DE4110745C2 - Verfahren zum Materialabtrag an schwer bearbeitbarem, im wesentlichen aus keramischem Material bestehendem Basismaterial - Google Patents
Verfahren zum Materialabtrag an schwer bearbeitbarem, im wesentlichen aus keramischem Material bestehendem BasismaterialInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bearbeitung eines
keramischen Materials, insbesondere ein Verfahren, bei dem in wirk
samer, präziser und sorgfältiger Weise Bohren, Schneiden, Gravieren
und andere Bearbeitungsvorgänge an einem keramischen Material zur
Anwendung kommen, das in einem elektronischen Substratmaterial,
einem elektronischen Gerät und Bauteil und dergleichen eingesetzt
wird.
Keramisches Material ist durch die größere Festigkeit und
Härte den gewöhnlichen Metallen überlegen. Da das keramische Mate
rial bei der Formgebung durch Brennen um mehr als 10% schrumpft,
ist eine zweite Bearbeitung wesentlich, um aus dem keramischen
Material gebildete Teile von hoher Maßgenauigkeit zu erhalten. Diese
zweite Bearbeitung ist jedoch wegen der großen Festigkeit und Härte
des keramischen Materials äußerst schwierig.
Herkömmliche Schleif- und Ultraschallbearbeitungen usw. dienten
zum Bohren, Schneiden und Gravieren des keramischen Materials. Wenn
dieses Material so mechanisch bearbeitet wird, besteht jedoch die
Neigung zur Bildung von Rissen oder Sprüngen im Material. Demgemäß
ist es schwierig, auf solche mechanische Weise ein keramisches Ma
terial mit hoher Genauigkeit zu bearbeiten. Ferner bringen die
genannten Verfahren das Problem mit sich, daß das benutzte Werkzeug
verschleißt und die Arbeitsleistung dann absinkt.
Die Japanische Offenlegungsschrift 63-190789 von Ishii beschreibt
ein Verfahren, bei dem das keramische Material durch Photoätzung be
arbeitet wird. Unter Bezugnahme auf die Fig. 1A bis 1C wird nach
folgend ein Photoätzverfahren beschrieben. Bei diesem Verfahren
wird - wie in Fig. 1A gezeigt - zunächst ein wärme- und säurebe
ständiger Photoresist 2 auf die Oberfläche eines Werkstücks 1 auf
gebracht. Ein gewünschtes Bearbeitungsmuster wird dann durch Belich
tung auf den Resist übertragen, und der unnötige Anteil wird weg
gewaschen und entfernt, um ein Resistmuster 3 wie in Fig. 1B gezeigt
zu bilden. Anschließend erfolgt die Ätzung mit einer bei einer hohen
Temperatur (300°C) siedenden Phosphorsäure bis zu einer gewünschten
Tiefe, um - wie in Fig. 1C gezeigt - Vertiefungen 4 zu bilden. Da
nach wird der Resist mit einem Entferner abgeschält.
Nach dem Photoätzverfahren erfolgt die Bearbeitung jedoch in
einer korrodierenden Atmosphäre bei hoher Temperatur, so daß der
Resist während der Ätzung leicht beschädigt wird. Der Resistschaden
erleichtert die Bildung von Mängeln an dem Werkstück. Es entstehen
auch erhöhte Kosten für den Schutz des zur Durchführung der Ätzung
benutzten Behälters gegen Korrosion und Schäden. Ein Ätzbetrieb be
inhaltet auch erhebliche Gefahren. Ferner bleiben die bei einem
allgemeinen Ätzverfahren üblichen Probleme, daß die Bearbeitungs
geschwindigkeit und die Bearbeitungsleistung niedrig liegen und daß
es unmöglich ist, bis zu einem Geometrieverhältnis (Bearbeitungs
tiefe/Bearbeitungsbreite) von 1 oder mehr zu bearbeiten.
Auf der anderen Seite wurde ein Verfahren der kontaktfreien
Bearbeitung mit Laser entwickelt. Die Japanische Offenlegungsschrift
Nr. 2-38587 von Morita et al beschreibt ein Bearbeitungsverfahren
unter Benutzung einer Bearbeitung durch Laser und einer Naßätzung.
Bei diesem Verfahren wird zunächst auf einem Werkstück durch Ein
strahlung eines Laserstrahls eine geschmolzene-erstarrte Schicht
gebildet. Dann wird das Werkstück in einem Ätzmittel, das in Bezug
auf die geschmolzene-erstarrte Schicht eine hohe Ätzgeschwindigkeit
hat, naß geätzt. Die geschmolzene-erstarrte Schicht wird durch Ätzen
entfernt.
Die Japanische Offenlegungsschrift Nr. 64-77506 von Takeuchi
et al beschreibt ebenfalls ein Bearbeitungsverfahren, bei dem eine
Laser- und Ätzbehandlung durchgeführt wird. Bei diesem Verfahren
erfolgt zunächst eine Bearbeitung, wie Bohren oder Schneiden, des
Werkstückes aus keramischem Material durch Einstrahlung eines Lasers.
Das keramische Material wird in dem bearbeiteten Teil metallisiert.
Der metallisierte Teil wird dann durch Ätzen entfernt.
Diese Verfahren können nur bei Materialien angewendet werden,
die in dem durch Laser bestrahlten Teil geschmolzen-erstarrt oder
metallisiert sind. Diese Materialien umfassen Metalle (insbesondere
Legierungen), die durch Laser einer Schmelz-Erstarrung unterzogen
werden können, und keramisches Nitridmaterial (z. B. Siliziumnitrid
(Si₃N₄) und Aluminiumnitrid (AlN) und dergleichen), das durch Laser
metallisiert werden kann, während sie nicht ein keramisches Oxid
material (z. B. Aluminiumoxid) oder ein keramisches Carbidmaterial
(z. B. Siliziumcarbid (SiC)) umfassen, die sich nur äußerst schwierig
metallisieren lassen. Bei der Bearbeitung von keramischen Oxid-
oder Carbidmaterialien nach diesen Verfahren ergab sich in Bezug auf
den charakteristischen Widerstand gegenüber dem Ätzmittel ein gerin
ger Unterschied zwischen dem durch Laser bestrahlten Teil und dem
unbestrahlten Teil. Demgemäß war es sehr schwierig, die Ätzung selek
tiv nur an dem durch Laser bestrahlten Teil anzuwenden. Ferner
konnte bei einem Verfahren, bei dem die Ätzung nach der Schneid-
oder Bohrbearbeitung des Werkstücks durch Laser erfolgt, die zu
bearbeitende Mindestgröße nicht kleiner als die durch einen Laser
zu bearbeitende normale Größe gemacht werden.
