DE102008029385A1 - Verfahren zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten Download PDF

Info

Publication number
DE102008029385A1
DE102008029385A1 DE102008029385A DE102008029385A DE102008029385A1 DE 102008029385 A1 DE102008029385 A1 DE 102008029385A1 DE 102008029385 A DE102008029385 A DE 102008029385A DE 102008029385 A DE102008029385 A DE 102008029385A DE 102008029385 A1 DE102008029385 A1 DE 102008029385A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
rare earth
solution
nitrate
metal oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102008029385A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102008029385B4 (de
Inventor
Hanno Schnars
Katharina Prof. Dr. Al-Shamery
Mathias Prof. Dr. Wickleder
Mareike Dipl.-Chem. Ahlers
Maraike Ahlf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Von Ossietzky Universitaet Oldenburg
Original Assignee
Carl Von Ossietzky Universitaet Oldenburg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Von Ossietzky Universitaet Oldenburg filed Critical Carl Von Ossietzky Universitaet Oldenburg
Priority to DE102008029385.7A priority Critical patent/DE102008029385B4/de
Priority to PCT/EP2009/057855 priority patent/WO2009156415A2/de
Priority to US13/000,809 priority patent/US20110175207A1/en
Publication of DE102008029385A1 publication Critical patent/DE102008029385A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008029385B4 publication Critical patent/DE102008029385B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02192—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing at least one rare earth metal element, e.g. oxides of lanthanides, scandium or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/25—Oxides by deposition from the liquid phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/007—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C23C18/1216—Metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02194—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing more than one metal element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158—Making the insulator
    • H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
    • H01L21/28194—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation by deposition, e.g. evaporation, ALD, CVD, sputtering, laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/51—Insulating materials associated therewith
    • H01L29/517—Insulating materials associated therewith the insulating material comprising a metallic compound, e.g. metal oxide, metal silicate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C03C2217/228—Other specific oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
    • C03C2218/112—Deposition methods from solutions or suspensions by spraying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für Metalloxidschichten aus Oxiden der Seltenerdmetalle auf siliciumhaltigen Oberflächen, die zur Durchführung des Beschichtungsverfahrens verwendbare Vorrichtung, sowie die Verwendung der in dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzten Ausgangsstoffe für das Beschichtungsverfahren.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für Metalloxidschichten, insbesondere aus Oxiden der Seltenerdmetalle auf Silicium-haltigen Oberflächen, die zur Durchführung des Beschichtungsverfahrens verwendbare Vorrichtung, sowie die Verwendung der in dem erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzten Ausgangsstoffe für das Beschichtungsverfahren.
  • Silicium-haltige Oberflächen, die durch das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren mit einer Oxidschicht von Seltenerdmetallen versehen werden, sind insbesondere Oberflächen aus Siliciumdioxid, beispielsweise Glas, Borosilikatglas, Quarzglas und andere Glaszusammensetzungen, die im Wesentlichen aus Siliciumdioxid bestehen, insbesondere Oberflächen reinen Siliciums, vorzugsweise Wasserstoff-terminiertes Silicium oder OH-terminiertes Silicium, jeweils monokristallin oder polykristallin.
  • Die durch das Beschichtungsverfahren erhaltenen Seltenerdmetalloxidschichten auf Silicium-haltigen Oberflächen, insbesondere auf reinem Silicium, eignen sich aufgrund ihrer mechanischen Eigenschaften als Schutzschicht, und aufgrund ihrer hohen Dielektrizitätskonstante, die auch in dünner Schicht vorliegt, als dielektrische Zwischenschicht elektrischer Halbleiterelemente, insbesondere in einem MOSFET oder einem DRAM.
  • Es ist bekannt, Feldeffekttransistoren (MOSFET) mit einem Gate-Isolator aus Siliciumdioxid zu versehen, das als Dielektrikum auf eine Oberfläche aus reinem Silicium aufgebracht ist. Siliciumdioxid als dielektrische Schicht benötigt für eine effektive Isolierung jedoch eine minimale Schichtdicke, unterhalb derer Leckströme durch den quantenmechanischen Tunneleffekt auftreten. Diese minimale Dicke einer Siliciumdioxid-Isolatorschicht stellt eine untere Grenze für die Miniaturisierung von MOSFETs dar.
  • Die DE 3744368 C1 beschreibt ein Herstellungsverfahren für Seltenerdoxidschichten auf Glasoberflächen, durch Erwärmen in Lösung aufgetragener anhydrolysierter Oxide mittels Laserbestrahlung. Einziges Beispiel für eine Vorläufersubstanz einer Oxidschicht ist Tetraethoxytitan zur Herstellung einer Titandioxidschicht auf Glas.
