DE102013110421A1 - Verfahren zur Herstellung von strukturierten a-SiNx-Schichten und deren Verwendung - Google Patents

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Abstract

Das Verfahren zur Herstellung von strukturierten a-SiNx-Schichten, das gezielt die Bildung bisher unerwünschter Defekte ausnutzt, weist mindestens die Verfahrensschritte auf: Aufbringen einer a-SiNx:H-Schicht auf einem Substrat mittels PECVD, wobei für die Abscheidung von a-SiNx:H auf dem Substrat als Gase SiH4 und NH3 verwendet werden und zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit eckigem Querschnitt in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 > 2, bei einem Druck von > 0,3 Torr und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden werden oder zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit kreisförmigem in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 < 2, bei einem Druck von > 0,3 Torr und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden werden, und anschließende Hochtemperaturbehandlung der aufgebrachten a-SiNx:H-Schicht.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von strukturierten a-SiNx-Schichten und deren Verwendung. Die Strukturen sind hierbei durchgehende Öffnungen mit kreisförmigem oder eckigem Querschnitt, die erstgenannten bilden Löcher, die letztgenannten Spalten.
  • Werden a-SiNx-Schichten mittels PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition – plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung) aufgebracht und temperaturbehandelt, so ist dem Stand der Technik nach zu entnehmen, dass die Oberfläche unerwünschte Modifikationen aufweist, die sich schädlich auf die weitere Prozessierung im Rahmen der Herstellung von Schichtstrukturen mit einer derartigen a-SiNx-Schicht auswirken.
  • So wird in J. Mater. Res., Vol. 26, No. 19, Oct 14, 2011, 2552–2557 darüber berichtet, dass unerwünschte Rissbildungen von in mittels PECVD aufgebrachten SiNx-Filmen entstehen, wenn diese auf höhere Temperaturen an Luft erhitzt werden. Diese Rissbildungen können eine willkürliche Form, beispielsweise kreisförmig oder auch linienförmig, aufweisen.
  • Auch in der Dissertation von D. Klein (2009) mit dem Thema „Characterization and improvement of silicon solar cells: Enhanced light acceptance and better separation and extraction of charge-carriers" angefertigt an der Université Paul Verlaine de Metz und an der Freien Universität Berlin wird über die Bildung von gestörten Oberflächengebieten in der a-SiNx-Schicht während einer Temperbehandlung berichtet (S. 96–101). Untersucht wurde u. a. die Abhängigkeit der Form der Störung in der Oberfläche der a-SiNx-Schicht vom Verhältnis Silizium zu Stickstoff, insbesondere von SiH4 zu NH3 während des Temperns.
  • Da die Bildung von Rissen und Löchern unerwünschte Wirkungen nach sich zieht, werden Verfahren gesucht, bei denen keine Risse und Löcher auftreten. So ist ein Verfahren zum Aufbringen einer von Rissen freien SiNx-Barriereschicht auf einem optisch transparenten plastischen Substrat in Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 936 2006, 0936-L01-05 beschrieben.
  • In der Dissertation von Hauser, 2006 an der Universität Konstanz, zum Thema „Die kristalline Siliziumsolarzelle – Untersuchung der Einzelprozesse und Entwicklung von Alternativen" wird berichtet (S. 95–97), dass durch Reinigung der Oberfläche mittels Ammoniak-Anregung von PECVD-SiNx-Schichten die Bläschenbildungs-effekte (Blistering-Effekt), die durch Entweichen großer Mengen von in diesen Schichten eingebautem H2 während einer Temperbehandlung entstehen, mindestens verringert werden.
  • Bei dem in R&D Review of Toyota CRDL Vol. 40 No. 3, 40–44 beschriebenen Verfahren wird zur Vermeidung unerwünschter Rissbildung eine Plasma-CVD-SiNx/Plasma-polymerisierte CNx:H-Vielfachschicht aufgebracht, die als Passivierungsschicht für organische Leuchtemitterdioden dient.
