DE102009019161A1 - Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode - Google Patents

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KR1020117028251A KR20120011056A (ko) 2009-04-28 2010-03-25 발광다이오드 및 발광다이오드의 제조 방법
CN2010800185563A CN102414849A (zh) 2009-04-28 2010-03-25 发光二极管以及用于制造发光二极管的方法
PCT/EP2010/053942 WO2010124915A1 (de) 2009-04-28 2010-03-25 Leuchtdiode und verfahren zur herstellung einer leuchtdiode
JP2012507659A JP2012525690A (ja) 2009-04-28 2010-03-25 発光ダイオードおよび発光ダイオードを製造する方法
EP10710339A EP2425464A1 (de) 2009-04-28 2010-03-25 Leuchtdiode und verfahren zur herstellung einer leuchtdiode
US13/263,789 US8796714B2 (en) 2009-04-28 2010-03-25 Light-emitting diode comprising a carrier body, a mirror layer, and two contact layers

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011012298A1 (de) * 2010-12-28 2012-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verbundsubstrat, Halbleiterchip mit Verbundsubstrat und Verfahren zur Herstellung von Verbundsubstraten und Halbleiterchips
DE102011077898A1 (de) * 2011-06-21 2012-12-27 Osram Ag LED-Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer LED-Leuchtvorrichtung
DE102011114641A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2019012084A1 (de) * 2017-07-13 2019-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
WO2019037997A1 (de) * 2017-08-24 2019-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger und bauteil mit pufferschicht sowie verfahren zur herstellung eines bauteils

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9000461B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
JP2011071272A (ja) 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
KR101194844B1 (ko) 2010-11-15 2012-10-25 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP5325197B2 (ja) * 2010-11-30 2013-10-23 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5777879B2 (ja) * 2010-12-27 2015-09-09 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
JP5887638B2 (ja) 2011-05-30 2016-03-16 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード
DE102014105839A1 (de) * 2014-04-25 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2016066476A1 (en) * 2014-10-27 2016-05-06 Koninklijke Philips N.V. Directional light emitting arrangement and a method of producing the same
DE112016000546B4 (de) 2015-01-30 2025-07-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
US10770440B2 (en) * 2017-03-15 2020-09-08 Globalfoundries Inc. Micro-LED display assembly
DE102018119688B4 (de) * 2018-08-14 2024-06-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem ersten Kontaktelement, welches einen ersten und einen zweiten Abschnitt aufweist sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements
KR102186574B1 (ko) 2019-05-29 2020-12-04 한국산업기술대학교산학협력단 발광 다이오드
KR102375592B1 (ko) * 2020-09-03 2022-03-21 한국공학대학교산학협력단 저저항 발광 다이오드

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020074558A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-20 Toshio Hata Nitride type compound semiconductor light emitting element
US20060186424A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Akira Fujimoto White LED and manufacturing method therefor
US20070080362A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Osram Sylvania Inc. LED with light transmissive heat sink
US20070126017A1 (en) * 2005-11-29 2007-06-07 Lumileds Lighting U.S, Llc Luminescent ceramic element for a light emitting device
DE102007022947A1 (de) * 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1534803B (zh) 1996-06-26 2010-05-26 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 具有发光变换元件的发光半导体器件
US6878563B2 (en) 2000-04-26 2005-04-12 Osram Gmbh Radiation-emitting semiconductor element and method for producing the same
US7233028B2 (en) * 2001-02-23 2007-06-19 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods of forming the same
JP4055503B2 (ja) 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP4356723B2 (ja) 2001-07-24 2009-11-04 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
DE10148227B4 (de) 2001-09-28 2015-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement
JP2004297095A (ja) * 2001-11-19 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 化合物半導体発光素子の製造方法
JPWO2003044872A1 (ja) 2001-11-19 2005-03-24 三洋電機株式会社 化合物半導体発光素子
US6730940B1 (en) * 2002-10-29 2004-05-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Enhanced brightness light emitting device spot emitter
TWI317180B (en) * 2004-02-20 2009-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component, device with several optoelectronic components and method to produce an optoelectronic component
JP2006253172A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7943953B2 (en) * 2006-01-31 2011-05-17 Kyocera Corporation Light emitting device and light emitting module
US7521727B2 (en) 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
DE102007019776A1 (de) * 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
US8026527B2 (en) * 2007-12-06 2011-09-27 Bridgelux, Inc. LED structure
DE102008062932A1 (de) 2008-12-23 2010-06-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020074558A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-20 Toshio Hata Nitride type compound semiconductor light emitting element
US20060186424A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-24 Akira Fujimoto White LED and manufacturing method therefor
US20070080362A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Osram Sylvania Inc. LED with light transmissive heat sink
US20070126017A1 (en) * 2005-11-29 2007-06-07 Lumileds Lighting U.S, Llc Luminescent ceramic element for a light emitting device
DE102007022947A1 (de) * 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9997671B2 (en) 2010-12-28 2018-06-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Composite substrate, semiconductor chip having a composite substrate and method for producing composite substrates and semiconductor chips
WO2012089540A1 (de) * 2010-12-28 2012-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verbundsubstrat, halbleiterchip mit verbundsubstrat und verfahren zur herstellung von verbundsubstraten und halbleiterchips
DE102011012298A1 (de) * 2010-12-28 2012-06-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verbundsubstrat, Halbleiterchip mit Verbundsubstrat und Verfahren zur Herstellung von Verbundsubstraten und Halbleiterchips
US9123528B2 (en) 2010-12-28 2015-09-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Composite substrate, semiconductor chip having a composite substrate and method for producing composite substrates and semiconductor chips
DE102011077898A1 (de) * 2011-06-21 2012-12-27 Osram Ag LED-Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer LED-Leuchtvorrichtung
DE102011114641A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US9324920B2 (en) 2011-09-30 2016-04-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component having a transparent oxide connector and method for fabricating the same
DE102011114641B4 (de) 2011-09-30 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2019012084A1 (de) * 2017-07-13 2019-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
US11177414B2 (en) 2017-07-13 2021-11-16 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
WO2019037997A1 (de) * 2017-08-24 2019-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger und bauteil mit pufferschicht sowie verfahren zur herstellung eines bauteils
CN111247646A (zh) * 2017-08-24 2020-06-05 欧司朗Oled股份有限公司 具有缓冲层的载体和器件以及制造器件的方法
US11450794B2 (en) 2017-08-24 2022-09-20 Osram Oled Gmbh Carrier and component with a buffer layer, and method for producing a component
CN111247646B (zh) * 2017-08-24 2023-09-29 欧司朗Oled股份有限公司 具有缓冲层的载体和器件以及制造器件的方法

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Publication number Publication date
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EP2425464A1 (de) 2012-03-07
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US8796714B2 (en) 2014-08-05
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