DE102009000135B4 - Halbleiterbauelement mit Schottkyzonen in einer Driftzone und Herstellungsverfahren - Google Patents

Halbleiterbauelement mit Schottkyzonen in einer Driftzone und Herstellungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102009000135B4
DE102009000135B4 DE102009000135.2A DE102009000135A DE102009000135B4 DE 102009000135 B4 DE102009000135 B4 DE 102009000135B4 DE 102009000135 A DE102009000135 A DE 102009000135A DE 102009000135 B4 DE102009000135 B4 DE 102009000135B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
schottky metal
drift zone
semiconductor
drift
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102009000135.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102009000135A1 (de
Inventor
Wolfgang Werner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies Austria AG
Original Assignee
Infineon Technologies Austria AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies Austria AG filed Critical Infineon Technologies Austria AG
Publication of DE102009000135A1 publication Critical patent/DE102009000135A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102009000135B4 publication Critical patent/DE102009000135B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
    • H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
    • H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
    • H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/6609—Diodes
    • H01L29/66136—PN junction diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
    • H01L29/6609—Diodes
    • H01L29/66143—Schottky diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
    • H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7816—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/872—Schottky diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/47—Schottky barrier electrodes

Abstract

Halbleiterbauelement, das aufweist: eine Driftzone (11) eines ersten Leitungstyps, die in einem Halbleiterkörper angeordnet ist; mehrere floatende Schottkymetallzonen (41) die in einer Stromflussrichtung des Halbleiterbauelements beabstandet zueinander in der Driftzone (11) angeordnet sind, wobei die Stromflussrichtung in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers verläuft.

Description

  • Ein Ziel bei der Realisierung von Halbleiterbauelementen, insbesondere bei der Realisierung sogenannter Leistungshalbleiterbauelemente ist es, bei einer gegebenen Spannungsfestigkeit des Bauelements einen möglichst niedrigen Einschaltwiderstand zu erreichen bzw. einen niedrigen flächenspezifischen Einschaltwiderstand Ron·A zu erreichen. Der flächenspezifische Einschaltwiderstand bezeichnet das Produkt aus dem Einschaltwiderstand Ron eines Bauelemente und der zur Realisierung des Bauelements benotigten Chipfläche A.
  • Bei sogenannten Kompensationsbauelementen wird ein niedriger flächenspezifischer Einschaltwiderstand dadurch erreicht, dass in einer dotierten Driftzone des Bauelements Kompensationszonen angeordnet sind, die komplementär zu der Driftzone dotiert sind. Bei sperrend angesteuertem Bauelement, also dann, wenn sich eine Raumladungszone in der Driftzone ausbreitet wird ein Teil der in der Driftzone vorhandenen Dotierstoffladung durch die in den Kompensationszonen vorhandene Dotierstoffladung kompensiert, d. h. Dotierstoffatome in der Driftzone, die bei sperrendem Bauelement ionisiert sind, finden eine entsprechende Gegenladung in den Kompensationszonen. Bei gleicher Spannungsfestigkeit wie bei einem Bauelement ohne Kompensationszonen kann bei einem Kompensationsbauelement eine höhere Dotierung der Driftzone vorgesehen werden, woraus ein niedrigerer Einschaltwiderstand im Vergleich zu einem Nicht-Kompensationsbauelement resultiert.
  • Bei sperrend angesteuertem Bauelement werden die Kompensationszonen eines Kompensationsbauelements geladen. Betrachtet man beispielsweise ein n-leitendes Bauelement, bei dem die Driftzone n-dotiert ist und bei dem die Kompensationszone p-dotiert ist, so fließen bei sperrend angesteuertem Bauelement Löcher aus den Kompensationszonen ab. Wird das Bauelement zu einem späteren Zeitpunkt wieder leitend angesteuert, so müssen den Kompensationszonen diese Löcher wieder zugeführt werden, die Kompensationszonen also entladen werden, um den gewünschten niedrigen Einschaltwiderstand zu erreichen.
  • Um eine solche Entladung sicher zu gewährleisten, können die Kompensationszonen an eine weitere Bauelementzone, bei einem MOSFET beispielsweise an dessen Sourcezone angeschlossen werden. Ein solches festes Anschließen der Kompensationszonen an eine der weiteren Bauelementzonen schränkt allerdings die Freiheit beim Design des Bauelements ein.
  • Darüber hinaus lassen sich die Abmessungen der dotierten Kompensationszonen nicht beliebig verkleinern, was einer angestrebten Verkleinerung (shrink) der Abmessungen des Bauelements entgegensteht.
  • Die US 2006/0261384 A1 beschreibt einen lateralen MISFET (Metal Insulator Field-Effect Transistor) mit säulenförmigen Schottkygebieten, die in einer Driftzone angeordnet sind, die gegenseitig beabstandet sind und die floatend sind.
  • Die US 5 089 431 A beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. Bei diesem Verfahren werden Schottkygebiete am Boden von Gräben hergestellt, die sich ausgehend von einer ersten Seite in einen ersten Halbleiterkörper erstrecken. Anschließend wird ein zweiter Halbleiterkörper auf die erste Seite des ersten Halbleiterkörpers gebondet, wodurch die Gräben verschlossen werden.
  • Die US 6 153 495 A beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Gateelektroden eines vertikalen JFET. Bei diesem Verfahren wird ein Gatematerial in Gräben hergestellt, die sich ausgehend von einer ersten Seite in einen ersten Halbleiterkörper erstrecken. Anschließend wird ein zweiter Halbleiterkörper auf die erste Seite des ersten Halbleiterkörpers aufgebracht.
  • Die US 4 641 174 A beschreibt eine vertikale Schottkydiode mit Schottkygebieten, die mit einer Driftzone einen Schottkyübergang bilden und die an einen Anodenanschluss angeschlossen sind.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement mit einer Driftzone zur Verfügung zu stellen, das einen niedrigen flächenspezifischen Einschaltwiderstand aufweist und bei dem die zuvor genannten Probleme vermieden werden, und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements zur Verfügung zu stellen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1 und durch ein Verfahren gemäß Anspruch 17 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand von Unteransprüchen.
  • Verschiedene Ausführungsbeispiele werden nachfolgend unter Bezugnahme auf Figuren erläutert. Die Figuren sind dabei nicht notwendigerweise maßstabsgerecht, der Schwerpunkt liegt vielmehr auf der Erläuterung des Grundprinzips. In den Figuren sind dabei lediglich die zum Verständnis dieses Grundprinzips notwendigen Teile bzw. Bauelementzonen dargestellt. In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung.
  • 1 zeigt ausschnittsweise einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement, das eine Driftzone mit wenigstens einer Schottkymetallzone aufweist.
  • 2 veranschaulicht Beispiele verschiedener möglicher Geometrien der Schottkymetallzone.
