DE102007052202B3 - Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1), wobei das Halbleiterbauelement (1) eine Halbleiterchipstruktur mit einem Halbleiterkörper (12) und einer Driftstreckenstruktur (13) aufweist. Die Driftstreckenstruktur (13) weist Driftzonen (14) eines ersten Leitungstyps und Ladungskompensationszonen (15) eines komplementären Leitungstyps auf. Eine erste Metallisierungsstruktur (16) steht mit den Ladungskompensationszonen (15) über einen ohmschen Kontakt (17) und mit den Driftzonen (14) über einen Schottky-Kontakt (18) elektrisch in Verbindung. Eine zweite Metallisierungsstruktur (19), die der ersten Metallisierungsstruktur (16) gegenüberliegend angeordnet ist, steht mit den Ladungskompensationszonen (15) über einen Schottky-Kontakt (18) und mit den Driftzonen (14) über einen ohmschen Kontakt (17) elektrisch in Verbindung.

Description

  • Erfindungshintergrund
  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Halbleiterbauelement weist eine Halbleiterchipstruktur mit einem Halbeiterkörper und einer Driftstreckenstruktur auf. Die Driftstreckenstruktur weist Driftzonen eines ersten Leitungstyps und Ladungskompensationszonen eines zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps auf. Ferner weist das Halbleiterbauelement zwei einander gegenüberliegende Metallisierungsstrukturen auf, die über die Driftstreckenstruktur miteinander elektrisch in Wirkverbindung stehen. Mindestens eine dieser Metallisierungsstrukturen bildet zum Halbleiterkörper Schottky-Metallkontakte aus.
  • Ein derartiges Halbleiterbauelement mit Schottky-Metallkontakten ist aus der Druckschrift DE 103 26 739 B3 bekannt. Bei dem bekannten Bauelement sind in der Driftstrecke ebenfalls Ladungskompensationszonen vorgesehen. Bei dem bekannten Halbleiterbauelement sind die Ladungskompensationszonen so gestaltet, dass ein zu frühzeitiges Einsetzen einer Bipolar-Injektion unterdrückt wird. Zur Einstellung des Einsetzens der Ladungsträgerüberschwemmung im Vorwärtsbetrieb und damit der Überstromfestigkeit ist zusätzlich noch eine Zenerdiode bei dem bekannten Halbleiterbauelement mit Schottky-Metallkontakten vorgesehen.
  • Schottky-Diodenkontaktübergänge einerseits und pn- sowie pin-Diodenübergänge andererseits unterscheiden sich grundsätzlich hinsichtlich ihres Durchlassverhaltens und ihres Schaltverhaltens voneinander. So zeichnen sich Schottky-Diodenübergänge durch einen unipolaren Stromtransport bei einer niedrigen Schwellspannung in der Größenordnung von etwa 0,2 bis 0,4 Volt aus und ermöglichen ein sehr schnelles Schalten. Doch bei großen Stromdichten nimmt die Durchlassspannung von Schottky-Dioden stark zu. Demgegenüber nutzen pin-Dioden infolge ihrer Bipolarität die Injektion von Minoritätsladungsträgern sowie auch von Majoritätsladungsträgern in ihrer Basiszone, wenn eine bestimmte Schwellspannung von etwa 0,7 V zur Verminderung des Basiswiderstandes im Vorwärtsbetrieb erreicht ist. Dabei tritt hier durch die Injektion der Minoritätsladungsträger und der Majoritätsladungsträger eine Art Plasmaüberschwemmung im Durchlassfall der pin-Diode auf. Diese den Basiswiderstand herabsetzende Plasmaüberschwemmung wirkt sich jedoch beim Abschalten der pin-Diode negativ auf die entstehenden Schaltverluste aus, da die insgesamt eingebrachten Ladungsträger vollständig auszuräumen sind und dieses Ausräumen bei bereits anliegender negativer Spannung geschehen muss.
  • Somit sind Schottky-Diodenübergänge hinsichtlich ihres Schaltverhaltens vorteilhaft, weisen aber bei großen Stromdichten Nachteile auf. Darüber hinaus wird der Einsatz von Schottky-Diodenübergängen im Bereich höherer Sperrspannungen durch den großen Anteil des Sperrstroms an den Gesamtverlusten begrenzt. Bei Schottky-Dioden wird nämlich der Sperrstrom grundsätzlich durch die Höhe des am Metall-Halbleiterübergang anstehenden elektrischen Feldes bestimmt. Außerdem gilt für Unipolar-Bauelemente, die mit Schottky-Kontakten arbeiten, ein mehr als quadratischer Zusammenhang zwischen deren Durchlasswiderstand und deren Sperrfähigkeit. Auch dieser Zusam menhang setzt dem Entwurf von Halbleiterbauelementen mit Schottky-Kontakten relativ enge Grenzen.
  • In der obigen Druckschrift werden mehrere Lösungen vorgeschlagen, um Nachteile für Halbleiterbauelemente mit Schottky-Metallkontakten zu überwinden. Zunächst wird vorgeschlagen, Super-Junction-Strukturen einzusetzten, von denen bekannt ist, dass sich aufgrund der Anordnung von nebeneinander liegenden Driftzonen eines ersten Leitungstyps und Ladungskompensationszonen eines zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps niedrige Einschaltwiderstände mit einer hohen Durchbruchspannung kombiniert werden können. Wie oben erwähnt zeigen Schottky-Diodenübergänge eine deutlich niedrigere Schwellspannung als pn- oder pin-Dioden des gleichen Halbleitermaterials. Darüber hinaus haben die Schottky-Diodenübergänge den Vorteil einer verschwindend niedrigen Sperrverzögerungsladung.
