DE102010030623A1 - Piezoelektrische Resonatorstrukturen mit Temperaturkompensation - Google Patents

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Abstract

Ein elektrischer Resonator weist ein Substrat auf, das einen Hohlraum aufweist. Der elektrische Resonator weist einen Resonatorstapel auf, der schwebend über dem Hohlraum gehalten ist. Der Resonatorstapel weist eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode; eine piezoelektrische Schicht; und eine Temperaturkompensationsschicht auf, die Borsilikatglas (BSG) aufweist.

Description

  • HINTERGRUND
  • Bei vielen elektronischen Anwendungen werden elektrische Resonatoren benötigt. Beispielsweise werden bei vielen drahtlosen Kommunikationsvorrichtungen Radiofrequenz (RF)- und Mikrowellenfrequenzresonatoren als Filter verwendet, um Empfangen und Senden von Signalen zu verbessern. Filter umfassen typischerweise Spulen und Kondensatoren, und in jüngster Zeit Resonatoren.
  • Wie gewürdigt werden wird, ist es wünschenswert, die Größe von Komponenten von elektronischen Vorrichtungen zu reduzieren. Viele bekannte Filtertechnologien stellen eine Grenze für eine Gesamtsystem-Miniaturisierung dar. Mit dem Bedürfnis, eine Komponentengröße zu reduzieren, hat sich eine Klasse von Resonatoren basierend auf dem piezoelektrischen Effekt entwickelt. Bei piezoelektrisch basierten Resonatoren werden akustische Resonanzmoden in dem piezoelektrischen Material erzeugt. Diese akustischen Wellen werden für eine Verwendung in elektrischen Anwendungen in elektrische Wellen umgewandelt.
  • Eine Art eines piezoelektrischen Resonators ist ein akustischer Dünnschichtvolumenresonator (film bulk acoustic resonator, FBAR. Der FBAR hat den Vorteil einer kleinen Größe und eignet sich für integrierte Schaltung (IC)-Herstellungsarbeitsgeräte und -techniken. Der FBAR umfasst einen akustischen Stapel, der unter anderem eine Schicht eines piezoelektrischen Materials aufweist, die zwischen zwei Elektroden angeordnet ist. Akustische Wellen erreichen über den akustischen Stapel eine Resonanz, wobei die Resonanzfrequenz der Wellen durch die Materialien in dem akustischen Stapel bestimmt ist.
  • FBARs sind grundsätzlich akustischen Volumenresonatoren, z. B. Quarz, ähnlich, aber maßstäblich verkleinert, um bei GHz-Frequenzen mitzuschwingen. Da die FBARs Dicken in der Größe von Mikrometern und Längen- und Breitenabmessungen von Hunderten von Mikrometern haben, stellen FBARs günstigerweise eine vergleichsweise kompakte Alternative zu bekannten Resonatoren bereit.
  • Ein Großteil von FBAR-Vorrichtungen hat eine Frequenzantwort, die eine Durchlassbandcharakteristik hat, die durch eine Mittenfrequenz charakterisiert ist. Die Resonanzfrequenz hängt von den Materialien des FBAR-„Stapels” wie auch ihren entsprechenden Dicken ab. Die einzelnen FBARs haben eine Frequenzantwortcharakteristik, die durch eine Resonanzfrequenz charakterisiert ist. Bei bestimmten bekannten FBAR-Vorrichtungen, bei denen das Material des piezoelektrischen Materials Aluminiumnitrid (AlN) und das Material der Elektroden Molybdän (Mo) ist, hat die Resonanzfrequenz der FBAR-Vorrichtung einen Temperaturkoeffizienten, der von ungefähr –20 ppm/°C (ppm, Teile pro Million) bis ungefähr –35 ppm/°C reicht. Solche Temperaturkoeffizienten reduzieren den Temperaturbereich, über den die FBAR-Vorrichtung, die die FBARs integriert, ihre Durchlassbandbreitenspezifikation erfüllen kann. Solche Temperaturkoeffizienten reduzieren zusätzlich eine Herstellungsausbeute, da die Bandbreitengrenzen, bis zu denen die FBAR-Vorrichtungen getestet sind, eingefügt werden müssen, um sicherzustellen, dass die FBAR-Vorrichtung ihre Bandbreitenspezifikation über ihren gesamten Betriebstemperaturbereich erfüllen wird.