  • 3 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt eines Teils der Driftzone zur Erläuterung des Funktionsprinzips des Bauelements im Sperrfall.
  • 4 zeigt einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement, das als vertikaler MOS-Transistor ausgebildet ist.
  • 5 veranschaulicht Beispiele verschiedener Zellengeometrien für ein als MOS-Transistor ausgebildetes Halbleiterbauelement.
  • 6 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Halbleiterbauelement, das als vertikaler MOS-Transistor ausgebildet ist.
  • 7 zeigt einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement, das als Diode ausgebildet ist.
  • 8 veranschaulicht einen Querschnitt durch ein laterales aus dem Stand der Technik bekanntes Halbleiterbauelement.
  • 9 veranschaulicht ein Verfahren zur Herstellung einer Driftzone und in der Driftzone angeordneter Schottkymetallzonen.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 zeigt ausschnittsweise einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement, das eine Driftzone 11 und mehrere in der Driftzone 11 angeordnete Schottkymetallzonen 41 aufweist. Das Bauelement kann einen leitenden und einen sperrenden Zustand annehmen. Die Driftzone 11 ist dabei die Bauelementzone, in der sich bei sperrendem Bauelement ausgehend von einem Bauelementübergang 10 eine Raumladungszone ausbreitet. Dieser Bauelementübergang 10 ist dabei ein pn-Übergang oder ein Schottkyübergang und ist zwischen der Driftzone 11 und einer ersten Bauelementzone angeordnet. Diese erste Bauelementzone ist hierbei entweder eine komplementär zu der Driftzone 11 dotierte Halbleiterzone 12, die mit der Driftzone 11 einen pn-Übergang bildet, oder eine weitere Schottkymetallzone 51, die mit der Driftzone 11 einen Schottkyübergang bildet.
  • Für die weitere Erläuterung sei davon ausgegangen, dass die Driftzone 11 eine n-dotierte Halbleiterzone ist. Die Dotierungskonzentration dieser Driftzone liegt beispielsweise zwischen 1014 cm–3 und 1016 cm–3. Der Bauelementübergang 10 zwischen der Driftzone 11 und der weiteren Bauelementzone 12, 51 sperrt in diesem Fall dann, wenn eine positive Spannung zwischen der Driftzone 11 und der ersten Bauelementzone 12, 51 anliegt. Anschlüsse zum Anlegen einer solchen Spannung zwischen der Driftzone 11 und der ersten Bauelementzone 12, 51 sind in 1 lediglich schematisch dargestellt.
  • Mit C ist in 1 eine Stromflussrichtung bezeichnet. Das ist die Richtung, in der das Bauelement von einem Strom durchflossen wird, wenn es sich in leitendem Zustand befindet bzw. wenn es leitend angesteuert ist. Mit C ist in 1 die technische Stromrichtung bezeichnet; die physikalische Stromrichtung, also die Richtung des Elektronenflusses, verläuft entgegengesetzt. Da sich technische und physikalische Stromrichtung nur im Vorzeichen Ihrer Richtung unterscheiden, wird für die nachfolgende Erläuterung nicht zwischen technischer und physikalischer Stromrichtung unterschieden, sofern dies an der jeweiligen Stelle nicht wesentlich ist. Das Bauelement weist mehrere Ebenen bzw. Schichten auf, in denen jeweils eine oder mehrere Schottkymetallzonen 41 angeordnet sind. Bei dem in 1 dargestellten Bauelement sind beispielhaft vier solcher Ebenen 40A–40D vorhanden, in denen jeweils eine oder mehrere Schottkymetallzonen 41 angeordnet sind. Die einzelnen Ebenen mit jeweils einer oder jeweils mehreren Schottkymetallzonen 41 verlaufen senkrecht zu der Stromflussrichtung C. Diese Ebenen mit darin angeordneten Schottkymetallzonen 41 werden nachfolgend als Schottkymetallebenen bezeichnet.
  • Die 2A bis 2C zeigen jeweils einen Querschnitt durch die Driftzone 11 in einer dieser Schottkymetallebenen und dienen zur Erläuterung verschiedener Beispiele zur Realisierung der Schottkymetallzonen 41. Bezugnehmend auf 2A können in einer solchen Schottkymetallebene mehrere jeweils beabstandet zueinander angeordnete Schottkymetallzonen 41 vorgesehen sein, die beispielweise eine kugelförmige Geometrie aufweisen. Diese einzelnen Schottkymetallzonen 41 können beispielsweise in einem rechteckförmigen, insbesondere quadratischen, Raster angeordnet sein, wie dies in 2A dargestellt ist. Diese einzelnen Schottkymetallzonen 41 können jedoch auch in einem beliebigen anderen Raster, oder sogar beliebig verteilt, innerhalb der Schottkymetallebene angeordnet sein.
  • Bezugnehmend auf 2B können in einer Bauelementebene auch mehrere Schottkymetallzonen mit einer streifenförmigen Geometrie angeordnet sein, die innerhalb der Ebene jeweils beabstandet zueinander angeordnet sind.
  • 2C veranschaulicht eine weitere mögliche Geometrie der Schottkymetallzone. Hierbei ist in einer Schottkymetallebene nur eine Schottkymetallzone 41 angeordnet, die eine gitterförmige Struktur aufweist. Das in 2C dargestellte Gitter besitzt eine quadratische Gitterstruktur. Es können jedoch beliebige weitere Gitterstrukturen verwendet werden, wie z. B. beliebige rechteckförmige Gitterstrukturen, sechseckförmige Gitterstrukturen, oder andere.
  • Die Schottkymetallzonen 41 bestehen aus einem beliebigen Material, das geeignet ist, mit dem die Schottkymetallzonen 41 umgebenden Halbleitermaterial der Driftzone 11 einen Schottkyübergang zu bilden. Geeignete Materialien für die Schottkymetallzonen sind beispielsweise Platin (Pt) oder Gold (Au) oder auch Metall-Halbleiter-Verbindungen, wie z. B. Silizide bei Verwendung von Silizium als Halbleitermaterial. Geeignete Silizide sind z. B. Wolframsilizid (Wsi2), Tantalsilizid (Ta-Si), Kobaltsilizid (CoSi), Titansilizid (TiSi), Palladiumsilizid (PdSi), Rhodiumsilizid (RhSi) oder Nickelsilizid (Ni-Si).
  • Die Abmessungen der Schottkymetallzonen 41 in der Richtung quer zur Stromflussrichtung C und deren gegenseitiger Abstand in dieser Richtung ist so gewählt, dass zwischen den Schottkymetallzonen 41 ein möglichst großer Abschnitt der Driftzone 11 vorhanden ist, über den Ladungsträger bei leitend angesteuertem Bauelement transportiert werden können. Die Abmessungen der Schottkymetallzonen 41 in der Richtung quer zu der Stromflussrichtung, d. h. der Durchmesser der kugelförmigen Zonen gemäß 2A, und die Breite der streifenförmigen Zonen gemäß 2B und der gitterförmigen Zonen gemäß 2C liegen beispielsweise zwischen 0,01 μm und 0,25 μm.