  • Jedoch aufgrund der niedrigen Dotierung der Driftzonen und der entsprechenden Länge, die notwendig ist, um die hohe Sperrspannung zu erreichen, haben derartige Dioden einen hohen Durchlasswiderstand. Doch eine Kombination, wie sie bereits aus der oben genannten Druckschrift bekannt ist, von Schottky-Dioden mit Super-Junction-Driftstreckenstrukturen liefert im Prinzip Halbleiterbauelemente mit vergleichsweise niedrigem Widerstand bei gleichbleibend hoher Sperrspannung.
  • Dennoch bleibt bei diesen Strukturen das Problem, dass bereits bei geringer Durchlassspannung in der Größenordnung der Schwellspannung einer Bipolardiode eine Minoritätsladungsträgerinjektion einsetzt, so dass ein derartiges Halbleiterbauelement mehr oder weniger wie eine Bipolardiode reagiert. Damit wird selbst bei der Kombination aus einem Super-Junction- Halbleiterbauteil und einem Schottky-Metallkontakt als erste Metallisierungsstruktur der Vorteil der verschwindenden Sperrverzögerungsladung zunichte gemacht.
  • Eine der mit dem obigen Dokument offenbarten Lösungen sieht vor, dass die erste Metallisierungsstruktur Schottky-Metallkontakte mit unterschiedlichen Materialien für die Ladungskompensationszonen und für die Driftzonen eines Super-Junction-Halbleiterbauelements aufweist. Diese Maßnahme funktioniert jedoch nur in einem sehr begrenzten Durchlassspannungsbereich. Eine zweite bekannte Lösung besteht nun darin, einen zusätzlichen pn-Übergang zwischen einem Anodenkontakt einer Diode und den Ladungskompensationszonen vorzusehen, der verhindert, dass während der Durchlassphase Ladungen in die Ladungskompensationszonen gelangen.
  • Jedoch ergeben sich bei dieser Lösung parasitäre npn-Transistoren mit offener Basis, was deutlich die Durchbruchspannung derartiger Halbleiterbauelemente reduziert. Eine dritte bekannte Lösung sieht vor, ein zusätzliches „Schwellenbauelement" zwischen den Ladungskompensationszonen und dem Anoden-Kontakt vorzusehen, was erst bei einer bestimmten Schwellenspannung ermöglicht, dass ein Stromfluss durch die Ladungskompensationszonen erfolgt. Dafür können Zenerdiodenstrukturen oder MOSFET-Strukturen mit kurzgeschlossenen Gate-Drainanschlüssen eingesetzt werden.
  • Aus der Druckschrift DE 103 37 457 B3 sind darüber hinaus Transistorbauelemente mit verbessertem Rückstromverhalten bekannt, bei denen die oben erwähnten Strukturen mit Schottky-Metallkontakten eingesetzt werden.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu seiner Herstellung zu schaffen, bei dem die bisher begrenzten Möglichkeiten des Einsatzes von Schottky-Kontakten derart überwunden werden, dass Halbleiterbauelemente mit deutlich verbessertem Schaltverhalten bei unverändert hoher Durchbruchspannung und geringen Durchlassverlusten unter Vermeidung von Minoritätsladungsträgerinjektion bei gleichzeitig verschwindender Sperrverzögerungsladung mit einer aus Driftzonen und Ladungskompensationszonen bestehenden Driftstreckenstruktur geschaffen werden.
  • Diese Aufgabe wird mit den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Zusammenfassung
  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, wobei das Halbleiterbauelement eine Halbleiterchipstruktur mit einem Halbeiterkörper und einer Driftstreckenstruktur aufweist. Die Driftstreckenstruktur weist Driftzonen eines ersten Leitungstyps und Ladungskompensationszonen eines zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps auf. Eine erste Metallisierungsstruktur steht mit den Ladungskompensationszonen über ohmsche Kontakte und mit den Driftzonen über Schottky-Kontakte elektrisch in Verbindung. Eine zweite Metallisierungsstruktur, die der ersten Metallisierungsstruktur gegenüberliegend angeordnet ist, steht mit den Ladungskompensationszonen über Schottky-Kontakte und mit den Driftzonen über ohmsche Kontakte elektrisch in Verbindung.
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nun mit Bezug auf die beigefügten Figuren beschrieben.
  • Kurze Figurenbeschreibung
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur für ein Halbleiterbauelement einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur für ein Halbleiterbauelement einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur für ein Halbleiterbauelement einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur für ein Halbleiterbauelement einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur für ein Halbleiterbauelement einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
  • 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur für ein Halbleiterbauelement einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
  • 7 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur eines Halbleiterbauelements einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
  • 8 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur eines Halbleiterbauelements einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
  • 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 für ein Halbleiterbauelement 1 einer Ausführungsform der Erfindung. Das Halbleiterbauelement 1 weist eine Halbleiterchipstruktur 11 mit einem Halbleiterkörper 12 auf, der eine Driftstreckenstruktur 13 aufweist. Die Driftstreckenstruktur 13 weist ihrerseits Driftzonen 14 eines ersten Leitungstyps n und Ladungskompensationszonen 15 eines zum ersten Leitungstyp n komplementären Leitungstyps p auf. Ferner weist dieser Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 eine erste Metallisierungsstruktur 16 auf, die mit den Ladungskompensationszonen 15 über ohmsche Kontakte 17 und mit den Driftzonen 14 über Schottky-Kontakte 18 elektrisch in Verbindung steht.