  • In Proc. Symp. Silicon Nitride and Silicon Dioxode Thin Insulating Films & Other Emerging Dielectrics VIII, PV2005-01, 148–159. wird mechanischer Stress als Grund für unerwünschte Bläschen- oder Rissbildung angeführt. Da die Qualität der SiNx-Schicht als Passivierungsschicht Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften eines diese Schicht aufweisenden Bauelements hat, werden Verfahrensparameter zur Vermeidung von Stresszuständen während des Aufbringens der PECVD-SiNx-Schichten angegeben.
  • In der EP 2 533 305 A2 wird sogar zunächst auf der Rückseite einer Solarzelle eine bläschenfreie Al2O3-basierende Passivierungsschichtfolge (Al2O3/SiNx oder SiOx/SiNx oder Al2O3/SiOx/SiNx) erzeugt. Dies geschieht durch Abscheidung der genannten Schichten und anschließendem Ausgasen durch einen Temperschritt. Erst danach werden mittels Laserablation Löcher in die Oberfläche der Schichtenfolge eingebracht und mit Kontaktmaterial gefüllt.
  • In DE 10 2009 004 902 B3 ist ein Verfahren zur simultanen Mikrostrukturierung und Passivierung siliziumhaltiger Festkörper u. a. mit SiNx beschrieben. Dabei wird ein Flüssigkeitsstrahl über die zu strukturierenden Bereiche der Festkörperoberfläche geführt. In diesen Flüssigkeitsstrahl, der mindestens einen Precursor für die Passivierung enthält, wird ein Laserstrahl eingekoppelt. Dabei wird die Festkörperoberfläche lokal aufgeheizt, zumindest teilweise strukturiert und in den Strukturen bildet sich eine SiNx-Passivierungsschicht aufgrund der Sättigung der durch die Strukturierung gebildeten freien Oberflächenbindungen aus.
  • Aus FVS Themen 2003, S. 37–41 ist bekannt, die Passivierungsschicht für die Erzeugung von Kontakten zu öffnen, anschließend zu befüllen oder mittels Laserfeuern nach ganzflächiger Metallisierung durch die Passivierungsschicht hindurch Punktkontakte zu erzeugen.
  • Dem Stand der Technik nach sind aber auch Veröffentlichungen bekannt, die die in den oben zitierten Veröffentlichungen beschriebenen unerwünschten Störungen der Oberfläche einer SiNx-Passivierschicht für die Erzeugung weiterer Strukturen für die Ausbildung funktioneller Bereiche auszunutzen.
  • So wird in EP 2 482 328 A2 die Bläschenbildung ausgenutzt, indem in einem Verfahrensschritt auf eine Schichtenfolge ALD-Al2O3-SiOx/SiNx, auf deren Oberfläche während der vorherigen Verfahrensschritte Bläschen gebildet wurden, eine Al-Schicht aufgebracht und eingebrannt wird, um so lokale Rückkontakte in einer Solarzelle zu erzeugen.
  • Die Aufgabe der Erfindung ist nun darin zu sehen, ein im Vergleich zum Stand der Technik wenig aufwendiges Verfahren anzugeben, mit dem strukturierte a-SiNx-Schichten mit einfachen Mitteln hergestellt werden können, sowie die Verwendung derartig hergestellter strukturierter a-SiNx-Schichten.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 7 gelöst.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird zunächst eine a-SiNx:H-Schicht auf einem Substrat mittels PECVD aufgebracht, wobei für die Abscheidung von a-SiNx:H auf dem Substrat als Gase SiH4 und NH3 verwendet werden und zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit eckigem Querschnitt in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 > 2, bei einem Druck von > 0,3 Torr und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden wird. Zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt in der a-SiNx:H-Schicht wird diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 < 2, bei einem Druck von > 0,3 Torr und ebenfalls mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden. Bei dem PECVD-Prozess kann als weiteres Gas auch N2 zur Stabilisierung des Plasmas eingesetzt werden. Anschließend wird die a-SiNx-Schicht einer Hochtemperaturbehandlung unterzogen. Bei diesem letzten Verfahrensschritt werden nun die Strukturen in der a-SiNx-Schicht gebildet. Die dabei eingestellte Temperatur ist geringer als die Schmelztemperatur des Substrats oder der a-SiNx-Schicht. Wie bereits erwähnt, sind die in der a-SiNx-Schicht gebildeten Strukturen durchgehende Strukturen, d. h. sie erstrecken sich über die gesamte Dicke der a-SiNx-Schicht.
