 1 das Konversionselement 3 linsenförmig nachgeordnet. In dem Konversionselement 3 können die Leuchtstoffe sowie die ersten Streupartikel jeweils homogen verteilt und durchmischt vorliegen. Der optionale Streukörper 4 ist dem zweiten Leuchtdiodenchip 2 haubenartig nachgeordnet. Das Konversionselement 3 sowie der Streukörper 4 können die Halbleiterchips 1, 2 also auch in lateraler Richtung umgeben.
  • In 5 sind Emissionsspektren sowie Absorptionsspektren der Halbleiterchips 1, 2 und der Leuchtstoffe 31, 32 gezeigt.
  • Die Absorption A sowie die Emission E sind jeweils in willkürlichen Einheiten, englisch arbitrary units oder kurz a. u., aufgetragen. Die gezeigten Spektren sind jeweils nicht aufeinander normiert oder skaliert.
  • In 5A ist ein beispielhaftes Emissionsspektrum des ersten Leuchtdiodenchips 1 sowie des zweiten Leuchtdiodenchips 2 dargestellt. Der erste Leuchtdiodenchip 1 hat eine maximale Emission bei ungefähr 440 nm. Eine maximale Emission des zweiten Leuchtdiodenchips 2 liegt bei ungefähr 625 nm. Die zugehörigen dominanten Wellenlängen sind nicht eingezeichnet.
  • In 5B sind die Absorptionsspektren des ersten Leuchtstoffs 31 sowie des zweiten Leuchtstoffs 32 im blauen bis blau-grünen Spektralbereich gezeigt. Der zweite Leuchtstoff 32 weist bei ungefähr 460 nm ein Absorptionsmaximum auf. Ausgehend vom Absorptionsmaximum sinkt, in Richtung hin zu kürzeren Wellenlängen, die Absorption in einem bestimmten Wellenlängenbereich ab. Die Absorption des ersten Leuchtstoffs 31 hingegen nimmt in diesem Spektralbereich, in Richtung hin zu größeren Wellenlängen, stetig ab. Ein Absorptionsmaximum des ersten Leuchtstoffs liegt bei ungefähr 440 nm.
  • Beispielhafte Emissionsspektren der Leuchtstoffe 31, 32 sind in 5C dargestellt. Der erste Leuchtstoff 31 emittiert bei kürzeren Wellenlängen als der zweite Leuchtstoff 32.
  • In 6 sind Emissionseigenschaften in Abhängigkeit von der Temperatur von verschiedenen Konversionsmitteln sowie Konversionselementen 3 dargestellt, jeweils für Temperaturen von 120 °C, 85 °C sowie 25 °C.
  • Die mit a bezeichnete Kurve bezieht sich auf ein Konversionsmittel, das einen im grünen Spektralbereich emittierenden YAG-Leuchtstoff umfasst, ohne weitere Maßnahmen zur Farbortsteuerung. In der Kurve b wird Bezug genommen auf ein Konversionsmittel ohne Streupartikel, bei dem einem ersten Leuchtdiodenchip, der im blauen Spektralbereich emittiert, ein im grünen Spektralbereich emittierender YAG-Leuchtstoff nachgeordnet ist, und bei dem eine Emission eines zweiten Leuchtdiodenchips, der im roten Spektralbereich emittiert, zum Beispiel elektronisch nachgeregelt wird.
  • Die Kurven, die mit c gekennzeichnet sind, beziehen sich auf Konversionsmittel, die einen im grünen Spektralbereich emittierenden YAG-Leuchtstoff umfassen, und bei dem das Konversionsmittel erste Streupartikel umfasst sowie bei dem einem zweiten Leuchtdiodenchip ein Streukörper 4 nachgeordnet ist. Die mit d gekennzeichneten Kurven entsprechen einem Konversionsmittel wie in den Kurven c, bis auf dass ein im gelben bis grün-gelben Spektralbereich emittierender YAG-Leuchtstoff verwendet ist.
