DE102008031688A1

DE102008031688A1 - Aktive Diode

Info

Publication number: DE102008031688A1
Application number: DE102008031688A
Authority: DE
Inventors: Gerald Dr.rer.nat. Deboy; Lutz Dr.rer.nat. Goergens
Original assignee: Infineon Technologies Austria AG
Current assignee: Infineon Technologies Austria AG
Priority date: 2007-07-05
Filing date: 2008-07-04
Publication date: 2009-02-19
Also published as: US20090010033A1; US8031498B2

Abstract

Die Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung und ein Verfahren zum Betreiben einer Vorrichtung. Die elektronische Vorrichtung umfasst einen zwischen einen ersten und zweiten Anschluss der elektronischen Vorrichtung geschalteten Transistor, eine mit einem Steueranschluss des Transistors verkoppelte Steuervorrichtung und einen mit der Steuervorrichtung verkoppelten Speicher.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung, insbesondere eine elektronische Vorrichtung mit zwei Anschlüssen, und ein Verfahren zum Betreiben solch einer Vorrichtung.
Nach dem Stand der Technik ist eine Vielzahl unterschiedlicher elektronischer Vorrichtungen wie Dioden, Transistoren, Thyristoren usw. bekannt.
Dioden beispielsweise sind Vorrichtungen, die es Strom ermöglichen, vorzugsweise in einer Richtung zu fließen.
Herkömmliche Dioden umfassen zwei Anschlüsse, die so genannte Anode und die so genannte Kathode.
Wenn zwischen Anode und Kathode eine positive Spannung angelegt wird, wird die Diode in der leitenden Richtung angesteuert; ein "Vorwärtsstrom" fließt dann durch die Diode.
Wenn zwischen Anode und Kathode eine negative Spannung angelegt wird, sperrt die Diode. Der Strom, der während der Ansteuerung der Diode in Sperrrichtung durch die Diode in Sperrrichtung fließt ("Sperrstrom"), ist im Allgemeinen wesentlich kleiner als der Strom, der während der Ansteuerung der Diode in leitender Richtung in leitender Richtung fließt.
Bei vielen Anwendungen muss ein Wechselstrom (WS) in einen Gleichstrom (GS) umgewandelt werden; dieser Prozess ist als Gleichrichten bekannt.
Zu diesem Zweck werden so genannte Gleichrichter verwendet. Gleichrichter werden beispielsweise als Komponenten von Stromversorgungen, als Detektoren von Funksignalen usw. eingesetzt.
Als Gleichrichter kann beispielsweise eine einzelne Diode verwendet werden. In diesem Fall unterscheiden sich die Begriffe "Diode" und "Gleichrichter" nur in der Verwendung; der Begriff "Gleichrichter" beschreibt dann lediglich eine Diode, die zum Umwandeln von Wechselstrom (WS) in Gleichstrom (GS) verwendet wird.
Um WS effizienter in GS als mit einer einzelnen Diode umwandeln zu können, werden Gleichrichter verwendet, die mehrere Vorrichtungen umfassen, zum Beispiel Gleichrichter, die mehrere Dioden in einer bestimmten Anordnung oder eine oder mehrere Dioden zusammen mit einer oder mehreren zusätzlichen, unterschiedlichen Vorrichtungen wie Transistoren, Operationsverstärker usw. umfassen.
Entsprechende Gleichrichter bzw. Dioden, die in solchen Gleichrichtern verwendet werden können, sind beispielsweise in US 6,271,712 , US 2005/0122753 , US 2005/0218964 und WO 02/084873 A1 beschrieben.
Im Allgemeinen weisen herkömmliche Gleichrichter, die effizient WS in GS umwandeln, eine Struktur auf, die relativ komplex ist. Ferner verwenden solche herkömmlichen Gleichrichter häufig Operationsverstärker, die im Allgemeinen eine relativ präzise Versorgungsspannung erfordern, um ordnungsgemäß funktionieren zu können. Aus diesen und anderen Gründen besteht ein Bedarf für die vorliegende Erfindung.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung umfasst eine elektrische Vorrichtung einen zwischen einen ersten und einen zweiten Anschluss der elektronischen Vorrichtung geschalteten Transistor, eine mit einem Steueranschluss des Transistors verkoppelte Steuervorrichtung und einen mit der Steuervorrichtung verkoppelten Speicher. Die Steuervorrichtung kann beispielsweise eine Vorspannvorrichtung umfassen, wobei die Vorspannvorrichtung beispielsweise eine Diode umfasst. Die Steuervorrichtung kann zusätzlich einen weiteren Transistor, wobei die Vorspannvorrichtung mit einem Steueranschluss des weiteren Transistors verkoppelt ist, und einen zusätzlichen Transistor umfassen, wobei der weitere Transistor mit einem Steueranschluss des zusätzlichen Transistors verkoppelt ist.
Weitere Merkmale und Vorzüge der vorliegenden Erfindung werden in der folgenden ausführlichen Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen offensichtlich.
KURZE BESCHREIBUNG DER VERSCHIEDENEN ANSICHTEN DER ZEICHNUNGEN)
Die begleitenden Zeichnungen werden einbezogen, um ein weitergehendes Verstehen der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen, und sind in diese Schrift aufgenommen und stellen einen Teil davon dar. Die Zeichnungen zeigen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern der Grundgedanken der Erfindung. Andere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung und viele der angestrebten Vorteile der vorliegenden Erfindung werden leicht zu würdigen sein, wenn sie unter Bezugnahme auf die folgende ausführliche Beschreibung besser verstanden werden.
1 zeigt eine schematische, beispielhafte Darstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
2 zeigt eine schematische, beispielhafte Darstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung.
3 zeigt ein ausführlicheres Schaltungsdiagramm eines Teils der in 1 und 2 dargestellten elektronischen Vorrichtungen gemäß mehrerer Ausführungsbeispiele der Erfindung.
