DE102009045114A1 - Verfahren zur nasschemischen Strukturierung von supraleitenden, ferromagnetischen oder ferroelektrischen Oxiden bevorzugt auf Basis von Elektronen-Strahl-Lithographie - Google Patents

Verfahren zur nasschemischen Strukturierung von supraleitenden, ferromagnetischen oder ferroelektrischen Oxiden bevorzugt auf Basis von Elektronen-Strahl-Lithographie Download PDF

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Abstract

Es wird ein lithographisches Verfahren zur nasschemischen Strukturierung von supraleitenden, ferromagnetischen und/oder ferroelektrischen Oxiden vorgestellt, bei dem eine mit einer Maske in einem definierten Muster teilweise bedeckte Oxidoberfläche aus supraleitenden, ferromagnetischen und/oder ferroelektrischen Oxiden mit einer Ätzlösung bei einem pH-Wert von 0 bis 2 und Temperaturen zwischen 20°C und 100°C in Kontakt gebracht wird, wodurch der nichtbedeckte Anteil der Oxidoberfläche geätzt wird. Die erzeugten Strukturen weisen vorteilhaft Strukturbreiten kleiner 1 µm, bevorzugt kleiner 200 nm auf.

Description

  • Ein zentrales Problem sowohl der Halbleiterindustrie als auch, allgemeiner, der Materialwissenschaften ist die zuverlässige und wiederholbare Schaffung kleinster Strukturen bis in den Nanometerbereich.
  • In den letzten Jahren hat sich daher eine intensive Forschung auf dem Gebiet der Strukturierung von verschiedenen oxidischen Materialien entwickelt. Hier sind insbesondere ferromagnetische, ferroelektrische und supraleitende Oxide zu nennen.
  • Bisherige Verfahren zur Strukturierung oxidischer Schichten bis in den Nanometerbereich verwenden eine Kombination von Elektronenstrahllithographie und Ionenstrahlätzen. Entsprechende Verfahren sind beispielsweise vorgestellt in:
    • – T. Ono et. al., Appl. Phys. Letters 84, 2370 (2004)
    • – O. Cespedes et. al., Appl. Phys. Letters 87, 083102 (2005)
    • – T. Arnal et. al., Phys. Rev. B 75, 220409 (2007)
  • Diese Verfahren nutzen jedoch keine herkömmliche Elektronenstrahlbelichtung von elektronenstrahlempfindlichen Lack (Resist). Das Ionenstrahlätzen gehört darüber hinaus zu den Trockenätzverfahren.
  • Gegenstand der US 4403151 ist ein Verfahren, dass eine besondere Präzision bei der Herstellung von Muster auf Halbleiteroberflächen erreicht. Dabei wird eine Struktur mittels eines Elektronenstrahls in einen Resistfilm geschrieben. Anschließend wird die gesamte Oberfläche des Resists mit UV-Licht bestrahlt. Aufgrund der Bestrahlung durch einen Elektronenstrahl werden die entsprechenden Bereiche schwächer auf die UV-Bestrahlung reagieren. Die UV-Bestrahlung fuhrt zu einer Verbesserung der Löslichkeit der Gebiete, die nicht der Elektronenstrahlbehandlung ausgesetzt waren. Die entsprechenden Bereiche können dann sehr präzise aufgelöst werden. Die darunterliegenden Schichten können anschließend geätzt werden, wobei jedoch Nassätzverfahren als ungeeignet bezeichnet werden.
  • Die DE 41 10 745 C2 beschreibt ein Verfahren, bei dem schwer bearbeitbare keramische Materialien durch einen Laser oder Elektronenstrahl an den zu entfernenden Teilen der Oberfläche bestrahlt werden. Durch den Energieeintrag entstehen Risse im Material und es kommt zu einer Veränderung des Sauerstoffgehalts des Materials. Anschließend können die bestrahlten Gebiete selektiv nassgeätzt werden. In einer bevorzugten Ausführungsform wird auf der keramischen Oberfläche ein Resist als geschlossener Film aufgebracht. Die einfallenden Laser- bzw. Elektronenstrahlen verdampfen den Film und greifen die Oberfläche des keramischen Substrats an. Resultierend weist das Substrat bei der anschließenden Nassätzung eine Ätzmaske an seiner Oberfläche auf, die diese schützt.
