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Die
Erfindung betrifft ein elektronisches Gerät mit einem Gehäuse
und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das elektronische Gerät
weist mindestens ein Substrat mit einer Stromverdrahtung auf. Das
Gehäuse hat eine metallische Gehäusewand, auf
der das Substrat angeordnet ist. Außerdem weist das elektronische
Gerät mindestens ein stromführendes Außenkontaktelement
auf, das mit der Stromverdrahtung des Substrats elektrisch in Verbindung steht
und einen elektrisch isolierten Durchkontakt durch die metallische
Gehäusewand bildet.
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Die
elektrische Kontaktierung von dem elektronischen Substrat zu einem
derartigen durch das Gehäuse führenden Durchkontakt
wird in der Regel durch Drahtbondverfahren bewerkstelligt. Ein Nachteil
dieser bekannten und eingesetzten Technologie ist ein großer
Raumbedarf der Kontaktierung. Außerdem sind für
eine derartige Kontaktierung über ein Drahtbondverfahren
zwei Kontaktstellen erforderlich, um die elektrische Verbindung
von dem Substrat zu dem Durchkontakt herzustellen, nämlich
eine Verbindung mit Kontakt zwischen Substrat und Bonddraht und
eine weitere Verbindung zwischen Bonddraht und Durchkontakt. Dazu
ist es erforderlich, einen Teil der metallischen Gehäusewand
für den Durchkontakt zu reservieren, in dessen Umgebung
keinerlei Substratmaterial angeordnet wird, so dass der Durchkontakt
für den Drahtbondprozess frei zugänglich ist.
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Eine
Ausführungsform gemäß dem Stand der Technik
zeigt 3. Die metallische Gehäusewand 6 wird
hier von einer flachen Bodenplatte gebildet, auf der ein Substrat 5 in
Form einer Leiterplatte stoffschlüssig angeordnet ist.
Hochstromführende Leiterbahnen werden in dieser Ausführungsform
im Stand der Technik bis an einen Rand der Leiterplatte herangeführt
und von dort aus wird mit Hilfe einer Bondverbindung 16 über
einen Bonddraht 17 oder ein Bondband ein erstes Bondverbindungsende 18 des
Bonddrahts auf einem zweiten Ende 14 eines Außenkontaktelements 7 beispielsweise
durch Reibschweißen oder Ultraschallschweißen
aufgebracht. Ein zweites Bondverbindungsende 19 wird mit
den hochstromführenden Leiterbahnen im Randbereich der
Leiterplatte 10 verbunden.
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Das
Außenkontaktelement 7 wird in Form eines Stiftes 11 isoliert.
Eine Isolationsmasse 24 wird zwischen der elektrisch leitenden
Gehäusewand 6 und dem Außenkontaktelement
eingebracht, so dass der Stift 11 einen Durchkontakt 8 bildet
und aus der Gehäusewand 6 mit einem ersten Ende 13 des
Außenkontaktelements 7 herausragt. Dazu wird der
Bereich 25 des Durchkontaktes in dem Innenbereich 15 des
Gehäuses 4 von Leiterplattenmaterial freigehalten
und ist somit eine ungenutzte bzw. nur schwach genutzte Fläche
im Vergleich zu der Breite b der Leiterplatte 10. Ein Gehäusedeckel 26 kann
das elektronische Gerät 3 gegenüber der
Umgebung hermetisch abschließen. Auch der Gehäusedeckel 26 muss
eine Mindesthöhe H aufweisen, um sicherzustellen, dass der
Bonddraht 17 bzw. das Bondband der Bondverbindung 16 nicht
beeinträchtigt wird. Auch dabei wird ein erheblicher Raumbedarf
für die Kontaktierung gemäß dem Stand
der Technik benötigt.
