DE102008039732A1 - Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreise - Google Patents

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Abstract

Ausführungsbeispiele der Erfindung betreffen Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreise, integrierte Schaltkreise und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreises. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist ein Ladungsschutz-Schaltkreis auf einen ersten Anschluss, gekoppelt mit einem Ladungs-Empfangsbereich, einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt und einen Gleichrichter-Schaltkreis, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis mindestens zwei anti-parallel gekoppelte gleichrichtende Komponenten aufweist.

Description

  • Ausführungsbeispiele der Erfindung betreffen Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreise, integrierte Schaltkreise und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreises.
  • Plasmaprozesse in CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor (Komplementäre Metalloxidhalbleiter))-Logik (Ätzprozesse oder Abscheideprozesse) können zu einer starken Aufladung mit Ladungsträgern auf Photoresists, Metallen und Halbleiteroberflächen führen. Wenn diese Ladungen in Kontakt kommen mit beispielsweise einem Gateoxid eines Feldeffekttransistors, so können sie zu einer Oxid-Degradation oder einer Oxid-Zerstörung führen. Da es nicht möglich ist, vorherzusagen, welche Polarität die Ladungsträger bei der Aufladung aufweisen, ist es wünschenswert die Komponenten während des Herstellungsprozesses derselben gegen die Aufladung mit Ladungsträgern beider Polaritäten zu schützen.
  • Zum Schützen beispielsweise eines Gateoxids vor hohen Spannungen während eines Herstellungsprozesses werden üblicherweise Dioden zwischen das Gate eines Feldeffekttransistors und das Substrat angeordnet. Während des Plasmaätzens werden diese Dioden leitend aufgrund der Existenz von UV(Ultraviolett)-Strahlung. Somit kann die Metallleitung, welche das Gate kontaktiert, mittels der leitenden Diode entladen werden und das Oxid wird nicht geschädigt.
  • Ein geeigneter Schutz erfordert üblicherweise sehr große Dioden, welche eine große parasitäre Kapazität an dem geschützten Knoten eines integrierten Schaltkreises bilden.
  • Somit repräsentieren sie eine parasitäre Impedanz zu dem Masseknoten (Erdungsknoten) des integrierten Schaltkreises.
  • Zusätzlich zu der parasitären Impedanz können diese Strukturen auch problematisch sein, wenn Funkfrequenz(Radio Frequency, RF)-S-Parameter gemessen werden, beispielsweise aufgrund des schlechten Verhältnisses zwischen der Kapazität von Messpads (zuzüglich Antennendiode) und der zu messenden Einrichtung.
  • Mit weiter wachsender Miniaturisierung werden die Aufladungsprobleme voraussichtlich immer schlimmer.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. In den Figuren sind gleiche oder ähnliche Elemente, soweit zweckmäßig, in allen Ansichten mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu, es wurde stattdessen allgemein Wert darauf gelegt, die Prinzipien der Ausführungsbeispiele der Erfindung zu erläutern. In der folgenden Beschreibung werden verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die folgenden Figuren beschrieben.
  • Es zeigen
  • 1 einen integrierten Schaltkreis gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 2 ein Ausführungsbeispiel eines Teils des in 1 dargestellten integrierten Schaltkreises gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 3A und 3B Strom/Spannungs-Diagramme von Dioden gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei 3A ein Strom/Spannungs-Diagramm zeigt, in dem die Eigenschaften von seriell-gekoppelten Dioden mit jeweils unterschiedlicher Anzahl seriell-gekoppelter Dioden dargestellt sind in einem Bereich von ungefähr 600 mA bis ungefähr –600 mA, und 3B ein Strom/Spannungs-Diagramm zeigt, in welchem die Eigenschaften von seriell-gekoppelten Dioden für eine unterschiedliche Anzahl von seriell-gekoppelten Dioden in einem Bereich von ungefähr 1 A bis ungefähr 10–13 mA dargestellt sind;
  • 4A und 4B Strom/Spannungs-Diagramme gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei 4A ein Strom/Spannungs-Diagramm zeigt, in dem die Eigenschaften von seriell-gekoppelten Dioden mit jeweils unterschiedlicher Anzahl von seriell-gekoppelten Dioden in einem Bereich von ungefähr 300 mA bis ungefähr –300 mA dargestellt sind, und 4B zeigt ein Strom/Spannungs-Diagramm, in dem die Eigenschaften von seriell-gekoppelten Dioden mit jeweils unterschiedlicher Anzahl seriell gekoppelter Dioden in einem Bereich von ungefähr 1 A bis ungefähr 10–16 mA dargestellt sind;
  • 5 eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten pn-Dioden gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 6 eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten np-Dioden gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 7 die Strompfade für elektrische Entladung für unterschiedliche Polaritäten für die Mehrzahl von seriell-gekoppelten pn-Dioden, wie sie in 5 gezeigt sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 8 die Strompfade für elektrische Entladung für unterschiedliche Polaritäten für die Mehrzahl von seriell-gekoppelten np-Dioden, wie sie in 6 gezeigt sind, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
  • 9 einen Kleinsignal-Ersatzschaltkreis eines Dioden-Teilschaltkreises gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
  • 10 ein Ausführungsbeispiel eines Schutzschaltkreis-Teils eines integrierten Schaltkreises gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei nur Schutz gegen eine Polarität realisiert ist.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe "verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung.
  • Herkömmlicherweise wurde eine Antennen-Aufladung vermieden, indem eine Schutzdiode mit ausreichender Größe zwischen einem Metall und einem Substrat angeordnet wurde. Diese Diode führt entweder den Strom im Vorwärts-Modus oder wird leitend aufgrund der UV-Strahlung. Daher können die Metalle, die mit einer Schutzdiode gekoppelt sind, entladen werden und Spannungsspitzen werden vermieden. Die herkömmliche Schutzdiode sollte ausreichend groß gewählt werden, so dass in dem Fall von Entladung der elektrische Widerstand der Schutzdiode ausreichend klein ist und ein Spannungsabfall nicht ausreichend groß ist, um das zu schützende elektronische Element zu beschädigen, beispielsweise das Gateoxid eines zu schützenden Feldeffekttransistors.
  • In der Praxis kann die Verwendung einer Schutzdiode dazu führen, dass sehr große Antennen-Schutzdioden verwendet werden zum Vermeiden von Einrichtungs-Degradation. Beispielsweise beträgt gemäß einer Entwurfsregel die minimale Fläche einer Schutzdiode ungefähr 1/20 der Fläche, die für das Metall in dem integrierten Schaltkreis vorgesehen ist. Als Ergebnis kann es schwierig sein, geeignete RF-Messungen durchzuführen mit ausreichendem oder vollständigem Antennenschutz (in einer RF-Messung wird das Device-Gate direkt an ein Kontakt-Pad angeschlossen).