  • In der US5904861 wird ein Verfahren zur Strukturierung der Oberfläche eines Supraleiters vorgestellt. Dazu wird auf einer Supraleiterschicht mittels Elektronenstrahllithographie eine Ätzmaske ausgebildet. Der Supraleiter wird anschließend mittels Plasma geätzt.
  • US5766805 beschreibt ein Herstellungsverfahren für Phasenschiebemasken. Dabei wird auf einem transparenten Substrat eine Zinkschicht ausgebildet, die anschließend oxidiert wird. Darüber wird eine Resistschicht aufgebracht, die mittels Elektronenstrahl belichtet und der unbelichtete Teil anschließend entfernt wird. Die entstandene Maske dient als Ätzmaske für die ZnO-Schicht. Die Ätzung erfolgt als Trockenätzverfahren.
  • Im US Patentantrag 2009/0075421 A1 wird eine Methode zur Strukturierung eines Zink-Zinn-Oxids (Zinc-Tin-Oxide – ZTO) beschrieben. Das Oxid liegt als dünner Film vor und wird mittels einer Resistmaske teilweise abgedeckt. Die nicht abgedeckten Bereiche werden nasschemisch geätzt. Es wird eine HCl + HNO3 + H2O-Lösung bei Temperaturen von 30 bis 35°C verwendet. Die erreichte Strukturgröße liegt bei mehr als 50 μm.
  • In der WO03085172A2 ist ein Verfahren zum Ätzen magnetischer Materialien beschrieben. Dabei wird auf Lagen von magnetischen Materialien mit üblichen fotolithographischen Methoden eine Maske aufgebracht, die als Ätzmaske dient. Anschließend werden die unbedeckten Bereiche der magnetischen Schicht mit einem Ätzgas geätzt, dass im Wesentlichen ein Gasgemisch aus Halogenwasserstoff und Fluorkarbongas aufweist. Es ist auch Plasmaätzen mit z. B. BCl3 möglich.
  • Gravierender Nachteil der oben beschriebenen Verfahren, die Trockenätzen einsetzen ist, dass die intrinsischen Eigenschaften der Materialien verändert werden. Andere der obengenannten Verfahren erreichen die angestrebten Strukturbreiten von kleiner als 1 μm nicht. Um besonders kleine Strukturbreiten erreichen zu können, ist der Einsatz geeigneter Maskierungstechnologien notwendig.
  • Es stellt sich somit die Aufgabe, supraleitende, ferromagnetische und ferroelektrische Oxide im Submikrometerbereich in einer Weise zu strukturieren, dass die eigentlichen Materialeigenschaften nicht durch die Bearbeitungsprozesse verändert werden.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch ein lithographischen Verfahren zur nasschemischen Strukturierung von supraleitenden, ferromagnetischen und/oder ferroelektrischen Oxiden, bei dem
    • – eine mit einer Maske in einem definierten Muster teilweise bedeckte Oxid-Oberfläche aus supraleitenden-, ferromagnetischen- und/oder ferroelektrischen-Oxiden
    • – mit einer Ätzlösung bei einem pH-Wert von 0 bis 2 und Temperaturen zwischen 20°C und 100°C in Kontakt gebracht wird, wodurch der nichtbedeckte Anteil der Oxid-Oberfläche geätzt wird.
  • Die erzeugten Strukturen weisen vorteilhaft Strukturbreiten kleiner 1 μm, bevorzugt kleiner 200 nm auf.
  • Bei dieser Methode wird die Oberfläche des zu behandelnden Materials mit einer Maske bedeckt. Unter Maske wird im Folgenden ein Material verstanden, welches die Oberfläche in einem definierten Muster bedeckt und welches von der im Ätzschritt verwendeten Ätzlösung nicht aufgelöst wird, so dass im Ätzschritt ein selektives Entfernen der unbedeckten Bereiche möglich wird. Die Herstellung derartiger Masken ist grundsätzlich aus anderen Lithographieverfahren bekannt. Verwendet werden kann insbesondere eine Hartmaske oder eine Lackschicht (Resist).
  • Zur Herstellung der Maske wird die Oberfläche bevorzugt mit einer Resistschicht bedeckt und diese nach ihrem Aufbau bevorzugt mittels Elektronenstrahl in einem Muster bestrahlt. Anschließend wird entweder der bestrahlte oder der unbestrahlte Teil der Resistschicht entfernt, so dass die darunterliegende Oberfläche freigelegt wird. Bevorzugt wird der bestrahlte Teil des Resist mit einem Entwickler entfernt (bei PMMA-Resist bevorzugt AR 600-55). Der verbleibende Teil des Resists wirkt als Ätzmaske für einen oder mehrere nachfolgende Naßätzschritte. Die Bestrahlungs- und Ätzschritte können wiederholt werden um komplexe Strukturen zu erzeugen.
