CN103081143B - 光电子半导体器件和散射体 - Google Patents
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Abstract
在光电子半导体器件（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体器件具有一个光电子半导体芯片（2）。此外，半导体器件（1）包括至少一个散射体（34），所述散射体包含辐射能穿透的基体材料（3）和嵌入其中的由颗粒材料构成的散射颗粒（4）。散射体（34）设置在半导体芯片（2）下游。在温度改变时，基体材料（3）和颗粒材料之间的折射率差异改变。在温度为300K时，基体材料（3）和颗粒材料之间的折射率差异最高为0.15。
Description
技术领域
本发明提出一种光电子半导体器件。此外，提出一种用于光电子半导体器件的散射体。
发明内容
要实现的目的在于提出一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件显示出近似稳定的光谱发射特性。此外，要实现的目的在于提出一种用于这样的半导体器件的散射体。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括一个或多个光电子半导体芯片。所述半导体芯片尤其为基于III-V-半导体材料的半导体芯片。例如，半导体芯片基于例如为AlnIn1-nGamN的氮化物化合物半导体材料或者基于AlnIn1-nGamP，其中相应地0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，所述材料能够具有一种或多种掺杂物以及附加的成分。然而，为了简单性，仅提出晶格的主要成分，也就是Al、Ga、In、N或P，即使所述主要成分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充。优选地，光电子半导体芯片设置成，在半导体器件运行时，产生例如在蓝色的、绿色的、黄色和/或红色的光谱范围内的可见辐射。所述辐射产生优选地在至少一个有源区中进行，所述有源区包含至少一个量子阱结构和/或至少一个pn结。
半导体器件的全部半导体芯片能够是结构相同的。替选地，可能的是，半导体器件包含不同类型的、尤其是基于不同的半导体材料的半导体芯片，所述半导体芯片优选地设置成用于在不同的光谱范围内发射。
根据至少一个实施形式，光电子半导体器件是发光二极管，缩写为LED。换言之，那么半导体器件发射不相干辐射。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，所述光电子半导体器件包括至少一个散射体。散射体具有对辐射而言能穿透的、优选地清晰可见的以及透明的基体材料，在所述基体材料中嵌入散射颗粒。散射颗粒由颗粒材料构成。颗粒材料不同于基体材料。
根据散射体的至少一个实施形式，所述散射体设置成没有引起或几乎没有引起由半导体芯片发射的辐射的光谱的变化。尤其地，散射体不含过滤介质和/或不含转换介质，所述转换介质设置成用于对由半导体芯片发射的辐射进行部分的或完全的波长转换。那么因此，散射体仅仅或基本上设置成用于对由半导体芯片发射的辐射进行散射和/或反射，而不用于对所述辐射进行吸收或光谱转化。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射体设置在至少一个所述半导体芯片下游。如果半导体器件具有多个结构相同的半导体芯片，那么共同的散射体设置在半导体芯片下游，或者尤其地，在所述半导体芯片中的每一个下游设置有各自的散射体。如果半导体器件具有彼此不同的、结构不同的半导体芯片，那么可仅在半导体芯片中的一部分下游设置有散射体。设置在下游尤其意味着，散射体沿着主发射方向跟随着半导体芯片。散射体能够直接设置在半导体芯片处或半导体芯片上。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，在温度改变时，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异改变。换言之，基体材料的折射率的依据温度的变化曲线不同于颗粒材料的折射率的依据温度的变化曲线。
例如，不仅对于基体材料而且对于颗粒材料而言，能够近似地由直线对于重要温度范围内的温度的折射率进行描述。那么，描述基体材料以及颗粒材料的依据温度的折射率的直线能够具有彼此不同的斜率。所述斜率能够具有相同的或者不同的符号。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，在温度为300K时，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异最高为0.15，优选最高为0.10，尤其最高为0.07或者最高为0.05。也就是说，在室温时，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异相对较小。然而，优选地，折射率彼此不同，使得折射率差异不为零。
