DE102013110421B4 - Verwendung einer strukturierten a-SiNx-Schicht - Google Patents

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Abstract

Verwendung einer strukturierten a-SiN-Schicht, wobei die Strukturen durchgehende Öffnungen mit kreisförmigem und/oder eckigem Querschnitt sind, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte a-SiN-Schicht als Maske beim Aufbringen von mechanischen und/oder elektrischen Kontaktstrukturen in Halbleiterbauelementen verwendet wird sowie dass die Maske hergestellt ist mit den folgenden Verfahrensschritten:- Aufbringen einer a-SiN:H-Schicht auf einem Substrat mittels PECVD, wobei- für die Abscheidung von a-SiN:H auf dem Substrat als Gase SiHund NHverwendet werden und- zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit eckigem Querschnitt in der a-SiN:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH/SiH> 2, bei einem Druck von > 39,9967 Pascal und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden wird oder- zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit kreisförmigem in der a-SiN:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH/SiH< 2, bei einem Druck von > 39,9967 Pascal und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden wird,- anschließend die a-SiN:H-Schicht einer Hochtemperaturbehandlung unterzogen wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Verwendung einer strukturierten a-SiNx-Schicht. Die Strukturen sind hierbei durchgehende Öffnungen mit kreisförmigem oder eckigem Querschnitt, die erstgenannten bilden Löcher, die letztgenannten Spalten.
  • Werden a-SiNx-Schichten mittels PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) aufgebracht und temperaturbehandelt, so ist dem Stand der Technik nach zu entnehmen, dass die Oberfläche unerwünschte Modifikationen aufweist, die sich schädlich auf die weitere Prozessierung im Rahmen der Herstellung von Schichtstrukturen mit einer derartigen a-SiNx-Schicht auswirken.
  • So wird von LIU (LIU, Y; JEHANATHAN, N.; DELL, J.: Thermally induced damages of PECVD SiNx thin films. In: J. Mater. Res., Vol. 26, 14. Oktober 2011, No. 19, S. 2552-2557) darüber berichtet, dass unerwünschte Rissbildungen von in mittels PECVD aufgebrachten SiNx-Filmen entstehen, wenn diese auf höhere Temperaturen an Luft erhitzt werden. Diese Rissbildungen können eine willkürliche Form, beispielsweise kreisförmig oder auch linienförmig, aufweisen.
  • Auch in der Dissertation von D. Klein (KLEIN, D.: Characterization and improvement of silicon solar cells: Enhanced light acceptance and better separation and extraction of charge-carriers (Dissertation). Metz, Berlin: Paul Verlaine University – Metz, Freien Universität Berlin, 2009. S. 96-101) mit dem Thema „Characterization and improvement of silicon solar cells: Enhanced light acceptance and better separation and extraction of charge-carriers“ angefertigt an der Universite Paul Verlaine de Metz und an der Freien Universität Berlin wird über die Bildung von gestörten Oberflächengebieten in der a-SiNx-Schicht während einer Temperbehandlung berichtet . Untersucht wurde u.a. die Abhängigkeit der Form der Störung in der Oberfläche der a-SiNx-Schicht vom Verhältnis Silizium zu Stickstoff, insbesondere von SiH4 zu NH3 während des Temperns. Die untersuchten Oberflächen wiesen Strukturen mit kreisförmigem und/oder eckigem Querschnitt auf.
  • Der Oberbegriff des Anspruchs 1, mit dem Merkmal einer strukturierten a-SiNx-Schicht, wobei die Strukturen durchgehende Öffnungen mit kreisförmigem und/oder eckigem Querschnitt sind, ist in der Dissertation von D. Klein offenbart.
  • Da die Bildung von Rissen und Löchern unerwünschte Wirkungen nach sich zieht, werden Verfahren gesucht, bei denen keine Risse und Löcher auftreten. So ist ein Verfahren zum Aufbringen einer von Rissen freien SiNx-Barriereschicht auf einem optisch transparenten plastischen Substrat von CHERENACK (CHERENACK, K.; [u.a]: SiNx barrier layers deposited at 250°C on a clear polymer substrate. In: Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 936, 2006, S. 0936-L01-05) beschrieben.