  • Betrachtet sei beispielsweise die anhand von 2A erläuterte Variante mit kugelförmigen Schottkymetallzonen. Nimmt man zu Zwecken der Erläuterung an, dass die einzelnen Schottkymetallzonen einen kreisförmigen Querschnitt mit einem Durchmesser von beispielsweise 0,1 μm aufweisen und dass die einzelnen Schottkymetallzonen in einem quadratischen Raster mit einem Rasterabstand (Mittenabstand der einzelnen Zonen) von 0,5 μm angeordnet sind, so nehmen die Schottkymetallzonen 41 in einer Fläche quer zu der Stromflussrichtung C weniger als 4% des zur Verfügung stehenden Kanalquerschnitts ein. Mehr als 96% der gesamten Querschnittsfläche der Driftzone 11 – also der Fläche quer zur Stromflussrichtung C – steht in diesem Fall für den Ladungsträgertransport bei leitend angesteuertem Bauelement zur Verfügung. Diese für den Ladungsträgertransport zur Verfügung stehende Querschnittsfläche wird nachfolgend als effektive Querschnittsfläche bezeichnet.
  • Bei der anhand von 2B erläuterten streifenförmigen Geometrie der Schottkymetallzonen 41 kann bei einer Breite der Streifen von 0,1 μm der Mittenabstand der einzelnen Streifen größer sein als die zuvor erläuterten 0,5 μm, um die gleiche effektive Querschnittsfläche wie bei punktförmigen Schottkymetallzonen zu erreichen. Beträgt bei einer gitterförmigen Geometrie die Breite der einzelnen, das Gitter bildenden Streifen 0,1 μm, so kann das Rastermaß ebenfalls größer sein als die genannten 0,5 μm, um die gleiche effektive Querschnittsfläche wie bei kugelförmigen Schottkymetallzonen 41 zu erreichen.
  • Allgemein gilt, dass die Abmessungen der Schottkymetallzonen 41 wenigstens in einer der Richtungen senkrecht zur Stromflussrichtung C im Bereich zwischen 0,01 μm und 0,25 μm liegen und dass die Schottkymetallzone so realisiert ist bzw. dass die Schottkymetallzonen so realisiert sind, dass der Anteil der Schottkymetallzone(n) 41, bezogen auf die Gesamtfläche der senkrecht zur Stromflussrichtung C verlaufenden Schottkymetallebenen 40A–40C kleiner ist als 10% und insbesondere kleiner ist als 5%. Die Schottkymetallzonen 41 behindern dadurch bei leitend angesteuertem Bauelement den Ladungsträgertransport in der Driftzone 11 nur in geringem Umfang.
  • Die Funktionsweise des dargestellten Halbleiterbauelements mit in der Driftzone 11 angeordneten Schottkymetallzonen 41 wird nachfolgend anhand der 1 und 3 erläutert. 3 zeigt dabei vergrößert einen Ausschnitt der Driftzone 11 und der darin angeordneten Schottkymetallzonen 41. In 3 sind außerdem für den Sperrfall des Bauelements schematisch Ladungsträgerverteilungen in der Driftzone 11 sowie in der an die Driftzone 11 angrenzenden ersten Bauelementzone 12, 51 dargestellt.
  • Bei sperrend angesteuertem Bauelement breitet sich ausgehend von dem Bauelementübergang 10 eine Raumladungszone in der Driftzone 11 aus. Im Bereich dieser Raumladungszone sind in der Driftzone 11 ionisierte Dotierstoffatome – im vorliegenden Fall positiv geladene Donatorrümpfe – vorhanden, die in 3 schematisch dargestellt sind. Ionisierte Dotierstoffatome, die in Stromflussrichtung C zwischen dem Bauelementübergang 10 und der Schottkymetallzone 41, die am nächsten zu dem Bauelementübergang angeordnet ist, finden hierbei ihre Gegenladungen in der ersten Bauelementzone 12, 51. Diese Gegenladungen sind in dem dargestellten Beispiel Elektronen.
  • Ist die an den Bauelementübergang 10 angelegte Sperrspannung ausreichend groß, dass sich die Raumladungszone in Stromflussrichtung bis über mehrere Schottkymetallzonen 41 hinaus ausbreitet, so werden in den Schottkymetallzonen 41 Ladungsträger akkumuliert, die eine Gegenladung zu weiteren in der Driftzone 11 angeordneten Ionisierten Dotierstoffatomen darstellen. Diese Ladungsträger sind in dem Beispiel Elektronen und stellen eine Gegenladung zu den in der Driftzone 11 vorhandenen ionisierten positiv geladenen Donatorrümpfen dar. Diese Akkumulation von Elektronen findet in den Schottkymetallzonen überwiegend im Bereich der Seite statt, die dem Bauelementübergang 10 abgewandt ist, und ist möglich, da der Schottkyübergang zumindest an der dem Bauelementübergang 10 abgewandten Seite der Schottkymetallzonen 41 in Sperrrichtung gepolt ist. Mit anderen Worten: Die Schottkymetallzonen 41 befinden sich bei sperrend angesteuertem Bauelement auf einem niedrigeren elektrischen Potenzial als die Bereiche der Driftzone, die sich in Stromflussrichtung an die dem Bauelementübergang 10 abgewandte Seite der Schottkymetallzonen 41 anschließen.
  • Im rechten Teil der 1 ist schematisch der Verlauf des elektrischen Feldes in der Driftzone 11 für ein sperrendes Bauelement dargestellt. Das elektrische Feld ist dabei jeweils maximal an dem Bauelementübergang 10 bzw. an den Schottkyübergängen zwischen den Schottkymetallzonen 41 und der Driftzone 11 und nimmt jeweils bis zu der in Stromflussrichtung nächsten Schottkymetallzone 41 ab. In diesem Zusammenhang sei angemerkt, dass für die Darstellung des Feldverlaufs in 1 die idealisierende Annahme getroffen wurde, dass die Schottkymetallzonen 41 in Stromflussrichtung keine Ausdehnung bzw. eine Ausdehnung von Null besitzen. In diesem Zusammenhang sei außerdem angemerkt, dass im Sperrfall im Wesentlichen der Bereich des Schottkyübergangs zwischen einer Schottkymetallzone 41 und der Driftzone 11 in Sperrrichtung gepolt ist, der zwischen der Driftzone 11 und dem dem Bauelementübergang 10 abgewandeten Ende der Schottkyzone 41 gebildet ist.