4 zeigt ein ausführlicheres Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispiels der in 1 und 2 dargestellten elektronischen Vorrichtungen.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die begleitende Zeichnung Bezug genommen, die einen Teil hiervon bildet und in der zur Erläuterung bestimmte Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung verwirklicht werden kann. Es ist darauf hinzuweisen, dass andere Ausführungsbeispiele verwendet und strukturelle oder anderweitige Änderungen vorgenommen werden können, ohne dass vom Umfang der vorliegenden Erfindung abgewichen wird. Die folgende ausführliche Beschreibung soll daher nicht im beschränkenden Sinne aufgefasst werden, und der Bereich der vorliegenden Erfindung wird von den beigefügten Ansprüchen definiert.
1 zeigt eine schematische, beispielhafte Darstellung einer elektronischen Vorrichtung 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist die elektronische Vorrichtung 1 auf einem entsprechenden Halbleiterchip 3 angeordnet.
Ferner sind gemäß dem vorliegenden spezifischen Ausführungsbeispiel mit Ausnahme der elektronischen Vorrichtung 1 keine weiteren elektronischen Vorrichtungen auf dem Halbleiterchip 3 angeordnet.
In alternativen, nicht dargestellten Ausführungsbeispielen können auf dem Halbleiterchip 3 zusätzlich zur elektronischen Vorrichtung 1 eine oder mehrere weitere elektronische Vorrichtungen wie (zusätzliche) Transistoren usw. angeordnet sein, die eine oder mehrere zusätzliche Funktionen erfüllen, die sich von der durch die in 1 gezeigten elektronischen Vorrichtung ausgeführten Funktion unterscheiden.
Wie nachfolgend ausführlicher beschrieben kann die elektronische Vorrichtung 1 beispielsweise die Funktion einer Diode, insbesondere einer aktiven Diode, erfüllen.
Die Diode, insbesondere aktive Diode, kann beispielsweise als Gleichrichter, insbesondere als Synchrongleichrichter, verwendet werden.
Somit kann die elektronische Vorrichtung 1 zum Umwandeln von Wechselstrom (WS) in Gleichstrom (GS) ("Gleichrichten") verwendet werden.
Noch allgemeiner kann die elektronische Vorrichtung 1 zusätzlich oder alternativ für jeden (anderen) Zweck verwendet werden, für den eine Diode zweckmäßig sein kann, beispielsweise Funkmodulation oder -demodulation, Leistungsumwandlung/Stromversorgung, logische Gates usw.
Wie in 1 gezeigt umfasst die elektronische Vorrichtung 1 einen Energiespeicher 2 (hier: einen Energiespeicher E), eine Steuervorrichtung 4 (hier: eine Steuervorrichtung C) und einen Transistor 5 (hier: einen Leistungstransistor P).
Der Energiespeicher 2 (hier: der Energiespeicher E), die Steuervorrichtung 4 (hier: die Steuervorrichtung C) und der Transistor 5 (hier: der Leistungstransistor P) können auf ein und demselben Halbleiterchip 3 bereitgestellt werden. Alternativ (wie ebenfalls schematisch in 1 gezeigt (hier: durch eine punktierte Linie)) können beispielsweise der Energiespeicher (hier: der Energiespeicher E) und die Steuervorrichtung 4 (hier: die Steuervorrichtung C) auf einem ersten Halbleiterchip 3a bereitgestellt werden und kann beispielsweise der Transistor 5 (hier: der Leistungstransistor P) auf einem zweiten, verschiedenen Halbleiter 3b bereitgestellt werden, wobei die beiden Chips 3a, 3b beispielsweise ein entsprechendes "System im Paket" bereitstellen.
Der in 1 gezeigte Halbleiterchip 3 umfasst lediglich zwei Außenanschlüsse/-inseln bzw. pads (hier: einen ersten pad 6a und einen zweiten pad 6b), die beispielsweise über entsprechende Bonddrähte mit den entsprechenden (äußeren) Stiften bzw. eins, die mit den pads 6a, 6b verbunden sind, verbunden und an einem entsprechenden Halbleiterpaket bereitgestellt werden können, in dem der Chip 3 montiert ist.
Das Halbleiterpaket bzw. -packung, in dem der Chip 3 (oder die oben genannten zwei separaten Chips 3a, 3b) montiert ist, kann beispielsweise genau zwei Stifte umfassen (beispielsweise einen ersten verbunden mit dem pad 6a und beispielsweise einen zweiten verbunden mit dem pad 6b). In weiteren alternativen Ausführungsbeispielen kann das Halbleiterpaket mehr als die oben genannten zwei Stifte, beispielsweise drei, vier, acht oder mehr Stifte, umfassen. Entsprechend kann in zusätzlichen alternativen Ausführungsbeispielen, wie nachfolgend ausführlicher beschrieben wird, der Halbleiterchip 3 mehr als die oben genannten zwei Außenanschlüsse/-inseln bzw. pads 6a, 6b usw., beispielsweise drei oder mehr Außenanschlüsse/-inseln usw., umfassen (siehe beispielsweise 2 usw.).
Wenn die elektronische Vorrichtung 1 als eine Diode verwendet wird, kann die oben genannte erste Insel 6a beispielsweise als "Anode" und die oben genannte zweite Insel 6b beispielsweise als "Kathode" der Diode verwendet werden.
Wie ferner in 1 gezeigt umfasst der Transistor 5, insbesondere der Leistungstransistor 5 (wie jeder typische herkömmliche Transistor) strukturell inhärent eine Body-Diode 5a (hier: eine Body-Diode B). Somit ist die in 1 gezeigte Diode 5a Teil des oben genannten Transistors 5 und wird daher nicht in Form einer zusätzlichen, separaten Diodenvorrichtung bereitgestellt.
Der Transistor 5 kann beispielsweise ein N-Kanal-MOSFET-Transistor sein. Alternativ kann statt eines N-Kanal-MOSFET-Transistors 5 ein P-Kanal-MOSFET-Transistor oder beispielsweise ein bipolarer Transistor oder jeder andere geeignete Transistor verwendet werden.