在光电子半导体器件的至少一个实施形式中，所述光电子半导体器件具有一个或多个光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片尤其设为用于发射可见光。此外，半导体器件包括至少一个散射体，所述散射体包含辐射能穿透的、优选为透明的基体材料和嵌入所述基体材料中的由颗粒材料构成的散射颗粒。散射体设置在至少一个所述半导体芯片下游，尤其沿着半导体芯片的主发射方向设置在其下游。在温度改变时，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异改变。当温度为300K时，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异最高为0.15。
例如为发光二极管的光电子半导体器件在不同的温度下运行。例如，在接上时，半导体芯片的有源区大致具有例如为室温的环境温度。在预热阶段期间，有源区的温度升高，典型地，直到达到静态工作点中的稳定温度，其中所述预热阶段的持续时间尤其与半导体芯片以及半导体器件的热阻相关并且与到散热器的连接相关。所述过程通常发生在接通后的首个10分钟至30分钟的时间段中。在预热阶段之后，温度例如为大约75℃和125℃之间，其中在静态工作点中，温度也能够超过150℃。
在用于光电子半导体芯片的材料系统中，尤其在存在恒定的、依据温度的电流时，光通量或辐射通量典型地相关于温度而改变。较高的工作温度通常导致光通量的降低。例如，对于基于InGaN的半导体芯片而言，光通量在100℃时大约为在25℃时的光通量的85%。在基于InGaAlP的半导体芯片中，尤其地，所述现象也表现为更强，这是因为发射波长从较高的眼睛灵敏度的范围内移出。这样，在基于InGaAlP的、在黄色光谱范围内发射的半导体芯片中，亮度在100℃时能够下降到在25℃时的该数值的大约40%，在发射在红色波长范围内的情况下，参照由人眼感觉到的亮度，所述下降能够为大约50%。
光通量的这种温度相关性能够在应用中引起问题。例如在汽车领域中的闪光灯或尾灯中，要达到特定的、预设的光通量。如果使用的发光二极管是冷的、接近于室温，那么所述发光二极管太亮。在工作室或起居室的普通照明中，尤其将发射淡绿色-白色的半导体芯片与红色的半导体芯片相互组合，或者将红色的、绿色的、蓝色的和/或黄色的半导体芯片相互组合。在以不同类型发射的半导体芯片的这种组合中和在伴随着温度升高，红色的以及必要时黄色的LED的光通量相对大幅下降时，能够造成强烈的色彩变化。例如，相关的色温从室温时的大约2400K改变600K，至大约在100℃时的半导体芯片的静态工作点处的3000K。因此，只有在大约10分钟至30分钟后达到期望的光色之前，才在接通后发射淡红色的光。此外，这种依据温度的并且在较长时间段内持续的色彩变化在尾灯中引起例如对于液晶显示的问题。
通过使用所谓的全转换发光二极管，能够降低或避免发射的辐射的这种亮度变化或光谱组成的变化。在所述尤其基于InGaN材料系统的发光二极管中，在半导体芯片中发射的辐射通过转换材料完全地转化为其他波长的辐射。然而，这种发光二极管相对较贵。此外可对亮度和/或光谱组成进行电子再调整，例如结合温度传感器和/或光学传感器和之后的例如借助于脉冲宽度调制的电子控制。然而，所述用于再调整的方法是相对较耗费的并且复杂的以及相对较昂贵的。
在提出的光电子半导体器件中，替选地或者附加地，通过散射体对光通量的温度特性产生影响。由于基体材料和颗粒材料的折射率的温度特性不同，与在例如为大约100℃时的静态工作点中的折射率差异相比，室温时的折射率差异发生改变。由于折射率差异的改变，散射体的散射光的特性改变。因此，可能的是，散射体在室温时较强地散射，并且散射性能在更高的温度时减弱。换言之，由于半导体芯片依据温度的效率，通过散射体能够补偿光通量的下降。因此，由散射体和半导体芯片组成的系统能够实现在温度改变时相对恒定的光发射。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，颗粒材料的折射率在温度为300K时小于基体材料的折射率。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，基体材料的折射率随着温度上升而降低。这尤其适用于在300K和450K之间的温度范围，其中包括边界值。替选地或者附加地，颗粒材料的折射率随着温度在所述温度范围内升高而增大。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异随着温度升高而降低。