  • Im Gegensatz zu den meisten Veröffentlichungen im Stand der Technik wird in dem erfindungsgemäßen Verfahren ganz bewusst die Bildung von Defekten, z. B. durch den sogenannten Blistering-Effekt, ausgenutzt, die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren während der Hochtemperaturbehandlung auftritt. Damit wird die Bildung von Strukturen – bei den oben angegebenen Parametern von Spalten oder Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt entsprechend – bei der Abscheidung von a-SiNx-Schichten realisiert. Es konnte experimentell nachgewiesen werden, dass a-SiNx-freie Bereiche in Form von Spalten oder Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt auf dem Substrat entstehen. Spalten oder Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt können über die gesamte Dicke der aufgebrachten a-SiNx-Schicht entstehen. Ist das Verhältnis von NH3/SiH4 ungefähr 2, gibt es einen Übergangsbereich, in dem beide Arten der beschriebenen Strukturen entstehen können.
  • Die Oberfläche des Substrats kann mittels bekannter Methoden vor Aufbringen der a-SiNx-Schicht in einem Ultraschallbad gesäubert, anschließend in einer Piranha-Lösung oxidiert und danach in 2%-iger Flusssäure geätzt werden.
  • In Ausführungsformen der Erfindung ist vorgesehen, dass als Substrat ein kristallines Silizium-Substrat verwendet wird. Insbesondere wird <100> monokristallines Silizium verwendet, bei dem Spalten in der aufgebrachten a-SiNx-Schicht gebildet werden, die einen Winkel von 90° zueinander einschließen, oder es wird als Substrat <111> monokristallines Silizium verwendet, bei dem Spalten in der aufgebrachten a-SiNx-Schicht gebildet werden, die einen Winkel von 60° oder 120° zueinander einschließen. Die Erfindung ist nicht beschränkt auf Silizium-Substrate, z. B. können auch InP- oder Glassubstrate eingesetzt werden.
  • In weiteren Ausführungsformen wird die Hochtemperaturbehandlung zur Bildung von spaltenförmigen Strukturen bei > 600°C und zur Bildung von Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt mindestens 400°C über eine Dauer von mindestens 2 s durchgeführt.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren konnten Löcher mit einem Durchmesser von 5 μm bis 100 μm und Spalten in einer Breite von 100 nm bis 250 nm und einer Tiefe, die bis zur gesamten Dicke der aufgebrachten a-SiNx-Schicht reicht, gemäß aktueller Experimente von bis zu ca. 500 nm, erzeugt werden. Die Breite der erzeugten Spalten und der Durchmesser der erzeugten Löcher kann durch Ätzen der strukturierten a-SiNx-Schicht mittels einer HF-Lösung vergrößert werden.
  • Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte strukturierte a-SiNx-Schicht wird erfindungsgemäß als Maske für gezielt aufzubringende strukturierte Kontakte in Halbleiterbauelementen verwendet. Die erzeugten spaltenförmigen und/oder kreisförmigen Strukturen können z. B. mittels elektrochemischer oder chemischer Verfahren mit einem Kontaktmaterial gefüllt werden. Im Sinne der Erfindung wird als Kontakt ein mechanischer und/oder elektrischer Kontakt verstanden. Als Material für den elektrischen Kontakt wird dabei zum Beispiel Gold oder Silber oder Aluminium in die Spalten eingebracht.
  • Vorzugsweise ist die Verwendung der Maske mit spaltenförmigen Strukturen für das Aufbringen einer strukturierten Frontkontaktschicht einer Solarzelle vorgesehen.
