DE102007015731A1 - Halbleitervorrichtung mit Wärmeabstrahlteil und Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit Wärmeabstrahlteil und Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

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Abstract

Ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung, die einen Halbleiterchip (21, 22), erste und zweite Wärmeabstrahlteile (11, 12) und einen Verbindungsanschluss (50, 61, 62) aufweist, umfasst: Bereitstellen eines Leiterrahmens (70) mit ersten und zweiten aufgehängten Anschlüssen (71, 76, 77a-77f) und dem Verbindungsanschluss; Biegen der aufgehängten Anschlüsse; Anordnen des Chips auf dem ersten Bauteil, Druckkontaktieren des ersten Anschlusses mit dem ersten Bauteil und Verbinden des Chips mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Bauteil; und Bereitstellen einer Zusammenbauschablone (100) mit einer Basis (110) und einer Abdeckung (130), Anordnen des ersten Bauteils an der Basis, Anordnen des zweiten Bauteils am zweiten Anschluss, Drücken des zweiten Bauteils mit der Abdeckung in Richtung der Basis, um Wärmeabstrahlflächen parallel zu machen und Verbinden des Chips und des zweiten Bauteils. Eine Distanz zwischen den ersten beiden Bauteilen und dem zweiten Anschluss ist größer als die Distanz von dem ersten Bauteil und dem Chip.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem Wärmeabstrahlteil und einem Halbleiterchip und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
  • Eine Halbleitervorrichtung mit einem Paar von Wärmeabstrahlteilen und einem Halbleiterchip sind beispielsweise in der JP-PS 3525832 beschrieben. Die Wärmeabstrahlteile sind thermisch und elektrisch mit dem Halbleiterchip in Verbindung. Jedes Wärmeabstrahlteil enthält eine Wärmeabstrahloberfläche. Insbesondere sind zwei Halbleiterchips auf einer gemeinsamen Ebene angeordnet und die Wärmeabstrahlteile sind zwischen die beiden Halbleiterchips gesetzt. Jeder Chip enthält eine Hauptelektrode, die thermisch und elektrisch mit einem Bondierungsteil, beispielsweise einem Lotteil mit den Wärmeabstrahlteilen verbunden ist. Ein Kunstharzverguss deckt die Vorrichtung derart ab, dass die Wärmeabstrahlfläche eines jeden Wärmeabstrahlteils von dem Verguss vorsteht. Jeder Halbleiterchip wird mit einem Signal gesteuert, das über einen Steueranschluss von einem externen Schaltkreis eingegeben wird.
  • Bei der obigen Vorrichtung sind die Wärmeabstrahlteile und der Steueranschluss integriert. Die Dicke eines jeden Wärmeabstrahlteils unterscheidet sich jedoch von der Dicke des Steueranschlusses. Folglich wird die Vorrichtung aus einem verformten Bauteil gebildet. Das verformte Bauteil wird derart erhalten, dass ein gerolltes Bauteil plastisch verformt wird und/oder die Oberfläche einer Metallplatte wird ausgeschnitten. Alternativ werden die Wärmeabstrahlteile und der Steueranschluss unabhängig voneinander bereitgestellt und dann werden sie vercrimpt.
  • Da bei der obigen Vorrichtung die Wärmeabstrahlteile und der Steueranschluss integriert sind, treten die folgenden Probleme auf:
    Zunächst ist es notwendig, die Wärmeabstrahlteile und den Steueranschluss zu integrieren. Wenn folglich das verformte Bauteil bereitgestellt wird, wird das gerollte Metallbauteil plastisch verformt. Eine von der plastischen Verformung verursachte Bearbeitungsbelastung baut sich in dem verformten Teil auf. Somit kann sich das Wärmeabstrahlteil verwerfen und Abweichungen von der Ebenheit der Wärmeabstrahloberfläche des Wärmeabstrahlteils werden groß. Da weiterhin die Wärmeabstrahlteile den Halbleiterchip zwischen sich einschließen, wird es schwierig, eine Parallelität zwischen den Wärmeabstrahloberflächen der Wärmeabstrahlteile aufrechtzuerhalten.
  • Die Abweichung von der Flachheit der Wärmeabstrahloberfläche und der Parallelität zwischen den Wärmeabstrahloberflächen beeinflusst die Wärmeabstrahlleistung des Wärmeabstrahlteils. Folglich ist es notwendig, die Abweichung von der Flachheit und die Parallelität mit einer Genauigkeit kleiner als 100 μm oder 50 μm zu steuern. Wenn jedoch das verformte Bauteil im Zuge seiner Herstellung verformt wird, wächst die Abweichung von der Flachheit an und die Parallelität nimmt ab. Damit wird auch die Wärmeabstrahlleistung verringert.
  • Wenn die Wärmeabstrahlteile und der Steueranschluss vercrimpt werden, ist es notwendig, für diesen Crimpvorgang das Wärmeabstrahlteil metallisch zu bearbeiten. Diese metallische Bearbeitung kann ebenfalls eine Abweichung von der Flachheit und der Parallelität des Wärmeabstrahlteils erzeugen. Somit nimmt auch dadurch die Wärmeabstrahlleistung ab.
  • Weiterhin ist es schwierig, die Materialien für das Wärmeabstrahlteil und den Steueranschluss auszuwählen. Insbesondere ist es für das Material des Wärmeabstrahlteils notwendig, eine ausreichende elektrische Leitfähigkeit und Wärmeleitfähigkeit zu haben. Für das Material des Steueranschlusses ist es notwendig, dass hohe mechanische Festigkeit, Biegefähigkeit und/oder Positioniergenauigkeit eines äußeren Leiters vorhanden sind. Durch Bearbeitung des gerollten Bauteiles und/oder der metallischen Platte werden jedoch das Wärmeabstrahlteil und der Steueranschluss zusammengefügt, sodass letztendlich ein verformtes Bauteil hergestellt wird. Folglich ist es schwierig, die obigen Anforderungen zu erfüllen. Wenn beispielsweise das Wärmeabstrahlteil aus reinem Kupfer, etwa gemäß dem japanische Industriestandard C1020 mit einem Erweichungspunkt von 200°C gemacht wird, wird die HV-Härte des Steueranschlusses unzureichend. Damit nimmt die Formstabilität des Steueranschlusses und die Bearbeitbarkeit durch Pressen des Steueranschlusses ab. Es kann hier angedacht werden, unterschiedliche Materialien bereitzustellen, die dann vercrimpt werden. Dieses Verfahren kann jedoch die Metallbearbeitung beeinflussen.
  • Weiterhin, wenn die Halbleitervorrichtung hergestellt wird, wird ein Paar von Wärmeabstrahlteilen mittels des Halbleiterchips verlötet. In diesem Fall kann die Benetzbarkeit durch das Lot und die Massenschwerpunktlage von angeordneten Elementen bewirken, dass die Dicke der Halbleitervorrichtung und die Parallelität des Wärmeabstrahlteils schwanken. Es ist jedoch wichtig, eine Maßgenauigkeit beizubehalten. Somit ist es notwendig, die Ausrichtung des Paars von Wärmeabstrahlteilen so zu halten, dass sich bestimmte Abmessungen ergeben, d.h. dass ein bestimmter Abstand zwischen den Wärmeabstrahlteilen vorliegt. Angesichts hiervon ist bei der JP-PS 3620399 der Halbleiterchip zwischen den Wärmeabstrahlteilen eingeschlossen, wobei die Parallelität der Wärmeabstrahloberflächen des Paares von Wärmeabstrahlteilen beibehalten wird. In diesem Fall ist es jedoch notwendig, dass die Wärmeabstrahlteile eine komplizierte Form haben, sodass die Parallelität aufrechterhalten werden kann. Wenn jedoch die Form der Wärmeabstrahlteile kompliziert wird, kann die Bearbeitung das Wärmeabstrahlteil und das Steuerbauteil beeinflussen, sodass sich wiederum die Formgenauigkeit verringert.
  • Es ist somit notwendig, die Parallelität beizubehalten und Abweichungen von der Flachheit in dem Paar von Wärmeabstrahlteilen zu verringern.
  • Angesichts des obigen Problems ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung mit einem Wärmeabstrahlteil und einem Halbleiterchip zu schaffen, wo sich die genannten Probleme nicht ergeben bzw. wo diese genannten Probleme zumindest teilweise beseitigt sind. Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem eine Halbleitervorrichtung mit einem Wärmeabstrahlteil und einem Halbleiterchip herstellbar ist.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung geschaffen, die einen Halbleiterchip, erste und zweite Wärmeabstrahlteile und einen Verbindungsanschluss hat, wobei die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile den Halbleiterchip derart zwischen sich einschließen können, dass die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile in den Halbleiterchips erzeugte Wärme abstrahlen und wobei der Verbindungsanschluss den Halbleiterchip und die ersten und zweiten Wärmeabschaltteile miteinander und mit einem externen Schaltkreis elektrisch verbindet, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines plattenförmigen Leiterrahmens mit ersten und zweiten aufgehängten Anschlüssen und dem Verbindungsanschluss; Biegen des ersten aufgehängten Anschlusses zu einer ersten Seite des Leiterrahmens hin und Biegen des zweiten aufgehängten Anschlusses zu einer zweiten Seite des Leiterrahmens hin, so dass eine Distanz zwischen den ersten und zweiten aufgehängten Anschlüssen in einer Richtung senkrecht zum Leiterrahmen auf eine bestimmte Distanz festgelegt wird; Bereitstellen des ersten Wärmeabstrahlteils, so dass dieses zur ersten Seite des Leiterrahmens weist und Bereitstellen des zweiten Wärmeabstrahlteils, so dass dieses zur zweiten Seite des Leiterrahmens weist, wobei jedes der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile unabhängig von dem Leiterrahmen bereitgestellt wird; Anordnen des Halbleiterchips an dem ersten Wärmeabstrahlteil, um eine erste Seite des Halbleiterchips und eine Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils zu kontaktieren; Druckkontaktieren des ersten aufgehängten Anschlusses mit dem ersten Wärmeabstrahlteil und Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil; und Bereitstellen einer Zusammenbauschablone mit einer Basis und einer Abdeckung, Anordnen des ersten Wärmeabstrahlteils an der Basis nach dem Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil, Anordnen des zweiten Wärmeabstrahlteils an dem zweiten aufgehängten Anschluss, um eine Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils und eine Befestigungsfläche des zweiten aufgehängten Anschlusses in Kontakt zu bringen, Drücken des zweiten Wärmeabstrahlteils mit der Abdeckung in Richtung der Basis derart, das eine Wärmeabstrahlfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils parallel zu einer Wärmeabstrahlfläche des ersten Wärmeabstrahlteils ist, und Verbinden einer zweiten Seite des Halbleiterchips und der Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils in einem Zustand, wo der zweite aufgehängte Anschluss in Druckkontakt mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil durch eine Rückstellkraft einer Federfunktion des zweiten aufgehängten Anschlusses ist, wobei eine Distanz zwischen der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils und der Befestigungsfläche des zweiten aufgehängten Anschlusses größer als eine Distanz zwischen der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils und der zweiten Seite des Halbleiterchips nach dem Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil ist.