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wie in 1 dargestellt, weist ein integrierter Schaltkreis 100 einen Schaltkreis 102 mit Antenneneigenschaften auf.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Schaltkreis 102 ein Hochfrequenzschaltkreis, wie beispielsweise ein Oszillatorschaltkreis mit mindestens einer Spule, sein, alternativ beispielsweise ein Verstärkerschaltkreis (beispielsweise ein Niedrig-Rauschen-Verstärkerschaltkreis (Low Noise Amplifier circuit)) mit mindestens einer Spule. Der Schaltkreis kann in einem Ladung-Aufnahmebereich (auch bezeichnet als Ladung-Empfangsbereich) 104 angeordnet sein oder kann mit dem Ladung-Aufnahmebereich 104 gekoppelt sein. In einem alternativen Ausführungsbeispiel kann der Schaltkreis 102 weggelassen werden und nur der Ladung-Aufnahmebereich 102 kann vorgesehen sein.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung werden die Ladungsträger in dem Ladung-Aufnahmebereich 104, welcher Antenneneigenschaften aufweisen kann, während eines Halbleiter-Herstellungsprozesses zum Herstellen einer Halbleiteranordnung empfangen, anders ausgedrückt, aufgenommen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung kann der Ladung-Aufnahmebereich 104 mindestens eines der folgenden Materialien enthalten wie beispielsweise Photoresistmaterial, Metall oder anderes elektrisch leitendes oder halbleitendes Material, das elektrische Ladungsträger empfangen kann. Die elektrischen Ladungsträger können erzeugt werden, beispielsweise während eines Halbleiter-Herstellungsprozesses, beispielsweise während eines Plasmaprozesses (beispielsweise während eines Ätzprozesses oder eines Abscheidungsprozesses oder während irgendeines anderen bereitgestellten Plasmaprozesses), durchgeführt in den Metallisierungsbereichen eines integrierten Schaltkreises während der Herstellung desselben, beispielsweise während des Herstellens von Logikschaltkreisen oder Speicherschaltkreisen. Jedoch sind die Ausführungsbeispiele der Erfindung nicht beschränkt auf solche Prozesse, sondern sind anwendbar auf jeden Prozess, in dem elektrische Ladungsträger erzeugt werden und ein elektrisches Element oder mehrere elektrische Elemente gegen die Ladungsträger geschützt werden soll(en), beispielsweise gegen eine Überladung. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Ladung-Aufnahmebereich 104 ein Kontakt-Pad oder mehrere Kontakt-Pads des integrierten Schaltkreises 100 aufweisen.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der integrierte Schaltkreis 100 zusätzlich einen ersten Anschluss (auch bezeichnet als erster Knoten) 106 auf, welcher mit dem Ladung-Aufnahmebereich 104 derart gekoppelt ist, dass die von dem Ladung-Aufnahmebereich 104 empfangenen Ladungsträger sich zu dem ersten Anschluss 106 bewegen können, womit dessen elektrisches Potential verändert wird. Ferner kann der integrierte Schaltkreis 100 ein elektronisches Element 108 aufweisen, welches mit dem ersten Anschluss 106 gekoppelt ist. Das elektronische Element 108 soll gegen eine Überladung geschützt werden, d. h. gegen eine Existenz von zu vielen Ladungsträgern an dem ersten Anschluss 106 und somit gegen eine Überspannung (ein zu hohes elektrisches Potential), welche an dem ersten Anschluss 106 auftreten kann.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann das elektronische Element 108 ein Transistor wie beispielsweise ein Bipolartransistor oder ein Feldeffekttransistor sein. Der Feldeffekttransistor kann jede Art von Feldeffekttransistor sein wie beispielsweise ein MIS(Metall-Isolator-Halbleiter)-Feldeffekttransistor, ein MOS(Metall-Oxid-Halbleiter)-Feldeffekttransistor, ein CMOS(komplementärer Metall-Oxid- Halbleiter)-Feldeffekttransistor, etc. Ferner kann der Feldeffekttransistor in jeder Art von Struktur vorgesehen sein wie beispielsweise als ein planarer Feldeffekttransistor, als ein vertikaler Feldeffekttransistor oder als ein FIN-Feldeffekttransistor. Der Feldeffekttransistor kann ein Gate aufweisen oder eine Mehrzahl von Gates, die neben dem Kanalbereich des Feldeffekttransistors angeordnet sind. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Feldeffekttransistor ein Gateoxid auf, welches auf oder über dem Kanalbereich angeordnet ist und einen Gatebereich, angeordnet auf oder über dem Gateoxid. In diesem Ausführungsbeispiel ist beispielsweise das Gate-Isoliermaterial (beispielsweise das Gateoxid) gegen eine Überspannung an dem ersten Anschluss 106 geschützt. In einem anderen Ausführungsbeispiel ist der Steueranschluss (beispielsweise 118) (beispielsweise der Basisanschluss eines Bipolartransistors oder der Gatebereich eines Feldeffekttransistors) des Transistors mit dem ersten Anschluss 106 gekoppelt.
  • Ferner ist ein Gleichrichter-Schaltkreis, beispielsweise ein Dioden-Schaltkreis 110, vorgesehen und mit dem ersten Anschluss 106 auf der einen Seite (auch bezeichnet als Eingangsseite) des Dioden-Schaltkreises 110 gekoppelt und mit einem zweiten Anschluss 112 auf der gegenüberliegenden Seite (auch bezeichnet als Ausgangsseite) des Dioden-Schaltkreises 110.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der zweite Anschluss 112 mit einem Bezugspotential gekoppelt, beispielsweise mit dem Massepotential (Erdungspotential) 114, beispielsweise dem Schaltkreis-Massepotential 114.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung bilden der erste Anschluss 106, der Dioden-Schaltkreis 110 und der zweite Anschluss 112 einen Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladung- Schutzschaltkreis zum Schützen des elektronischen Elements 108 beispielsweise gegen eine Überspannung an dem ersten Anschluss 106, die beispielsweise während eines Halbleiter-Herstellungsprozesses auftritt, wie oben beschrieben.
  • Wie im Folgenden näher erläutert wird, ist der Gleichrichter-Schaltkreis, beispielsweise der Dioden-Schaltkreis 110, zwischen dem ersten Anschluss 106 und dem zweiten Anschluss 112 gekoppelt und kann mindestens zwei anti-parallel gekoppelte Gleichrichter-Komponenten aufweisen, wie beispielsweise mindestens zwei anti-parallel gekoppelte Dioden. In einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Gleichrichter-Schaltkreis mindestens zwei anti-parallel gekoppelte andere Gleichrichter-Komponenten, wie beispielsweise Transistoren in einer Gleichricht-Koppelstruktur, aufweisen (beispielsweise einen MOS-Feldeffekttransistor in Dioden-Kopplung) oder Thyristoren, die in einer Gleichricht-Koppelstruktur gekoppelt sind oder eine Gleichricht-Funktionalität bereitstellen.
  • In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Gleichrichter-Schaltkreis eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten aufweisen, wobei die gleichrichtenden Komponenten alle in derselben Flussrichtung geschaltet sind. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Gleichrichter-Schaltkreis einen ersten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten aufweisen, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind, und einen zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind.
  • In dem Ausführungsbeispiel, in dem das elektronische Element 108 ein Transistor ist, kann ein erster gesteuerter Anschluss 120 (beispielsweise ein Emitteranschluss oder ein Kollektoranschluss eines Bipolartransistors oder ein Source/Drain-Bereich eines Feldeffekttransistors) mit einem Lastschaltkreis 124 (beispielsweise ein Logikschaltkreis oder mehrere Logikschaltkreise oder ein Speicherschaltkreis oder mehrere Schaltkreise) verbunden sein und der jeweilige zweite gesteuerte Anschluss 122 des Transistors kann mit dem Bezugspotential 114 gekoppelt sein.