  • In der Dissertation von Hauser, (HAUSER, A.: Die kristalline Siliziumsolarzelle - Untersuchung der Einzelprozesse und Entwicklung von Alternativen (Dissertation). Konstanz: Universität Konstanz, 2006. S. 94-97) wird berichtet dass durch Reinigung der Oberfläche mittels Ammoniak-Anregung von PECVD-SiNx-Schichten die Bläschenbildungseffekte (Blistering-Effekt), die durch Entweichen großer Mengen von in diesen Schichten eingebautem H2 während einer Temperbehandlung entstehen, mindestens verringert werden.
  • Bei dem von AKEDO (AKEDO, K.; [u.a.]: Plasma-CVD SiNx/Plasma-polymerized CNx:H Multi-Iayer Passivation Films for Organic Light Emitting Diodes. In: R&D Review of Toyota CRDL, Vol. 40, 2005, No. 3, S. 40-44) beschriebenen Verfahren wird zur Vermeidung unerwünschter Rissbildung eine Plasma-CVD-SiNx/Plasma-polymerisierte CNx:H-Vielfachschicht aufgebracht, die als Passivierungsschicht für organische Leuchtemitterdioden dient.
  • Von MACKENZIE (MACKENZIE, K.D.; [u.a.]: Stress Control of Si-Based PECVD Dielectrics. In: Proc. Symp. Silicon Nitride and Silicon Dioxode Thin Insulating Films & Other Emerging Dielectrics VIII, PV2005-01, 2005, S. 148-159) wird mechanischer Stress als Grund für unerwünschte Bläschen- oder Rissbildung angeführt. Da die Qualität der SiNx-Schicht als Passivierungsschicht Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften eines diese Schicht aufweisenden Bauelements hat, werden Verfahrensparameter zur Vermeidung von Stresszuständen während des Aufbringens der PECVD-SiNx-Schichten angegeben.
  • In der EP 2 533 305 A2 wird sogar zunächst auf der Rückseite einer Solarzelle eine bläschenfreie Al2O3-basierende Passivierungsschichtfolge (Al2O3/SiNx oder SiOx/SiNx oder Al2O3/SiOx/SiNx) erzeugt. Dies geschieht durch Abscheidung der genannten Schichten und anschließendem Ausgasen durch einen Temperschritt. Erst danach werden mittels Laserablation Löcher in die Oberfläche der Schichtenfolge eingebracht und mit Kontaktmaterial gefüllt.
  • In DE 10 2009 004 902 B3 ist ein Verfahren zur simultanen Mikrostrukturierung und Passivierung siliziumhaltiger Festkörper u. a. mit SiNx beschrieben. Dabei wird ein Flüssigkeitsstrahl über die zu strukturierenden Bereiche der Festkörperoberfläche geführt. In diesen Flüssigkeitsstrahl, der mindestens einen Precursor für die Passivierung enthält, wird ein Laserstrahl eingekoppelt. Dabei wird die Festkörperoberfläche lokal aufgeheizt, zumindest teilweise strukturiert und in den Strukturen bildet sich eine SiNx-Passivierungsschicht aufgrund der Sättigung der durch die Strukturierung gebildeten freien Oberflächenbindungen aus.
  • Aus FVS Themen 2003, (Dr. Gerd Stadermann, ForschungsVerbund Sonnenenergie: Themen 2003, Photovoltaik – Neue Horizonte. Berlin: Oktoberdruck AG, 2004. S. 36-58. – ISSN 0939-7582) ist bekannt, die Passivierungsschicht für die Erzeugung von Kontakten zu öffnen, anschließend zu befüllen oder mittels Laserfeuern nach ganzflächiger Metallisierung durch die Passivierungsschicht hindurch Punktkontakte zu erzeugen.