Aus US-A-3 696 504 ist ein gattungsgemäßes Verfahren zum Bohren von Löchern
in schwer bearbeitbaren Materialien bekannt, bei dem zunächst
durch Lasereinstrahlung ein erstes Bohrloch gebohrt wird.
Aufgrund der Lasereinwirkung erfolgt in dem unmittelbar an
das Bohrloch angrenzenden Bereich eine Umschmelzung und die
Ausbildung von Rissen. Dieser umgeschmolzene, Risse
enthaltende Bereich wird in einer zweiten Stufe mittels
mechanischen Bohrens entfernt.
Ferner ist aus Swoboda, U., u. a., "Excimerlaser-Bearbeitung
keramischer Werkstoffe - Ergebnisse und physikalische
Vorgänge", in: "Lambda Industrial No. 5", 1989, Fa. Lambda
Physik GmbH, Göttingen, ein Verfahren zum Bearbeiten
keramischer Werkstoffe mit Excimerlaserstrahlung von 193, 248
und 308 nm bekannt. Es werden Abtragraten im Bereich zwischen
0,1 und 0,3 µm pro Laserpuls erzielt. Wegen der geringen
Pulsdauer der verwendeten Laser und der sehr kleinen
Eindringtiefe sind der Wärmeeinflußbereich und die
Schmelzzone sehr gering. Dadurch ist die Gefahr der Bildung
von Mikrorissen praktisch aufgehoben.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens, bei
dem ein Material, das im wesentlichen ein keramisches
Oxidmaterial oder ein keramisches Carbidmaterial umfaßt, mit
einem hohen Geometrieverhältnis (z. B. 1 oder mehr) in einer
kürzeren Zeitspanne bearbeitet werden kann als bei
herkömmlichen Verfahren. Weiterhin soll ein Verfahren
geschaffen werden, bei dem eine Feinbearbeitung des
keramischen Materials wirksam durchgeführt werden kann.
Schließlich soll bei dem Verfahren ein Basismaterial ohne
Schädigung an der Oberfläche des Materials bearbeitet werden,
das im wesentlichen ein keramisches Material umfaßt.
Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum
Materialabtrag an schwer bearbeitbarem, im wesentlichen aus
keramischem Material bestehendem Material gelöst, bei dem in
einem ersten Bearbeitungsschritt im abzutragenden Bereich
durch Einstrahlen eines Energiestrahls, insbesondere eines
Laser- oder Elektronenstrahls, Risse gebildet werden und das
abzutragende Material in einem zweiten Bearbeitungsschritt
durch Erweitern und Verlängern dieser Risse entfernt wird,
das dadurch gekennzeichnet ist, daß zum Abtrag keramischen
Materials die Erweiterung und Verlängerung der Risse mittels
Vibration, thermischem Schock oder Ätzen erfolgt.
Es wird ein Verfahren der Bearbeitung eines im
wesentlichen ein keramisches Material umfassenden Basismaterials
geschaffen. Das Verfahren umfaßt ein Einstrahlungsverfahren zur
Einstrahlung eines Energiestrahls auf das Basismaterial zur Bildung
eines angegriffenen Teil, der in dem Basismaterial mit Sprüngen
versehen ist, und ein Entfernungsverfahren zur Entfernung des ange
griffenen Teils. Durch die Einstrahlung eines Energiestrahls auf
ein im wesentlichen ein Keramikmaterial aufweisendes Basismaterial,
das chemisch beständig ist und eine überragende Korrosionsbeständig
keit aufweist, wird der durch den Strahl bestrahlte Teil des Basis
materials erhitzt und geschmolzen. Nach der Einstrahlung des Energie
strahls bilden sich in dem bestrahlten Teil Risse. Ferner ist zu
vermuten, daß die Zusammensetzung des bestrahlten Teils sich ändern
kann (beispielsweise sinkt bei einem keramischen Oxidmaterial der
Sauerstoffgehalt ab). Im Ergebnis hat der mit dem Strahl bestrahlte
Teil, d. h. der angegriffene Teil, Risse und Eigenschaften, die von
denen des unbestrahlten Teils, d. h. des Basismaterials, verschieden
sind. Da die Risse bzw. Sprünge die Funktion haben, den angegriffe
nen Teil und das Basismaterial zu trennen, wird in den folgenden
Entfernungsverfahren der angegriffene Teil durch Ausnutzung der
Sprünge bzw. Risse entfernt. Ferner kann die Entfernung des ange
griffenen Teils in dem Entfernungsverfahren weiter beschleunigt
werden, wenn man die Differenz der Eigenschaften zwischen dem ange
griffenen Teil und dem Basismaterial, z. B. die Differenz der Lös
lichkeiten in einer bestimmten Lösung, ausnutzt.
Das zu bearbeitende Basismaterial umfaßt im wesentlichen ein
keramisches Material, und das keramische Material umfaßt ein kera
misches Oxidmaterial, ein keramisches Carbidmaterial, ein kerami
sches Nitridmaterial und andere anorganische feste Materialien. Ins
besondere kann die Erfindung wirksam bei der Bearbeitung eines kera
mischen Oxidmaterials und eines keramischen Carbidmaterials zur An
wendung kommen. Ein keramisches Oxidmaterial umfaßt z. B. Aluminium
oxid, Zirkoniumoxid, Forsterit und andere Metalloxide. Ein kerami
sches Carbidmaterial umfaßt Siliziumcarbid, Borcarbid und andere
Metallcarbide.
Der auf das Basismaterial eingestrahlte Energie
strahl umfaßt einen Laserstrahl, einen Elektronenstrahl, einen Ionen
strahl und andere Strahlen, in denen Energie konzentriert ist. Der
Laserstrahl und der Elektronenstrahl werden bevorzugt eingesetzt.
Der Energiestrahl kann auf eine vorbestimmte Stelle des Basismate
rials eingestrahlt werden. Das Basismaterial kann durch Abtasten
des Energiestrahls in unterschiedlichen Gestaltformen bearbeitet
werden. Die Gestalt, die Tiefe und die Breite des von dem Energie
strahl bearbeiteten Teil kann durch Steuerung wenigstens einer
Ausgangsgröße des Energiestrahls, der Abtastgeschwindigkeit, des
Abtastschrittes und der Abtastzahl gesteuert werden.
Das Verfahren zur Entfernung des Teils des Basismaterials,
das bestrahlt und von dem Energiestrahl angegriffen wurde,
umfaßt Vibration, thermischen Schock oder Ätzen. Das
Entfernungsverfahren umfaßt ein Verfahren zur Entfernung des angegriffenen
Teils, indem man das Basismaterial in Schwingungen versetzt,
um eine Ausdehnung der Risse zu erreichen. Die in dem Basismaterial
durch Einstrahlung des Energiestrahls gebildeten Risse wachsen
infolge der Schwingungen. Bei fortgesetzter Vibration verbinden
sich die Risse untereinander, so daß der angegriffene Teil von dem
Basismaterial getrennt wird. Schließlich wird der angegriffene Teil
durch die Vibrationen vollständig von dem Basismaterial getrennt.