  • Beispielhaft veranschaulichend kann die Änderung des Temperaturkoeffizienten der einzelnen Materialien der FBAR-Vorrichtung zu einer Änderung der Resonanzfrequenz der FBAR-Vorrichtung von einigen MHz über einen typischen Betriebstemperaturbereich von –30°C bis +85°C führen. Wie gewürdigt werden sollte, mag eine Variation der Resonanzfrequenz (auch als die Frequenzverschiebung bezeichnet) mit einer Temperatur so groß sein, dass sich die Betriebsfrequenz der Vorrichtung außerhalb ihres gewünschten Betriebsfrequenzbereichs verschiebt. Beispielsweise könnte sich, falls die FBAR-Vorrichtung eine Komponente eines Signalfilters ist, eine Änderung der Resonanzfrequenz auf das Durchlassband des Filters über eine akzeptable Grenze hinaus auswirken.
  • In einem Bestreben, eine Abweichung der Resonanzfrequenz mit einer Temperatur von FBAR-Vorrichtungen zu reduzieren, sind Temperaturkompensationsschichten entwickelt worden. Bei bestimmten bekannten FBAR-Vorrichtungen hat das Temperaturkompensationselement einen Temperaturkoeffizienten, der in einem Vorzeichen entgegengesetzt zu dem Temperaturkoeffizienten des piezoelektrischen Elements ist. Während einige Materialien bei Temperaturkompensationsschichten nützlich sind, gibt es Nachteile bei ihrer Integrierung in eine Anfertigung von vielen FBAR-Vorrichtungen.
  • Was daher benötigt wird, sind eine akustische Resonatorstruktur und ihr Verfahren zum Herstellen, die zumindest einige der Mängel der bekannten oben Beschriebenen überwinden.
  • ZUSAMMENFASSENDE DARSTELLUNG
  • In Übereinstimmung mit einer exemplarischen Ausführungsform weist ein elektrischer Resonator ein Substrat; ein reflektierendes Element in dem Substrat; und einen Resonatorstapel auf, der schwebend oder hängend über dem reflektierenden Element gehalten ist und aufweist: Eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode; eine piezoelektrische Schicht; und eine Temperaturkompensationsschicht, die Borsilikatglas (BSG) aufweist.
  • In Übereinstimmung mit einer weiteren exemplarischen Ausführungsform weist ein Verfahren zum Anfertigen eines elektrischen Resonators ein Bilden eines Hohlraums in einem Substrat; ein Bereitstellen einer Schicht eines Opfermaterials in dem Hohlraum; und ein Bilden eines Resonatorstapels über dem Hohlraum auf, wobei das Bilden des Resonatorstapels ein Bilden einer Temperaturkompensationsschicht aufweist, die Borsilikatglas (BSG) aufweist. Das Verfahren weist auch ein Entfernen des Opfermaterials aus dem Hohlraum auf.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die exemplarischen Ausführungsbeispiele werden am besten aus der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie mit den beigefügten Zeichnungsfiguren gelesen wird. Es sei betont, dass die verschiedenen Merkmale nicht notwendigerweise maßstabsgetreu sind. Tatsächlich mögen die Abmessungen für eine Klarheit der Diskussion beliebig vergrößert oder verkleinert sein. Wo immer anwendbar und zweckmäßig beziehen sich gleiche Bezugsziffern auf gleiche Elemente.
  • 1A zeigt eine Querschnittsansicht eines FBAR in Übereinstimmung mit einem exemplarischen Ausführungsbeispiel.
  • 1B zeigt eine Querschnittsansicht eines gestapelten akustischen Volumenresonators in Übereinstimmung mit einem exemplarischen Ausführungsbeispiel.