  • Die WO 99/02756 beschreibt die Herstellung einer Metalloxidschicht in Halbleiterbauelementen durch Auftragen metallischer Alkoxide mittels Vernebeln einer Lösung im Vakuum, gefolgt von Erwärmung der abgeschiedenen metallischen Alkoxyverbindungen.
  • Die DE 69307533 T2 beschreibt die Herstellung von Metalloxidschichten durch Auftragen eines Metallalkoxycarboxylats in Lösung, gefolgt von Erwärmung.
  • Die EP 1659130 A1 beschreibt die Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten durch chemisches Abscheiden aus der Gasphase (CVD-Verfahren), wobei als Vorläufersubstanz ein Komplex des Seltenerdmetalls mit sec-Butylcyclopentadien als Ligand aufgetragen und anschließend durch Erwärmung zum Seltenerdoxid zersetzt wird.
  • Die US 2003/0072882 A1 beschreibt ein CVD-Beschichtungsverfahren zur Herstellung dünner Seltenerdoxidschichten durch Auftragen von Cyclopentadienyl-Verbindungen der Seltenerdmetalle, gefolgt von thermischer Zersetzung.
  • An den bekannten Beschichtungsverfahren zur Herstellung einer Seltenerdoxidschicht auf Silicium-haltigen Oberflächen besteht ein Nachteil darin, dass die verwendeten metallorganischen Verbindungen für die Anwendung in CVD-Verfahren nur schwer flüchtig sind und zum Einbau von Kohlenstoffatomen in die Oxidschicht führen, was deren elektrische Eigenschaften und/oder Stabilität beeinträchtigt.
  • Aufgabe der Erfindung
  • Vor dem Hintergrund der bekannten Verfahren stellt sich der vorliegenden Erfindung die Aufgabe, ein alternatives Verfahren zur Herstellung von Seltenerdoxidschichten auf Silicium-haltigen Oberflächen, insbesondere auf Oberflächen aus Glas oder reinem Silicium bereitzustellen, das insbesondere eine einfache Verfahrensführung erlaubt.
  • Allgemeine Beschreibung der Erfindung
  • Die Erfindung löst die vorgenannte Aufgabe durch ein Herstellungsverfahren für Seltenerdoxidschichten auf Silicium-haltigen Oberflächen, insbesondere auf Glas oder reinem Silicium, insbesondere Wasserstoff-terminiertem Silicium, bei dem als Vorläufer zumindest ein Seltenerdnitrat der allgemeinen Formel Mn(NO3)n, optional als Hydrat in Lösung, beispielsweise in wässriger und/oder alkoholischer Lösung auf die zu beschichtende Oberfläche aufgetragen wird und die Seltenerdoxidschicht durch Zersetzen des Seltenerdmetallnitrats durch thermische Behandlung, insbesondere nach Entfernung des Lösungsmittels hergestellt wird. Das Metallnitrat eines oder mehrerer Metalle, das vorzugsweise ein Seltenerdnitrat ist, umfasst als Seltenerde (M in Mn(NO3)n) für die Zwecke der Erfindung zumindest eines aus der Gruppe, die die Metalle Lanthan, Sc, Y, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ln, Hf, Tb, Lu, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Ga, In, Tl, Ge, Sn und Pb umfasst, vorzugsweise eins aus der Gruppe der Seltenerdmetalle, die Lanthan, Sc, Y, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ln und Hf umfasst, bevorzugter La, Sc, Y, Pr, Nd, Eu, Dy, Er und/oder Hf, besonders bevorzugt Lanthan. Entsprechend umfasst der Begriff der Seltenerden oder Seltenerdmetalle im Nachfolgenden auch die vorgenannten Gruppen von Metallen, bzw. der Begriff der Seltenerdoxide und Seltenerdmetalloxide auch die Oxide der vorgenannten Gruppen.
  • Der Auftrag der Lösung des Seltenerdmetallnitrats kann durch herkömmliche Verfahren, beispielsweise Tauchen, Rakeln, Abscheiden von Tröpfchen aus einem Aerosol oder Flüssigkeitsstrahl (bspw. Tintenstrahldruckverfahren) der Lösung des Seltenerdmetallnitrats erfolgen, beispielsweise unter Vakuum, insbesondere Ultrahochvakuum, unter Schutzgasatmosphäre oder an der Luft. Vorzugsweise wird Lösungsmittel, beispielsweise Wasser und/oder Alkohol der Seltenerdmetallnitrat-Lösung durch Evaporation, vorzugsweise unter reduziertem Druck und/oder erhöhter Temperatur entfernt, gefolgt von einer thermischen Behandlung, insbesondere auf ca. 500 bis 700°C, vorzugsweise ca. 650°C, was zur Erzeugung einer Seltenerdoxidschicht führt.