  • In den Kurven e ist ein erfindungsgemäßes Konversionselement 3 in Kombination mit einem erfindungsgemäßen Streukörper 4 gezeigt. Für die Kurven e liegen in dem Konversionselement 3 also der erste Leuchtstoff 31 vor, wie in den Kurven c verwendet, und zusätzlich der im grün-gelben Spektralbereich emittierende zweite Leuchtstoff 32, der auch in den Kurven d verwendet wurde, sowie die ersten Streupartikel 33.
  • In 6A ist zu sehen, dass bei einer stationären Betriebstemperatur von ungefähr 120 °C ein Farbort jeweils auf der Planck-Kurve in der CIE-Normfarbtafel bei einer Farbtemperatur von zirka 3000 K liegt, bei Farbortkoordinaten von ungefähr 0,438 und 0,404. Bei den Kurven a, b ändert sich der Farbort hin zu niedrigeren Temperaturen merklich und schiebt jeweils in Richtung rot. Für die Kurven c, d, e ist nur eine vergleichsweise kleine Farbortänderung festzustellen.
  • In 6B ist der Regelungsbedarf des zweiten Leuchtdiodenchips 2, der im roten Spektralbereich emittiert, dargestellt, unter der Bedingung, dass ein Farbort der vom Leuchtdiodenmodul 10 insgesamt emittierten Strahlung im Temperaturbereich zwischen einschließlich 25 °C und 120 °C innerhalb dreier so genannter MacAdams-Ellipsen verbleiben soll. Die relative Leistung P gibt an, welche Lichtleistung vom zweiten Leuchtdiodenchip in Abhängigkeit von der Temperatur zu emittieren ist, damit sich der Farbort der vom Leuchtdiodenmodul 10 emittierten Strahlung nicht signifikant verschiebt. Es ist also erforderlich, den im roten Spektralbereich emittierenden zweiten Leuchtdiodenchip 2 bei einer Temperatur von 25 °C auf zirka 35 % bis 40 % seiner eigentlichen Lichtleistung zu reduzieren. Die Reduzierung der Lichtleistung kann erfolgen durch elektronisches Nachregeln und/oder durch den Streukörper 4.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Konversionselement 3 mit den zwei Leuchtstoffen 31, 32, siehe Kurve e, ist der Regelungsbedarf am geringsten. Hierdurch steigt, insbesondere im Falle der Verwendung eines Streukörpers 4, eine Effizienz des Leuchtdiodenmoduls 10 insgesamt an, da ein geringerer Regelungsbedarf eine geringere Streustärke des Streukörpers 4 bei niedrigeren Temperaturen bedeutet und hierdurch Absorptionsverluste der zweiten Strahlung an dem zweiten Leuchtdiodenchip 2 reduzierbar sind. Zudem ist ein Streukörper 4 mit bei Raumtemperatur geringerem Streuvermögen einfacher zu realisieren.
  • In 6C ist der Farbwiedergabeindex RA in Abhängigkeit von der Temperatur T aufgetragen. Bei den Kurven c, d, bei denen jeweils nur ein Leuchtstoff in einem Konversionsmittel vorliegt, ändert sich der Farbwiedergabeindex in Abhängigkeit von der Temperatur vergleichsweise stark. Bei dem erfindungsgemäßen Konversionselement 3, siehe Kurve e, in dem die beiden Leuchtstoffe gemischt vorliegen, ist der Farbwiedergabeindex über den dargestellten Temperaturbereich hinweg mit einer Toleranz von 1 Prozentpunkt konstant.
  • Bei dem ersten Leuchtstoff 31, der im Zusammenhang mit 6 eingesetzt wurde, handelt es sich zum Beispiel um Lu3(Al, Ga)5O12:Ce mit einem Absorptionsmaximum bei ungefähr 435 nm und mit einer dominanten Emissionswellenlänge von ungefähr 559 nm. Der zweite Leuchtstoff 32 ist insbesondere ein YAG:Ce-Granat mit einem Absorptionsmaximum bei ungefähr 460 nm und einer dominanten Emissionswellenlänge von ungefähr 573 nm. Die ersten Streupartikel sind Siliziumdioxid-Kügelchen mit einem mittleren Durchmesser von ungefähr 7 m.
  • Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102010034915 [0028]