  • 2A–2D zeigen Querschnittansichten eines Verfahrens zum Anfertigen eines FBAR in Übereinstimmung mit einem exemplarischen Ausführungsbeispiel.
  • 3 zeigt einen Graph, der die Abhängigkeit einer Temperaturkompensation von einer BSG-Dicke zeigt.
  • DEFINIERTE TERMINOLOGIE
  • Die Begriffe „ein” oder „eine” sind, wie hier verwendet, als eins oder mehr als eins definiert.
  • Der Begriff „Vielzahl” ist, wie hier verwendet, als zwei oder mehr als zwei definiert.
  • Zusätzlich zu ihren gewöhnlichen Bedeutungen meinen die Begriffe „wesentlich” oder „im Wesentlichen” für einen Fachmann bis mit akzeptablen Grenzen oder mit einem akzeptablen Grad. Beispielsweise meint „im Wesentlichen Rückgängigmachen”, dass ein Fachmann das Rückgängigmachen als akzeptabel auffassen würde.
  • Zusätzlich zu ihren gewöhnlichen Bedeutungen meint der Begriff „ungefähr” für einen Fachmann bis innerhalb einer akzeptablen Grenze oder Menge. Beispielsweise meint „ungefähr das Gleiche”, dass ein Fachmann die Gegenstände, die verglichen werden, als die Gleichen auffassen würde.
  • DETALLIERTE BESCHREIBUNG
  • In der folgenden detaillierten Beschreibung sind spezielle Details zum Zwecke einer Erklärung und nicht einer Begrenzung dargelegt, um ein grundlegendes Verständnis von exemplarischen Ausführungsbeispielen gemäß den vorliegenden Lehren bereitzustellen. Jedoch wird es für einen Fachmann offensichtlich sein, der die Vorteile der vorliegenden Offenbarung hatte, dass andere Ausführungsbeispiele gemäß den vorliegenden Lehren, die von den speziellen Details abweichen, die hier offenbart sind, innerhalb des Umfangs der angehängten Ansprüche bleiben. Ferner mögen Beschreibungen von bekannten Vorrichtungen und Verfahren ausgelassen werden, um die Beschreibung der exemplarischen Ausführungsbeispiele nicht zu verschleiern. Solche Verfahren und Vorrichtungen liegen eindeutig innerhalb des Umfangs der vorliegenden Lehren.
  • 1A ist eine Querschnittsansicht einer elektrischen Resonatorstruktur 100 in Übereinstimmung mit einem exemplarischen Ausführungsbeispiel. Die Resonatorstruktur 100 weist ein Substrat 101, eine erste Elektrode 102, die über dem Substrat 101 angeordnet ist, eine Schicht einer piezoelektrischen Schicht oder Materials 103, eine Temperaturkompensationsschicht 104 und eine zweite Elektrode 105 auf. Die Resonatorstruktur 100 weist auch einen Hohlraum 106 auf, der in dem Substrat 101 gebildet ist. Mit der Anordnung der ersten und zweiten Elektrode 102, 105, der piezoelektrischen Schicht 103 und der Temperaturkompensationsschicht 104 (insgesamt als der Resonatorstapel oder Resonatorstack bezeichnet) über dem Hohlraum weist die Resonatorstruktur 100 eine FBAR-Struktur auf.
  • Insbesondere wird mehr als ein Resonatorstapel betrachtet. Beispielsweise mag, wie in 1B gezeigt, ein weiterer Resonatorstapel, der die erste und zweite Elektrode 102, 105, die piezoelektrische Schicht 103 und die Temperaturkompensationsschicht 104 aufweist, über dem Resonatorstapel vorgesehen sein. Diese Struktur stellt einen akustischen Stapelvolumenresonator (stack bulk acoustic resonator, SBAR) bereit. Der SBAR ist mittels Wiederholens der Anfertigungssequenz des Resonatorstapels nach Bilden des Resonatorstapels, der in 1A gezeigt ist, und vor Entfernen eines Opfermaterials, wie unten diskutiert ist, angefertigt. In einem exemplarischen. Ausführungsbeispiel weist der SBAR eine erste Elektrode 102, die über dem Substrat 101 angeordnet ist, eine Schicht einer piezoelektrischen Schicht oder Materials 103, eine Temperaturkompensationsschicht 104, und eine zweite Elektrode 105 auf. Eine weitere Temperaturkompensationsschicht 107 ist über der zweiten Elektrode 105 vorgesehen. Eine Elektrode 108 ist über der Temperaturkompensationsschicht 107 vorgesehen, und hintereinander sind eine zweite piezoelektrische Schicht 109 und eine weitere Elektrode 110 über der Temperaturkompensationsschicht vorgesehen.
