DE102007044046A1 - Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls - Google Patents
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Abstract
Ein Leistungshalbleitermodul umfasst eine Bodenplatte (10), mindestens ein auf einer Seite der Bodenplatte (10) montiertes Substrat (1, 50), ein Gehäuse mit einem mit der Bodenplatte (10) fest verbundenen Rahmen (15) und ein Anschlusselement (25, 35, 60, 90, 135, 150) mit mindestens zwei Kontaktbereichen (30, 31) und einem die mindestens zwei Kontaktbereiche (30, 31) miteinander verbindenden Leiterabschnitt (26, 27). Der Leiterabschnitt (26, 27) ist mit dem Rahmen (15) an einer dem Substrat (1, 50) zugewandten Seite (17) des Rahmens (15) derart verbunden, dass durch die Lage des Anschlusselementes (25, 35, 60, 90, 135, 150) gegenüber dem Rahmen (15) und durch die Lage des Rahmens (15) gegenüber der Bodenplatte (10) das Anschlusselement (25, 35, 60, 90, 135, 150) in seiner Lage gegenüber dem Substrat (1, 50) festgelegt ist.
Description
- TECHNISCHES FELD
- Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul und ein Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls, wobei das Leistungshalbleitermodul eine Bodenplatte aufweist, auf der ein Rahmen eines Gehäuses des Leistungshalbleitermoduls und mindestens ein Substrat montiert sind.
- HINTERGRUND
- Ein Leistungshalbleitermodul umfasst üblicherweise eine Bodenplatte, auf der ein oder mehrere Substrate angeordnet sind. Auf jedem der Substrate sind ein oder mehrere Leistungshalbleiterbauelemente angeordnet, die normalerweise auf das jeweilige Substrat gelötet sind. Die Verdrahtung der Leistungshalbleiterbauelemente erfolgt über Leiterbahnen auf jedem der Substrate. Typischerweise befindet sich am Rand des Substrates auf der Oberfläche, auf der das Leistungshalbleiterbauelement angeordnet ist, mindestens ein Kontaktbereich, der mit einem weiteren Kontaktbereich des gleichen Substrates oder einem Kontaktbereich eines weiteren Substrates verbunden wird (interner Kontakt). Alternativ wird der Kontaktbereich des Substrates unter Verwendung eines Anschlusselementes mit einem Kontaktbereich außerhalb des Leistungshalbleitermoduls verbunden (externer Kontakt).
- Anstelle der Verwendung eines Aluminiumdrahtes oder eines Lotes zur Herstellung eines Kontaktes ist es zur Verringerung der während des Betriebs des Leistungshalbleitermoduls auftretenden Verlustleistung wünschenswert, Kupfer als leitendes Material zu verwenden. Kupfer weist eine thermische Leitfähigkeit von 388 W/mK und einen spezifischen elektrischen Wi derstand von 0,0172 Ohm·mm2/m auf. Aluminium weist eine thermische Leitfähigkeit von 226 W/mK und einen spezifischen elektrischen Widerstand von 0,028 Ohm·mm2/m auf. Durch die Verwendung von Kupfer anstelle von Aluminium kann der thermische und elektrische Widerstand nahezu halbiert werden.
- Zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen zwei Kontaktbereichen aus Kupfer ist Ultraschallschweißen geeignet. Allerdings ist bei Ultraschallschweißen ein Halter der Fügepartner notwendig. Der zu überbrückende Abstand zwischen den zu verbindenden Kontaktbereichen beträgt bei Leistungshalbleitermodulen üblicherweise aber nur wenige Millimeter. Eine Halterung für die Verbindungselemente zwischen den Kontaktbereichen wäre in diesem Fall deutlich größer als der Abstand der zu verbindenden Kontaktbereiche. Damit besteht die Möglichkeit einer Kollision der Halterung mit Leistungshalbleiterbauelementen und anderen Komponenten in unmittelbarer Nähe des Kontaktbereiches. Zur Herstellung interner Kontakte in Leistungshalbleitermodulen wird daher bisher die Ultraschall-Schweißtechnik nicht oder nur auf besondere Fälle beschränkt verwendet.
- Es ist wünschenswert, Ultraschallschweißen auch bei Leistungshalbleitermodulen allgemein einsetzen zu können.
- ÜBERBLICK
- Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst ein Leistungshalbleitermodul: eine Bodenplatte; mindestens ein auf einer Seite der Bodenplatte montiertes Substrat; ein Gehäuse mit einem mit der Bodenplatte fest verbundenem Rahmen; und ein Anschlusselement mit mindestens zwei Kontaktbereichen und einem die mindestens zwei Kontaktbereiche miteinander verbindenden Leiterabschnitt, wobei der Leiterabschnitt mit dem Rahmen an einer dem Substrat zugewandten Seite des Rahmens derart verbunden ist, dass durch die Lage des Anschlusselementes relativ zu dem Rahmen und durch die Lage des Rahmens relativ zu der Bodenplatte das Anschlusselement in seiner Lage relativ zu dem Substrat festgelegt ist.
- Ein weiteres Beispiel der Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung aus einem Anschlusselement und einem Rahmen zur Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls. Das Anschlusselement umfasst mindestens zwei Kontaktbereiche und einen die mindestens zwei Kontaktbereiche miteinander verbindenden Leiterabschnitt. Einer der mindestens zwei Kontaktbereiche des Anschlusselementes ist mit einem Kontaktbereich eines Substrates leitend verbunden, wobei das Substrat auf einer Seite einer Bodenplatte des Leistungshalbleitermoduls montiert ist, der Rahmen mit der Bodenplatte fest verbunden ist, und der Leiterabschnitt mit dem Rahmen derart verbunden ist, dass durch die Lage des Anschlusselementes relativ zu dem Rahmen und durch die Lage des Rahmens relativ zu der Bodenplatte das Anschlusselement in seiner Lage relativ zu dem Substrat festgelegt ist.
- Ein weiteres Beispiel der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls. Dabei wird auf einer Seite einer Bodenplatte des Leistungshalbleitermoduls mindestens ein Substrat montiert, ein sich von der Seite der Bodenplatte mit dem Substrat wegerstreckender Rahmen mit der Bodenplatte fest verbunden, und ein Leiterabschnitt eines Anschlusselementes das die mindestens zwei Kontaktbereiche des Anschlusselementes miteinander verbindet, mit dem Rahmen an einer dem Substrat zugewandten Seite des Rahmens derart verbunden, dass durch die Positionierung des Anschlusselementes relativ zu dem Rahmen und durch die Positionierung des Rahmens relativ zu der Bodenplatte das Anschlusselement relativ zu dem Substrat positioniert wird.
- Eine zusätzliche Halterung des Anschlusselementes beim Ultraschallschweißen kann wegen der Halterung des Anschlusselementes durch den Rahmen des Leistungshalbleitermoduls entfallen. Aufgrund der Positionierung des Anschlusselementes durch den Rahmen kann auch ein interner Kontakt ohne zusätzliche Halterung hergestellt werden. Sämtliche Systembondungen (intern und extern) können mit dem gleichen Verfahren durchgeführt werden, was gegenüber bisherigen Verfahren, bei denen zur Herstellung externer Kontakte Ultraschallschweißen und zur Herstellung interner Kontakte Ultraschall-Drahtbonden eingesetzt wird, zu einer Verringerung des Aufwands beiträgt.
- KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Figuren der Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert, wobei gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sind.
-
1 ist eine Querschnittsdarstellung eines Teils eines Leistungshalbleitermoduls mit einem Anschlusselement zur externen Kontaktierung, das mit einem Rahmen verbunden ist; -
2 ist eine Querschnittsdarstellung eines Teils eines Leistungshalbleitermoduls mit einem Anschlusselement zur internen Kontaktierung, das mit einem Rahmen verbunden ist;, -
3 ist eine weitere Querschnittsdarstellung des Anschlusselementes aus2 ; -
4 ist eine weitere Querschnittsdarstellung des in2 und3 gezeigten Anschlusselementes und zusätzlicher externer Anschlusselemente; -
5 ist eine Querschnittsdarstellung eines Teils eines Leistungshalbleitermoduls mit einem internen Anschlusselement zur Überbrückung eines Substrates; -
6 ist eine Draufsicht auf das in5 gezeigte interne Anschlusselement und auf zusätzliche externe Anschlusselemente; -
7 ist eine Draufsicht auf zwei miteinander verbundene und gegeneinander isolierte interne Anschlusselemente; -
8 ist eine Querschnittsdarstellung des Verbindungsbereiches der miteinander verbundenen Anschlusselemente aus7 ;, -
9 ist eine Draufsicht auf ein internes Anschlusselement mit einer Mäanderstruktur; -
10 ist eine Querschnittsdarstellung des in9 dargestellten Anschlusselementes; und -
11 ist eine Draufsicht auf ein internes Anschlusselement mit einem hochohmigen Teilabschnitt. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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1 zeigt im Querschnitt einen Teil eines Leistungshalbleitermoduls mit einem Anschlusselement25 zur externen Kontaktierung. Das Leistungshalbleitermodul umfasst ein Substrat1 mit einer isolierenden Schicht2 . Das Substrat1 kann als keramisches Substrat ausgeführt sein, wobei das Material der Schicht2 aus HPS, Al2O3, AlN oder Si3N4 bestehen kann. Auf gegenüberliegenden Seiten der isolierenden Schicht2 sind jeweils Metallisierungsschichten3 ,5 aufgebracht. Als Material für die Metallisierungsschichten3 ,5 kommt Kupfer, Aluminium oder ein anderes Metall in Frage. - Das in
1 gezeigte Substrat1 ist als DCB-Substrat ausgeführt, wobei auf gegenüberliegenden Seiten der als Keramik ausgeführten Isolationsschicht2 Kupferschichten3 ,5 mit Schichtdicken zwischen 0,1 mm und 1 mm abgeschieden sind. Andere Substrattypen, wie "Active Metal Brazing" (AMB) Substrate, "Direct Aluminum Bonding" (DAB) Substrate oder "Regular Brazing Type" Substrate können alternativ benutzt werden. Das Substrat1 kann über die gesamte Fläche4 ,6 oder teilweise mit Metallschichten3 ,5 beschichtet sein. Im Fall einer Aluminium-Metallisierung kann die Beschichtung Ni/Au, Ni/Ag, Cu, Cu/Ni/Au, Cu/Ag, Ni/Pd, NiPdAg, Ti/Ni/Au, Ti/Ni/Ag, Cr/Ni/Au oder Cr/Ni/Ag umfassen. Im Fall einer Metallisierung aus Kupfer kann die Beschichtung Au, Ag, Pd, Pt, W, Mo oder Mn umfassen. Kombinationen dieser Materialien sind möglich. - Die Schicht
3 des Substrates1 ist mit einer Bodenplatte10 an einer Oberfläche4 der Schicht3 verbunden. Die Bodenplatte10 kann unbehandelt oder an dessen Oberfläche11 nickelbeschichtet sein. Geeignete Materialien für die Bodenplatte10 sind Kupfer, Aluminium oder ein MMC(Metal Matrix Composite)-Material. Als MMC-Material kann Kupfer, Aluminium oder eine Aluminiumverbindung als Matrix verwendet werden. Die Matrix ist gefüllt mit einem Füllmaterial, beispielsweise SiC-Pulver, Kohlenstoffgraphit, Kohlenstoffnanoröhren (carbonnano-pipes), pyroelektrische Graphite etc. oder einer Mischung dieser Füllmaterialien. Bekannte Typen von Metallmatrixverbindungen sind beispielsweise AlSiC, CuMo, CuW, CuSiC oder AlC. - Zur Herstellung einer Verbindung zwischen der Schicht
3 des Substrates1 und der Bodenplatte10 mittels der LTJT Verbindungstechnik (Low Temperature Joining Technique) kann eine Kontaktschicht (nicht gezeigt) zwischen der Oberfläche4 der Schicht3 und der Oberfläche11 der Bodenplatte10 angeordnet sein. Die Kontaktschicht kann im Fall einer Aluminiummatrix für die Bodenplatte10 Ni/Au, Ni/Ag, Cu, Cu/Ni/Au, Cu/Ag, Ni/Pd, NiPdAg, Ti/Ni/Au, Ti/Ni/Ag, Cr/Ni/Au oder Cr/Ni/Ag umfassen. Im Fall einer Bodenplatte10 in Form einer Kupfermatrix kann die Kontaktschicht Au, Ag, Pd, Pt, W, Mo, Mn oder eine Kombination dieser chemischen Elemente umfassen. Bei Verwendung der LTJT-Verbindungstechnik kann alternativ auf eine auf der Oberfläche11 der Bodenplatte10 aufgebrachte Kontaktschicht verzichtet werden, wenn in einem nachfolgenden Prozessschritt eine Kontaktschicht aktiviert wird. - Die Bodenplatte
10 ist mit einem Rahmen15 an dessen Oberflächen18 ,19 fest verbunden. Eine hohe Festigkeit der Verbindung zwischen Bodenplatte10 und Rahmen15 wird dadurch erreicht, dass der Rahmen15 über zwei senkrecht zueinander angeordnete Verbindungsabschnitte20 ,21 mit der Bodenplatte10 verbunden ist. Der Verbindungsabschnitt20 umfasst die Oberfläche18 des Rahmens15 und einen Teil der Oberfläche11 der Bodenplatte10 . Der Verbindungsabschnitt21 umfasst die Oberfläche19 des Rahmens15 und einen Teil der Oberfläche12 (Stirnfläche) der Bodenplatte10 . Das Material des Rahmens15 kann Kunststoff umfassen. Die Bodenplatte10 kann an den Rahmen15 angespritzt sein. - In
1 ist ein Anschlusselement25 mit Kontaktbereichen30 ,31 gezeigt, die durch einen Leiterabschnitt miteinander verbunden sind, wobei der Leiterabschnitt senkrecht aufeinander stehende und einstückig ausgebildete Teilabschnitte26 ,27 aufweist. Der erste Kontaktbereich30 des Anschlusselementes25 ist mit einem Kontaktbereich29 des Substrates1 elektrisch verbunden, wobei der Kontaktbereich29 einen Teilbereich der Schicht5 des Substrates1 und dessen Oberfläche6 bildet. Die Verbindung zwischen dem ersten Kontaktbereich30 und dem Kontaktbereich29 des Substrates1 kann mittels Ultraschallschweißen hergestellt werden. - Die Kontaktbereiche
30 ,31 und Teilabschnitte26 ,27 des Leiterabschnitts zur Verbindung der Kontaktbereiche30 ,31 können aus Kupfer bestehen. Alternativ können die Teilabschnitte26 ,27 und die Kontaktbereiche30 ,31 unterschiedliche Materialien umfassen. Der Kontaktbereich31 des Anschlusselementes25 ist mit einem externen Kontaktbereich (nicht gezeigt) leitend verbunden. Im Bereich28 des Anschlusselementes25 ist das Anschlusselement25 mit dem Rahmen15 verbunden. Der Teilabschnitt26 des Anschlusselementes25 ist mit dem Rahmen15 an der dem Substrat zugewandten Seite17 des Rahmens15 verbunden. Der Teilabschnitt27 des Anschlusselementes25 ist von der Oberfläche11 der Bodenplatte10 wegführend aus dem Rahmen15 herausgeführt, auf der das Substrat1 angeordnet ist. - Wie in
1 gezeigt, weist das Anschlusselement25 die Form eines "L" mit senkrecht zueinander angeordneten Teilabschnitte26 ,27 auf. Der Teilabschnitt26 des Leiterabschnitts des Anschlusselementes25 ist derart an der dem Substrat1 zugewandten Seite17 des Rahmens15 mit dem Rahmen15 verbunden, dass durch eine definierte Lage des Anschlusselementes25 relativ zum Rahmen15 und durch die Lage des Rahmens15 relativ zur Bodenplatte10 auch die Lage des Anschlusselements25 relativ zum Substrat1 festgelegt ist. Die Teilabschnitte26 ,27 des Anschlusselementes25 können in den Rahmen15 eingespritzt sein, um die Lage des Anschlusselements25 relativ zum Rahmen15 und damit auch relativ zum Substrat1 zu festzulegen. Durch die Verbindung des Anschlusselementes25 mit dem Rahmen15 , der einen Teil eines Gehäuses (nicht gezeigt) des Leistungshalbleitermoduls bilden kann, wird das Anschlusselement25 gegenüber dem Kontaktbereich29 des Substrates1 positioniert. Eine Verbindung zwischen dem Kontaktbereich29 des Substrates1 und dem Kontaktbereich30 des Anschlusselementes25 mittels Ultraschallschweißen ist daher ohne eine zusätzliche Halterung für das Anschlusselement25 möglich. Das Anschlusselement25 und der Rahmen15 bilden eine Anordnung zur Kontaktierung des in1 gezeigten Substrats1 des Leistungshalbleitermoduls, wobei mindestens einer der zwei Kontaktbereiche30 ,31 des Anschlusselementes25 mit dem Kontaktbereich29 des Substrates1 leitend verbunden ist. Die Teilabschnitte26 ,27 des Anschlusselementes25 sind so stabil ausgeführt, dass durch die Teilabschnitte26 ,27 die Position des Kontaktbereiches30 relativ zu dem Rahmen15 festgelegt ist. - Das Anschlusselement
25 ist in den Rahmen15 eingespritzt und mit dem Rahmen15 stoffschlüssig verbunden. Alternativ ist eine formschlüssige Verbindung des Anschlusselementes25 mit dem Rahmen15 möglich. Die Teilabschnitte26 ,27 des Leiterabschnittes des Anschlusselementes25 können teilweise oder komplett elektrisch isoliert sein. Die Teilabschnitte26 ,27 des Anschlusselementes25 können offen oder umspritzt ausgeführt sein. - Die Kontaktierung eines Substrats
1 des Leistungshalbleitermoduls kann dadurch erfolgen, dass in einem ersten Schritt auf der Oberfläche11 der Bodenplatte10 des Leistungshalbleitermoduls mindestens ein Substrat1 montiert wird. Anschließend wird ein sich von der Oberfläche11 der Bodenplatte10 mit dem Substrat1 weg erstreckender Rahmen15 mit der Bodenplatte10 fest verbunden. Nachfolgend wird ein Leiterabschnitt des Anschlusselementes25 , das mindestens zwei Kontaktbereiche30 ,31 des Anschlusselementes25 miteinander verbindet, mit dem Rahmen15 an einer dem Substrat1 zugewandten Seite17 des Rahmens15 derart miteinander verbunden, dass durch die Positionierung des Anschlusselementes25 relativ zu dem Rahmen15 und durch die Positionierung des Rahmens15 relativ zu der Bodenplatte10 das Anschlusselement25 relativ zu dem Substrat1 positioniert wird. Anschließend kann der Kontaktbereich30 des Anschlusselementes25 mit dem Kontaktbereich29 des Substrates1 leitend verbunden werden. -
2 zeigt im Querschnitt einen Teil eines Leistungshalbleitermoduls mit einem Substrat1 , einer Bodenplatte10 , einem Rahmen15 und einem Anschlusselement35 . Das Anschlusselement35 umfasst einen ersten Kontaktbereich36 und einen Leiterabschnitt37 ,38 , wobei der Leiterabschnitt37 ,38 über einen Steg46 ,50 mit dem Rahmen15 an einer dem Substrat1 zugewandten Seite17 des Rahmens verbunden ist. Die Dicke49 des Stegabschnitts46 , die Dicke53 des Stegabschnitts50 , der sich innerhalb des Rahmens15 befindet, und der Abstand22 zwischen dem Stegabschnitt50 und der dem Substrat1 zugewandten Seite17 des Substrats1 sind derart bestimmt, dass die Lage des Leiterabschnitts37 ,38 relativ zu dem Rahmen15 festgelegt ist. Durch die Lage des Anschlusselementes35 relativ zu dem Rahmen15 und durch die Lage des Rahmens15 relativ zu der Bodenplatte10 ist auch die Lage des Anschlusselements35 relativ zu dem Substrat1 festgelegt. - Der Steg
46 ,50 des Anschlusselementes15 kann aus einem Material bestehen, das Kunststoff umfasst. Wie in2 gezeigt, ist der Steg46 ,50 in den Rahmen15 eingespritzt. Die Teilabschnitte46 ,50 des von dem Anschlusselement35 umfassten Steges, mit dem der Leiterabschnitt37 ,38 mit dem Rahmen15 verbunden ist, können einstückig ausgebildet sein. Der erste Kontaktbereich36 des Anschlusselementes35 ist mit dem Kontaktbereich41 des Substrates1 leitend verbunden. - In
3 zeigt im Querschnitt das Anschlusselement35 zusammen mit dem externen Anschlusselement25 und einem weiteren externen Anschlusselement60 . Das Anschlusselement35 wird dadurch gebildet, dass mindestens zwei Kontaktbereiche36 ,40 miteinander durch einen Leiterabschnitt37 ,38 ,39 verbunden werden. Ein Kontaktbereich36 der mindestens zwei Kontaktbereiche36 ,40 des Anschlusselementes35 wird mit einem Kontaktbereich41 des Substrates1 leitend verbunden, wobei das Substrat1 auf einer Oberfläche11 der Bodenplatte10 montiert wird. Der Leiterabschnitt38 des Anschlusselementes35 ist mit dem Rahmen15 , der mit der Bodenplatte10 fest verbunden ist, derart verbunden (vgl.2 ), dass durch die Positionierung des Anschlusselementes35 relativ zu dem Rahmen15 und durch die Positionierung des Rahmens15 relativ zu der Bodenplatte10 auch das Anschlusselement35 relativ zu dem Substrat1 positioniert wird. - Ein zweiter Kontaktbereich
40 des Anschlusselementes35 ist mit dem Kontaktbereich42 eines weiteren Substrates50 leitend verbunden, wobei das Anschlusselement35 einen internen Kontakt zwischen dem Kontaktbereich41 des Substrates1 und dem Kontaktbereich42 des Substrates50 herstellt. Das Substrat50 weist eine isolierende Schicht51 auf, auf deren gegenüberliegenden Seiten Metallschichten52 ,54 aufgebracht sind. An einer Unterseite53 der Schicht52 des Substrates50 ist das Substrat50 mit der Bodenplatte10 verbunden. - Das Anschlusselement
35 weist senkrecht zu den Oberflächen6 ,55 der Substrate1 ,50 angeordnete Teilabschnitte37 ,39 auf, die über den Teilabschnitt38 miteinander verbunden sind. Zusammen mit den Kontaktbereichen36 ,40 , die plan auf den Kontaktbereichen41 ,42 der Substrate1 ,50 aufliegen, bilden die Abschnitte37 ,38 ,39 das Anschlusselement35 mit der Form einer Brücke oder eines Bügels. Der Abschnitt38 weist eine Länge44 auf, die ausreicht, um die Kontaktbereiche36 ,40 direkt miteinander zu verbinden. Die sich von den Oberflächen6 ,55 der Substrate1 ,50 wegerstreckenden Teilabschnitte37 ,39 sind in das Anschlusselement35 eingefügt, um einen Dehnungsbogen zur Aufnahme thermomechanischer Spannungen zu bilden. Anstelle eines Dehnungsbogens kann im Leiterabschnitt37 ,38 ,39 alternativ oder zusätzlich eine Verjüngung ausgebildet sein. Die Dicke43 bezeichnet die Dicke des Teilabschnitts38 , die der Dicke der Teilabschnitte37 ,39 des Anschlusselementes35 entspricht. Die Lage der Kontaktbereiche36 ,39 des Anschlusselementes35 ist durch die mit dem Steg46 ,50 bewirkte Verbindung des Teilabschnitts38 mit dem Rahmen15 festgelegt. Die Dicke43 eines aus Kupfer bestehenden formstabilen Leiterabschnitts37 ,38 ,39 kann zwischen 0,1 und 5 mm liegen, wobei die Breite45 (siehe4 ) zwischen 0,5 und 30 mm betragen kann. - Neben dem Anschlusselement
25 zur externen Kontaktierung ist in3 ein weiteres Anschlusselement60 zur externen Kontaktierung gezeigt, wobei ein erster Anschlussbereich61 des Anschlusselementes60 mit einem Kontaktbereich56 des Substrates50 leitend verbunden ist. Im Gegensatz zum Anschlusselement25 ist das Anschlusselement60 in den Rahmen15 nicht eingespritzt, sondern mit dem Teilabschnitt63 des Anschlusselementes60 in den Rahmen15 eingesteckt. - Der Rahmen
15 weist eine Aufnahme auf, in die der Teilabschnitt63 des Leiterabschnitts62 ,63 des Anschlusselementes60 formschlüssig, wie in4 gezeigt, eingesteckt ist. Durch die formschlüssige Steckverbindung zwischen dem Anschlusselement60 und dem Rahmen15 ist das Anschlusselement60 in seiner Lage fixiert und gegen Herausfallen gesichert. Die Breite64 und Länge65 des in den Rahmen15 eingesteckten Abschnitts63 des Anschlusselementes60 sind derart bestimmt, dass die Lage des Kontaktbereichs61 des Anschlusselementes60 durch die Verbindung zwischen dem Anschlusselement60 und dem Rahmen15 festgelegt ist. Die Breite und Tiefe der Aufnahme in dem Rahmen15 entsprechen der Dicke50 und der Breite65 des Teilabschnitts63 des Anschlusselementes60 . Nach Ausbildung der Aufnahme für das Anschlusselement60 in den Rahmen15 wird das Anschlusselement60 in die Aufnahme des Rahmens15 eingesteckt. Es ist möglich, Aufnahmen für Anschlusselemente an sämtlichen dem mindestens einen Substrat1 ,50 zugewandten Seiten des Rahmens15 auszubilden. Der Abschnitt63 des Anschlusselementes60 ist, wie in den3 und4 gezeigt, an der Oberseite16 des Rahmens15 in von den Substraten1 ,50 wegführender Richtung aus dem Rahmen15 herausgeführt. Beispielhaft ist auf dem Substrat1 ein Leistungshalbleiterbauelement8 angeordnet, wobei das Leistungshalbleiterbauelement8 ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), eine Diode, ein Thyristor, oder ein MOSFET sein kann. Die Anordnung anderer Leistungshalbleiterbauelemente und Komponenten auf den Substraten1 ,50 ist alternativ oder zusätzlich möglich. - Das Anschlusselement
35 umfasst einen Steg46 ,50 . Der Steg46 ,50 weist zwei zueinander rechtwinklig angeordnete Abschnitte46 ,50 aufweist, von denen der Abschnitt50 vollständig innerhalb des Rahmens15 angeordnet ist. Der Steg46 ,50 hat eine Form mit einer Überschneidung, im vorliegenden Fall die eines "T". Als solche Formen kommen auch zum Beispiel Kreise und Halbkreise mit Steg in Betracht. Die Breite48 und Länge47 bezeichnen Breite und Länge des Abschnitts46 des Steges46 ,50 . Die Lage der Kontaktbereiche36 ,40 des Anschlusselementes35 ist durch die durch den Steg46 ,50 bewirkte Verbindung des Abschnitts38 des Anschlusselementes35 mit dem Rahmen15 festgelegt. Weiterhin bezeichnen die Breite51 und Länge52 die Breite und die Länge des Abschnitts50 des Steges46 ,50 . Der Steg46 ,50 und der Leiterabschnitt37 ,38 ,39 können einstückig ausgebildet sein. Alternativ kann der Leiterabschnitt37 ,38 ,39 in den Steg46 ,50 eingesteckt oder eingespritzt sein. Mit dem Anschlusselementen35 ,60 ist es möglich, sämtliche Kontaktverbindungen des in4 gezeigten Leistungshalbleitermoduls als ultraschallgeschweißte Bondungen ohne zusätzliche Halterungen auszuführen. - In
5 ist im Querschnitt ein Teil eines Leistungshalbleitermoduls mit einem Anschlusselement90 zur internen Kontaktierung der Substrate1 und80 gezeigt. Das Anschlusselement90 weist einen ersten Kontaktbereich91 auf, der mit dem Kontaktbereich96 des Substrates1 leitend verbunden ist. Der Kontaktbereich91 weist einen Abstand7 von dem Rand der Schicht5 des Substrates1 auf. Ein zweiter Kontaktbereich95 des Anschlusselementes90 ist mit einem Kontaktbereich97 des Substrates80 leitend verbunden. Das Substrat80 weist eine isolierende Schicht81 und Metallschichten82 ,84 auf, die an gegenüberliegenden Seiten der isolierenden Schicht81 mit dieser verbunden sind. Die Schicht82 ist mit der Bodenplatte10 an der Oberfläche83 der Schicht82 verbunden. Der zweite Anschlussbereich97 des Anschlusselementes90 weist einen Abstand86 vom Rand der Schicht84 mit der Oberfläche85 auf. - Das Anschlusselement
90 weist die Form einer Brücke auf, wobei ein Teilabschnitt93 des Leiterabschnitts92 ,93 ,94 des Anschlusselementes90 eine Länge99 aufweist, die dem Abstand der Kontaktbereiche96 des Substrates1 und97 des Substrates80 entspricht. Die Dicke98 bezeichnet die Dicke des Teilab schnitts93 , die der Dicke der Teilabschnitte92 ,94 des Leiterabschnitts des Anschlusselementes90 entspricht. Die Lage der Kontaktbereiche91 ,95 des Anschlusselementes90 relativ zu den Substraten1 ,80 ist durch die Verbindung des Teilabschnitts93 mit dem Rahmen15 (siehe6 ) festgelegt. Wie in5 gezeigt, ist es möglich, das Anschlusselement90 derart stabil auszubilden, dass das Anschlusselement ein weiteres Substrat70 überbrücken kann. Das Substrat70 weist wie die Substrate1 ,80 eine isolierende Schicht71 auf, auf deren gegenüberliegenden Seiten Metallschichten72 ,74 aufgebracht sind. Die Schicht72 ist mit der Bodenplatte10 an einer Oberfläche73 der Schicht72 verbunden. - In
6 ist das Anschlusselement90 in einer Draufsicht zusammen mit Anschlusselementen25 zur externen Kontaktierung gezeigt. Das Anschlusselement90 weist einen Steg101 ,106 auf, wobei der Abschnitt101 eine Länge102 und Breite103 und der Teilabschnitt106 eine Länge107 und Breite108 aufweist. Der Teilabschnitt106 des Steges101 ,106 weist von der den Substraten1 ,70 ,80 zugewandten Seite des Rahmens15 einen Abstand23 auf. Der Abschnitt101 ist zu dem Abschnitt106 des Steges101 ,106 rechtwinklig angeordnet. Die Länge99 und Breite100 bezeichnet die Länge und die Breite des Abschnitts93 des Leiterabschnitts des Anschlusselementes90 , die Länge102 und Breite103 die Abmessungen des Teilabschnitts101 und die Länge107 und Breite108 die Abmessungen des Teilabschnitts106 . Die Lage der Kontaktbereiche91 ,95 relativ zu den Substraten1 ,80 ist durch die Verbindung des Anschlusselementes90 mit dem Rahmen15 festgelegt. - Der Abschnitt
93 des Anschlusselementes90 verbindet die Kontaktbereiche91 ,95 des Anschlusselementes90 miteinander. Der Teilabschnitt106 des Steges101 ,106 dient der Verankerung des Anschlusselementes90 an dem Rahmen15 . Der Teilabschnitt101 des Steges101 ,106 verbindet an dessen Oberflächen104 ,105 den Teilabschnitt93 mit dem Teilabschnitt106 . Der Teilabschnitt101 bildet sowohl mit dem Teilabschnitt93 als auch mit dem Teilabschnitt106 jeweils die Form eines "T". Die Abschnitte93 ,101 und106 sind derart zueinander angeordnet und miteinander verbunden, dass ein interner Kontakt zwischen den Substraten1 ,80 auch in der Mitte der Bodenplatte10 möglich ist. Falls der Rahmen15 eine Aufnahme mit den Maßen103 ,23 ,107 und108 aufweist, kann das Anschlusselement90 in dem Rahmen15 eingesteckt werden. Alternativ kann das Anschlusselement90 mit den Teilabschnitten101 ,106 in den Rahmen15 eingeschweißt sein. - In
7 ist eine Draufsicht auf ein Leistungshalbleitermodul mit einer Bodenplatte10 gezeigt, auf die ein Rahmen15 und Substrate1 ,70 ,80 und88 aufgebracht sind. An sich gegenüberliegenden Seiten des Rahmens15 ist ein erstes Anschlusselement111 ,112 ,113 ,114 ,115 und ein zweites Anschlusselement117 ,118 ,119 ,120 ,121 befestigt. Der Leiterabschnitt111 , der an seinen Enden mit sich gegenüberliegenden Seiten des Rahmens15 über den Steg112 ,113 und den Steg114 ,115 befestigt ist, stellt einen internen Kontakt zwischen dem Substrat1 und dem Substrat80 her. Der Leiterabschnitt117 , der an seinen Enden mit sich gegenüberliegenden Seiten des Rahmens15 über den Steg118 ,119 und über den Steg120 ,121 verbunden ist, stellt einen weiteren internen Kontakt zwischen den Substraten70 und88 her. Durch die Verankerung der Leiterabschnitte111 ,117 an jeweils gegenüberliegenden Seiten des Rahmens15 kann ein interner Kontakt mit einer Länge hergestellt werden, die dem Abstand von sich gegenüberliegenden Seiten des Rahmens15 entspricht. Die Stege112 ,113 ;114 ,115 ;118 ,119 und120 ,121 können in den Rahmen15 eingeschweißt oder in Aufnahmen in dem Rahmen15 eingesteckt sein, die in den Rahmen15 eingefügt sind. - Die Leiterabschnitte
111 ,117 können komplett isoliert sein wobei an der Stelle116 die Anschlusselemente112 –115 und117 –121 einen Verbund aus mehreren Leiterebenen bilden. Die Leiterabschnitte111 ,117 der Anschlusselemente112 bis115 und117 bis121 sind sich kreuzend angeordnet und mit sich gegenüberliegenden Seiten des Rahmens15 verbunden. - Der Bereich
116 ist im Querschnitt in8 gezeigt. Mehrere Verdrahtungsebenen mit den Leiterabschnitten111 ,117 werden dadurch gebildet, dass die Anschlusselemente112 –115 und117 –121 außerhalb des Rahmens15 und oberhalb der Bodenplatte10 miteinander mittels einer Schicht122 isoliert voneinander verbunden sind. Es ist möglich, dass die Leiterabschnitte111 ,117 jeweils komplett umspritzt werden. Durch die Bildung mehrere Verdrahtungsebenen mit den Leiterabschnitten117 ,118 oberhalb der Schichten5 ,74 und84 der Substrate1 ,70 und80 ist es möglich, die Leiterabschnitte111 ,117 der Anschlusselemente111 bis115 und117 bis121 mit jeweils unterschiedlichen Potenzialen zu beaufschlagen. Die Schicht122 zur Isolierung der Leiterabschnitte111 und117 voneinander ist im Fall einer kompletten Umspritzung der Leiterabschnitte111 ,117 ein Teil der Ummantelung122 ,123 des Leiterabschnitts117 und der Ummantelung122 ,123 der Ummantelung des Leiterabschnitts111 . - In
9 ist ein Anschlusselement135 zur internen Kontaktierung zwischen den Substraten1 und50 in einer Draufsicht gezeigt. Das Anschlusselement135 weist einen ersten Kontaktbereich136 und einen zweiten Kontaktbereich142 auf, wobei die Kontaktbereiche136 ,142 über Abschnitte137 ,138 ,139 ,140 ,141 eines Leiterabschnitts des Anschlusselementes135 verbunden werden. Der Abschnitt138 des Anschlusselementes135 ist mit einem Steg46 verbunden, wobei der Steg46 mit einem Rahmen (nicht gezeigt) verbunden ist. - Der Abschnitt
139 des Anschlusselementes135 umfasst Unterabschnitte145 ,146 mit einer Dicke144 , die eine Mäanderstruktur bilden. Die Dicke144 der Unterabschnitte145 ,146 ist kleiner als die Dicke143 der Abschnitte138 ,140 , so dass der Abschnitt139 gegenüber den Abschnitten138 ,140 verjüngt ist. Bei einem vorgegebenen Abstand der Kontaktbereiche136 ,142 ist aufgrund der Mäanderstruktur des Abschnitts139 eine Verlängerung der Leiterbahn des Leiterabschnitts137 bis141 gegenüber einer direkten Verbindung der Kontaktbereiche136 ,142 gegeben. Durch eine Einstellung der Leiterbahnlänge und der Leiterbahndicke144 des mäanderförmigen Abschnitts139 kann ein bestimmter elektrischer Widerstand des Leiterabschnitts137 –141 eingestellt werden. - Wie in
10 im Querschnitt gezeigt, ist es möglich, dass ein mit einer Mäanderstruktur versehenes Anschlusselement139 eine Brückenform, die durch die Abschnitte137 –141 gebildet werden, zur Aufnahme thermomechanischer Spannungen aufweist. - Eine Alternative zu dem in den
9 und10 gezeigten Anschlusselement135 mit einem bestimmten elektrischen Widerstand ist in einer Draufsicht in11 gezeigt. Das Anschlusselement150 weist einen ersten Kontaktbereich151 und einen zweiten Kontaktbereich157 auf, die über Abschnitte152 ,153 ,154 ,156 miteinander verbunden sind. Der Abschnitt153 ist mit einem Steg46 verbunden, wobei der Steg46 mit einem Rahmen (nicht gezeigt) verbunden ist. Zwischen den Abschnitten153 und155 ist ein hochohmiger Teilabschnitt154 des Leiterabschnitts152 –156 aus einem Material angeordnet, das sich von dem Material der Teilabschnitte152 ,153 ,155 ,156 unterscheidet. Der Abschnitt154 ist an den Schnittflächen159 ,160 elektrisch leitend mit den Abschnitten153 ,155 verbunden. Der Kontaktbereich151 ,157 des Anschlusselementes kann150 ein Material umfassen, das sich von dem/denen des Leiterabschnitts152 bis156 unterscheidet. Der elektrische Widerstand der Leiterabschnitte137 bis141 des Anschlusselementes135 oder des Leiterabschnittes152 bis156 des Anschlusselementes150 kann derart bestimmt sein, dass der Wert eines Gate-Widerstandes, beispielsweise des Gates eines IGBT-Transistors, eingestellt ist.
Claims (52)
- Leistungshalbleitermodul mit einer Bodenplatte, mindestens einem auf einer Seite der Bodenplatte montierten Substrat, einem Gehäuse mit einem mit der Bodenplatte fest verbundenem Rahmen, und einem Anschlusselement mit mindestens zwei Kontaktbereichen und einem die mindestens zwei Kontaktbereiche miteinander verbindenden Leiterabschnitt, wobei der Leiterabschnitt mit dem Rahmen an einer dem Substrat zugewandten Seite des Rahmens derart verbunden ist, dass durch die Lage des Anschlusselementes relativ zu dem Rahmen und durch die Lage des Rahmens relativ zu der Bodenplatte das Anschlusselement in seiner Lage relativ zu dem Substrat festgelegt ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1, wobei das Substrat ein DCB(Direct Copper Bonding)-Substrat ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei auf dem Substrat mindestens ein Leistungshalbleiterbauelement angeordnet ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 3, wobei das Leistungshalbleiterbauelement ein IGBT (Insulated Gate Bibolar Transistor) ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei ein erster Kontaktbereich des Anschlusselementes mit einem Kontaktbereich des Substrates leitend verbunden ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Anschlusselement in den Rahmen eingespritzt ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Anschlusselement in den Rahmen eingesteckt ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 7, wobei der Rahmen mindestens eine Aufnahme aufweist, in die das Anschlusselement eingesteckt ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 8, wobei Aufnahmen an sämtlichen dem Substrat zugewandten Seiten des Rahmens angeordnet sind.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei mehrere Anschlusselemente mit komplett isolierten Leiterabschnitten einen Verbund aus mehreren Leiterebenen bilden.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Leiterabschnitt des Anschlusselementes offen oder umspritzt ausgeführt ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei ein zweiter Kontaktbereich des Anschlusselementes mit einem Kontaktbereich eines weiteren Substrates leitend verbunden ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Anschlusselement einen Dehnungsbogen zur Aufnahme thermomechanischer Spannungen aufweist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 13, wobei das Anschlusselement die Form einer Brücke oder die Form eines Bügels aufweist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Anschlusselement einen Steg aufweist, mit dem der Leiterabschnitt mit dem Rahmen verbunden ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 15, wobei der Steg und der Leiterabschnitt einstückig ausgebildet sind.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 15, wobei der Leiterabschnitt in den Steg eingesteckt oder eingespritzt ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei der Steg zwei zueinander rechtwinklig angeordnete Abschnitte aufweist, von denen einer innerhalb des Rahmens angeordnet ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 18, wobei der Steg eine Form mit einer Hinterschneidung aufweist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Anschlusselement mit zwei sich gegenüberliegenden Seiten des Rahmens verbunden ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 20, wobei mehrere Verdrahtungsebenen dadurch gebildet sind, dass die Anschlusselemente außerhalb des Rahmens voneinander isoliert miteinander verbunden sind.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 21, wobei die Leiterabschnitte der miteinander verbundenen Anschlusselemente jeweils umspritzt sind.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei ein zweiter Kontaktbereich des Anschlusselementes mit einem externen Kontaktbereich leitend verbunden ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 23, wobei ein Abschnitt des Leiterabschnitts aus dem Rahmen von der Seite der Bodenplatte wegführend herausgeführt ist, auf der das Substrat angeordnet ist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 24, wobei das Anschlusselement die Form eines "L" aufweist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Leiterabschnitt des Anschlusselementes einen bestimmten elektrischen Widerstand aufweist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 26, wobei ein Abschnitt des Leiterabschnittes eine Mäanderstruktur aufweist.
- Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 26, wobei ein hochohmiger Teilabschnitt des Leiterabschnittes aus einem Material besteht, das sich von dem Material der anderen Teilabschnitte des Leiterabschnitts unterscheidet.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Kontaktbereich des Anschlusselementes aus einem Material besteht, das sich von dem/denen des Leiterabschnittes unterscheidet.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Kontaktbereich des Anschlusselementes ein Lötkontakt oder Presskontakt ist.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Kontaktbereiche und der Leiterabschnitt des Anschlusselementes aus Kupfer bestehen.
- Leistungshalbleitermodul nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei sämtliche Kontaktverbindungen des Leistungshalbleitermoduls als Bondungen ausgeführt sind.
- Anordnung aus einem Anschlusselement und einem Rahmen zur Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls, wobei das Anschlusselement mindestens zwei Kontaktbereiche und einen die mindestens zwei Kontaktbereiche miteinander verbindenden Leiterabschnitt umfasst, einer der mindestens zwei Kontaktbereiche des Anschlusselementes mit einem Kontaktbereich eines Substrates leitend verbunden ist, wobei das Substrat auf einer Seite einer Bodenplatte des Leistungshalbleitermoduls montiert ist, der Rahmen mit der Bodenplatte fest verbunden ist, und der Leiterabschnitt mit dem Rahmen derart verbunden ist, dass durch die Lage des Anschlusselementes gegenüber dem Rahmen und durch die Lage des Rahmens gegenüber der Bodenplatte das Anschlusselement in seiner Lage gegenüber dem Substrat festgelegt ist.
- Anordnung nach Anspruch 33, wobei das Anschlusselement mittels einer stoffschlüssigen oder formschlüssigen Verbindung mit dem Rahmen verbunden ist.
- Anordnung nach Anspruch 33 oder 34, wobei der Leiterabschnitt des Anschlusselementes teilweise oder komplett elektrisch isoliert ist.
- Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls, wobei auf einer Seite einer Bodenplatte des Leistungshalbleitermoduls mindestens ein Substrat montiert wird, ein sich von der Seite der Bodenplatte mit dem Substrat wegerstreckender Rahmen mit der Bodenplatte fest verbunden wird, und ein Leiterabschnitt eines Anschlusselementes das die mindestens zwei Kontaktbereiche des Anschlusselementes miteinander verbindet, mit dem Rahmen an einer dem Substrat zugewandten Seite des Rahmens derart verbunden wird, dass durch die Positionierung des Anschlusselementes gegenüber dem Rahmen und durch die Positionierung des Rahmens ge genüber der Bodenplatte das Anschlusselement gegenüber dem Substrate positioniert wird.
- Verfahren nach Anspruch 36, bei dem nachfolgend ein Kontaktbereich des Anschlusselementes mit einem Kontaktbereich des Substrates leitend verbunden wird.
- Verfahren nach Anspruch 37, bei dem der Kontaktbereich des Anschlusselementes mit dem Kontaktbereich des Substrates mittels Ultraschallschweißen verbunden wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 36 bis 38, bei dem das Anschlusselement in den Rahmen eingespritzt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 36 bis 38, bei dem in den Rahmen eine Aufnahme eingefügt wird und das Anschlusselement in die Aufnahme des Rahmens eingesteckt wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 36 bis 40, bei dem die Anschlusselemente außerhalb des Rahmens voneinander isoliert miteinander verbunden werden und mehrere Verdrahtungsebenen gebildet werden.
- Verfahren nach Anspruch 41, bei dem Leiterabschnitte mehrerer Anschlusselemente jeweils komplett umspritzt werden.
- Verfahren nach Anspruch 41 oder 42, bei dem an die Leiterabschnitte der Anschlusselemente jeweils unterschiedliche Potenziale angelegt werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 41 bis 43, bei dem die Leiterabschnitte der Anschlusselemente sich kreuzend angeordnet werden.
- Verfahren nach einem Ansprüche 36 bis 44, bei dem das Anschlusselement mit sich gegenüberliegenden Seiten des Rahmens verbunden wird.
- Verfahren nach einem Ansprüche 36 bis 45, bei dem der elektrische Widerstand des Leiterabschnitts des Anschlusselementes derart bestimmt ist, dass der Wert eines Gate-Widerstandes eingestellt ist.
- Verfahren zur Kontaktierung eines Leistungshalbleitermoduls, wobei ein Anschlusselement mit mindestens zwei Kontaktbereichen und einen die mindestens zwei Kontaktbereiche miteinander verbindenden Leiterabschnitt gebildet wird, einer der mindestens zwei Kontaktbereiche des Anschlusselementes mit einem Kontaktbereich eines Substrates leitend verbunden wird, das Substrat auf einer Seite einer Bodenplatte des Leistungshalbleitermoduls montiert wird, der Rahmen mit der Bodenplatte fest verbunden wird, und der Leiterabschnitt mit dem Rahmen derart verbunden wird, dass durch die Positionierung des Anschlusselementes gegenüber dem Rahmen und durch die Positionierung des Rahmens gegenüber der Bodenplatte das Anschlusselement gegenüber dem Substrate positioniert wird.
- Verfahren nach Anspruch 47, bei dem der Kontaktbereich des Anschlusselementes mit dem Kontaktbereich des Substrates mittels Ultraschallschweißen verbunden wird.
- Verfahren nach Anspruch 47 oder 48, bei dem das Anschlusselement in den Rahmen eingespritzt wird.
- Verfahren nach Anspruch 47 oder 48, bei dem in den Rahmen eine Aufnahme eingefügt wird und das Anschlusselement in die Aufnahme des Rahmens eingesteckt wird.
- Verfahren nach einem Ansprüche 47 bis 50, bei dem die Anschlusselemente außerhalb des Rahmens voneinander isoliert miteinander verbunden werden und mehrere Verdrahtungsebenen gebildet werden.
- Verfahren nach Anspruch 51, bei dem an die Leiterabschnitte der Anschlusselemente jeweils unterschiedliche Potenziale angelegt werden.
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