尤其地，这适用于在300K和375K之间的、其中包括边界值的温度范围和/或在375K和450K之间的、其中包括边界值的温度范围。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异至少在300K和375K之间的、其中包括边界值的温度范围和/或375K和450K之间的、其中包括边界值的温度范围内增加。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，首先在300K和450K之间的、其中包括边界值的温度范围内，基体材料和颗粒材料的折射率随着温度升高而趋于相同，并且随后在所提及的温度范围内或在所提及的温度范围外温度还要更高的情况下，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异再次增大。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，在375K和450K之间的、其中包括边界值的温度范围内的散射颗粒平均散射横截面是在温度为300K时的散射颗粒平均散射横截面的最多50%或者最多25%或者最多10%。此外，平均的散射横截面与颗粒材料和基体材料之间的折射率差异相关。此外，在散射横截面中研究散射颗粒的几何特性，尤其是散射颗粒的形状以及其大小。
换言之，根据所述实施形式，基体材料和颗粒材料的折射率互相接近到，使得在半导体芯片的静态工作温度的范围内、也就是在375K和450K之间的、其中包括边界值的温度时的散射横截面与室温时的散射颗粒散射横截面相比是小的或者能够忽略。因此，散射颗粒在室温时起散射作用，相反地，在半导体芯片静态工作温度更高时，由于基体材料的以及必要时颗粒材料的折射率的改变，散射颗粒不起散射作用或不起显著的散射作用。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异在温度为300K时至少为0.02或者至少为0.025或者至少为0.03。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，在静态工作温度下，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异最高为0.015，优选地最高为0.010或最高为0.005。尤其在大约为400K的温度下、或在与之不同的半导体芯片的静态工作温度下，折射率差异是能够忽略的或者等于零。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，基体材料具有至少一种下述材料或者由其组成或者由至少两种下述材料组成的混合物所构成：硅树脂、环氧化物、聚氨酯、丙烯酸酯、聚碳酸酯。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，在从300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内，颗粒材料是透明的以及清晰可见的。例如，颗粒材料包含或者为下述材料之一：例如为玻璃的氧化硅或者例如为氟化钙、氟化钡、氟化锂或氟化镁的金属氟化物。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射颗粒的平均直径至少为0.15μm或至少为0.2μm或至少为1.5μm或至少为2μm或至少为5μm。替选地或附加地，平均直径最高为20μm，尤其最高为15μm或者最高为10μm或者最高为5μm。平均直径在此尤其为关于Q0的直径d50。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射颗粒占整个散射体的重量比为10%和50%之间、其中包括边界值，尤其为20%和40%之间、其中包括边界值，或者为25%和35%之间、其中包括边界值，或者为15%和30%之间、其中包括边界值。替选地或者附加地，散射颗粒的体积比小于30%或者小于25%或者小于20%。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射体形成为薄片状的或者盘状的。那么例如，散射体在带有恒定的或基本上恒定的厚度的半导体芯片的辐射主面上延伸，其中半导体芯片的侧壁同样也能够由散射体所覆盖。层或薄片的厚度优选最高为500μm或最高为100μm。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射体形成为透镜状的。例如，散射体具有聚光透镜的形状。散射体因此能够构造成球形的或者椭圆形的。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，从300K的温度开始，至少至375K的温度，基体材料的折射率趋近于与颗粒材料的折射率相同。