  • Alternativ wird eine vorstrukturierte Maske verwendet.
  • Nach der Ätzung wird bevorzugt die Maske nach gängigen Methoden entfernt.
  • Es hat sich der Elektronenstrahleinsatz zur Belichtung eines geeigneten Resists und die Freilegung der bestrahlten oder der unbestrahlten Bereiche mit anschließender Nassätzung der freigelegten Materialoberflächen als besonders günstig erwiesen.
  • Bevorzugt wird für die Elektronenstrahllithographie ein Resist verwendet, welcher unter Bestrahlung mit einem Elektronenstrahl seine Eigenschaft in den bestrahlten Bereichen gegenüber den unbestrahlten Bereichen derart ändert, dass ein selektives Entfernen eines der beiden Bereiche mit geeigneten Lösungs- oder Ätzmitteln bei Erhalt des anderen Bereichs möglich ist.
  • Die Beschichtung erfolgt entsprechend den aus dem Stand der Technik bekannten Methoden und in den dort üblichen Abmessungen, insbesondere den üblichen Schichtdicken. Für die Herstellung der Maske kann prinzipiell jedes für die Lithographie, insbesondere die Elektronenstrahllithographie geeignete und darüber hinaus gegenüber der Säure des Ätzschrittes beständige Material verwendet werden. Bevorzugte für die Maske verwendete Resistmaterialien sind ausgewählt aus Arylaten, Arylamiden, Methacrylaten, Methacrylamiden sowie deren Copolymeren, besonders bevorzugt sind PMMA (Polymethylmethacrylat, vorteilhaft PMMA 950K, AR-P 671-05), weiterhin bevorzugt NMMA (N-Methylolmethacrylamid) eingesetzt. Weitere bevorzugt verwendete Resistmaterialien sind AR-N 7500.18 (Negative e-beam resist, z. B. der ALLRESIST GmbH, Strausberg, DE) und Alkoxyalkylacetate, wie z. B. 2-Methoxy-1-methylethylacetat.
  • Erfindungsgemäß wird als Ätzlösung eine Lösung einer verdünnten Säure eingesetzt, die bevorzugt einen pH-Wert zwischen 0,2 und 2 aufweist, besonders bevorzugt ist ein Bereich von 0,2 bis 1 und weiter bevorzugt ein Bereich von 0,25 bis 0,8.
  • Die Säuren sind bevorzugt ausgewählt aus:
    • – organischen Säuren, bevorzugt Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA, C10H14N2Na3O8·2H2O) und/oder Essigsäure,
    • – Halogenwasserstoffsäuren, bevorzugt HCl, HF und/oder HI,
    • – Salpetersäure und/oder Ammoniumsalzen
    • – und Mischungen der vorgenannten Säuren.
  • Die Ätzprozesse werden vorteilhaft bei einer Temperatur bis ca. 100°C, bevorzugt im Bereich zwischen 20°C und 100°C, weiter bevorzugt im Bereich von 50°C bis 90°C und darüber hinaus bevorzugt im Bereich von 60°C bis 80°C durchgeführt.
  • Bei den supraleitenden Oxiden handelt es sich bevorzugt um Cuprate, d. h. Oxide die Kupfer enthalten. Die Cuprate enthalten bevorzugt neben Kupfer ein Metall der 2. Gruppe des Periodensystems (bevorzugt Calcium, Strontium und/oder Barium) und mindestens eine seltene Erde (ein Metall der 3. Gruppe des Periodensystems, bevorzugt Yttrium oder Lanthan und/oder ein Lanthanoid, bevorzugt Gadolinium oder Praseodym) oder Wismut. Besonders bevorzugte Cuprate sind Yttrium-Barium-Kupferoxid (häufig YBaCuO oder auch YBCO abgekürzt, insbesondere YBa2Cu3O6+8 mit 0 ≤ δ ≤ 1), Gallodinium-Barium-Kupferoxid (insbesondere GdBa2Cu3O6+δ mit 0 ≤ δ ≤ 1), Praseodym-Barium-Kupferoxid (insbesondere PrBa2Cu3O6+δ mit 0 ≤ δ ≤ 1) oder auch BiSrCaCuO.