Claims (14)

  1. Leuchtdiodenmodul (10) mit – mindestens einem ersten Leuchtdiodenchip (1), der auf dem Materialsystem AlInGaN basiert und der dazu eingerichtet ist, eine erste Strahlung im blauen Spektralbereich zu emittieren, – mindestens einem zweiten Leuchtdiodenchip (2), der auf dem Materialsystem InGaAlP basiert und der dazu eingerichtet ist, eine zweite Strahlung im roten Spektralbereich zu emittieren, und – einem Konversionselement (3), das zumindest dem ersten Leuchtdiodenchip (1) nachgeordnet und zur Umwandlung eines Teils der ersten Strahlung in eine dritte Strahlung im grünen bis grün-gelben Spektralbereich eingerichtet ist, wobei – das Konversionselement (3) einen ersten Leuchtstoff (31) und einen zweiten Leuchtstoff (32) umfasst, – der erste Leuchtstoff (31) dazu eingerichtet ist, kurzwelliger zu emittieren als der zweite Leuchtstoff (32), – der erste Leuchtstoff (31) im langwelligen blauen Spektralbereich eine zu größeren Wellenlängen hin abnehmende Absorption aufweist, und – der zweite Leuchtstoff (32) im mittleren blauen Spektralbereich ein Absorptionsmaximum aufweist.
  2. Leuchtdiodenmodul (10) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der erste Leuchtstoff (31) eine dominante Emissionswellenlänge kleiner 570 nm und der zweite Leuchtstoff (32) eine dominante Emissionswellenlänge größer 570 nm aufweist, wobei bei dem ersten Leuchtstoff (31) zwischen einschließlich 450 nm und 460 nm mit zunehmender Wellenlänge die Absorption abnimmt und beim zweiten Leuchtstoff (32) das Absorptionsmaximum zwischen einschließlich 450 nm und 470 nm liegt.
  3. Leuchtdiodenmodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Konversionselement (3), das dem ersten Leuchtdiodenchip (1) nachgeordnet ist, ein erstes Matrixmaterial und erste Streupartikel (33) umfasst, wobei ein Brechungsindexunterschied zwischen dem ersten Matrixmaterial und den ersten Streupartikeln (33) bei einer Temperatur von 300 K kleiner ist als bei 400 K.
  4. Leuchtdiodenmodul (10) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Leuchtstoffe (31, 32) zwischen dem ersten Leuchtdiodenchip (1) und den ersten Streupartikeln (33), die in das erste Matrixmaterial eingebettet sind, angeordnet sind, wobei die Leuchtstoffe (31, 32) und die ersten Streupartikel (33) nicht durchmischt sind.
  5. Leuchtdiodenmodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem dem zweiten Leuchtdiodenchip (2) ein Streukörper (4) nachgeordnet ist, wobei der Streukörper (4) bei einer Temperatur von 300 K ein größeres Streuvermögen aufweist als bei einer Temperatur von 400 K.
  6. Leuchtdiodenmodul (10) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Streukörper (4) ein zweites Matrixmaterial, das ein Silikon oder ein Silikon-Epoxid-Hybridmaterial ist, aufweist, wobei in das zweite Matrixmaterial zweite Streupartikel eingebettet sind, wobei ein Brechungsindexunterschied zwischen dem zweiten Matrixmaterial und den zweiten Streupartikeln bei einer Temperatur von 300 K größer ist als bei 400 K.
  7. Leuchtdiodenmodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten (33) und/oder die zweiten Streupartikel mindestens eines der folgenden Materialien aufweisen oder hieraus bestehen: ein Glas, Quarz, Siliziumdioxid, ein Metallfluorid.
