-
Ausführungsbeispiele
der Erfindung beziehen sich auf eine Herstellung elektrisch leitfähiger Verbindungen
zwischen zwei Seiten eines Substrats, insbesondere auf ein Verfahren
zum Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen einer
ersten Oberfläche
eines Halbleitersubstrats und einer zweiten Oberfläche eines
Halbleitersubstrats.
-
Eine
zuverlässige
Herstellung derartiger elektrischer Verbindungen, die auch Durch-Silizium-Durchgangslöcher genannt
werden, wenn Silizium als das Substrat verwendet wird, sind für die Halbleiterindustrie
von großem
Interesse.
-
Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren
zum Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung mit verbesserten
Charakteristika zu schaffen.
-
Die
Aufgabe wird gelöst
durch die Merkmale der unabhängigen
Ansprüche.
Weiterbildungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
-
Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf
die beiliegenden Zeichnungen näher
erläutert.
Es zeigen:
-
1 ein
Flussdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung
zwischen einer ersten Oberfläche
eines Halbleitersubstrats und einer zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats;
-
2 eine
schematische Darstellung eines Verarbeitungsablaufs eines Verfahrens
zum Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen einer
ersten Oberfläche
eines Halbleitersubstrats und einer zweiten Oberfläche des
Halbleitersubstrats; und
-
3 eine
schematische Darstellung eines Verarbeitungsablaufs eines Verfahrens
zum Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen einer
ersten Oberfläche
eines Halbleitersubstrats und einer zweiten Oberfläche des
Halbleitersubstrats.
-
Im
Folgenden werden die gleichen Bezugszeichen teilweise für Gegenstände und
Funktionseinheiten mit den gleichen oder ähnlichen Funktionseigenschaften
verwendet und die Beschreibung derselben bezüglich einer Figur soll auch
auf andere Figuren zutreffen, um eine Redundanz in der Beschreibung
der Ausführungsbeispiele
zu reduzieren.
-
1 zeigt
ein Flussdiagramm eines Verfahrens 100 zum Herstellen einer
elektrisch leitfähigen Verbindung
zwischen einer ersten Oberfläche
eines Halbleitersubstrats und einer zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats
gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung. Das Verfahren 100 weist ein Herstellen 110 eines
Lochs, ein Bilden 120 einer elektrisch leitfähigen Schicht,
ein Entfernen 130 der elektrisch leitfähigen Schicht von der ersten
Oberfläche, ein
Füllen 140 des
Lochs mit Kupfer und ein Dünnen 150 des
Halbleitersubstrats auf.
-
Das
Loch wird von der ersten Oberfläche
des Halbleitersubstrats in das Halbleitersubstrat hergestellt 110 und
die elektrisch leitfähige
Schicht wird auf der Oberfläche
des Lochs gebildet 120, wobei die elektrisch leitfähige Schicht
Wolfram aufweist. Dann wird die elektrisch leitfähige Schicht von der ersten Oberfläche des
Halbleitersubstrats entfernt 130, wobei die elektrisch
leitfähige
Schicht zumindest mit reduzierter Schichtdicke in dem Loch verbleibt.
Das Halbleitersubstrat wird beginnend von einer Oberfläche, die
eine gegenüberliegende
Oberfläche
der ersten Oberfläche
ist, gedünnt 150,
um die zweite Oberfläche
zu erhalten, wobei das Loch an der zweiten Oberfläche freigelegt
bzw. aufgedeckt wird.
-
Das
Entfernen 130 der elektrisch leitfähigen Schicht vor einem Füllen des
Lochs mit Kupfer kann Probleme mit einer Adhäsion oder Korrosion der Kupferfüllung vermeiden.
Dies könnte
auftreten, da ein Schlamm, der für
die Entfernung des Wolframs von der ersten Oberfläche des
Halbleitersubstrats verwendet wird, die Kupferfüllung durch einen elektrochemischen
Prozess angreifen könnte.
Deshalb entfernt 130 das beschriebene Verfahren die elektrisch
leitfähige
Schicht vor einem Füllen
des Lochs mit Kupfer.
-
Das
Vermeiden von Problemen einer Adhäsion und/oder Korrosion der
Kupferfüllung
kann die Zuverlässigkeit
der Fertigung der elektrisch leitfähigen Verbindungen wesentlich
erhöhen.