  • Wie im Folgenden näher erläutert wird, weist in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung der Dioden-Schaltkreis 110 einen ersten Dioden-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten Dioden (im Allgemeinen eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten auf), wobei die Dioden des ersten Dioden-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung verbunden sind, und einen zweiten Dioden-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten Dioden (im Allgemeinen eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten), wobei die Dioden des zweiten Dioden-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung miteinander verbunden sind. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die Dioden des ersten Dioden-Teilschaltkreises anti-parallel zu den Dioden des zweiten Dioden-Teilschaltkreises gekoppelt.
  • In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die Dioden des ersten Dioden-Teilschaltkreises pn-Dioden, wobei der p-Anschluss einer ersten Diode des ersten Dioden-Teilschaltkreises mit dem ersten Anschluss gekoppelt ist, und der n-Anschluss einer letzten Dioden des ersten Dioden-Teilschaltkreises mit dem zweiten Anschluss gekoppelt ist, und die Dioden des zweiten Dioden-Teilschaltkreises sind np-Dioden, wobei der n-Anschluss einer ersten Diode des zweiten Dioden-Teilschaltkreises mit dem ersten Anschluss gekoppelt ist und der p-Anschluss einer letzten Diode des zweiten Dioden-Teilschaltkreises mit dem zweiten Anschluss gekoppelt ist. Es ist anzumerken, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen der Erfindung jede Art von Dioden verwendet werden kann, beispielsweise pn-Dioden oder np-Dioden (d. h. Dioden mit einem pn-Übergang oder mit einem np-Übergang), PIN-Dioden, Schottky-Dioden, Zener-Dioden, Avalanche-Dioden, Esaki-Dioden, etc. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung können Dioden verwendet werden, welche eine exponentielle Spannung/Strom-Kennlinie aufweisen. Wie zuvor erläutert, können in einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung anstelle von Dioden andere gleichrichtende Komponenten verwendet werden wie beispielsweise Transistoren in einer Gleichricht-Koppelstruktur (beispielsweise ein MOS-Feldeffekttransistor in Dioden-Verbindung) oder Thyristoren, gekoppelt in einer Gleichricht-Koppelstruktur oder bereitstellend eine Gleichricht-Funktionalität. Anschaulich stellen Ausführungsbeispiele der Erfindung ein Schutzschema bereit, welches ein elektronisches Element wie beispielsweise einen Transistor gut schützt und gleichzeitig nur geringe Parasiten aufweist.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die herkömmlich auftretende hohe parasitäre Kapazität durch ein neues Schutzkonzept reduziert. Der Schutz kann realisiert werden mittels einer Anti-Parallel-Anordnung von seriell-gekoppelten pn-Dioden und np-Dioden, wie im Folgenden noch näher erläutert wird. Die Spannung, wenn dieser Serien-Dioden-Stapel vorwärts-vorgespannt wird, kann eingestellt werden, indem die am meisten geeignete Anzahl von Dioden ausgewählt wird. Ein Effekt des Verwendens des Diodenstapels mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten Dioden ist, dass die parasitäre Kapazität wesentlich geringer ist als in dem Fall der Verwendung einer einzelnen Diode. Mittels dieser Anordnung von Dioden in einer seriellen Anordnung kann die Gesamtkapazität zusätzlich reduziert werden.
  • 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Teils 200 des in 1 dargestellten integrierten Schaltkreises 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Wie in 2 gezeigt ist, ist das elektronische Element 108 als ein Transistor ausgestaltet, beispielsweise als ein MOS-Feldeffekttransistor, beispielsweise als ein CMOS-Feldeffekttransistor, wobei beispielsweise dessen Gateoxid gegen eine Schädigung geschützt werden soll, die auftreten kann aufgrund einer Überladung an dem ersten Anschluss 106. Wie oben beschrieben worden ist, kann der erste Anschluss 106 mit dem Ladung-Aufnahmebereich 104 gekoppelt sein. Somit stellt in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung anschaulich der erste Anschluss 106 eine Gate-Verbindung (des MOS-Feldeffekttransistors) mit einer Antennen-relevanten Metallfläche eines integrierten Schaltkreises bereit, in anderen Worten, mit einer Metallfläche, welche Antenneneigenschaften zeigt.
  • In dem in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel weist der Dioden-Schaltkreis 110 eine Mehrzahl von, beispielsweise zwei, Dioden-Teilschaltkreise auf, beispielsweise einen ersten Dioden-Teilschaltkreis 202 und einen zweiten Dioden-Teilschaltkreis 204. Der erste Dioden-Teilschaltkreis 202 weist eine Mehrzahl von ersten Dioden 206 auf, welche miteinander in Serie gekoppelt sind, wobei die Dioden des ersten Dioden-Teilschaltkreises 202 alle in derselben Flussrichtung geschaltet sind, d. h. ein n-Bereich einer ersten Diode 206 ist verbunden mit dem p-Bereich der nachfolgenden ersten Diode 206 der Serien-Verbindung des ersten Dioden-Teilschaltkreises 202. Wie in 2 gezeigt ist, ist der p-Bereich der ersten Dioden 206 des ersten Dioden-Teilschaltkreises 202 mit dem ersten Anschluss 106 gekoppelt und der n-Bereich der letzten ersten Diode 206 des ersten Dioden-Teilschaltkreises 202 ist mit dem zweiten Anschluss 112 gekoppelt. Ferner weist der zweite Dioden-Teilschaltkreis 204 eine Mehrzahl von zweiten Dioden 208 auf, welche miteinander in Serie gekoppelt sind, wobei die Dioden des zweiten Dioden-Teilschaltkreises 206 alle in derselben Flussrichtung geschaltet sind, d. h. ein n-Bereich einer zweiten Diode 208 ist verbunden mit dem p-Bereich der nachfolgenden zweiten Diode 208 der Serien-Verbindung des zweiten Dioden-Teilschaltkreises 204. Wie in 2 dargestellt ist, ist der n-Bereich der ersten zweiten Diode 208 des zweiten Dioden-Teilschaltkreises 204 verbunden mit dem ersten Anschluss 106 und der p-Bereich der letzten zweiten Diode 208 des zweiten Dioden-Teilschaltkreises 204 ist mit dem zweiten Anschluss 112 gekoppelt. Somit sind der erste Dioden-Teilschaltkreis 202 und der zweite Dioden-Teilschaltkreis 204 miteinander anti-parallel gekoppelt. Die Anzahl von ersten Dioden 206 und zweiten Dioden 208 kann beliebig gewählt werden, obwohl in diesem Beispiel vier erste Dioden 206 und vier zweite Dioden 208 vorgesehen sind. Die Anzahl von ersten Dioden 206 und zweiten Dioden 208 kann gleich sein, in einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung kann jedoch die Anzahl von ersten Dioden 206 und zweiten Dioden 208 unterschiedlich sein. Ferner können alle erste Dioden 206 die gleiche Größe und Eigenschaften (beispielsweise Dotierprofil) aufweisen, oder sie können unterschiedlich sein hinsichtlich ihrer Größe und/oder Eigenschaften. In gleicher Weise können alle zweiten Dioden 208 die gleiche Größe und Eigenschaften (beispielsweise Dotierprofil) aufweisen, oder sie können vorgesehen sein mit unterschiedlicher Größe und/oder Eigenschaften.