  • Die Maske kann aber auch für das Erzeugen von spaltenförmigen und/oder kreisförmigen Strukturen, die mit organischen Materialien gefüllt werden, dienen. Als organische Materialien können hierfür beispielsweise Polymere – auch leitende – und Kohlenstoff eingesetzt werden.
  • Weiterhin ist vorgesehen, die strukturierte a-SiNx-Schicht mit katalytischen oder elektrokatalytischen Materialien beispielsweise zwecks Katalyse zur Wasserstoffentwicklung oder Wasserreinigung zu befüllen. Für das Befüllen kann z. B. Platin verwendet werden.
  • Als Materialien für das Verfüllen der Strukturen kommen solche in Frage, die mit dem Substrat reagieren, aber nicht mit der als Maske dienenden a-SiNx-Schicht.
  • Ebenso kann die Maske für die Erzeugung von in das Substrat vertieften Strukturen verwendet werden, dabei werden die strukturierte a-SiNx-Schicht und das darunterliegende Substrat geätzt und die spaltenförmigen und/oder kreisförmigen Strukturen in das Substrat übertragen. Danach erfolgt ein Auffüllen der Struktur mit dem gewünschten Material.
  • Die Erfindung wird in folgendem Ausführungsbeispiel anhand von Figuren näher beschrieben.
  • Dabei zeigt
  • 1: die Morphologie einer mit dem erfindungsgemäßen Verfahren strukturierten a-SiNx-Schicht, wobei die gemessenen Strukturen Löcher sind;
  • 2 eine optische Mikroskop-Aufnahme einer mit Löchern versehenen a-SiNx-Schicht;
  • 3 eine REM-Aufnahme einer mit Spalten versehenen a-SiNx-Schicht, aufgebracht auf ein <100> monokristallines Silizium-Substrat, wobei die Spalten teilweise mit Platin gefüllt sind;
  • 4 eine REM-Aufnahme einer mit (leeren) Spalten versehenen a-SiNx-Schicht, aufgebracht auf ein <111> monokristallines Silizium-Substrat;
  • 5A den Schritt des Aufbringens einer a-SiNx-Schicht auf ein c-Si-Substrat;
  • 5B den Schritt des Strukturierens der a-SiNx-Schicht mit Spalten;
  • 5C den Schritt des Auffüllens der Spalten mit Metall;
  • 5D den Schritt des Ätzens der a-SiNx-Schicht;
  • 5E den Schritt des Aufbringens einer a-SiNx-Schutzschicht;
  • 6 eine schematische Darstellung einer Solarzelle mit einer Frontkontaktschicht, basierend auf der Erzeugung von Spalten mittels erfindungsgemäßem Verfahren.
  • 1 zeigt die Morphologie – mit Profilometer gemessen – einer gemäß erfindungsgemäßem Verfahren erzeugten strukturierten a-SiNx-Schicht auf einem c-Si-Substrat. Bei den vermessenen Strukturen handelt es sich um Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt, die einen Durchmesser von 20 μm bis 30 μm aufweisen. Die a-Si:H-Schicht, in der Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt entstanden sind, wurde bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 = 0,5 mittels PECVD abgeschieden.
  • In 2 ist eine optische Mikroskop Aufnahme einer mit Löchern versehenen a-SiNx-Schicht gezeigt. Die Abmessungen der Löcher entsprechen denen, wie zu 1 berichtet.
  • 3 zeigt eine REM-Aufnahme von senkrecht zueinander angeordneten spaltenförmigen Strukturen, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 = 6,25 erzeugt wurden. Die a-SiNx-Schicht wurde auf einem <100> monokristallinem Silizium-Substrat aufgebracht. Die Spalten wurden mittels elektrochemischer Abscheidung teilweise mit Platin verfüllt.
  • In 4 ist eine REM-Aufnahme einer mit (leeren) Spalten versehenen a-SiNx-Schicht, aufgebracht auf ein <111> monokristallines Silizium-Substrat bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 = 6,25, zu sehen. Dabei entstanden spaltenförmige Strukturen, die in der aufgebrachten a-SiNx-Schicht einen Winkel von 60° oder 120° zueinander einschließen.