Wie in 1 gezeigt wird die Body-Diode 5a, die der Transistor 5 strukturell inhärent umfasst, zwischen den entsprechenden Drain- und Source-Anschlüssen des oben genannten MOSFET-Transistors (oder entsprechenden Sender- und Kollektoranschlüssen eines entsprechenden bipolaren Transistors) bereitgestellt.
Ferner kann in alternativen Ausführungsbeispielen zusätzlich zur oben genannten Body-Diode 5, die der oben genannte Transistor strukturell inhärent umfasst, eine separate (zusätzliche) Diodenvorrichtung getrennt vom Transistor 5 bereitgestellt werden (nicht in 1 gezeigt, und beispielsweise zwischen den oben genannten Drain- und Source-Anschlüssen des oben genannten MOSFET-Transistors (oder den entsprechenden Sender- und Kollektoranschlüssen eines entsprechenden bipolaren Transistors verbunden werden).
Wie in 1 gezeigt wird ein erster der oben genannten Drain- oder Source-Anschlüsse (oder der entsprechenden Sender- oder Kollektoranschlüsse) des Transistors 5 über beispielsweise eine Leitung 5b (oder beispielsweise einen entsprechenden Draht) mit der ersten Insel 6a verbunden und der andere der oben genannten Drain- oder Source-Anschlüsse (oder der entsprechenden Sender- oder Kollektoranschlüsse) des Transistors 5 über eine Leitung 5c (oder beispielsweise einen entsprechenden Draht) mit der oben genannten zweiten Insel 6b verbunden.
Ferner wird ein Gate-Anschluss (oder ein entsprechender Basisanschluss) des Transistors 5 über eine Leitung 4a (oder beispielsweise einen entsprechenden Draht) mit einem ersten Anschluss der Steuervorrichtung 4 verbunden.
Wie ferner in 1 gezeigt wird ein zweiter Anschluss der Steuervorrichtung 4 über eine Leitung 4b (oder beispielsweise einen entsprechenden Draht) mit der entsprechenden ersten Insel 6a (und somit auch mit dem oben genannten ersten einen der oben genannten Drain- oder Source-Anschlüsse (oder den entsprechenden Sender- oder Kollektoranschlüssen) des Transistors 5) verbunden.
Entsprechend wird ähnlich ein dritter Anschluss der Steuervorrichtung 4 über eine Leitung 4c (oder beispielsweise einen entsprechenden Draht) mit der oben genannten zweiten Insel 6b (und somit auch mit dem oben genannten anderen einen der oben genannten Drain- oder Source-Anschlüsse (oder der entsprechenden Sender- oder Kollektoranschlüsse) des Transistors 5) verbunden.
Ferner wird ein vierter Anschluss der Steuervorrichtung 4 über eine Leitung 4d (oder beispielsweise einen entsprechenden Draht) mit einem ersten Anschluss des Energiespeichers 2 verbunden.
Ferner wird auch, wie in 1 gezeigt, ein zweiter Anschluss des Energiespeichers 2 über eine Leitung 2a (oder beispielsweise einen entsprechenden Draht) mit der oben genannten ersten Insel 6a (und somit auch mit dem oben genannten zweiten Anschluss der Steuervorrichtung 4 und dem oben genannten ersten der oben genannten Drain- oder Source-Anschlüsse (oder der entsprechenden Sender- oder Kollektoranschlüsse) des Transistors 5) verbunden.
Zusätzlich wird ein dritter Anschluss des Energiespeichers 2 über eine Leitung 2b (oder beispielsweise einen entsprechenden Draht) mit der oben genannten Insel 6b (und somit auch mit dem oben genannten dritten Anschluss der Steuervorrichtung 4 und dem oben genannten anderen der oben genannten Drain- oder Source-Anschlüsse (oder der entsprechenden Sender- oder Kollektoranschlüsse) des Transistors 5) verbunden.
Der Energiespeicher 2, wie beispielsweise in 3 gezeigt, kann einen Kondensator 2c und optional eine oder mehrere zusätzliche Komponenten (nachfolgend als "andere Teile des Energiespeichers" bezeichnet) umfassen.
Wie in 3 gezeigt können die anderen Teile des Energiespeichers 2 beispielsweise eine Diode 2f umfassen.
Eine Kathode der Diode 2f kann über eine Leitung 2e mit dem Kondensator 2c und über die oben genannte Leitung 4d mit dem oben genannten vierten Anschluss der Steuervorrichtung 4 verbunden werden.
Ferner kann eine Anode der Diode 2f über die oben genannte Leitung 2b mit der oben genannten zweiten Insel 6b des Halbleiterchips 3 verbunden werden.
Wie in 1 gezeigt kann der Kondensator 2c des Energiespeichers 2 beispielsweise auf monolithische Weise in/auf dem Silicium des Halbleiterchips 3 (oder des oben genannten Halbleiterchips 3a) integriert werden, beispielsweise entsprechend ähnlich wie/zusammen mit der Steuervorrichtung 4 und/oder dem Transistor 5 und/oder den anderen Teilen des Energiespeichers 2 (beispielsweise der oben genannten Diode 2f).
In diesem Fall kann, wie in 3 gezeigt, ein erster Anschluss des Kondensators 2c beispielsweise über eine Leitung 2d und die oben genannte Leitung 2a mit der oben genannten ersten Insel 6a des Halbleiterchips 3 verbunden werden und ein zweiter Anschluss des Kondensators 2 beispielsweise über die Leitung 2e und die oben genannte Leitung 4d mit dem oben genannten vierten Anschluss der Steuervorrichtung 4 verbunden werden.
Statt durch Verwendung der oben genannten (monolithischen) Integration des oben genannten Kondensators 2c in der/den entsprechenden Siliciumschicht(en) kann der Kondensator 2c beispielsweise auch durch Verwendung anderer geeigneter Technologien erzeugt werden, beispielsweise so genannter "Chip-on-Chip"-Technologien oder beispielsweise so genannter "Chip-by-Chip"-Technologien, durch deren Verwendung entsprechende kapazitive Elemente (hier: der oben genannte Kondensator 2c) in Silicium ausgeführt werden können. Dabei kann die so genannte Lehmannsche Röhrenätztechnik angewendet werden. Ein entsprechendes Verfahren für die Herstellung eines entsprechenden Chipkondensators 2c ist beispielsweise im deutschen Patentantrag DE 3717851 von Lehmann beschrieben, dessen Inhalt hier als Referenz vollständig aufgenommen ist.