-
Das
Loch könnte
durch einen Direktplattierungsvorgang direkt auf die elektrisch
leitfähige Schicht
oder auf eine optionale Barriereschicht, die auf der elektrisch
leitfähigen
Schicht gebildet ist, mit Kupfer gefüllt werden. Alternativ kann
eine weitere elektrisch leitfähige
Schicht auf der elektrisch leitfähigen
Wolframschicht gebildet werden, wobei die weitere elektrisch leitfähige Schicht
als eine Keimschicht für
die Kupferfüllung
verwendet wird.
-
Die
elektrisch leitfähige
Schicht könnte
durch einen nasschemischen oder trockenchemischen Schritt oder eine
Kombination derselben entfernt werden. Reaktivionenätzen (RIE;
RIE = reactive ion etching) z. B. könnte durchgeführt werden,
um die elektrisch leitfähige
Schicht von der Oberfläche
des Halbleitersubstrats zu entfernen. Der RIE-Vorgang könnte so
eingestellt werden, dass die elektrisch leitfähige Schicht an den Seitenwänden und
der Unterseite des Lochs zumindest mit reduzierter Dicke verbleiben
kann.
-
Das
Dünnen
des Halbleitersubstrats könnte durch
Zurückschleifen
oder Zurückschleifen
in Verbindung mit nachfolgendem Trocken- oder Nassätzen und/oder
in Verbindung mit CMP (CMP = chemical mechanical polishing = chemisch-mechanisches Polieren)
erfolgen. Das Wolfram der elektrisch leitfähigen Schicht könnte während des
Dünnens
des Substrats als ein Ätzstopp
verwendet werden.
-
In
Entsprechung zu 1 zeigt 2 eine schematische
Darstellung eines Verarbeitungsablaufs 200 eines Verfahrens
zum Bereitstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen einer
ersten Oberfläche
eines Halbleitersubstrats und einer zweiten Oberfläche eines
Halbleitersubstrats gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
-
Zuerst
wird das Loch 220 in das Halbleitersubstrat 210 hergestellt 110.
Dann wird die elektrisch leitfähige
Schicht 230 auf der Oberfläche des Lochs gebildet 120.
Als Nächstes
wird die elektrisch leitfähige
Schicht 230 von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats 210 entfernt 130.
Die elektrisch leitfähige
Schicht 230 verbleibt, zumindest mit reduzierter Dicke,
in dem Loch 220. Zumindest mit reduzierter Dicke bedeutet,
dass die elektrisch leitfähige
Schicht 230 im Inneren des Lochs 220 (an der Unterseite
und den Seitenwänden
des Lochs) während
der Entfernung der elektrisch leitfähigen Schicht 230 von
der ersten Oberfläche
des Halbleitersubstrats 210 gedünnt werden könnte (oder
auch nicht). Es könnte möglich sein,
die elektrisch leitfähige
Schicht 230 von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats 210 zu entfernen 130,
ohne die Dicke der elektrisch leitfähigen Schicht 230 im
Inneren des Lochs 220 zu reduzieren. Die elektrisch leitfähige Schicht 230 könnte z. B.
durch trockenchemisches oder nasschemisches Ätzen entfernt werden. Während dieses
Vorgangs könnte
das Loch 220 z. B. durch einen Lack versiegelt werden.
Wenn das Loch 220 versiegelt ist, wird die Dicke der elektrisch
leitfähigen
Schicht 230 im Inneren des Lochs 220 unter Umständen nicht
reduziert. Nach einem Entfernen 130 der elektrisch leitfähigen Schicht 230 wird
das verbleibende Loch 220 mit Kupfer 240 gefüllt 140 und
schließlich
wird das Halbleitersubstrat 210 gedünnt 150, bis das Loch 220 freigelegt
oder ausgegraben ist und die zweite Oberfläche erhalten wird.