  • Die folgenden 5A bis 5E zeigen einzelne Verfahrensschritte zur Herstellung einer Frontkontaktschicht für eine Si-Solarzelle, basierend auf einer strukturierten a-SiNx-Maske, hergestellt mit dem erfindungsgemäßen Verfahren.
  • In 5A wird auf ein einkristallines <100> Silizium-Substrat c-Si vom p-Typ mittels PECVD eine a-SiNx:H-Schicht a-SiNx_1 aufgebracht. Das Substrat c-Si wurde zuvor in einem Ultraschallbad gereinigt (Ethanol, Wasser, Aceton, Wasser), anschließend über 10 min chemisch oxidiert bei 80°C in einer Piranha-Lösung (50 Vol.% 30%-iger H2O2 und 50 Vol.% 97%-iger H2SO4). Kurz vor der Beschichtung wurde die Oxidschicht entfernt in 2%-iger Flusssäure. Die a-SiNx:H-Schicht a-SiNx_1 wurde mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung (PECVD) aus einem bei Radiofrequenz von 13,6 MHz erzeugten Plasma abgeschieden. Als Gase wurden hierbei Silan (SiH4), Ammoniak (NH3) und Stickstoff (N2) verwendet, deren Gasflüsse auf 32 sccm, 200 sccm und 54 sccm entsprechend eingestellt wurden. Das Verhältnis NH3/SiH4 ist hierbei also > 6. Der Stickstoff wird separat eingefüllt und dient der Stabilität des Plasmas. Die Deposition erfolgte bei 350°C und 650 mTorr in 8 min 30 s. Die Probe wurde dann bei 800°C 1 min unter N2-Atmosphäre getempert. Dabei sind senkrecht zueinander angeordnete Spalten in der a-SiNx-Schicht a-SiNx_1 entstanden, wie sie schematisch in 5B dargestellt sind. Diese Spalten dienen nun als Maske für den Folgeschritt, in dem die Strukturen in der a-SiNx-Schicht mit Silber ausgefüllt wurden, dies ist in 5C dargestellt. Das Auffüllen der Spalten erfolgte mittels chemischer Deposition in einer wässrigen Lösung aus HF und AgNO3 mit Konzentrationen von 0,05 Mol und 1 mMol entsprechend. Zur Verbesserung der Kontakteigenschaften kann anschließend eine Temperbehandlung bei 400°C über 10 min in einer N2-Atmosphäre durchgeführt werden (nicht dargestellt). Die erwähnte a-SiNx-Schicht a-SiNx_1 diente als Maske für die Bildung einer Kontaktstruktur Me. Dabei verschlechterte sich durch die Temperaturbehandlung die Oberflächenpassivierung der a-SiNx-Schicht a-SiNx_1. Deshalb muss nun als Schutzschicht mit verbesserten Eigenschaften – bezüglich Oberflächenpassivierung und Antireflexionseigenschaften – eine neue a-SiNx-Schicht a-SiNx_2 auf der Kontaktstruktur Me abgeschieden werden. Dazu wird die als Maske dienende a-SiNx-Schicht a-SiNx_1 mittels 2%-iger HF-Lösung weggeätzt (5D) und eine neue a-SiNx-Schicht a-SiNx_2 als Schutzschicht aufgebracht (5E). Die neue a-SiNx-Schicht a-SiNx_2 bedeckt auch die Kontaktschicht Me.