  • Die Anordnung der Temperaturkompensationsschichten 104 zwischen der piezoelektrischen Schicht 103 und der zweiten Elektrode 105, wie in 1A gezeigt, ist rein beispielhaft veranschaulichend. Ferner ist auch die Anordnung der anderen Temperaturkompensationsschicht 107 unter der Elektrode 108 rein beispielhaft veranschaulichend. Insbesondere mögen die Temperaturkompensationsschichten 104, 107 zwischen anderen Schichten in dem Resonatorstapel vorgesehen sein. Beispielsweise mag die Temperaturkompensationsschicht 104 zwischen der ersten Elektrode 102 und der piezoelektrischen Schicht 103 vorgesehen sein. In ähnlicher Weise mag die andere Temperaturkompensationsschicht 107 zwischen der Elektrode 108 und der zweiten piezoelektrischen Schicht 109 vorgesehen sein. In Übereinstimmung mit einem exemplarischen Ausführungsbeispiel weisen die Temperaturkompensationsschichten 104, 107 jeweils Borsilikatglas (BSG) auf, das Bor im Bereich von ungefähr 0,1% bis ungefähr 5,0% aufweist, wobei die Konzentration von Bor entweder ein Massen- oder Gewichtsprozent oder ein Atomprozent ist. Wie unten vollständiger beschrieben ist, weist BSG in dem Ausführungsbeispiel, das einen SBAR aufweist, einen Temperaturkoeffizienten auf, der im Vorzeichen entgegengesetzt zu dem Temperaturkoeffizienten des piezoelektrischen Materials ist, das die piezoelektrische Schicht 103 und die zweite piezoelektrische Schicht 109 aufweist. Etwas allgemeiner ist BSG ausgewählt, um einen Temperaturkoeffizienten bereitzustellen, der entgegengesetzt dem zusammengesetzten (composite) Temperaturkoeffizienten der anderen Schichten des Resonatorstapels des FBAR und des SBAR ist.
  • Der Dotierungsgrad von Bor in dem BSG ist ausgewählt, um einen geeigneten Grad an Temperaturkompensation bereitzustellen, während er nicht thermische Randbedingungen bei einem Prozessieren der Resonatorstruktur 100 beeinträchtigt. Wie oben beschrieben, ist der Dotierungsgrad von Bor in der BSG-Schicht, die die Temperaturkompensationsschicht 104 aufweist, im Bereich von 0,1% bis ungefähr 5,0% (Gewichtsprozent oder Atomprozent). Je größer der Dotierungsgrad von Bor in der Temperaturkompensationsschicht 104 ist, desto größer ist der Temperaturkoeffizient. Jedoch sinkt, wenn der Dotierungsgrad zunimmt, der Schmelzpunkt von BSG. Um sicherzustellen, dass bestimmte Prozesse mit höherer Temperatur (z. B. eine Abscheidung oder Deponierung der piezoelektrischen Schicht 103) nicht ein Fließen der Temperaturkompensationsschicht 104 verursachen, die das BSG aufweist, wird der Dotierungsgrad im Bereich, der oben dargelegt ist, beibehalten. Als Beispiel wird das Aluminiumnitrid bei Temperaturen abgeschieden, die 500°C erreichen mögen, eine Temperatur, die Wiederaufschmelzbedenken verursachen mag, wenn man BSG mit einer hohen Konzentration von Bor verwendet. Um zu verhindern, dass dieses Wiederaufschmelzen (reflow) stattfindet, wird die Konzentration von Bor gering genug gehalten, um ein Wiederaufschmelzen zu verhindern, aber hoch genug, um eine angemessene Temperaturkompensation der FBAR/SBAR-Struktur zu ermöglichen.