  • Die Oberfläche der Cuprate wird bevorzugt mittels EDTA (C10H14N2Na3O8·2H2O) geätzt. Der Ätzprozess wird vorteilhaft im Temperaturbereich von 70°C bis 90°C, besonders bevorzugt bei ca. 80°C durchgeführt.
  • Bei den ferromagnetischen Oxiden handelt es sich bevorzugt um Eisenoxid-Materialien (Fe-O), wie Magnetit (Fe3O4), Hematit (Fe2O3) oder Zink-Ferrit ZnFe2O4 oder ein Gemisch dieser Stoffe. Die Oberflächen der ferromagnetischen Stoffe werden bevorzugt mit einer wässrigen Lösung von HCl und HF, besonders bevorzugt in einer Mischung aus 1 bis 3 Gew.-% (bevorzugt 1,5 bis 2 Gew.-%) HCl und 5 bis 15 Gew.-% (bevorzugt 8 bis 12 Gew.-%) HF, vorzugsweise in einem Temperaturbereich zwischen 60 und 80°C, bevorzugt bei ca. 70°C geätzt.
  • Bei den ferroelektrischen Oxiden handelt es sich bevorzugt um Perovskit-Oxide, Manganate oder Titanate.
  • Bevorzugt werden Manganate mit der allgemeinen Formel ABO3 mit A = T1-xDx und 0 < x < 1 verwendet, wobei
    • – T eine trivalente seltene Erde oder Bi3+ ist. Die seltenen Erden sind chemischen Elemente der 3. Gruppe des Periodensystems (mit Ausnahme des Actiniums) und die Lanthanoide. Bevorzugt ist T ausgewählt aus La3+ und Nd3+)
    • – D ist ein divalentes alkalisches Metall (bevorzugt ausgewählt aus Metallen der 2. Gruppe des Periodensystems, bevorzugt Ca2+, Sr2+, Ba2+) oder Pb2+,
    • – B ist Mangan bevorzugt in der Oxidationstufe +3 oder 4, besonders bevorzugt Mn3+ 1-x oder Mn4+ x mit 0 < x < 1.
  • Bevorzugte Manganate sind ausgewählt aus La1-xCaxMnO3, La1-xPbxMnO3, La1-xBaxMnO3, La1-xSrxMnO3, Nd1-xPbxMnO3 mit jeweils 0 < x < 1. Besonders bevorzugt handelt es sich um LaCaMnO oder LaSrMnO.
  • Bei den bevorzugten Titanaten handelt es sich um einen Vertreter der Gruppe BaTiO3, CaTiO3, SrTiO, besonders bevorzugt PbZr1-xTixO3 mit 0,1 ≤ x ≤ 0,8.
  • Diese ferroelektrischen Oxide werden bevorzugt mittels einer bevorzugt wässrigen Mischung aus HCl und Iodidgeätzt. Durch die Mischung aus HCl und Iodid entsteht Iodwasserstoffsäure (HI). Die Konzentration an HI beträgt bevorzugt 0,05 bis 0,5 mol/l, besonders bevorzugt 0,1 bis 0,3 mol/l. Um diese Mischung zu erhalten werden bevorzugt 1 bis 3 Gew.-% (bevorzugt 1,5 bis 2 Gew.-%) HCl und bevorzugt 0,05 bis 0,3 mol/l, besonders bevorzugt 0,1 bis 0,3 mol/l Iodid in einem wässrigen Medium gelöst. Das Iodid ist bevorzugt KI oder NaI. Bevorzugte Temperaturen sind hier im Bereich der Zimmertemperatur (25°C ± 10°C).
  • Um Mehrschichtsysteme, d. h. Systeme mit mindestens zwei Schichten (Multilayer) von ferroelektrischen Oxiden, insbesondere LaSrMnO/PbZr1-xTixO3, zu ätzen, werden einer wässrigen Mischung aus HCl und Iodid bevorzugt weitere Komponenten, ausgewählt aus Ammoniumsalzen, HF, Essigsäure, Salpetersäure (HNO3) und EDTA zugegeben. Hier werden bevorzugt 1,5 bis 2 Gew.-% HCl und bevorzugt 0,01 bis 0,03 mol/l Iodid eingesetzt. Das Iodid ist bevorzugt KI.