  • Vorteilhaft sind die erfindungsgemäß verwendeten Seltenerdmetallnitrate chemisch stabil, d. h. unterliegen keiner unerwünschten Zersetzung bei normalen Lagertemperaturen und sind im Handel erhältlich.
  • Weiterhin sind die Seltenerdmetallnitrate, die als Vorläufersubstanzen der Seltenerdoxidschicht verwendet werden, kohlenstofffrei und chlorfrei, sodass, gegebenenfalls nach Entfernung von organischem Lösemittel, der Einbau von Kohlenstoff bzw. Chlor in die Oxidschicht vermieden wird und eine Seltenerdoxidschicht mit reduziertem oder ohne Gehalt an Kohlenstoff und/oder Chlor erhältlich ist.
  • Weiterhin stellt die Erfindung eine Vorrichtung zur Herstellung einer Seltenerdmetalloxidschicht auf einer Silicium-haltigen Oberfläche bereit, bzw. die Verwendung einer solchen Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Die erfindungsgemäß für das Herstellungsverfahren verwendbare Vorrichtung zur Herstellung einer Seltenerdmetalloxidschicht auf einer Silicium-haltigen Oberfläche, die eine Einrichtung zum Auftragen einer Vorläufersubstanz aufweist, welche Vorläufersubstanz bei thermischer Zersetzung eine Seltenerdoxidschicht bildet, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Auftragen eine Einrichtung zum Auftragen einer Lösung umfasst, die das erfindungsgemäß verwendete Seltenerdnitrat umfasst. Eine solche Einrichtung zum Auftragen einer Lösung kann eine Einrichtung zum flächigen Benetzen der Silicium-haltigen Oberfläche sein, beispielsweise eine Einrichtung zum Tauchen der Silicium-haltigen Oberfläche in die Lösung oder eine Rakeleinrichtung zum Auftrag der Lösung, eine Einrichtung zum Abscheiden von Tröpfchen der Lösung, wobei die Tröpfchen beispielsweise durch Vernebeln der Lösung oder Aufspritzen, z. B. durch eine Düse erzeugt werden und auf der Silicium-haltigen Oberfläche abgeschieden werden.
  • Zur Zersetzung des Seltenerdnitrats zu einem Seltenerdoxid auf der Silicium-haltigen Oberfläche enthält die erfindungsgemäße Vorrichtung eine Erwärmungseinrichtung, bspw. einen Ofen und/oder eine Bestrahlungseinrichtung, insbesondere bevorzugt einen auf die Silicium-haltige Oberfläche zu richtenden Laser.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren dient vorzugsweise zur Herstellung von Halbleiterbauteilen, die eine Seltenerdoxidschicht auf einer Silicium-haltigen Oberfläche, insbesondere auf einer Siliciumoberfläche aufweisen, und/oder zur Herstellung von Glas mit einer Seltenerdoxidschicht.
  • Vorzugsweise wird die Silicium-haltige Oberfläche, beispielsweise eines Silicium-haltigen Substrats, beispielsweise von Glas oder reinem Silicium, vor dem Auftragen der Lösung mit einem Gehalt an Seltenerdnitrat zur Herstellung einer definierten Oberfläche des Substrats vorbehandelt. Eine bevorzugte Vorbehandlung der Silicium-haltigen Oberfläche kann die Behandlung im Ultraschallbad, insbesondere mit Aceton oder einem anderen Lösungsmittel zur Lösung lipophiler Verunreinigungen umfassen.
  • Für Silicium-haltige Oberflächen, insbesondere aus reinem Silicium, ist eine Oxidation bevorzugt, beispielsweise durch Kochen in einer Mischung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid (3:1), um eine definierte Siliciumdioxidschicht auf der Silicium-haltigen Oberfläche herzustellen, vorzugsweise gefolgt von einer Entfernung der Siliciumdioxidschicht, beispielsweise durch Ätzen in Flusssäure, beispielsweise durch Kontaktieren der Silicium-haltigen Oberfläche mit HF (1 bis 10%) bei Raumtemperatur.
  • Besonders bevorzugt wird die Silicium-haltige Oberfläche, insbesondere wenn die Oberfläche aus reinem Silicium besteht, zu einer Wasserstoff-terminierten Oberfläche umgesetzt, beispielsweise durch Behandeln mit wässriger 40% NH4F-Lösung mit weiterem Zusatz einer wässrigen 35% (NH4)2SO3-Lösung im Verhältnis 15:1 im Stickstoffstrom.
  • Zwischen den einzelnen Behandlungsschritten der Vorbehandlung wird die Silicium-haltige Oberfläche vorzugsweise mit Reinstwasser gespült, nach der Herstellung einer Wasserstoff- terminierten Oberfläche nur sehr kurzzeitig, z. B. für maximal 10 s, um keine neue Oxidschicht herzustellen.