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Aus
der Druckschrift
US
6,415,182 B1 ist eine hermetisch abdichtende Stiftzusammensetzung bekannt,
um eine elektrische Verbindung zwischen einem hermetisch abgedichteten
Gehäuse und einem externen Schaltkreis zu bilden. Dazu
weist das Gehäuse eine Öffnung auf und einen Stopfen,
der in dem Gehäuse fixiert ist. Eine niedrig schmelzende Legierung
ist zwischen dem Stopfen und dem Gehäuse angeordnet, um
den Stopfen in dem Gehäuse zu fixieren. Zwei unterschiedliche
Stifte sind auf gegenüberliegenden Seiten des Stopfens
eingebracht, wobei eine hoch schmelzende Legierung einen der beiden
Stifte an dem Stopfen fixiert und eine niedrig schmelzende Legierung
den anderen Stift mit dem Stopfen verbindet. Ein derartiger zweiteiliger
Durchkontakt ist relativ komplex aufgebaut und mit großen Justageproblemen
bei der Herstellung verbunden, was ein derartiges elektronisches
Gerät und dessen Herstellung verteuert. Außerdem
muss auch hier genügend Raum ausgespart werden, um auf
einer entsprechenden Gehäusewand ausreichend Platz für die
Durchführung zu schaffen.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, ein elektronisches Gerät mit Gehäuse
und ein Verfahren zur Herstellung desselben zu schaffen, das eine
zuverlässige Hochstromkontaktierung innerhalb eines mediendichten
Gehäuses gewährleistet und eine zuverlässige
elektrische Verbindung des elektronischen Geräts zu peripheren
Komponenten sicherstellt. Dabei sollen die Kontaktierungen mit möglichst
wenigen Prozessschritten und mit geringstem Raumbedarf realisiert
werden.
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Gelöst
wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen
Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben
sich aus den abhängigen Ansprüchen.
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Erfindungsgemäß wird
ein elektronisches Gerät mit einem Gehäuse und
ein Verfahren zur Herstellung desselben geschaffen. Das elektronische Gerät
weist mindestens ein Substrat mit einer Stromverdrahtung auf. Das
Gehäuse hat eine metallische Gehäusewand, auf
der das Substrat angeordnet ist. Außerdem weist das elektronische
Gerät mindestens ein stromführendes Außenkontaktelement
auf, das mit der Stromverdrahtung des Substrats elektrisch in Verbindung
steht und einen elektrisch isolierten Durchkontakt durch die metallische
Gehäusewand aufweist. Das Substrat hat eine Außenkontaktdurchgangsöffnung,
die mit dem Durchkontakt durch die metallische Gehäusewand
fluchtet.
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Dieses
elektronische Gerät hat den Vorteil, dass durch das Vorsehen
einer Außenkontaktdurchgangsöffnung in dem Substrat,
die mit dem Durchkontakt durch die metallische Gehäusewand
fluchtet, die umgebende Innenfläche der Gehäusewand
voll für die Substratfläche zur Verfügung
steht. Lediglich ein minimaler Flächenanteil für
die Außenkontaktdurchgangsöffnung wird benötigt,
um raumsparend die hochstromführende Substratverdrahtung
mit einem entsprechenden Außenkontaktelement elektrisch
zu verbinden.
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Ein
weiterer Vorteil gegenüber dem oben zitierten Stand der
Technik besteht darin, dass lediglich ein einziges Außenkontaktelement
erforderlich ist, das sowohl die Außenkontaktdurchgangsöffnung
des Substrats auffüllt als auch den Durchkontakt durch die
metallische Gehäusewand selbst bildet, da die Außenkontaktdurchgangsöffnung
in dem Substrat mit einer Durchkontaktöffnung durch die
metallische Gehäusewand fluchtet. Außerdem ist
es in vorteilhafter Weise möglich, anstelle einer Drahtbondprozedur zur
elektrischen Kontaktierung ein einfaches Lötverfahren oder
Schweißverfahren im Bereich der Außenkontaktdurchgangsöffnung
des Substrats durchzuführen und den zweiten Kontaktierungsschritt
des Bondprozesses einzusparen.
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Das
Einbringen von Löchern bzw. Öffnungen im Substrat
ist ein Prozess, welcher in der Substratherstellung ohne Gefährdung
des Substrats an sich durchgeführt werden kann. Der Zusatzaufwand für
derartige Außenkontaktdurchgangsöffnungen in dem Substrat
ist im Verhältnis zum Raumgewinn vernachlässigbar
klein, zumal das Außenkontaktelement bzw. die Öffnung
im Substrat nur einen sehr geringen Platz auf dem Substrat einnimmt.