  • Ferner weist das Halbleiterbauelement 1 eine zweite Metallisierungsstruktur 19 auf, die der ersten Metallisierungsstruktur 16 gegenüberliegend angeordnet ist. Die zweite Metallisierungsstruktur 19 ist mit den Ladungskompensationszonen 15 über Schottky-Kontakte 18 und mit den Driftzonen 14 über ohmsche Kontakte 17 elektrisch verbunden. Das Halbleiterbauelement 1 mit einer derartigen Driftstreckenstruktur 13 wird auch als Super-Junction-Bauelement bezeichnet. In diesem einfachsten Fall eines Super-Junction-Halbleiterbauelements kann mit der schematisch in 1 gezeigten Struktur eine Schottky-Diode realisiert werden, bei der keine p-Minoritätsladungsträgerinjektion mehr auftreten kann, da sowohl auf einem ersten Ende 32 als auch auf einem zweiten Ende 33 der Driftstrecke keine bipolaren pn-Übergänge vorgesehen sind. Dabei fällt in der Ausführungsform gemäß 1 die Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 mit dem ersten Ende 32 zusammen und weist im Wechsel ohmsche Kontakte 17 und Schottky-Kontakte 18 auf, die einerseits die n-leitenden Driftzonen 14 über Schottky-Kontaktübergänge und andererseits die Ladungskompensationszonen 15 mit ohmschen Kontakten 17 kontaktieren.
  • Auf dem gegenüberliegenden zweiten Ende 33 dieser Driftstreckenstruktur 13, die in der Ausführungsform der 1 mit der Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 zusammenfällt, sind nun wechselweise Schottky-Kontakte 18 für die Ladungskompensationszonen 15 vorgesehen und ohmsche Kontakte 17 für die zweiten Enden 33 der Driftzonen 14 bereitgestellt, sodass nicht wie im Stand der Technik am Ende der Ladungskompensationszonen 15 bipolare pn-Übergänge auftreten. Deshalb tritt in diesem Bereich des Halbleiterbauelements keine große Ladungsträgerüberschwemmung durch Minoritätsladungsträgerinjektion auf, vielmehr wird der Vorteil einer verschwindenden Sperrverzögerungsladung der unipolaren Schottky-Kontaktübergänge genutzt.
  • In dieser Ausführungsform der Erfindung sind die Driftzonen 14 und die Ladungskompensationszonen 15 vertikal in dem Halbleiterkörper 12 angeordnet, sodass sie sich von der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 bis zur Rückseite 21 des Halblei terkörpers 12 erstrecken, wobei die Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 mit einer Kathoden-Metallisierungsstruktur 23 versehen ist und die Oberseite 20 des Halbleiterkörpers eine Anoden-Metallisierungsstruktur 22 aufweist.
  • Auf der Anodenseite sind die Ladungskompensationszonen 15 mit ohmschen Kontakten versehen und die n-leitenden Driftzonen 14 weisen die Schottky-Kontakte 18 auf. Auf der Kathodenseite, die in diesem Fall auch die Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 bildet, ist die Anordnung von ohmschen Kontakten 17 und Schottky-Kontakten 18 entsprechend umgekehrt. Daraus ergibt sich ein Halbleiterbauelement 1, das eine hohe Sperrspannung aufweist, wenn die Kathode ein positives Potenzial gegenüber der Anode aufweist. Im Durchlassfall, wenn die Anode positiv gegenüber der Kathode gepolt ist, wirken beide n- und p-Zonen als Schottky-Dioden in Durchlassrichtung mit der oben bereits gezeigten niedrigen Schwellspannung zwischen 0,2 und 0,4 V. Dadurch dienen die p-leitenden Ladungskompensationszonen 15 nicht nur als Ladungskompensationsgebiete für die n-leitenden Driftzonen 14, sondern tragen auch zu einer Verbesserung der Durchlassleitfähigkeit des Halbleiterbauelements 1 bei.
  • Die Potenziale während der Durchlassphase liefern zwischen den Ladungskompensationszonen 15 und den Driftzonen 14 eine niedrige Vorwärtspolung von ungefähr 0,3 V, welche durch die Schottky-Kontakte 18 auf beiden einander gegenüberliegenden Seiten erzeugt wird und über die gesamte Tiefe des Halbleiterbauelements 1 beibehalten bleibt. Somit wird keine große Minoritätsladungsträgerinjektion während des normalen Betriebs einer derartigen erfindungsgemäßen Struktur ausgelöst. Der Vorteil einer derartigen Struktur ist, dass einerseits die Leitfähigkeit in der Durchlassphase weiter erhöht wird, selbst wenn Super-Junction-Strukturen mit bereits verbesserter Durchlassleitfähigkeit eingesetzt werden, und dass andererseits im Wesentlichen keine Injektion von Minoritätsladungsträgern auftritt, sodass das Halbleiterbauelement 1 als ein schnell schaltendes Bauelement wie eine konventionelle Schottky-Diode, jedoch bei größtmöglicher Durchbruchspannung arbeitet.
  • Zur Herstellung von mehreren derartigen Halbleiterchips für Halbleiterbauelemente 1 sind mindestens folgende Verfahrensschritte vorgesehen. Zunächst wird ein Halbleiterwafer aus einem Halbleiterkörper 12 für ein derartiges Halbleiterbauelement 1 strukturiert, das eine Driftstreckenstruktur 13 mit Driftzonen 14 und Ladungskompensationszonen 15 aufweist. Anschließend wird auf diese Grundstruktur eine erste Metallisierungsstruktur 16 aufgebracht, die Schottky-Kontakte 18 auf ersten Enden 32 der Driftzonen 14 und ohmsche Kontakte 17 auf ersten Enden 32 der Ladungskompensationszonen 15 bildet.