  • Besonders bevorzugt erfolgt die Vorbehandlung der Silicium-haltigen Oberfläche im Vakuum oder unter Schutzgasatmosphäre.
  • Entsprechend der Verfahrensschritte zur Vorbehandlung der Silicium-haltigen Oberfläche wird erfindungsgemäß die Lösung zumindest eines Seltenerdnitrats auf einer Oberfläche mit oder aus Siliciumdioxid, vorzugsweise auf eine Wasserstoff- und/oder Hydroxygruppen terminierte Siliciumoberfläche aufgetragen.
  • Die Einrichtung zum Erwärmen der mit Seltenerdnitrat beschichteten Silicium-haltigen Oberfläche, beispielsweise ein Ofen oder ein Laser, sind vorzugsweise vakuumierbar, um die thermische Zersetzung des Seltenerdnitrats zum Seltenerdoxid auf der Silicium-haltigen Oberfläche möglichst ohne Einschluss von Fremdatomen ablaufen zu lassen. Als Alternative oder zusätzlich zu dem an der Erwärmungseinrichtung anliegenden Vakuum kann eine Schutzgasatmosphäre vorgesehen sein.
  • Als Alternative zur naßchemischen Vorbehandlung der Silicium-haltigen Oberfläche, insbesondere für Oberflächen aus reinem Silicium, kann die Vorbehandlung aus dem kurzzeitigen Erhitzen der Silicium-haltigen Oberfläche auf mindestens 1.000°C, vorzugsweise mindestens 1.250°C, und ein gesteuertes Abkühlen mit einer Kühlrate von ca. 0,2 bis 0,3 K/s, vorzugsweise etwa 0,25 K/s behandelt werden.
  • Besonders bevorzugt wird die Silicium-haltige Oberfläche, insbesondere eine Oberfläche reinen Siliciums im Vakuum, insbesondere ein Vakuum von maximal 2 × 10–9 mbar absolut bei etwa 700°C entgast.
  • Genaue Beschreibung der Erfindung
  • Die Erfindung wird nun genauer anhand von Beispielen mit Bezug auf die Figuren beschrieben, in denen
  • 1 die Messergebnisse der Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie (XPS) einer Siliciumoberfläche zeigt, nämlich a) nach der Beschichtung mit Lanthannitrat, vor der thermischen Zersetzung, und b) der selben Oberfläche nach der thermischen Zersetzung,
  • 2 eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme einer erfindungsgemäß hergestellten Lanthanoxidschicht auf einer Siliciumoberfläche zeigt,
  • 3 eine Transmissions-elektronenmikroskopische Aufnahme eines Querschnitts senkrecht durch eine erfindungsgemäß hergestellte Lanthanoxidschicht auf einer Siliciumoberfläche zeigt,
  • 4 das Ergebnis einer energiedispersiven Röntgen-Spektroskopie mit Röntgenstrahlanregung zeigt, und
  • 5 eine Transmissions-elektronenmikroskopische Aufnahme einer anderen Probe einer erfindungsgemäß hergestellten Lanthanoxidschicht auf Silicium zeigt.
  • Beispiel 1: Seltenerdoxidschicht auf Silicium
  • Für das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren einer Seltenerdoxidschicht auf einer Silicium-haltigen Oberfläche wurde eine alkoholische Lanthannitratlösung auf eine vorbehandelte Oberfläche reinen Siliciums aufgetragen und durch Erwärmen zu einer Lanthanoxidschicht umgesetzt, die fest auf der Siliciumoberfläche fixiert war.
  • Das Substrat aus reinem Silicium wurde zunächst im Ultraschallbad behandelt und mit Aceton gewaschen, anschließend in 3:1 Schwefelsäure/H2O2 gekocht, um eine definierte Oxidschicht zu erhalten. Durch Eintauchen der Probe in 5% HF bei Raumtemperatur wurde die Oxidschicht auf dem Substrat aus reinem Silicium entfernt. Zur Herstellung einer oxidfreien Siliciumoberfläche, die Wasserstoff-terminiert war, wurde das Substrat mit 40% NH4F-Lösung mit weiterem Zusatz einer 35%-igen (NH4)2SO3-Lösung im Verhältnis 15:1 im Stickstoffstrom behandelt, jeweils mit kurzzeitigem Spülen des Substrats mit destilliertem Wasser für maximal 10 s.
  • Das so vorbereitete Substrat wurde in eine Ultrahochvakuumkammer eingebracht.