Während die Art der Schwingungen nicht besonders beschränkt ist,
können Ultraschallschwingungen als bevorzugte Schwingungsformen
dienen.
Gemäß einer weiteren Alternative umfaßt das Entfernungsverfahren ein
Verfahren zur Entfernung des angegriffenen Teils, bei dem
man dem Basismaterial einen thermischen Schock versetzt, um die
Risse zur Ausdehnung zu bringen. Der thermische Schock kann bei
spielsweise erzeugt werden, indem man das Basismaterial unmittel
bar nach seiner Erhitzung abkühlt. Je größer die Differenz zwischen
der Erhitzungstemperatur und der Abkühlungstemperatur ist, umso
größer wird der thermische Schock. Die Temperaturdifferenz kann auf
einen geeigneten Wert in dem Bereich festgesetzt werden, in dem das
Basismaterial selbst nicht zerstört wird. Die in dem angegriffenen
Teil, das einen anderen Ausdehnungskoeffizienten als das Basismate
rial hat, gebildeten Risse und Sprünge werden wegen der plötzlichen
Schrumpfung oder Expansion des Basismaterials durch den thermischen
Schock größer bzw. dehnen sich als. Infolgedessen bewirken die aus
gedehnten und gewachsenen Risse eine Trennung des angegriffenen
Teils von dem Basismaterial.
Gemäß einer weiteren Alternative umfaßt die Entfernung ein Ver
fahren zur Entfernung des angegriffenen Teils durch Ätzung des Ba
sismaterials. Das Ätzen kann beispielsweise durch Einlegen des Ba
sismaterials in ein Ätzmittel erfolgen. Das Ätzmittel kann eine
wäßrige Lösung von Phosphorsäure, Chlorwasserstoffsäure oder
Schwefelsäure sowie eine wäßrige Lösung von Kaliumhydroxid oder
Natriumhydroxid sein. Nach dem Einweichen des Basismaterials in
dem Ätzmittel dringt das Ätzmittel durch die in dem angegriffenen
Teil gebildeten Risse und Sprünge zur Innenseite des angegriffenen
Teils. Das Ätzmittel erodiert den angegriffenen Teil und bewirkt
eine Expansion und ein Wachsen der Risse. Infolgedessen wird der
angegriffene Teil von dem Basismaterial durch Ätzung entfernt. Wenn
das Basismaterial im wesentlichen ein keramisches Oxidmaterial
ist, wurde vermutlich der Sauerstoffgehalt in dem angegriffenen
Teil verringert. Die Änderung der Zusammensetzung macht die Ätz
mittelerosion des betroffenen Teils im Vergleich zum Basismaterial
leichter. Der angegriffene Teil wird bei dem Ätzverfahren durch
die infolge der Änderung der Zusammensetzung eintretende Expansion
und das Wachstum der Risse schnell vom Basismaterial getrennt.
Ferner kann die Entfernung auch ein Verfahren zur Ätzung des
Basismaterials bei gleichzeitiger Vibration umfassen. In diesem
Fall wird das Basismaterial geätzt, wobei die Risse in dem betrof
fenen Teil durch Vibration wachsen und expandieren, so daß der an
gegriffene Teil wirksam und in einer kürzeren Zeitspanne entfernt
werden kann. Weiterhin kann die Entfernung auch ein Verfahren zur
Ätzung des angegriffenen Teils umfassen, bei dem die Risse durch
einen thermischen Schock und/oder Vibration ausgedehnt und expan
diert werden. Die ausgedehnten und expandierten Risse begünstigen
die Entfernung des angegriffenen Teils durch die Ätzung.
Das bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetz
te Basismaterial kann ein Basismaterial sein, auf dem ein Resist
film ausgebildet ist. Als Resistfilm kann beispielsweise ein Film
aus synthetischem Harz dienen. Wenn der Energiestrahl auf den Re
sistfilm eingestrahlt ist, wird der bestrahlte Resistfilm entfernt
(d. h. das Bildmuster wird gebildet), und der Teil des Basismate
rials unter dem entfernten Resistfilm wird von dem Energiestrahl
angegriffen. Anschließend wird der angegriffene Teil des Basis
materials beispielsweise durch Ätzen dieses Materials entfernt. In
diesen Fall wird der unbestrahlte Teil des Basismaterials durch
den Resistfilm geschützt, so daß eine Schädigung des Basismaterials
in dem Entfernungsverfahren, wie z. B. der Ätzung, vermieden wird.
Wein eine Ätzung zur Entfernung dient, kann ferner ein stark erosi
ves Ätzmittel eingesetzt werden. Auf diese Weise kann die zur
Ätzung erforderliche Zeit abgekürzt werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird in einem Basismaterial
durch Einstrahlung eines Energiestrahls auf das im wesentlichen
ein keramisches Material umfassende Basismaterial ein Risse bzw.
Sprünge aufweisender, angegriffener Teil gebildet. Dieser Teil
kann selbst in einem keramischen Oxidmaterial und einem keramischen
Carbidmaterial, die sich äußerst schwierig metallisieren lassen,
leicht gebildet werden. Der betroffene Teil kann nach den verschie
denen oben beschriebenen Verfahren entfernt werden. Erfindungsgemäß
kann daher ein Basismaterial bearbeitet werden, das im wesentlichen
ein keramisches Oxidmaterial oder ein keramisches Carbidmaterial
enthält. Wenn die Bedingungen der Energieeinstrahlung gesteuert
werden, kann ferner die Gestalt, die Tiefe und die Breite des ange
griffenen Teils verändert werden. Durch Entfernung des angegriffenen
Teils können dann in dem Basismaterial bearbeitete Teile gebildet
werden, die verschiedene Gestalt, Tiefe und Breite haben. Wenn daher
der angegriffene Teil nach der Bestrahlung mit dem Energiestrahl
unter geeigneten Bedingungen entfernt wird, können die bearbeiteten
Teile ein hohes Geometrieverhältnis (z. B. 1 oder mehr) haben.
Da die Größe des die Sprünge aufweisenden, angegriffenen Teils
kleiner als die Größe gemacht werden kann, die man bei herkömmli
cher Laserbearbeitung erreicht, kann eine feinere Bearbeitung des
Basismaterials als bei konventioneller Bearbeitung erreicht werden.