  • Dem Stand der Technik nach sind aber auch Veröffentlichungen bekannt, die die in den oben zitierten Veröffentlichungen beschriebenen unerwünschten Störungen der Oberfläche einer SiNx-Passivierschicht für die Erzeugung weiterer Strukturen für die Ausbildung funktioneller Bereiche auszunutzen.
  • So wird in EP 2 482 328 A2 die Bläschenbildung ausgenutzt, indem in einem Verfahrensschritt auf eine Schichtenfolge ALD-Al2O3-SiOx/SiNx, auf deren Oberfläche während der vorherigen Verfahrensschritte Bläschen gebildet wurden, eine Al-Schicht aufgebracht und eingebrannt wird, um so lokale Rückkontakte in einer Solarzelle zu erzeugen.
  • Die Aufgabe der Erfindung ist nun darin zu sehen, eine Verwendung von mit einfachen Mitteln in einem wenig aufwendigen Verfahren hergestellten strukturierten a-SiNx-Schichten anzugeben, wobei die Strukturen durchgehende Öffnungen mit kreisförmigem und/oder eckigem Querschnitt sind.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
  • Erfindungsgemäß wird eine strukturierte a-SiNx-Schicht als Maske beim Aufbringen von mechanischen und/oder elektrischen Kontaktstrukturen in Halbleiterbauelementen verwendet.
  • Die a-SiNx-Schicht weist spaltenförmige und/oder kreisförmige Strukturen auf, die z. B. mittels elektrochemischer oder chemischer Verfahren mit einem Kontaktmaterial gefüllt werden können. Im Sinne der Erfindung wird als Kontakt ein mechanischer und/oder elektrischer Kontakt verstanden. Als Material für den elektrischen Kontakt wird dabei zum Beispiel Gold oder Silber oder Aluminium in die Spalten eingebracht.
  • Vorzugsweise ist die Verwendung der Maske mit spaltenförmigen Strukturen für das Aufbringen einer strukturierten Frontkontaktschicht einer Solarzelle vorgesehen.
  • Die Maske kann aber auch für das Erzeugen von spaltenförmigen und/oder kreisförmigen Strukturen, die mit organischen Materialien gefüllt werden, dienen. Als organische Materialien können hierfür beispielsweise Polymere - auch leitende - und Kohlenstoff eingesetzt werden.
  • Weiterhin ist vorgesehen, die strukturierte a-SiNx-Schicht mit katalytischen oder elektrokatalytischen Materialien beispielsweise zwecks Katalyse zur Wasserstoffentwicklung oder Wasserreinigung zu befüllen. Für das Befüllen kann z. B. Platin verwendet werden.
  • Als Materialien für das Verfüllen der Strukturen kommen solche in Frage, die mit dem Substrat reagieren, aber nicht mit der als Maske dienenden a-SiNx-Schicht.
  • Ebenso kann die Maske für die Erzeugung von in das Substrat vertieften Strukturen verwendet werden, dabei werden die strukturierte a-SiNx-Schicht und das darunterliegende Substrat geätzt und die spaltenförmigen und/oder kreisförmigen Strukturen in das Substrat übertragen. Danach erfolgt ein Auffüllen der Struktur mit dem gewünschten Material.
  • Die Strukturen in der a-SiNx-Schicht, die durchgehende Öffnungen mit kreisförmigem und/oder eckigem Querschnitt sind, können mit folgendem Verfahren hergestellt werden: Zunächst wird eine a-SiNx:H-Schicht auf einem Substrat mittels PECVD aufgebracht, wobei für die Abscheidung von a-SiNx:H auf dem Substrat als Gase SiH4 und NH3 verwendet werden und zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit eckigem Querschnitt in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 > 2, bei einem Druck von > 39,9967 Pascal (0,3 Torr) und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden wird. Zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt in der a-SiNx:H-Schicht wird diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 < 2, bei einem Druck von > 39,9967 Pascal (0,3 Torr) und ebenfalls mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden. Bei dem PECVD-Prozess kann als weiteres Gas auch N2 zur Stabilisierung des Plasmas eingesetzt werden. Anschließend wird die a-SiNx-Schicht einer Hochtemperaturbehandlung unterzogen. Bei diesem letzten Verfahrensschritt werden nun die Strukturen in der a-SiNx-Schicht gebildet. Die dabei eingestellte Temperatur ist geringer als die Schmelztemperatur des Substrats oder der a-SiNx-Schicht und wird zur Bildung von spaltenförmigen Strukturen bei > 600 °C und zur Bildung von Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt bei mindestens 400 °C über eine Dauer von mindestens 2 s durchgeführt. Wie bereits erwähnt, sind die in der a-SiNx-Schicht gebildeten Strukturen durchgehende Strukturen, d.h. sie erstrecken sich über die gesamte Dicke der a-SiNx-Schicht.