  • Die Lösung mit dem Seltenerdnitrat, im vorliegenden Beispiel Lanthannitrat, konnte in Wasser oder, zur Benetzung der Siliciumoberfläche bevorzugt in einem C1-C6-Alkohol angesetzt sein, besonders bevorzugt in 2-Propanol und/oder Buthanol. Zur vollständigen oberflächlichen Auftragung des Lanthannitrats wurde die Siliciumoberfläche in die Lösung des Lanthannitrats eingetaucht und wieder herausgezogen.
  • Die Erwärmung erfolgte im Ultrahochvakuum auf 650°C mit 0,5 K/s. Die Endtemperatur wurde für ca. 60 s gehalten, anschließend wurde auf Raumtemperatur abgekühlt. Während der Erwärmung freigesetzte gasförmigen Zersetzungsprodukte wurden mit Hilfe eines an die Vakuumkammer angeschlossenen Massenspektrometers als Stickoxide bestimmt.
  • Das mit Lanthannitrat beschichtete Substrat aus Silicium wurde nach Trocknen zur Entfernung des Lösungsmittels, jedoch vor der thermischen Zersetzung des Lanthannitrats durch Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie analysiert, und nach der Erwärmung zur thermischen Zersetzung. Die Ergebnisse sind in 1 gezeigt, nämlich a) vor der thermischen Zersetzung des Lanthannitrats und b) nach der thermischen Zersetzung des Lanthannitrats. Die Spektren lassen im Vergleich erkennen, dass sich das Dublett für den La3d-Spitzenwert, der zu einem Dublett von La3d 3/2 und La3d 5/2 aufspaltet, durch die Erwärmung verschoben hat, was die Umsetzung des Seltenerdnitrats zum Seltenerdoxid am Beispiel des Lanthanoxids zeigt.
  • Eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme der mit der Lanthanoxidschicht versehenen Siliciumoberfläche ist in 2 gezeigt. Hier wird deutlich, dass die aufgetragene Seltenerdoxidschicht im Wesentlichen einheitlich und eben, ohne besondere Rauheit hergestellt wurde.
  • Durch energiedispersive Röntgenspektroskopie konnte bestätigt werden, dass Lanthan innerhalb der Lanthanoxidschicht gleichmäßig verteilt ist.
  • Für die Bestimmung der Schichtdicke und Morphologie der Seltenerdoxidschicht auf der Siliciumoberfläche wurden Transmissions-elektronenmikroskopische Aufnahmen an Querschnitten des Siliciumsubstrats und der darauf angeordneten Seltenerdoxidschicht hergestellt. Die Transmissions-Elektronenmikroskopie wurde an Lamellen durchgeführt, die aus der Probe des Seltenerdoxid-beschichteten Siliciums mittels eines Ionenstrahls ausgeschnitten und unter einem optischen Mikroskop mit mechanischen Mikromanipulatoren gehandhabt wurden.
  • 3 zeigt einen Ausschnitt der Transmissions-elektronenmikroskopischen Aufnahme, nämlich mit dem mittleren hellen Streifen, etwa zentral in der Abbildung, die Lanthanoxidschicht, oberhalb die von der Präparation für die Elektronenmikroskopie herrührende Kohlenstoffschicht (nicht erfindungsgemäß), und unterhalb der Lanthanoxidschicht das reine Silicium des Substrats. Die Schichtdicke des Lanthanoxids wurde zu etwa 10 nm bestimmt, die ohne detektierbare Lücken unmittelbar an die Siliciumoberfläche anschließt.
  • Die Schichtdicke von ca. 10 nm für die Lanthanoxidschicht wurde in ersten Analysen mittels winkelabhängiger XPS (Röntgen-Photoelektronenspektroskopie) bestätigt.
  • 4 zeigt das Ergebnis der energiedispersiven Röntgenspektroskopie und bestätigt die Zusammensetzung der Seltenerdoxidschicht als Lanthanoxid; der Nachweis von Kohlenstoff und Platin rührt aus Verunreinigungen, die auf die Kohlenstoff- bzw. Platinbeschichtung für die Elektronenmikroskopie herrühren, der Nachweis von Gallium geht auf den zur Herstellung des lamellenförmigen Ausschnitts aus dem Substrat verwendeten fokussierten Gallium-Ionenstrahl zurück.
  • Die Dielektrizitätskonstante einer solchermaßen hergestellten Seltenerdoxidschicht auf Silicium hat für die Herstellung integrierter Schaltkreise, beispielsweise von MOSFETs, geeignete Werte.
  • Beispiel 2: Herstellung einer Lanthanoxidschicht auf Silicium
  • Entsprechend Beispiel 1 wurde Silicium mit einer Lanthanoxidschicht durch thermische Zersetzung von aus Lösung aufgetragenem Lanthannitrat auf einem Wasserstoff-terminierten Siliciumsubstrat hergestellt.