Die Bildung der Sprünge aufweisenden, angegriffenen Teile, die
durch einen Energiestrahl in Löcher ober Vertiefungen überführt
werden kann, ermöglicht es auch, die Löcher oder Vertiefungen in
kürzerer Zeit zu bilden als wenn die Löcher oder Vertiefungen
selbst in dem Basismaterial durch den Energiestrahl gebildet würden.
Wenn ein Verfahren zur Entfernung des angegriffenen Teils durch
Ätzung angewendet wird, kann die Bearbeitung in einer kürzeren Zeit
spanne durchgeführt werden, verglichen mit dem herkömmlichen Ver
fahren unter Einschluß von Laserbearbeitung und Ätzung.
Wenn der Resistfilm auf der Oberfläche des Basismaterials ge
bildet ist, kann das Basismaterial - wie oben angegeben - bearbei
tet werden, ohne daß andere Teile als die geschädigt werden, die
auf der Oberfläche des Materials zu bearbeiten sind.
Die Erfindung wird aus der folgenden, ins einzelne gehenden
Beschreibung der Erfindung in Verbindung mit der Zeichnung deutli
cher.
Die Fig. 1A bis 1C sind Schnitte, die ein Verfahren zeigen,
bei dem ein Keramikmaterial unter Benutzung der herkömmlichen Photo
ätzung bearbeitet wird.
Fig. 2 ist ein Schnitt eines Basismaterials
(Forsterit) mit Löchern, die nach einer ersten erfindungsgemäßen Aus
führungsform gebildet sind.
Fig. 3 ist eine Schemazeichnung, die zeigt, wie ein Laser
strahl auf ein Basismaterial einschließlich keramischem Aluminium
oxidmaterial (Al₂O₃) in einer dritten Ausführungsform der Erfindung
eingestrahlt wird.
Fig. 4 ist ein Schnitt des Basismaterials mit dem aufgestrahl
ten Laserstrahl, wobei die betroffenen Teile nach der dritten Aus
führungsform gebildet werden.
Fig. 5 ist ein Schnitt, nachdem das in Fig. 4 gezeigte Basis
material geätzt wurde.
Fig. 6A ist ein Diagramm, das eine Anzahl geschmolzener, am
Basismaterial befindlicher Materialien nach Bestrahlung durch den
Laserstrahl gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
Fig. 6B ist ein Diagramm, welches zeigt, daß die geschmolzenen
Materialien nach der Ätzbehandlung gemäß der vierten Ausführungs
form der Erfindung von dem Basismaterial vollständig entfernt wor
den sind.
Fig. 7 ist ein Schnitt eines Aluminiumoxid-Basismaterials,
auf das durch den Laserstrahl in einer fünften Ausführungsform
Gravuren aufgebracht wurden.
Fig. 8 ist ein Bild des angegriffenen Teils, das man bei der
fünften Ausführungsform durch ein Rasterelektronenmikroskop erhielt.
Fig. 9 ist ein Schnitt des Basismaterials, bei dem nach der
fünften Ausführungsform ein gewünschter bearbeiteter Teil gebildet
wurde.
Fig. 10 ist ein Diagramm des Querschnitts eines Basismaterials
einschließlich Aluminiumoxid mit Löchern, die nach einer sechsten
Ausführungsform gebildet wurden.
Fig. 11 ist ein Schnitt, der die Oberfläche eines Basismateri
als einschließlich eines keramischen Aluminiumoxidmaterials zeigt,
auf dem nach einer siebenten Ausführungsform der Erfindung ein Re
sistfilm gebildet wurde.
Fig. 12 ist eine Schnittdarsteilung, nach der ein Laserstrahl
auf einen gewünschten Teil auf dem in Fig. 11 gezeigten Resistfilm
eingestrahlt wird.
Fig. 13 ist ein Schnitt, der das Basismaterial zeigt, in dem
nach der siebenten Ausführungsform schließlich Vertiefungen ausge
bildet sind.
Fig. 14 ist ein Schnitt eines Basismaterials einschließlich
eines Keramikmaterials, auf dem nach einer achten Ausführungsform
ein Resistfilm gebildet ist.
Fig. 15 ist ein Schnitt des Basismaterials, auf dem nach der
achten Ausführungsform durch Bestrahlung ein Resistmuster und ein
geschmolzenes Muster gebildet wurde.
Fig. 16 ist ein Schnitt des Basismaterials, nach dem gemäß
der achten Ausführungsform die Bearbeitung beendet wurde.
Als erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nach
folgend ein Fall beschrieben, bei dem ein Basismaterial unter Ein
schluß eines keramischen Oxidmaterialkomplexes (Forsterit 2MgO·SiO₂)
gebohrt wird. Zum Bohren dient ein Elektronenstrahl. Die Kennwerte
des Elektronenstrahls sind wie folgt. Beschleunigungsspannung: 60 kV,
Strahlstrom: 40 mA, Impulsdauer: 200 µs. Nach der Einstrahlung des
Elektronenstrahls wird das Basismaterial 20 Minuten einer Ultraschall
vibration von 47 kHz in Äthylalkohol ausgesetzt. Fig. 2 zeigt den
Querschnitt des Basismaterials, wenn die Bohrung beendet ist. Indem
man das Basismaterial in dieser Weise der Ultraschallvibration aus
setzt, kann der durch das Strahllicht bestrahlte Teil entfernt wer
den.
Bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung wird nachfol
gend ein Fall beschrieben, bei dem ein Basismaterial einschließlich
eines oxidkeramischen Materials (Zirkoniumoxid ZrO₂) bearbeitet wird.
Das Basismaterial wird durch einen YAG-Laser bearbeitet. Die Kenn
daten des Lasers sind wie folgt: Maximale Ausgangsleistung: 2,4 kW;
Impulsdauer: 200 µs. Das Basismaterial wird durch den Laser gebohrt
und dann 3 Minuten in Wasser von 90°C getaucht. Dann wird das Basis
material in flüssigen Stickstoff von -70°C gelegt und so das Mate
rial einem thermischen Schock ausgesetzt. Da die Temperaturdifferenz,
bei der Zirkoniumdioxid einem thermischen Schock standhält, 200°C
beträgt, erfolgt der thermische Schock mit einer Temperaturdifferenz
von 200°C oder weniger. Dieses Verfahren der thermischen Schock
einwirkung wird etwa 5-mal wiederholt, so daß der durch den Laser
bestrahlte Teil entfernt werden kann.
Wenn bei dem oben beschriebenen Verfahren das durch einen Energie
strahl, wie z. B. einen Laserstrahl oder einen Elektronenstrahl, bear
beitete Material einem geeigneten thermischen Schock oder einer Vi
bration ausgesetzt wird, tritt an der Grenze zwischen dem bestrahl
ten Teil und dem unbestrahlten Teil eine Ausbreitung und Expansion
der gebildeten Risse ein. Da die Mikrorisse sich ausbreiten und
wachsen, wird der durch den Strahl beaufschlagte Teil in einer ver
gleichsweise kurzen Zeitspanne wirksam entfernt.