Ein weiterer Vorteil gegenüber den bekannten Bondverbindungen besteht
darin, dass der „Kontaktierplatz” relativ gering
ist. Dennoch können durch derartige Außenkontaktdurchgangsöffnungen
auch Stifte geführt werden, deren Enden anschließend
mit einem Bondverfahren mit den einzelnen Anschlussflächen
bzw. Bondkontaktflächen des Substrats elektrisch verbunden
werden. Dieses kann beispielsweise aus Gründen der Vereinheitlichung
der Kontaktierprozesse oder zur Überbrückung größerer
Abstände zwischen Außenkontaktelement und Bondverbindungsfläche
auf dem Substrat eingesetzt werden.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das
Substrat eine Leiterplatte mit stromführenden Leiterbahnen
auf. Derartige Leiterplatten, insbesondere für Stromversorgungsgeräte, können
durch einfache Bohrungen mit den erfindungsgemäßen
Außenkontaktdurchgangsöffnungen versehen werden,
wobei diese Außenkontaktdurchgangsöffnungen vorzugsweise
mit einem Metall plattiert werden, um einen großflächigen
Kontakt für die stromführenden Außenkontaktelemente
bereitzustellen.
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Ein
weiterer Vorteil besteht darin, dass eine derartige Leiterplatte
auf der metallischen Gehäusewand des elektronischen Geräts
laminiert werden kann, beispielsweise mit einem wärmeleitenden Klebstoff,
so dass ein guter Wärmeleitungsübergang zum Gehäuse
geschaffen wird, um die Aufheizung der stromführenden Leiterbahnen
in zulässigen Grenzen zu halten.
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Vorzugsweise
weist das Außenkontaktelement einen Stift auf, der aus
der Gehäusewand herausragt und in der metallischen Gehäusewand
isolierend über eine Glasmischung eingeschmolzen und fixiert
ist, wobei die Glasmischung das Gehäuse herme tisch abdichtet.
Derartige Durchkontakte mit einer Glasmischung für vorkonfektionierte
Durchkontakte in einem metallischen Einsatzrahmen oder mit einer Glasmischung
zu einer metallischen Gehäusewand werden bei relativ hohen
Temperaturen fixiert, so dass zunächst das Gehäuse
mit dem Außenkontaktelement und der isolierenden Glasmischung
hergestellt wird, bevor ein entsprechendes Substrat mit einer zu
dem Durchkontakt fluchtenden Außenkontaktdurchgangsöffnung
auf die metallische Gehäusewand aufgebracht wird und durch
Löten oder Schweißen mit dem Außenkontaktelement
elektrisch verbunden wird.
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In
einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen,
dass die Gehäusewand einen Kontakteinsatz mit mindestens
einem Außenkontaktelement aufweist, wobei der Kontakteinsatz
in der metallischen Gehäusewand fixiert ist. Ein derartiger
Aufbau hat den Vorteil, dass der Kontakteinsatz getrennt von der
Gehäusefabrikation als vorkonfektioniertes Produkt hergestellt
und gelagert werden kann und anschließend in einer entsprechenden
Gehäusedurchgangsöffnung fixiert werden kann.
Dabei ist es auch vorgesehen, mehrere Außenkontaktelemente
in einem derartigen Kontakteinsatz anzuordnen, wobei derartige Außenkontaktelemente
sowohl nebeneinander auf einer Linie als auch hintereinander in
mehreren Zeilen oder kreisförmig angeordnet sein können.
Dabei ist es von Vorteil, dass in dem Substrat eine der Zahl der
Außenkontaktelemente entsprechende Anzahl von Bohrungen
oder Öffnungen vorgesehen werden. Auch ist es möglich,
Stifte mit unterschiedlichem Querschnitt in einer Glasmischung einzuschmelzen,
zu umhüllen und zu fixieren.
