DE102007004006B4 - Gate-Treiberschaltung - Google Patents

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Abstract

Gate-Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiter-Schaltelement (32, 37), mit einer Treiberschaltung (21) zum Zuführen eines Ansteuersignals zu einem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements in Bezug auf einen Emitter-Steueranschluss oder einen Source-Steueranschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements und einer Einheit (11) zum Erfassen einer Temperatur des Leistungshalbleiter-Schaltelements, wobei zum An- und Ausschalten des Leistungshalbleiter-Schaltelements dem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements ein pulsbreitenmoduliertes Ansteuersignal zuführbar ist, und das Leistungshalbleiter-Schaltelement mit einer Gate-Ansteuerspannung oder über einen Gate-Widerstand angesteuert wird, die bzw. der auf der Grundlage der von der Temperaturerfassungseinheit erfassten Temperatur geändert wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturerfassungseinheit (11) eine Diode (15) zwischen dem Emitter-Steueranschluss oder dem Source-Steueranschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements und dem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements aufweist, wobei die Temperatur des Leistungshalbleiter-Schaltelements auf der Grundlage eines Vorwärtsspannungsabfalls der Diode erfasst wird, und wobei die Gate-Treiberschaltung dazu ausgelegt ist, den Vorwärtsspannungsabfall der Diode während einer Ausschaltzeit des Leistungshalbleiter-Schaltelements zu erfassen.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Treiberschaltung für ein Halbleiterschaltelement aus SiC, GaN oder dergleichen.
  • Was Halbleiterschaltelemente mit großer Bandlücke, nachfolgend als „breiter Spalt” angesprochen, betrifft, ziehen Siliciumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder dergleichen die Aufmerksamkeit auf sich. Diese Materialien haben eine Durchschlagsspannungsfestigkeit, die ungefähr zehn Mal so hoch wie diejenige von Si ist, und eine Driftschicht zum Sicherstellen der Haltespannung kann auf ungefähr ein Zehntel verdünnt werden. Deshalb ist es möglich, eine niedrigere Einschaltspannung für Leistungselemente zu implementieren. Sogar in einem Bereich hoher Haltespannung, in dem nur bipolare Elemente mit Si verwendet werden können, wird es deshalb möglich, in Halbleiterelementen mit breitem Spalt aus SiC oder dergleichen unipolare Elemente zu verwenden. Bei Si-IGBTs, die gegenwärtig die Hauptrichtung von Leistungselementen bilden, gibt es eine eingebaute Spannung von ungefähr 1 V. Bei MOSFETs und Sperrschicht-FETs (abgekürzt zu JFETs), die unipolare Elemente aus SiC sind, können jedoch Elemente erhalten werden, die keine eingebaute Spannung haben.
  • Zusätzlich gibt ein SiC-Substrat eine hohe Wärmeleitfähigkeit an, und sie ist ein Leistungselement, das auch bei hohen Temperaturen arbeiten kann. Jedoch ist es bekannt, dass die Abhängigkeit des Einschaltwiderstands von der Temperatur bei unipolaren Elementen groß ist. 2 zeigt Relationen zwischen der Sperrschichttemperatur und dem Montagebereich in verschiedenen Fällen der Abhängigkeit von der Temperatur. Der Verlust bei einem SiC-Leistungshalbleiterelement wird gleich der Hälfte von demjenigen von Si eingestellt (wenn Tj = 137°C). Eine gestrichelte Linie in 2 gibt ein Montagebereichsverhältnis in dem Fall an, in dem der Verlust bei dem Leistungshalbleiterelement keine Abhängigkeit von der Temperatur hat. Eine ausgezogene Linie in 2 zeigt ein Montagebereichsverhältnis in dem Fall an, in dem der Verlust beim Leistungshalbleiterelement proportional zu der 2,4-ten Potenz der Temperatur zunimmt. Wenn das Leistungshalbleiterelement, das einen Verlust hat, der nicht von der Temperatur abhängt, bei einer Sperrschichttemperatur von zumindest 200°C verwendet wird, kann der Montagebereich des Leistungshalbleiterelements halbiert oder kleiner gemacht werden. Wenn andererseits das Leistungshalbleiterelement, das einen Verlust hat, der proportional zu der 2,4-ten Potenz der Temperatur zunimmt, bei einer Sperrschichttemperatur von zumindest 200°C verwendet wird, muss der Montagebereich des Leistungshalbleiterelements zumindest 60% groß gemacht werden. Deshalb ist ein Steuerungsverfahren zum Erfassen der Temperatur des Leistungshalbleiterelements und Senken der Abhängigkeit des Verlusts von der Temperatur wichtig.