  • Anschließend wird zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 1, wie es die 1 zeigt, auf die Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12, d. h. auf die Rückseite des Halbleiterwafers, eine zweite Metallisierungsstruktur 19 aufgebracht, die ohmsche Kontakte 17 auf den zweiten Enden 33 der Driftzonen 14 und Schottky-Kontakte 18 auf den zweiten Enden 33 der Ladungskompensationszonen 15 bildet. Um diese Bildung von Schottky-Kontakten 18 zu ermöglichen, können unterschiedliche Metalllegierungen eingesetzt werden. Beispielsweise kann auf dem n-leitendem Material auf der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 eine erste Metalllegierung selektiv aufgebracht werden, die Schottky-Kontaktübergänge 18 bildet. Auf das gleitende Material der Ladungskompensationszonen 15 kann selektiv eine andere Metalllegierung aufgebracht werden, die auf den p-leitenden Ladungskompensationszonen 15 ohmsche Kontakte 17 auf der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 ermöglicht.
  • Dabei kann der Querschnitt der Ladungskompensationszonen 15 und der Driftzonen 14 in lateraler Richtung streifenförmig oder auch säulenförmig sein. Im Prinzip ist jeder Driftzonenbereich umgeben von Ladungskompensationszonenbereichen und umgekehrt. Auf der Rückseite 21 werden Metalllegierungen eingesetzt, die auf p-leitendem Ladungskompensationsmaterial Schottky-Kontaktübergänge 18 bilden und auf n-leitendem Driftzonenmaterial ohmsche Kontakte 17 ermöglichen.
  • Nach dem Aufbringen dieser unterschiedlichen Metalllegierungen, je nachdem ob sie einen Schottky-Kontakt 18 zu einer Halbleiteroberfläche bilden sollen oder ohmsche Kontakte 17, kann die Oberseite des Halbleiterwafers vollständig mit einer Anoden-Metallisierungsstruktur 22 versehen werden und die Rückseite des Halbleiterwafers mit einer Kathoden-Metallisierungsstruktur 23 beschichtet werden. Zur Fertigstellung eines Halbleiterbauelements 1 in Form einer Halbleiterdiode mit vertikaler Super-Junction-Struktur ist dann nur noch der Halbleiterwafer mit derartigen Halbleiterchipstrukturen 11 in einzelne Halbleiterchips aufzutrennen. Abschließend sind die Halbleiterchips in einzelne Gehäuse mit entsprechenden nach außen führenden Außenanschlüssen einzubauen.
  • Durch Vorbereitung der oberflächennahen Zonen, die beispielsweise eine ohmsche Kontaktierung bieten sollen, können sowohl im Bereich der Ladungskompensationszonen 15 auf der Oberseite 20 einer derartigen Struktur als auch auf dem gegenüberliegenden Ende im Bereich der Driftzonen 14 eine höhere Dotierstoffkonzentration des jeweiligen Leitungstyps eingebracht werden. Ein solches Verfahren hat den Vorteil, dass evtl. für die Metallisierung der Anode als auch für die Metallisierung der Kathode ein und dieselbe Metalllegierung auf dem hochdotierten Material ohmsche Kontakte 17 bildet und auf dem niedriger dotierten Bereichen Schottky-Kontaktübergänge 18 aufweist. Ein solches Beispiel wird mit der nächsten Ausführungsform der Erfindung gezeigt.
  • 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 für ein Halbleiterbauelement 2 einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. In der zweiten Ausführungsform der Erfindung werden die ersten Enden 32 der Ladungskompensationszonen 15 mit einem höher dotierten p+-leitenden Ladungskompensationszonenkontaktmaterial 30 in einem Übergangsbereich zur ersten Metallisierungsstruktur 16 versehen, sodass ohmsche Kontakte 17 für Ladungskompensationszonen 15 gleichzeitig mit Schottky-Kontaktübergängen 18 an den ersten Enden 32 der Driftzonen 14 entstehen können.
  • Wird für die erste Metallisierungsstruktur 16 lediglich eine einzige Metalllegierung eingesetzt, hat das den Vorteil, dass auf aufwendige Justageschritte bei der Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelements 2 aufgrund der Selbstjustage der unterschiedlich dotierten Driftzonen 14 und Ladungskompensationszonen 15 verzichtet werden kann. Entsprechend ist auf der Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 in den Driftzonen 14 ein n+-leitendes Driftzonenkontaktmaterial 29 vorgesehen, das mit einer einzigen Metalllegierung für die zweite Metallisierungsstruktur 19 einen ohmschen Kontaktübergang 17 für die Driftzonen 14 gewährleistet. Bei entsprechend ausge suchtem Material für die zweite Metallisierungsstruktur 19 kann dieses Material gleichzeitig auf dem etwas niedriger dotierten und komplementär leitenden Ladungskompensationszonen 15 entsprechende Schottky-Kontaktübergänge 18 schaffen, sodass auch hier bei der Herstellung auf Justageschritte und Maskensätze verzichtet werden kann, da mit derartigen vordotierten Bereichen und den entsprechend angepassten Metalllegierungen für die zweite Metallisierungsstruktur 19 eine Selbstjustage verbunden ist.
  • 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 für ein Halbleiterbauelement 3 einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Diese Halbleiterchipstruktur 11 bildet einen Super-Junction-Transistor mit einer integrierten Schottky-Diode, wie sie mit der 2 gezeigt ist. Während die Rückseite des Halbleiterwafers der zweiten Metallisierungsstruktur 19 in gleicher Weise, wie es bereits in 2 gezeigt ist, aufgebaut ist, werden an der Oberseite 20 des Halbleiterwafers zusätzliche Strukturen vorgesehen, um eine laterale Gatestruktur 26 einzubringen. Diese laterale Gatestruktur 26 ermöglicht, dass sich zwischen einem n+-leitenden Sourcezonenbereich 37 und den Driftzonen 14 in einer Bodyzone 31 bei entsprechendem SteuerPotenzial an der lateralen Gatestruktur 26 ein Kanal ausbildet, sodass ein entsprechender Schaltvorgang, wie es von MOSFET-Bauelementen bekannt ist, ausgelöst werden kann.