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Dabei
kann das Außenkontaktelement mit einem ersten Ende aus
dem Gehäuse herausragen und mit einem zweiten Ende durch
die Außenkontaktdurchgangsöffnung des Substrats
in einen Innenbe reich des Gehäuses hineinragen, wobei das
zweite Ende mit der Stromverdrahtung verlötet oder verschweißt
ist. Anstelle einer direkten Löt- oder Schweißverbindung
mit der Stromverdrahtung des Substrats kann das zweite Ende, das
in den Innenbereich des Gehäuses hineinragt, auch über
eine Bondverbindung mit der Stromverdrahtung verbunden sein. Dennoch
wird gegenüber dem Stand der Technik, bei dem keine Außenkontaktdurchgangsöffnungen
des Substrats zur Verfügung stehen, eine deutliche Raumersparnis
erreicht, die entweder dadurch genutzt werden kann, dass das elektronische
Gerät in seinen Dimensionen schrumpft oder dass größere Schaltkreise
auf dem Substrat untergebracht werden können.
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Wird
eine Bondverbindung vorgesehen, so wird mindestens ein Bonddraht
oder ein Bondband mit zwei Enden eingesetzt, wobei das erste Bondverbindungsende
mit dem zweiten Ende des Außenkontaktelements verschweißt
ist und ein zweites Bondverbindungsende mit der Stromverdrahtung
des Substrats verschweißt ist. Der Bondvorgang an sich
ist ein Reibschweißprozess, bei dem mittels Ultraschall das
Material des Bonddrahts mit Bondflächen des Substrats bzw.
mit dem zweiten Ende des Außenkontaktelements verschweißt
wird. Dabei werden häufig eutektische Schmelzvorgänge
genutzt, bei denen zwei hoch schmelzende Materialien, wie Gold und Aluminium,
eine niedrig schmelzende eutektische Schmelze bilden können.
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Vorzugsweise
ist das elektronische Gerät ein Gerät der Fahrzeugtechnik
und weist ein Gerät aus der Gruppe elektronische Parkbremsvorrichtung (EPB),
elektronische Führungsvorrichtung, Motorsteuerungsvorrichtung,
Transmissionssteuervorrichtung, Hybridantriebssteuervorrichtung,
Antiblockiervorrichtung (ABS) oder elektronische Stabilitätssteuervorrichtung
(ESP) auf.
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Ein
Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Geräts mit
Gehäuse weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf.
Zunächst wird ein Gehäuse mit einer flächigen
metallischen Gehäusewand und einer Durchgangsöffnung
durch die Gehäusewand für mindestens ein Außenkontaktelement
hergestellt. Daneben wird ein Substrat mit Bestückung und
Stromverdrahtung mit einer Außenkontaktdurchgangsöffnung,
die mit einer Durchgangöffnung durch die Gehäusewand
fluchtet, hergestellt. Schließlich wird ein Außenkontaktelement
in der Gehäusewand fixiert, das entweder mit einer Glasumhüllung
in einem Metallrahmen vorgefertigt ist oder in die metallische Gehäusewand
direkt als Durchkontakt durch das Gehäuse eingeschmolzen
wird.
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Dabei
ragt ein erstes Ende des Außenkontaktelements aus der Gehäusewand
heraus und ein zweites Ende ragt in den Innenbereich des Gehäuses hinein.
Nun kann das Substrat auf die Gehäusewand unter Durchführen
des zweiten Endes des Außenkontaktelements durch die Außenkontaktdurchgangsöffnung
des Substrats eingebracht werden. Abschließend erfolgt
ein elektrisches Verbinden des zweiten Endes des Außenkontaktelements
mit der Stromverdrahtung des Substrats.
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Dieses
Verfahren hat den Vorteil, dass mit wenigen Prozessschritten eine
zuverlässige Verbindung zwischen der Stromverdrahtung des
Substrats und einem Außenkontaktelement geschaffen wird und
ein hermetisch abgeschlossenes Gehäuse möglich
wird, so dass weder Gas noch Flüssigkeit oder Partikel
die Zuverlässigkeit des elektronischen Geräts
von außen beeinträchtigen können. Darüber
hinaus hat das Verfahren den Vorteil, dass mit dem Einschmelzen
des Außenkontaktelements in eine Glasumhüllung,
ein hochtemperaturfestes elektronisches Gerät geschaffen
wird, das auch extremen Temperaturwechselbelastungen gewachsen ist.