Im Falle von beispielsweise der Verwendung der oben genannten "Chip-on-Chip"-Technologie zum Herstellen des Kondensators 2c wird der Kondensator 2c auf einem Chip separat vom Halbleiterchip 3 bereitgestellt, auf dem die oben genannte Steuervorrichtung 4 und/oder der Transistor 5 und/oder die anderen Teile des Energiespeichers 2 (falls vorhanden) bereitgestellt werden. In diesem Fall kann beispielsweise eine erste Insel des Chips, auf dem der Kondensator 2c bereitgestellt ist, über eine weitere Insel des Halbleiterchips 3 und die oben genannte Leitung 2a mit der oben genannten ersten Insel 6a des Halbleiterchips 3 verbunden werden und eine zweite Insel auf dem Chip, auf dem der Kondensator 2c bereitgestellt ist, kann über eine noch weitere Insel des Halbleiterchips 3 und die oben genannte Leitung 4d mit dem oben genannten vierten Anschluss der Steuervorrichtung 4 verbunden werden.
Ferner kann der Kondensator 2c auch beispielsweise in Form einer separaten SMD-Komponente beispielsweise in Form eines im gleichen (Halbleiter-)Pakets wie der Halbleiterchip 3 bereitgestellten entsprechenden SMD-Kondensators 2c bereitgestellt werden.
Beispielsweise kann ein SMD-Kondensator 2c verwendet werden, der direkt auf dem Substrat des oben genannten Halbleiterchips 2 (in/auf dem die oben genannte Steuervorrichtung 4 und/oder der Transistor 5 und/oder die anderen Teile des Energiespeichers 2 (falls vorhanden) integriert sind) montiert wird. In diesem Fall kann beispielsweise ein entsprechendes Pressmassenpaket, beispielsweise ein so genanntes Mega-DIP-Paket, verwendet werden.
Bei Verwenden eines SMD-Kondensators 2c beispielsweise kann ein erster Anschluss des SMD-Kondensators über eine weitere Insel des Halbleiterchips 2 und die oben genannte Leitung 2a mit der oben genannten ersten Insel 6a des Halbleiterchips verbunden werden und ein zweiter Anschluss des SMD-Kondensators kann über eine noch weitere Insel des Halbleiterchips 2 und die oben genannte Leitung 4d mit dem oben genannten vierten Anschluss der Steuervorrichtung 4 verbunden werden.
Wie in 2 gezeigt kann statt der Bereitstellung des Kondensators 2c im gleichen (Halbleiter-)Paket wie der Halbleiterchip 3 (oder die Halbleiterchips 3a, 3b) in weiteren alternativen Ausführungsbeispielen der Kondensator 2c, insbesondere ein mit einem Bezugszeichen 2c' in 2 bezeichneter Kondensator, in einem anderen Paket als der Halbleiterchip 3 oder die Chips 3a, 3b (in/auf dem beispielsweise die Steuervorrichtung 4 und/oder der Transistor 5 und/oder die oben genannten anderen Teile des Energiespeichers (bezeichnet mit einem Bezugszeichen 2' in 2) integriert sind) bereitgestellt werden.
Die oben genannten anderen Teile des Energiespeichers 2', die Steuervorrichtung 4 und der Transistor 5 können auf ein und demselben Halbleiterchip 3 bereitgestellt werden. Alternativ (wie ebenfalls schematisch in 2 gezeigt (hier: durch eine punktierte Linie)) können beispielsweise die anderen Teile des Energiespeichers 2' und die Steuervorrichtung 4 auf einem ersten Halbleiterchip 3a bereitgestellt werden und kann der Transistor 5 auf einem zweiten, verschiedenen Halbleiterchip 3b bereitgestellt werden, wobei die beiden Chips 3a, 3b beispielsweise ein entsprechendes "System im Paket" bereitstellen.
Der Halbleiterchip 3 gemäß 2 umfasst drei (oder mehr) Außenanschlüsse/-inseln bzw. pads (hier: einen ersten pad 6a', einen zweiten pad 6b' und einen dritte pad 6c'), die beispielsweise über entsprechende Bonddrähte mit den entsprechenden (äußeren) Stiften bzw. eins, die mit den pads 6a', 6b', 6c' verbunden sind, verbunden und an einem entsprechenden Halbleiterpaket bereitgestellt werden können, in dem der Chip 3, aber nicht der Kondensator 2c', montiert ist. Das Halbleiterpaket, in dem der Chip 3 montiert ist, kann beispielsweise genau drei Stifte umfassen (beispielsweise einen ersten verbunden mit dem ersten pad 6a' und einen zweiten verbunden mit dem zweiten pad 6b' und einen dritten verbunden mit dem dritten pad 6c'). In weiteren alternativen Ausführungsbeispielen kann das Halbleiterpaket mehr als die oben genannten drei Stifte, beispielsweise vier, acht oder mehr Stifte, umfassen. Entsprechend umfasst in zusätzlichen alternativen Ausführungsbeispielen der Halbleiterchip 3 mehr als die oben genannten drei Außenanschlüsse/-inseln 6a', 6b', 6c', beispielsweise vier oder mehr Außenanschlüsse/-inseln usw.
Wie in 2 gezeigt und entsprechend ähnlich wie im in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel umfasst der Transistor 5, insbesondere der Leistungstransistor 5, strukturell inhärent eine Body-Diode 5a.
Der in 2 gezeigte Transistor 5 kann entsprechend ähnlich wie im in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel beispielsweise ein N-Kanal-MOSFET-Transistor sein. Alternativ kann statt eines N-Kanal-MOSFET-Transistors 5 ein P-Kanal-MOSFET-Transistor oder beispielsweise ein bipolarer Transistor oder jeder andere geeignete Transistor verwendet werden.