Nachfolgend wird entsprechend der Darstellung in Fig. 3 eine
dritte Ausführungsform beschrieben, bei der ein Basismaterial, das
im wesentlichen ein keramisches Aluminiumoxidmaterial (Al₂O₃) ist,
zur Gravierung mit einem CO₂-Laser bearbeitet wird.
Nach Fig. 3 wird der von einem CO₂-Laseroszillater 11 gelie
ferte Laserstrahl 12 durch Reflexionsspiegel 13 und 13′ in eine ge
wünschte Position geführt. Die Reflexionsspiegel 13 und 13′ werden
durch Antriebsmechanismen 14 und 14′ angetrieben. Der CO₂-Laser-
Oszillator 11 und die Antriebsmechanismen 14 und 14′ werden durch
ein Systemsteuergerät 15 gesteuert. Der in die gewünschte Position
geführte Laserstrahl 12 wird durch eine Kondensorlinse 16 auf ein
Werkstück 21 aus einem keramischen Aluminiumoxidmaterial fokussiert.
Durch die Einstrahlung des Lasers wird auf dem Werkstück 21 ein an
gegriffener Teil 22 gebildet. Der Betrieb der Antriebsmechanismen
14 und 14′ durch das Systemsteuergerät 15 stellt die Einstrahlungs
position des Laserstrahls auf dem Werkstück 21 ein. Der CO₂-Laser-
Oszillator 11 wird ebenfalls durch das Systemsteuergerät 15 hin
sichtlich der Ausgangsleistung des Lasers und seines Impulszustands
gesteuert. Die Einstrahlungsposition und der Zustand dem Laserein
strahlung werden auf Grund einer vorherigen Programmeingabe in das
Systemgerät 15 gesteuert.
Der durch den Laser bestrahlte Teil des Werkstücks 21 wird
geschmolzen und durch die Wärme angegriffen. Wie in Fig. 4 gezeigt,
hat der betroffene Teil 22 eine Vielzahl von winzigen Rissen. Zu
sätzlich ist anzunehmen, daß sich die Zusammensetzung des beauf
schlagten Teils 22 verändert hat (z. B. ist der Sauerstoffgehalt
verringert). Der angegriffene Teil 22 kann durch Einstellung der
Bedingungen der Lasereinstrahlung und Abtastung in irgendeiner Brei
te und Tiefe ausgebildet werden. Daher kann sich auch ein angegrif
fener Teil 22A bilden, der in terrassenförmige Vertiefungen über
gehen kann. Beispielsweise wird ein Laserstrahl mit
einer Laserausgangsleistung von 100 W, der Laserabtast
geschwindigkeit von 1 m/min und einer Abtastschrittbreite von 100 µm verwendet,
wodurch Vertiefungen einer Tiefe von etwa 1 mm erhalten werden kön
nen. Die Breite der Vertiefungen kann in diesem Fall gemäß der
Gleichung erhalten werden: Abtastschrittbreite (100 µm) × Abtastzahl
+ Strahldurchmesser (etwa 200 µm).
Nachdem der angegriffene Teil 22 in der gewünschten Form und
in dem gewünschten Muster gebildet wurde, wird das Werkstück 21 in
einer sauren wäßrigen Lösung geätzt, die auf eine vorbestimmte Tem
peratur erwärmt und aktiviert wurde. Beispielsweise wird das Werk
stück 21 in einer wäßrigen Phosphorsäure-Lösung mit einer Konzen
tration von 85% etwa 1 Stunde bei 180 bis 200°C geätzt. Während
das Basismaterial des Werkstücks 21 durch dieses Ätzmittel nicht
geätzt wird, durchdringt das Ätzmittel die Risse und Sprünge des
angegriffenen Teils 22 und entfernt in wirksamer Weise nur den an
gegriffenen Teil 22. Wie in Fig. 5 gezeigt, können Vertiefungen 23
und 23a von einer gewünschten Gestalt und in dem gewünschten Muster
gebildet werden.
Die Einstrahlung eines Laserstrahls oder Elektronenstrahls auf
ein chemisch beständiges und hochkorrosionsfestes keramisches Mate
rial bringt den von dem Strahl getroffenen Teil des keramischen
Materials zum Schmelzen und bildet in ihm Risse. Ferner wird die
Zusammensetzung dieses Teils verändert. Im Ergebnis wird der Grad
der Korrosionsbeständigkeit gegenüber dem Ätzmittel in dem bestrahl
ten Teil verringert, und das Ätzmittel beginnt durch die Risse in
diesen Teil einzudringen. Daher kann das Ätzen selektiv nur den ge
schmolzenen Teil entfernen, wobei die Bedingung so ist, daß das
Basismaterial des Werkstücks nicht geätzt wird.
Nachfolgend wird als vierte Ausführungsform die Bildung von
Schlitzen auf einem keramischen Aluminiumoxidmaterial beschrieben.
Zur Bildung eines Schlitzes auf einer Platte aus einem keramischen
Aluminiumoxidmaterial einer Dicke von 0,25 mm mit einem CO₂-Laser
wurde beim konventionellen Verfahren das keramische Aluminiumoxid
material mit dem Laser geschmolzen und zur Eliminierung des ge
schmolzenen Materials wurde dieses mit dem Laserstrahl von z. B.
einer Ausgangsleistung von etwa 20 W und einer Abtastgeschwindigkeit von 0,1 m/min auf eine möglichst
hohe Temperatur erhitzt, um eine niedrige Viskosität zu haben. Diese
Einstrahlung des Strahles reduzierte die Haftung des geschmolzenen
Materials um einen möglichst großen Betrag. Im Ergebnis vergrößerte
sich der effektive Strahldurchmesser und die Breite, in der die
Wärme aufgebracht wurde, so daß es schwierig war,
Breiten der zu bildenden Vertiefungen von weniger als 200 µm zu
realisieren. Im Gegensatz dazu besteht bei der Ausführungsform
keine Notwendigkeit, das geschmolzene Material des keramischen Alu
miniumoxidmaterials durch den Laserstrahl zu eliminieren. Es ist
nur ein angegriffener Teil zu bilden, bis dieser die andere Ober
fläche des Basismaterials erreicht, so daß als Zustandswerte des
Strahls eine Ausgangsleistung von 8 W und einer Abtastgeschwindigkeit von 0,1 m/min ausreichend sind.