  • Um eine derartige Transistorstruktur auf der Oberseite des Halbleiterwafers aufzubringen, sind weitere Schritte erforderlich, die vorbereitend noch vor dem Aufbringen der ersten Metallisierungsstruktur 16 durchzuführen sind. So ist beispielsweise ein Gateoxid 34 mindestens über dem geplanten Kanalbereich der Bodyzone 31 aufzubringen, auf dem dann an schließend mindestens im Bereich des geplanten Steuerkanals eine Gateelektrode 35 aus vorzugsweise hochdotiertem Polysiliziummaterial angeordnet wird. Die Gateelektrode 35 wird von der hier gezeigten Source-Metallisierungsstruktur 24 durch eine Zwischenoxidstruktur 36 auf dem Halbleiterkörper 12 isoliert. In den Bereichen, in denen weder ein Gateoxid 34 noch eine Gateelektrode 35 über den Driftzonen 14 vorgesehen sind, können dann zur Verbesserung der Schalteigenschaften dieses Halbleiterbauelements entsprechende Schottky-Kontaktübergänge 18 angeordnet werden, die in dieser Ausführungsform der Erfindung zwischen benachbarten Bodyzonen 31 vorgesehen sind.
  • Unterhalb der Bodyzonen 31 schließen sich in dieser Ausführungsform der Erfindung Ladungskompensationszonen 15 an, die bis zur Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 reichen und über unipolare Schottky-Kontaktübergänge 18 mit einer Drain-Metallisierungsstruktur 25 auf der Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 elektrisch verbunden sind. Gleichzeitig werden die Driftzonen 14, die auf ihrem zweiten Ende 33 mit einer n+-leitenden Dotierung versehen sind, von der Drain-Metallisierungsstruktur 25 mit ohmschen Kontakten 17 versehen. Um eine derartige Drain-Metallisierungsstruktur 25 auf der Rückseite 21 eines Halbleiterkörpers 12 zu erreichen, ist es erforderlich, dass die zweiten Enden 33 der Ladungskompensationszonen 15 freigelegt werden.
  • Bei einem Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchipstrukturen wie sie für ein Halbleiterbauelement 3 der 3 erforderlich sind, wird deshalb so vorgegangen, dass zunächst auf einem relativ dicken Halbleiterwafer von mehreren Hundert Mikrometern Dicke die in 3 gezeigte Struktur aufgebaut wird. Dann wird die erste Metallisierungsstruktur 16 mit lateraler Gatestruktur 26 auf der Oberseite 20 fertig gestellt.
  • Anschließend wird dieser Halbleiterwafer mit entsprechenden Halbleiterchips von der Halbleiterwaferrückseite aus durch entsprechende Schleif- und chemomechanische Polierverfahren gedünnt, sodass auf zweiten Enden 33 der Ladungskompensationszonen 15 zugegriffen werden kann.
  • Erst ein derartiges Dünnpolierverfahren von Halbleiterwafern ermöglicht es, derartige Super-Junction-Transistoren mit integrierten Schottky-Dioden entsprechend 3 herzustellen. Dabei werden die Halbleiterwafer teilweise bis auf Dicken von unter 50 μm (Mikrometer) gedünnt, je nachdem welche Sperrspannung mit den entsprechenden Halbleiterbauelementstrukturen erreicht werden sollen. Dabei gilt der Grundsatz, je höher die erforderliche Durchbruchspannung des Halbleiterbauelements 3 ist, umso dicker muss die Super-Junction-Transistorstruktur vorgesehen werden.
  • 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 für ein Halbleiterbauelement 4 einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in 3 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der Unterschied zwischen diesen beiden Bauelementen besteht darin, dass der Driftzonenbereich breiter vorgesehen wird als der Ladungskompensationszonenbereich. Dazu werden die Dotierungen in der Driftzone 14 entsprechend niedriger ausgeführt als die Dotierungen in den Ladungskompensationszonen 15.
  • Gleichzeitig sind auf der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 Bodyzonen 31 vorgesehen, die jeweils zwei schaltbare Kanäle aufweisen, indem zwei benachbarte laterale Gatestrukturen 26 über jeweils einer Bodyzone 31 vorgesehen werden. Auf der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 werden die Driftzonen 14 wie in den vorhergehenden Ausführungsformen von der Source-Metallisierungsstruktur 24 mit Schottky-Kontaktübergängen 18 angeschlossen, während auf der Rückseite 21 des Halbleiterbauelements 4 Ladungskompensationszonen 15 über Schottky-Kontaktübergänge 18 mit der Drain-Metallisierungsstruktur 25 elektrisch in Verbindung stehen. Die ohmsche Anbindung der Ladungskompensationszonen 15 an der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 wird hier über die komplementär leitende Bodyzone 31 erreicht, die über einen entsprechenden ohmschen Kontakt 17 mit der Source-Metallisierungsstruktur 24 elektrisch in Verbindung steht. Auch bei diesem Halbleiterbauelement 4 ist es vorgesehen, einen Halbleiterwafer so lange zu dünnen bis die zweiten Enden 33 der Ladungskompensationszonen 15 für eine entsprechende Schottky-Kontaktmetallisierung frei zugänglich sind.
  • 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 für ein Halbleiterbauelement 5 einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert.