-
Das
Substrat 210 könnte
z. B. ein Siliziumwafer, ein Silizium-auf-Isolator-Wafer (SOI-Wafer; SOI = silicon
an insulator), ein Galliumarsenid-Wafer (GaAs) oder ein anderes
Substrat, das in der Halbleiterindustrie verwendet wird, sein. Die
elektrisch leitfähige
Schicht 230 könnte
z. B. vollständig
aus Wolfram oder Wolframnitrid hergestellt sein. Die Kupferfüllung 240 könnte Abschnitte
anderer Elemente zum Anpassen der Materialeigenschaften des Füllmaterials
aufweisen, aber mehr als 50%, mehr als 90% oder mehr als 99% des
Füllmaterials
könnten
Kupfer sein.
-
Wahlweise
könnte
nach einer Verarbeitung des Lochs 220 in das Substrat 210 eine
Barriereschicht an der Oberfläche
des Lochs 220 gebildet werden, die als Diffusionsbarriere
für das
Wolfram, das die elektrisch leitfähige Schicht 230 beinhaltet
ist, verwendet werden könnte.
Eine Oberfläche
der Barriereschicht könnte
dann die neue Oberfläche
des Lochs 220 sein, auf der die elektrisch leitfähige Schicht 230 gebildet
wird. Die Barriereschicht könnte eine
Titanschicht und/oder eine Titannitridschicht aufweisen.
-
Ebenso
wahlweise könnte
nach einer Verarbeitung des Lochs 220 in das Substrat 210 eine
elektrisch isolierende Schicht an der Oberfläche des Lochs 220 gebildet
werden. Eine Oberfläche
der elektrisch isolierenden Schicht könnte dann die neue Oberfläche des
Lochs 220 sein, auf der die elektrisch leitfähige Schicht 230 oder
die optionale Barriereschicht gebildet werden könnte. Die elektrisch isolierende
Schicht könnte
z. B. durch Oxidation des Halbleitersubstrats 210 oder
durch Aufbringen von Siliziumdioxid gebildet werden.
-
3 zeigt
eine schematische Darstellung eines Verarbeitungsablaufs 300 eines
Verfahrens zum Herstellen einer elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen einer
ersten Oberfläche
eines Halbleitersubstrats und einer zweiten Oberfläche eines Halbleitersubstrats
gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
-
Zuerst
wird ein tiefes Loch 220, das auch Durchgangsloch genannt
wird, mit einem großen
Aspektverhältnis
zur Nutzung oder Umsetzung einer elektrisch leitfähigen Verbindung
durch das Substrat 210, die auch Durch-Silizium-Durchgangsloch
genannt wird, wenn Silizium als das Substrat verwendet wird, geätzt 110.
Bei diesem Beispiel wird Wolfram als eine elektrisch leitfähige Schicht 230 verwendet und
deshalb wird eine Wolfram-(W-)Barriere 310 in das Durch-Silizium-Durchgangsloch
aufgebracht. Dann wird die Wolframschicht als elektrisch leitfähige Schicht 230 aufgebracht 120,
um die folgende Kupfer-Keimschicht 320,
die durch PVD (PVD = physical vapor deposition = physikalische Aufdampfung)
aufgebracht werden kann, zu tragen und um eine Reparatur der PVD-Keimschicht 320 zu
ermöglichen.
Die Wolframschicht 230 könnte als eine Barriere in dem Durchgangsloch
verwendet werden und könnte
z. B. auf eine PVD-Titannitrid- oder CVD-Titannitrid-Barriere 310 (CVD
= chemical vapor deposition = chemische Aufdampfung) aufgebracht
werden. Die Wolframschicht wird dann z. B. durch RIE- oder WEB-Ätzen 130 (WEB
= tungsten etch back = Wolfram-Zurückätzen) von der Oberfläche (des
Substrats) entfernt.
-
Eine
ausreichend dicke Wolframschicht 230 verbleibt in dem Durchgangsloch
(dem Loch). Das Titannitrid 310 (die Barriereschicht) könnte auch
durch RIE oder Nassätzen
entfernt werden. Eine ausreichend dicke Wolframschicht, die die
elektrisch leitfähige
Schicht mit reduzierter Dicke ist, könnte dicker als 10, 50 oder
100 Nanometer sein, z. B. 80, 100, 150, 200, 300 Nanometer, oder
sogar dicker. Am Ende könnte
das Wolfram-Zurückätzverfahren (WEB)
anstelle eines CMP-Verfahrens für
einen Lochschichtstapel auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats
verwendet werden. Deshalb können,
wie bereits erwähnt
wurde, Probleme einer Adhäsion und/oder
Korrosion der Kupferfüllung
des Lochs vermieden werden.