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In
einem weiteren Verfahren ist es vorgesehen, dass in einem vorkonfektionierten
Metallrahmen mehrere Außenkontaktelemente angeordnet werden, die
mit ihren ersten Enden aus dem Gehäuse herausragen und
mit ihren zweiten Enden in das Gehäuse hineinragen, wobei
die Außenkontaktelemente in dem Metallrahmen eines Kontakteinsatzes
von einer Glasmischung umhüllt werden. Diese Verfahrensvariante
hat den Vorteil, dass derartige Kontakteinsätze vorproduziert
und gelagert werden können, so dass der Glaseinschmelzprozess
von Außenkontaktelementen in einen Metallrahmen optimiert
durchgeführt werden kann.
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Vorzugsweise
wird als Außenkontaktelement ein Stift verwendet, der unterschiedliche
Querschnitte aufweisen kann. Das elektrische Verbinden des zweiten
Endes des Außenkontaktelements mit der Stromverdrahtung
des Substrats kann entweder durch einen Lötprozess oder
durch einen Schweißprozess durchgeführt werden,
wobei mit einer derartigen Technologie die größte
Raumersparnis für das elektronische Gerät realisiert
werden kann. Weiterhin ist es möglich, das zweite Ende
des Außenkontaktelements mit der Stromverdrahtung des Substrats über
eine Bondverbindung elektrisch zu verbinden oder eine Kombination
aus Bondverbindungselementen und aus Löt- und Schweißverbindungen
in Abhängigkeit von den Anforderungen an das elektronische
Gerät durchzuführen.
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Wird
wie oben erwähnt ein vorproduzierter bzw. vorkonfektionierter
Metallrahmen eines Kontakteinsatzes mit der Durchgangsöffnung
durch die Gehäusewand verbunden, so kann dieses stoffschlüssig,
formschlüssig oder auch kraftschlüssig durchgeführt
werden. Vorzugsweise werden derartige Kontakteinsätze in
die Gehäusewand geklebt, gelötet oder auch geschweißt.
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Die
Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher
erläutert.
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1 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Gerät
gemäß einer ersten Ausführungsform der
Erfindung;
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2 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Gerät
gemäß einer zweiten Ausführungsform der
Erfindung;
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3 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Gerät
gemäß dem Stand der Technik.
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1 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Gerät 1 gemäß einer ersten
Ausführungsform der Erfindung. Das elektronische Gerät 1 weist
ein Gehäuse 4 auf, wobei in diesem schematischen
Querschnitt ein Durchkontakt 8 durch eine metallische Gehäusewand 6 von
dieser elektrisch isoliert ist. Der Durchkontakt 8 weist
ein erstes Ende 13 auf, das aus dem Gehäuse 4 herausragt,
und ein zweite Ende 14, das in den Innenbereich 15 des
Gehäuses 4 hineinragt. Dazu ist das Außenkontaktelement 7 als
Durchkontakt 8 in einer Durchgangsöffnung 20 durch
die Gehäusewand angeordnet, wobei die Durchgangsöffnung 20 für
einen Kontakteinsatz 21 vorbereitet ist, der aus einem
Metallrahmen 22 und einer Glasumhüllung 23 für
das Außenkontaktelement 7 besteht.
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Dabei
sorgt die Glasumhüllung 23 für eine hermetische
Abdichtung des Innenbereichs 15 des Gehäuses gegenüber
der Umgebung. Ein derartiger Kontakteinsatz 21 mit einer
Glasumhüllung 23 für den Durchkontakt 8 hat
den Vorteil, dass der Kontakteinsatz 21 extern produziert
und gelagert werden kann.