  • Was die Technik zum Erfassen der Temperatur des Halbleiterelements betrifft, sind ein Verfahren unter Verwendung eines Thermistors und ein Verfahren unter Verwendung eines Messergebnisses der Einschaltspannung einer in einem Si-IGBT ausgebildeten Temperaturerfassungsdiode als Verfahren bekannt, die typischerweise bei intelligenten Leistungsmodulen und so weiter verwendet werden, sind gut bekannt. Das Verfahren unter Verwendung der Temperaturerfassungsdiode ist in der JP-A-10-38964 offenbart.
  • In der konventionellen Technik wird die Temperatur des Si-Elements erfasst. Wenn die Elementtemperatur hoch wird, wird eine Steuerung ausgeübt, um einen Schutzbetrieb zu verursachen, bei dem eine Halbleiterelement, wie zum Beispiel ein IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate), abgeschaltet wird, oder um die Temperatur des Halbleiterelements, wie zum Beispiel des IGBT, durch Ändern des Tastverhältnisses des Eingabe-PBM(Pulsbreiten-Modulations)-Signals zu senken. Jedoch kann das Halbleiterelement mit breitem Spalt aus SiC oder dergleichen auch bei hohen Temperaturen arbeiten. Bei dem Halbleiterelement mit breitem Spalt aus SiC oder dergleichen ist es deshalb wichtig, eine Steuerung auszuüben, um die Temperatur des Leistungshalbleiterelements zu erfassen und die Abhängigkeit des Verlusts von der Temperatur zu senken.
  • Die JP 2-308621 beschreibt eine Halbleitervorrichtung zur Verringerung des Temperaturanstiegs in einem Halbleiter. Dessen Temperatur wird im angeschalteten Zustand erfasst, und die Gatesapnnung wird dann entsprechend der erfassten Temperatur nachgeführt.
  • Die DE 10354443 A1 beschreibt eine Halbleiterbauelementanordnung mit einer Defekterkennung.
  • Die JP 2002-119044 beschreibt eine Gate-Treiberschaltung, bei der zur Verlustleistungsverringerung der Gate-Widerstand verringert wird.
  • Die US 5909108 A beschreibt eine Schaltung, die eine Vorrichtung mit einer temperaturabhängigen Charakteristik zum Erfassen einer Temperatur des Schalterelements aufweist, dabei die Gate-Ansteuerspannung angesteuert werden kann.
  • Die DE 10 2004 011 441 A1 beschreibt eine Motorsteuervorrichtung, die einen Temperatursensor benutzt, um die Temperatur eines Transistors zu erfassen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Gate-Treiberschaltung anzugeben, die die Verlustleistung bei hohen Temperaturen zuverlässig senkt.
  • Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Eine Gate-Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiter-Schaltelement (32, 37) hat eine Treiberschaltung (21) zum Zuführen eines Ansteuersignals zu einem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements in Bezug auf einen Emitter-Steueranschluss oder einen Source-Steueranschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements, und eine Einheit (11) zum Erfassen einer Temperatur des Leistungshalbleiter-Schaltelements, wobei zum An- und Ausschalten des Leistungshalbleiter-Schaltelements dem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements ein pulsbreitenmoduliertes Ansteuersignal zuführbar ist. Das Leistungshalbleiter-Schaltelement wird mit einer Gate-Ansteuerspannung oder über einen Gate-Widerstand angesteuert, die bzw. der auf der Grundlage der von der Temperaturerfassungseinheit erfassten Temperatur geändert wird. Die Temperaturerfassungseinheit weist eine Diode zwischen dem Emitter-Steueranschluss oder dem Source-Steueranschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements und dem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements auf, wobei die Temperatur des Leistungshalbleiter-Schaltelements auf der Grundlage eines Vorwärtsspannungsabfalls der Diode erfasst wird. Die Gate-Treiberschaltung ist dazu ausgelegt, den Vorwärtsspannungsabfall der Diode während einer Ausschaltzeit des Leistungshalbleiter-Schaltelements zu erfassen.