  • 2A zeigt eine Querschnittsansicht des Substrats 101, das den Hohlraum 106 aufweist, der in dem Substrat gebildet und im Wesentlichen mit einem Opfermaterial 201 gefüllt ist. Beispielhaft veranschaulichend ist das Substrat 101 Silizium (z. B. einkristallines Silizium) und das Opfermaterial 201 weist Siliziumdioxid auf, das mit Phosphor dotiert ist und oft als Phosphosilikatglas (PSG) bezeichnet wird. Die Bildung des Hohlraums 106 und das Füllen davon mit Opfermaterial 201 sind bekannt. Beispielsweise mögen die Bildung des Hohlraums 106 und die Abscheidung des Opfermaterials 201 darin wie in US 6,384,697 von Ruby et al. mit dem Titel „Cavity Spanning Bottom Elektrode of a Substrate-Mounted Bulk Wave Acoustic Resonator” diskutiert ausgeführt werden. Dieses Patent ist auf den Rechtsnachfolger der vorliegenden Anmeldung übertragen worden und ist hier durch Bezugnahme speziell aufgenommen. Nach Bildung der Opferschicht wird ein chemisch-mechanischer Polierschritt ausgeführt, so dass eine Oberfläche 202 des Opfermaterials im Wesentlichen fluchtend mit einer Oberfläche 203 des Substrats 101 ist.
  • 2B zeigt eine Querschnittsansicht des Substrats 101, das das Opfermaterial 201 aufweist, nach Bilden der ersten Elektrode 102 und der piezoelektrischen Schicht 103. Insbesondere überspannt die erste Elektrode 102 Hohlraum 106 und ist über einer Oberfläche 202 des Opfermaterials 201 und der Oberfläche 203 des Substrats 201 angeordnet.
  • 2C zeigt eine Querschnittsansicht des Substrats 201, das das Opfermaterial 201 aufweist, nach Bilden der ersten Elektrode 102, der piezoelektrischen Schicht 103 und der Temperaturkompensationsschicht 104. Wie oben beschrieben, weist die Temperaturkompensationsschicht 104 BSG auf. Die Dicke der Schicht ist basierend auf der gewünschten Resonanzfrequenz der Resonatorstruktur 100 ausgewählt. Beispielsweise wird, wenn die gewünschte Resonanzfrequenz der Resonatorstruktur 100 ungefähr 1900 MHz ist, die Temperaturkompensationsschicht dann in einer Dicke im Bereich von ungefähr 500 Å bis 2.000 Å abgeschieden. Allgemein ist die Dicke der Temperaturkompensationsschicht 104 im Bereich von ungefähr 200 Å bis ungefähr 10.000 Å.