Wie in 2 gezeigt wird ein erster der entsprechenden Drain- oder Source-Anschlüsse (oder der entsprechenden Sender- oder Kollektoranschlüsse) des Transistors 5 über eine Leitung 5b mit der ersten Insel 6a' des Halbleiterchips 3 verbunden und der andere der oben genannten Drain- oder Source-Anschlüsse (oder der entsprechenden Sender- oder Kollektoranschlüsse) des Transistors 5 über eine Leitung 5c mit der oben genannten zweiten Insel 6b' des Halbleiterchips 3 verbunden.
Ferner wird ein Gate-Anschluss (oder ein entsprechender Basisanschluss) des Transistors 5 über eine Leitung 4a mit einem ersten Anschluss der Steuervorrichtung 4 verbunden.
Wie ferner in 2 gezeigt wird ein zweiter Anschluss der Steuervorrichtung 4 über eine Leitung 4b mit der oben genannten ersten Insel 6a' des Halbleiterchips 3 verbunden und ein dritter Anschluss der Steuervorrichtung 4 über eine Leitung 4c mit der oben genannten zweiten Insel 6b' des Halbleiterchips 3 verbunden.
Ferner, wie nachfolgend ausführlicher beschrieben, wird ein vierter Anschluss der Steuervorrichtung 4 über eine Leitung 4d mit einem ersten Anschluss der oben genannten anderen Teile des Energiespeichers 2' verbunden.
Ferner, wie ebenfalls in 2 gezeigt, wird auch ein zweiter Anschluss der anderen Teile des Energiespeichers 2' über eine Leitung 2a' mit der oben genannten dritten Insel 6c' des Halbleiterchips 3 verbunden.
Zusätzlich wird ein dritter Anschluss der anderen Teile des Energiespeichers 2' über eine Leitung 2b mit der oben genannten zweiten Insel 6b' des Halbleiterchips 3 verbunden.
Ausführlicher und entsprechend ähnlich wie in Bezug zu 3 beschrieben können die anderen Teile des Energiespeichers 2' beispielsweise eine Diode 2f umfassen.
In diesem Fall kann beispielsweise eine Kathode der Diode 2f über die oben genannte Leitung 4d mit dem oben genannten vierten Anschluss der Steuervorrichtung 4 und über die oben genannte Leitung 2a' mit der oben genannten dritten Insel 6c' des Halbleiterchips 3 verbunden werden.
Ferner kann eine Anode der Diode 2f über die oben genannte Leitung 2b mit der oben genannten zweiten Insel 6b' des Halbleiterchips 3 verbunden werden.
Wie zuvor im in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel erwähnt kann der Kondensator 2c' außerhalb vom Paket (das heißt in einem entsprechenden äußeren Paket) bereitgestellt werden, in dem der Halbleiterchip 3 bereitgestellt wird.
Ein erster Anschluss des Kondensators 2c' kann mit dem oben genannten ersten (äußeren) Stift des Pakets des Halbleiterchips (und somit der oben genannten ersten Insel 6a') verbunden werden und ein zweiter Anschluss des Kondensators 2c' kann mit dem oben genannten dritten (äußeren) Stift des Pakets des Halbleiterchips (und somit der oben genannten dritten Insel 6c') verbunden werden.
Der (äußere) Kondensator 2c' und der Rest des Energiespeichers 2c' gemäß dem alternativen Ausführungsbeispiel einer in 2 gezeigten elektronischen Vorrichtung (bezeichnet mit einem Bezugszeichen 1' in 2) können gemeinsam die gleiche oder entsprechende Funktion erfüllen wie der Energiespeicher der in 1 gezeigten elektronischen Vorrichtung 1.
Wie nachfolgend ausführlicher beschrieben kann der in 1 gezeigte Energiespeicher 2/der Kondensator 2c' zusammen mit dem Rest des in 2 gezeigten Speichers 2' in entsprechenden ersten Phasen der Ansteuerung der entsprechenden elektronischen Vorrichtung 1, 1' Energie erhalten, wobei der entsprechende Transistor 5 gesperrt, das heißt nicht leitend (Ansteuerung der elektronischen Vorrichtung in Sperrrichtung) ist und zwischen der ersten und zweiten Insel 6b, 6b' eine Sperrspannung anliegt (Kathodenpotential relativ zum Anodenpotential).
Zu diesem Zweck wird wie oben erwähnt der entsprechende Kondensator 2c, 2c' mit der entsprechenden ersten Insel 6a, 6a' des Halbleiterchips 2, verwendet als "Anode", und über die entsprechende Diode 2f mit der entsprechenden zweiten Insel 6b, 6b' des Halbleiterchips 3, verwendet als "Kathode", verbunden.
Aus der vorhergehenden Beschreibung geht hervor, dass die Diode 2f in den oben genannten ersten Phasen, in denen der entsprechende Transistor 5 gesperrt ist und zwischen der ersten und zweiten Insel 6b, 6b' eine Sperrspannung anliegt, leitend ist, so dass der entsprechende Kondensator 2c, 2c' aufgeladen wird.
Umgekehrt wird die Diode 2f in den entsprechenden zweiten Phasen der Ansteuerung der elektronischen Vorrichtung 1, 1' (nach den oben genannten ersten Phasen) gesperrt.
Wie nachfolgend ausführlicher beschrieben wird während der oben genannten zweiten Phasen (nach den oben genannten ersten Phasen) der entsprechende Kondensator 2c, 2c' entladen, wodurch das Aktivieren des Transistors 5 unterstützt wird, das heißt der Transistor 5 wird leitend gemacht (Ansteuerung der elektronischen Vorrichtung in leitender Richtung).
Wie in 3 gezeigt und gemäß weiteren alternativen Ausführungsbeispielen kann ein zusätzlicher (Reihen-) Widerstand 102f zwischen der Anode der Diode 2f und der entsprechenden zweiten Insel 6b, 6b' des Halbleiterchips 3 bereitgestellt werden. Somit kann beispielsweise der Einschaltstromstoß während der oben genannten ersten Phasen verringert werden.
Alternativ oder zusätzlich und wie ebenfalls in 3 gezeigt kann parallel zum entsprechenden Kondensator 2c, 2c' eine Zenerdiode 102c bereitgestellt werden.
Dadurch kann beispielsweise die (maximale) Spannung über dem entsprechenden Kondensator 2c, 2c' beispielsweise auf eine maximale Spannung von 15 bis 50 V, insbesondere beispielsweise auf eine maximale Spannung von 20 bis 30 V usw., begrenzt werden. Somit kann eine geeignete Spannungsbegrenzung der Spannung über dem Kondensator 2c, 2c' erreicht werden. Zu diesem Zweck können statt der oder zusätzlich zur Zenerdiode 102c andere geeignete Spannungsbegrenzungsvorrichtungen verwendet werden.
Gemäß einem spezifischen Beispiel kann die Zenerdiode 102c und/oder der Reihenwiderstand 102f und/oder der Kondensator 2c, 2c' so dimensioniert sein, dass die im entsprechenden Kondensator 2c, 2c' im Laufe der oben genannten ersten Phasen gespeicherte Energie ausreicht, um den Transistor 5 während der oben genannten (nachfolgenden) zweiten Phasen durch entsprechendes Entladen des Kondensators 2c, 2c' auf eine Spannung von beispielsweise 8 bis 12 V, beispielsweise etwa 10 V. zu aktivieren. Zusätzlich (oder alternativ) können die Zenerdiode 102c und/oder der Reihenwiderstand 102f und/oder der Kondensator 2c, 2c' so dimensioniert sein, dass entsprechende Kriechströme minimiert werden.
Gemäß weiteren alternativen Ausführungsbeispielen und wie nachfolgend ausführlicher beschrieben kann eine geeignete Spannungsbegrenzung statt der oder zusätzlich zur oben genannten Spannungsbegrenzung bezüglich der Spannung über dem Kondensator 2c, 2c' und beispielsweise erreicht durch die Zenerdiode 102c beispielsweise ebenfalls im Steuerweg der entsprechenden in 3 gezeigten elektronischen Vorrichtung 1, 1' bereitgestellt werden. In diesem Fall kann die Zenerdiode 102c alternativ weggelassen werden.
4 zeigt ein ausführlicheres Schaltungsdiagramm eines Ausführungsbeispiels der in 1 und 2 dargestellten elektronischen Vorrichtungen 1, 1'.
Wie in 4 gezeigt kann die Steuervorrichtung 4 der elektronischen Vorrichtungen 1, 1' beispielsweise einen ersten Transistor 41, hier: einen P-Kanal-MOSFET-Transistor, einen zweiten Transistor 42, beispielsweise einen bipolaren Transistor (hier: einen NPN-bipolaren Transistor) und einen dritten Transistor 43, hier: einen N-Kanal-MOSFET-Transistor, umfassen.
Wie ferner in 4 gezeigt wird ein erster Anschluss des ersten Transistors 41 (hier: der Drain-Anschluss des P-Kanal-MOSFET-Transistors) über die Leitung 4a mit dem Gate-Anschluss des oben genannten Transistors 5 (hier: des Leistungstransistors P) verbunden.
Ferner wird ein zweiter Anschluss des ersten Transistors 41 (hier: der Source-Anschluss des P-Kanal-MOSFET-Transistors) über die Leitung 4d mit dem Energiespeicher 2, 2' (hier: dem Kondensator 2c, 2c' und der Diode 2f) verbünden.
Alternativ und wie in 4 gezeigt kann eine Zenerdiode 44 zwischen dem zweiten Anschluss des ersten Transistors 41 (hier: dem Source-Anschluss des P-Kanal-MOSFET-Transistors) und dem Energiespeicher 2, 2' bereitgestellt werden. Die Zenerdiode kann zum Erzielen einer geeigneten Spannungsbegrenzung dienen. Zu diesem Zweck können statt der oder zusätzlich zur Zenerdiode 44 andere geeignete Spannungsbegrenzungsvorrichtungen, beispielsweise eine Linearregelvorrichtung, verwendet werden.
Beispielsweise kann durch Verwenden der Zenerdiode 44 und/oder der anderen geeigneten Spannungsbegrenzungsvorrichtungen die Spannung am Gate-Anschluss des Transistors 5 auf eine maximale Spannung von beispielsweise 15 bis 50 V, insbesondere beispielsweise auf eine maximale Spannung von 20 bis 30 V, begrenzt werden.
Gemäß einem weiteren alternativen Ausführungsbeispiel (siehe punktierte Linien in 4) kann ein kapazitiver Spannungsteiler 45 parallel zum oben genannten ersten Transistor 41 (hier: dem P-Kanal-MOSFET-Transistor) und zur Zenerdiode 44 bereitgestellt werden. Der kapazitive Spannungsteiler 45 kann beispielsweise einen ersten Kondensator 45a und einen zweiten Kondensator 45b umfassen. Ein erster Anschluss des ersten Kondensators 45a wird mit der oben genannten Leitung 4d und somit dem Energiespeicher 2 verbunden. Ferner wird ein zweiter Anschluss des ersten Kondensators 45a mit einem ersten Anschluss des zweiten Kondensators 45b, dem zweiten Anschluss des ersten Transistors 41 (hier: dem Source-Anschluss des P-Kanal-MOSFET-Transistors) und der Zenerdiode 44 verbunden. Zusätzlich wird ein zweiter Anschluss des zweiten Kondensators 45b mit dem ersten Anschluss des ersten Kondensators 41 (hier: dem Drain- Anschluss des P-Kanal-MOSFET-Transistors) und dem Gate-Anschluss des Transistors 5 verbunden.
Wie ferner in 4 gezeigt wird ein erster Anschluss des zweiten Transistors 42 (hier: der Senderanschluss des oben genannten bipolaren Transistors) über eine Leitung 42a mit dem Gate-Anschluss des ersten Transistors 41 (hier: des oben genannten P-Kanal-MOSFET-Transistors) verbunden, so dass das Gate des P-Kanal-MOSFET-Transistors 41 durch den bipolaren Transistor 42 gesteuert wird.