  • Mit einer solchen Gate-Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement ist es möglich, ein Halbleiterelement aus SiC oder dergleichen zu veranlassen, bis zu hohen Temperaturen zu arbeiten, den Montagebereich des Leistungshalbleiterelements klein zu machen und die Größe der Halbleitervorrichtung klein zu machen.
  • Weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Blockdiagramm einer Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement;
  • 2 ist ein Diagramm zum Erläutern von Relationen zwischen der Sperrschichttemperatur und dem Montagebereich in verschiedenen Fällen der Abhängigkeit von der Temperatur;
  • 3 ist ein Schaltdiagramm der Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß 1;
  • 4 ist ein Diagramm zum Erläutern einer Gate-Spannungswellenform in der Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß 1;
  • 5 ist ein Blockdiagramm einer weiteren Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement;
  • 6 ist ein Blockdiagramm einer weiteren Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement;
  • 7 ist ein Schaltdiagramm der Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß 6;
  • 8 ist ein Blockdiagramm einer Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß der Erfindung;
  • 9 ist ein Diagramm zum Erläutern von Strom-Spannungs-Charakteristika einer Diode zum Erfassen der Temperatur;
  • 10 ist ein Blockdiagramm einer weiteren Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement;
  • 11 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Schnitts eines SiC-Sperrschicht-FETs 32 in 10;
  • 12 ist ein Blockdiagramm einer weiteren Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement; und
  • 13 ist ein Diagramm zum Erläutern von Betriebswellenformen in einer Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß 6.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • 1 zeigt ein Blockdiagramm einer Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement. Das Bezugszeichen 23 gibt eine Stromquelle mit positiver Vorspannung für eine Treiberschaltung 21 an, und das Bezugszeichen 24 gibt eine Stromquelle mit negativer Vorspannung für die Treiberschaltung 21 an. Ein in 1 gezeigtes Leistungsmodul 31 ist mit der Treiberschaltung 21 verbunden. Bei dem Leistungsmodul 31 ist eine Freilaufdiode 33 mit einem SiC-Sperrschicht-FET (SiC-JFET) 32, der ein Halbleiterschaltelement mit breitem Spalt ist, parallel geschaltet.
  • Es sind ein Temperaturdetektor 11 in dem Leistungsmodul und eine Gate-Spannungssteuerungs-/Gate-Widerstandswechselschaltung 12 vorgesehen. Eine Antriebs-/Schutzschaltung 22 ist ebenfalls vorgesehen. Die Temperatur des Leistungshalbleiter-Schaltelements wird erfasst. Wenn die erfasste Temperatur höher als eine vorbestimmte Temperatur ist, wird die Gate-Ansteuerspannung angehoben oder der Gate-Ansteuerwiderstand reduziert.
  • 3 ist ein Schaltdiagramm der Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement. Das Bezugszeichen 25 gibt einen Fotokoppler an. Ein in 3 gezeigter Thermistor 13 ist innerhalb des Leistungsmoduls angeordnet, um die Temperatur des Leistungselements zu erfassen. Diese Schaltung hat eine Konfiguration zum Steuern der Gate-Ansteuerspannung durch Verwendung eines Operationsverstärkers A1, des Thermistors 13 und eines Widerstands R6. Eine Ansteuerspannung an einem Gate-Anschluss 36 hängt von Vcc × R6/(R6 + Rth) ab. 4 zeigt eine Gate-Spannungswellenform in der Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Wie in 4 gezeigt, kann die Gate-Ansteuerspannung steigen, wenn die Leistungsmodultemperatur steigt. Als Ergebnis kann der Verlust zu dem Zeitpunkt hoher Temperaturen reduziert werden. Deshalb ist es möglich, das Halbleiterelement mit breitem Spalt aus SiC oder dergleichen zu veranlassen, bis zu hohen Temperaturen zu arbeiten, den Montagebereich des Leistungshalbleiterelements klein zu machen und die Größe der Halbleitervorrichtung klein zu machen.