  • Im Sperrfall nimmt das elektrische Potenzial in der Driftzone 11 ausgehend von dem Bauelementübergang 10 in Stromflussrichtung C kontinuierlich zu. Die einzelnen Schottkymetallzonen 41 befinden sich dabei jeweils auf dem elektrischen Potenzial, das in der Driftzone 11 jeweils in dem Bereich vorherrscht, der sich in Richtung des Bauelementübergangs 10 an die jeweilige Schottkymetallzone 41 anschließt. In 3 sind das die Bereiche der Driftzone 11, die sich unmittelbar nach oben an die Schottkymetallzonen 41 anschließen.
  • Ein Teil der in der Driftzone 11 vorhandenen Dotierstoffladungen wird in erläuterter Weise durch die Schottkymetallzonen 41 kompensiert. Diese durch die Schottkymetallzonen 41 kompensierten Dotierstoffladungen tragen damit nicht mehr zu einem elektrischen Feld bei, das durch Ladungsträger beiderseits des Bauelementübergangs 10 gebildet wird, also durch Elektronen in der Bauelementzone 12, 51 einerseits und positive Donatorrümpfe in der Driftzone 11 andererseits. Die Dotierung der Driftzone 11, die gegenseitigen Abstände der Schottkymetallzonen 41 in Stromflussrichtung C sowie der Abstand zwischen dem Bauelementübergang 10 und der dem Bauelementübergang nächstliegenden Schottkymetallzonen 41 können so aufeinander abgestimmt sein, dass eine kritische elektrische Feldstärke bei sperrend angesteuertem Bauelement nicht erreicht wird. Diese kritische elektrische Feldstärke beträgt für Silizium abhängig von der Dotierung zwischen 2,5·105 V/cm und 1·106 V/cm.
  • Das Erreichen dieser kritischen elektrischen Feldstärke kann verhindert werden, wenn die Flächenladung in dem Bereich, über welchen sich ein elektrische Feld ausdehnt, das von dem Bauelementübergang 10 ausgeht oder das von den Schottkyübergängen zwischen den Schottkymetallzonen 41 und der Driftzone 11 ausgeht, kleiner ist als die maximale Flächenladung. Diese maximale Flächenladung wird auch als Durchbruchsladung bezeichnet und beträgt für Silizium etwa 2·1012 cm–2. Die Flächendotierung für einen gegebenen Volumenbereich der Driftzone 11 erhält man, indem man die in diesem Volumenbereich vorhandenen Dotierstoffladungen bzw. Dotierstoffatome in Stromflussrichtung C aufintegriert. Die kritische Feldstärke wird bei dem in 1 dargestellten Bauelement dann nicht erreicht, wenn die Flächenladung im Volumenbereich zwischen dem Bauelementübergang 10 und der ersten Schottkymetallzonenebene 40A kleiner ist als die Durchbruchsladung, und wenn die Flächenladungen der zwischen jeweils zwei Schottkymetallebenen angeordneten Volumenbereiche kleiner sind als die Durchbruchsladung.
  • Die Driftzone 11 kann homogen dotiert sein, kann jedoch auch eine variierende Dotierung aufweisen. Die Dotierungskonzentration kann dabei insbesondere in der Stromflussrichtung C variieren. Durch eine solche Variation der Dotierungskonzentration kann insbesondere der Ort eines ersten Spannungsdurchbruchs in der Driftzone 11 eingestellt werden. Ein solcher Spannungsdurchbruch tritt auf, wenn eine maximale Spannungsfestigkeit des Bauelements erreicht ist. An dem Ort, an dem ein erster Spannungsdurchbruch einsetzen soll, wird die Dotierungskonzentration beispielsweise höher gewählt als in übrigen Bereichen der Driftzone 11. Eine solche lokale Erhöhung der Dotierungskonzentration ist insbesondere in dem Bereich der Driftzone 11 vorhanden, der sich in der Stromflussrichtung an die Schottkyzonen anschließt, die am weitesten zu dem Bauelementübergang 10 beabstandet sind. Bei dem Bauelement gemäß 1 sind das die Schottkymetallzonen der mit dem Bezugszeichen 40D bezeichneten Schottkymetallebene. Die Dotierungskonzentration kann hierbei insbesondere so weit lokal erhöht werden, dass die Flächenladung in einem Abschnitt der Driftzone 11 zwischen den Schottkymetallzonen und dem dem Bauelementübergang 10 abgewandten Ende der Driftzone 11 größer ist als die Durchbruchsladung. Eine solche lokale Erhöhung der Dotierungskonzentration ist beispielsweise in einem solchen Bereich der Driftzone 11 vorhanden, der in einer Richtung senkrecht zu der Stromflussrichtung C beabstandet ist zu einem Rand der Driftzone 11, bzw. eines Halbleiterkörpers in dem sie angeordnet ist. Alternativ oder zusätzlich zu einer lokalen Erhöhung der Dotierungskonzentration kann in einem Bereich, in dem ein Spannungsdurchbruch zuerst einsetzen soll, der Abstand der Schottkymetallzonen in Stromflussrichtung C gegenüber übrigen Bereichen der Driftzonen 11 erhöht werden.
  • Die maximale Spannungsfestigkeit des in 1 dargestellten Bauelements ist im Wesentlichen bestimmt durch die Abmessungen der Driftzone 11 in Stromflussrichtung C. Hierbei gilt, dass die Spannungsfestigkeit umso höher ist, je größer diese Abmessungen der Driftzone 11 in Stromflussrichtung sind. Als Faustregel gilt für Silizium beispielsweise, dass die Abmessungen der Driftzone 11 in Stromflussrichtung C pro 100 V gewünschter Spannungsfestigkeit etwa 10 μm betragen.
  • Der Einschaltwiderstand des Bauelements ist in leitend angesteuertem Zustand bestimmt durch die Dotierungskonzentration der Driftzone 11. Hierbei gilt, dass dieser Einschaltwiderstand umso geringer ist, je höher die Driftzone 11 dotiert ist. Mit zunehmender Dotierung der Driftzone 11 sind dabei mehr in Stromflussrichtung beabstandet zueinander angeordnete Schottkymetallzonen 41 vorzusehen, um der oben genannten Bedingung zu genügen, dass die Flächendotierung in einem Volumenbereich zwischen zwei Schottkymetallebenen kleiner ist als die Durchbruchsladung.
  • Das zuvor erläuterte Konzept, nämlich wenigstens eine Schottkymetallzone 41 in einer Driftzone 11 eines Halbleiterbauelements vorzusehen, ist auf beliebige eine Driftzone aufweisende Halbleiterbauelemente anwendbar. Einige Beispiele solcher Bauelemente werden nachfolgend anhand der 4 bis 8 erläutert.