  • Wie zuvor beschrieben worden ist, können/kann in einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung der erste Dioden-Teilschaltkreis 202 und/oder der zweite Dioden-Teilschaltkreis 204 jeweils nur eine erste Diode 206 bzw. nur eine zweite Diode 208 aufweisen.
  • Durch Auswählen der Anzahl und der Art/Größe/Eigenschaften der vorgesehenen ersten Diode(n) 206 und/oder zweiten Diode(n) 208 kann der bereitgestellte Leckstrom und die Stromfluss-Eigenschaft gewählt werden und an die Anwendungsabhängigen Anforderungen angepasst werden.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung werden die Eigenschaften von seriell-gekoppelten Dioden verwendet.
  • Beispielsweise ermöglichen die exponentiellen Strom/Spannungs-Kurven der verwendeten Dioden 206, 208 die Einstellung des Einsetzens des Vorwärtsstroms mittels Auswählens der korrekten Anzahl von Dioden 206, 208 (beispielsweise wenn Oxide mit unterschiedlichen Spannungshärten verwendet werden). Indem zwei anti-parallele Diodenstapel verwendet werden (beispielsweise der erste Dioden-Teilschaltkreis 202 und der zweite Dioden-Teilschaltkreis 204), wird ein Schutz realisiert für jede Art von Polarität der Ladung. Der Vorwärtsstrom einer Diode kann sehr viel größer sein als der Schutzstrom einer herkömmlichen Antennen-Schutzdiode während UV-induzierter Leitung. Somit kann in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ein Schutz realisiert werden mit viel kleineren Dioden, womit eine geringere parasitäre Kapazität bereitgestellt wird.
  • Wie oben beschrieben worden ist, werden in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung anti-parallele Diodenstapel (beispielsweise der erste Dioden-Teilschaltkreis 202 und der zweite Dioden-Teilschaltkreis 204) verwendet. Somit ist immer ein Diodenstapel der Diodenstapel vorwärts-vorgespannt, wie in 3A und 3B dargestellt ist.
  • 3A und 3B zeigen Strom/Spannungs-Diagramme von Dioden gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. 3A zeigt ein erstes Strom/Spannungs-Diagramm 300, in dem die Kennlinien einer unterschiedlichen Anzahl von seriell-gekoppelten Dioden in einem Bereich von ungefähr 600 mA bis ungefähr –600 mA in linearem Maßstab dargestellt sind. 3B zeigt ein zweites Strom/Spannungs-Diagramm 350, in dem die Eigenschaften einer unterschiedlichen Anzahl von seriell- gekoppelten Dioden in einem Bereich von ungefähr 1 A bis ungefähr 10–13 mA in logarithmischem Maßstab dargestellt sind. In beiden Strom/Spannungs-Diagrammen 300, 350 ist ein Spannungsbereich von ungefähr –10 V bis ungefähr 1 V dargestellt. Die simulierten Spannungskurven sind für eine Kombination von np-Dioden und pn-Dioden mit einer Diodenfläche von 5 μm2 dargestellt. Die Anzahl von Dioden, welche in Serie miteinander gekoppelt sind, wurde variiert. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung basiert die Simulation auf Übergangs-Dioden-Modellen mit integriertem skalierbaren Serienwiderstand.
  • In größerem Detail zeigen die Strom/Spannungs-Diagramme 300, 350:
    • • eine erste Strom/Spannungs-Kurve 302, welche eine einzige Diode repräsentiert,
    • • eine zweite Strom/Spannungs-Kurve 304, welche zwei seriell-gekoppelte Dioden repräsentiert,
    • • eine dritte Strom/Spannungs-Kurve 306, welche drei seriell-gekoppelte Dioden repräsentiert,
    • • eine vierte Strom/Spannungs-Kurve 308, welche vier seriell-gekoppelte Dioden repräsentiert, und
    • • eine fünfte Strom/Spannungs-Kurve 310, welche fünf seriell-gekoppelte Dioden repräsentiert.
  • Wie in 3A und 3B dargestellt ist, können mittels Auswählens einer unterschiedlichen Anzahl von seriell-gekoppelten Dioden der Serienwiderstand und die Strom/Spannungs-Eigenschaft der Serienverbindung angepasst werden.
  • 4A und 4B zeigen Strom/Spannungs-Diagramme von Dioden gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung. 4A zeigt ein drittes Strom/Spannungs-Diagramm 400, in dem die Eigenschaften einer unterschiedlichen Anzahl von seriell-gekoppelten Dioden in einem Bereich von ungefähr 300 mA bis ungefähr –300 mA in linearem Maßstab für unterschiedliche Diodenflächen dargestellt ist. 4B zeigt ein viertes Strom/Spannungs-Diagramm 450, in dem die Eigenschaften einer unterschiedlichen Anzahl von seriell-gekoppelten Dioden in einem Bereich von ungefähr 1 A bis ungefähr 10–16 mA in logarithmischem Maßstab für unterschiedliche Diodenflächen dargestellt sind. In beiden Strom/Spannungs-Diagrammen 400, 450 ist ein Spannungsbereich von ungefähr –10 V bis ungefähr 1 V dargestellt. Die simulierten Spannungskurven sind gezeigt für eine Kombination von np-Dioden und pn-Dioden mit einer Diodenfläche von 5 μm2 und 10 μm2. Die Anzahl von in Serie gekoppelten Dioden wurde variiert. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung basiert die Simulation auf Übergangs-Dioden-Modellen mit integriertem skalierbaren Serienwiderstand.
  • Im größeren Detail zeigen die Strom/Spannungs-Diagramme 400, 450:
    • • eine sechste Strom/Spannungs-Kurve 402, welche drei seriell-gekoppelte Dioden repräsentiert, wobei jede Diode eine Diodenfläche von 10 μm2 aufweist,
    • • eine siebte Strom/Spannungs-Kurve 404, welche drei seriell-gekoppelte Dioden repräsentiert, wobei jede Diode eine Diodenfläche von 5 μm2 aufweist,
    • • eine achte Strom/Spannungs-Kurve 406, welche fünf seriell-gekoppelte Dioden repräsentiert, wobei jede Diode eine Diodenfläche von 10 μm2 aufweist, und
    • • eine neunte Strom/Spannungs-Kurve 408, welche fünf seriell-gekoppelte Dioden repräsentiert, wobei jede Diode eine Diodenfläche von 5 μm2 aufweist.
  • In dem in 4A dargestellten linearen Maßstab wird ein Bereich (Regime) ersichtlich, in dem in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung der Diodenstapel durch seinen Serienwiderstand dominiert wird in eher starker Abhängigkeit von der Diodenfläche. Der logarithmische Maßstab, wie in 4B dargestellt, zeigt den Bereich (Regime), in dem der Strom dominiert wird von dem exponentiellen Verhalten, welches in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung eher stark abhängig ist von der Anzahl von Dioden, welche in der Serien-Verbindung vorhanden sind.
  • Es ist anzumerken, dass darauf geachtet werden sollte, dass der Leckstrom nicht zu groß ist. Der maximal akzeptierbare Leckstrom sollte gewählt werden derart und der Schutz sollte derart angepasst werden, dass der Leckstrom nicht größer wird als das erlaubte gewählte Maximum. Dies kann, wie in 2 dargestellt, beispielsweise erreicht werden, indem eine geeignete Anzahl von Dioden 206, 208 ausgewählt wird.
