DE102010001666A1 - Elektrisches oder elektronisches Verbundbauteil - Google Patents

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Bernd 73240 Hohenberger
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein elektrisches oder elektronisches Verbundbauteil (10; 10a), umfassend einen ersten Fügepartner (11) und einen zweiten Fügepartner (13), wobei zwischen dem ersten Fügepartner (11) und dem zweiten Fügepartner (13) eine die beiden Fügepartner (11, 13) verbindende Verbindungsschicht (14; 21, 22) angeordnet ist. Erfindungsgemäß ist es vorgesehen, dass auf der dem ersten Fügepartner (11) abgewandten Seite der Verbindungsschicht (14; 22) ein mit der Verbindungsschicht (14; 22) in Wirkverbindung stehender Verbindungspartner (15; 19) angeordnet ist, der eine geringere Fließgrenze bzw. einen geringeren Elastizitätsmodul aufweist als die Verbindungsschicht (14; 22).

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft ein elektrisches oder elektronisches Verbundbauteil nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Das Fügen von Leistungshalbleitern, wie JFETs, MOSFETs, IGBTs oder Dioden mit einem Schaltungsträger einer leistungselektronischen Baugruppe und auch das Fügen des Schaltungsträgers auf eine Grundplatte/Wärmesenke wird typischerweise in Weichlöttechnologie realisiert. Aufgrund neuer EU-Gesetzgebung wird zukünftig die Verwendung von bleihaltigen Weichlotlegierungen (Sn63Pb37 und Sn5Pb95) verboten werden. Bleifreie Weichlotlegierungen auf SnAgCu-Basis können als Ersatzlegierungen nur bedingt eingesetzt werden, da diese in ihrer Zuverlässigkeit, insbesondere unter passiven und aktiven Temperaturwechsellasten, limitiert sind. Alternative hochschmelzende Weichlote als Ersatzlegierungen sind entweder zu spröde in der Handhabung (Bi97,5Ag2,5) oder zu teuer (Au80Sn20).
  • Als alternative, hochtemperaturbeständige sowie hochzuverlässige Fügetechnologie ist das unmittelbare Versintern von Fügepartnern mittels Silberpaste bekannt. Diese Technologie wird als Niedertemperatur-Verbindungstechnologie (NTV) bezeichnet. Dabei wird zwischen zwei unterschiedlichen Ausführungsmöglichkeiten unterschieden, nämlich dem Sintern von Silbermetall-Flakes, wie dies in der EP 2 426 26 B1 beschrieben ist sowie dem Sintern von Silbermetall-Nanopartikeln, wie dies in der WO 2005/079353 A2 beschrieben ist. Beim Sintern gelangen die (Sinter-)Partikel im Gegensatz zu einem Lötvorgang nicht in die flüssige Phase, d. h. sie schmelzen nicht.
  • Nachteilig bei den erwähnten Sinterverbindungen ist jedoch, dass diese zwar hinsichtlich einer maximalen thermischen und elektrischen Leitfähigkeit optimiert sind, jedoch dadurch eine relativ hohe Verdichtung mit einer damit verbundenen geringen Porosität aufweist. Dies führt typischerweise zu einem hohen Elastizitätsmodul bei gleichzeitig hoher Fließspannung, was, insbesondere bei thermomechanischen Spannungen in Folge von Temperaturänderungen des aus dem Substrat, der Sinterschicht und dem Bauteil bestehenden Verbundbauteils zu Beschädigungen bzw. Rissen in einem der Fügepartner bzw. der Sinterschicht führen kann. Gleiches gilt auch für alternative Verbindungsschichten die im Vergleich zum Substrat bzw. dem Bauteil ein unterschiedliches Temperaturausdehnungsverhalten haben.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Ausgehend von dem dargestellten Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein elektrisches oder elektronisches Verbundbauteil nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 derart weiterzubilden, dass Spannungsrisse in Folge thermomechanischer Wechselbeanspruchungen vermieden werden. Diese Aufgabe wird bei einem elektrischen oder elektronischen Verbundbauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Der Erfindung liegt dabei die Idee zugrunde, dass durch das Vorsehen eines Verbindungspartners auf der dem ersten Fügepartner abgewandten Seite der Verbindungsschicht mit einer geringeren Fließgrenze bzw. einem geringeren Elastizitätsmodul als die Verbindungsschicht ein elastisches oder plastisches Verhalten des elektrischen bzw. elektronischen Verbundbauteils zu erzielen. Mit anderen Worten gesagt bedeutet dies, dass in dem Verbundbauteil auftretende thermomechanische Spannungen durch den Verbindungspartner aufgenommen bzw. kompensiert werden. Insbesondere gute Vorteile findet die Erfindung in der Anwendung bei Verbundbauteilen, bei welchen eine verwendete Verbindungsschicht ein nach dem Verbinden der Fügepartner vorliegendes sprödes Materialverhalten aufweist.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen des elektrischen oder elektronischen Verbundbauteils sind in den Unteransprüchen aufgeführt. In den Rahmen der Erfindung fallen dabei sämtliche Kombinationen aus zumindest zwei von in den Ansprüchen, der Beschreibung und/oder den Figuren offenbarten Merkmalen.
  • In einer ersten Ausgestaltung der Erfindung ist es vorgesehen, dass der Verbindungspartner zumindest ein Teilbereich des zweiten Fügepartners ist. Das bedeutet, dass die besagte Verbindungsschicht, welche die beiden Fügepartner miteinander verbindet, unmittelbar mit dem zweiten Fügepartner verbunden ist. Dieser ist jedoch zumindest in einem Teilbereich derart bearbeitet bzw. weist eine derartige Struktur auf, dass in diesen besagten Teilbereich die gewünschten elastischen bzw. spannungaufnehmenden Eigenschaften erzielt werden.
  • In einer alternativen Ausgestaltung ist es vorgesehen, dass der Verbindungspartner als separate Zwischenschicht ausgebildet ist und, dass zwischen der Zwischenschicht und dem zweiten Fügepartner eine weitere Verbindungsschicht angeordnet ist. Diese Ausgestaltung hat den Vorteil, dass der zweite Fügepartner besonders einfach hergestellt werden kann und keinerlei besonderer Bearbeitung oder Behandlung bedarf.
  • Bei letztgenannter Variante ist es besonders vorteilhaft, wenn die Zwischenschicht aus Kupfer oder Aluminium besteht und eine Schichtdicke zwischen 100 μm und 700 μm aufweist. Als Verbindungsschicht denkbar ist beispielsweise eine Sinterschicht, insbesondere eine Sinterschicht mit einer Schichtdicke zwischen 10 μm und 250 μm. Grundsätzlich ist erfindungsgemäß ein großer Nutzen bei Verbundbauteilen gegeben, bei denen Verbindungsschichten verwendet sind, die ein sehr sprödes Materialverhalten aufweisen, insbesondere bei Temperaturwechsel. Ein derartiges Materialverhalten können auch Hochtemperaturlotschichten zeigen (z. B. Al-Zn). Ebenso bestimmte ausgehärtete Kleberschichten. Mittels einer derartigen Merkmalskombination lässt sich ein bei den üblichen Betriebsparametern des Verbundbauteils ein Verbundbauteil mit den gewünschten Eigenschaften erzielen, das wirtschaftlich hergestellt werden kann.
  • Bei der Ausgestaltung der Erfindung, bei der der Verbindungspartner zumindest ein Teilbereich des zweiten Fügepartners ist, ist es in einer vorteilhaften Weiterbildung vorgesehen, dass zumindest ein Teilbereich des zweiten Fügepartners aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer Fließgrenze zwischen 50 MPa und 250 MPa oder aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung mit einer Fließgrenze zwischen 40 MPa und 200 MPa besteht.
  • Insbesondere kann es bei dem elektrischen bzw. elektronischen Verbundbauteil vorgesehen sein, dass der erste Fügepartner ein Elektronikbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauteil, oder ein Schaltungsträger, insbesondere eine Metallisierung des Schaltungsträgers, oder ein Stanzgitter, oder ein Bonddraht, oder ein Bondbändchen, oder ein Grundplatte ist und, dass der zweite Fügepartner ein Elektronikbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauteil, oder ein Schaltungsträger, insbesondere eine Metallisierung des Schaltungsträgers, oder eine Grundplatte, vorzugsweise aus Kupfer, oder ein Kühlkörper ist.
  • Zur Erzielung der gewünschten elastischen Eigenschaften des zweiten Fügepartners bzw. der Zwischenschicht ist es in einer ersten möglichen Ausgestaltung vorgesehen, dass der zweite Fügepartner bzw. die Zwischenschicht als Einkristall ausgebildet ist, dessen kristallographische Ebenen vom Typ {100} parallel zur Ebene der beiden Fügepartner orientiert sind. Dadurch werden in einer Ebene senkrecht zu den Fügepartnern die gewünschten elastischen Eigenschaften erzielt.
  • Alternativ ist es jedoch auch möglich, dass der zweite Fügepartner bzw. die Zwischenschicht als texturiertes Material ausgebildet ist, der bzw. die parallel zur Ebene des zweiten Fügepartners bzw. zur Zwischenschicht einen Anteil kleiner 5% von Körner mit <111> Richtungen und einen Anteil größer 5% von Körnern mit <100> und <110> Richtungen aufweist.
  • Besonders bevorzugt ist es hierbei, wenn die mittlere Korngröße des zweiten Fügepartners bzw. der Zwischenschicht mehr als 3 μm beträgt.
  • Zusätzlich oder alternativ können die elastischen Eigenschaften verbessert werden, wenn zumindest der zweite Fügepartner bzw. die Zwischenschichten mittels einer Wärmebehandlung, insbesondere einem Weichglühen, behandelt ist.
  • Die Erfindung umfasst auch ein Verbundbauteil, bei dem auf der dem zweiten Fügepartner abgewandten Seite des ersten Fügepartners wenigstens ein dritter Fügepartner angeordnet ist, wobei zwischen dem ersten Fügepartner und dem wenigstens einen dritten Fügepartner wenigstens eine Verbindungsschicht angeordnet ist.
  • Somit lassen sich auch Verbundbauteile mit einer im Prinzip unbegrenzten Anzahl von Schichten bzw. Ebenen ausbilden, die thermomechanisch günstige Eigenschaften aufweisen.
  • Dabei kann es insbesondere auch vorgesehen sein, dass zwischen dem ersten Fügepartner und dem wenigstens einen dritten Fügepartner eine zusätzliche Zwischenschicht angeordnet ist, die beidseitig mit einer Verbindungsschicht versehen ist.
  • Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen.
  • Diese zeigen in:
  • 1 einen vereinfachten Längsschnitt durch ein erstes erfindungsgemäßes Verbundbauteil, wobei die einzelnen Bestandteile lediglich der besseren Darstellung halber voneinander getrennt dargestellt sind und
  • 2 einen vereinfachten Längsschnitt durch ein zweites erfindungsgemäßes Verbundbauteil, das gegenüber dem ersten Verbundbauteil gemäß der 1 eine erhöhte Anzahl von Fügepartnern aufweist.
  • Gleiche Bauteile bzw. Bauteile mit gleicher Funktion sind in den Figuren mit den gleichen Bezugsziffern versehen.
  • In der 1 ist ein erstes Verbundbauteil 10 dargestellt. Das erste Verbundbauteil 10, das insbesondere als elektrisches oder elektronisches Verbundbauteil 10 ausgebildet ist, weist einen ersten Fügepartner 11 auf. Bei dem ersten Fügepartner 11 handelt es sich bevorzugt um ein Elektronikbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauteil. Alternativ hierzu ist es jedoch auch denkbar, dass der erste Fügepartner 11 ein Schaltungsträger, insbesondere eine Metallisierung des Schaltungsträgers, oder ein Stanzgitter, oder ein Bonddraht, oder ein Bondplättchen, oder eine Grundplatte ist.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass der erste Fügepartner 11 mit einem zweiten Fügepartner 13 verbunden ist. Hierbei ist der zweite Fügepartner 13 ebenfalls ein Elektronikbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauteil, oder ein Schaltungsträger, insbesondere eine Metallisierung des Schaltungsträgers, oder eine Grundplatte, oder ein Kühlkörper.
  • Die beiden Fügepartner 11 und 13 sind unter Zwischenlage einer Sinterschicht 14 miteinander verbunden. Alternativ kann anstelle der Sinterschicht 14 auch eine andere Verbindungsschicht vorliegen, beispielsweise eine Hochtemperaturlotschicht oder eine ausgehärtete Kleberschicht. Grundsätzlich ist erfindungsgemäß eine Kompensation von thermomechanischen Spannungen infolge unterschiedlicher Ausdehnungsverhalten von Komponenten eines Verbundbauteils vorgesehen. Dies gilt auch bei Verbundbauteilen insgesamt, bei welchen eine Verbindungsschicht verwendet ist, die ein nach dem Verbinden der Fügepartner vorliegendes sprödes Materialverhalten aufweist
  • Erfindungsgemäß ist es bei dem ersten Verbundbauteil 10 vorgesehen, dass der zweite Fügepartner 13 zumindest in dem Teilbereich 15, in dem er in Wirkverbindung mit der Sinterschicht 14 angeordnet ist, eine geringe Fließgrenze bzw. einen geringeren Elastizitätsmodul aufweist als die Sinterschicht 14. Insbesondere ist hierzu der zweite Fügepartner 13 zumindest in dem angesprochenen Teilbereich 15 aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer Fließgrenze zwischen 50 MPa und 250 MPa, oder alternativ hierzu aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung mit einer Fließgrenze zwischen 40 MPa und 200 MPa ausgebildet.
  • Diese Eigenschaften des zweiten Fügepartners 13 können beispielsweise dadurch erzielt werden, dass der zweite Fügepartner 13 als Einkristall, bevorzugt als Cu-Einkristall, ausgebildet ist, dessen kristallographische Ebenen vom Typ {100} parallel zur Ebene der beiden Fügepartner 11 und 13 orientiert sind. Alternativ hierzu kann der zweite Fügepartner 13 zumindest in dem Teilbereich 15 als texturiertes Material, bevorzugt aus texturiertes Material aus Cu oder einer Cu-Legierung ausgebildet sein, der parallel zur Ebene des zweiten Fügepartners 13 einen Anteil größer 5% von Körnern mit <100> und <110> Richtungen und einen Anteil kleiner 5% von Körnern mit <111> Richtungen aufweist. Hierbei beziehen sich alle kristallographischen Richtungen aus Symmetriegründen auch auf die kristallographisch äquivalenten Richtungen. Besonders vorteilhaft ist es hierbei, wenn die mittlere Korngröße größer 3 μm ist.
  • Weiterhin kann es vorgesehen sein, dass zumindest der zweite Fügepartner 13 zur Ausbildung der gewünschten elastischen Eigenschaften einer Wärmebehandlung, insbesondere einem Weichglühen, unterzogen wird.
  • Ergänzend wird erwähnt, dass anstelle eines Teilbereichs 15 des zweiten Fügepartners 13 selbstverständlich auch der gesamte zweite Fügepartner 13 mit den gewünschten Eigenschaften ausgebildet sein kann bzw. wie beschrieben ausgebildet sein kann.
  • Das Herstellen des ersten Verbundbauteils 10 erfolgt dadurch, dass die Sinterschicht 14, die im Übrigen eine Schichtdicke bevorzugt zwischen 10 μm und 250 μm aufweist, in Form einer Paste auf den Teilbereich 15 aufgebracht wird, worauf anschließend der erste Fügepartner 11 auf die Sinterschicht 14 aufgebracht bzw. positioniert wird, um anschließend den so geschaffenen Teileverbund durch Wärme und Druck auszuhärten und somit das Verbundbauteil 10 fertig zu stellen.
  • In der 2 ist ein zweites erfindungsgemäßes Verbundbauteil 10a dargestellt. Im Gegensatz zum ersten Verbundbauteil 10 weist das zweite Verbundbauteil 10a einen dritten Fügepartner 17 auf, der auf der dem zweiten Fügepartner 13 gegenüberliegenden Seite des ersten Fügepartners 11 angeordnet ist. Der dritte Fügepartner 17 ist bevorzugt wie der erste Fügepartner 11 ein Elektronikbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauteil, oder ein Schaltungsträger, insbesondere eine Metallisierung des Schaltungsträgers, oder ein Stanzgitter, oder ein Bonddraht, oder ein Bondplättchen, oder eine Grundplatte.
  • Ferner ist im Gegensatz zum ersten Verbundbauteil 10 weder der zweite Fügepartner 13 noch der dritte Fügepartner 17 entsprechend dem zweiten Fügepartner 13 beim Verbundbauteil 10 ausgebildet bzw. einer speziellen Behandlung unterzogen worden. Zur Erzielung der gewünschten elastischen Eigenschaften des Verbundbauteils 10a in einer Richtung senkrecht zu den Ebenen der Fügepartner 11, 13 und 17 ist es vielmehr vorgesehen, dass in den jeweiligen Zwischenräumen zwischen dem ersten Fügepartner 11 und dem zweiten Fügepartner 13, sowie zwischen dem ersten Fügepartner 11 und dem dritten Fügepartner 17 jeweils eine separate Zwischenschicht 19 angeordnet ist. Die Zwischenschichten 19 weisen dabei dieselben Eigenschaften wie der Teilbereich 15 beim Verbundbauteil 10 auf, so dass diesbezüglich auf die entsprechenden Ausführungen Bezug genommen wird. Ferner ist vorgesehen, dass beidseitig der Zwischenschichten 19 jeweils Sinterschichten 21 bis 24 angeordnet sind.
  • Das zweite Verbundbauteil 10a kann gemäß einem ersten Herstellverfahren dadurch ausgebildet werden, dass alle angesprochenen Schichten, d. h. die Fügepartner 11, 13 und 17, die beiden Zwischenschichten 19 sowie die Sinterschichten 21 bis 24 (oder alternative Verbindungsschichten) übereinander angeordnet werden und unter Beaufschlagung von Druck sowie Wärme das Verbundbauteil 10a gebildet wird.
  • In einem alternativen Herstellverfahren ist es jedoch auch denkbar, zunächst den ersten Fügepartner 11 mit dem zweiten Fügepartner 13, unter Zwischenlage der Zwischenschicht 19 und den beiden Sinterschichten 21 und 22 (oder alternativen Verbindungsschichten) herzustellen bzw. auszubilden. Anschließend werden in einem zweiten, davon getrennten Schritt die soweit ausgebildeten Teile des Verbundbauteils 10a mit der zweiten Zwischenschicht 19, den Sinterschichten 23 und 24 und dem dritten Fügepartner 17 versehen. Danach wird der soweit hergestellte Verbund erneut einer Wärme- und Druckbeaufschlagung untersetzt, um das Verbundbauteil 10a fertig auszubilden.
  • Selbstverständlich ist es jedoch bei zwei voneinander getrennten Produktionsschritten auch möglich, zunächst den ersten Fügepartner 11 unter Zwischenlage der einen Zwischenschicht 19 und den beiden Sinterschichten 23 und 24 (oder alternative Verbindungsschichten) zu fertigen und anschließend den Teileverbund zu vervollständigen.
  • Auch ist es prinzipiell denkbar, zunächst jeweils den ersten bzw. dritten Fügepartner 13 bzw. 17 mit der jeweiligen Sinterschicht 21 bzw. 23 (oder alternative Verbindungsschichten) und der jeweiligen Zwischenschicht 19 zu versehen und anschließend in einem separaten Schritt die soweit vorgefertigten Teilverbunde mit dem ersten Fügepartner 11 und den Sinterschichten 22 und 24 zu dem Verbundbauteil 10a zu vervollständigen.
  • Ergänzend wird erwähnt, dass auch bei dem Verbundbauteil 10a eine Verbesserung der Eigenschaften erzielt wird, wenn dieses einer Wärmebehandlung, insbesondere einem Weichglühen ausgesetzt wird. Weiterhin wird erwähnt, dass bezüglich des Verbundbauteils 10a ansonsten alle bezüglich des Verbundbauteils 10 getroffenen Feststellungen und Ausführungen ebenfalls zutreffend sind.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • EP 242626 B1 [0003]
    • WO 2005/079353 A2 [0003]

Claims (13)

  1. Elektrisches oder elektronisches Verbundbauteil (10; 10a), umfassend einen ersten Fügepartner (11) und einen zweiten Fügepartner (13), wobei zwischen dem ersten Fügepartner (11) und dem zweiten Fügepartner (13) eine die beiden Fügepartner (11, 13) verbindende Verbindungsschicht (14; 21, 22) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf der dem ersten Fügepartner (11) abgewandten Seite der Verbindungsschicht (14; 22) ein mit der Verbindungsschicht (14; 22) in Wirkverbindung stehender Verbindungspartner (15; 19) angeordnet ist, der eine geringere Fließgrenze bzw. einen geringeren Elastizitätsmodul aufweist als die Verbindungsschicht (14; 22).
  2. Verbundbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungspartner zumindest ein Teilbereich (15) des zweiten Fügepartners (13) ist.
  3. Verbundbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungspartner als separate Zwischenschicht (19) ausgebildet ist und, dass zwischen der Zwischenschicht (19) und dem zweiten Fügepartner (13) eine weitere Verbindungsschicht (21) angeordnet ist.
  4. Verbundbauteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (19) aus Kupfer oder Aluminium besteht und eine Schichtdicke zwischen 100 μm und 700 μm aufweist.
  5. Verbundbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest der Teilbereich (15) des zweiten Fügepartners (13) aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer Fließgrenze zwischen 50 MPa und 250 MPa oder aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung mit einer Fließgrenze zwischen 40 MPa und 200 MPa besteht.
  6. Verbundbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsschicht (14; 21, 22) eine Sinterschicht oder eine Hochtemepraturlotschicht oder eine ausgehärtete Kleberschicht ist.
  7. Verbundbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Fügepartner (11) ein Elektronikbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauteil, oder ein Schaltungsträger, insbesondere eine Metallisierung des Schaltungsträgers, oder ein Stanzgitter, oder ein Bonddraht, oder ein Bondbändchen, oder eine Grundplatte ist und, dass der zweite Fügepartner (13, 17) ein Elektronikbauteil, vorzugsweise ein Halbleiterbauteil, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauteil, oder ein Schaltungsträger, insbesondere eine Metallisierung des Schaltungsträgers, oder eine Grundplatte, vorzugsweise aus Kupfer, oder ein Kühlkörper ist.
  8. Verbundbauteil nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Fügepartner (13) zumindest im Teilbereich (15) bzw. die Zwischenschicht (19) als Einkristall ausgebildet ist, dessen kristallographische Ebenen vom Typ {100} parallel zur Ebene der Fügepartner (11, 13) orientiert ist.
  9. Verbundbauteil nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Fügepartner (13) zumindest im Teilbereich (15) bzw. die Zwischenschicht (19) als texturiertes Material ausgebildet ist, der bzw. die parallel zur Ebene des zweiten Fügepartners (13) bzw. zur Zwischenschicht (19) einen Anteil kleiner 5% von Körnern mit <100> und <110> Richtungen und einen Anteil größer 5% von Körnern mit <111> Richtungen aufweist.
  10. Verbundbauteil nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die mittlere Korngröße des zweiten Fügepartners (13) bzw. der Zwischenschicht (19) größer 3 μm ist.
  11. Verbundbauteil nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest der zweite Fügepartner (13) bzw. die Zwischenschicht (19) mittels einer Wärmebehandlung, insbesondere einem Weichglühen, behandelt ist.
  12. Verbundbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass auf der dem zweiten Fügepartner (13) abgewandten Seite des ersten Fügepartners (11) wenigstens ein dritter Fügepartner (17) angeordnet ist, dass zwischen dem ersten Fügepartner (11) und dem wenigstens einen dritten Fügepartner (17) wenigstens eine Verbindungsschicht (23, 24) angeordnet ist und, dass der wenigstens eine dritte Fügepartner (17) denselben Aufbau und dieselben Eigenschaften aufweist wie der zweite Fügepartner (13).
  13. Verbundbauteil nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem ersten Fügepartner (11) und dem wenigstens einen dritten Fügepartner (17) eine zusätzliche Zwischenschicht (19) angeordnet ist, die beidseitig mit einer Verbindungsschicht (23, 24) versehen ist.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013045345A3 (de) * 2011-09-30 2013-05-30 Robert Bosch Gmbh Schichtverbund zum verbinden von elektronischen bauteilen umfassend eine ausgleichsschicht, anbindungsschichten und verbindungsschichten, verfahren zu dessen ausbildung und dessen enthaltende schaltungsanordnung
WO2013045367A3 (de) * 2011-09-30 2013-05-30 Robert Bosch Gmbh Elektronische baugruppe mit hochtemperaturstabilem substratgrundwerkstoff, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung in einer leistungselektronik
EP2775516A3 (de) * 2013-03-08 2014-12-03 Delphi Technologies, Inc. Beanspruchungsausgleichsanordnung für Halbleitervorrichtungen mit einer oder mehreren doppelseitig mit Stanzgittern verbundenen Vorrichtungen, wobei die anderen Seiten der Stanzgitter mit AlN, Al2O3 oder Si3N4 Substraten verbunden sind
CN107393884A (zh) * 2017-06-30 2017-11-24 西安中车永电电气有限公司 一种压接式igbt模块叠层组件及压接式igbt模块内部封装结构
EP3069811A4 (de) * 2013-11-11 2017-11-29 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Metallverbindungsstruktur, metallverbindungsverfahren und metallverbindungsmaterial unter verwendung von metallnanopartikeln
EP3770950A4 (de) * 2018-03-23 2022-02-16 Mitsubishi Materials Corporation Verfahren zur herstellung eines auf einem elektronischen bauteil montierten moduls

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0242626B1 (de) 1986-04-22 1991-06-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat
DE4315272A1 (de) * 1993-05-07 1994-11-10 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement mit Pufferschicht
DE19842008A1 (de) * 1998-09-15 2000-03-16 Moeller Gmbh Kontaktanordnung elektrisch leitfähiger Polymere
WO2005079353A2 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Nanoscale metal paste for interconnect and method of use
US20090108421A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Infineon Technologies Ag Apparatus and method configured to lower thermal stresses

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0242626B1 (de) 1986-04-22 1991-06-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat
DE4315272A1 (de) * 1993-05-07 1994-11-10 Siemens Ag Leistungshalbleiterbauelement mit Pufferschicht
DE19842008A1 (de) * 1998-09-15 2000-03-16 Moeller Gmbh Kontaktanordnung elektrisch leitfähiger Polymere
WO2005079353A2 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Nanoscale metal paste for interconnect and method of use
US20090108421A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Infineon Technologies Ag Apparatus and method configured to lower thermal stresses

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013045345A3 (de) * 2011-09-30 2013-05-30 Robert Bosch Gmbh Schichtverbund zum verbinden von elektronischen bauteilen umfassend eine ausgleichsschicht, anbindungsschichten und verbindungsschichten, verfahren zu dessen ausbildung und dessen enthaltende schaltungsanordnung
WO2013045367A3 (de) * 2011-09-30 2013-05-30 Robert Bosch Gmbh Elektronische baugruppe mit hochtemperaturstabilem substratgrundwerkstoff, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung in einer leistungselektronik
EP2775516A3 (de) * 2013-03-08 2014-12-03 Delphi Technologies, Inc. Beanspruchungsausgleichsanordnung für Halbleitervorrichtungen mit einer oder mehreren doppelseitig mit Stanzgittern verbundenen Vorrichtungen, wobei die anderen Seiten der Stanzgitter mit AlN, Al2O3 oder Si3N4 Substraten verbunden sind
US8987875B2 (en) 2013-03-08 2015-03-24 Delphi Technologies, Inc. Balanced stress assembly for semiconductor devices
EP3069811A4 (de) * 2013-11-11 2017-11-29 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Metallverbindungsstruktur, metallverbindungsverfahren und metallverbindungsmaterial unter verwendung von metallnanopartikeln
US9960140B2 (en) 2013-11-11 2018-05-01 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Metal joining structure using metal nanoparticles and metal joining method and metal joining material
CN107393884A (zh) * 2017-06-30 2017-11-24 西安中车永电电气有限公司 一种压接式igbt模块叠层组件及压接式igbt模块内部封装结构
CN107393884B (zh) * 2017-06-30 2024-04-26 西安中车永电电气有限公司 一种压接式igbt模块叠层组件及压接式igbt模块内部封装结构
EP3770950A4 (de) * 2018-03-23 2022-02-16 Mitsubishi Materials Corporation Verfahren zur herstellung eines auf einem elektronischen bauteil montierten moduls
US11476127B2 (en) 2018-03-23 2022-10-18 Mitsubishi Materials Corporation Manufacturing method of electronic-component-mounted module

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