  8. Leuchtdiodenmodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die ersten (33) und/oder die zweiten Streupartikel mittlere Durchmesser zwischen einschließlich 250 nm und 20 µm aufweisen.
  9. Leuchtdiodenmodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der erste Leuchtstoff (31) ein Y3(Al, Ga)5O12:Ce, ein (Lu, Y)3(Al, Ga)5O12:Ce, ein Lu3(Al, Ga)5O12:Ce, ein Orthosilikat oder ein Nitrido-Orthosilikat ist.
  10. Leuchtdiodenmodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der zweite Leuchtstoff (32) ein Y3Al5O12:Ce oder ein Y3(Al, Ga)5O12:Ce ist.
  11. Leuchtdiodenmodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das dazu vorgesehen ist, bei einer mittleren Temperatur der Leuchtdiodenchips (1, 2) und des Konversionselements (3) von mindestens 80 °C betrieben zu werden.
  12. Leuchtdiodenmodul (10) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der erste und zweite Leuchtstoff (31, 32) hinsichtlich ihrer relativen Anteile an dem Konversionselement (3) so eingestellt sind, dass sich aus der ersten, zweiten und dritten Strahlung ein Farbwiedergabeindex von mindestens 88 ergibt und der Farbwiedergabeindex, mit einer Toleranz von höchstens 1,5 Prozentpunkten, über einen Temperaturbereich von einschließlich 300 K bis 400 K konstant ist.
  13. Verfahren zum Betreiben eine Leuchtdiodenmoduls (10) nach einem der vorigen Ansprüche, wobei – sich im Betrieb des Leuchtdiodenmoduls (10), ausgehend von 300 K, eine Temperatur der Leuchtdiodenchips (1, 2) erhöht und sich hierdurch eine dominante Wellenlänge der ersten und/oder der zweiten Strahlung um zwischen einschließlich 2 nm und 8 nm hin zu größeren Wellenlängen verschiebt, – sich bei Temperaturerhöhung ein Anteil der ersten Strahlung, die in dem zweiten Leuchtstoff (32) in die dritte Strahlung umgewandelt wird, erhöht, und ein Anteil der ersten Strahlung, die in dem ersten Leuchtstoff (31) in die dritte Strahlung umgewandelt wird, abnimmt, und – die dritte Strahlung sich bei Temperaturerhöhung zu größeren Wellenlängen hin verschiebt.
  14. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls (10) nach den Ansprüchen 3, 7, 9 und 10, bei dem eine Streuung der ersten Strahlung an den ersten Streupartikeln (33) mit steigender Temperatur zunimmt und ein mittlerer Laufweg der ersten Strahlung in dem Konversionselement (3) mit steigender Temperatur hierdurch vergrößert wird, wobei ein Anteil der ersten Strahlung, der in die dritte Strahlung umgewandelt wird, mit steigender Temperatur zunimmt.
DE102011085645.5A 2011-11-03 2011-11-03 Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls Expired - Fee Related DE102011085645B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011085645.5A DE102011085645B4 (de) 2011-11-03 2011-11-03 Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls
US14/355,234 US9209365B2 (en) 2011-11-03 2012-10-15 Light-emitting diode module and method for operating a light-emitting diode module
PCT/EP2012/070388 WO2013064361A1 (de) 2011-11-03 2012-10-15 Leuchtdiodenmodul und verfahren zum betreiben eines leuchtdiodenmoduls