  • In Übereinstimmung mit einem exemplarischen Ausführungsbeispiel ist die BSG-Schicht unter Verwendung eines bekannten und eine vergleichsweise niedrige Temperatur aufweisenden plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidungs(PECVD)-Prozess angefertigt. Beispielhaft veranschaulichend wird der PECVD-Prozess bei einer Temperatur im Bereich von ungefähr 300°C bis ungefähr 400°C durchgeführt. Beispielhaft veranschaulichend kann die BSG-Schicht mittels PECVD einen Gebrauch von Helium (0 sccm (Standardkubikzentimeter, 1 sccm = 0,018124 mbar·l/s) bis 5000 sccm), Stickstoffoxid (0 sscm bis 1000 sccm), Silan oder Tetraethylorthosilikat (TEOS) (0 sccm bis 50 sccm) und Diboran (0 sccm bis 50 sccm) bei einem Betriebsdruck von ungefähr 0 Torr (1 Torr = 133,322 Pa) bis ungefähr 10 Torr bei einer Leistung von ungefähr 0 W bis ungefähr 500 W umfassen. Die Temperatur des Prozesses ist beispielhaft veranschaulichend bei ungefähr 0°C bis ungefähr 500°C. Alternativ mag die Temperaturkompensationsschicht 104, die BSG aufweist, unter Verwendung eines Radiofrequenz(RF)-Sputterns eines Borsilikatglastargets gebildet werden, was einem Fachmann bekannt ist. Ferner mag eine Modulation der Bor- und Stickstoffkonzentration in dem Glas (SiO2) in der Temperaturkompensationsschicht 104 bewerkstelligt werden, um nicht nur eine geeignete Temperaturkompensation des Resonatorstapels, sondern auch Widerstand gegenüber HF bereitzustellen, die bei der Entfernung der Opferschicht 201 bei einem späteren Prozessieren verwendet wird. Wie durch einen Fachmann gewürdigt werden sollte, mag Bor bei Bilden der Temperaturkompensationsschichten 104, 107, welche BSG aufweisen, in atomarer Form oder in einer Form, die mit den Silizium- und/oder Sauerstoffatomen gebunden ist, integriert werden.
  • 2D zeigt eine Querschnittsansicht des Substrats 201, das das Opfermaterial 201 aufweist, nach Bilden der ersten Elektrode 102, der piezoelektrischen Schicht 103, der Temperaturkompensationsschicht 104 und der zweiten Elektrode. Die Bildung der ersten Elektrode 102 und der piezoelektrischen Schicht 103 und der zweiten Elektrode 105 mag wie beispielsweise in einem oder mehreren der folgenden gemeinsam besessenen US-Patente: 5,587,620 ; 5,873,153 ; 6,384,697 ; 6,507,983 ; und 7,275,292 von Ruby et al.; 6,828,713 von Bradley et al.; und in einer oder mehrerer der folgenden gemeinsam besessenen US-Patentanmeldungsveröffentlichungen: 20070205850 von Jamneala et al.; 20080258842 von Ruby et al.; und 20060103492 von Feng et al. beschrieben sein. Die Offenbarungen dieser Patente und Patentanmeldungsveröffentlichungen sind hier durch Bezugnahme speziell aufgenommen. Insbesondere sind die Lehren dieser Patente und Patentanmeldungen als beispielhaft für Verfahren, Materialien und Strukturen, die für die vorliegenden Lehren nützlich sind, aber in keiner Weise als begrenzend für die vorliegenden Lehren gedacht.
  • Schließlich wird die Opferschicht 201 nach Bilden der zweiten Elektrode 105 unter Verwendung eines geeigneten Ätzmittels mittels eines bekannten Ablösungsprozesses entfernt. Beispielsweise mag, wenn die Opferschicht 201 PSG ist, eine HF-Lösung verwendet werden. Nach Ablösung der Opferschicht 201 ist die Resonatorstruktur, die die Temperaturkompensationsschicht 104, die piezoelektrische Schicht 103 und Elektroden 102, 103 über dem Hohlraum 105 aufweist, wie in 1 gezeigt, verwirklicht. Es sei betont, dass die Anfertigungssequenz und die Materialien und Verfahren rein beispielhaft veranschaulichend sind und dass andere Anfertigungssequenzen, Materialien und Verfahren betrachtet werden. Beispielsweise mag, wie oben beschrieben, die Anordnung der Temperaturkompensationsschicht anders als gezeigt und beschrieben sein, und sie mag allgemein zwischen beliebigen zwei Schichten des Resonatorstapels zwischen der ersten Elektrode 102 und der zweiten Elektrode 105 angeordnet sein.
  • 3 zeigt einen Graph, der die Temperaturkompensationabhängigkeit von einer BSG-Dicke zeigt. Insbesondere ist der Temperaturkoeffizient für das BSG kleiner als einer für die gezeigten Parameter und Dicken.