  • Die Konzentrationen der weiteren Komponenten in der Ätzlösung für Multilayer betragen bevorzugt:
    • – Essigsäure: 1 bis 15 vol.-%, besonders bevorzugt 3 bis 10 vol.-%,
    • – NH4F: 3 bis 7 mmol/l, besonders bevorzugt 4 bis 5 mmol/l,
    • – HF: 0,02 bis 0,06 vol.-%, besonders bevorzugt 0,03 bis 0,04 vol.-%,
    • – HNO3: 1 bis 15 vol.-%, besonders bevorzugt 3 bis 10 vol.-%
    • – EDTA: 10 bis 100 mmol/l, bevorzugt 30 bis 50 mmol/l,
    • – NH4Cl: 0,5 bis 1 mol/l, bevorzugt 0,7 bis 0,8 mol/l.
  • Bevorzugte Temperaturen sind auch hier im Bereich der Zimmertemperatur (25°C ± 10°C).
  • Das vorgestellte Ätzverfahren ermöglicht die Herstellung mikrostrukturierter und nanostrukturierter Oberflächen vorteilhaft ohne dass die Materialeigenschaften im oberflächennahen Bereich verändert würden, wie es bei den üblichen Plasmaätzverfahren prozessimmanent ist. Als weiterer Vorteil hat sich überraschend gezeigt, dass die entstehenden Strukturen sehr scharf konturiert sind. Die sonst häufig auftretenden Abrundungen von Kanten oder schwankende Strukturbreiten wurden nicht beobachtet.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch die Verwendung einer Ätzlösung mit einem pH-Wert von 0 bis 2 in einem Lithographieverfahren in der Halbleitertechnolgie zur Strukturierung von supraleitenden-, ferromagnetischen- und/oder ferroelektrischen-Oxiden. Die Ätzlösung und die zu strukturierenden Oxide sind dabei bevorzugt wie oben beschriebenen ausgewählt.
  • Die Erfindung wird nachfolgend durch Ausführungsbeispiele und Abbildungen näher erläuterte ohne auf diese beschränkt zu sein.
  • Die Tabelle zeigt die erreichten Ätzraten für die entsprechenden Oxide (bzw. Multilayer) und die dabei verwendeten Ätzlösungen und Temperaturbedingungen:
    Oxide Multilayer Ätzlösung und Temperatur Ätzrate rate (nm/sec)
    LaCaMnO, LaSrMnO 4 ml HCl 35 Gew.-% in H2O + 4 ml KI 3 M in H2O + 70 ml H2O bei 20°C ~ 35
    YBaCuO, GdBaCuO, PrBaCuO 1 g (2,53 mmol) C10H14N2Na3O8 2H2O + 70 ml H2O bei 80°C ~ 50
    Fe3O4, Fe2O3, ZnFe2O4, 5 ml HCl 35 Gew.-% in H2O + 20 ml HF 48 Gew.-% in H2O + 70 ml H2O bei 70°C ~ 200
    LaSrMnO/PbZr0.2Ti0.8O3 (Zweischichtsystem) 60 ml HCl 35 Gew.-% in H2O +4 ml KI 3 M in H2O + 900 ml H2O + 0,85 ml 48% HF + 0,19 g (5,15 mmol) NH4F in 5,15 ml H2O + 60 ml Essigsäure + 60 ml HNO3 + 16 g (0,04 mol) EDTA Trisodium + 40 g (0,75 mol) NH4Cl bei 20°C ~ 1
    M = mol/l
  • 1 zeigt ein Rasterkraftmikroskop(AFM – Atomic Force Mikroskop)-Bild einer kontinuierlichen Struktur aus einer ferromagnetischen Schicht (La0.7Sr0.3MnO3), die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren (mit den in Zeile 1 in Tabelle 1 genannten Bedingungen) hergestellt wurde. Die Verengung der Schicht wurde von einigen Hundertstel Mikrometern bis zu einer Breite von 470 nm hergestellt. Das untere Bild zeigt die Kante der Verengung.
  • 2 zeigt eine hergestellte Verengung in einem ~ 500 nm breiten Draht des gleichen Materials (Abbildung mittels AFM).
  • 3 stellt eine Verengung in einem ~ 200 nm breiten Draht des gleichen Materials (Raster-Elektronen-Mikroskop-Aufnahme) dar.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 4403151 [0005]
    • DE 4110745 C2 [0006]
    • US 5904861 [0007]
    • US 5766805 [0008]
    • US 2009/0075421 A1 [0009]
    • WO 03085172 A2 [0010]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • T. Ono et. al., Appl. Phys. Letters 84, 2370 (2004) [0003]
    • O. Cespedes et. al., Appl. Phys. Letters 87, 083102 (2005) [0003]
    • T. Arnal et. al., Phys. Rev. B 75, 220409 (2007) [0003]

Claims (23)

  1. Verfahren zur nasschemischen Strukturierung von supraleitenden, ferromagnetischen und/oder ferroelektrischen Oxiden bei dem – eine mit einer Maske teilweise bedeckte Oxid-Oberfläche aus supraleitenden-, ferromagnetischen- und/oder ferroelektrischen-Oxiden – mit einer Ätzlösung bei einem pH-Wert von 0 bis 2 und Temperaturen zwischen 20°C und 100°C in Kontakt gebracht wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung einen pH-Wert von 0,2 bis 1 aufweist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung eine Säure enthält, die ausgewählt ist aus organischen Säuren, Halogenwasserstoffsäuren, Salpetersäure, Ammoniumsalzen und deren Mischungen.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzung im Temperaturbereich von 20°C bis 100°C durchgeführt wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske durch Bedecken der Oberfläche mit einer Resistschicht und anschließendem teilweise Entfernen der Resistschicht erzeugt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zur Herstellung der Maske die Resistschicht mit einem Elektronenstrahl bestrahlt und der bestrahlte oder der unbestrahlte Teil der Resistschicht entfernt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, dass eine vorstrukturierte Maske verwendet wird.
  8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem supraleitenden Oxid um Cuprate handelt.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem supraleitenden Oxid um Yttrium-Barium-Kupferoxid (YBaCuO), Gallodinium-Barium-Kupferoxid oder Praseodym-Barium-Kupferoxid handelt.
  10. Verfahren nach nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des supraleitenden Oxids in einer wässrigen Lösung von Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA, C10H14N2Na3O8·2H2O) geätzt wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem ferromagnetischen Oxid um Eisenoxid-Materialien (Fe-O), wie Magnetit (Fe3O4), Hematit (Fe2O3) oder Zink-Ferrit ZnFe2O4 oder ein Gemisch dieser Stoffe handelt.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7 oder nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des ferromagnetischen Oxids in einer wässrigen Lösung von HCl und HF geätzt wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem ferroelektrischen Oxid um Perovskit-Oxide oder Manganate oder Titanate handelt.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Manganaten um Formen der allgemeinen Formel ABO3 wobei A T1-xDx bedeutet und T ausgewählt ist aus trivalenten seltenen Erden und Bi3+, D ausgewählt ist aus divalenten alkalischen Metallionen (bevorzugt Metallen der 2. Gruppe des Periodensystems, insbesondere Ca2+, Sr2+, Ba2+) und Pb2+, wobei B Mangan ist (bevorzugt in der Oxidationstufe +3 oder 4, besonders bevorzugt Mn3+ 1-x oder Mn4+ x mit 0 < x < 1).
  15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Manganaten um LaCaMnO oder LaSrMnO oder eine Mischung von beiden handelt.
  16. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Titanate ausgewählt sind aus der Gruppe BaTiO3, CaTiO3, PbZr1-xTixO3 mit 0,1 ≤ x ≤ 0,8 und SrTiO.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7 oder 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des ferroelektrischen Oxids mit einer wässrigen Lösung von HCl und Iodid geätzt wird.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7 oder 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem ferroelektrischen Oxid um ein Mehrschichtensystem (Multilayer) handelt, welches insbesondere LaSrMnO und/oder PbZr1-xTixO3 mit 0,1 ≤ x ≤ 0,8 enthält.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Mehrschichtensystems mit einer wässrigen Lösung von HCl, Iodid, Ammoniumsalzen, HF, Salpetersäure, Essigsäure und EDTA geätzt wird.
  20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die entstehenden Strukturen kleiner als 1 μm sind.
  21. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die entstehenden Strukturen kleiner als 200 nm sind.
  22. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Resist um Polymethylmethacrylat (PMMA) oder N-Methylolmethacrylamid (NMMA) handelt.
  23. Verwendung einer Ätzlösung mit einem pH-Wert von 0 bis 2 in einem Lithographieverfahren zur Strukturierung von supraleitenden-, ferromagnetischen- und/oder ferroelektrischen-Oxiden.
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