-
Eine
Kupferbarriere 320 (eine weitere elektrisch leitfähige Schicht)
wird dann in das Durch-Silizium-Durchgangsloch aufgebracht 330.
Eine PVD-Tantalnitrid/Tantal/Kupfer-Schicht (nur Tantal/Kupfer oder Tantal/Tantalnitrid/Kupfer
könnte auch
möglich
sein; Kupfer, aus der Gasphase heraus aufgebracht, könnte ebenso
möglich
sein) z. B. kann auf die Waferoberfläche (auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats)
und in das Durchgangsloch (in das Loch) aufgebracht werden. Es folgt
eine Aufbringung 140 einer Kupferschicht 240 (des
Füllmaterials),
was z. B. durch eine elektrolytische Aufbringung durchgeführt werden
könnte.
Danach könnte
die Entfernung 340 des Schichtstapels, der für dieses
Beispiel Titan/Titannitrid/Tantal/Tantalnitrid/Kupfer (Ti/TiN/Ta/TaN/Cu)
ist, von der Waferoberfläche durch
ein CMP-Verfahren, ein Nassätzverfahren
oder ein Trockenätzverfahren
oder eine Kombination derselben durchgeführt werden. Das Dünnen des
Substrats 210 von der Rückseite
(die die gegenüberliegende
Seite der ersten Oberfläche
des Substrats ist) ist bei diesem Beispiel nicht gezeigt.
-
Die
Wolframschicht oder die elektrisch leitfähige Schicht kann auch als
erste elektrische leitfähige Schicht
bezeichnet werden und die Kupferschicht oder die weitere elektrisch
leitfähige
Schicht kann auch als zweite elektrische leitfähige Schicht bezeichnet werden.
-
Das
Füllen
des Lochs z. B. beinhaltet ein Füllen
des verbleibenden Lochs nach einem Bilden der beschriebenen Schichten,
wie in 3 gezeigt ist.
-
Das
Material der Barriereschicht kann an das Material der elektrisch
leitfähigen
Schicht 230 angepasst werden. Die Barriereschicht könnte z.
B. eine Titanschicht (Ti) oder eine Titannitridschicht (TiN) oder
eine Kombination einer Titanschicht und einer Titannitridschicht
(Ti/TiN) sein.
-
Die
weitere elektrisch leitfähige
Schicht könnte
als eine Keimschicht für
die Kupferfüllung 240 verwendet
werden. Deshalb könnte
die weitere elektrisch leitfähige
Schicht 320 z. B. zumindest teilweise das gleiche Material
wie das Füllmaterial 240 aufweisen.
Da Kupfer als das Füllmaterial 240 verwendet wird,
könnte
auch die weitere elektrisch leitfähige Schicht 320 aus
Kupfer hergestellt sein oder könnte eine
Mehrschicht aufweisen, die eine Tantal-Teilschicht (Ta) und eine
Kupfer-Teilschicht aufweist, oder könnte eine Mehrschicht aufweisen,
die eine Tantal-Teilschicht (Ta), eine Tantalnitrid-Teilschicht (TaN)
und eine Kupfer-Teilschicht aufweist. Alternativ könnte anstelle
von Tantal oder Tantalnitrid Wolframnitrid verwendet werden. Die
Barriereschicht 310 und/oder die weitere elektrisch leitfähige Schicht 320 könnten) eine
Durchschnittsdicke aufweisen, die dünner ist als eine Durchschnittsdicke
der elektrisch leitfähigen
Schicht mit Wolfram.
-
Durch
das Verwenden einer elektrisch leitfähigen Schicht mit einer guten
Kantenbedeckungseigenschaft könnte
eine durchgehend leitfähige Schicht
umgesetzt werden. Die Kantenbedeckungseigenschaft eines Materials
ist insbesondere bei hoher Topographie wichtig, wie sie z. B. bei
einem Loch vorliegt. Auf diese Weise können die Anforderungen, die
an die weitere elektrisch leitfähige
Schicht, die als eine Keimschicht für das Füllmaterial verwendet wird, gestellt
werden, reduziert werden und die Zuverlässigkeit der Fertigung der
elektrisch leitfähigen
Verbindung kann wesentlich verbessert werden.