  • In dem beschriebenen Verfahren wird ganz bewusst die Bildung von Defekten, z. B. durch den sogenannten Blistering-Effekt, ausgenutzt, die während der Hochtemperaturbehandlung auftreten. Damit wird die Bildung von Strukturen - bei den oben angegebenen Parametern von Spalten oder Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt entsprechend - bei der Abscheidung von a-SiNx-Schichten realisiert. Es konnte experimentell nachgewiesen werden, dass a-SiNx-freie Bereiche in Form von Spalten oder Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt auf dem Substrat entstehen. Spalten oder Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt können über die gesamte Dicke der aufgebrachten a-SiNx-Schicht entstehen. Ist das Verhältnis von NH3/SiH4 ungefähr 2, gibt es einen Übergangsbereich, in dem beide Arten der beschriebenen Strukturen entstehen können.
  • Die Oberfläche des Substrats kann mittels bekannter Methoden vor Aufbringen der a-SiNx-Schicht in einem Ultraschallbad gesäubert, anschließend in einer Piranha-Lösung oxidiert und danach in 2 %-iger Flusssäure geätzt werden.
  • Als Substrat kann bei dem beschriebenen Verfahren ein kristallines Silizium-Substrat verwendet werden. Insbesondere wird <100> monokristallines Silizium verwendet, bei dem Spalten in der aufgebrachten a-SiNx-Schicht gebildet werden, die einen Winkel von 90° zueinander einschließen, oder es wird als Substrat <111 > monokristallines Silizium verwendet, bei dem Spalten in der aufgebrachten a-SiNx-Schicht gebildet werden, die einen Winkel von 60° oder 120° zueinander einschließen. das beschriebene Verfahren ist nicht beschränkt auf Silizium-Substrate, z. B. können auch InP- oder Glassubstrate eingesetzt werden.
  • Mit dem beschriebenen Verfahren konnten Löcher mit einem Durchmesser von 5 µm bis 100 µm und Spalten in einer Breite von 100 nm bis 250 nm und einer Tiefe, die bis zur gesamten Dicke der aufgebrachten a-SiNx-Schicht reicht, gemäß aktueller Experimente von bis zu ca. 500 nm, erzeugt werden. Die Breite der erzeugten Spalten und der Durchmesser der erzeugten Löcher kann durch Ätzen der strukturierten a-SiNx-Schicht mittels einer HF-Lösung vergrößert werden.
  • Die Erfindung wird in folgendem Ausführungsbeispiel anhand von Figuren näher beschrieben.
  • Dabei zeigen die ersten vier Figuren Darstellungen zur Charakterisierung unterschiedlich strukturierter a-SiNx-Schichten:
    • 1: die Morphologie einer strukturierten a-SiNx-Schicht, wobei die gemessenen Strukturen Löcher sind;
    • 2 eine optische Mikroskop-Aufnahme einer mit Löchern versehenen a-SiNx-Schicht;
    • 3 eine REM-Aufnahme einer mit Spalten versehenen a-SiNx-Schicht, aufgebracht auf ein <100> monokristallines Silizium-Substrat, wobei die Spalten teilweise mit Platin gefüllt sind;
    • 4 eine REM-Aufnahme einer mit (leeren) Spalten versehenen a-SiNx-Schicht, aufgebracht auf ein <111 > monokristallines Silizium-Substrat. Die folgenden schematischen Figuren zeigen ausgewählte Verfahrensschritte bei der Herstellung einer Kontaktstruktur mithilfe einer strukturierten a-SiNx-Schicht als Maske:
    • 5A den Schritt des Aufbringens einer a-SiNx-Schicht auf ein c-Si-Substrat;
    • 5B den Schritt des Strukturierens der a-SiNx-Schicht mit Spalten;
    • 5C den Schritt des Auffüllens der Spalten mit Metall;
    • 5D den Schritt des Ätzens der a-SiNx-Schicht;
    • 5E den Schritt des Aufbringens einer a-SiNx-Schutzschicht und
    • 6 zeigt eine schematische Darstellung einer Solarzelle mit einer Frontkontaktschicht, basierend auf einer mit Spalten strukturierten a-SiNx-Schicht, die als Maske beim Aufbringen dieser Frontkontaktschicht verwendet wird.