  • Bei dem obigen Verfahren ist es nicht notwendig, die Wärmeabstrahlteile bereitzustellen, die plastisch verformt werden. Somit verwerfen sich die Wärmeabstrahlteile nicht, sodass Abweichungen von der Flachheit der Wärmeabstrahlteile verringert werden. Weiterhin wird durch Verwendung der Rückstellkraft der aufgehängten Anschlüsse die Parallelität der Wärmeabstrahlteile verbessert, sodass die Abmessungsgenauigkeit der Wärmeabstrahloberflächen der Wärmeabstrahlteile verbessert wird.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Halbleitervorrichtung auf: einen Halbleiterchip; erste und zweite Wärmeabstrahlteile zum Einschließen des Halbleiterchips zwischen sich und zum Abstrahlen von Wärme, die vom Halbleiterchip erzeugt wird, wobei die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile elektrisch mit dem Halbleiterchip verbunden sind; einen Verbindungsanschluss, der mit jedem Wärmeabstrahlteil verbunden ist und elektrisch mit einem externen Schaltkreis verbunden ist, wobei der Verbindungsanschluss zu den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen einen unterschiedlichen Gegenstand darstellt; und einen Harzverguss zum Versiegeln der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile und des Verbindungsanschlusses.
  • Da bei der obigen Vorrichtung der Verbindungsanschluss gegenüber den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen ein unterschiedlicher Gegenstand oder ein unterschiedliches Bauteil ist, können die Wärmeabstrahlteile vorbereitet oder bereitgestellt werden, ohne dass ein plastisches Verformungsverfahren durchgeführt werden muss. Somit wird die Abmessungsgenauigkeit und die Abweichung von der Flachheit der Wärmeabstrahlteile verbessert. Damit wird die Abmessungsgenauigkeit und Positionsgenauigkeit eines jeden Bauteils in der Vorrichtung ebenfalls verbessert.
  • Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich besser aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsformen anhand der Zeichnung.
  • Es zeigt:
  • 1A eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform, 1B eine "Transparentansicht" der Vorrichtung aus Richtung des Pfeils IB in 1A und 1C eine Schnittansicht durch die Vorrichtung entlang Linie IC-IC in 1A;
  • 2A eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens der Vorrichtung von 1A, 2B eine Seitenansicht auf die Vorrichtung aus Richtung IIB in 2A und 2C–2G jeweils Schnittansichten durch die Vorrichtung entlang der Linien IIC-IIC, IID-IID, IIE-IIE, IIF-IIF und IIG-IIG in 2A;
  • 3A eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens für die Vorrichtung und 3B eine Seitenansicht auf die Vorrichtung aus Richtung IIIB in 3A;
  • 4A eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens für die Vorrichtung und 3B eine Schnittdarstellung entlang Linie IVB-IVB in 4A;
  • 5A eine Draufsicht zur Erläuterung des Herstellungsverfahrens für die Vorrichtung, 5B eine "Transparentansicht" der Vorrichtung aus Richtung VB in 5A und 5C eine Seitenansicht der Vorrichtung aus Richtung VB in 5A;
  • 6A eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens für die Vorrichtung und 6B eine "Transparentansicht" der Vorrichtung aus Richtung VIB in 6A;
  • 7A eine Draufsicht zur Erläuterung des Herstellungsverfahrens für die Vorrichtung, 7B eine Seitenansicht auf die Vorrichtung aus Richtung VIIB in 7A und 7C eine Querschnittsdarstellung durch die Vorrichtung entlang Linie VIIC-VIIC in 7A;
  • 8A eine Draufsicht und 8B eine vergrößerte perspektivische Teilansicht eines Teils VIIIB in der Vorrichtung von 8A;
  • 9 eine vergrößerte perspektivische Teilansicht zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform;
  • 10A eine Draufsicht zur Erläuterung eines Herstellungsverfahrens für eine Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform und 10B eine Seitenansicht aus Richtung XB in 10A;
  • 11 eine Schnittdarstellung durch eine Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform; und
  • 12 eine Schnittdarstellung durch eine Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Eine Halbleitervorrichtung S1 gemäß einer ersten Ausführungsform ist in den 1A bis 1C gezeigt. Die Vorrichtung S1 ist beispielsweise zur Steuerung eines Inverters in einem Hybridfahrzeug geeignet.
  • In der Vorrichtung S1 ist ein erster Halbleiterchip 21 auf einem ersten Wärmeabstrahlteil 11 angeordnet und ein zweites Wärmeabstrahlteil 12 ist unter Zwischen schaltung eines ersten Wärmeabstrahlblocks 31 auf dem ersten Halbleiterchip 21 angeordnet. Eine Gateelektrode des ersten Halbleiterchips 21 ist über eine Gateverdrahtung oder einen Gatedraht 40 mit einem Steuersignalanschluss 50 verbunden. Das erste Abstrahlteil 11 ist mit einem ersten Hauptanschluss 61 verbunden und das zweite Abstrahlteil 12 ist mit einem zweiten Hauptanschluss 62 verbunden.
  • Ein zweiter Halbleiterchip 22 ist auf dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 so angeordnet, dass der erste Halbleiterchip 21 und der zweite Halbleiterchip 22 parallel zueinander liegen. Das zweite Wärmeabstrahlteil 12 liegt unter Zwischenschaltung eines zweiten Wärmeabstrahlblocks 32 auf dem zweiten Halbleiterchip 22. Die beiden Seiten eines jeden Chips 21 und 22 weisen Elektroden auf.
  • Der erste Halbleiterchip 21 enthält beispielsweise eine FWD (Freilaufdiode) oder dergleichen. Der zweite Halbleiterchip 22 weist beispielsweise ein Leistungshalbleiterelement auf, beispielsweise einen IGBT (bipolarer Transistor mit isoliertem Gate), sowie einen Thyristor.
  • Der Steuersignalanschluss 50 und die ersten und zweiten Hauptanschlüsse 61 und 62 sind Leitungen zur Eingabe eines Signals von einem externen Schaltkreis an die Chips 21 und 22. Der Steuersignalanschluss 50 und die ersten und zweiten Hauptanschlusse 61 und 62 sind aus einem Leiterrahmen 70 aus einer hitzebeständigen Kupferlegierung oder Kupfer oder Aluminium oder einer Legierung hieraus. Der Leiterrahmen 70 ist plattenförmig.
  • Ein Bondierteil 80 liegt entlang der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile 11 und 12, der ersten und zweiten Halbleiterchips 21 und 22 und der ersten und zweiten Wärmeabstrahlblöcke 31 und 32, sodass diese Elemente elektrisch und thermisch miteinander verbunden sind. Ein weiteres Bondierteil 81 liegt zwischen dem ersten Hauptanschluss 61 und dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 und zwischen dem zweiten Hauptanschluss und dem zweiten Wärmeabstrahlteil 12, sodass der erste Hauptanschluss 61 elektrisch mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 verbunden ist und der zweiten Hauptanschluss 62 elektrisch mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil 12. Die Bondierteile 80 und 81 sind aus Lot oder einem leitfähigen Kleber. In dieser Ausführungsform sind die Bondierteile 80 und 81 aus einem Lot der Zinnreihe. Alternativ können die Bondierteile 80 und 81 beispielsweise aus einer Silberpaste sein.
  • Jedes Wärmeabstrahlteil 11 und 12 arbeitet als Wärmeabstrahlplatte zur Abführung von Wärme, die im Halbleiterchip 21 bzw. 22 erzeugt wird. Somit ist das Wär meabstrahlteil 11, 12 aus einem Material mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und geringem Widerstand, beispielsweise Kupfer oder Aluminium. Jeder Wärmeblock 31, 32 leitet die im Halbleiterchip 21, 22 erzeugte Wärme zur Seite des zweiten Wärmeabstrahlteils. Jeder Wärmeblock 31, 32 ist aus reinem Kupfer oder dergleichen.
  • Die Wärmeabstrahlteile 11, 12 und die Wärmeabstrahlblöcke 31, 32 sind aus einer Metallplatte durch ein Pressbearbeitungsverfahren gebildet. Da die Platte lediglich gepresst wird, wird im Wesentlichen keine Bearbeitungsbelastung, Dehnspannungen oder dergleichen in den Wärmeabstrahlteilen 11 und 12 und den Wärmeabstrahlblöcken 31 und 32 gebildet. Die Formgenauigkeit der Wärmeabstrahlteile 11, 12 und der Wärmeabstrahlblöcke 31, 32 ist somit vergleichsweise hoch. Um die Wärmeabstrahlleistung eines jeden Wärmeabstrahlteils 11, 12 aufrechtzuerhalten, ist es bevorzugt, dass die Parallelität der Wärmeabstrahloberflächen hoch ist. Diese Parallelität ist auch als Rauigkeit der Wärmeabstrahloberfläche definierbar. Wenn die Parallelität hoch ist, ist die Rauigkeit gering. Somit ist es bevorzugt, wenn die Rauigkeit der Wärmeabstrahloberfläche eines jeden Wärmeabstrahlteils 11, 12 kleiner als 100 μm, besonders bevorzugt kleiner als 50 μm ist.
  • Folglich wird an der Oberseite eines jeden Halbleiterchips 21, 22 die Wärme über den Wärmeabstrahlblock 31, 32 und das zweiten Wärmeabstrahlteil 12 abgeführt. An der Bodenseite eines jeden Halbleiterchips 21, 22 wird die Wärme über das ersten Wärmeabstrahlteil 11 abgeführt.
  • Wie in 1B gezeigt, ist ein erster aufgehängter Anschluss 71 mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 auf Seiten des Steuersignalanschlusses verbunden. Ein zweiter aufgehängter Anschluss 72 ist mit dem Wärmeabstrahlteil 11 verbunden. Der zweite aufgehängte Anschluss 72 liegt gegenüber dem ersten aufgehängten Anschluss 71. Ein dritter aufgehängter Anschluss 73 ist mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil 12 auf Seiten des Steuersignalanschlusses verbunden. Das Bondierteil 81 ist zwischen jedem aufgehängten Anschluss 71–73 und jedem Wärmeabstrahlteil 11, 12 angeordnet, sodass der aufgehängte Anschluss 71–73 mit dem entsprechenden Wärmeabstrahlteil 11, 12 verbunden ist.
  • Wie weiterhin in 2A gezeigt, ist ein sechster aufgehängter Anschluss 76 entsprechend dem ersten aufgehängten Anschluss 71 mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 auf Seiten des Steuersignalanschlusses verbunden. Ein vierter aufgehängter Anschluss 74 entsprechend dem zweiten aufgehängten Anschluss 72 ist mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 verbunden. Ein fünfter aufgehängter Anschluss 75 entsprechend dem dritten aufgehängten Anschluss 73 ist mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil 12 auf Seiten des Steuersignalanschlusses verbunden. Die vierten bis sechsten aufgehängten Anschlüsse 74–76 sind auf einer Seite der Vorrichtung S1 angeordnet, die entgegengesetzt zu den ersten bis dritten aufgehängten Anschlüssen 71–73 ist. Unter „aufgehängter Anschluss" sei im Rahmen der vorliegenden Erfindung ein Anschluss verstanden, der nach Art eines Auslegers oder frei auskragend (und damit in der Regel federnd) ausgebildet ist, wie aus der zugehörigen Figuren der Zeichnung hervorgeht, auf die hier Bezug genommen wird.