  • 4 zeigt einen Querschnitt durch als ein MOS-Transistor ausgebildetes Halbleiterbauelement. Die erste Bauelementzone 12, die sich an die Driftzone 11 anschließt, ist bei diesem Bauelement eine komplementär zu der Driftzone 11 dotierte Halbleiterzone 12, die eine Bodyzone des MOS-Transistors bildet. Das Bauelement weist außerdem eine Sourcezone 13 vom gleichen Leitungstyp wie die Driftzone 11 auf, die durch die Bodyzone 12 von der Driftzone 11 getrennt ist. Zur Steuerung eines leitenden Kanals in der Bodyzone 12 zwischen der Sourcezone 13 und der Driftzone 11 ist eine Gateelektrode 21 vorhanden, die benachbart zu der Bodyzone 12 angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum 22 dielektrisch gegenüber der Bodyzone 12 isoliert ist. Die Gateelektrode 21 erstreckt sich hierbei benachbart zu der Bodyzone 12 von der Sourcezone 13 bis an die Driftzone 11.
  • Der in 4 dargestellte MOS-Transistor ist als vertikaler MOS-Transistor realisiert. Die Stromflussrichtung C verläuft bei diesem Bauelement in vertikaler Richtung eines Halbleiterkörpers 100, in dem die Driftzone 11, die Bodyzone 12 und die Sourcezone 13 angeordnet sind. Eine ”vertikale Richtung” des Halbleiterkörpers 100 ist hierbei eine senkrecht zu einer ersten Seite 101, die nachfolgend als Vorderseite bezeichnet wird, und zu einer zweiten Seite 102, die nachfolgend als Rückseite bezeichnet wird, verlaufende Richtung des Halbleiterkörpers 100. Die Sourcezone 13 und die Bodyzone 12 sind bei dem dargestellten Bauelement im Bereich einer Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers angeordnet. In Richtung der Rückseite 102 schließt sich an die Driftzone 11 eine Drainzone 14 an, die höher als die Driftzone 11 dotiert ist und die bei einem als MOSFET ausgebildeten MOS-Transistor vom gleichen Leitungstyp wie die Driftzone 11 ist, und die bei einem als IGBT ausgebildeten MOSFET komplementär zu der Driftzone 11 dotiert ist. Bei einem IGBT kann zwischen der Driftzone 11 und der Drainzone 14 eine Feldstoppzone (nicht dargestellt) vorgesehen sein, die vom gleichen Leitungstyp wie die Driftzone 11 ist, die jedoch höher dotiert ist.
  • Der in 4 dargestellte Transistor ist ein n-leitender Transistor und besitzt eine n-dotierte Sourcezone 13, sowie eine p-dotierte Bodyzone 12. Es sei darauf hingewiesen, dass das erläuterte Konzept auch auf p-leitende Bauelemente anwendbar ist, dass floatend angeordnete Schottkymetallzonen also auch in einer p-dotierten Driftzone vorgesehen werden können. Das grundsätzliche Schaltverhalten des in 4 dargestellten MOS-Transistors entspricht dem eines herkömmlichen MOS-Transistors. Der Transistor leitet, wenn eine positive Spannung zwischen der Drainzone 14 und der Sourcezone 13 anliegt, und wenn die Gateelektrode 21 auf einem geeigneten Ansteuerpotenzial liegt, durch welches sich ein Inversionskanal entlang des Gatedielektrikums 22 zwischen der Sourcezone 13 und der Driftzone 11 ausbildet. Der Transistor sperrt, wenn eine positive Spannung zwischen der Drainzone 14 und der Source- und Bodyzone 13, 12 anliegt und wenn kein zur Ausbildung eines Inversionskanals geeignetes elektrisches Potenzial an der Gateelektrode 21 anliegt. In diesem Fall breitet sich ausgehend von dem pn-Übergang zwischen der Bodyzone 12 und der Driftzone 11 eine Raumladungszone in vertikaler Richtung in dem Halbleiterkörper 100 aus. Sobald die Raumladungszone dabei die Schottkymetallzonen 41 erfasst, wird ein Teil der in der Driftzone 11 vorhandenen Dotierstoffladung in erläuterter Weise durch die Schottkymetallzonen 41 kompensiert. Die Bodyzone 12 liegt bei dem dargestellten Bauelement auf dem Potenzial der Sourcezone 13. Hierzu sind die Sourcezone 13 und die Bodyzone 12 gemeinsam durch eine Sourceelektrode 31 kontaktiert. Die Stromflussrichtung C bezeichnet in 4 die physikalische Stromrichtung, also die Richtung des Elektronenflusses.
  • Bei sperrend angesteuertem Bauelement fällt die zwischen der Drainzone 14 und der Source- und Bodyzone 13, 12 anliegende elektrische Spannung im Wesentlichen über der Driftzone 11 ab. Die Schottkymetallzonen 41 liegen dabei auf elektrischen Potenzialen, die betragsmäßig zwischen dem elektrischen Potenzial an der Source-Elektrode 31 und dem elektrischen Potenzial an der Drainzone 14 liegen. Die elektrischen Potenziale werden dabei ausgehend von dem pn-Übergang in Richtung der Drainzone 14 von Schottkymetallebene zu Schottkymetallebene hin größer. Abhängig von den vertikalen Abmessungen der Driftzone 11 kann die maximale Sperrspannung beliebig eingestellt werden.
  • Wird das Bauelement anschließend durch Anlegen eines geeigneten elektrischen Potenzials an die Gateelektrode 21 leitend angesteuert, so werden Ladungsträger in die Driftzone injiziert. Diese Ladungsträger, die bei dem dargestellten n-leitenden Bauelement Elektronen sind, ”neutralisieren” einen Teil der in der Driftzone 11 unmittelbar nach dem Einschalten zunächst noch vorhandenen positiv geladenen Donatorrümpfe, wobei die im Sperrfall zwischen den Schottkymetallzonen 41 und der umgebenden Driftzone 11 aufgebauten Sperrspannung zunächst noch erhalten bleibt. Wenn positiv geladene Donatorrümpfe in der Driftzone durch zugeflossene Elektronen neutralisiert werden, findet ein Teil der Elektronen, die im Sperrfall in den Schottkymetallzonen 41 akkumuliert wurden, keine Gegenladung in der Driftzone 11 mehr. Diese Elektronen fließen dadurch aus den Schottkymetallzonen 41 in die Driftzone 11, wo sie weitere Donatorrümpfe neutralisieren, was zu einem weiteren Abfließen von Elektronen aus den Schottkymetallzonen 41 führt, usw. Auf diese Weise wird die Sperrspannung, bzw. die sich zwischen den Schottkymetallzonen 41 und der Driftzone 11 vorhandene Raumladungszone, schnell abgebaut und das Bauelement wird vollständig leitend. Durch Entladen der Schottkymetallzonen 41 wird verhindert, dass bei leitend angesteuertem Bauelement Raumladungszonen um die Schottkymetallzonen 41 vorhanden sind, die den Einschaltwiderstand des Bauelements unnötig verringern würden. Eine rasche Entladung der Schottkymetallzonen 41 bei leitender Ansteuerung des Bauelements wird dadurch gewährleistet, dass Elektronen in der n-dotierten Driftzone 11 Majoritätsladungsträger sind. Ein Anschließen der Schottkymetallzonen 41 an ein fest vorgegebenes Potenzial ist zur Entladung der Schottkymetallzonen 41 somit nicht erforderlich. Die Schottkymetallzonen 41 können dadurch in platzsparender Weise floatend in der Driftzone 11 angeordnet sein, d. h. sie müssen nicht an ein vorgegebenes elektrisches Potential angeschlossen sein und sie können vollständig von der Driftzone umgeben sein.