  • Entsprechend Beispiel 1 wurde aus dem mit Lanthanoxid beschichteten Silicium mittels fokussierten Ionenstrahls eine Lamelle etwa senkrecht zur Ebene der Oberfläche des Siliciumsubstrats geschnitten und in der Transmissions-Elektronenmikroskopie analysiert.
  • 5 zeigt die hergestellte Schicht aus Lanthanoxid auf dem in der Abbildung rechts unten angeordneten Siliciumsubstrat; die Dicke der Lanthanoxidschicht ist durch die beiden eingefügten Pfeile gekennzeichnet. Die Schichtdicke konnte zur ca. 300 bis 350 nm geschätzt werden. In diesem Beispiel zeigt sich, dass die Schicht aus Lanthanoxid Unregelmäßigkeiten aufweist, vermutlich eingeschlossene gasförmige Zersetzungsprodukte des Seltenerdnitrats. Durch Veränderung der Verfahrensparameter, insbesondere der Konzentration der Lösung an Seltenerdnitrat, der Rate der Erwärmung und Abkühlung sowie des Vakuums konnten dünnere Schichten Seltenerdoxids auf einem Substrat hergestellt werden, die überdies homogen waren, z. B. keine Gaseinschlüsse aufwiesen.
  • Daher zeigen die Beispiele, dass mit dem erfindungsgemäßen Verfahren Metalloxidschichten, insbesondere Seltenerdoxidschichten hergestellt werden können, die im wesentlichen homogen sind, oder solche die porös sind, z. B. mit Hohlräumen, die von Gaseinschlüssen in der Seltenerdoxidschicht erzeugt sein können. Vorzugsweise weisen die Seltenerdoxidschichten eine geschlossene Oberfläche auf, die jeweils gegenüber ihrer an das Substrat angrenzenden Fläche angeordnet ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 3744368 C1 [0005]
    • - WO 99/02756 [0006]
    • - DE 69307533 T2 [0007]
    • - EP 1659130 A1 [0008]
    • - US 2003/0072882 A1 [0009]

Claims (19)

  1. Verfahren zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten auf einer Silicium-haltigen Oberfläche durch Auftragen einer Vorläuferverbindung eines Metalloxids auf die Oberfläche, gefolgt von thermischer Zersetzung der Vorläuferverbindung, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorläuferverbindung ein Metallnitrat enthält.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Metallnitrat in Lösung aufgetragen wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösung eine wässrige Lösung und/oder eine alkoholische Lösung mit C1- bis C6-gesättigten Alkohol ist.
  4. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Metallnitrat die Formel Mn(NO3)n hat, mit oder ohne Kristallwasser, wobei M zumindest eins aus der Gruppe ist, die Lanthan, Sc, Y, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ln, Hf, Tb, Lu, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Ga, In, Tl, Ge, Sn und Pb umfasst.
  5. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Metallnitrat ein Seltenerdmetallnitrat und das Metalloxid ein Seltenerdmetalloxid ist.
  6. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die thermische Zersetzung eine Erwärmung auf eine Temperatur von mindestens 500°C, mindestens 650°C oder mindestens 700°C umfasst.
  7. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die thermische Zersetzung die Erwärmung mittels Bestrahlung umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung Laserstrahlung ist.
  9. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Auftragen des Metallnitrats und/oder die thermische Zersetzung im Vakuum und/oder unter Schutzgasatmosphäre erfolgt.
  10. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Silicium-haltige Oberfläche Siliciumdioxid, Wasserstoff-terminiertes Silicium und/oder OH-terminiertes Silicium umfasst oder aus Silicium besteht.
  11. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Silicium-haltige Oberfläche durch Oxidation und anschließende Reduktion vorbehandelt ist.
  12. Verfahren nach einem Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Silicium-haltige Oberfläche durch Erwärmen auf ca. 1250°C und Abkühlen bei einer Geschwindigkeit von maximal 0,2 K/s im Ultrahochvakuum vorbehandelt wird.
  13. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verarbeitung zu einem Feldeffekttransistor.
  14. Vorrichtung zur Verwendung zur Herstellung von Metalloxidschichten auf Silicium-haltigen Oberflächen mit einer Einrichtung zum Auftragen einer Lösung einer Vorläufersubstanz der Metalloxidschicht, die bei thermischer Zersetzung eine Metalloxidschicht bildet, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Auftragen einer Lösung eine Einrichtung zum Auftragen einer Lösung mit einem Gehalt an Metallnitrat umfasst.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Auftragen einer Lösung ein Tauchbad zum Eintauchen der Silicium-haltigen Oberfläche ist.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung eine Einrichtung zur Vorbehandlung der Silicium-haltigen Oberfläche aufweist, die zum Aufheizen auf eine Temperatur von ca. mindestens 1250°C und Abkühlen bei einer Geschwindigkeit von maximal ca. 0,2 K/s eingerichtet ist.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zum Auftragen der Lösung eine gepulste Sprüheinrichtung aufweist.