Das Basismaterial wird nach der Bestrahlung mit dem Laserstrahl
wie in der dritten Ausführungsform in das Ätzmittel getaucht. Ob
gleich diese Verringerung der Ausgangsleistung des Strahls die Haf
tung des geschmolzenen Materials an dem bearbeiteten Teil zur Fol
ge hat, kann die Breite der zu bildenden Rillen auf 90 µm verrin
gert werden, was die Hälfte der Breite der herkömmlichen Rillen
oder noch weniger ist. Daher ist es möglich, Schlitze mit einem
Abstand von 180 µm zu bilden. Während eine große Menge des ge
schmolzenen Materials nach der Laserbestrahlung entsprechend Fig.
6A an dem Basismaterial hängt, ist das geschmolzene Material nach
der Ätzung vollständig entfernt, wie aus Fig. 6B ersichtlich ist.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Zeichnung als fünfte
Ausführungsform der Erfindung das Gravieren von Aluminiumoxid be
schrieben. Fig. 7 zeigt den Querschnitt eines Alumniumoxid-Basis
materials, auf das durch einen Laser eine Gravierung aufgebracht
wird. Aus dem Aluminiumoxid-Basismaterial 5 sind durch den Laser
strahl 12 Vertiefungen 6 und 6′ gebildet. Nach der Bearbeitung hängt
an den Vertiefungen 6 und 6′ ein durch die Strahlwärme angegriffe
ner Teil 7. Die Vertiefungen brauchen nicht notwendigerweise unmit
telbar nach der Lasereinstrahlung gebildet zu werden. Wie aus der
Zeichnung ersichtlich ist, sollte wenigstens der laserbestrahlte
Teil einen nur durch die Wärme gebildeten, angegriffenen Teil 8
haben.
Fig. 8 zeigt eine Ansicht des angegriffenen Teils 7, die man
durch das Rasterelektronenmikroskop erhielt. Es ist zu sehen, daß
in dem angegriffenen Teil 7 eine Vielzahl von Mikrorissen vorhanden
ist. Das Basismaterial 5 von Raumtemperatur wird in ein Ätzmittel
von hoher Temperatur gebracht, so daß das Material einem thermischen
Schock ausgesetzt wird. Das Ätzmittel hat eine solche Konzentration
und Temperatur, daß das Basismaterial 5 nicht korrodiert werden
kann. Während der Ätzung wird das Basismaterial manchmal (z. B. etwa
alle 10 Minuten) aus dem Ätzmittel in Wasser von Raumtemperatur
bis über 10°C gelegt, und es wird dem thermischen Schock ausgesetzt.
Die angegriffenen Teile 7 und 8 des Basismaterials 5 werden in dem
Ätzmittel selektiv korrodiert. Ferner werden die Mikrorisse in den
angegriffenen Teilen 7 und 8 entwickelt, und Teile der angegriffe
nen Teile 7 und 8 schälen sich von dem Basismaterial 5 ab. Durch
Wiederholung dieser Verfahrensweise erhält man - wie in Fig. 9
gezeigt - einen gewünschten bearbeiteten Teil 15 ohne jegliche
Risse und angegriffene Teile mit hoher Genauigkeit in wesentlich
kürzerer Zeit (etwa 30 Minuten) als sie für das herkömmliche Photo
ätzverfahren (1 Stunde oder mehr) erforderlich ist.
Die Behandlungsbedingung bei der oben erwähnten fünften Ausfüh
rungsform wurde wie folgt bestimmt. Da die maximale Temperaturdiffe
renz, bei der Aluminiumoxid einem thermischen Schock standhält,
180°C ist, besteht die Möglichkeit einer Zerstörung des Basismateri
als, wenn ein thermischer Schock mit einer Temperaturdifferenz von
mehr als 180°C einwirkt. Das bei der fünften Ausführungsform ein
gesetzte Ätzmittel, die wäßrige 85%ige Phosphorsäurelösung, beginnt
die Korrosion des oben erwähnten angegriffenen Teils des Aluminium
oxids bei 120°C und beginnt die Schädigung des Basismaterials bei
250°C oder darüber. Aufgrund des vorstehenden wurde 180°C als
Temperatur für die Ätzung, 50°C als Wassertemperatur für den ther
mischen Schock und 30 Minuten als Bearbeitungszeit angewandt. Der
thermische Schock unter Einschluß der Ultraschallvibration in dem
Ätzmittel fördert in wirksamer Weise das Abschälen des angegriffe
nen Teils von dem Werkstück. Während man das Werkstück vorzugsweise
mehrfach einem thermischen Schock aussetzt, ist nur ein thermischer
Schock durchaus wirksam und praktikabel.
Fig. 10 ist eine Querschnittsdarstellung einer Anwendung der
Erfindung auf das Bohren von Aluminiumoxid als sechste Ausführungs
form. Bei dieser sechsten Ausführungsform wird wie in der fünften
Ausführungsform das Basismaterial in einer wäßrigen 85%igen Phos
phorsäure-Lösung bei einer Temperatur von 180°C in einer Bearbei
tungszeit von 30 Minuten geätzt, nachdem das Aluminiumoxid-Basis
material durch den Laserstrahl bearbeitet wurde. Das Ätzmittel
wird mit einer Ultraschallvibration von 47 kHz beschallt. Der an
gegriffene Teil wird dadurch abgeschält. Wie in Fig. 10 gezeigt,
hat die Innenwand des ausgearbeiteten Loches keinen Riß und kein
angegriffenes Teil.
In dieser Weise wird durch Anwendung eines thermischen Schocks
und/oder einer Vibration so geätzt, daß das Basismaterial nicht
geschädigt wird. Auf Grund der Änderung in der Zusammensetzung
(beispielsweise ist der Sauerstoffgehalt verringert) läßt sich in
gewissem Maße der angegriffene Teil im Vergleich zum Basismaterial
leichter ätzen, so daß das Ätzmittel, das durch die in dem ange
griffenen Teil ausgebildeten Risse nach innen dringt, den angegrif
fenen Teil im Umkreis der Risse ätzt. Die an der Grenze zwischen
dem angegriffenen Teil und dem Basismaterial vorliegenden Mikro
risse wachsen, und die angegriffene Schicht wird durch wiederholten
thermischen Schock und/oder Vibrationsätzung vollständig von dem
Basismaterial getrennt. Als Ergebnis wird die angegriffene Schicht
wirksam und ohne jede Schädigung der Oberfläche des Basismaterials
entfernt.
Selbst wenn die Ätzbedingung so eingehalten wird, daß das
Basismaterial geschädigt würde, wird das Basismaterial in einigen
Fällen infolge einer geringen Schädigung unbrauchbar, wie etwa der
Entfernung einer Bindemittelkomponente von der Oberfläche des Basis
materials. Ferner besteht die Notwendigkeit zur Verbesserung des
Durchsatzes, wodurch die Bearbeitung in einem kürzeren Zeitraum er
folgt. Unter diesen Gesichtspunkten wurde nach der Erfindung eine
siebente Ausführungsform durchgeführt.