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011085645.5A DE102011085645B4 (de) 2011-11-03 2011-11-03 Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102011085645A1 true DE102011085645A1 (de) 2013-05-08
DE102011085645B4 DE102011085645B4 (de) 2014-06-26

Family

ID=47022676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102011085645.5A Expired - Fee Related DE102011085645B4 (de) 2011-11-03 2011-11-03 Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9209365B2 (de)
DE (1) DE102011085645B4 (de)
WO (1) WO2013064361A1 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012219460A1 (de) * 2012-10-24 2014-04-24 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul
DE102013114466A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102014100584A1 (de) * 2014-01-20 2015-07-23 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102014101215A1 (de) * 2014-01-31 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement
US9231170B2 (en) 2013-08-05 2016-01-05 Osram Gmbh Phosphor LED
WO2016170151A3 (de) * 2015-04-24 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenanordnung und verfahren zur herstellung einer lumineszenzdiodenanordnung
DE102017114011A1 (de) * 2017-06-22 2018-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
CN110010748A (zh) * 2017-12-20 2019-07-12 欧司朗光电半导体有限公司 具有在主载体上的半导体芯片的设备和制造设备的方法
CN110010748B (zh) * 2017-12-20 2024-05-14 欧司朗光电半导体有限公司 具有在主载体上的半导体芯片的设备和制造设备的方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012217643A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102014107472A1 (de) 2014-05-27 2015-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Beleuchtungsvorrichtung
WO2016049507A1 (en) * 2014-09-26 2016-03-31 Glo Ab Monolithic image chip for near-to-eye display
JP6632834B2 (ja) * 2015-08-24 2020-01-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
DE102016108931A1 (de) 2016-05-13 2017-11-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
DE102016114921A1 (de) * 2016-08-11 2018-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Silikonzusammensetzung
US11189759B2 (en) * 2017-07-03 2021-11-30 Sharp Kabushiki Kaisha Light source device and light emitting device
JP6773018B2 (ja) * 2017-12-26 2020-10-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109887905B (zh) * 2019-01-30 2020-12-11 浙江英特来光电科技有限公司 一种全彩led的封装方法
US11578841B2 (en) 2019-04-17 2023-02-14 Biological Innovation And Optimization Systems, Llc Color separation lighting devices

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005044396A1 (de) * 2004-09-22 2006-04-06 Sharp K.K. Optische Halbleitervorrichtung, insbesondere für optische Kommunikationsvorrichtung und damit ausgestattete elektronische Einrichtung
US20090095966A1 (en) * 2007-10-10 2009-04-16 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US20090243457A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting diode package for incandescent color
US20090272996A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
DE102009035100A1 (de) * 2009-07-29 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und Konversionselement für eine Leuchtdiode
DE102010034915A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streukörper

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2005310756A (ja) 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
KR20080049011A (ko) * 2005-08-05 2008-06-03 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반도체 발광장치
JP4805026B2 (ja) * 2006-05-29 2011-11-02 シャープ株式会社 発光装置、表示装置及び発光装置の制御方法
DE102006051746A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
DE102006048592A1 (de) * 2006-10-13 2008-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls
JP5245614B2 (ja) * 2008-07-29 2013-07-24 豊田合成株式会社 発光装置
WO2010023840A1 (en) 2008-08-28 2010-03-04 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device, and electronic device using the same
DE102008050643B4 (de) 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
KR101562022B1 (ko) * 2009-02-02 2015-10-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법
DE102009025266B4 (de) * 2009-06-17 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102009037732A1 (de) 2009-08-17 2011-02-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Konversions-LED mit hoher Effizienz
US8610341B2 (en) * 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
DE102012206646B4 (de) * 2012-04-23 2024-01-25 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit LED-Chip und Vergussmasse und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005044396A1 (de) * 2004-09-22 2006-04-06 Sharp K.K. Optische Halbleitervorrichtung, insbesondere für optische Kommunikationsvorrichtung und damit ausgestattete elektronische Einrichtung
US20090095966A1 (en) * 2007-10-10 2009-04-16 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
US20090243457A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting diode package for incandescent color
US20090272996A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
DE102009035100A1 (de) * 2009-07-29 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und Konversionselement für eine Leuchtdiode
DE102010034915A1 (de) 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Streukörper