  • Indem eine unterschiedliche Anzahl von Dioden 206, 208 (beispielsweise np-Dioden oder pn-Dioden) gewählt wird, kann der Einsatz des Vorwärts-Schutzstroms ebenso für jede Polarisation unterschiedlich eingestellt werden.
  • Eine Wirkung dieses Schutzes ist abhängig von dem Serienwiderstand des Entladepfads (beispielsweise bereitgestellt von einem jeweiligen Dioden-Teilschaltkreis der zwei Dioden-Teilschaltkreise 202, 204) während des Aufladens, beispielsweise in einem Plasmaprozess. Der Serienwiderstand kann abhängig sein von der Anzahl von Dioden, aber ebenso von der Fläche (d. h. der Größe) der Dioden. Indem größere Dioden verwendet werden, kann der Serienwiderstand weiter reduziert werden. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann die Fläche der Dioden immer noch wesentlich kleiner sein als in einer herkömmlichen Antennen-Schutzdiode.
  • Der Einfluss des Diodenstapels ist in 3 für eine unterschiedliche Anzahl von Dioden in einem Stapel dargestellt. Da die Ströme während des Aufladens sehr gering sind (50 mA/cm2), sind Dioden mit einer sehr kleinen Fläche ausreichend zum Realisieren eines ausreichend großen Schutzes.
  • 5 zeigt eine Mehrzahl 500 von seriell-gekoppelten pn-Dioden (welche beispielsweise den ersten Dioden-Teilschaltkreis 202 bilden können) gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Wie in 5 gezeigt ist, ist ein Substrat 502 vorgesehen. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann das Substrat 502 ein Wafer-Substrat 502 sein. Das Wafer-Substrat 502 kann hergestellt sein aus einem Halbleiter-Material, obwohl in einem anderen Ausführungsbeispiel andere geeignete Materialien ebenso verwendet werden können. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist das Wafer-Substrat 502 hergestellt aus Silizium (dotiert oder undotiert, beispielsweise p-dotiert oder p–-dotiert oder n-dotiert oder n–-dotiert), in einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist das Wafer-Substrat 502 ein Silizium-auf-Isolator(Silicon an Insulator, SOI)-Wafer. Als eine Alternative kann jedes beliebige andere geeignete Halbleitermaterial verwendet werden für das Wafer-Substrat 502, beispielsweise ein Verbundhalbleitermaterial wie beispielsweise Gallium-Arsenid (GaAs), Indium-Phosphid (InP), aber auch jedes andere geeignete ternäre Verbundhalbleitermaterial oder quaternäre Verbundhalbleitermaterial wie beispielsweise Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs). In diesem Fall können die Dioden, wie im Folgenden noch näher erläutert wird, gebildet werden unter Verwendung einer geeigneten Wannen-Definition in dem Substratmaterial.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten Dioden 504, 506, 408 in dem Substrat 502 vorgesehen, beispielsweise in der folgenden Weise.
  • Für jede Diode 504, 506, 508 ist eine jeweilige Wanne (beispielsweise n+-dotierte Wanne in dem Fall eines p-dotierten Substrats) 510, 512, 514, vorgesehen. Ferner ist/sind ein (oder mehr) p+-dotierte(r) Bereich(e) 516, 518, 520 und ein (oder mehr) n+-dotierte(r) Bereich(e) 522, 524, 526 in jeder der Wannen 510, 512, 514 vorgesehen. Aus Gründen der Einfachheit sind nur drei Dioden 504, 506, 508 gezeigt, aber eine beliebige Anzahl von Dioden kann in jedem Dioden-Teilschaltkreis in der beschriebenen Weise vorgesehen sein, beispielsweise vier, fünf, sechs, etc.
  • Der p+-dotierte Bereich 516 der ersten Wanne 510 kann gekoppelt sein mit dem Ladung-Aufnahmebereich (beispielsweise mit einer Pad-Verbindung), beispielsweise mittels des ersten Anschlusses 106. Der n+-dotierte Bereich 522 der ersten Wanne 510 kann gekoppelt sein mit dem p+-dotierten Bereich 518 der zweiten Wanne 512 mittels einer ersten elektrisch leitfähigen Struktur 528, beispielsweise einer Leiterbahn, beispielsweise hergestellt aus Polysilizium oder einem Metall wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium. Der n+-dotierte Bereich 524 der zweiten Wanne 512 kann gekoppelt sein mit dem p+-dotierten Bereich 520 der dritten Wanne 514 mittels einer zweiten elektrisch leitfähigen Struktur 530, beispielsweise einer Leiterbahn, beispielsweise hergestellt aus Polysilizium oder einem Metall wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium. Der n+-dotierte Bereich 526 der dritten Wanne 514 seinerseits kann gekoppelt sein mit einem p+-dotierten Bereich 532, der in dem Substrat vorgesehen ist, mittels einer dritten elektrisch leitfähigen Struktur 534, beispielsweise einer Leiterbahn, beispielsweise hergestellt aus Polysilizium oder einem Metall wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium.
  • Somit zeigt 5 schematisch eine Realisierung des ersten Dioden-Teilschaltkreises 202, welcher auch als ein Schutzdiodenstapel bezeichnet werden kann. Wie oben beschrieben worden ist, kann der pn-Diodenstapel eine Serie von pn-Übergängen in unterschiedlichen n-Wannen aufweisen.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der np-Diodenstapel vorgesehen sein in einer Dreifach-Wannenstruktur, wie im Folgenden näher erläutert wird unter Bezugnahme auf 6.
  • 6 zeigt eine Mehrzahl 600 von seriell-gekoppelten np-Dioden (welche beispielsweise den zweiten Dioden-Teilschaltkreis 204 bilden können) gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Wie in 6 dargestellt ist, ist ein Substrat 602 vorgesehen. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann das Substrat 602 ein Wafer-Substrat 602 sein. Das Wafer-Substrat 602 kann hergestellt sein aus einem Halbleitermaterial, obwohl in einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung jedes andere geeignete Material ebenfalls verwendet werden kann. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist das Wafer-Substrat 602 hergestellt aus Silizium (dotiert oder undotiert, beispielsweise p-dotiert oder p–-dotiert oder n-dotiert oder n–-dotiert), in einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist das Wafer-Substrat 602 ein Silizium-auf-Isolator(Silicon an Insulator, SOI)-Wafer. Als eine Alternative kann jedes andere geeignete Halbleitermaterial verwendet werden für das Wafer-Substrat 602, beispielsweise ein Verbundhalbleitermaterial wie beispielsweise Gallium-Arsenid (GaAs), Indium-Phosphid (InP), aber auch jedes andere geeignete ternäre Verbundhalbleitermaterial oder quaternäre Verbundhalbleitermaterial wie beispielsweise Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs). In diesem Fall können die Dioden, wie im Folgenden näher erläutert wird, gebildet werden unter Verwendung einer geeigneten Wannen-Definition in dem Substratmaterial.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten Dioden 604, 606, 608 in dem Substrat 602 beispielsweise in der folgenden Weise vorgesehen.