  • Ein Teil eines jeden aufgehängten Anschlusses 71–76 ist gefaltet oder geknickt, um die Parallelität zwischen den ersten und zweiten Abstrahlteilen 11, 12 beizubehalten, wenn die Vorrichtung S1 hergestellt wird. Da weiterhin der aufgehängte Anschluss 71–76 alleine mit dem Wärmeabstrahlteil 11, 12 verbunden ist, wird die Arbeitsweise der Vorrichtung S1 nicht direkt beeinflusst. Die Parallelität ist als Verkippungsgrad einer Wärmeabstrahloberfläche des Wärmeabstrahlteils 11, 12 bezüglich der entsprechenden anderen Wärmeabstrahloberfläche definiert. Wenn die Parallelität hoch ist, ist der Verkippungsgrad gering.
  • Eine Seite des ersten Wärmeabstrahlteils 11, eine Seite des zweiten Wärmeabstrahlteils 12, ein Teil des Steuersignalanschlusses 50, ein Teil des ersten Hauptanschlusses 61 und ein Teil des zweiten Hauptanschlusses 62 stehen von einem Harzverguss 90 vor. Der Steuersignalanschluss 50 und die ersten und zweiten Hauptanschlüsse 61 und 62 liefern hierbei einen Verbindungsanschluss.
  • Ein Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung S1 ist in den 2A–7C erläutert.
  • Gemäß den 2A bis 2G wird ein plattenförmiger Leiterrahmen 70 bereitgestellt. Insbesondere werden der Steuersignalanschluss 50, die ersten und zweiten Hauptanschlüsse 61 und 62 und die ersten bis sechsten aufgehängten Anschlüsse 71–76 geformt, d.h. gemustert und ausgebildet und miteinander mit einer Verbindungsschiene verbunden, sodass der Leiterrahmen 70 vorbereitet ist. Der Leiterrahmen 70 wird beispielsweise durch ein Pressbearbeitungsverfahren gebildet.
  • Bevorzugt kann jeder aufgehängte Anschluss 71–76, der in dem Leiterrahmen 70 ausgebildet ist, eine Federfunktion haben, auch wenn der Leiterrahmen 70 in einem Reflow-Vorgang einer Temperaturerhöhung ausgesetzt ist. Angesichts hiervon wird der Leiterrahmen 70 aus einem gewissen Material gefertigt, um die Federfunkti on der aufgehängten Anschlüsse 71–76 sicherzustellen. Insbesondere hat das Material des Leiterrahmens 70 einen Erweichungspunkt, der höher ist als die Temperatur, bei der die aufgehängten Anschlüsse 71–76 mit den Wärmeabstrahlteilen 11 und 12 verbunden werden. Somit ist es bevorzugt, dass der Erweichungspunkt des Leiterrahmens 70 höher als die Reflow-Temperatur ist. Der Leiterrahmen 70 ist beispielsweise aus Kupfer, Aluminium oder einer Legierung hieraus.
  • Wenn der Leiterrahmen 70 und die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile 11, 12 miteinander verbunden (bondiert) werden, steuern die ersten bis sechsten aufgehängten Anschlüsse 71–76 die Ausrichtung und Positionierung eines jeden Wärmeabstrahlteils 11, 12 und einen Abstand zwischen den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen 11, 12 und stellen die Parallelität zwischen den Wärmeabstrahloberflächen der Wärmeabstrahlteile 11, 12 ein. Wie in 2A gezeigt, sind sechs aufgehängte Anschlüsse 71–76 am Leiterrahmen 70 ausgebildet.
  • Wie in 2B gezeigt, hat jeder der Hauptanschlüsse 61 und 62 und der aufgehängten Anschlüsse 71–76 einen oberen Abschnitt als einen Biegeabschnitt 70a, der gebogen wird. Jeder Biegeabschnitt 70a ist so ausgebildet, dass ein oberes Ende des Hauptanschlusses 61, 62 oder des aufgehängten Anschlusses 71–76 in Richtung einer Seite des Leiterrahmens 70 (d.h. auf Seiten des ersten Wärmeabstrahlteils 70) oder der anderen Seite des Leiterrahmens 70 (d.h. der Seite des zweiten Wärmeabstrahlteils) gebogen wird. 2B ist eine Transparentansicht aus Richtung des Pfeils IIB in 2A.
  • Wie in 2C gezeigt, ist der obere Abschnitt des sechsten aufgehängten Anschlusses 76 in Richtung der einen Seite des Leiterrahmens 70 gebogen. Gemäß 2D ist der obere Abschnitt eines jeden vierten und fünften aufgehängten Anschlusses 74, 75 in Richtung der anderen Seite des Leiterrahmens 70 gebogen. Gemäß 2E ist der Steuersignalanschluss 50 nicht gebogen und der obere Abschnitt des ersten Hauptanschlusses 61 ist in Richtung der einen Seite des Leiterrahmens 70 gebogen. Gemäß 2F ist der obere Abschnitt des zweiten Hauptanschlusses 62 in Richtung der anderen Seite des Leiterrahmens 70 gebogen. Gemäß 2G ist der obere Abschnitt des dritten aufgehängten Anschlusses 73 in Richtung der anderen Seite des Leiterrahmens 70 gebogen. Der obere Abschnitt eines jeden der ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse 71, 72 ist hierbei in Richtung der einen Seite des Leiterrahmens 70 gebogen.
  • Der Biegeabschnitt 70a eines jeden der Hauptanschlüsse 61, 62 und aufgehängten Anschlüsse 71–76 ist so gebildet, dass der obere Abschnitt der Hauptanschlüsse 61, 62 oder der aufgehängten Anschlüsse 71–76 in Richtung der einen Seite oder der anderen Seite des Leiterrahmens 70 gedrückt wird.
  • An dem oberen Abschnitt eines jeden der Hauptanschlüsse 61, 62 und aufgehängten Anschlüsse 71–76 wird eine Oberflächenbehandlung durchgeführt, um den oberen Abschnitt mit dem Wärmeabstrahlteil 11, 12 zu verbinden. Insbesondere wird das Bondierteil 81 auf dem oberen Abschnitt eines jeden der Hauptanschlüsse 61, 62 und aufgehängten Anschlüsse 71–76 ausgebildet. Das Bondierteil 81 wird auf dem oberen Abschnitt so angeordnet, dass das Bondierteil 81 dem Wärmeabstrahlteil 11, 12 gegenüberliegt. Falls notwendig kann der gesamte obere Abschnitt mit einem Nickel-Platierungsfilm überzogen werden.
  • Der Steuersignalanschluss 50 und die Hauptanschlüsse 61, 62 sind Drähte zur elektrischen Verbindung mit einem externen Schaltkreis. Folglich hat das Material der Steuersignalanschlüsse 50 und Hauptanschlüsse 61, 62 ausgezeichnete Leitfähigkeit. Es ist bevorzugt, wenn der Steuersignalanschluss 50 und die Hauptanschlüsse 61, 62 aus Kupfer, Aluminium oder einer Legierung hieraus sind. Wenn es notwendig ist, dass der Steuersignalanschluss 50, die Hauptanschlüsse 61, 62 und die aufgehängten Anschlüsse 71–76 Biegeeigenschaft und Hitzebeständigkeit haben, können sie aus einer Legierung oder dergleichen mit diesen Eigenschaften sein.
  • In den 3A und 3B ist das erste Wärmeabstrahlteil 11 am Leiterrahmen 70 angeordnet. Zuerst wird das erste Wärmeabstrahlteil 1, das getrennt vom Leiterrahmen 70 ist, durch Pressbearbeitung einer Metallplatte vorbereitet. Die Wärmeabstrahloberfläche und die Befestigungsoberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils 12 werden durch Pressbearbeiten und Stanzen eines gerollten Bauteils vorbereitet, sodass hohe Parallelität erhalten wird. Die Halbleiterchips 21, 22 werden auf der Befestigungsoberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils 11 angeordnet. Bevorzugt ist das erste Wärmeabstrahlteil 11 aus reinem Kupfer oder Aluminium mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, sodass in den Halbleiterchips 21, 22 erzeugte Wärme problemlos abgeführt wird. Weiterhin wird das zweite Wärmeabstrahlteil 12 auf ähnliche Weise vorbereitet.
  • Ein Nickelüberzug kann auf der Oberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils 11 ausgebildet werden. Das erste Wärmeabstrahlteil 11 kann einen Erweichungspunkt haben, der niedriger als eine Reflow-Temperatur in einem Reflow-Prozess ist, solan ge das erste Wärmeabstrahlteil 11 ausreichend Wärmeleitfähigkeit hat. Das zweite Wärmeabstrahlteil 12 kann ebenfalls eine Nickelbeschichtung haben und kann einen Erweichungspunkt unter der Reflow-Temperatur haben. Bevorzugt ist der Erweichungspunkt der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile 11, 12 niedriger als eine Temperatur, mit der die aufgehängten Anschlüsse 71–76 an den Wärmeabstrahlteilen 11, 12 angebondet werden.
  • Wie in 3A gezeigt, sind die ersten und zweiten Halbleiterchips 21, 22 an dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 angeordnet. Weiterhin sind die ersten und zweiten Wärmeabstrahlblöcke 31, 32 mit dem dazwischenliegenden Bondierteil 80 an den ersten und zweiten Halbleiterchips 21, 22 angeordnet. Weiterhin ist das Bondierteil 80 an den ersten und zweiten Wärmeabstrahlblöcken 31, 32 angeordnet und liegt gegenüber den ersten und zweiten Halbleiterchips 21, 22. Das Bondierteil 80 verbindet die Wärmeabstrahlblöcke 31, 32 und das zweite Wärmeabstrahlteil 12.
  • Somit wird das erste Wärmeabstrahlteil 11 zusammen mit den Halbleiterchips 21, 22 und den hieran angeordneten Wärmeabstrahlblöcken 31, 32 vorbereitet. Der gemäß 2A ausgebildete Leiterrahmen wird am ersten Wärmeabstrahlteil 11 angeordnet. Somit liegt das Bondierteil 81 um die ersten, zweiten und sechsten aufgehängten Anschlüsse 71, 72 und 76 herum und das Bondierteil 81 liegt um den ersten Hauptanschluss 61 herum; es erfolgt eine Bondierung mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11. Die Positionierung zwischen den ersten Wärmeabstrahlteil 11 und dem Leiterrahmen 70 wird unter Verwendung einer Kohlenstoffschablone oder dergleichen durchgeführt.
  • Der obige Leiterrahmen 70 mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 wird bei beispielsweise 280°C einer Reflow-Behandlung unterworfen, sodass das Bondierteil 80 aufschmilzt. Somit werden die Halbleiterchips 21, 22 und die Wärmeabstrahlblöcke 31, 32 miteinander verbunden. Weiterhin werden die Halbleiterchips 21, 22 und das erste Wärmeabstrahlteil 11 miteinander verbunden. Weiterhin werden die ersten, zweiten und sechsten aufgehängten Anschlüsse 71, 72 und 76, der erste Hauptanschluss 61 und das erste Wärmeabstrahlteil 11 miteinander verbunden.