-
Die
Kantenbedeckungseigenschaft kann auf eine Wahrscheinlichkeit, eine
ununterbrochene Schicht zu erhalten, wenn eine Oberfläche mit
Topographie durch die Schicht bedeckt werden soll, bezogen sein.
Je höher
die Wahrscheinlichkeit für
ein Erhalten einer ununterbrochenen Schicht ist, desto besser ist
die Kantenbedeckungseigenschaft eines Materials.
-
In 3 z.
B. weist die Wolfram-(W-)Schicht eine herausragende Kantenbedeckungseigenschaft auf
und die weitere elektrisch leitfähige
Schicht (z. B. Ta/TaN- oder TaN/Ta-Barriere und/oder Kupferkeimschicht)
weist eine weniger hervorragende Kantenbedeckungseigenschaft auf,
könnte
jedoch als eine Keimschicht für
das Füllmaterial
verwendet werden.
-
Einige
Ausführungsbeispiele
gemäß der Erfindung
beziehen sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer elektrisch
leitfähigen
Verbindung zwischen der ersten Oberfläche eines Siliziumsubstrats
und der zweiten Oberfläche
eines Siliziumsubstrats. Das Verfahren weist ein Herstellen eines
Lochs, ein Bilden einer Barriereschicht, ein Bilden einer ersten elektrisch
leitfähigen
Schicht, ein Entfernen der ersten elektrisch leitfähigen Schicht
von der ersten Oberfläche
des Siliziumsubstrats, ein Bilden einer zweiten elektrisch leitfähigen Schicht,
ein Füllen
des Lochs und ein Dünnen
des Siliziumsubstrats auf.
-
Das
Loch wird von der ersten Oberfläche
des Siliziumsubstrats in das Siliziumsubstrat hergestellt. Die Barriereschicht
wird auf der Oberfläche
des Lochs gebildet und weist eine Titanschicht, eine Titannitridschicht
oder eine Kombination einer Titanschicht und einer Titannitridschicht
auf. Die erste elektrisch leitfähige
Schicht wird auf der Barriereschicht gebildet und ist aus Wolfram
oder Wolframnitrid hergestellt. Dann wird die erste elektrisch leitfähige Schicht
von der ersten Oberfläche
des Siliziumsubstrats entfernt, wobei die erste elektrisch leitfähige Schicht
zumindest mit reduzierter Dicke in dem Loch verbleibt. Die zweite
elektrisch leitfähige Schicht
wird auf der ersten elektrisch leitfähigen Schicht gebildet und
ist aus Kupfer hergestellt oder weist eine Kupferschicht und eine
Tantalschicht auf oder weist eine Kupferschicht, eine Tantalschicht
und eine Tantalnitridschicht auf. Das Loch wird mit Kupfer gefüllt, wobei
die zweite elektrisch leitfähige
Schicht als eine Keimschicht für
die Kupferfüllung
verwendet wird. Dann wird das Siliziumsubstrat beginnend von einer
Oberfläche,
die eine gegenüberliegende
Oberfläche
der ersten Oberfläche
des Siliziumsubstrats ist, gedünnt,
um die zweite Oberfläche
des Siliziumsubstrats zu erhalten, wobei das Loch an der zweiten Oberfläche des
Siliziumsubstrats freigelegt bzw. aufgedeckt wird.
-
Die
elektrisch leitfähige
Verbindung kann auch Durch-Silizium-Durchgangsloch genannt werden.
-
So
beziehen sich mit anderen Worten die obigen Ausführungsbeispiele auch auf ein
Verfahren zur Herstellung zumindest eines metallischen Durchschaltkontakts
in Siliziumkomponenten oder, mit anderen Worten, eine Herstellung
metallischer Durchschaltkontakte von einer Vorderseite eines Siliziumwafers
zu einer Rückseite.
Nach Fertigstellung aller aktiver Elemente (z. B. Implantaten für Transistoren, Dioden,
Mulden), bevor die erste Metallschicht (für die Verdrahtung von z. B.
den aktiven Elementen) gefertigt wird, könnte z. B. ein Prozessmodul,
das „Substratdurchgangsloch” genannt
werden kann, eingeführt
werden. Dieses könnte
den ersten Schritt eines Ätzens
eines Durchgangslochs in das Silizium, bis eine vordefinierte Tiefe
erreicht ist, umfassen. Falls nötig,
könnte
eine dielektrische Isolierungsschicht an der Oberfläche des
Lochs (Durchgangslochs) gebildet werden. Das Loch könnte durch
eine galvanische Kupferaufbringung gefüllt werden. Ähnlich dem
Kupfer-Damaszener-Verfahren könnte
dann die nicht benötigte
Kupferschicht auf der ebenen Oberfläche durch Standard-Kupfer-CMP
entfernt werden. Nach einem Fertigstellen aller Vorderseiten-Vorgänge wird Silizium
von der Rückseite
entfernt, z. B. zuerst durch Schleifen und dann Nassätzen (z.
B. Schaden-Ätzen bzw.
Damage Etch). Die Enden der metallischen gefüllten Durchgangslöcher könnten von
der Rückseite freigelegt
werden und könnten
danach durch einen Glättungsvorgang,
z. B. CMP (chemisch-mechanisches Polieren) geglättet werden, oder das Silizium könnte nur
gedünnt
werden, so dass die Drähte durch
das Silizium bedeckt bleiben, und danach durch einen Glättungsvorgang
geglättet
werden, was Silizium entfernt. Schließlich könnte eine Rückseitenmetallisierung auf
die polierten und geglätteten Durchgangslöcher aufgebracht
werden.
-
Mit
abermals anderen Worten zeigten die obigen Ausführungsbeispiele eine Wolframschicht, die
in das Substrat-Durchgangsloch (das Loch) aufgebracht ist, z. B.
durch einen CVD-Vorgang. Diese Schicht kann mehrere Probleme lösen. Die
Wolframschicht weist eine hervorragende Kantenabdeckung auf und
könnte
als eine Stromversorgung für
die Galvanik dienen. Die Anforderungen an eine nötige Kupferkeimschicht könnten auf
diese Weise drastisch reduziert werden. Die Keimschicht könnte durch
ein PVD-Verfahren aufgebracht werden und ein teures CVD-Verfahren
ist unter Umständen
nicht notwendig. Nach einer Aufbringung auf der Oberfläche kann
die Wolframschicht durch ein RIE-Ätzen nur von der Oberfläche entfernt
werden. Eine ausreichend dicke Wolframschicht kann in dem Durchgangsloch
verbleiben. Die Oberfläche
des Durchgangslochs ist mit Wolfram bedeckt, wobei das Wolfram während des Zurückätzens nicht
von der Unterseite des Durchgangslochs entfernt wird, so dass eine
ausreichende Barriere gebildet werden kann. Eine teure Rückseiten-Photo-Technik
(bei dünnen
Wafern), z. B. Lithographie, ist unter Umständen nicht notwendig. Während eines
Schaden-Ätzens
an der Rückseite
kann der Titan/Titannitrid/Wolfram-Stapel als ein Ätzstopp dienen.
-
Die
Wolframschicht in dem Substrat-Durchgangsloch kann so umgesetzt
werden, dass der Kupfer-CMP-Schritt, der nach der Durchgangslochfüllung durchgeführt wird,
kein Adhäsion-
oder Korrosionsphänomen
in Kombination mit dem verwendeten Barriereschichtstapel zeigt.
-
Während diese
Erfindung in Bezug auf mehrere Ausführungsbeispiele beschrieben
wurde, gibt es Abänderungen,
Vertauschungen und Äquivalente, die
in den Schutzbereich dieser Erfindung fallen. Es soll auch angemerkt
werden, dass es viele alternative Weisen eines Implementierens der
Verfahren und Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung gibt.
Deshalb sollen die folgenden beigefügten Ansprüche als alle derartigen Abänderungen,
Vertauschungen und Äquivalente,
wie diese in die wahre Wesensart und den wahren Schutzumfang der
vorliegenden Erfindung fallen, umfassend interpretiert werden.
-
Obwohl
sich einige Ansprüche
nur auf einen anderen Anspruch beziehen, kann auch eine Kombination
mit weiteren Ansprüchen
möglich
sein.