Die siebente Ausführungsform wird nachfolgend unter Bezugnahme
auf die Zeichnung beschrieben. Zunächst wird wie in Fig. 11 gezeigt
auf die Oberseite eines Basismaterials 31 aus einem keramischen Alu
miniumoxidmaterial als Werkstück durch z. B. Schleuder- oder Walzenbe
schichtung ein Resist aufgebracht. Dann wird ein Film 32
aus Polybutadien-Negativresist in einer Dicke von 5 µm (CBR-M901
von Nippon Gomu Kabushiki Kaisha) durch die Arbeitsgänge des Vor
brennens, Belichtens, Entwickelns, Spülens und Nachbrennens usw.
gleichmäßig auf dem Basismaterial 31 gebildet.
Wie in Fig. 12 gezeigt ist, wird ein CO₂-Laserstrahl 33 auf
einen gewünschten Teil des Resistfilms 32 fokussiert. In dem Resist
film 32 wird infolge der Entfernung des bestrahlten Teils ein Re
sistmuster gebildet. Es werden durch die Hitze des Laserstrahls 33
angegriffene Teile 34, 34a auf dem Teil des Basismaterials 31 gebil
det, in dem der Resist gleichzeitig mit der Bildung des Resistmusters
entfernt wurde. Diese angegriffenen Teile 34, 34a haben eine Viel
zahl winziger Risse wie in den angegriffenen Teilen 22, 22a bei der
dritten Ausführungsform.
Danach wird ähnlich wie bei der dritten Ausführungsform ein
Ätzmittel auf das Basismaterial 31 aufgebracht. Ähnlich wie bei der
dritten Ausführungsform ohne Einsatz eines Resistfilms 32 werden
beispielsweise durch Ätzung des Basismaterials in einer 85%igen
H₃PO₄-Lösung bei 180 bis 200°C während einer Stunde die angegriffe
nen Teile 34, 34a vollständig entfernt. Dann kann durch Entfernung
des Resistfilms 32 ein in Fig. 13 gezeigtes Werkstück mit den Ver
tiefungen 35 und 35a erhalten werden. In diesem Falle ist die Ober
seite des Basismaterials 31 während des Ätzvorgangs durch den
Resistfilm 32 geschützt, so daß man ein Werkstück mit unbeschädigter
Oberfläche erhält. Ferner ermöglicht es der Resistfilm 31, das
Basismaterial unter einer solchen Bedingung zu ätzen, daß das Ma
terial 31 natürlicherweise Schaden nehmen würde, beispielsweise
in einer 85%igen H₃ PO₄-Lösung bei 260 bis 280°C. Diese Ätzung
entfernt angegriffenen Teile 34, 34a in 30 Minuten vollständig. Die
Zeitdauer von 30 Minuten ist äquivalent der halben Zeit, die erfor
derlich ist, wenn kein Resistfilm 32 benutzt wird.
Der in der siebenten Ausführungsform eingesetzte Resistfilm
muß nicht notwendigerweise die Eigenschaft haben, daß er-wie bei
einer normalen Photoätzung durch Belichtung härtet. Ferner kann
eine mildere Bedingung als die der Photoätzung angewendet werden.
Demgemäß können Resistfilme eines weiten Bereiches zur Anwendung
kommen.
Nun wird die achte Ausführungsform in der Reihenfolge der
Verfahrensgänge beschrieben. Bei dieser Ausführungsform dient
Aluminiumoxid als Basismaterial, das im wesentlichen ein kerami
sches Material umfaßt. Wie in Fig. 14 gezeigt ist, wird zuerst
auf die Oberfläche des Basismaterials 41 durch einen Schleuder-
oder Walzenbeschichter ein Resist aufgebracht. Auf dem Basismate
rial 41 wird durch die Verfahrensgänge des Vorbrennens, Belichtens,
Entwickelns, Spülens und Nachbrennens ein Film 42 aus Polybutadien-
Negativresist (CBR-M901 von Nippon Gomu Kabushiki Kaisha) in einer
Dicke von 5 µm gleichmäßig gebildet.
Wie in Fig. 15 gezeigt ist, wird dann ein CO₂-Laserstrahl 43,
der auf eine Energiedichte von 10⁴ W/cm² oder mehr konzentriert ist,
auf einen gewünschten Teil des Resistfilms 42 eingestrahlt. Die
Einstrahlung des Laserstrahls entfernt den Resistfilm 42 auf der
Oberseite des Basismaterials 41, wobei sich ein Resistmuster bil
det. Der Teil des Resistmusters des Basismaterials 41 wird gleich
zeitig mit der Bildung des Resistmusters durch den Laserstrahl an
gegriffen und ein
Teil 44 mit Mikrorissen gebildet.
Der Laserstrahl 43 arbeitet beispielsweise unter den folgen
den Bedingungen: Ausgangsleistung: 100 W; Abtastgeschwindigkeit:
1 m/min; Abtastschritt: 100 µm; das Basismaterial wird bis zu einer
Tiefe von etwa 1 mm ausgearbeitet. Die zu bearbeitende Breite er
hält man gemäß der Gleichung: Abtastschrittbreite (100 µm) ×
Anzahl der Operationen + Strahldurchmesser (etwa 200 µm). Dann
wird das Basismaterial in einer wäßrigen 85%igen Phosphorsäure-
Lösung 20 Minuten bei 200°C geätzt, wobei Ultraschallvibration
von 47 kHz zur Anwendung kommt. Wenn dann der Resist mit einem
Entferner von der Oberfläche abgeschält wird, erhält
man das Basismaterial 41 mit den gewünschten bearbeiteten Teilen
45, 45a gemäß der Darstellung in Fig. 16.
Es ist nunmehr leichter, den in dem Basismaterial 41 gebilde
ten angegriffenen Teil als das Basismaterial zu ätzen, so daß man
auf mildere Bedingungen als bei der herkömmlichen Photoätzung
zurückgreifen kann. Da ferner die Oberfläche des keramischen Ba
sismaterials 41 durch den Resistfilm 42 geschützt ist, wird die
Basismaterialoberfläche durch Ätzung bei einer Temperatur, die
höher als die Bearbeitungstemperatur (180°C) in der sechsten Aus
führungsform ist, nicht geschädigt. Das Ätzen bei einer höheren
Temperatur ermöglicht es, die Bearbeitung in einer kürzeren Bear
beitungszeit durchzuführen. Eine ähnliche Wirkung läßt sich durch
Anwendung eines thermischen Schocks anstelle der Vibration während
der Ätzung erreichen.