  • Nach dem obigen Reflow-Prozess wird gemäß 3B eine Oberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils 11, auf der die Halbleiterchips 21, 22 angeordnet sind, als Referenzoberfläche definiert. In diesem Fall werden die dritten bis fünften aufgehängten Anschlüsse 73–75 und der zweite Hauptanschluss 62 bereitgestellt, indem der Leiterrahmen 70 in Richtung einer Seite entgegengesetzt zum ersten Wärmeab strahlteil 11 gebogen wird. Eine Seite eines jeden dritten bis fünften aufgehängten Anschlusses 73–75 und zweiten Hauptanschlusses 62, wo das Bondierteil 81 angeordnet ist, weist zu dem zweiten Wärmeabstrahlteil 12. Die eine Seite eines jeden dritten bis fünften aufgehängten Anschlusses 73–75 und des zweiten Hauptanschlusses 62 ist entfernt von der einen Seite des ersten Wärmeabstrahlblocks 61 oder des zweiten Wärmeabstrahlblocks 32, der zum zweiten Wärmeabstrahlteil 12 weist.
  • Insbesondere wird eine Distanz zwischen der Referenzoberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils 11 und der einen Seite eines jeden der dritten bis fünften aufgehängten Anschlüsse 73–75 als H1 definiert. Eine Distanz zwischen der Referenzoberfläche und der einen Seite des ersten Wärmeabstrahlblocks 31 wird als H2 definiert. Die aufgehängten Anschlüsse 73–75 und die Hauptanschlüsse 61, 62 werden aus dem Leiterrahmen 70 so gebogen, dass die Distanz H1 größer als die Distanz H2 ist.
  • Wenn der Leiterrahmen 70 gebildet wird und der Leiterrahmen 70 mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 verbunden wird, wird der Biegeabschnitt 70a gebildet, indem die aufgehängten Anschlüsse 71–76 und die Hauptanschlüsse 61, 62 gebogen werden, um eine Beziehung zu erhalten, bei der die Distanz H1 größer als die Distanz H2 ist.
  • In den 4A und 4B werden der Steuersignalanschluss 50 und die Gateelektrode des ersten Halbleiterchips 21 mit dem Gatedraht 40 verbunden. Der Gatedraht 40 ist beispielsweise aus Aluminium oder Gold. Bei diesem Drahtbondierprozess wird der Steuersignalanschluss 50 elektrisch mit dem ersten Halbleiterchip 21 verbunden. Wenn ein Innenleiter des Steuersignalanschlusses 50 mit dem ersten Halbleiterchip 21 über ein Kissen oder dergleichen verlötet wird, können der Steuersignalanschluss 50 und die Gateelektrode des ersten Halbleiterchips 21 in einem Prozess verlötet werden, der in den 3A und 3B gezeigt ist.
  • In den 5A bis 5C ist das zweite Wärmeabstrahlteil 12 auf einem Produkt gemäß den 4A und 4B angeordnet. Insbesondere wird das Produkt von 4A in eine Zusammenbauschablone 100 gemäß 5B gesetzt. Die Zusammenbauschablone 100 umfasst eine Basis 110 zur Anordnung des ersten Wärmeabstrahlteils 11 darauf, eine Mehrzahl von Stützen 120 auf Seiten des Hauptanschlusses und des Steuersignalanschlusses im Leiterrahmen 70, eine Abdeckung 130 zum Drücken des zweiten Wärmeabstrahlteils 12 auf die Basis 110 und einen Gewichtsabschnitt 140 zum Aufbringen einer Last auf die Abdeckung 130. Jedes Element in der Zusammenbauschablone 100 ist aus einem Material, das bei der Reflow-Temperatur ausreichend temperaturbeständig ist.
  • Eine Oberfläche sowohl der Abdeckung 130 als auch der Basis 110, die in Druckkontakt mit den Wärmeabstrahlteilen 11, 12 gelangt, ist abgeflacht. Somit ist die Abweichung in der Flachheit der Abdeckung 130 und der Basis 110 vergleichsweise gering. Die Mehrzahl von Stützen 120 hat gleiche Höhe von der Oberfläche der Basis 110 aus, auf der das erste Wärmeabstrahlteil 11 angeordnet wird. Die Höhe einer jeden Stütze 120 definiert die Distanz zwischen den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen 11, 12, wenn der Leiterrahmen 70 auf dem zweiten Wärmeabstrahlteil 12 angeordnet wird. Somit entspricht die Höhe des Trägers oder der Stütze 120 der Distanz zwischen den Wärmeabstrahloberflächen der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile 11, 12 in der Vorrichtung S1 der 1B und 1C.
  • Zuerst wird der Leiterrahmen 70 auf der Zusammenbauschablone 100 nach dem Prozess der 4A bis 4B angeordnet. Dann wird gemäß 5B das zweite Wärmeabstrahlteil 12 auf den dritten bis fünften aufgehängten Anschlüssen 73–75 und dem zweiten Hauptanschluss 62 angeordnet und dann drückt die Abdeckung 130 das zweite Wärmeabstrahlteil 12 in Richtung der Basis 110 und kontaktiert es hiermit. Die Last wird von der Abdeckung 130 unter Verwendung des Gewichts 140 aufgebracht, das im Bereich zwischen einigen zehn Gramm bis einigen hundert Gramm liegt.
  • Der obere Abschnitt eines jeden der aufgehängten Anschlüsse 71–76 und der Hauptanschlüsse 61 bis 62 hat eine Federfunktion, da der obere Abschnitt den gebogenen Abschnitt 70a hat. Die elastische Kraft der Federfunktion erzeugt eine Rückstellkraft. Genauer gesagt, die ersten, zweiten und sechsten aufgehängten Anschlüsse 71, 72 und 76 und der erste Hauptanschluss 61, die in Richtung der einen Seite des Leiterrahmens 70 gebogen werden, empfangen die Rückstellkraft in Richtung der Seite des ersten Wärmeabstrahlteils. Die dritten bis fünften aufgehängten Anschlüsse 73–75 und der zweite Hauptanschluss 62 empfangen die Rückstellkraft in Richtung der Seite des zweiten Wärmeabstrahlteils. Somit wird das erste Wärmeabstrahlteil 11 in Richtung der Basis 110 gedrückt und das zweite Wärmeabstrahlteil 12 wird in Richtung der Abdeckung 130 gedrückt.
  • Jede Stütze 120 hat die gleiche Höhe und eine Abweichung in der Flachheit der Oberfläche sowohl der Basis 110 als auch der Abdeckung 130, d.h. der Oberfläche, die auf das Wärmeabstrahlteil 11 oder 12 drückt, ist gering. Wenn folglich die Abde ckung 130 in Druckkontakt mit den Stützen 120 gelangt, wird die Parallelität zwischen Basis 110 und Abdeckung 130 beibehalten. Unter Verwendung der Rückstellkraft der aufgehängten Anschlüsse 71–76 und der Hauptanschlüsse 61 bis 62 im Leiterrahmen 70 drücken die Wärmeabstrahlteile 11 und 12 auf die Basis 110 und die Abdeckung 130. Die Parallelität zwischen den Wärmeabstrahloberflächen der Wärmeabstrahlteile 11, 12 wird beibehalten. Die Distanz zwischen den Wärmeabstrahloberflächen kann durch die Höhe der Stützen 120 eingestellt werden.
  • Wenn der Leiterrahmen 70 hergestellt wird, wird der Biegeabschnitt 70a eines jeden der aufgehängten Anschlüsse 71–76 und der Hauptanschlüsse 61 bis 62 unter den oben beschriebenen Bedingungen geformt. Unter Verwendung der Federfunktion der aufgehängten Anschlüsse 71–76 und der Hauptanschlüsse 61, 62 wird die Parallelität zwischen den Wärmeabstrahloberflächen beibehalten.
  • Weiterhin ist die Abdeckung 130 in Druckkontakt mit den Stützen 120 und das Gewicht 140 ist auf der Abdeckung 130 angeordnet, sodass eine Last auf die Abdeckung 130 aufgebracht wird. Der Leiterrahmen 70 wird dann bei 280°C einem Reflow-Prozess unterworfen. Die Ausrichtung und Positionierung zwischen den aufgehängten Anschlüssen 71–76, den Hauptanschlüssen 61, 62 und Wärmeabstrahlteilen 11, 12 wird beibehalten und die ersten, zweiten und sechsten aufgehängten Anschlüsse 71, 72, 76, der zweite Hauptanschluss 62, die Wärmeabstrahlblöcke 31, 32 und das zweite Wärmeabstrahlteil 12 werden miteinander verbunden. Sodann wird das Produkt aus der Zusammenbauschablone 100 entnommen. Das Ergebnis ist das in 5C gezeigte Produkt.
  • In den 6A und 6B wird dieses Produkt mit einem Harzverguss versiegelt. Genauer gesagt, das Produkt von 5C wird in eine (nicht gezeigte) Form gebracht. Geschmolzenes Harz oder Kunststoff wird in die Form gegossen, sodass das Produkt in dem Harzverguss 90 verschlossen wird. Insbesondere wird das Produkt so versiegelt oder eingebettet, dass die andere eine Seite des ersten Wärmeabstrahlteils 11, die andere eine Seite des zweiten Wärmeabstrahlteils 12 und ein Teil eines jeden Hauptanschlusses 61, 62 von dem Harzverguss 90 vorsteht. Um die Anhaftkraft des Harzvergusses 90 zu erhöhen, kann das Produkt mit einem Polyamidfilm beschichtet werden.
  • Das Produkt wird somit mit dem Harzverguss 90 vergossen, sodass jedes Element in dem Harzverguss 90 festgelegt ist, wobei Lage und Positionierung zwischen den Wärmeabstrahlteilen 11, 12, dem Leiterrahmen 70 etc. beibehalten werden.
  • In den 7A bis 7C ist ein unnötiger Abschnitt des Produkts entfernt. Genauer gesagt, ein unnötiger Abschnitt des Leiterrahmens 70, der nicht der Steuersignalanschluss 50 und die Hauptanschlüsse 61, 62 ist, sowie der Verbindungsstab werden weggeschnitten. Hiermit wird das in den 7A und 7B gezeigte Produkt erhalten.
  • Gemäß 7C sind die oberen Enden der ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse 71, 72 in dem Harzverguss 90 aufgenommen. Jedoch sind die aufgehängten Anschlüsse 71, 72 nur mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 in Verbindung und sie haben keine elektrische Verbindung mit anderen Elementen. Obgleich somit die aufgehängten Anschlüsse 71 und 72 nicht aus dem Harzverguss 90 entfernt werden, ergibt sich keine Schwierigkeit. Auf ähnliche Weise sind die dritten bis sechsten aufgehängten Anschlüsse 73–76 ebenfalls noch im Harzverguss 90 enthalten. Die Vorrichtung S1 ist somit fertiggestellt.
  • Danach erfolgt ein Test hinsichtlich elektrischer Funktion und äußeres Erscheinungsbild an der Vorrichtung S1 und danach kann die Vorrichtung S1 in den Handel gehen.