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Auf
der metallischen Gehäusewand 6, die gleichzeitig
der Wärmeableitung dient und einen Gehäuseboden
in dieser Ausfüh rungsform der Erfindung bildet, ist ein
Substrat 5 in Form einer Leiterpatte 10 angeordnet,
die im Bereich des Außenkontaktelements 7 eine
Außenkontaktdurchgangsöffnung 9 aufweist,
die derart angeordnet ist, dass die Außenkontaktdurchgangsöffnung 9 mit
dem Durchkontakt 8 fluchtet. Somit ist es möglich,
mit einer einzigen Löt- oder Schweißverbindung
das zweite Ende 14 des Außenkontaktelements 7 nach
Aufbringen oder Auflaminieren der Leiterplatte 10 auf die
metallische Gehäusewand 6 an hochstromführende
Leiterbahnen der Leiterplatte anzulöten oder anzuschweißen.
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Praktisch
kann das zweite Ende 14 des Außenkontaktelements 7 mit
der Oberseite 27 der Leiterplatte 10 bündig
abschließen, so dass eine minimale Höhe h des
Gehäusedeckels 26 bei dieser Ausführungsform
der Erfindung möglich ist. Die Höhe h des Gehäusedeckels
ist nicht mehr abhängig von irgendeiner Bondverbindungshöhe,
sondern nur noch von der Höhe der auf der Leiterplatte 10 angeordneten
diskreten oder integrierten Schaltungselemente.
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2 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Gerät 2 gemäß einer zweiten
Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen
Funktionen wie in 1 werden mit gleichen Bezugszeichen
gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Mit dieser zweiten
Ausführungsform der Erfindung wird lediglich demonstriert,
dass bereits eine Raumersparnis oder ein Raumgewinn mit Hilfe der
erfindungsgemäßen Lösung möglich
ist, selbst wenn eine Bondverbindung 16 zum Verbinden des
zweiten Endes 14 eines Außenkontaktelements 7 mit
der Stromverdrahtung des Substrats 5 oder wie hier gezeigt
mit Leiterbahnen einer Leiterplatte 10 vorgesehen ist.
Durch die erfindungsgemäße Außenkontaktdurchgangsöffnung 9 in
der Leiterplatte 10 kann der größte Teil
der Gehäusewand 6 genutzt werden, um eine Leiterplatte 10 aufzubringen
und eine größere Anzahl von Bestückungselementen
auf der Leiterplatte 10 anzuordnen.
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Mit
dieser zweiten Ausführungsform der Erfindung gemäß 2 wird
in diesem Querschnitt neben einem Außenkontaktelement 7 in
Verbindung mit einer Bondverbindung 16 auch ein weiteres
Außenkontaktelement 7 mit einer Lötverbindung
zu der Stromverdrahtung der Leiterplatte 10 gezeigt. Zum Herstellen
eines derartigen elektronischen Geräts wird zunächst
die Gehäusewand 6 mit den Außenkontaktelementen 7 und
den Durchkontakten 8 hergestellt, wobei ein Stift 11 in
einem Kontakteinsatz 21 in eine Glasumhüllung 23 eingeschmolzen
wird. Dann werden die Kontakteinsätze 21 in entsprechenden
Durchgangsöffnungen 20 der Gehäusewand 6 fixiert.
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Erst
danach wird die vorbereitete Leiterplatte 10 mit den fluchtenden
Außenkontaktdurchgangsöffnungen 9 auf
die Gehäusewand 6 aufgebracht und eine Bondverbindung 16 und
eine Lötverbindung der zweiten Enden 14 der Außenkontaktelemente 7 durchgeführt.
Danach kann ein hermetisch das Gehäuse und das elektronische
Gerät abschließender Gehäusedeckel 26 aufgebracht
werden, dessen Höhe H der Höhe H des in 3 gezeigten
Gehäusedeckels 26 entspricht. Mit den oben geschilderten wenigen
Verfahrensschritten ist es möglich, entweder ein räumlich
verkleinertes elektronisches Gerät herzustellen oder mit
einem vergrößerten Substrat 5 mehr Komponenten
für das elektronische Gerät auf dem Substrat 5 unterzubringen.
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3 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein elektronisches Gerät 3 gemäß dem Stand
der Technik, wie er bereits einleitend erörtert wurde,
so dass sich eine Wiederholung an dieser Stelle erübrigt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen
Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt
keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Zitierte Patentliteratur
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