  • Eine dreifach n+-dotierte Wanne 610 ist in dem Substrat 602 vorgesehen. Ferner ist für jede Diode 604, 606, 608 eine jeweilige Wanne (beispielsweise p+-dotierte Wanne in dem Fall eines p-dotierten Substrats und der dreifach n+-dotierten Wanne 610) 612, 614, 616 vorgesehen. Ferner ist/sind ein (oder mehr) n+-dotierte(r) Bereich(e) 618, 620, 622 und ein (und mehr) p+-dotierte(r) Bereich(e) 624, 626, 628 in jeder der Wannen 612, 614, 616 vorgesehen. Aus Gründen der Einfachheit sind nur drei Dioden 604, 606, 608 gezeigt, aber jede beliebige Anzahl von Dioden kann in jedem Dioden-Teilschaltkreis in der beschriebenen Weise vorgesehen sein, beispielsweise vier, fünf, sechs, etc. Der n+-dotierte Bereich 618 der ersten Wanne 612 kann gekoppelt sein mit dem Ladung-Aufnahmebereich (beispielsweise mit einer Pad-Verbindung), beispielsweise mittels des ersten Anschlusses 106. Der p+-dotierte Bereich 624 der ersten Wanne 612 kann gekoppelt sein mit dem n+-dotierten Bereich 620 der zweiten Wanne 614 mittels einer ersten elektrisch leitfähigen Struktur 630, beispielsweise einer Leiterbahn, beispielsweise hergestellt aus Polysilizium oder einem Metall wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium. Der p+-dotierte Bereich 626 der zweiten Wanne 614 kann mit dem n+-dotierten Bereich 622 der dritten Wanne 616 mittels einer zweiten elektrisch leitfähigen Struktur 632 gekoppelt sein, beispielsweise einer Leiterbahn, beispielsweise hergestellt aus Polysilizium oder einem Metall wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium. Der p+-dotierte Bereich 628 der dritten Wanne 616 kann seinerseits gekoppelt sein mit einem n+-dotierten Bereich 634, welcher in der dreifach n+-dotierten Wanne 610 und mit einem p+-dotierten Bereich 636, vorgesehen in dem Substrat 602, gekoppelt sein kann mittels einer dritten elektrisch leitfähigen Struktur 638, beispielsweise einer Leiterbahn, beispielsweise hergestellt aus Polysilizium oder einem Metall wie beispielsweise Kupfer oder Aluminium.
  • Somit zeigt 6 schematisch eine Realisierung des zweiten Dioden-Teilschaltkreises 204, welcher auch als ein Schutz-Diodenstapel bezeichnet werden kann. Wie oben beschrieben worden ist, kann der np-Diodenstapel eine Mehrzahl von np-Übergängen in unterschiedlichen p-Wannen aufweisen.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die Dreifach-Wanne mit Masse (Erde) verbunden (d. h. mit dem Massepotential (Erdungspotential), in einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung, mit einem anderen Bezugspotential) für eine geeignete Isolation von dem Substrat 602. Wenn für eine negative Polarität nur eine Diode benötigt wird, wie in dem Fall eines normalen integrierten Schaltkreises (Substrat ist auf dem kleinsten möglichen Potential), so wird die Dreifach-Wanne vorgesehen.
  • 7 zeigt die Strompfade (einen ersten Strompfad 702 für ein positives Potential (+) an dem ersten Anschluss 106 und einen zweiten Strompfad 704 für ein negatives Potential (–) an dem ersten Anschluss 106) für elektrische Entladung für unterschiedliche Polaritäten für die Mehrzahl 500 von seriell-gekoppelten pn-Dioden, wie in 5 gezeigt ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • 8 zeigt die Strompfade (einen ersten Strompfad 802 für ein positives Potential (+) an dem ersten Anschluss 106 und einen zweiten Strompfad 804 für ein negatives Potential (–) an dem ersten Anschluss 106) für elektrische Entladung für unterschiedliche Polaritäten für die Mehrzahl 600 von seriell-gekoppelten np-Dioden, wie in 6 gezeigt, gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • 9 zeigt einen Kleinsignal-Ersatzschaltkreis 900 eines Dioden-Teilschaltkreises gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • Wie in 9 gezeigt ist, besteht die parasitäre kapazitive Last hauptsächlich aus der ersten Diode (einer ersten Übergangs-Kapazität 902 einer Mehrzahl von Übergangs-Kapazitäten Cjunction 902, 904, 906) in Serie mit der ersten Wannen-Kapazität 908 einer Mehrzahl von Wannen-Kapazitäten Cwell 908, 910, 912 und können sehr klein gewählt werden.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird der Diodenstapel als ein RF-fähiger Schutz eines Transistor-Gates von Antennen-Ladung-Degradation.
  • Eine weitere Optimierung kann realisiert werden in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, in dem unterschiedliche Geometrien für die erste und die nachfolgenden Dioden gewählt wird. Somit können die kapazitiven Parasitäten klein realisiert werden mittels der ersten Diode, während der Serienwiderstand erhöht werden kann durch größere Dioden für die nachfolgenden Dioden.
  • 10 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Schutzschaltkreis-Ausschnitts 1000 eines integrierten Schaltkreises gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung, wobei nur eine Polarität an Schutz realisiert ist.
  • In diesem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird angenommen, dass nur eine Polarität von Schutz benötigt wird, beispielsweise da nur eine Polarität von Aufladungen auftreten kann oder weil der Schutz der anderen Polarität von Aufladungen erreicht wird in einem anderen Schaltkreis.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung werden MOSFETs verwendet anstelle von Dioden in dem Gleichrichter-Schaltkreis 110, wobei die MOSFETs in Dioden-Schaltung verbunden sind. Ferner kann das in 10 dargestellte Ausführungsbeispiel ebenfalls vorgesehen sein mit Dioden anstelle der MOSFETs. Wie erläutert worden ist, kann der Gleichrichter-Schaltkreis 110 ferner vorgesehen sein mit Thyristoren, die in einer Gleichricht-Koppelstruktur verbunden sein können oder eine Gleichricht-Funktionalität für nur eine Polarität von Aufladungen bereitstellen.
  • Im größeren Detail weist in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung der Gleichrichter-Schaltkreis 110 einen ersten MOSFET 1002 auf, der in Dioden-Schaltung geschaltet ist und einen zweiten MOSEET 1004, der in Diodenschaltung geschaltet ist, wobei der erste MOSFET 1002 und der zweite MOSFET 1004 in Serie miteinander gekoppelt sind. Ferner ist das Drain des ersten MOSFETs 1002 gekoppelt mit dem ersten Anschluss (auch bezeichnet als erster Knoten) 106 und mit dem Gate des ersten MOSFETs 1002. Die Sources des ersten MOSFETs 1002 und des zweiten MOSFETs 1004 sind miteinander gekoppelt und das Drain des zweiten MOSFETs 1004 ist mit dem zweiten Anschluss 112 auf der gegenüberliegenden Seite (auch bezeichnet als Ausgangsseite) des Gleichrichter-Schaltkreises 110 und mit dem Gate des zweiten MOSFETs 1004 gekoppelt.