  • In dieser Ausführungsform werden der Leiterrahmen 70 und die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile 11, 12 unabhängig vorbereitet oder erstellt. Weiterhin wird die Vorrichtung S1 unter Verwendung der Federfunktion der aufgehängten Anschlüsse 71–76 im Leiterrahmen 70 hergestellt. In diesem Fall ist es nicht notwendig, das Wärmeabstrahlteil 11, 12 plastisch zu verformen. Somit wird das Wärmeabstrahlteil 11, 12 ohne Einbringen von Bearbeitungsbelastungen erstellt. Folglich ergeben sich auch keine Verwertungen aufgrund der Bearbeitungsbelastung in den Wärmeabstrahlteilen 11 oder 12. Eine Abweichung der Flachheit eines jeden Wärmeabstrahlteils 11 bzw. 12 wird verringert.
  • Da die oberen Abschnitte der aufgehängten Anschlüsse 71–76 und der Hauptanschlüsse 61, 62 gebogen werden, erfolgt unter Verwendung der Rückstellkraft der aufgehängten Anschlüsse 71–76 und der Hauptanschlüsse 61, 62 durch die Wärmeabstrahlteil 11, 12 ein Druckkontakt mit der Basis 110 und der Abdeckung 130, die unter Verwendung der Stützen 120 parallel zueinander angeordnet sind. Die Parallelität zwischen den Wärmeabstrahlflächen wird so beibehalten. Folglich werden die oberen Abschnitte der aufgehängten Anschlüsse 71–76 und der Hauptanschlüsse 61, 62 so gebogen, dass sie eine Federfunktion haben. Die elastische Kraft der Feder funktion wirkt dahingehend, dass die Parallelität zwischen den Wärmeabstrahlflächen beibehalten wird.
  • Die Parallelität zwischen den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen 11, 12 wird somit verbessert und weiterhin erfolgt eine Verbesserung hinsichtlich der Abweichung von der Flachheit der Wärmeabstrahloberflächen.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Die 8A und 8B zeigen eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform. Insbesondere zeigen die 8A und 8B das Produkt nach dem Prozess der 5A bis 5C. 8B zeigt den dritten aufgehängten Anschluss 73 und das zweite Wärmeabstrahlteil 12 in auseinandergebautem Zustand.
  • Gemäß 8B hat der dritte aufgehängten Anschluss 73 den oberen Abschnitt mit einer Seitenwand 73a, die eine Führung ist, um die Position des zweiten Wärmeabstrahlteils 12 zu bestimmen. Die vierten und fünften aufgehängten Anschlüsse 74, 75 haben ähnliche Seitenwände, sodass die Seitenwände die Positionierung des zweiten Wärmeabstrahlteils 12 führen.
  • Da jeder aufgehängten Anschluss 73–75 die Seitenwand 73a hat, kann das zweite Wärmeabstrahlteil 12 ohne Verwendung einer Positionierschablone passend positioniert werden. Diese Seitenwand 73a wird gleichzeitig mit der Ausbildung der aufgehängten Anschlüsse 73–75 aus dem Leiterrahmen 70 durch ein Pressbearbeitungsverfahren erzeugt.
  • Die ersten, zweiten und sechsten aufgehängten Anschlüsse 71, 72 und 76 zur Verbindung mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 können Seitenwände ähnlich zur Seitenwand 73a haben, wie in 8B gezeigt. In diesem Fall wird das erste Wärmeabstrahlteil 11 problemlos unter Verwendung der Seitenwände der aufgehängten Anschlüsse 71, 72 und 76 positioniert.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • 9 ist eine vergrößerte Teilansicht des dritten aufgehängten Anschlusses 73 und des zweiten Wärmeabstrahlteils 12 in auseinandergebautem Zustand. Der dritte aufgehängte Anschluss 73 enthält einen Vorsprung 73b, der vom oberen Abschnitt des dritten aufgehängten Anschlusses 73 in Richtung der Seite des zweiten Wärme abstrahlteils vorsteht. Der Vorsprung 73b ist durch eine Pressbearbeitung des oberen Abschnitts des dritten aufgehängten Anschlusses 73 gebildet. Das Bondierteil 81, beispielsweise ein Lotteil, wird auf dem Vorsprung 73b angeordnet. Da der dritte aufgehängte Anschluss 73 den Vorsprung 73b an seinem oberen Abschnitt hat, sitzt das Bondierteil 81 auf dem Vorsprung 73b, sodass sich ein überschüssiges Material des Bondierteils 81 nicht vom oberen Abschnitt des dritten aufgehängten Anschlusses 73 wegbewegt, wenn das zweite Wärmeabstrahlteil 12 Reflow-bearbeitet wird. Wenn das Bondierteil 81 auf dem Vorsprung 73b angeordnet ist, wird die Ausbreitung des Bondierteils 81 begrenzt. Weiterhin können auch die anderen aufgehängten Anschlüsse 71–72 und 74–76 an ihren oberen Abschnitten entsprechende Vorsprünge haben.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Die 10A und 10B zeigen den Leiterrahmen 70. Im Leiterrahmen 70 sind der erste aufgehängte Anschluss 71 und der zweite aufgehängte Anschluss 72 so miteinander verbunden, dass ein siebter aufgehängter Anschluss 77a gebildet wird. Weiterhin ist der obere Abschnitt des dritten aufgehängten Anschlusses 73 in Richtung der Seite des zweiten Hauptanschlusses verlängert. Somit wird ein achter aufgehängter Anschluss 77b gebildet. Weiterhin sind der vierte aufgehängte Anschluss 74 und der fünfte aufgehängte Anschluss 75 so verbunden, dass ein neunter aufgehängter Anschluss 77c gebildet wird. Der obere Abschnitt des sechsten aufgehängten Anschlusses 76 wird in Richtung der Seite des ersten Hauptanschlusses verlängert, sodass ein zehnter aufgehängter Anschluss 77d gebildet wird. Weiterhin sind der achte aufgehängte Anschluss 77b und der neunte aufgehängte Anschluss 77c mit Verbindungsstäben 77e und 77f verbunden.
  • Im Leiterrahmen 70 wird die Form des achten aufgehängten Anschlusses 77b und des neunten aufgehängten Anschlusses 77c durch Ausbilden des achten und neunten aufgehängten Anschlusses 77b und 77c und der Verbindungsstäbe 77e und 77f beibehalten, um die Steuersignalanschlussseite und die Hauptanschlussseite zu verbinden. Der Leiterrahmen 70 wird durch eine Pressbearbeitung oder dergleichen gebildet. Somit kann der Leiterrahmen 70 für die Halbleitervorrichtung S1 verwendet werden.
  • Obgleich die Vorrichtung S1 die siebten und achten aufgehängten Anschlüsse 77a und 77b enthält, ist die Lagebeziehung zwischen dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 und den siebten und achten aufgehängten Anschlüssen 77a und 77b gemäß 10B ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform.
  • (Fünfte Ausführungsform)
  • 11 zeigt eine Halbleitervorrichtung S1 gemäß einer fünften Ausführungsform. Bei dieser Vorrichtung S1 hat das erste Wärmeabstrahlteil 11 ein Paar von Metallplatten 11a, 11c und eine isolierende Platte 11b, die zwischen den Metallplatten 11a, 11c liegt. Weiterhin hat das zweite Wärmeabstrahlteil 12 ein Paar von Metallplatten 12a, 12c und eine isolierende Platte 12b, die zwischen den Metallplatten 12a und 12c liegt. Die Metallplatten 11a, 11c, 12a und 12c und die isolierenden Platten 11b und 12b sind unter Verwendung eines Hartlötverfahrens, eines Aktivmetallverfahrens oder dergleichen miteinander verbunden.
  • Wenn die Vorrichtung S1 an einer externen Platine oder dergleichen angebracht wird, ist die von dem Harzverguss 90 vorstehende Metallplatte 11c, 12c von der Metallplatte 11a, 12a in dem Harzverguss 90 durch die Isolationsplatte 11b, 12b isoliert. Somit ist die Vorrichtung S1 gegenüber der externen Platine elektrisch isoliert. Obgleich die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile 11, 12, die Isolierplatten 11b, 12b enthalten, können die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile 11, 12 isolierende Harzschichten enthalten.
  • Weiterhin kann jedes der Wärmeabstrahlteile 11, 12 aus zwei Schichten gebildet werden, die aus der Metallplatte 11a, 12a und der isolierenden Platte 11b, 12b zusammengesetzt sind. Weiterhin kann jedes der Wärmeabstrahlteile 11, 12 aus zwei Schichten gebildet werden, die aus der Metallplatte 11a bzw. 12a und der isolierenden Harzschicht zusammengesetzt sind.
  • (Sechste Ausführungsform)
  • 12 zeigt eine Halbleitervorrichtung S1 gemäß einer sechsten Ausführungsform. Bei der Vorrichtung wird das erste Wärmeabstrahlteil 11 durch ein speziell geformtes Bauteil 13 gebildet, bei dem der erste Hauptanschluss 61 und die ersten, zweiten und sechsten aufgehängten Anschlüsse 71, 72 und 76 integriert sind. Da hierbei das erste Wärmeabstrahlteil 11 von dem speziell geformten Bauteil 13 gebildet wird, ist es für das erste Wärmeabstrahlteil 11 notwendig, dass die Abweichung von der Flachheit der wärmeabstrahlenden Oberfläche in einem bestimmten Bereich gehalten wird. Alternativ kann das zweite Wärmeabstrahlteil 12 durch das speziell geformte Bauteil 13 geschaffen werden.
  • (Abwandlungen)
  • Die Vorrichtung S1 muss den Wärmeabstrahlblock 31, 32 nicht zwingend aufweisen. Wenn in diesem Fall der Leiterrahmen 70 in die Zusammenbauschablone 100 gesetzt wird, werden die aufgehängten Anschlüsse 71 bis 76 und die Hauptanschlüsse 61, 62 so geformt, dass eine Distanz zwischen der Referenzoberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils 11 und der Oberfläche eines jeden der aufgehängten Anschlüsse 73 bis 75 und des zweiten Hauptanschlusses 62 größer als eine Distanz zwischen der Referenzoberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils 11 und der Oberfläche eines jeden Halbleiterchips 21, 22 ist. Hierbei entspricht die Distanz zwischen der Referenzoberfläche und der Oberfläche eines jeden der aufgehängten Anschlüsse 73 bis 75 und des zweiten Hauptanschlusses 62 der Distanz H1 und die Distanz zwischen der Referenzoberfläche und der Oberfläche eines jeden Halbleiterchips 21, 22 entspricht der Distanz H2. Die Oberfläche eines jeden der aufgehängten Anschlüsse 73 bis 75 und des zweiten Hauptanschlusses 62 weist zum zweiten Wärmeabstrahlteil 12 und die Oberfläche eines jeden Halbleiterchips 21, 22 weist zum zweiten Wärmeabstrahlteil 12. Weiterhin kann die Anzahl der aufgehängten Anschlüsse 71 bis 76 einer oder mehrere betragen.