  • Der in 4 dargestellte MOS-Transistor ist zellenartig aufgebaut und besitzt eine Vielzahl gleichartiger Transistorzellen, die jeweils eine Bodyzone 12, eine Sourcezone 13 und eine Gateelektrode 21 aufweisen. Die Driftzone 11 und die Drainzone 14 ist dabei allen Transistorzellen gemeinsam. Die einzelnen Transistorzellen können eine herkömmliche Zellengeometrie besitzen und können insbesondere streifenförmig oder mehreckförmig, insbesondere sechseckförmig (hexagonal) realisiert sein. 5A zeigt einen Querschnitt entlang der in 4 dargestellten Schnittebene A-A für ein Bauelement mit einer streifenförmigen Zellengeometrie. In diesem Fall sind die Bodyzone 12 und die Sourcezone 13 als Streifen realisiert, deren Längserstreckung in einer Richtung senkrecht zu der in 4 dargestellten Zeichenebene verläuft. Zur Kontaktierung durch die Source-Elektrode 31 weist die Bodyzone jeder Zelle einen Abschnitt auf, der bis an die Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers reicht.
  • 5B zeigt einen Querschnitt entlang der Schnittebene A-A für ein Bauelement mit einer sechseckförmigen Zellengeometrie. Die Bodyzonen 12 und die Sourcezone 13 besitzen bei diesem Bauelement eine hexagonale Geometrie.
  • Der in 4 dargestellte Transistor ist als planarer MOS-Transistor realisiert. Bei diesem Bauelement ist die Gateelektrode 21 oberhalb der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers angeordnet. Die Gateelektrode 21 kann hierbei als durchgehende Elektrodenschicht realisiert sein, die Aussparungen aufweist, in denen die Sourceelektrode 31 die Sourcezone 13 und die Bodyzone 12 kontaktiert. Die Driftzone 11 weist bei diesem planaren MOS-Transistor Abschnitte auf, die zwischen zwei benachbarten Bodyzonen 12 unterhalb der Gateelektrode 21 bis an die Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers reichen.
  • Selbstverständlich können Schottkymetallzonen in den Driftzonen von Transistoren beliebiger Geometrie vorgesehen werden, wie beispielsweise bei Trench-Transistoren. 6 zeigt im Querschnitt einen solchen Trench-Transistor. Dieser Transistor unterscheidet sich von dem in 4 dargestellten im Wesentlichen dadurch, dass die Gateelektroden der einzelnen Transistorzellen in Gräben angeordnet sind, die sich ausgehend von der Vorderseite 101 in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper hinein erstrecken. Während sich bei dem planaren MOS-Transistor gemäß 4 der Inversionskanal bei leitend angesteuertem Bauelement entlang der Vorderseite 101 in der Bodyzone 12 ausbreitet, verläuft dieser Inversionskanal bei dem in 6 dargestellten Trench-Transistor in vertikaler Richtung des Halbleiterkörpers innerhalb der Bodyzone 12. Die Sourceelektrode 31 erstreckt sich bei dem in 6 dargestellten Bauelement in vertikaler Richtung ausgehend von der Vorderseite 101 in den Halbleiterkörper hinein, um sowohl die Sourcezone 13 als auch die Bodyzone 12 zu kontaktieren. Alternativ könnte die Source-Elektrode 31 in nicht näher dargestellter Weise auch als planare Elektrode realisiert sein. In diesem Fall wurde sich die Bodyzone 12 abschnittsweise bis an die Vorderseite 101 erstrecken.
  • Bezugnehmend auf 7 kann eine Driftzone 11 mit darin angeordneten Schottkymetallzonen 41 auch bei einer Schottkydiode vorgesehen sein. 7 zeigt ausschnittsweise einen Querschnitt durch eine solche Schottkydiode. Die sich an die Driftzone 11 anschließende erste Bauelementzone 51 ist bei diesem Bauelement eine weitere Schottkymetallzone 51, die eine Anodenzone der Schottkydiode bildet. An einer der weiteren Schottkymetallzone 51 gegenüberliegenden Seite der Driftzone 11 schließt sich eine Kathodenzone 54 an. Diese Kathodenzone 54 ist eine Halbleiterzone des gleichen Leitungstyps wie die Driftzone 11, jedoch höher dotiert. Die dargestellte Schottkydiode leitet bei Anlegen einer positiven Spannung zwischen einem die Schottkymetallzone 51 kontaktierenden Anodenanschluss A, der lediglich schematisch dargestellt ist, und einem die Kathodenzone 54 kontaktierenden Kathodenanschluss K, der ebenfalls lediglich schematisch dargestellt ist. Das Bauelement sperrt bei Anlegen einer negativen Spannung zwischen Anode A und Kathode K bzw. bei Anlegen einer positiven Spannung zwischen Kathode K und Anode A. In diesem Fall breitet sich in erläuterter Weise eine Raumladungszone ausgehend von dem Schottkyübergang 10, der zwischen der weiteren Schottkymetallzone 51 und der Driftzone 11 gebildet ist, in der Driftzone 11 aus. Diese Raumladungszone erfasst mit zunehmender Spannung die in Stromflussrichtung C beabstandet zueinander angeordneten Schottkymetallzonen 41.
  • Eine Driftzone mit darin angeordneten Schottkymetallzonen 41 kann in nicht näher dargestellter Weise auch bei Bipolardioden vorgesehen werden. Eine solche Bipolardiode unterscheidet sich von der in 7 dargestellten Schottkydiode lediglich dadurch, dass anstelle der weiteren Schottkymetallzone 51 eine komplementär zu der Driftzone 11 dotierte Halbleiterzone vorgesehen ist, die eine Anodenzone bildet. Diese Bipolardiode leitet entsprechend der Schottkydiode bei Anlegen einer positiven Spannung zwischen Anode A und Kathode K und sperrt bei Anlegen einer negativen Spannung zwischen diesen Bauelementanschlüssen.