  • Somit ist in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung nur ein Teil-Schaltkreis vorgesehen, womit genau ein Strompfad in genau einer Flussrichtung bereitgestellt wird. In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Gleichrichter-Schaltkreis 110 eine Mehrzahl von gleichrichtenden Elementen auf, welche in Serie miteinander gekoppelt sind zum Bereitstellen des Schutzes für eine Polarität von Aufladung.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis vorgesehen, der aufweisen kann einen ersten Anschluss, gekoppelt mit einem Ladung-Aufnahmebereich, einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt, und einen Gleichrichter-Schaltkreis, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis mindestens zwei anti-parallel gekoppelte gleichrichtende Komponenten aufweist.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Ladung-Aufnahmebereich Metall auf.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Ladung-Aufnahmebereich eine Fläche auf mit Antenneneigenschaften.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis ferner einen Schaltkreis auf, welcher empfindlich ist gegenüber kapazitiven Parasitäten, wobei der Schaltkreis gekoppelt ist mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  • Ferner kann der Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegenüber kapazitiven Parasitäten, ein Hochfrequenzschaltkreis sein.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis ferner eine Spule auf, welche mit dem Ladung-Empfangsbereich gekoppelt ist, wobei die Spule ein Teil sein kann eines Oszillatorschaltkreises oder ein Teil eines Verstärkerschaltkreises.
  • Ferner kann der zweite Anschluss gekoppelt sein mit einem Bezugspotential. Das Bezugspotential kann ein elektrisches Schaltkreis-Massepotential sein.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis ferner ein elektronisches Element auf, welches gekoppelt ist mit dem ersten Anschluss und mit dem Ladung-Aufnahmebereich.
  • Das elektronische Element kann ein Transistor sein, gekoppelt mit dem ersten Anschluss und mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  • Der Steueranschluss des Transistors kann gekoppelt sein mit dem ersten Anschluss und mit dem Ladung-Aufnahmebereich.
  • Der Transistor kann ein Feldeffekttransistor oder ein Bipolartransistor sein.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der Transistor ein Feldeffekttransistor, wobei der Gate-Anschluss des Feldeffekttransistors gekoppelt ist mit dem ersten Anschluss und mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  • Ein erster gesteuerter Anschluss des Transistors kann gekoppelt sein mit einem Last-Schaltkreis und ein zweiter gesteuerter Anschluss des Transistors kann gekoppelt sein mit dem Bezugspotential.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Gleichrichter-Schaltkreis einen ersten Gleichrichter-Teilschaltkreis auf mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in der gleichen Flussrichtung gekoppelt sind und einen zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle gekoppelt sind in derselben Flussrichtung, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises anti-parallel zu den gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt sind.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises pn-Dioden, wobei der p-Anschluss einer ersten Diode des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt ist mit dem ersten Anschluss und der n-Anschluss einer letzten Diode des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt ist mit dem zweiten Anschluss und die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises sind np-Dioden, wobei der n-Anschluss einer ersten Diode des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt ist mit dem ersten Anschluss und der p-Anschluss einer letzten Diode des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt ist mit dem zweiten Anschluss.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein integrierter Schaltkreis vorgesehen, welcher aufweisen kann einen Ladung-Empfangsbereich, ein elektronisches Element, einen Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis, wobei der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis aufweisen kann einen ersten Anschluss, gekoppelt mit dem Ladung-Empfangsbereich und mit dem elektronischen Element, einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt, und einen Gleichrichter-Schaltkreis, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis mindestens zwei anti-parallel gekoppelte gleichrichtende Komponenten aufweist.
  • Der Ladung-Empfangsbereich kann Metall aufweisen.
  • Ferner kann der Ladung-Empfangsbereich eine Fläche mit Antennen-Eigenschaften aufweisen.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis ferner aufweisen einen Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegenüber kapazitiven Parasitäten, wobei der Schaltkreis gekoppelt ist mit dem Ladung-Empfangsbereich. Der Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegen kapazitive Parasitäten, kann ein Hochfrequenzschaltkreis sein.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis zusätzlich eine Spule aufweisen, welche mit dem Ladung- Empfangsbereich gekoppelt ist, wobei die Spule Teil sein kann eines Oszillatorschaltkreises oder Teil eines Verstärkerschaltkreises.
  • Der zweite Anschluss kann gekoppelt sein mit einem Bezugspotential. Das Bezugspotential kann ein elektrisches Schaltkreis-Massepotential sein.
  • Ferner kann das elektronische Element ein Transistor sein gekoppelt mit dem ersten Anschluss und mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der Steueranschluss des Transistors gekoppelt mit dem ersten Anschluss und mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  • Ferner kann in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung der Transistor ein Feldeffekttransistor oder ein Bipolartransistor sein.
  • Beispielsweise kann in dem Fall, in dem der Transistor ein Feldeffekttransistor ist, der Gate-Anschluss des Feldeffekttransistors gekoppelt sein mit dem ersten Anschluss und dem Ladung-Empfangsbereich.
  • Ein erster gesteuerter Anschluss des Transistors kann gekoppelt sein mit einem Last-Schaltkreis, und ein zweiter gesteuerter Anschluss des Transistors kann gekoppelt sein mit dem Bezugspotential.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Gleichrichter-Schaltkreis einen ersten Gleichrichter-Teilschaltkreis auf mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind, und einen zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind. Die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises können anti-parallel zu den gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt sein.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises pn-Dioden, wobei der p-Anschluss einer ersten Diode des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt ist mit dem ersten Anschluss und der n-Anschluss einer letzten Diode des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt ist mit dem zweiten Anschluss, und die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises sind np-Dioden, wobei der n-Anschluss einer ersten Diode des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt ist mit dem ersten Anschluss und der p-Anschluss einer letzten Diode des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt ist mit dem zweiten Anschluss.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis vorgesehen. In diesem Ausführungsbeispiel weist der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis einen ersten Anschluss auf gekoppelt mit einem Ladung-Empfangsbereich, einem zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt, und Gleichrichtermittel, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei die Gleichrichtermittel mindestens zwei anti-parallel gekoppelte gleichrichtende Komponenten aufweisen.
  • In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis bereitgestellt. In diesem Ausführungsbeispiel weist der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis einen ersten Anschluss auf, gekoppelt mit einem Ladung-Empfangsbereich, einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt, und einen Gleichrichter-Schaltkreis gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten aufweist, wobei die gleichrichtenden Komponenten alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind.
  • Der Ladung-Empfangsbereich kann Metall aufweisen.
  • Ferner kann der Ladung-Empfangsbereich eine Fläche mit Antenneneigenschaften aufweisen.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis ferner einen Schaltkreis auf, welcher empfindlich ist gegenüber kapazitiven Parasitäten, wobei der Schaltkreis mit dem Ladung-Empfangsbereich gekoppelt ist.
  • Der Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegen kapazitive Parasitäten, kann ein Hochfrequenzschaltkreis sein.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis ferner eine Spule aufweisen, die mit dem Ladung-Empfangsbereich gekoppelt ist, wobei die Spule Teil sein kann eines Oszillator-Schaltkreises oder Teil eines Verstärker-Schaltkreises.
  • In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis ferner ein elektronisches Element auf, welches gekoppelt ist mit dem ersten Anschluss und mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  • Das elektronische Element kann ein Transistor sein, gekoppelt mit dem ersten Anschluss und mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  • Ferner weist in einem Ausführungsbeispiel der Erfindung der Gleichrichter-Schaltkreis einen ersten Gleichrichter-Teilschaltkreis auf mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sein können, und einen zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sein können.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein integrierter Schaltkreis bereitgestellt. Der integrierte Schaltkreis weist einen Ladung-Empfangsbereich auf, ein elektronisches Element, sowie einen Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis. Der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis kann aufweisen einen ersten Anschluss, gekoppelt mit dem Ladung-Empfangsbereich und mit dem elektronischen Element, einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt, und einen Gleichrichter-Schaltkreis, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten aufweist, wobei die gleichrichtenden Komponenten alle derselben Flussrichtung gekoppelt sind.
  • Der Ladung-Empfangsbereich kann Metall aufweisen.
  • Ferner kann der Ladung-Empfangsbereich eine Fläche aufweisen mit Antenneneigenschaften.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der integrierte Schaltkreis ferner einen Schaltkreis aufweisen, welcher empfindlich ist gegen kapazitive Parasitäten, wobei der Schaltkreis gekoppelt ist mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  • Der Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegen kapazitive Parasitäten, kann ein Hochfrequenzschaltkreis sein.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann der integrierte Schaltkreis ferner eine Spule aufweisen, gekoppelt mit dem Ladung-Empfangsbereich, wobei die Spule Teil sein kann eines Oszillatorschaltkreises oder Teil eines Verstärkerschaltkreises.
  • In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung weist der Gleichrichter-Schaltkreis einen ersten Gleichrichter-Teilschaltkreis auf mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind, und einen zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind.
  • In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreises bereitgestellt. Das Verfahren weist auf ein Bilden eines ersten Anschlusses, gekoppelt mit einem Ladung-Empfangsbereich, ein Bilden eines zweiten Anschlusses, welcher einen Entladungspfad bereitstellt, und ein Bilden eines Gleichrichter-Schaltkreises, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis anti-parallel gekoppelte gleichrichtende Komponenten aufweist.
  • In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreises bereitgestellt. Das Verfahren weist auf ein Bilden eines ersten Anschlusses, gekoppelt mit einem Ladung-Empfangsbereich, ein Bilden eines zweiten Anschlusses, welcher einen Entladungspfad bereitstellt, und ein Bilden eines Gleichrichter-Schaltkreises, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten aufweist, wobei die gleichrichtenden Komponenten alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind.
  • Obwohl die Erfindung vor allem unter Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsbeispiele gezeigt und beschrieben wurde, sollte es von denjenigen, die mit dem Fachgebiet vertraut sind, verstanden werden, dass zahlreiche Änderungen bezüglich Ausgestaltung und Details daran vorgenommen werden können, ohne vom Wesen und Bereich der Erfindung, wie er durch die nachfolgenden Ansprüche definiert wird, abzuweichen. Der Bereich der Erfindung wird daher durch die angefügten Ansprüche bestimmt, und es ist beabsichtigt, dass sämtliche Änderungen, welche unter den Wortsinn oder den Äquivalenzbereich der Ansprüche fallen, umfasst werden.

Claims (25)

  1. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis, aufweisend: • einen ersten Anschluss, gekoppelt mit einem Ladung-Empfangsbereich; • einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt; und • einen Gleichrichter-Schaltkreis, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis mindestens zwei anti-parallel gekoppelte gleichrichtende Komponenten aufweist.
  2. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß Anspruch 1, wobei der Ladung-Empfangsbereich Metall aufweist.
  3. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Ladung-Empfangsbereich eine Fläche aufweist mit Antenneneigenschaften.
  4. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner aufweisend: einen Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegen kapazitive Parasitäten, wobei der Schaltkreis mit dem Ladung-Empfangsbereich gekoppelt ist.
  5. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß Anspruch 4, wobei der Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegen kapazitive Parasitäten, ein Hochfrequenzschaltkreis ist.
  6. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, ferner aufweisend: eine Spule, gekoppelt mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  7. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß Anspruch 6, wobei die Spule Teil ist eines Oszillatorschaltkreises oder Teil eines Verstärkerschaltkreises.
  8. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der zweite Anschluss gekoppelt ist mit einem Bezugspotential.
  9. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner aufweisend: ein elektronisches Element, gekoppelt mit dem ersten Anschluss und dem Ladung-Empfangsbereich.
  10. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis aufweist: • einen ersten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind; und • einen zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind; • wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises anti-parallel zu den gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises geschaltet sind.
  11. Integrierter Schaltkreis, aufweisend: einen Ladung-Empfangsbereich; ein elektronisches Element; und einen Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis, wobei der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis aufweist: • einen ersten Anschluss, gekoppelt mit dem Ladung-Empfangsbereich und mit dem elektronischen Element; • einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt; und • einen Gleichrichter-Schaltkreis, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis mindestens zwei anti-parallel gekoppelte gleichrichtende Komponenten aufweist.
  12. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 11, wobei der Ladung-Empfangsbereich Metall aufweist.
  13. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 11 oder 12, wobei der Ladung-Empfangsbereich eine Fläche mit Antenneneigenschaften aufweist.
  14. Integrierter Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, ferner aufweisend: einen Schaltkreis, welcher empfindlich gegen kapazitive Parasitäten ist, wobei der Schaltkreis gekoppelt ist mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  15. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 14, wobei der Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegen kapazitive Parasitäten, ein Hochfrequenzschaltkreis ist.
  16. Integrierter Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 11 bis 15, ferner aufweisend: eine Spule, gekoppelt mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  17. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 16, wobei die Spule Teil ist eines Oszillatorschaltkreises oder Teil eines Verstärkerschaltkreises.
  18. Integrierter Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 11 bis 17, wobei der zweite Anschluss gekoppelt ist mit einem Bezugspotential.
  19. Integrierter Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 11 bis 18, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis aufweist: • einen ersten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind; und • einen zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreis mit einer Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind, wobei die gleichrichtenden Komponenten des ersten Gleichrichter-Teilschaltkreises anti-parallel zu den gleichrichtenden Komponenten des zweiten Gleichrichter-Teilschaltkreises gekoppelt sind.
  20. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis, aufweisend: • einen ersten Anschluss, gekoppelt mit einem Ladung-Empfangsbereich; • einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt; und • einen Gleichrichter-Schaltkreis, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis aufweist eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind.
  21. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß Anspruch 20, wobei der Ladung-Empfangsbereich Metall aufweist.
  22. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß Anspruch 20 oder 21, wobei der Ladung-Empfangsbereich eine Fläche aufweist mit Antenneneigenschaften.
  23. Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis gemäß einem der Ansprüche 20 bis 22, ferner aufweisend: einen Schaltkreis, welcher empfindlich ist gegen kapazitive Parasitäten, gekoppelt mit dem Ladung-Empfangsbereich.
  24. Integrierter Schalkreis, aufweisend: einen Ladung-Empfangsbereich; ein elektronisches Element; und einen Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis, wobei der Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreis aufweist: • einen ersten Anschluss, gekoppelt mit dem Ladung-Empfangsbereich und mit dem elektronischen Element; • einen zweiten Anschluss, welcher einen Entladungspfad bereitstellt; und • einen Gleichrichter-Schaltkreis, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis aufweist eine Mehrzahl von seriell-gekoppelten gleichrichtenden Komponenten, wobei die gleichrichtenden Komponenten alle in derselben Flussrichtung gekoppelt sind.
  25. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Herstellungsprozess-Ladungsschutz-Schaltkreises, wobei das Verfahren aufweist: • Bilden eines ersten Anschlusses, gekoppelt mit einem Ladung-Empfangsbereich; • Bilden eines zweiten Anschlusses, welcher einen Entladungspfad bereitstellt; und • Bilden eines Gleichrichter-Schaltkreises, gekoppelt zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss, wobei der Gleichrichter-Schaltkreis mindestens zwei anti-parallel gekoppelte gleichrichtende Komponenten aufweist.
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