Ein zweiter Anschluss des zweiten Transistors 42 (hier: der Kollektoranschluss des oben genannten bipolaren Transistors) wird über die Leitung 4c mit der oben genannten zweiten Insel 6b des Chips, das heißt der "Kathode", verbunden.
Wie ferner in 4 gezeigt kann eine am Basisanschluss des zweiten Transistors 42 anliegende Spannung mit einer positiven Spannung, beispielsweise durch Verwendung einer Diode 42b, die mit einem Widerstand 42c in Reihe geschaltet ist, auf Vorspannung gebracht werden.
Durch geeignetes Bringen der am Basisanschluss des zweiten Transistors 42 anliegenden Spannung auf Vorspannung kann eine "Referenzspannung" bzw. "Schwellenspannung" angepasst werden, die bestimmt, bei welcher Spannung der zweite Transistor 42 (und somit auch der erste Transistor 41 und der Leistungstransistor 5, das heißt die elektronische Vorrichtung 1, 1') aktiviert wird.
Ausführlicher und wie in 4 gezeigt kann ein erster Anschluss der Diode 42b (hier: die Kathode der Diode 42b) mit dem Basisanschluss des zweiten Transistors 42 verbunden und ein zweiter Anschluss der Diode 42b (hier: die Anode der Diode 42b) mit der oben genannten ersten Insel 6a des Chips 3, das heißt der "Anode" des Chips 3, verbunden werden. Somit kann erreicht werden, dass der zweite Transistor 42 (und somit auch der erste Transistor 41 und der Leistungstransistor 5, das heißt die elektronische Vorrichtung 1, 1') nicht bei einer Spannung von etwa –0,7 V aktiviert wird (wie dies der Fall wäre ohne Diode 42b), sondern bei einer Spannung von etwa 0 V.
Statt der oben genannten Diode 42b (die beispielsweise eine Siliziumflächen-/Siliziumsperrschichtdiode mit einer Vorwärtsspannung von beispielsweise etwa 0,7 V) kann beispielsweise eine Schottkydiode (mit einer Vorwärtsspannung von beispielsweise etwa 0,5 V) verwendet werden. In diesem Fall wird der zweite Transistor 42 (und somit ebenfalls der erste Transistor 41 und der Leistungstransistor 5, das heißt die elektronische Vorrichtung 1, 1') bei einer Spannung von etwa –0,2 V aktiviert. In einem weiteren alternativen Ausführungsbeispiel kann der Basisanschluss des zweiten Transistors 42 direkt mit der oben genannten ersten Insel 6a des Chips verbunden werden. Da in diesem Fall die am Basisanschluss des zweiten Transistors 42 anliegende Spannung nicht auf Vorspannung gebracht wird, wird der zweite Transistor 42 (und somit ebenfalls der erste Transistor 41 und der Leistungstransistor 5, das heißt die elektronische Vorrichtung 1, 1') bei einer Spannung von etwa –0,7 V aktiviert.
Wie in 4 gezeigt wird ein erster Anschluss des oben genannten Widerstands 42c mit der Kathode der Diode 42b und dem Basisanschluss des zweiten Transistors 42 verbunden. Ferner wird ein zweiter Anschluss des Widerstands 42c mit dem zweiten Anschluss des ersten Transistors 41 (hier: dem Source- Anschluss des P-Kanal-MOSFET-Transistors) und einem ersten Anschluss eines weiteren Widerstands 42d verbunden. Wie ebenfalls in 4 gezeigt wird ein zweiter Anschluss des Widerstands 42d mit dem Gate-Anschluss des ersten Transistors 41 (hier: des P-Kanal-MOSFET-Transistors) und dem ersten Anschluss des zweiten Transistors 42 (hier: dem Senderanschluss des oben genannten bipolaren Transistors) verbunden.
Aus der vorhergehenden Beschreibung wird ersichtlich, dass der erste Transistor 41 (hier: der P-Kanal-MOSFET-Transistor) über den zweiten Transistor 42 (hier: den oben genannten bipolaren Transistor) aktiviert wird, wenn der zweite Transistor 42 aktiviert wird, und über den Widerstand 42d deaktiviert wird, der wie in 4 gezeigt auf die am Source-Anschluss des P-Kanal-MOSFET-Transistors 41 anliegende (positive) Source-Spannung bezogen ist.
Wenn der erste Transistor 41 aktiviert wird, kann ein Strom vom Energiespeicher 2, 2' zum Gate-Anschluss des Leistungstransistors 5 fließen, so dass der Leistungstransistor 5 aktiviert wird.
Der Leistungstransistor 5 kann beispielsweise über einen entsprechenden Pull-down-Widerstand am Anodenpotential oder alternativ wie in 4 gezeigt beispielsweise über eine entsprechende Totempfahlschaltung deaktiviert werden. Die Totempfahlschaltung kann beispielsweise den dritten Transistor 43 (hier: den oben genannten N-Kanal-MOSFET-Transistor) umfassen.
Der Source-Drain-Weg des dritten Transistors 43 (hier: des oben genannten N-Kanal-MOSFET-Transistors) wird zwischen die oben genannte erste Insel 6a des Chips 3, das heißt die "Anode", und den Gate-Anschluss des Leistungstransistors 5 geschaltet. Ferner wird der Gate-Anschluss des dritten Transistors 43 (hier: des oben genannten N-Kanal-MOSFET-Transistors) über eine Leitung 43a mit dem Senderanschluss des oben genannten bipolaren Transistors 42, dem Gate-Anschluss des P-Kanal-MOSFET-Transistors 41 und dem Widerstand 42d verbunden.