  18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Metallnitrat ein Seltenerdmetallnitrat ist.
  19. Verwendung eines Metallnitrats der Formel Mn(NO3)n, mit oder ohne Kristallwasser, wobei M zumindest eins aus der Gruppe ist, die Lanthan, Sc, Y, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ln, Hf, Tb, Lu, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Ga, In, Tl, Ge, Sn und Pb umfasst, in einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13.
DE102008029385.7A 2008-06-23 2008-06-23 Verfahren zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten, Verwendung einer Vorrichtung zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten sowie Verwendung eines Metallnitrats Active DE102008029385B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008029385.7A DE102008029385B4 (de) 2008-06-23 2008-06-23 Verfahren zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten, Verwendung einer Vorrichtung zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten sowie Verwendung eines Metallnitrats
PCT/EP2009/057855 WO2009156415A2 (de) 2008-06-23 2009-06-23 Verfahren zur herstellung von metalloxidschichten
US13/000,809 US20110175207A1 (en) 2008-06-23 2009-06-23 Method for producing metal oxide layers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008029385.7A DE102008029385B4 (de) 2008-06-23 2008-06-23 Verfahren zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten, Verwendung einer Vorrichtung zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten sowie Verwendung eines Metallnitrats

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102008029385A1 true DE102008029385A1 (de) 2009-12-24
DE102008029385B4 DE102008029385B4 (de) 2014-11-27

Family

ID=41334947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008029385.7A Active DE102008029385B4 (de) 2008-06-23 2008-06-23 Verfahren zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten, Verwendung einer Vorrichtung zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten sowie Verwendung eines Metallnitrats

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20110175207A1 (de)
DE (1) DE102008029385B4 (de)
WO (1) WO2009156415A2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013219903A1 (de) * 2013-10-01 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Oberflächenbeschichtung mit Seltenerdmetalloxiden
US9404396B2 (en) 2012-03-08 2016-08-02 Daimer Ag Motor vehicle valve train adjustment device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111834230B (zh) * 2020-06-22 2023-01-13 华南师范大学 一种铈掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其在制备晶体管中的应用

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB776443A (en) * 1953-02-24 1957-06-05 Armour Res Found New or improved methods of forming metal oxide coatings
DE3744368C1 (de) 1987-12-29 1989-08-03 Schott Glaswerke Verfahren zur Herstellung von festen optischen Einfach- und Mehrfach-Interferenz-Schichten
US5318800A (en) * 1989-09-15 1994-06-07 Academy Of Applied Science Method of forming high temperature thermally stable micron metal oxide coatings on substrates and improved metal oxide coated products
DE69307533T2 (de) 1992-10-23 1997-07-10 Symetrix Corp Vorläufer und verfahren zur herstellung von metalloxiden
WO1999002756A1 (en) 1997-07-14 1999-01-21 Symetrix Corporation Method and apparatus for fabrication of thin films by chemical vapor deposition
US20030072882A1 (en) 2001-08-03 2003-04-17 Jaakko Niinisto Method of depositing rare earth oxide thin films
EP1617467A1 (de) * 2003-03-26 2006-01-18 Riken Prozess zur herstellung eines dielektrischen isolierenden dünnfilms und dielektrisches isolationsmaterial
EP1659130A1 (de) 2003-08-25 2006-05-24 Asahi Denka Co., Ltd. Seltenerdmetallkomplex, material zur bildung dünner filme und verfahren zur herstellung dünner filme

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7154153B1 (en) * 1997-07-29 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Memory device
JP3383838B2 (ja) * 1999-02-25 2003-03-10 独立行政法人産業技術総合研究所 金属酸化物の製造方法及び微細パターンの形成方法
US6689700B1 (en) * 1999-11-02 2004-02-10 University Of Massachusetts Chemical fluid deposition method for the formation of metal and metal alloy films on patterned and unpatterned substrates
US6777565B2 (en) * 2000-06-29 2004-08-17 Board Of Trustees, The University Of Illinois Organometallic compounds and their use as precursors for forming films and powders of metal or metal derivatives
US6930059B2 (en) * 2003-02-27 2005-08-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition
US7442415B2 (en) * 2003-04-11 2008-10-28 Sharp Laboratories Of America, Inc. Modulated temperature method of atomic layer deposition (ALD) of high dielectric constant films
US7767520B2 (en) * 2006-08-15 2010-08-03 Kovio, Inc. Printed dopant layers

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB776443A (en) * 1953-02-24 1957-06-05 Armour Res Found New or improved methods of forming metal oxide coatings
DE3744368C1 (de) 1987-12-29 1989-08-03 Schott Glaswerke Verfahren zur Herstellung von festen optischen Einfach- und Mehrfach-Interferenz-Schichten
US5318800A (en) * 1989-09-15 1994-06-07 Academy Of Applied Science Method of forming high temperature thermally stable micron metal oxide coatings on substrates and improved metal oxide coated products
DE69307533T2 (de) 1992-10-23 1997-07-10 Symetrix Corp Vorläufer und verfahren zur herstellung von metalloxiden
WO1999002756A1 (en) 1997-07-14 1999-01-21 Symetrix Corporation Method and apparatus for fabrication of thin films by chemical vapor deposition
US20030072882A1 (en) 2001-08-03 2003-04-17 Jaakko Niinisto Method of depositing rare earth oxide thin films
EP1617467A1 (de) * 2003-03-26 2006-01-18 Riken Prozess zur herstellung eines dielektrischen isolierenden dünnfilms und dielektrisches isolationsmaterial
EP1659130A1 (de) 2003-08-25 2006-05-24 Asahi Denka Co., Ltd. Seltenerdmetallkomplex, material zur bildung dünner filme und verfahren zur herstellung dünner filme

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9404396B2 (en) 2012-03-08 2016-08-02 Daimer Ag Motor vehicle valve train adjustment device
DE102013219903A1 (de) * 2013-10-01 2015-04-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Oberflächenbeschichtung mit Seltenerdmetalloxiden

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009156415A2 (de) 2009-12-30
DE102008029385B4 (de) 2014-11-27
WO2009156415A3 (de) 2010-04-15
US20110175207A1 (en) 2011-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3490007C2 (de)
DE69416767T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Si-O beinhaltenden Überzuges
EP0316765B1 (de) Verfahren zur hydrophilierenden und/oder Kittreste entfernenden Oberflächenbehandlung von Siliciumscheiben
DE3209066A1 (de) Verfahren zum aetzen eines halbleitermaterials oder einer halbleiterverbindung
DE60119114T2 (de) Oberflächenmodifizierter nichtrostender stahl in form einer fe-cr-al-legierung
DE112005002798T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Metalloxidfilms
DE4116910A1 (de) Verfahren zur erzeugung oxidkeramischer oberflaechenschichten auf leichtmetall-gusslegierungen
DE102008029385B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten, Verwendung einer Vorrichtung zur Herstellung von Seltenerdmetalloxidschichten und Übergangsmetalloxidschichten sowie Verwendung eines Metallnitrats
DE102019204224A1 (de) Verfahren zur Neukonditionierung von feuerverzinkten Oberflächen
DE2816917C2 (de)
EP3498890A1 (de) Beizverfahren für profile, gewalzte bänder und bleche aus aluminiumlegierungen
DE69619428T2 (de) Oberflächenbehandlungsmittel für Beschichtung und derart beschichteter Gegenstand
DE102020202171A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines oberflächenveredelten Stahlblechs und oberflächenveredeltes Stahlblech
DE102014211386B3 (de) Verfahren zur Beschichtung eines Substrats
DE102007020800B4 (de) Modifizierte Multikanalstrukturen und deren Verwendung
DE102016104128A1 (de) Verfahren zum Beschichten einer Bauteiloberfläche, beschichtetes Bauteil und Verwendung eines Precursormaterials
DE69308970T2 (de) Verfahren zur Vorbehandlung der Reaktionskammer und/oder des Substrates für die Selektive Auftragung des Wolframs
DE19846479A1 (de) Diamant-Impfpulver mit ausgezeichneter Adhäsion an eine Oberfläche zur Bildung eines Films aus synthetischem Diamant und Dispersion davon
DE102007041544A1 (de) Verfahren zur Herstellung von DLC-Schichten und dotierte Polymere oder diamantartige Kohlenstoffschichten
DE102017219312A1 (de) 2-stufiger Trockenätzprozess zur Texturierung kristalliner Siliziumscheiben
DE3616101A1 (de) Verfahren zur herstellung elektronischer festkoerper-anordnungen, insbesondere solarzellen
DE2750805A1 (de) Verfahren zur herstellung metallhaltiger schichten auf oberflaechen von halbleiterbauelementen
DE19707180C2 (de) Verfahren zur elektrochemischen Behandlung von Siliziumwerkstoffoberflächen und Anwendung des Verfahrens
DE102013110421B4 (de) Verwendung einer strukturierten a-SiNx-Schicht
DE10309728B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Si-Wafern mit einer Lanthanoid-Silikat-Schicht

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final