  • Diese Prinzipskizze in 5 zeigt einen Super-Junction-Transistor mit einer Trenchgatestruktur 27 und einer integrierten Schottky-Diode. Dabei wird das erfindungsgemäße Prinzip verfolgt, im oberen Bereich Ladungskompensationszonen 15 und damit an dem ersten Ende 32 der Ladungskompensationszonen 15 ohmsche Kontakte 17 herzustellen. Diese ohmschen Kontakte 17 werden bei diesem Transistor 5 durch den Kontakt zu den Basiszonen 31 gewährleistet. Die Basiszonen 31 stehen nämlich über ohmsche Kontakte 17 mit der Source-Metallisierungsstruk tur 24 elektrisch in Verbindung. Das zweite untere Ende 33 der Ladungskompensationszone 15 in diesem vertikalen Halbleiterbauelement 5 ist als Schottky-Kontakt 18 ausgebildet, sodass auch am unteren zweiten Ende 33 der Ladungskompensationszonen 15 eine Minoritätsladungsträgerinjektion in die Bereiche der Ladungskompensationszonen 15 vermieden wird. Die Schottky-Diode ist nämlich ein unipolares Bauelement und weist eine Durchlassspannung deutlich unterhalb der Durchlassspannung der aus dem Stand der Technik bekannten in Super-Junction-Bauelementen bisher verbliebenen pn-Übergänge auf.
  • Die Driftzonen 14 sind am ersten oberen Ende 32 ihrerseits mit einem Schottky-Kontaktübergang 18 mit der Source-Metallisierungsstruktur 24 elektrisch verbunden. Die Trenchgatestruktur 27 wird dadurch realisiert, dass eine Grabenstruktur 38 von der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 aus in den Halbleiterkörper 12 eingebracht wird und nun eine vertikale Gateoxidschicht 34 durch Oxidation der Grabenwände einschließlich des Grabenbodens oder durch Abscheidung von Oxiden auf den Grabenwänden realisiert wird. Anschließend kann die Grabenstruktur 28 zur Bildung einer Trenchgatestruktur 27 mit einem leitenden Material, beispielsweise einem hochdotierten Polysiliziummaterial, aufgefüllt werden. Bei entsprechender Vorspannung an der Trenchgatestruktur 27 bildet sich in dem Bodyzonenbereich 31 ein Kanal aus, der von einem n+-leitenden Sourcezonenbereich 37 ausgehend über die Basiszone 31 und teilweise entlang der Ladungskompensationszonen 15 das n-leitende Material der Driftzonen 14 erreicht, sodass der Super-Junction-Transistor mit Trenchgatestruktuer 27 und integrierter Schottky-Diode durchschaltet.
  • Auch bei diesem Halbleiterbauelement 5 gemäß 5 ist es zur Kontaktierung der Ladungskompensationszonen 15 mit Hilfe von Schottky-Kontakten 18 auf der Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 erforderlich, den Halbleiterwafer soweit zu dünnen, bis die Ladungskompensationszonen 15 auf der Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 freigelegt sind. Durch die in der Nähe der Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 hochdotierten n+-leitenden Driftzonenkontaktmaterialien 29 ist es auch bei der Realisierung derartiger Halbleiterbauelemente möglich, dass eine einzige Metalllegierung sowohl den ohmschen Kontakt 17 auf der Rückseite 21 zu den Driftzonen 14 als auch die Schottky-Kontakte 18 zu den zweiten Enden 33 der geringer dotierten Ladungskompensationszonen 15 herstellt. Ein derartiges komplettes Dünnschleifen bis hin zu den Ladungskompensationszonen 15 ist jedoch nicht unbedingt erforderlich, was in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung in der nachfolgenden Figur schematisch gezeigt wird.
  • 6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 für ein Halbleiterbauelement 6 einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Bei diesem Halbleiterbauelement 6 wurde zunächst die laterale Gatestruktur 26, wie sie bereits mit der 3 gezeigt ist, auf der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 beibehalten. Von der Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 aus wird jedoch nicht der Halbleiterkörper bzw. Halbleiterwafer vollständig gedünnt, sondern es werden Grabenstrukturen 28 von der Rückseite 21 aus in den Halbleiterkörper 12 eingebracht, bis die Grabenstrukturen 28 die zweiten Enden 33 der Ladungskompensationszonen 15 freilegen.
  • In diese Grabenstrukturen 28 auf der Rückseite 21 des Halbleiterkörpers 12 kann dann ein Schottky-Material eingebracht werden, das Schottky-Kontakte 18 auf dem Grabengrund im Bereich der Ladungskompensationszonen 15 ausbildet. Dabei kann die gesamte Grabenstruktur 28 von der Rückseite 21 aus mit Schottky-Material aufgefüllt werden oder nach der Ausbildung eines Schottky-Kontakts 18 im Grabengrund der Grabenstruktur 28 kann bereits das Material der Drain-Metallisierungsstruktur 25 aufgebracht werden, da das n+-dotierte Substrat von der Drain-Metallisierungsstruktur 25 ohmsch kontaktiert werden soll.
  • Während die bisherigen Ausführungsformen der Erfindung vertikale Super-Junction-Halbleiterbauelemente betreffen, werden anschließend noch Ausführungsbeispiele vorgestellt, welche die Möglichkeiten von lateralen Super-Junction-Bauelementen darstellen.
  • 7 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 eines Halbleiterbauelements 7 einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Dazu sind auf der Oberseite 20 des Halbleiterkörpers 12 einander gegenüberliegend in dieser 7 auf der linken Seite eine Source-Metallisierungsstruktur 24 und auf der rechten Seite eine Drain-Metallisierungsstruktur 25 angeordnet. Die Source-Metallisierungsstruktur 24 bildet ohmsche Kontakte 17 zur entsprechenden Basiszone 31 des Super-Junction-Transistors aus, die dann in Ladungskompensationszonen 15 gleichen Leitungstyps übergehen, die sich bis in den Bereich der Drain-Metallisierungsstruktur erstrecken. Auf der Seite der Drain-Metallisierungsstruktur 25 werden die Ladungskompensationszonen 15 über Schottky-Kontakte 18 der Drain-Metallisierungsstruktur 25 elektrisch verbunden.
  • Umgekehrt kontaktiert die Source-Metallisierungsstruktur 24 die Driftzonen 14 über Schottky-Kontakte 18, während auf der Seite der Drain-Metallisierungsstruktur 25 die Driftzonen 14 über ohmsche Kontakte 17 mit der Drain-Metallisierungsstruktur 25 verbunden sind. Um die ohmsche Kontaktierung durch die Drain-Metallisierungsstruktur 25 zu verbessern, ist im Bereich der Drain-Metallisierungsstruktur 25 ein n+-leitender Bereich oberflächennah in den Halbleiterkörper 12 eingebracht. Die Gatestruktur ist wiederum als Trenchgatestruktur 27 ausgebildet und weist ein Gateoxid 34 auf, über das es möglich ist, in den Bodyzonen 31 entsprechende Kanäle zum Durchschalten des Super-Junction-Transistors bei entsprechender Gatespannung zu erzeugen.
  • 8 zeigt eine schematische Draufsicht auf einen Teilbereich einer Halbleiterchipstruktur 11 eines Halbleiterbauelements 8 einer weiteren Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in 7 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der Unterschied zu der vorhergehenden Ausführungsform liegt darin, dass in den Randbereichen des Halbleiterchips jeweils Source-Metallisierungsstrukturen 24 vorgesehen sind, die mit einer Drain-Metallisierungsstruktur 25 in der Mitte des Halbleiterchips zusammenwirken.
  • Dabei ist lediglich das in 7 gezeigte Halbleiterbauelement im oberflächennahen Bereich gespiegelt, sodass zwei Source-Metallisierungsstrukturen 24 mit entsprechenden Trenchgatestrukturen 27 mit einer Drain-Metallisierungsstruktur 25 im Zentrum des Halbleiterbauelements 8 zusammenwirken. Die Anordnung der Schottky-Kontakte 18 und der ohmschen Kontakte 17 entspricht dabei dem erfindungsgemäßen Konzept, das Schottky-Kontaktübergänge 18 zu den Driftzonen 14 von der Source-Metallisierungsstruktur 24 aus vorsieht und ohmsche Kontaktübergänge 17 von der Source-Metallisierungsstruktur 24 zu den Ladungskompensationszonen 15 ermöglicht. Demgegenüber werden mit der Drain-Metallisierungsstruktur 25 eine ohmsche Kontaktierung 17 zu den Driftzonen 14 hergestellt und Schottky-Kontakte 18 zu den Ladungskompensationszonen 15 im Drain-Metallisierungsbereich realisiert.

Claims (25)

  1. Halbleiterbauelement, wobei das Halbleiterbauelement (1 bis 8) eine Halbleiterchipstruktur (11) mit einem Halbleiterkörper (12) und mit einer Driftstreckenstruktur (13) aufweist, und wobei die Driftstreckenstruktur (13) aufweist: – Driftzonen (14) eines ersten Leitungstyps; – Ladungskompensationszonen (15) eines komplementären Leitungstyps; – eine erste Metallisierungsstruktur (16), die mit den Ladungskompensationszonen (15) über einen ohmschen Kontakt (17) und mit den Driftzonen (14) über einen Schottky-Kontakt (18) elektrisch in Verbindung steht; – eine zweite Metallisierungsstruktur (19), die der ersten Metallisierungsstruktur (16) gegenüberliegend angeordnet ist und die mit den Ladungskompensationszonen (15) über einen Schottky-Kontakt (18) und mit den Driftzonen über einen ohmschen Kontakt (17) elektrisch in Verbindung steht.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die erste Metallisierungsstruktur (16) gegenüberliegend zu der zweiten Metallisierungsstruktur (19) auf einer gemeinsamen Oberseite (20) des Halbleiterkörpers (12) angeordnet sind und ein laterales Super-Junction-Bauelement (7, 8) bilden.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die erste Metallisierungsstruktur (16) auf einer Oberseite (20) des Halbleiterkörpers (12) und die gegenüberliegende zweite Metallisierungsstruktur (19) auf einer Rückseite (21) des Halbleiterköpers (12) angeordnet sind und ein vertikales Super-Junction-Bauelement (1 bis 6) bilden.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die erste Metallisierungsstruktur (16) eine Anoden-Metallisierungsstruktur (22) und die zweite Metallisierungsstruktur (19) eine Kathoden-Metallisierungsstruktur (23) einer Super-Junction-Diode (1, 2) aufweist.
  5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die erste Metallisierungsstruktur (16) eine Source-Metallisierungsstruktur (24) und die zweite Metallisierungsstruktur (19) eine Drain-Metallisierungsstruktur (25) eines Super-Junction-Feldeffekttransistors (3, 4, 5, 6) aufweist.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die erste Metallisierungsstruktur (16) eine einzige Metalllegierung aufweist, die auf Ladungskompensationszonen (15) des Halbleiterkörpers (12) einen ohmschen Kontakt (17) und auf Driftzonen (14), des Halbleiterkörpers (12) einen Schottky-Kontakt (18) aufweist.
  7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die zweite Metallisierungsstruktur (19) eine einzige Metalllegierung aufweist, die auf Driftzonen (14) des Halbleiterkörpers (12) einen ohmschen Kontakt (17) und auf Ladungskompensationszonen (15) des Halbleiterkörpers (12) einen Schottky-Kontakt (18) aufweist.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die Metallisierungsstrukturen (16, 19) für Schottky-Kontakte (18) eine von den ohmschen Kontakten (17) unterschiedliche Metalllegierung aufweisen.
  9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterbauelement (3, 4, 6) eine laterale Gatestruktur (26) aufweist.
  10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterbauelement (5) eine vertikale Trench-Gatestruktur (27) aufweist.
  11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterbauelement (3, 4, 5) eine vertikale Driftstreckenstruktur (13) mit einem gedünnten Halbleiterkörper (12) aufweist, dessen Dicke annähernd der Länge der vertikalen Ladungskompensationszonen (15) entspricht.
  12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterbauelement (6) eine vertikale Driftstreckenstruktur (13) aufweist, und wobei die zweite Metallisierungsstruktur (19) auf der Rückseite (21) des Halbleiterkörpers (12) angeordnet ist und die Schottky-Kontakte (18) zu den Ladungskompensationszonen (15) in Grabenstrukturen (28) angeordnet sind.
  13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, wobei die Grabenstrukturen (28) mit einer Schottky-Kontakt (18) bildenden Metalllegierung vollständig aufgefüllt sind.
  14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 12, wobei die Grabenstrukturen (28) mit einer Schottky-Kontakt (18) bildenden Metalllegierung im Bereich der Ladungskompensationszonen (15) aufgefüllt sind.
  15. Verfahren zur Herstellung von mehreren Halbleiterchips für Halbleiterbauelemente (1 bis 8), wobei das Verfahren aufweist: – Strukturieren eines Halbleiterwafers aus einem Halbleiterkörper (12) für Halbleiterbauelemente (1 bis 8), die eine Driftstreckenstruktur (13) mit Driftzonen (14) und Ladungskompensationszonen (15) aufweisen; – Aufbringen einer ersten Metallisierungsstruktur (16), die Schottky-Kontakte (18) auf ersten Enden der Driftzonen (14) und ohmsche Kontakte (17) auf ersten Enden der Ladungskompensationszonen (15) bildet; – Aufbringen einer zweiten Metallisierungsstruktur (19), die ohmsche Kontakte (17) auf den ersten Enden gegenüberliegenden zweiten Enden der Driftzonen (14) und Schottky-Kontakte (18) auf den ersten Enden gegenüberliegenden zweiten Enden der Ladungskompensationszonen (15) bildet.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei für laterale Halbleiterbauelemente (7, 8) die gegenüberliegenden Metallisierungsstrukturen (16, 19) auf einer Oberseite (20) des Halbleiterwafers angeordnet werden.
  17. Verfahren nach Anspruch 15, wobei für vertikale Halbleiterbauelemente (1 bis 6) die gegenüberliegenden Metallisierungsstrukturen (16, 19) auf einer Oberseite (20) des Halbleiterwafers und auf einer Rückseite (21) des Halbleiterwafers angeordnet werden.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei vor dem Aufbringen der zweiten Metallisierungsstruktur (19) auf der Rückseite (21) des Halbleiterwafers der Halbleiterwafer gedünnt wird, bis die zweiten Enden der Ladungskompensationszonen (15) frei liegen und wobei diese dann mit der zweiten Metallisierungsstruktur (19) beschichtet werden.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei für die zweite Metallisierungsstruktur (19) auf der Rückseite (21) des gedünnten Halbleiterwafers eine einzige Metalllegierung eingesetzt wird, die auf Driftzonenmaterial oder Driftzonenkontaktmaterial (29) ohmsche Kontakte (17) und auf Ladungskompensationszonenmaterial Schottky-Kontakte (18) bildet.
  20. Verfahren nach Anspruch 15, wobei als Materialien für Schottky-Kontakte (18) und für ohmsche Kontakte (17) unterschiedliche Metalllegierungen eingesetzt werden.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20, wobei für die erste Metallisierungsstruktur (16) auf einer Oberseite (20) des Halbleiterwafers eine einzige Metalllegierung eingesetzt wird, die auf Driftzonenmaterial Schottky-Kontakte (18) und auf Ladungskompensationszonenmaterial oder Ladungskompensationszonenkontaktmaterial (30) ohmsche Kontakte bildet.
  22. Verfahren nach Anspruch 17, wobei vor dem Aufbringen der zweiten Metallisierungsstruktur (19) auf der Rückseite (21) des Halbleiterwafers eine Grabenstruktur (28) in die Rückseite (21) des Halbleiterwafers eingebracht wird, welche die Ladungskompensationszonen (15) frei legt und die anschließend mit Schottky-Kontakt (18) Material mindestens teilweise gefüllt wird.
  23. Verfahren nach Anspruch 15, wobei die erste Metallisierungsstruktur (16) zu einer Anode (22) und die zweite Metallisierungsstruktur (19) zu einer Kathode (23) einer Super-Junction-Diode (1, 2) jeweils verbunden werden.
  24. Verfahren nach Anspruch 17, wobei vor dem Aufbringen der ersten Metallisierungsstruktur (16) von der Oberseite (20) des Halbleiterwafers aus eine Sourcestruktur (24) mit Bodyzone (31) in den Halbleiterkörper (12) oberflächennah eingebracht wird und auf der Oberseite (20) des Halbleiterwafers eine laterale Gatestruktur (26) aufgebracht wird.
  25. Verfahren nach Anspruch 17, wobei vor dem Aufbringen der ersten Metallisierungsstruktur (16) von der Oberseite (20) des Halbleiterwafers aus eine Sourcestruktur (24) mit Bodyzone (31) in den Halbleiterkörper (12) und eine Trenchgatestruktur (27) oberflächennah für einen Super-Junction-Feldeffekttransistor (5) eingebracht wird.
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