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012219460A1 (de) * 2012-10-24 2014-04-24 Osram Gmbh Leuchtdiodenmodul
US9620486B2 (en) 2012-10-24 2017-04-11 Osram Gmbh Light-emitting diode module
US9231170B2 (en) 2013-08-05 2016-01-05 Osram Gmbh Phosphor LED
US9966503B2 (en) 2013-12-19 2018-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
DE102013114466A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Osram Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102014100584A1 (de) * 2014-01-20 2015-07-23 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil
US9691741B2 (en) 2014-01-20 2017-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component
DE102014101215A1 (de) * 2014-01-31 2015-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement
US10037979B2 (en) 2014-01-31 2018-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mountable multi-chip component
WO2016170151A3 (de) * 2015-04-24 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenanordnung und verfahren zur herstellung einer lumineszenzdiodenanordnung
DE102015106367B4 (de) 2015-04-24 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lumineszenzdiodenanordnung
DE102017114011A1 (de) * 2017-06-22 2018-12-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
US11101251B2 (en) 2017-06-22 2021-08-24 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component
DE102017114011B4 (de) 2017-06-22 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement
CN110010748A (zh) * 2017-12-20 2019-07-12 欧司朗光电半导体有限公司 具有在主载体上的半导体芯片的设备和制造设备的方法
CN110010748B (zh) * 2017-12-20 2024-05-14 欧司朗光电半导体有限公司 具有在主载体上的半导体芯片的设备和制造设备的方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013064361A1 (de) 2013-05-10
DE102011085645B4 (de) 2014-06-26
US20140285088A1 (en) 2014-09-25
US9209365B2 (en) 2015-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011085645B4 (de) Leuchtdiodenmodul und Verfahren zum Betreiben eines Leuchtdiodenmoduls
EP2606515B1 (de) Leuchtdiode
EP2912688B1 (de) Leuchtdiodenmodul
DE102008050643B4 (de) Leuchtmittel
EP2659525B1 (de) Konversionselement und leuchtdiode mit einem solchen konversionselement
DE102005062514A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE112014002897B4 (de) Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von Mischlicht
WO2016180930A1 (de) Strahlungsemittierendes optoelektronisches bauelement
DE102008021662A1 (de) LED mit Mehrband-Leuchtstoffsystem
DE102011009697A1 (de) Leuchtmodul zur Abstrahlung von Mischlicht
WO2009094976A1 (de) Beleuchtungseinrichtung zur hinterleuchtung eines displays sowie ein display mit einer solchen beleuchtungseinrichtung
WO2013060570A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und streumittel
WO2014060318A1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement
EP3227930A1 (de) Optoelektronisches bauelement sowie optoelektronisches bauteil
WO2017093140A1 (de) Optoelektronisches bauelement und hintergrundbeleuchtung für ein display
DE102012101412A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102011113498A1 (de) Leuchtstoffmischung, optoelektronisches Bauelement mit einer Leuchtstoffmischung und Straßenlaterne mit einer Leuchtstoffmischung
WO2019238506A1 (de) Leuchtstoff und beleuchtungsvorrichtung
WO2018104389A1 (de) Optoelektronisches bauelement
EP2764554B1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und modul mit einer mehrzahl von derartigen bauelementen
EP2997609B1 (de) Weisslicht-led-modul zur objektbeleuchtung
WO2018104395A1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102016104875A1 (de) Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Blitzlichtbeleuchtung für ein tragbares Gerät
WO2018029107A1 (de) Silikonzusammensetzung
WO2020058258A1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: OSRAM GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM GMBH, 81543 MUENCHEN, DE

Effective date: 20130826

Owner name: OSRAM GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM AG, 81543 MUENCHEN, DE

Effective date: 20130205

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R020 Patent grant now final

Effective date: 20150327

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee