DE102009058006B4 - Optoelektronisches Halbleiterbauteil - Google Patents

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010048162A1 (de) 2010-10-11 2012-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsbauteil
DE102012101102A1 (de) 2012-02-10 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
DE102012113003A1 (de) 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE202013101400U1 (de) * 2013-04-02 2014-07-03 Zumtobel Lighting Gmbh Anordnung zum Konvertieren des von einer LED-Lichtquelle emittierten Lichts
DE102013220790A1 (de) * 2013-10-15 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2015109337A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 日東電工株式会社 光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
US10211374B2 (en) * 2014-01-09 2019-02-19 Lumileds Llc Light emitting device with reflective sidewall
DE102014114914A1 (de) * 2014-10-14 2016-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102016105988A1 (de) * 2016-04-01 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverter zur teilweisen Konversion einer Primärstrahlung und lichtemittierendes Bauelement

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009069671A1 (ja) 2007-11-29 2009-06-04 Nichia Corporation 発光装置及びその製造方法
WO2009115998A2 (en) 2008-03-21 2009-09-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. A luminous device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3789747B2 (ja) * 2000-11-15 2006-06-28 三洋電機株式会社 発光装置の製造方法
JP2006173271A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、及びカメラ
US7341878B2 (en) 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
JP2006294925A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Seiko Epson Corp 発光素子、発光素子の製造方法および発光装置
JP2007019096A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
EP2206164A2 (en) * 2007-10-08 2010-07-14 3M Innovative Properties Company Light emitting diode with bonded semiconductor wavelength converter
US8049237B2 (en) * 2007-12-28 2011-11-01 Nichia Corporation Light emitting device
JP5224173B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
DE102008025159A1 (de) * 2008-05-26 2009-12-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Reflexlichtschranke und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
DE102008025923B4 (de) * 2008-05-30 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102008050538B4 (de) 2008-06-06 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101639793B1 (ko) * 2008-09-25 2016-07-15 코닌클리케 필립스 엔.브이. 코팅된 발광 장치 및 그 코팅 방법
TWM357028U (en) 2009-01-08 2009-05-11 Jmk Optoelectronic Co Ltd Packaging structure for light emitting diode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009069671A1 (ja) 2007-11-29 2009-06-04 Nichia Corporation 発光装置及びその製造方法
EP2216834A1 (en) 2007-11-29 2010-08-11 Nichia Corporation Light-emitting device and its manufacturing method
WO2009115998A2 (en) 2008-03-21 2009-09-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. A luminous device

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US9029907B2 (en) 2015-05-12
JP5863665B2 (ja) 2016-02-16
DE102009058006A1 (de) 2011-06-16
TWI419377B (zh) 2013-12-11

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