换言之，基体材料的折射率比颗粒材料的折射率变化得更大。例如，颗粒材料的折射率几乎保持为恒定的，并且几乎仅基体材料的折射率变化。例如，关于同一温度范围，基体材料的依据温度的折射率变化是颗粒材料的依据温度的折射率变化的至少10倍或至少50倍。重要的温度范围在此尤其在300K和375K之间，其中包括边界值和/或在375K和450K之间，其中包括边界值。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，尤其在300K和375K之间，其中包括边界值和/或在375K和450K之间，其中包括边界值，
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射体在接通后的短时间内、例如在室温下至少直至接通后的1分钟或者至少直至5分钟，起散射作用。那么，换言之，对于观察者，散射体显得是模糊的，使得尤其是存在于散射体之下的结构、例如半导体芯片的电流伸展结构可能显得不清楚。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，尤其在半导体器件的常规使用中，散射体是清晰可见的和/或是透明的。那么，对于观察者，散射体不显得是模糊的。
根据光电子半导体器件的至少一个实施形式，散射体在接通之后的较长时间、例如在10分钟之后或在30分钟之后或者在出现静态工作温度之后不再起散射作用。那么，换言之，对于观察者，散射体显现为清晰可见的。
此外，提出一种用于光电子半导体器件的散射体。例如半导体器件包含如同在至少一个上述实施形式中所描述的这种散射体。因此，散射体的特征对光电子半导体器件也是公开的并且反之亦然。
在散射体的至少一个实施形式中，所述散射体具有辐射能穿透的基体材料。在基体材料中嵌入由颗粒材料制成的散射颗粒。基体材料的折射率在温度变化时的表现不同于颗粒材料的折射率。在温度为300K时，基体材料和颗粒材料之间的折射率差异最高为0.15。
此外，提出一种用于运行光电子半导体器件的方法，尤其是用于例如结合一个或多个上面列举的实施例的半导体器件。因此，散射体的以及光电子半导体器件的特征也对所述方法是公开的并且反之亦然。
在所述方法的至少一个实施形式中，半导体器件运行以使散射体的依据温度的散射特性调节成，使得散射横截面随着温度升高而减小，其中对半导体芯片的依据温度的效率降低进行补偿，使得带有最高为5%的公差的半导体器件的辐射强度是依据温度的。
附图说明
以下将参考附图、根据实施例来详细阐明在此描述的光电子半导体器件以及在此描述的散射体。相同的附图标记在此说明各个附图中相同的元件。然而，在此未示出按照比例的大小关系，反之为了更好的理解，可以夸大地示出各个元件。
示出：
图1至4示出在此描述的带有在此描述的散射体的光电子半导体器件的实施例的示意剖面图。
具体实施方式
在图1中示出光电子半导体器件1的实施例。在载体5上施加有光电子半导体芯片2。在半导体芯片2的背离载体5的辐射主面20上存在有散射体34。散射体34具有基体材料3，所述基体材料3对要由半导体芯片2发射的辐射而言是清晰可见的和透明的，并且散射颗粒4嵌入到所述基体材料中。散射体34形成为薄片状的并且例如粘贴到或者直接印到辐射主面20上。
基体材料3例如为硅树脂或为硅树脂-环氧化物-混合材料，尤其包含苯基化的硅树脂。基体材料3的折射率在室温时例如大约为1.49。散射颗粒4例如为带有大约为0.5μm的平均直径和在室温时为1.46的折射率的玻璃球。散射颗粒4占散射体34的重量比大约为30%。
尤其基于InGaAlP的半导体芯片2例如在100℃的持续运行中，具有静态工作温度。跟大约为25℃的室温相比，这意味着75℃的温度差异。硅树脂的折射率变化在重要的温度范围内大约为-4×10-4K-1。因此，硅树脂的折射率随着温度升高而降低。散射颗粒3的折射率变化大约为0.1×10-5K-1至1×10-5K-1，并且比基体材料3的折射率变化小，并且相对于基体材料3的折射率能够看作是近似恒定的。
由于在室温时基体材料3和散射颗粒4之间的折射率差异大约为0.03，散射体34在室温时起散射作用。这引起光从半导体芯片2反向散射。例如在载体5上或者在半导体芯片2上吸收反向散射的光。因此，在室温时，有针对性地降低了从整个半导体器件1中的出来的在半导体芯片2中产生的辐射的耦合输出效率。
接近静态工作温度时，基体材料3的折射率近似于散射颗粒4的折射率，那么并且两个折射率都为大约1.46。因此，散射体34在大约为100℃的静态工作温度下不再起或几乎不再起散射作用，并且耦合输出效率在所述温度下提高。由于以基体材料3的相对于散射颗粒4的折射率变化为基础的耦合输出效率的分布是依据温度的，能够实现对温度变化相对不灵敏的、稳定的光通量。