  • 6 zeigt schematisch eine vollständige Schichtenfolge einer Si-Solarzelle mit spaltenförmigen Frontkontaktstrukturen FK, die eingebettet sind in eine mittels PECVD hergestellte a-SiNx-Schicht a-SiNx. Diese wurde auf einen pn-Übergang (z. B. Schichtenfolge a-Si/c-Si, μm-Si/c-Si oder c-Si/GaAs) mittels erfindungsgemäßem Verfahren aufgebracht. Auf der Rückseite der Solarzelle befindet sich ein Metallkontakt RK.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • EP 2533305 A2 [0009]
    • DE 102009004902 B3 [0010]
    • EP 2482328 A2 [0013]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • J. Mater. Res., Vol. 26, No. 19, Oct 14, 2011, 2552–2557 [0003]
    • D. Klein (2009) mit dem Thema „Characterization and improvement of silicon solar cells: Enhanced light acceptance and better separation and extraction of charge-carriers” [0004]
    • Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 936 2006, 0936-L01-05 [0005]
    • Hauser, 2006 an der Universität Konstanz, zum Thema „Die kristalline Siliziumsolarzelle – Untersuchung der Einzelprozesse und Entwicklung von Alternativen” wird berichtet (S. 95–97) [0006]
    • R&D Review of Toyota CRDL Vol. 40 No. 3, 40–44 [0007]
    • Proc. Symp. Silicon Nitride and Silicon Dioxode Thin Insulating Films & Other Emerging Dielectrics VIII, PV2005-01, 148–159 [0008]
    • FVS Themen 2003, S. 37–41 [0011]

Claims (12)

  1. Verfahren zur Herstellung von strukturierten a-SiNx-Schichten, aufweisend mindestens die Verfahrensschritte – Aufbringen einer a-SiNx:H-Schicht auf einem Substrat mittels PECVD, wobei – für die Abscheidung von a-SiNx:H auf dem Substrat als Gase SiH4 und NH3 verwendet werden und – zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit eckigem Querschnitt in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 > 2, bei einem Druck von > 0,3 Torr und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden wird oder – zur Bildung von durchgehenden Strukturen mit kreisförmigem in der a-SiNx:H-Schicht diese bei einem Verhältnis von NH3/SiH4 < 2, bei einem Druck von > 0,3 Torr und mit einer Schichtdicke > 100 nm abgeschieden wird, – anschließend die a-SiNx:H-Schicht einer Hochtemperaturbehandlung unterzogen wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat ein kristallines Silizium-Substrat verwendet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat zur Bildung von Strukturen mit eckigem Querschnitt <100> monokristallines Silizium verwendet und die in der aufgebrachten a-SiNx-Schicht entstandenen Strukturen mit eckigem Querschnitt einen Winkel von 90° zueinander einschließen.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat zur Bildung von Strukturen mit eckigem Querschnitt <111> monokristallines Silizium verwendet wird und die in der aufgebrachten a-SiNx-Schicht entstandenen Strukturen mit eckigem Querschnitt einen Winkel von 60° oder 120° zueinander einschließen.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochtemperaturbehandlung zur Bildung von Strukturen mit eckigem Querschnitt bei > 600°C über eine Dauer von mindestens 2 s durchgeführt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochtemperaturbehandlung zur Bildung von Strukturen mit kreisförmigem Querschnitt bei mindestens 400°C über eine Dauer von mindestens 2 s durchgeführt wird.
  7. Verwendung einer nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellten Struktur in einer a-SiNx-Schicht, dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte a-SiNx-Schicht als Maske für aufzubringende mechanische und/oder elektrische Kontaktstrukturen in Halbleiterbauelementen verwendet wird.
  8. Verwendung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske mit Strukturen mit eckigem Querschnitt für das Aufbringen einer strukturierten Frontkontaktschicht einer Solarzelle verwendet wird.
  9. Verwendung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass als elektrisches Kontaktmaterial Gold oder Silber oder Aluminium in die Strukturen eingebracht wird.
  10. Verwendung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske für das Aufbringen der strukturierten Kontaktschicht verwendet wird, die mit organischen Materialien gefüllt wird.
  11. Verwendung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske für das Aufbringen der strukturierten Kontaktschicht verwendet wird, die mit katalytischen oder elektrokatalytischen Materialien gefüllt wird.
  12. Verwendung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Maske für die Erzeugung von in das Substrat vertieften Strukturen verwendet wird, wobei die strukturierte a-SiNx-Schicht und das darunterliegende Substrat geätzt werden.
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