  • Jeder aufgehängte Anschluss 71 bis 76 enthält den gebogenen Abschnitt 70a gemäß den 2A bis 2G. Die Form eines jeden aufgehängten Anschlusses 71 bis 76 kann jedoch auch anders sein. Beispielsweise kann der obere Abschnitt eines jeden aufgehängten Anschlusses 71 bis 76 gebogen werden. Insbesondere kann der obere Abschnitt eine Federfunktion haben, so dass der obere Abschnitt eines jeden aufgehängten Anschlusses 71 bis 76 sich an das Wärmeabstrahlteil 11, 12 unter Verwendung einer Rückstellkraft der Federfunktion anlegt, wenn das Wärmeabstrahlteil 11 in Druckkontakt mit dem oberen Abschnitt gelangt.
  • Der aufgehängte Anschluss 71 bis 76 und das Wärmeabstrahlteil 11, 12 sind mit dem Bondier- oder Verbindungsteil 81 verbunden. Alternativ können die aufgehängten Anschlüsse 71 bis 76 alleine durch Anlage oder Druckkontakt mit dem Wärmeabstrahlteil 11, 12 in Verbindung sein. In diesem Fall können die Wärmeabstrahlteile 11, 12 durch die Rückstellkraft der Federfunktion der aufgehängten Anschlüsse 71 bis 76 getragen werden. Die aufgehängten Anschlüsse 71 bis 76 kontaktieren die Wärmeabstrahlteile direkt ohne Verwendung des Bondierteils 81.
  • Die obige Beschreibung zeichnet sich unter anderem durch die folgenden Aspekte aus:
    Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung geschaffen, die einen Halbleiterchip, erste und zweite Wärmeabstrahlteile und einen Verbindungsanschluss hat, wobei die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile den Halbleiterchip derart zwischen sich einschließen können, dass die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile in den Halbleiterchips erzeugte Wärme abstrahlen und wobei der Verbindungsanschluss den Halbleiterchip und die ersten und zweiten Wärmeabschaltteile miteinander und mit einem externen Schaltkreis elektrisch verbindet, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines plattenförmigen Leiterrahmens mit ersten und zweiten aufgehängten Anschlüssen und dem Verbindungsanschluss; Biegen des ersten aufgehängten Anschlusses zu einer ersten Seite des Leiterrahmens hin und Biegen des zweiten aufgehängten Anschlusses zu einer zweiten Seite des Leiterrahmens hin, so dass eine Distanz zwischen den ersten und zweiten aufgehängten Anschlüssen in einer Richtung senkrecht zum Leiterrahmen auf eine bestimmte Distanz festgelegt wird; Bereitstellen des ersten Wärmeabstrahlteils, so dass dieses zur ersten Seite des Leiterrahmens weist und Bereitstellen des zweiten Wärmeabstrahlteils, so dass dieses zur zweiten Seite des Leiterrahmens weist, wobei jedes der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile unabhängig von dem Leiterrahmen bereitgestellt wird; Anordnen des Halbleiterchips an dem ersten Wärmeabstrahlteil, um eine erste Seite des Halbleiterchips und eine Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils zu kontaktieren; Druckkontaktieren des ersten aufgehängten Anschlusses mit dem ersten Wärmeabstrahlteil und Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil; und Bereitstellen einer Zusammenbauschablone mit einer Basis und einer Abdeckung, Anordnen des ersten Wärmeabstrahlteils an der Basis nach dem Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil, Anordnen des zweiten Wärmeabstrahlteils an dem zweiten aufgehängten Anschluss, um eine Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils und eine Befestigungsfläche des zweiten aufgehängten Anschlusses in Kontakt zu bringen, Drücken des zweiten Wärmeabstrahlteils mit der Abdeckung in Richtung der Basis derart, das eine Wärmeabstrahlfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils parallel zu einer Wärmeabstrahlfläche des ersten Wärmeabstrahlteils ist, und Verbinden einer zweiten Seite des Halbleiterchips und der Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils in einem Zustand, wo der zweite aufgehängte Anschluss in Druckkontakt mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil durch eine Rückstell kraft einer Federfunktion des zweiten aufgehängten Anschlusses ist, wobei eine Distanz zwischen der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils und der Befestigungsfläche des zweiten aufgehängten Anschlusses größer als eine Distanz zwischen der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils und der zweiten Seite des Halbleiterchips nach dem Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil ist.
  • Bei dem obigen Verfahren ist es nicht notwendig, die Wärmeabstrahlteile bereitzustellen, die plastisch verformt werden. Die Wärmeabstrahlteile verformen oder verwerfen sich somit nicht, so dass die Abweichung von der Flachheit der Wärmeabstrahlteile verringert wird. Unter Verwendung der Rückstellkraft in den aufgehängten Anschlüssen wird weiterhin die Parallelität der Wärmeabstrahlteile verbessert, so dass die Abweichung von der Flachheit der Wärmeabstrahlteile verringert wird. Unter Verwendung der Rückstellkraft in den aufgehängten Anschlüssen wird weiterhin die Parallelität der Wärmeabstrahlteile verbessert, so dass die Dimensionsgenauigkeit der Wärmeabstrahloberflächen der Wärmeabstrahlteile verbessert werden. Das Bondieren oder Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil kann alternativ das Verbinden des ersten aufgehenden Anschlusses mit dem ersten Wärmeabstrahlteil enthalten. Das Bondieren oder Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips des zweiten Wärmeabstrahlteils umfasst das Verbinden des zweiten aufgehenden Anschlusses mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil und der Leiterrahmen wird aus einem Material gemacht, das einen Erweichungspunkt hat, der über der Temperatur liegt, mit der der erste aufgehängte Anschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil verbunden wird und einer Temperatur liegt, bei der der zweite aufgehängte Anschluss mit dem zweiten Abstrahlteil verbunden wird. Somit wird der Leiterrahmen nicht erweicht, wenn die aufgehängten Anschlüsse mit den Wärmeabstrahlteilen verbunden werden. Die mechanische Festigkeit des Leiterrahmens wird hierdurch verbessert. Wenn folglich der Leiterrahmen mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil verbunden wird, kann die Reaktions- oder Rückstellkraft der aufgehängten Anschlüsse verbessert werden.
  • Alternativ kann das Bondieren oder Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil das Verbinden des ersten aufgehängten Anschlusses mit dem ersten Abstrahlteil enthalten. Das Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips und der inneren Oberfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils umfasst das Verbinden des zweiten aufgehängten Anschlusses mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil. Das erste Wärmeabstrahlteil ist aus einem Material gemacht, das einen ersten Erweichungspunkt hat und das zweite Wärmeab strahlteil ist aus einem Material gemacht, das einen zweiten Erweichungspunkt hat, wobei die ersten und zweiten Erweichungspunkte niedriger als eine Temperatur sind, bei der der erste aufgehängte Anschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil verbunden wird und bei der der zweite aufgehängte Anschluss mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil verbunden wird.
  • Alternativ kann das Verfahren weiterhin aufweisen: ein Versiegeln des Halbleiterchips mit einem Harzverguss derart, dass die Wärmeabstrahloberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils, die Wärmeabstrahloberfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils und ein Teil des Verbindungsanschlusses aus dem Harzverguss frei vorliegen, nachdem die zweite Seite des Halbleiterchips und die innere Oberfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils verbunden wurden, sowie das Entfernen eines Teils des Leiterrahmens, der nicht der Teil des Verbindungsanschlusses ist, nachdem der Halbleiterchip mit dem Harzverguss versiegelt wurde, wobei der Teil des Leiterrahmens von dem Harzverguss freiliegt oder vorsteht. Weiterhin kann der Leiterrahmen eine Öffnung zur Aufnahme des Halbleiterchips enthalten. Die Anordnung des Halbleitchips auf dem ersten Wärmeabstrahlteil enthält die Anordnung des Leiterrahmens auf dem ersten Wärmeabstrahlteil derart, dass der Halbleiterchip in der Öffnung des Leiterrahmens liegt. Das Verbinden des Halbleiterchips zusammen mit dem Verbindungsanschluss mit dem ersten Wärmeabstrahlteil enthält weiterhin das Verbinden des Verbindungsanschlusses mit dem Halbleiterchip mittels eines Drahts. Das Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips und der innern Oberfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils enthält weiterhin das Verbinden des Anschlusses mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil. Weiterhin kann der Leiterrahmen einen Verbindungsstab enthalten, um die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse und den Verbindungsanschluss untereinander zu verbinden wobei beim Entfernen eines Teils des Leiterrahmens, der nicht Teil des Verbindungsanschlusses ist, der Verbindungsstab vom Leiterrahmen entfernt wird, so dass die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse und der Verbindungsanschluss in der Halbleitervorrichtung verbleiben. Weiterhin, nachdem der Verbindungsstab vom Leiterrahmen entfernt wurde, können die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse und der andere Teil des Verbindungsanschlusses unabhängig voneinander in dem Harzverguss angeordnet werden und die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse können vom Halbleiterchip und dem Verbindungsanschluss isoliert werden.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Halbleitervorrichtung auf: einen Halbleiterchip; erste und zweite Wärmeabstrahlteile zum Einschließen des Halbleiterchips zwischen sich und zum Abstrahlen von Wärme, die vom Halbleiterchip erzeugt wird, wobei die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile elektrisch mit dem Halbleiterchip verbunden sind; einen Verbindungsanschluss, der mit jedem Wärmeabstrahlteil verbunden ist und elektrisch mit einem externen Schaltkreis verbunden ist, wobei der Verbindungsanschluss zu den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen einen unterschiedlichen Gegenstand darstellt; und einen Harzverguss zum Versiegeln der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile und des Verbindungsanschlusses.
  • Da bei der obigen Vorrichtung der Verbindungsanschluss ein unterschiedlicher Körper oder Gegenstand gegenüber den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen ist, können die Wärmeabstrahlteile hergestellt oder vorbereitet werden, ohne das ein plastisches Verformungsverfahren durchgeführt werden muss. Die Dimensionsgenauigkeit und die Abweichung von der Flachheit der Wärmeabstrahlteile werden verbessert. Eine Dimensionsgenauigkeit und Positioniergenauigkeit eines jeden Elementes in der Vorrichtung wird damit ebenfalls verbessert.
  • Die Halbleitervorrichtung kann weiterhin erste und zweite aufgehängte Anschlüsse zur Aufrechterhaltung einer Lagebeziehung zwischen den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen aufweisen. Der erste aufgehängte Anschluss liegt an der inneren Oberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils und der zweite aufgehängte Anschluss liegt an der inneren Oberfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils. Weiterhin kann jeder aufgehängte Anschluss durch den Harzverguss versiegelt sein und jeder aufgehängte Anschluss kann ein Ende haben, das ein abgeschnittenes Verbindungsstabende an einem Rand des Harzvergusses ist. Weiterhin kann jeder aufgehängte Anschluss aus einem Material mit einem Erweichungspunkt sein, der höher als eine Verbindungstemperatur eines jeden Wärmeabstrahlteils mit dem Halbleiterchip ist, als eine Verbindungstemperatur eines jeden Wärmeabstrahlteils mit dem aufgehängten Anschluss ist oder eine Verbindungstemperatur eines jeden Wärmeabstrahlteils mit dem Verbindungsanschluss ist. Weiterhin kann jedes Wärmeabstrahlteil einen Erweichungspunkt haben, der unter einer Verbindungstemperatur des Wärmeabstrahlteils mit dem aufgehängten Anschluss ist. Weiterhin kann der zweite aufgehängte Anschluss eine Befestigungsoberfläche haben, die die innere Oberfläche des zweiten Abstrahlteils kontaktiert und der Halbleiterchip kann eine erste Seite haben, die die innere Oberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils kontaktiert und eine zweite Seite haben, die die innere Oberfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils kontaktiert. Eine Distanz zwischen der inneren Oberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils und der Befestigungsoberfläche des zweiten aufgehängten Anschlusses ist größer als eine Distanz zwischen der inneren Oberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils und der zweiten Seite des Halbleiterchips. Weiterhin kann der erste aufgehängte Anschluss einen Biegeabschnitt enthalten, der in Richtung der inneren Oberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils gebogen ist. Der zweite aufgehängte Anschluss enthält einen Biegeabschnitt, der in Richtung der inneren Oberfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils gebogen ist. Der Biegeabschnitt des ersten aufgehängten Anschlusses schafft eine Federfunktion für einen Druckkontakt mit dem ersten Wärmeabstrahlteil. Der Biegeabschnitt des zweiten aufgehängten Anschlusses schafft eine Federfunktion für einen Druckkontakt mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil. Weiterhin können die ersten und zweiten aufgehenden Anschlüsse in dem Harzverguss versiegelt sein. Der erste aufgehängte Anschluss hat ein Ende, das das erste Wärmeabstrahlteil kontaktiert, sowie ein entgegengesetztes Ende. Das entgegengesetzte Ende des ersten aufgehängten Anschlusses ist das abzuschneidende Ende des Verbindungsstabs. Der zweite aufgehängte Anschluss hat ein Ende, das das zweite Wärmeabschaltteil kontaktiert und ein gegenüberliegendes Ende. Dieses gegenüberliegende Ende des zweiten aufgehängten Anschlusses ist ebenfalls das abzuschneidende Ende des Verbindungsstabs.
  • Die Erfindung wurde unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen hiervon beschrieben; es versteht sich, dass die Erfindung nicht auf diese bevorzugten Ausführungsformen und Konstruktionen beschränkt ist. Die Erfindung soll vielmehr verschiedene Abwandlungen und äquivalente Anordnungen mit umfassen. Weiterhin wurden verschiedene Kombinationen und Ausgestaltungen beschrieben, welche momentan als bevorzugt erachtet werden; andere Kombinationen oder Ausgestaltungen, welche mehr, weniger oder nur ein einzelnes der offenbarten Elemente enthalten, liegen ebenfalls im Rahmen der vorliegenden Erfindung, wie er durch die nachfolgenden Ansprüche und deren Äquivalente definiert ist.

Claims (38)

  1. Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, die einen Halbleiterchip (21, 22), erste und zweite Wärmeabstrahlteile (11, 12) und einen Verbindungsanschluss (50, 61, 62) hat, wobei die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile (11, 12) den Halbleiterchip (21, 22) derart zwischen sich einschließen, dass die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile (11, 12) in den Halbleiterchips (21, 22) erzeugte Wärme abstrahlen und wobei der Verbindungsanschluss (50, 61, 62) den Halbleiterchip (21, 22) und die ersten und zweiten Wärmeabschaltteile (11, 12) miteinander und mit einem externen Schaltkreis elektrisch verbindet, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen eines plattenförmigen Leiterrahmens (70) mit ersten und zweiten aufgehängten Anschlüssen (71 bis 76, 77a bis 77f) und dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62); Biegen des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) zu einer ersten Seite des Leiterrahmens (70) hin und Biegen des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) zu einer zweiten Seite des Leiterrahmens (70) hin, so dass eine Distanz zwischen den ersten und zweiten aufgehängten Anschlüssen (71 bis 76, 77a bis 77f) in einer Richtung senkrecht zum Leiterrahmen (70) auf eine bestimmte Distanz festgelegt wird; Bereitstellen des ersten Wärmeabstrahlteils (11), so dass dieses zur ersten Seite des Leiterrahmens (70) weist und Bereitstellen des zweiten Wärmeabstrahlteils (12), so dass dieses zur zweiten Seite des Leiterrahmens (70) weist, wobei jedes der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile (11, 12) unabhängig von dem Leiterrahmen (70) bereitgestellt wird; Anordnen des Halbleiterchips (21, 22) an dem ersten Wärmeabstrahlteil (11), um eine erste Seite des Halbleiterchips (21, 22) und eine Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) zu kontaktieren, Druckkontaktieren des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) und Verbinden des Halbleiterchips (21, 22) zusammen mit dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11); und Bereitstellen einer Zusammenbauschablone (100) mit einer Basis (110) und einer Abdeckung (130), Anordnen des ersten Wärmeabstrahlteils (11) an der Basis (110) nach dem Verbinden des Halbleiterchips (21, 22) zusammen mit dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11), Anordnen des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) an dem zweiten aufgehängten Anschluss (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f), um eine Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) und eine Befestigungsfläche des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) in Kontakt zu bringen, Drücken des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) mit der Abdeckung (130) in Richtung der Basis (110) derart, das eine Wärmeabstrahlfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils parallel zu einer Wärmeabstrahlfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) ist, und Verbinden einer zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) und der Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) in einem Zustand, wo der zweite aufgehängte Anschluss (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) in Druckkontakt mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) durch eine Rückstellkraft einer Federfunktion des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) ist, wobei eine Distanz zwischen der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) und der Befestigungsfläche des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) größer als eine Distanz zwischen der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) und der zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) nach dem Verbinden des Halbleiterchips (21, 22) zusammen mit dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) ist.
  2. Das Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Zusammenbauschablone (100) weiterhin eine Mehrzahl von Stützen (120) enthält, die von einer Oberfläche der Basis (110) aus gleiche Höhe haben; und das Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) und der Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) das Druckkontaktieren der Abdeckung (130) mit den Trägern (120) derart umfasst, dass die Basis (110) und die Abdeckung (130) die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile (11, 12) und den Leiterrahmen (70) zwischen sich einschließen.
  3. Das Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem das Biegen der ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse (71 bis 76) das Ausbilden einer Seitenwand (73a) am ersten oder zweiten aufgehängten Anschluss (71 bis 76) umfasst, und die Seitenwand (73a) das erste oder zweite Wärmeabstrahlteil (11, 12) kontaktiert, um das erste oder zweite Wärmeabstrahlteil (11, 12) bei der Anordnung des Halbleiterchips (21, 22) auf dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) oder beim Anordnen des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) an dem zweiten aufgehängten Anschluss (73 bis 75) zu positionieren.
  4. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Biegen der ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse (71 bis 76) das Ausbilden eines Vorsprungs an den ersten oder zweiten aufgehängten Anschluss (71 bis 76) aufweist, wobei der Vorsprung (73b) an einem oberen Abschnitt des ersten oder zweiten aufgehängten Anschlusses (71 bis 76) angeordnet ist und der Vorsprung (73b das erste oder zweite Wärmeabstrahlteil (11, 12) bei der Anordnung des Halbleiterchips (21, 22) an dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) oder bei der Anordnung des zweiten Wärmeabstrahlteils (12 an dem zweiten aufgehängten Anschluss (73 bis 75) kontaktiert.
  5. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem das Befestigen des Halbleiterchips (21, 22) zusammen mit dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) an dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) das Verbinden des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) enthält; das Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) und der Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) das Verbinden des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) enthält; und der Leiterrahmen (70) aus einem Material aus einem Erweichungspunkt ist, der höher als eine Temperatur bei der Verbindung des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) ist und eine Temperatur bei der Verbindung des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) ist.
  6. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Verbinden des Halbleiterchips (21, 22) zusammen mit dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) das Verbinden des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil 11 enthält; das Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) und der Innenfläche des zweiten Wärmeabstandteils (12) das Verbinden des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) enthält; das erste Wärmeabstrahlteil (11) aus einem Material mit einem ersten Erweichungspunkt ist und das zweite Wärmeabstrahlteil (12) aus einem Material mit einem zweiten Erweichungspunkt ist; und die ersten und zweiten Erweichungspunkte niedriger als eine Temperatur bei der Verbindung des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) ist und eine Temperatur bei der Verbindung des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) ist.
  7. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der erste aufgehängte Anschluss (71, 72, 76, 77a, 77d) eine Mehrzahl von ersten aufgehängten Anschlussabschnitten (71, 72, 76, 77a, 77d) enthält; und das Verbinden des Halbleiterchips (21, 22) zusammen mit dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) ein Verbinden eines Teils oder aller erster aufgehängter Abschnitte (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) enthält.
  8. Das Verfahren nach Anspruch 7, bei dem beim Verbinden des Teils oder aller erster aufgehängter Anschlussabschnitte (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) der Teil oder alle ersten aufgehängten Anschlussabschnitte (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) mittels eines Bondierteils (81) verbunden werden.
  9. Das Verfahren nach Anspruch 8, bei dem der Halbleiterchip (21, 22) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) mittels des Bondierteils (80, 81) verbunden wird.
  10. Das Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, bei dem das Bondierteil (81) einen Schmelzpunkt hat, der gleich oder niedriger als ein Schmelzpunkt eines anderen Bondierteils (80) zwischen dem Halbleiterchip (21, 22) und dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) ist.
  11. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem der zweite aufgehängte Anschluss (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) eine Mehrzahl von zweiten aufgehängten Anschlussabschnitten (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) enthält; und das Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) und des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) das Verbinden eines Teils oder aller zweiter aufgehängter Anschlussabschnitte (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) enthält.
  12. Das Verfahren nach Anspruch 11, bei dem beim Verbinden des Teils oder aller zweiter aufgehängter Anschlussabschnitte (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) der Teil oder alle der zweiten aufgehängten Anschlussabschnitte (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) mit einem Bondierteil (81) verbunden werden.
  13. Das Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der Halbleiterchip (21, 22) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) mit dem Bondierteil (80, 81) verbunden wird.
  14. Das Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei dem das Bondierteil (81) einen Schmelzpunkt hat, der gleich oder niedriger als ein Schmelzpunkt eines anderen Bondierteils (80) zwischen dem Halbleiterchip (21, 22) und dem zweites Wärmeabstrahlteil (12) ist.
  15. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 14, weiterhin mit: Versiegeln des Halbleiterchips (21, 22) mit einem Harzverguss (90) derart, dass die Wärmeabstrahloberfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11), die Wärmeabstrahloberfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) und ein Teil des Verbindungsanschlusses (50, 61, 62) von dem Harzverguss (90) nach dem Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) und der Innenfläche des zweiten Wärmeabstandteils (12) frei liegen; und Entfernen eines Teils des Leiterrahmens (70), der nicht Teil des Verbindungsanschlusses (50, 61, 62) ist, nachdem der Halbleiterchip (21, 22) mit dem Harzverguss (90) versiegelt wurde, wobei der Teil des Leiterrahmens (70) von dem Harzverguss (90) vorsteht.
  16. Das Verfahren nach Anspruch 15, bei dem der Leiterrahmen (70) weiterhin eine Öffnung zur Aufnahme des Halbleiterchips (21, 22) aufweist; das Anordnen des Halbleiterchips (21, 22) an dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) das Anordnen des Leiterrahmens (70) an dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) derart aufweist, dass der Halbleiterchip (21, 22) in der Öffnung des Leiterrahmens (70) angeordnet wird, das Verbinden des Halbleiterchips (21, 22) zusammen mit dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) das Verbinden des Verbindungsanschlusses (50, 61, 62) mit dem Halbleiterchip (21, 22) mittels eines Drahts (40) enthält); und das Verbinden der zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) und der Innenfläche des zweiten Wärmeabstandteils (12) weiterhin das Verbinden des Verbindungsanschlusses (50, 61, 62) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) enthält.
  17. Das Verfahren nach Anspruch 16, bei dem der Leiterrahmen (70) weiterhin einen Verbindungsstab zur Verbindung zwischen den ersten und zweiten aufgehängten Anschlüssen (71 bis 76, 77a bis 77f) und dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) aufweist; und beim Entfernen eines Teils des Leiterrahmens (70), der nicht Teil des Verbindungsanschlusses (50, 61, 62) ist, der Verbindungsstab vom Leiterrahmen (70) so entfernt wird, dass die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse (71 bis 76, 77a bis 77f) und der Verbindungsanschluss (50, 61, 62) in der Halbleitervorrichtung verbleiben.
  18. Das Verfahren nach Anspruch 17, bei dem nachdem der Verbindungsstab vom Leiterrahmen (70) entfernt worden ist, die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse (71 bis 76, 77a bis 77f) und ein anderer Teil des Verbindungsanschlusses (50, 61, 62) voneinander unabhängig in dem Harzverguss (90) angeordnet sind; die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse (71 bis 76, 77a bis 77f) und ein anderer Teil des Verbindungsanschlusses (50, 61, 62) voneinander unabhängig in dem Harzverguss (90) angeordnet sind; und die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse (71 bis 76, 77a bis 77f) von dem Halbleiterchip (21, 22) und dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) isoliert sind.
  19. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, bei dem das erste Wärmeabstrahlteil (11) ein Paar von Metallplatten (11a, 11c) und eine isolierende Platte (11b) enthält, die zwischen den Metallplatten (11a, 11c) eingeschlossen ist; und das zweite Wärmeabstrahlteil (12) ein Paar von Metallplatten (12a, 12c) und eine isolierende Platte (12b) enthält, die zwischen den Metallplatten (12a, 12c) eingeschlossen ist.
  20. Eine Halbleitervorrichtung, aufweisend: einen Halbleiterchip (21, 22); erste und zweite Wärmeabstrahlteile (11, 12) zum Einschließen des Halbleiterchips (21, 22) zwischen sich und zum Abstrahlen von Wärme, die vom Halbleiterchip (21, 22) erzeugt wird, wobei die ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile (11, 12) elektrisch mit dem Halbleiterchip (21, 22) verbunden sind; einen Verbindungsanschluss (50, 61, 62) der mit jedem Wärmeabstrahlteil (11, 12) verbunden ist und elektrisch mit einem externen Schaltkreis verbunden ist, wobei der Verbindungsanschluss (50, 61, 62) zu den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen (11, 12) einen unterschiedlichen Gegenstand darstellt; und einen Harzverguss (90) zum Versiegeln der ersten und zweiten Wärmeabstrahlteile (11, 12) und des Verbindungsanschlusses (50, 61, 62).
  21. Die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 20, bei der der Verbindungsanschluss (50, 61, 62) mit einer Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) verbunden ist und mit einer Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) verbunden ist; und die Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) zur Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) weist.
  22. Die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 20 oder 21, weiterhin aufweisend: erste und zweite aufgehängte Anschlüsse (71 bis 76, 77a bis 77f) zur Beibehaltung einer Lagebeziehung zwischen den ersten und zweiten Wärmeabstrahlteilen (11, 12), wobei der erste aufgehängte Anschluss (71, 72, 76, 77a, 77d) an der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) angeordnet ist, und der zweite aufgehängte Anschluss (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) an der Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils 12 angeordnet ist.
  23. Die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 22, bei der jeder aufgehängte Anschluss (71 bis 76) eine Seitenwand (73a) aufweist, wobei die Seitenwand (73a) des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76) das erste Wärmeabstandteil (11) das erste Wärmeabstrahlteil (11) zur Positionierung des ersten Wärmeabstrahlteils (11) kontaktiert, und die Seitenwand (73a) des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75) das zweite Wärmeabstrahlteil (12) zur Positionierung des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) kontaktiert.
  24. Die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 22 oder 23, bei der jeder aufgehängte Anschluss (71 bis 76) einen Vorsprung (73b) aufweist, der an einem oberen Abschnitt des aufgehängten Anschlusses (71 bis 76) angeordnet ist, wobei der Vorsprung (73b) des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76) die Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) kontaktiert, und der Vorsprung (73b) des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75) die Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) kontaktiert.
  25. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche bis 24, bei der jeder aufgehängte Anschluss (71 bis 76, 77a bis 77e) einen Biegeabschnitt (70a) aufweist, wobei der Biegeabschnitt (70a) des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) in Richtung der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) gebogen ist, und der Biegeabschnitt (70a) des zweiten aufgehängten Anschlusses (73 bis 75, 77b bis 77c, 77e bis 77f) in Richtung der Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) gebogen ist.
  26. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 25, bei der jeder aufgehängte Anschluss (77a bis 77f) einen geradlinigen Abschnitt aufweist, wobei der geradlinige Abschnitt des ersten aufgehängten Anschlusses (77a, 77d) sich von einer Seite des ersten Wärmeabstrahlteils (11) zu einer entgegengesetzten Seite des ersten Wärmeabstrahlteils (11) erstreckt, der geradlinige Abschnitt des ersten aufgehängten Anschlusses (77a, 77b) in Druckkontakt mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) ist, der geradlinige Abschnitt des zweiten aufgehängten Anschlusses (77b–77c, 77e–77f) sich von einer Seite des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) zu einer entgegengesetzten Seite des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) erstreckt, und der geradlinige Abschnitt des zweiten aufgehängten Anschlusses (77b–77c, 77e–77f) in Druckkontakt mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) ist.
  27. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 26, wobei der erste aufgehängte Anschluss (71, 72, 76, 77a, 77d) mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) mittels eines Bondierungsteils (83) verbunden ist, und der zweite aufgehängte Anschluss (73–75, 77b–77c, 77e–77f) mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) mit dem Bondierungsteil (81) verbunden ist.
  28. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 27, wobei jeder aufgehängte Anschluss (71–76, 77a–77f) mit dem Harzverguss (90) versiegelt ist, und jeder aufgehängte Anschluss (71–76, 77a–77f) ein Ende hat, welches ein abgeschnittenes Ende eines Verbindungsstabs an einem Rand des Harzvergusses (90) ist.
  29. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 28, wobei jeder aufgehängte Anschluss (71–76, 77a–77f) aus einem Material mit einem Erweichungspunkt ist, der höher als eine Verbindungstemperatur eines jeden Wärmeabstrahlteils (11, 12) mit dem Halbleiterchip (21, 22) ist, als eine Bondiertemperatur eines jeden Wärmeabstrahlteils (11, 12) mit dem aufgehängten Anschluss (71–76, 77a–77f) ist, oder eine Bondiertemperatur eines jeden Wärmeabstrahlteils (11, 12) mit dem Verbindungsanschluss (50, 61, 62) ist.
  30. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 29, wobei jedes Wärmeabstrahlteil (11, 12) einen Erweichungspunkt hat, der niedriger als eine Verbindungstemperatur des Wärmeabstrahlteils (11, 12) mit dem aufgehängten Anschluss (71–76, 77a–77f) ist.
  31. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 30, wobei jedes Wärmeabstrahlteil (11, 12) aus reinem Kupfer ist.
  32. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 31, wobei die aufgehängten Anschlüsse (71–76, 77a–77f) und der Verbindungsanschluss (50, 61, 62) aus einer Kupferlegierung sind.
  33. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 32, bei der der zweite aufgehängte Anschluss (73–75, 77b–77c, 77e–77f) eine Befestigungsoberfläche hat, die die Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) kontaktiert; der Halbleiterchip (21, 22) eine erste Seite hat, die die Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) kontaktiert und eine zweite Seite hat, die die Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) kontaktiert; und eine Distanz zwischen der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) und der Befestigungsfläche des zweiten aufgehängten Anschlusses (73–75, 77b–77c, 77e–77f) größer als eine Distanz zwischen der Innenfläche des ersten Wärmeabstrahlteils (11) und der zweiten Seite des Halbleiterchips (21, 22) ist.
  34. Die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 33 bei der der erste aufgehängte Anschluss (71, 72, 76, 77a, 77d) einen Biegeabschnitt (70a) enthält, der in Richtung der Innenseite des ersten Wärmeabstrahlteils (11) gebogen ist; der zweite aufgehängte Anschluss (73–75, 77b–77c, 77e–77f) einen Biegeabschnitt (70a) aufweist, der in Richtung der Innenfläche des zweiten Wärmeabstrahlteils (12) gebogen ist; der Biegeabschnitt (70a) der ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) eine Federfunktion für einen Druckkontakt mit dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) liefert; und der Biegeabschnitt (70a) des zweiten aufgehängten Anschlusses (73–75, 77b–77c, 77e–77f) eine Federfunktion für einen Druckkontakt mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) liefert.
  35. Die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 34, bei der die ersten und zweiten aufgehängten Anschlüsse (71–76, 77a–77f) in dem Harzverguss (90) versiegelt sind; der erste aufgehängte Anschluss (71, 72, 76, 77a, 77d) ein Ende hat, das das erste Wärmeabstrahlteil (11) kontaktiert und ein entgegengesetztes Ende hat; das entgegengesetzte Ende des ersten aufgehängten Anschlusses (71, 72, 76, 77a, 77d) ein abgeschnittenes Ende des Verbindungsstabes ist; der zweite aufgehängte Anschluss (73–75, 77b–77c, 77e–77f) ein Ende in Kontakt mit dem zweiten Wärmeabstrahlteil (12) und ein entgegengesetztes Ende hat; und das entgegengesetzte Ende des zweiten aufgehängten Anschlusses (73–75, 77b–77c, 77e–77f) das abgeschnittene Ende des Verbindungsstabes ist.
  36. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 20 bis 35, bei der jedes Wärmeabstrahlteil (11,12) eine Metallplatte (11a, 11c, 12a, 12c) und eine isolierende Platte (11b, 12b) aufweist, die aufeinander gestapelt sind.
  37. Die Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 20 bis 36, bei der jedes Wärmeabstrahlteil (11,12) ein Paar von Metallplatten (11a, 11c, 12a, 12c) und eine isolierende Platte (11b, 12b) aufweist; und die isolierende Platte (11b, 12b) zwischen den Metallplatten (11a, 11c, 12a, 12c) eingeschlossen ist.
  38. Die Halbleitervorrichtung nach Anspruch 27, bei der das erste Wärmeabstrahlteil (11) mittels eines zweiten Bondierteils (80) mit dem Halbleiterchip (21, 22) bondiert ist; und das zweite Bondierteil aus dem gleichen Material wie das erste Bondierteil zwischen dem ersten aufgehängten Anschluss (71, 72, 76, 77a, 77d) und dem ersten Wärmeabstrahlteil (11) ist.
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