  • 1 zeigt die Morphologie - mit Profilometer gemessen - einer strukturierten a-SiNx-Schicht auf einem c-Si-Substrat. Bei den vermessenen Strukturen handelt es sich um Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt, die einen Durchmesser von 20 µm bis 30 µm aufweisen. Die a-Si:H-Schicht, in der Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt entstanden sind, wurde bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 = 0,5 mittels PECVD abgeschieden.
  • In 2 ist eine optische Mikroskop-Aufnahme einer mit Löchern versehenen a-SiNx-Schicht gezeigt. Die Abmessungen der Löcher entsprechen denen, wie zu 1 berichtet.
  • 3 zeigt eine REM-Aufnahme von senkrecht zueinander angeordneten spaltenförmigen Strukturen, die bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 = 6,25 erzeugt wurden. Die a-SiNx-Schicht wurde auf einem <100> monokristallinem Silizium-Substrat aufgebracht. Die Spalten wurden mittels elektrochemischer Abscheidung teilweise mit Platin verfüllt.
  • In 4 ist eine REM-Aufnahme einer mit (leeren) Spalten versehenen a-SiNx-Schicht, aufgebracht auf ein <111 > monokristallines Silizium-Substrat bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 = 6,25, zu sehen. Dabei entstanden spaltenförmige Strukturen, die in der aufgebrachten a-SiNx-Schicht einen Winkel von 60° oder 120° zueinander einschließen.
  • Die folgenden 5A bis 5E zeigen einzelne Verfahrensschritte zur Herstellung einer Frontkontaktschicht für eine Si-Solarzelle, basierend auf einer strukturierten a-SiNx-Maske, hergestellt mit dem beschriebenen Verfahren.
  • In 5A wird auf ein einkristallines <100> Silizium-Substrat c-Si vom p-Typ mittels PECVD eine a-SiNx:H-Schicht a-SiNx_1 aufgebracht. Das Substrat c-Si wurde zuvor in einem Ultraschallbad gereinigt (Ethanol, Wasser, Aceton, Wasser), anschließend über 10 min chemisch oxidiert bei 80 °C in einer Piranha-Lösung (50 Vol. % 30%-iger H2O2 und 50 Vol. % 97%-iger H2SO4). Kurz vor der Beschichtung wurde die Oxidschicht entfernt in 2 %-iger Flusssäure. Die a-SiNx:H-Schicht a-SiNx_1 wurde mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD) aus einem bei Radiofrequenz von 13,6 MHz erzeugten Plasma abgeschieden. Als Gase wurden hierbei Silan (SiH4), Ammoniak (NH3) und Stickstoff (N2) verwendet, deren Gasflüsse auf 32 sccm, 200 sccm und 54 sccm entsprechend eingestellt wurden. Das Verhältnis NH3/SiH4 ist hierbei also > 6. Der Stickstoff wird separat eingefüllt und dient der Stabilität des Plasmas. Die Deposition erfolgte bei 350 °C und 86,65954 Pascal (650 mTorr) in 8 min 30 s.