根据图1，散射颗粒4大致是球形的。对此替选地或者附加地，如同也在全部其他的实施例中，散射颗粒4能够具有例如为长方体形的或立方体形的或棱锥形的有棱角的形状。非球形的散射颗粒4具有比带有相等平均直径的球形的散射颗粒4更大的散射横截面。散射横截面也能够关于散射颗粒4的直径进行匹配。这样，散射颗粒4的平均直径能够在由半导体芯片2发射的辐射的波长范围内，也就是例如在400nm和700nm之间，其中包括边界值。
与常规的散射体相比，在室温下，散射颗粒4相对于基体材料3具有小的折射率差异。在常规的散射体中，散射颗粒尤其用氧化铝、氧化锆或氧化钛构成，并且基体材料和这种颗粒之间的折射率差异通常大于0.3。
可选地，薄片状的散射体34由其他浇注体6所包围。浇注体6优选成形为透镜形的、例如以聚光透镜的形式成形。此外，可选地，能够在浇注体6中添加转换介质7，以用于部分地改变在半导体芯片2中产生的辐射的波长。
在后续的附图中，没有示出散射颗粒4以及基体材料3，而是仅将散射体34简化成整体。
在图2A和图2B中示出半导体器件1的其他实施例。根据图2A，散射体34仅覆盖半导体芯片2的辐射主面20。因此，散射体34没有接触载体5的载体上侧50，其中半导体芯片2施加在载体上侧50上。
根据图2B，散射体34沿侧向方向具有与半导体芯片2基本上相等的尺寸。在此，基本上能够表示，散射体34沿侧向方向的尺寸超出半导体芯片2沿相同方向的尺寸最多30%、尤其是最多20%或者最多15%。根据图2B，散射体34覆盖半导体芯片2的侧壁25，所述散射体具有与半导体芯片2相比侧向更大的伸展，其中侧壁25形成半导体芯片2的侧向边界面。
在根据图3A和3B的实施例中，散射体34构造成体积浇注件。在图3A中，散射体34构成为球形的或透镜形的，其中散射体34的侧面伸展尺寸超出半导体芯片2的侧向伸展尺寸，其例如是所述半导体芯片的侧向伸展尺寸的1.5倍或者2倍。散射体34在垂直于载体上侧50的方向上的高度例如超出半导体芯片2的平均棱长。
在根据图3B的实施例中，载体5具有凹部55，在所述凹部中施加有半导体芯片2。凹部55用散射体34所填充。
在图4中图解另一实施例。根据图4，光电子半导体器件1具有多个半导体芯片2a、2b。例如，半导体芯片2a基于InAlGaP，并且在黄色的或红色的光谱范围内发射辐射。半导体芯片2b尤其基于AlInGaN，并且在蓝色光谱范围内发射辐射。两个半导体芯片2a、2b都施加在载体5的可选的凹部55中的载体上侧50上。
在半导体芯片2a下游设置有在辐射主面20a上的薄片状的散射体34。半导体芯片2b不含散射体。可选地，在半导体芯片2b的辐射主面20b上施加有例如与发射体34一样构成为层状的转换介质7。
根据图4的半导体器件1能够在工作时发射白光，其中例如将半导体芯片2b的淡绿色-白色光与半导体芯片2a的红色光混合。半导体芯片2a的光通量的温度相关性能够由散射体34来补偿，使得半导体器件1在接通之后立即并且在达到静态工作温度之前也已发射所期望的色温的辐射。
可选地，在半导体芯片2a、2b下游设置有盖板8。盖板8例如包含其他散射介质，通过所述其他散射介质能够改进由半导体芯片2a、2b发射的辐射。
本发明不由于借助实施例的描述而限于这些实施例。相反地，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，这尤其包括在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未在权利要求或者实施例中明确说明。
本专利申请要求德国专利申请102010034915.1的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
Claims (14)
1.发光二极管(1)，具有：
-多个光电子半导体芯片(2)，以及
-多个散射体(34)，所述散射体具有辐射能穿透的基体材料(3)和嵌入到所述基体材料中的由颗粒材料构成的散射颗粒(4)，并且所述散射体设置在至少一个所述半导体芯片(2)下游，
其中
-所述散射体(34)仅覆盖所述半导体芯片(2)中的至少一个半导体芯片的辐射主面(20)，使得所述散射体(34)没有接触载体(5)的载体上侧(50)，在所述载体上侧(50)上施加有所述半导体芯片(2),
-在所述半导体芯片(2)中的至少两个半导体芯片的下游设置有带有不同的依据温度的散射特性的散射体(34)，
-当温度改变时，所述基体材料(3)和所述颗粒材料之间的折射率差异改变，
-所述基体材料(3)和所述颗粒材料之间的所述折射率差异在温度为300K时最高为0.15，
-在300K至375K的、其中包括边界值的温度范围内，所述基体材料(3)和所述颗粒材料之间的折射率差异随着温度升高而降低，