  • Das zuvor erläuterte Konzept des Vorsehens von Schottkymetallzonen 41 in der Driftzone 11 eines Halbleiterbauelements wird erfindungsgemäß auf vertikale Bauelemente, wie beispielsweise die in den 4 und 6 dargestellten vertikalen MOS-Transistoren angewendet. 8 zeigt einen Querschnitt durch einen aus dem Stand der Technik bekannten lateralen MOS-Transistor, der eine Driftzone 11 mit in der Driftzone 11 angeordneten Schottkymetallzonen 41 aufweist. Die Drainzone 14 und die Sourcezone 13 sind bei diesem Bauelement in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers 100 beabstandet zueinander angeordnet. In entsprechender Weise verläuft die Stromflussrichtung C bei diesem Bauelement in lateraler Richtung, d. h. im Wesentlichen parallel zur Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers. Der in 8 dargestellte Transistor ist als planarer Transistor realisiert. Die Gateelektrode 21 ist hierbei oberhalb der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 angeordnet. Es sei darauf hingewiesen, dass diese Bauelementgeometrie lediglich zur Veranschaulichung des Grundkonzepts dient und dass beliebige weitere Bauelementgeometrien verwendet werden können, insbesondere sogenannte Seitenwandgeometrien, bei denen die Gateelektrode 21 in einem Graben angeordnet ist, der sich ausgehend von der Vorderseite 101 in den Halbleiterkörper 100 hinein erstreckt.
  • Ein mögliches Verfahren zur Herstellung einer Driftzone 11 mit in der Driftzone angeordneten Schottkymetallzonen 41 wird nachfolgend anhand der 9A bis 9C erläutert. Diese Figuren zeigen jeweils einen Querschnitt durch die Driftzone während verschiedener Verfahrensschritte des Herstellungsverfahrens. Bezugnehmend auf 9A ist bei dem Verfahren vorgesehen, zunächst eine erste Halbleiterschicht 11A zur Verfügung zu stellen. Diese Halbleiterschicht 11A kann eine Epitaxieschicht sein, die auf einem Halbleitersubstrat 104 (gestrichelt dargestellt) angeordnet ist. Dieses Halbleitersubstrat 104 kann bei Realisierung eines vertikalen Halbleiterbauelements eine der späteren Bauelementzone bilden, beispielsweise die Drainzone eines MOS-Transistors oder die Kathodenzone einer Diode.
  • Auf diese erste Halbleiterschicht 11A wird bezugnehmend auf 9B anschließend eine Struktur mit wenigstens einer Schottkymetallzone 41 aufgebracht. Das Herstellen dieser Struktur erfolgt beispielsweise durch maskiertes Abscheiden eines zur Herstellung der Schottkymetallzonen geeigneten Materials, beispielsweise eines Metalls oder eines Silizids. Die Struktur mit der wenigstens einen Schottkymetallzone 4 kann eine beliebige der zuvor erläuterten Geometrien besitzen, insbesondere eine der anhand der 2A bis 2C erläuterten Geometrien.
  • Auf die Anordnung mit der ersten Halbleiterschicht 11A und der darauf aufgebrachten Struktur mit wenigstens einer Schottkymetallzone 41 wird anschließend eine weitere Halbleiterschicht 11B aufgebracht. Diese weitere Halbleiterschicht wird beispielsweise epitaktisch abgeschieden, wobei die Struktur mit der wenigstens einen Schottkymetallzone 41 hierbei monokristallin überwachsen wird, so dass es bedingt durch die wenigstens eine Schottkymetallzone nicht oder nicht in wesentlichem Umfang zu einer Störung in dem Kristallgitter der späteren Driftzone kommt. Das Ergebnis dieses weiteren Verfahrensschrittes, bei dem die weitere Halbleiterschicht 11B hergestellt wird, ist in 9C dargestellt.
  • Die zuvor anhand der 9A bis 9C erläuterten Verfahrensschritte werden mehrmals aufeinanderfolgend durchgeführt, wodurch ein Schichtstapel mit mehreren aufeinanderfolgend angeordneten Halbleiterschichten entsteht, zwischen denen jeweils eine Struktur mit wenigstens einer Schottkymetallzone 41 angeordnet ist.
  • Alternativ zu einer Herstellung der Schottkymetallzonen 41 durch einen oder mehrere Abscheideprozesse, können geeignete Metallatome auch maskiert in oberflächennahe Bereiche der Halbleiterschicht 11A implantiert werden. An diese Implantation schließt sich ein Temperaturprozess an, durch den die implantierten Metallatome ein Silizid mit dem umgebenden Halbleitermaterial bilden. Werden mehrere Halbleiterschichten übereinander abgeschieden, in die jeweils Metallatome implantiert werden, so kann ein Temperaturprozess nach jeder Implantation durchgeführt werden. Alternativ kann ein einziger Temperaturprozess nach Herstellen mehrerer Halbleiterschichten, bzw. nach Durchführen mehrerer Implantationsprozesse, durchgeführt werden, der zur Bildung von Siliziden in all den Bereichen führt, in die zuvor Metallatome implantiert wurden.

Claims (18)

  1. Halbleiterbauelement, das aufweist: eine Driftzone (11) eines ersten Leitungstyps, die in einem Halbleiterkörper angeordnet ist; mehrere floatende Schottkymetallzonen (41) die in einer Stromflussrichtung des Halbleiterbauelements beabstandet zueinander in der Driftzone (11) angeordnet sind, wobei die Stromflussrichtung in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers verläuft.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem in einer Ebene, die quer zu einer Stromflussrichtung verläuft, mehrere Schottkymetallzonen (41) beabstandet zueinander angeordnet sind.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Schottkymetallzonen (41) eine gitterförmige Geometrie aufweist.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Schottkymetallzonen (41) eine streifenförmige Geometrie oder eine kugelförmige Geometrie aufweist.
  5. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem mehrere Schottkymetallzonen (41) vorhanden sind, die in einer Richtung quer zu einer Stromflussrichtung des Halbleiterbauelements beabstandet zueinander angeordnet sind.
  6. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Schottkymetallzonen ein Silizid aufweist.
  7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, bei dem die Schottkymetallzone wenigstens eines der folgenden Materialien aufweist: Wolframsilizid, Tantalsilizid, Kobaltsilizid, Titansilizid.
  8. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der gegenseitige Abstand der in der Stromflussrichtung beabstandet zueinander angeordneten Schottkymetallzonen (41) jeweils gleich ist.
  9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der gegenseitige Abstand der in der Stromflussrichtung beabstandet zueinander angeordneten Schottkymetallzonen (41) variiert.
  10. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, das als MOS-Transistor ausgebildet ist und das weiterhin aufweist: eine Bodyzone (12) eines zu der Driftzone (11) komplementären zweiten Leitungstyps, die sich an die Driftzone (11) anschließt; eine Sourcezone (13) des zweiten Leitungstyps, die durch die Bodyzone (12) von der Driftzone (11) getrennt ist; eine Gateelektrode (21), die benachbart zu der Bodyzone (12) angeordnet ist und ein zwischen der Bodyzone und der Gateelektrode (21) angeordnetes Gatedielektrikum (22).
  11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, das weiterhin aufweist: eine sich an die Driftzone (11) an einer der Bodyzone (12) gegenüberliegenden Seite anschließende Drainzone (14) vom ersten oder zweiten Leitungstyps, die höher als die Driftzone (11) dotiert ist.