    Die Probe wurde dann bei 800 °C 1 min unter N2-Atmosphäre getempert. Dabei sind senkrecht zueinander angeordnete Spalten in der a-SiNx-Schicht a-SiNx_1 entstanden, wie sie schematisch in 5B dargestellt sind. Diese Spalten dienen nun als Maske für den Folgeschritt, in dem die Strukturen in der a-SiNx-Schicht mit Silber ausgefüllt wurden, dies ist in 5C dargestellt. Das Auffüllen der Spalten erfolgte mittels chemischer Deposition in einer wässrigen Lösung aus HF und AgNO3 mit Konzentrationen von 0,05 Mol und 1 mMol entsprechend.
  • Zur Verbesserung der Kontakteigenschaften kann anschließend eine Temperbehandlung bei 400 °C über 10 min in einer N2-Atmosphäre durchgeführt werden (nicht dargestellt). Die erwähnte a-SiNx-Schicht a-SiNx_1 diente als Maske für die Bildung einer Kontaktstruktur Me. Dabei verschlechterte sich durch die Temperaturbehandlung die Oberflächenpassivierung der a-SiNx-Schicht a-SiNx_1. Deshalb muss nun als Schutzschicht mit verbesserten Eigenschaften - bezüglich Oberflächenpassivierung und Antireflexionseigenschaften - eine neue a-SiNx-Schicht a-SiNx_2 auf der Kontaktstruktur Me abgeschieden werden. Dazu wird die als Maske dienende a-SiNx-Schicht a-SiNx_1 mittels 2 %-iger HF-Lösung weggeätzt (5D) und eine neue a-SiNx-Schicht a-SiNx_2 als Schutzschicht aufgebracht (5E). Die neue a-SiNx-Schicht a-SiNx_2 bedeckt auch die Kontaktschicht Me.
  • 6 zeigt schematisch eine vollständige Schichtenfolge einer Si-Solarzelle mit spaltenförmigen Frontkontaktstrukturen FK, die eingebettet sind in eine mittels PECVD hergestellte a-SiNx-Schicht a-SiNx. Diese wurde auf einen pn-Übergang (z. B. Schichtenfolge a-Si/c-Si, µm-Si/c-Si oder c-Si/GaAs) mittels dem beschriebenen Verfahren aufgebracht. Auf der Rückseite der Solarzelle befindet sich ein Metallkontakt RK.

Claims (6)

  1. Verwendung einer strukturierten a-SiNx-Schicht, wobei die Strukturen durchgehende Öffnungen mit kreisförmigem und/oder eckigem Querschnitt sind, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte a-SiNx-Schicht als Maske beim Aufbringen von mechanischen und/oder elektrischen Kontaktstrukturen in Halbleiterbauelementen verwendet wird sowie dass die Maske hergestellt ist mit den folgenden Verfahrensschritten: - Aufbringen einer a-SiNx:H-Schicht auf einem Substrat mittels PECVD, wobei - für die Abscheidung von a-SiNx:H auf dem Substrat als Gase SiH4 und NH3 verwendet werden und - zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit eckigem Querschnitt in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 > 2, bei einem Druck von > 39,9967 Pascal und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden wird oder - zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit kreisförmigem in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 < 2, bei einem Druck von > 39,9967 Pascal und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden wird, - anschließend die a-SiNx:H-Schicht einer Hochtemperaturbehandlung unterzogen wird.
  2. Verwendung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske mit Strukturen mit eckigem Querschnitt für das Aufbringen einer strukturierten Frontkontaktschicht einer Solarzelle verwendet wird.
  3. Verwendung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als elektrisches Kontaktmaterial Gold oder Silber oder Aluminium in die Strukturen eingebracht wird.
  4. Verwendung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske für das Aufbringen der strukturierten Kontaktschicht verwendet wird, die mit organischen Materialien gefüllt wird.
  5. Verwendung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske für das Aufbringen der strukturierten Kontaktschicht verwendet wird, die mit katalytischen oder elektrokatalytischen Materialien gefüllt wird.
  6. Verwendung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske für die Erzeugung von in das Substrat vertieften Strukturen verwendet wird, wobei die strukturierte a-SiNx-Schicht und das darunterliegende Substrat geätzt werden.
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