  • In Übereinstimmung mit exemplarischen Ausführungsbeispielen sind elektrische Resonatoren beschrieben, die eine Temperaturkompensationsschicht in einem Resonatorstapel aufweisen, der schwebend oder hängend über einem Hohlraum gehalten ist. Ein Fachmann würdigt es, dass viele Variationen, die in Übereinstimmung mit den vorliegenden Lehren sind, möglich sind und innerhalb des Umfangs der beigefügten Ansprüche bleiben. Diese und andere Abweichungen würden einem Fachmann nach Durchsicht der Beschreibung, der Zeichnungen und der Ansprüche hier deutlich werden. Die Erfindung soll daher nicht beschränkt sein außer innerhalb des Geists und Umfangs der angehängten Ansprüche.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Claims (11)

  1. Ein elektrischer Resonator, der aufweist: ein Substrat; einen Hohlraum in dem Substrat, und einen Resonatorstapel, der hängend über dem Hohlraum gehalten ist und aufweist: eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode, eine piezoelektrische Schicht; und eine Temperaturkompensationsschicht, die Borsilikatglas (BSG) aufweist.
  2. Ein elektrischer Resonator nach Anspruch 1, wobei die Temperaturkompensationsschicht zwischen der ersten Elektrode und der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist und/oder wobei die Temperaturkompensationsschicht zwischen der zweiten Elektrode und der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist.
  3. Ein elektrischer Resonator nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Temperaturkompensationsschicht über dem Substrat und unter der ersten Elektrode angeordnet ist und/oder wobei die Temperaturkompensationsschicht über der zweiten Elektrode angeordnet ist.
  4. Ein elektrischer Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, der ferner einen zweiten Resonatorstapel aufweist, der über dem ersten Resonatorstapel angeordnet ist, wobei der zweite Resonatorstapel aufweist: eine dritte Elektrode; eine vierte Elektrode; eine zweite piezoelektrische Schicht; und eine zweite Temperaturkompensationsschicht, die Borsilikatglas (BSG) aufweist.
  5. Ein elektrischer Resonator nach Anspruch 4, wobei die zweite Temperaturkompensationsschicht zwischen der dritten Elektrode und der zweiten piezoelektrischen Schicht angeordnet ist und/oder wobei die zweite Temperaturkompensationsschicht zwischen der vierten Elektrode und der zweiten piezoelektrischen Schicht angeordnet ist.
  6. Ein elektrischer Resonator nach Anspruch 4 oder 5, wobei die zweite Temperaturkompensationsschicht über der zweiten Elektrode und unter der dritten Elektrode angeordnet ist und/oder wobei die zweite Temperaturkompensationsschicht über der vierten Elektrode angeordnet ist.
  7. Ein Verfahren zum Anfertigen eines elektrischen Resonators, wobei das Verfahren aufweist: Bilden eines Hohlraums in einem Substrat; Bereitstellen einer Schicht eines Opfermaterials in dem Hohlraum; Bilden eines Resonatorstapels über dem Hohlraum, wobei das Bilden des Resonatorstapels ein Bilden einer Temperaturkompensationsschicht aufweist, die Borsilikatglas (BSG) aufweist; und Entfernen des Opfermaterials aus dem Hohlraum.
  8. Ein Verfahren zum Anfertigen eines elektrischen Resonators nach Anspruch 7, wobei das Bilden der Temperaturkompensationsschicht ein Kombinieren von Siliziumdioxid und Bor aufweist, die dynamisch in einem Unterdruck oder Vakuum kombiniert werden.
  9. Ein Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, wobei das Bilden der Temperaturkompensationsschicht ein Bilden einer Mischung von Siliziumdioxid und Bor und ein Abscheiden der Mischung in einem Unterdruck oder Vakuum aufweist.
  10. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei eine Konzentration von Bor in der BSG-Schicht im Bereich von 0,1% bis 5,0%, Atommassenprozent oder Gewichtsprozent ist.
  11. Ein Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, das ferner ein Strukturieren der Temperaturkompensationsschicht innerhalb einer Begrenzung der ersten Elektrode oder im Wesentlichen übereinstimmend mit der Begrenzung aufweist.
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