  12. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, das als Bipolardiode ausgebildet ist und das weiterhin aufweist: eine Anodenzone (12) eines zu der Driftzone (11) komplementären zweiten Leitungstyps, die sich an die Driftzone (11) anschließt.
  13. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, das als Schottkydiode ausgebildet ist und das weiterhin aufweist: eine weitere Schottkymetallzone (51), die sich an die Driftzone (11) anschließt und die durch einen Anschlusskontakt kontaktiert ist.
  14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, das weiterhin aufweist: einen Bauelementübergang zwischen der Driftzone (11) und einer dotierten Bauelementzone (12) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps oder zwischen der Driftzone (11) und einer weiteren Schottkymetallzone (52), die durch einen Anschlusskontakt kontaktiert ist.
  15. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, das als MOS-Transistor realisiert ist und bei dem die Bauelementzone eine Bodyzone ist.
  16. Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, das als Diode realisiert ist und bei dem die Bauelementzone eine Anodenzone ist.
  17. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone (11) und wenigstens einer in der Driftzone (11) angeordneten floatenden Schottkymetallzone (41), bei dem die Herstellung der Driftzone (11) und der wenigstens einen Schottkymetallzone umfasst: i.) Bereitstellen einer Halbleiterschicht (11A) eines ersten Leitungstyps; ii.) Herstellen der wenigstens einen floatenden Schottkymetallzone an einer ersten Oberfläche der Halbleiterschicht; iii.) Aufbringen einer weiteren Halbleiterschicht (11B) auf die erste Oberfläche und die wenigstens eine Schottkymetallzone durch epitaktisches Abscheiden eines Halbleitermaterials.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die Verfahrensschritte ii.) und iii.) mehrmals aufeinanderfolgend durchgeführt werden.
DE102009000135.2A 2008-02-21 2009-01-09 Halbleiterbauelement mit Schottkyzonen in einer Driftzone und Herstellungsverfahren Expired - Fee Related DE102009000135B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/034,810 US7714365B2 (en) 2008-02-21 2008-02-21 Semiconductor component with Schottky zones in a drift zone
US12/034,810 2008-02-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102009000135A1 DE102009000135A1 (de) 2009-09-10
DE102009000135B4 true DE102009000135B4 (de) 2016-08-04

Family

ID=40936453

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102009000135.2A Expired - Fee Related DE102009000135B4 (de) 2008-02-21 2009-01-09 Halbleiterbauelement mit Schottkyzonen in einer Driftzone und Herstellungsverfahren

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7714365B2 (de)
DE (1) DE102009000135B4 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010043088A1 (de) * 2010-10-29 2012-05-03 Robert Bosch Gmbh Halbleiteranordnung mit Schottkydiode
DE102011003456A1 (de) * 2011-02-01 2012-08-02 Robert Bosch Gmbh Halbleiteranordnung mit reduziertem Einschaltwiderstand
US10529839B2 (en) * 2015-05-15 2020-01-07 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP7459703B2 (ja) * 2020-07-15 2024-04-02 富士電機株式会社 半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4641174A (en) * 1983-08-08 1987-02-03 General Electric Company Pinch rectifier
US5089431A (en) * 1989-10-23 1992-02-18 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device including a static induction transistor
US6153495A (en) * 1998-03-09 2000-11-28 Intersil Corporation Advanced methods for making semiconductor devices by low temperature direct bonding
US20060261384A1 (en) * 2005-03-15 2006-11-23 Michael Rueb Lateral MISFET and method for fabricating it

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4309764C2 (de) 1993-03-25 1997-01-30 Siemens Ag Leistungs-MOSFET
DE19604044C2 (de) 1996-02-05 2002-01-17 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
DE19815907C1 (de) 1998-04-08 1999-05-27 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
US6998678B2 (en) * 2001-05-17 2006-02-14 Infineon Technologies Ag Semiconductor arrangement with a MOS-transistor and a parallel Schottky-diode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4641174A (en) * 1983-08-08 1987-02-03 General Electric Company Pinch rectifier
US5089431A (en) * 1989-10-23 1992-02-18 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device including a static induction transistor
US6153495A (en) * 1998-03-09 2000-11-28 Intersil Corporation Advanced methods for making semiconductor devices by low temperature direct bonding
US20060261384A1 (en) * 2005-03-15 2006-11-23 Michael Rueb Lateral MISFET and method for fabricating it

Also Published As

Publication number Publication date
DE102009000135A1 (de) 2009-09-10
US7714365B2 (en) 2010-05-11
US20090212331A1 (en) 2009-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008039845B4 (de) IGBT mit einem Halbleiterkörper
DE10214151B4 (de) Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung im Randbereich
DE102008044408B4 (de) Halbleiterbauelementanordnung mit niedrigem Einschaltwiderstand
EP2740155B1 (de) Super-junction-schottky-pin-diode
DE102007052202B3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005041838B3 (de) Halbleiterbauelement mit platzsparendem Randabschluss und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements
DE102016101676B3 (de) Elektrische schaltung, die eine halbleitervorrichtung mit einem ersten transistor und einem zweiten transistor und eine steuerschaltung enthält
DE102019111308A1 (de) Siliziumcarbid halbleiterbauelement
DE102012223663B4 (de) Halbleiterbauelement mit einer platzsparenden Randstruktur
DE19811297A1 (de) MOS-Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung
DE102009038731A1 (de) Halbleiterbauelement mit Ladungsträgerkompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE10026740C2 (de) Halbleiterschaltelement mit integrierter Schottky-Diode und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009029643B4 (de) MOS-Transistor mit erhöhter Gate-Drain-Kapazität und Verfahren zur Herstellung
DE112016006723T5 (de) Halbleitereinrichtung
DE102014119395A1 (de) Transistorbauelement mit Feldelektrode
DE102020116653B4 (de) Siliziumcarbid-halbleiterbauelement
DE10012610C2 (de) Vertikales Hochvolt-Halbleiterbauelement
DE10309400B4 (de) Halbleiterbauelement mit erhöhter Spannungsfestigkeit und/oder verringertem Einschaltwiderstand
DE102009000135B4 (de) Halbleiterbauelement mit Schottkyzonen in einer Driftzone und Herstellungsverfahren
DE102005048447B4 (de) Halbleiterleistungsbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102004038369A1 (de) Hochvolt-NMOS-Transistor
DE10214160B4 (de) Halbleiteranordnung mit Schottky-Kontakt
WO2001043200A1 (de) Steuerbares in beide richtungen sperrendes halbleiterschaltelement
DE102004056772B4 (de) Laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Spannungsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung derselben
EP4107785A1 (de) Vertikaler feldeffekttransistor, verfahren zum herstellen desselben und bauelement aufweisend vertikale feldeffekttransistoren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R082 Change of representative
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee