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Stand der Technik
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Die
Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Strukturierung eines
Substratmaterials nach der Gattung des Hauptanspruchs. Aus der deutschen Patentschrift
DE 103 12 202 B4 ist
ein Verfahren zur Herstellung einer Ätzmaske auf einer
Mikrostruktur bekannt. Hierbei wird eine Mehrzahl von Hartmaskenschichten
mit unterschiedlichen Dicken und chemischen Eigenschaften auf eine
Oberfläche einer Mikrostruktur aufgebracht. Nachteilig
bei dem beschriebenen Verfahren ist jedoch, dass zur Strukturierung eines
Substrates eine Mehrzahl von Ätzschritten vorgenommen werden
muss, wenn Strukturen mit unterschiedlichen Strukturtiefen und Geometrien
hergestellt werden sollen. Hierdurch wird das Verfahren zur Strukturierung
eines Substratmaterials zeitintensiv und kompliziert.
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Offenbarung der Erfindung
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Das
erfindungsgemäße Verfahren zur Strukturierung
eines Substratmaterials mit einer Maskenstruktur durch einen Ätzschritt
gemäß dem Hauptanspruch und den Merkmalen der
nebengeordneten Ansprüche hat demgegenüber den
Vorteil, dass mittels eines einzigen Ätzschritts unterschiedliche
Strukturen im Substratmaterial hergestellt werden können. Hierzu
ist in einem ersten Substratbereich und in einem zweiten Substratbereich
eine Maskenstruktur aufgebracht, die bei einem einzigen Ätzschritt
in einem kürzeren ersten Zeitintervall im ersten Substratbereich
entfernt wird und in einem längeren zweiten Zeitintervall
im zweiten Substratbereich entfernt wird. Folglich wird eine Substratabtragung
im ersten Substratbereich erst nach dem ersten Zeitintervall, also nach
der Entfernung (während des Ätzschrittes) der Maskenstruktur
im ersten Substratbereich, möglich. Die Abtragung von Substratmaterial
im zweiten Substratbereich wird erst nach dem zweiten Zeitintervall ermöglicht,
also erst, wenn im zweiten Substratbereich die Maskenstruktur abgetragen
ist. Da das erste Zeitintervall kürzer ist als das zweite
Zeitintervall, wird jedoch mit der Abtragung des Substrates im ersten
Substratbereich zeitlich früher begonnen, als mit der Abtragung
des Substratmaterials im zweiten Substratbereich. Es wird somit
im ersten Substratbereich mehr Substratmaterial während
des einen Ätzschritts abgetragen, als im zweiten Substratbereich. Die
Verwendung von mehreren Ätzschritten zur Herstellung von
unterschiedlichen Strukturen in einem Substratmaterial ist vorteilhaft
nicht mehr notwendig durch die Verwendung des erfindungsgemäßen
Verfahrens. Durch das erfindungsgemäße Verfahren können
Zeitersparnisse erreicht werden, da nur ein einziger Ätzschritt
benötigt wird. Zeit für weitere Ätzschritte
und ein vorheriges Säubern des Substratmaterials, sowie
ein Aufbringen von neuen Masken, wird nicht benötigt. Zudem
können durch den kürzeren Prozess auch Kosten
gespart werden, da keine weiteren Ätzmittel benötigt
werden und zudem die Produktionsrate durch die verkürzte
Herstellungszeit erhöht wird.
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Unter
nur einem Ätzschritt soll verstanden werden, wenn im wesentlichen
nur ein Ätzvorgang an dem Substratmaterial vorgenommen
wird. Während des Ätzvorgangs können
dabei die Ätzparameter, wie beispielsweise die Temperatur
des Ätzmittels, geändert werden. Während
des Ätzvorgangs sollen jedoch keine Säuberungen
des Substratmaterials, beispielsweise von Maskenresten oder Ätzmitteln,
oder andere Zwischenschritte, wie beispielsweise das Aufbringen
einer neuen Maskenschicht, erfolgen.
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Bevorzugt
weist das Substratmaterial einen dritten Substratbereich auf. Im
dritten Substratbereich ist dabei besonders bevorzugt keine Maskenstruktur
aufgetragen, so dass bereits zu Beginn des Ätzschrittes
mit der Abtragung von Substratmaterial im dritten Substratbereich
begonnen wird. Durch die fehlende Maskenstruktur wird somit bereits
während des ersten und des zweiten Zeitintervalls mit der
Abtragung des Substratmaterials begonnen, da keine Maskenstruktur
auf dem dritten Substratbereich aufgebracht ist, die zunächst
durch den Ätzschritt abgetragen werden muss. Ein Schutz
des dritten Substratbereichs durch eine Maskenstruktur vor dem Ätzmedium,
wobei das Ätzmedium zu einem Abtrag des Substratmaterials
führt, liegt somit nicht vor. In vorteilhafter Weise können
so während eines Ätzschrittes auch Strukturen
geätzt werden, die besonders tief in den Substratbereich
hineingehen sollen. Beispielsweise können Sollbruchstellen
beziehungsweise Freistellungsstrukturen im Substratmaterial an den Stellen
des dritten Substratbereichs durch den Ätzschritt entstehen.
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Weiterhin
bevorzugt weist die Maskenstruktur im ersten Substratbereich mindestens
eine erste Maskenschicht und die Maskenstruktur im zweiten Substratbereich
mindestens eine erste und eine zweite Maskenschicht auf. Die erste
und die zweite Maskenschicht können dabei beispielsweise
aus dem gleichen Material bestehen, jedoch unterschiedliche Dicken
aufweisen. In diesem Fall entsteht im zweiten Substratbereich durch
die erste und die zweite Maskenschicht eine homogene Maskenschicht aus
dem selben Maskenmaterial mit einer Dicke, die größer
ist, als die Dicke der Maskenschicht im ersten Substratbereich,
die nur durch die erste Maskenschicht gegeben ist. Beispielsweise
kann die erste Maskenschicht eine Dicke von 1 μm und die
zweite Maskenschicht eine Dicke von 1,3 μm aufweisen. Folglich
beträgt die Dicke der Maskenstruktur im ersten Substratbereich
1 μm und im zweiten Substratbereich 2,3 μm. Die
erste und die zweite Maskenschicht können jedoch auch aus
dem gleichen Material bestehen und gleiche Dicken aufweisen. Weiterhin
können die erste und die zweite Maskenschicht auch aus unterschiedlichen
Materialien bestehen. Beispielsweise könnte die erste Maskenschicht
aus einem Oxid bestehen und die zweite Maskenschicht aus einem Lack.
Auch bei unterschiedlichen Materialien, aus denen die erste und
die zweite Maskenschicht bestehen, können die Maskenschichten
gleiche oder unterschiedliche Dicken aufweisen. Bei verschiedenen
Materialien der Maskenschichten können sich unterschiedliche
Abtragungsraten der beiden Maskenschichten durch das Ätzmittel
ergeben. Denkbar ist jedoch auch, dass die Maskenstruktur in einem der
Substratbereiche eine oder eine Mehrzahl von Maskenschichten aufweist,
welche die Maskenstruktur in dem anderen Substratbereich nicht aufweist. Vorteilhaft
kann durch die eben beschriebene Variabilität der Maskenschichten
die Abtragung des unter der Maskenstruktur befindlichen Substratmaterials durch
das Ätzmittel im ersten und im zweiten Substratbereich
durch die Wahl des Maskenmaterials und der Maskenschichtdicken beeinflusst
werden. Wird beispielsweise eine erste Maskenschicht mit einer hohen
Abtragungsrate und einer geringen Dicke gewählt und als
zweite Maskenschicht ein Material mit einer geringen Abtragungsrate
und einer großen Dicke, so wird im ersten Substratbereich
bei dem Ätzschritt nach einem vergleichsweise kürzeren
ersten Zeitintervall wesentlich mehr Substratmaterial durch das Ätzmittel
abgetragen, als im zweiten Substratbereich nach einem vergleichsweise
längeren zweiten Zeitintervall. Die Herstellung von unterschiedlichen Strukturen
mit unterschiedlichen Tiefen und Geometrien im Substratmaterial
durch die Abtragung von Substratmaterial ist somit vorteilhaft möglich.
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Besonders
bevorzugt werden bei dem Ätzschritt durch die Entfernung
von Substratmaterial aus dem ersten Substratbereich andere Strukturen
hergestellt, als durch die Entfernung von Substratmaterial aus dem
zweiten Substratbereich.
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Bevorzugt
umfassen die hergestellten Strukturen durch den Ätzschritt
Sollbruchstellen und/oder Sägegräben und/oder
Trenchgräben und/oder Trenchlöcher mit unterschiedlichen
Tiefen und Geometrien. Denkbar sind jedoch auch andere Strukturen,
wie beispielsweise spezielle Löcher oder Strukturen zur Realisierung
von Sensoren. Durch den variablen Aufbau der Maskenstruktur, mit
unterschiedlichen Dicken und Materialien für die Maskenschichten,
ist die Herstellung einer Vielzahl von Strukturen in nur einem Ätzschritt
möglich. Beispielsweise können eine Mehrzahl von
Trenchlöchern, mit unterschiedlichen Tiefen, durch nur
einen Ätzschritt hergestellt werden. Die Anzahl der verschiedenen
Strukturen mit unterschiedlichen Tiefen und Geometrien ist dabei
abhängig von der Anzahl der verschiedenen Maskenschichten
(mit variablen Dicken und Materialeigenschaften) und den verschiedenen
Substratbereichen über denen sich die Maskenstruktur befindet.
Je größer die Anzahl von verschiedenen Substratbereichen ist, über
denen sich eine Maskenstruktur mit jeweils einem anderen Aufbau
der Maskenschicht befindet, um so größer ist die
Anzahl von unterschiedlichen Strukturen, die durch nur einen Ätzschritt
hergestellt werden können.
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Weiterhin
bevorzugt handelt es sich bei dem Ätzschritt um einen Plasmaätzschritt.
Bei der Verwendung eines Plasmaätzschrittes werden bevorzugt Ätzgasen
verwendet, wodurch auf eine nasschemische Ätzung verzichtet
werden kann. Hierdurch wird das Verfahren zur Strukturierung vereinfacht.
Besonders bevorzugt wird als Ätzverfahren ein Ätzverfahren
nach dem sogenannten Bosch-Prozess verwendet.
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Besonders
bevorzugt wird als Substratmaterial ein Halbleitermaterial, bevorzugt
ein Siliziummaterial, verwendet. In vorteilhafter Weise können
so durch das erfindungsgemäße Verfahren Wafer
für die Halbleiterverarbeitung hergestellt werden.
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Ein
weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung betrifft ein mikromechanisches
Bauelement, welches nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren hergestellt wird. Das mikromechanische Bauelement weist
beispielsweise Sensorfunktionen auf.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden
Beschreibung näher erläutert.
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1A bis 1D zeigen
schematisch die Strukturierung eines Substratmaterials in einem Ätzschritt.
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2A und 2B zeigen
schematisch das Substratmaterial mit einer ersten Maskenschicht
und einer zweiten Maskenschicht.
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3A und 3B zeigen
schematisch das Substratmaterial mit einem Trägermaterial
und einer ersten Maskenschicht und einer zweiten Maskenschicht.
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Ausführungsform(en) der Erfindung
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In 1A ist
schematisch ein Substratmaterial 1 mit einem ersten Substratbereich 8,
einem zweiten Substratbereich 9 und einem dritten Substratbereich 10 dargestellt. Über
dem ersten Substratbereich 8 und dem zweiten Substratbereich 9 befindet
sich eine Maskenstruktur 2. Die Maskenstruktur 2 umfasst
im Ausführungsbeispiel im ersten Substratbereich 8 lediglich
die Maskenschicht B, die Maskenstruktur 2 im zweiten Substratbereich 9 umfasst
im Ausführungsbeispiel die Maskenschicht A und B. Die Maskenschicht
A kann auch als erste Maskenschicht A und die Maskenschicht B auch
als zweite Maskenschicht B bezeichnet werden. Über dem
dritten Substratbereich 10 liegt im Ausführungsbeispiel
keine Maskenstruktur 2. Bei einem Ätzvorgang,
der mit den Pfeilen C dargestellt ist, wird zunächst im
ersten und im zweiten Substratbereich 8, 9 die
Maskenstruktur 2 durch das Ätzmittel abgetragen.
Im dritten Substratbereich 10 trägt das Ätzmittel
hingegen direkt das Substratmaterial 1 im Bereich des dritten
Substratbereichs 10 ab.
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In
der 1B ist schematisch das Substratmaterial 1 mit
der Maskenstruktur 2 nach dem ersten Zeitintervall dargestellt.
Die Maskenschicht A wurde im zweiten Substratbereich 9 durch
das Ätzmittel um den Bereich A' abgetragen. Die Maskenschicht
B und das Substratmaterial 1 im zweiten Substratbereich 9 sind
durch die Maskenschicht A geschützt gewesen und wurden
daher nicht abgetragen. Im ersten Substratbereich 8 wurde
die Maskenschicht B durch das Ätzmittel im wesentlichen
vollständig abgetragen. Die vorherige Höhe der
Maskenschicht B ist in der 1B durch
gestrichelte Linien und das Bezugszeichen B' dargestellt. Auch das
Substratmaterial 1 im ersten Substratbereich 8 wurde
durch das Ätzmittel im ersten Zeitintervall nicht abgetragen,
da es durch die Maskenschicht B geschützt war. Eine Abtragung von
Substratmaterial 1 im ersten Substratbereich 8 erfolgt
folglich erst im Anschluss an das erste Zeitintervall. Da der dritte
Substratbereich 10 nicht durch eine Maskenschicht A und/oder
B geschützt war, wurde im dritten Substratbereich 10 Substratmaterial 1 im
ersten Zeitintervall abgetragen. Im dritten Substratbereich 10 ist
folglich durch das Ätzmittel im ersten Zeitintervall eine
Aussparung entstanden.
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Die 1C zeigt
schematisch die Strukturierung des Substrates 1 nach dem
zweiten Zeitintervall. Hierbei ist im zweiten Substratbereich 9 sowohl die
Maskenschicht A wie auch die Maskenschicht B durch das Ätzmittel
vollständig abgetragen worden. Die vor dem Ätzvorgang
vorhandene Maskenschicht A ist mit dem Bezugszeichen A'' in gestrichelten
Linien dargestellt. Die vor dem Ätzvorgang vorhandene Maskenschicht
B ist ebenfalls mit gestrichelten Linien im zweiten Substratbereich 9 dargestellt
und trägt das Bezugszeichen B''. Das Substratmaterial 1 im zweiten
Substratbereich 9 ist durch das Ätzmittel bis zur
Beendigung des zweiten Zeitintervalls noch nicht abgetragen worden,
da es durch die Maskenschichten A und B geschützt war.
Im dritten Substratbereich 10 ist durch das Ätzmittel
während des gesamten zweiten Zeitintervalls Substratmaterial 1 abgetragen worden.
Die Aussparung im dritten Substratbereich ist hierdurch tiefer als
noch nach dem ersten Zeitintervall. Die Breite der Aussparung im
dritten Substratbereich 10 ist dabei nicht nur von der Ätzzeit
beziehungsweise der Angriffszeit des Ätzmittels abhängig, sondern
auch von der Breite des dritten Substratbereichs 10. Im
ersten Substratbereich 8 wurde während des das
erste Zeitintervall übersteigenden Teils des zweiten Zeitintervalls
Substratmaterial 1 abgetragen. Auch hier ist eine Aussparung
entstanden, die eine Breite aufweist, die im wesentlichen der Breite des
ersten Substratbereichs 8 entspricht. Da das Substratmaterial 1 unterhalb
des ersten Substratbereichs 8 während des ersten
Zeitintervalls vor dem Ätzmittel geschützt war,
weist jedoch die Aussparung eine geringere Tiefe auf, als die Aussparung
im dritten Substratbereich 10.
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In
der 1D ist das Substratmaterial 1 nach dem
Ende des Ätzschrittes dargestellt. Sowohl der erste Substratbereich 8,
als auch der zweite Substratbereich 9 und der dritte Substratbereich 10 weisen
nach dem Ende des Ätzschritts Aussparungen auf. Da das
Substratmaterial 1 im zweiten Substratbereich 9 am
längsten während des einzigen Ätzschrittes
durch die Maskenschichten A, B vor dem Ätzmittel geschützt
war, weist der zweite Substratbereich 9 die Aussparung
mit geringster Tiefe auf. Das Substratmaterial 1 im ersten
Substratbereich 8 war im ersten Zeitintervall während
des Ätzschrittes durch die Maskenschicht B vor dem Ätzmittel
geschützt. In dem das erste Zeitintervall übersteigenden
Teil des Ätzschrittes wurde jedoch Substratmaterial 1 aus
dem ersten Substratbereich 8 abgetragen. Die hierdurch
entstandene Aussparung ist folglich tiefer, als die Aussparung im
zweiten Substratbereich 9. Die tiefste Aussparung liegt
im dritten Substratbereich 10 vor, da sowohl im ersten
Zeitintervall als auch im zweiten Zeitintervall und nach dem zweiten Zeitintervall
Substratmaterial 1 im dritten Substratbereich 10 durch
das Ätzmittel abgetragen wurde.
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Zusammenfassend
ist durch einen einzigen Ätzschritt im Ausführungsbeispiel
eine Strukturierung des Substrates mit drei unterschiedlichen Strukturen entstanden,
wobei sich die Strukturen sowohl hinsichtlich der Tiefe, als auch
hinsichtlich der Breite voneinander unterscheiden. Der Ätzschritt
unterteilt sich dabei in ein erstes Zeitintervall, ein gleichzeitig mit
dem ersten Zeitintervall beginnendes zweites Zeitintervall und ein
Zeitintervall nach dem zweiten Zeitintervall.
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In
der
2A ist schematisch das Substratmaterial
1 mit
einer Maskenstruktur dargestellt. Die Maskenstruktur umfasst dabei
im Ausführungsbeispiel entweder nur die Maskenschicht B
oder sowohl die Maskenschicht A als auch die Maskenschicht B oder
nur die Maskenschicht A. Selbstverständlich ist auch die
Verwendung von mehr als nur zwei Maskenschichten A, B zur Bildung
der Maskenstruktur möglich. Die Maskenschichten A, B können
sich dabei sowohl in ihren Dicken als auch in ihren Materialeigenschaften
voneinander unterscheiden. Als Substratmaterial
1 kann
beispielsweise Silizium verwendet werden, wobei das Silizium eine Ätzrate
von 8 μm pro Minute, bezogen auf ein verwendetes Ätzmittel,
aufweisen kann. Die Maskenschicht B kann beispielsweise ein Oxid
sein, mit einer Ätzrate von 35 nm pro Minute. Die Maskenschicht
A kann beispielsweise eine Lackmaske mit einer Ätzrate
von 60 nm pro Minute sein. Sollen beispielsweise Strukturen mit
einer Tiefe von 250 μm in einem dritten Substratbereich und
Strukturen mit einer Tiefe von 100 μm in einem ersten Substratbereich
durch den Ätzschritt hergestellt werden, so kann dies erfindungsgemäß in
einem Ätzschritt erfolgen. Die Ätzung der Strukturen
im Substratmaterial
1 mit einer Tiefe von 100 μm
im ersten Substratbereich darf dabei erst beginnen, wenn die Strukturen
im dritten Substratbereich bereits eine Tiefe von 150 μm
erreicht haben – vorausgesetzt der erste und der dritte
Substratbereich weisen im wesentlichen eine gleiche Breite auf,
so dass von gleichen Ätzraten im ersten und im dritten Substratbereich
bezogen auf das Silizium ausgegangen werden kann. Die Herstellung
von unterschiedlichen Strukturen während eines Ätzvorgangs
muss folglich über die Wahl des Maskenmaterials und/oder
der Maskendicken der Maskenschichten A und/oder B erfolgen. Die Ätzung
der Strukturen mit einer Tiefe von 100 μm im ersten Substratbereich
darf also während des Ätzvorgangs erst nach:
einsetzen. Folglich muss
demnach die Maskenschicht A 19 Minuten wirksam bleiben, um so den
Abbau des Substratmaterials
1 im ersten Substratbereich
während des Ätzschrittes zu verhindern. Die Dicke
der Maskenschicht A berechnet sich wie folgt:
60 nm / min × 19
min = 1140 nm = 1,14 μm
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In
der 2B ist das Substratmaterial 1 nach dem Ätzschritt
dargestellt. In einem weiteren dritten Substratbereich, der eine
größere Breite als der dritte Substratbereich
aufweist, sind die tiefsten Aussparungen durch einen Materialabtrag
entstanden. Im Bereich des ersten Substratbereichs sind durch den Ätzschritt
Freistellungsstrukturen 5 entstanden. Mittels der Freistellungsstrukturen 5 ist
es möglich, das Substratmaterial 1 beispielsweise
durch Sägen zu trennen. Nicht dargestellt ist, dass die
Maskenschicht A und/oder die Maskenschicht B so aufgebaut sein können,
dass nach dem Ätzschritt noch eine Maskenschicht A und/oder
B auf dem Substratmaterial 1 vorhanden ist. In diesem Fall
ist es möglich, dass die Maskenschicht B während
des Ätzschrittes nicht vollständig durch das Ätzmittel
abgetragen worden ist. Die verbleibende Maskenschicht B kann dann
in einem weiteren Verarbeitungsverfahren entfernt werden. Hierbei
weist dann das Substratmaterial 1 die gleiche Höhe
im ersten und im zweiten Substratbereich nach dem Ätzschritt
auf.
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In
der 3A ist schematisch das Substratmaterial 1 mit
einer Maskenstruktur 2 dargestellt. In dieser Figur umfasst
die Maskenstruktur 2 entweder nur die Maskenschicht A oder
sowohl die Maskenschicht A als auch die Maskenschicht B.
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Unterhalb
des Substratmaterials
1 befindet sich, im Unterschied zur
2A und
2B,
ein Trägermaterial
4. Beispielsweise kann als
Substratmaterial
1 Silizium mit einer Dicke von 375 μm
und einer Ätzrate von 8 μm pro Minute, bezogen
auf ein verwendetes Ätzmittel, verwendet werden. Die Maskenschicht
B kann beispielsweise eine Oxidmaske mit einer Ätzrate
von 35 nm pro Minute oder eine Lackmaske mit einer Ätzrate
von 60 nm pro Minute sein. Die Maskenschicht A kann beispielsweise
eine Lackmaske mit einer Ätzrate von 60 nm pro Minute sein. Im
Ausführungsbeispiel sollen in einem dritten Substratbereich
Freistellungsstrukturen
5 mit einer Tiefe von 375 μm
(d. h. vollständig durch das Substratmaterial
1 hindurch)
durch den Ätzschritt gebildet werden. In einem ersten Substratbereich
sollen hingegen nur Strukturen mit einer Tiefe von 180 μm
hergestellt werden. Sollen beide Strukturen während eines Ätzschrittes
hergestellt werden, so muss die Ätzung der Freistellungsstruktur
5 im
dritten Substratbereich zeitlich früher beginnen, als die Ätzung
der Strukturen im ersten Substratbereich. Generell ist es so, dass
die Ätzgeschwindigkeit in die Tiefe auch von der Breite
des geätzten Bereichs abhängig ist. Beispielsweise
sind die Strukturen im dritten Substratbereich breiter als die Strukturen
im ersten Substratbereich, so dass eine Ätzgeschwindigkeit
von beispielsweise etwa 8 μm pro Minute im dritten Substratbereich
und von beispielsweise etwa 6 μm pro Minute im ersten Substratbereich
resultiert. Somit ist die Struktur im ersten Substratbereich ohne
Maskenschicht A nach folgender Zeit geätzt:
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In
dieser Zeit wird die Freistellungsstruktur
5 im dritten
Substratbereich ebenfalls geätzt und weist nach 30 Minuten
eine Tiefe von:
30 min × 8 μm / min = 240 μm
auf.
Somit müssten noch 135 μm bis zur erforderlichen
Tiefe von 375 nm für die Freistellungsstruktur
5 geätzt
werden. Die dafür benötigte Zeit beträgt:
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Folglich
muss die Maskenschicht A im ersten Substratbereich 17 Minuten standhalten,
bevor das darunter liegende Material von dem Ätzmittel
angegriffen und abgetragen wird. Somit errechnet sich die Maskenschichtdicke
A wie folgt:
17 min × 60 nm / min ≈ 1000 nm
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Die 3B stellt
schematisch das Substratmaterial 1 mit dem Trägermaterial 4 nach
dem Ätzschritt dar. In dieser Figur enden die Freistellungsstrukturen 5 erst
auf dem Trägermaterial 4, das Substratmaterial 1 ist
vollständig weggeätzt. In diesem Bereich 5 ist
folglich kein Substratmaterial 1 mehr vorhanden. Im Bereich 7 sind
durch den Ätzschritt von einander getrennte Sensoren entstanden,
wobei die (geätzten beziehungsweise strukturierten) Bereiche 6 als
Sensorstruktur bezeichnet werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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