Die Gestalt und die Tiefe des angegriffenen Teils kann durch
Änderung wenigstens einer Strahlausgangsgröße, der Strahlabtast
geschwindigkeit, des Abtastschrittes und der Abtastzahl gesteu
ert werden. Man kann beispielsweise auch einen terrassenförmigen
Teil, wie den in Fig. 15 gezeigten angegriffenen Teil 44a bilden.
Tiefere Löcher und Vertiefungen lassen sich durch Steuerung des
Strahls leicht bilden.
Claims (9)
1. Verfahren zum Materialabtrag an schwer bearbeitbarem, im
wesentlichen aus keramischem Material bestehendem Basismaterial,
bei dem in einem ersten Bearbeitungsschritt im abzutragenden
Bereich durch Einstrahlen eines Energiestrahls, insbesondere
eines Laser- oder Elektronenstrahls, Risse gebildet werden
und das abzutragende Material in einem zweiten
Bearbeitungsschritt durch Erweitern und Verlängern dieser
Risse entfernt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
zum Abtrag keramischen Materials die Erweiterung und
Verlängerung der Risse mittels Vibration, thermischem Schock
oder Ätzen erfolgte.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Basismaterial ein keramisches Oxidmaterial ist.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Einstrahlung ein Verfahren zur Abtastung mit dem
Energiestrahls umfaßt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Vibration durch Ultraschall erzeugt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
der thermische Schock durch Erhitzen und anschließendes
Abkühlen des Basismaterials erzeugt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß
auf dem der Einstrahlung ausgesetzten Basismaterial ein
Resistfilm ausgebildet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 oder 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
Vibration und Ätzen des Basismaterials gleichzeitig erfolgt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3 oder 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
nach dem thermischen Schock geätzt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4 oder 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
nach der Vibration geätzt wird.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009045114A1 (de) | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Universität Leipzig | Verfahren zur nasschemischen Strukturierung von supraleitenden, ferromagnetischen oder ferroelektrischen Oxiden bevorzugt auf Basis von Elektronen-Strahl-Lithographie |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991017857A1 (fr) * | 1990-05-23 | 1991-11-28 | Shin Meiwa Industry Co., Ltd. | Robot a laser et son procede de commande, appareil de deviation de faisceau optique et appareil produisant son signal de commande |
US5509556A (en) * | 1994-11-17 | 1996-04-23 | International Business Machines Corporation | Process for forming apertures in a metallic sheet |
CA2246084A1 (en) * | 1998-08-28 | 2000-02-28 | Todd William Simpson | Method of patterning semiconductor materials and other brittle materials |
AU773233B2 (en) * | 1998-11-23 | 2004-05-20 | Zenon Technology Partnership | Water filtration using immersed membranes |
US7113744B1 (en) * | 1999-10-21 | 2006-09-26 | Broadcom Corporation | Adaptive radio transceiver with a power amplifier |
US6300156B1 (en) * | 2000-04-07 | 2001-10-09 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Process for fabricating micromechanical devices |
US7045071B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-05-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating ferroelectric random access memory device |
US7485237B2 (en) * | 2004-07-14 | 2009-02-03 | Decoro Art Stone | Method and apparatus for stone engraving |
US20060235564A1 (en) * | 2005-04-18 | 2006-10-19 | Igor Troitski | Method and multifunctional system for producing laser-induced images on the surfaces of various materials and inside transparent materials |
US7872211B2 (en) * | 2005-06-10 | 2011-01-18 | Igor Troitski | Laser-dynamic system for using in games |
EP2383244A1 (de) * | 2010-04-23 | 2011-11-02 | Omega SA | Keramikelement mit mindestens einem Metalldekoreinsatz |
KR101405396B1 (ko) * | 2012-06-25 | 2014-06-10 | 한국수력원자력 주식회사 | 표면에 혼합층을 포함하는 코팅층이 형성된 지르코늄 합금 및 이의 제조방법 |
US10537963B2 (en) * | 2014-04-18 | 2020-01-21 | Apple Inc. | Coated substrate and process for cutting a coated substrate |
US9673341B2 (en) * | 2015-05-08 | 2017-06-06 | Tetrasun, Inc. | Photovoltaic devices with fine-line metallization and methods for manufacture |
CN106625975B (zh) * | 2016-12-09 | 2019-10-01 | 重庆欧帆门业有限公司 | 门体雕刻加工工艺 |
JP2021012118A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用部品および時計 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3696504A (en) * | 1971-08-11 | 1972-10-10 | John A Cupler | Method of performing sequential non-mechanical and mechanical machining operations along a common centerline |
JPS63190789A (ja) * | 1986-02-28 | 1988-08-08 | 東洋精密工業株式会社 | セラミックスのエッチング成形品及びその製造方法 |
JPS6477506A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Fujitsu Ltd | Method for precision machining ceramic |
JPH0238587A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Toshiba Corp | レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5022957A (en) * | 1989-09-29 | 1991-06-11 | University Of Southern California | Etching process for improving the strength of a laser-machined silicon-based ceramic article |
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1991
- 1991-03-21 US US07/673,652 patent/US5178725A/en not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3696504A (en) * | 1971-08-11 | 1972-10-10 | John A Cupler | Method of performing sequential non-mechanical and mechanical machining operations along a common centerline |
JPS63190789A (ja) * | 1986-02-28 | 1988-08-08 | 東洋精密工業株式会社 | セラミックスのエッチング成形品及びその製造方法 |
JPS6477506A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Fujitsu Ltd | Method for precision machining ceramic |
JPH0238587A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Toshiba Corp | レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Affolter, P. K., u.a., "Laserpräzisionsbearbei- tung von harten und kochfesten Werkstoffen", in: "Technische Rundschau", 1989, H. 20, S. 36, 37 * |
Swoboda, U., u.a., "Excimerlasers - Bearbeitung keramischer Werkstoffe - Ergebnisse und physi- kalische Vorgänge", in: "Lambda Industrial No. 5",1989, Firmenpubl. der Lambda Physik GmbH, Göttingen * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009045114A1 (de) | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Universität Leipzig | Verfahren zur nasschemischen Strukturierung von supraleitenden, ferromagnetischen oder ferroelektrischen Oxiden bevorzugt auf Basis von Elektronen-Strahl-Lithographie |
DE102009045114B4 (de) * | 2009-09-29 | 2017-01-05 | Universität Leipzig | Verfahren zur nasschemischen Strukturierung von supraleitenden, ferromagnetischen oder ferroelektrischen Oxiden und dessen Verwendung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5178725A (en) | 1993-01-12 |
DE4110745A1 (de) | 1991-10-10 |
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