-在375K至450K的、其中包括边界值的温度范围内的至少一个温度下，对在工作时在所述半导体芯片(2)中产生的辐射而言，所述散射颗粒(4)的平均散射横截面为在温度为300K时所述散射颗粒(4)的平均散射横截面的最高25％，
-所述基体材料(3)包含苯基化的硅树脂，
-所述颗粒材料为氧化硅、氟化钙、氟化钡、氟化锂或氟化镁，以及
-所述散射颗粒(4)的平均直径最低为1.5μm并且最高为5μm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管(1)，
其中所述颗粒材料在温度为300K时具有与所述基体材料相比更小的折射率。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管(1)，
其中，在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内，所述基体材料(3)的折射率随着温度升高而降低。
4.根据权利要求1或2所述的发光二极管(1)，
其中，在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内，所述颗粒材料(3)的折射率随着温度升高而上升。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管(1)，
其中，所述散射颗粒(4)形成为长方体形，立方体形或棱锥形。
6.根据权利要求1或2之一所述的发光二极管(1)，
其中所述基体材料(3)和所述颗粒材料之间的所述折射率差异在温度为300K时为最低0.02和在温度为400K时为最高0.01。
7.根据权利要求1所述的发光二极管(1)，
其中所述散射体(34)中的至少一个散射体形成为薄片状的或盘状的，并且在带有恒定厚度的所述半导体芯片(2)中一个半导体芯片的辐射主面(20)上延伸。
8.根据权利要求1、2或7之一所述的发光二极管(1)，
其中所述颗粒材料在300K至450K的、其中包括边界值的温度范围内是透明的以及清晰可见的。
9.根据权利要求1、2或7之一所述的发光二极管(1)，
其中
-所述半导体芯片中的第一半导体芯片(2a)基于InAlGaP，并且发射在黄色或红色光谱范围内的辐射，并且所述半导体芯片中的第二半导体芯片(2b)基于AlInGaN，并且发射在蓝色光谱范围内的辐射，
-所述半导体芯片(2a、2b)施加在载体(5)的载体上侧(50)上，
-在所述第一半导体芯片(2a)下游将所述散射体(34)中的至少一个散射体设置在辐射主面(20a)上，
-所述第二半导体芯片(2b)不含散射体，
-在所述第二半导体芯片(2b)的辐射主面(20b)上施加有转换介质(7)，以及
-在所述半导体芯片(2a、2b)下游设置有盖板(8)，所述盖板包含其他散射介质。
10.根据权利要求1、2或7之一所述的发光二极管(1)，
其中所述散射体(34)中的至少一个散射体在侧向方向上，平行于所述辐射主面(20)地，超出所述半导体芯片(2)中的一个半导体芯片沿同一方向的尺寸最多15％。
11.根据权利要求1、2或7之一所述的发光二极管(1)，
其中所述散射颗粒(4)占所述散射体(34)中的至少一个散射体的重量比在10％和50％之间，其中包括边界值。
12.根据权利要求1、2或7之一所述的发光二极管(1)，
其中
-所述基体材料(3)是硅树脂，
-所述颗粒材料是BaF2、LiF或MgF2，
-所述散射颗粒(4)占所述散射体(34)中的至少一个散射体的重量比在20％和40％之间，其中包括边界值，
-所述散射颗粒(4)的平均直径在2μm和5μm之间，其中包括边界值，
-所述散射体(34)中的至少一个散射体是带有最高为500μm的厚度的薄片，
-所述发光二极管(1)包括至少两个在彼此不同的光谱范围内发射的半导体芯片(2)，
-在所述半导体芯片(2)中的至少一个的下游没有设置散射体(34)，
-从300K的温度开始，直到最低为375K的温度，所述基体材料(3)的折射率趋近于与所述颗粒材料的折射率相同，并且
-所述半导体芯片(2)中的至少一个基于AlInGaN或基于AlInGaP。
13.用于运行根据权利要求1至12之一所述的发光二极管(1)的方法，其中将所述散射体(24)中的至少一个散射体的依据温度的散射特性调节成，使得散射横截面随着温度升高而减小，其中对所述半导体芯片(2)中的一个半导体芯片的依据温度的效率降低进行补偿，使得所述发光二极管(1)的辐射强度具有与温度无关地最高为5％的公差。
14.根据权利要求13所述的方法，
其中所述散射体(34)中的至少一个散射体在室温下接通后的至少5分钟之内起散射作用，使得对于观察者，所述散射体(34)显得是模糊的，
其中所述散射体(34)在设定静态工作温度之后不再起散射作用并且对于观察者显示为清晰可见的。
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