Obwohl hierin bestimmte Ausführungsformen dargestellt und beschrieben wurden, weiß der Fachmann, dass eine Reihe von alternativen und/oder äquivalenten Implementierungen statt der dargestellten und beschriebenen Ausführungsformen verwendet werden können, ohne vom Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Diese Anmeldung soll jegliche Adaptionen oder Variationen der hierin erörterten bestimmten Ausführungsformen abdecken. Daher soll die Erfindung nur durch die Ansprüche und deren Äquivalente beschränkt sein.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- US 6271712 [0011]
- US 2005/0122753 [0011]
- US 2005/0218964 [0011]
- WO 02/084873 A1 [0011]
- DE 3717851 [0051]

Claims

Elektronische Vorrichtung, die aufweist: einen zwischen einem ersten und einem zweiten Anschluss der elektronischen Vorrichtung verbundenen Transistor; eine mit einem Steueranschluss des Transistors verkoppelte Steuervorrichtung; und einen mit der Steuervorrichtung verkoppelten Energiespeicher.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Steuervorrichtung einen ersten Steuervorrichtungstransistor und einen zweiten Steuervorrichtungstransistor umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei der zweite Steuervorrichtungstransistor zwischen einen Steueranschluss des ersten Steuervorrichtungstransistors und den ersten oder zweiten Anschluss der elektronischen Vorrichtung geschaltet ist.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 3, die zusätzlich aufweist: eine zwischen einen Steueranschluss des zweiten Steuervorrichtungstransistors und den ersten oder zweiten Anschluss der elektronischen Vorrichtung geschaltete Vorspannvorrichtung.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Vorspannvorrichtung eine Diode umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Diode eine Siliziumflächen-/Siliziumsperrschichtdiode ist.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Diode eine Schottkydiode ist.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Steuervorrichtung eine Spannungsbegrenzungsvorrichtung umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Spannungsbegrenzungsvorrichtung eine Zenerdiode umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Steuervorrichtung einen ersten Steuervorrichtungstransistor, eine Spannungsbegrenzungsvorrichtung und einen ersten und einen zweiten Kondensator umfasst, wobei der erste Kondensator über den ersten Steuervorrichtungstransistor verkoppelt und der zweite Kondensator über die Spannungsbegrenzungsvorrichtung verkoppelt ist.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Steuervorrichtung einen ersten Steuervorrichtungstransistor und eine Totempfahlschaltung umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die Totempfahlschaltung einen Transistor umfasst, der zwischen den ersten Anschluss der elektronischen Vorrichtung geschaltet ist, und wobei der Steueranschluss zwischen den ersten und den zweiten Anschluss der elektronischen Vorrichtung geschaltet ist.
Elektronische Vorrichtung nach Vorrichtung 1, wobei der Transistor, die Steuervorrichtung und der Energiespeicher auf ein und demselben Halbleiterchip bereitgestellt werden.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Energiespeicher einen Kondensator umfasst, und wobei der Transistor und die Steuervorrichtung auf ein und demselben Halbleiterchip bereitgestellt werden, und der Kondensator außerhalb vom Halbleiterchip bereitgestellt wird.
Elektronische Vorrichtung nach Vorrichtung 1, wobei der Transistor, die Steuervorrichtung und der Energiespeicher in ein und demselben Paket bereitgestellt werden.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Energiespeicher einen Kondensator umfasst, und wobei der Transistor und die Steuervorrichtung in ein und demselben Paket bereitgestellt werden, und der Kondensator außerhalb vom Paket bereitgestellt wird.
Elektronische Vorrichtung, die aufweist: einen zwischen einen ersten und einen zweiten Anschluss der elektronischen Vorrichtung geschalteten Transistor; einen Energiespeicher; und eine zwischen den Transistor und den Energiespeicher geschaltete Steuervorrichtung.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 17, wobei die Steuervorrichtung eine Vorspannvorrichtung umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Vorspannvorrichtung eine Diode umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei die Steuervorrichtung ferner einen mit der Vorspannvorrichtung verkoppelten bipolaren Transistor umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 20, wobei die Steuervorrichtung ferner einen mit dem bipolaren Transistor verkoppelten MOSFET-Transistor umfasst.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei der Energiespeicher und die Steuervorrichtung so angepasst sind, dass der Transistor aktiviert wird, wenn eine Spannung zwischen dem ersten und zweiten Anschluss größer als eine definierte Schwelle ist, und deaktiviert wird, wenn die Spannung zwischen dem ersten und zweiten Anschluss kleiner gleich einer definierten Schwelle ist, wobei die Schwelle durch die Vorspannvorrichtung festgelegt wird.
Elektronische Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei der Energiespeicher und die Steuervorrichtung so angepasst sind, dass der Transistor deaktiviert wird, wenn eine Spannung zwischen dem ersten und zweiten Anschluss größer als eine definierte Schwelle ist, und aktiviert wird, wenn die Spannung zwischen dem ersten und zweiten Anschluss kleiner gleich einer definierten Schwelle ist, wobei die Schwelle durch die Vorspannvorrichtung festgelegt wird.
Verfahren zum Betreiben einer elektronischen Vorrichtung, wobei die elektronische Vorrichtung wenigstens eine zwischen einen ersten und einen zweiten Anschluss der elektronischen Vorrichtung geschaltete Schaltvorrichtung, einen Energiespeicher und eine Steuervorrichtung umfasst, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Bringen der Schaltvorrichtung in einen ersten Zustand, wenn eine Spannung zwischen dem ersten und zweiten Anschluss größer ist als eine definierte Schwelle; und Bringen der Schaltvorrichtung in einen vom ersten Zustand verschiedenen zweiten Zustand, wenn die Spannung zwischen dem ersten und zweiten Anschluss kleiner gleich der definierten Schwelle ist.
Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Schwelle durch eine Vorspannvorrichtung festgelegt wird.
Verfahren nach Anspruch 25, wobei die Steuervorrichtung einen weiteren Transistor umfasst, und wobei die Vorspannvorrichtung mit einem Steueranschluss des weiteren Transistors verkoppelt ist.
Verfahren nach Anspruch 26, wobei die Steuervorrichtung einen zusätzlichen Transistor umfasst, und wobei der weitere Transistor mit einem Steueranschluss des zusätzlichen Transistors verkoppelt ist.