  • 5 zeigt ein Blockdiagramm einer weiteren Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement. Sie unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform in einem Halbleiterschaltelement mit breitem Spalt. Es wird ein SiC-MOSFET 37 verwendet, wie in 5 gezeigt. Wenn der SiC-MOSFET 37 verwendet wird, ist eine Körperdiode eingebaut, und folglich gibt es kein Problem ohne die Freilaufdiode 33.
  • Diese Schaltung stellt ein Element mit einer großen Abhängigkeit des Einschaltwiderstands von der Temperatur mit einer sehr effektiven Steuereinheit bereit. Unter Halbleitern mit breitem Spalt aus SiC oder dergleichen ist die Einheit insbesondere für Treiberschaltungen für Sperrschicht-FETs (SiC-JFETs) und MOSFETs effektiv. Bei Bipolartransistoren und IGBTs aus einem Halbleiter mit breitem Spalt aus SiC oder dergleichen nimmt jedoch auch der Schaltverlust zu, wenn die Temperatur steigt. Dementsprechend wird der Gesamtverlust (Leitungsverlust + Einschaltverlust + Ausschaltverlust) zum Zeitpunkt hoher Temperaturen durch Anwenden der Schaltung gemäß der vorliegenden Ausführungsform reduziert. Deshalb ist es möglich, das Halbleiterelement mit breitem Spalt aus SiC oder dergleichen zu veranlassen, bis zu hohen Temperaturen zu arbeiten, den Montagebereich des Leistungshalbleiterelements klein zu machen und die Größe der Halbleitervorrichtung klein zu machen.
  • Was Halbleiter mit breitem Spalt betrifft, gibt es neben SiC GaN und Diamant. Die Treiberschaltung kann auch auf diese Halbleiterelemente angewandt werden. Ferner kann, wenn die Abhängigkeit des Elementverlusts von der Temperatur groß ist, der Verlust zum Zeitpunkt hoher Temperaturen durch Anwenden der vorliegenden Schaltung sogar bei Halbleiterelementen aus Si oder dergleichen reduziert werden. In der gleichen Weise wie die Halbleiter mit breitem Spalt ist es möglich, den Montagebereich des Leistungshalbleiterelements klein zu machen und die Größe der Halbleitervorrichtung klein zu machen.
  • 6 zeigt ein Blockdiagramm einer weiteren Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement. Die gleichen Komponenten wie diejenigen in der ersten Schaltung sind durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet. Die vorliegende Schaltung hat eine Konfiguration zum Erfassen der Temperatur des Leistungsmoduls und Variieren des Gate-Widerstands.
  • 7 zeigt ein Schaltdiagramm der Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß 6. Die gleichen Komponenten wie diejenigen in der ersten Schaltung sind durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet. Bei der vorliegenden Schaltung sind Temperaturbestimmungseinrichtungen 14 vorgesehen, wie in 7 gezeigt. Wenn die Temperatur des Elements in dem Leistungsmodul hoch ist, dann werden in 7 gezeigte MOSFETs eingeschaltet, um den Gate-Widerstand zu reduzieren. Zum Zeitpunkt eines Ansteuerns bei hohen Temperaturen wird deshalb der Gate-Widerstand reduziert, und folglich ist es möglich, die Geschwindigkeit von di/dt und dv/dt anzuheben und den Verlust bei dem Leistungselement zu reduzieren. Auch zum Zeitpunkt des Ausschaltens ist es möglich, beim Ansteuern des Leistungselements zum Zeitpunkt hoher Temperaturen durch Verwendung einer ähnlichen Konfiguration die Geschwindigkeit von di/dt und dv/dt anzuheben und den Schaltverlust zu reduzieren.
  • In der vorliegenden Schaltung schaltet ein Ausgangswert jeder Temperaturbestimmungseinrichtung 14 einen MOSFET ein und schließt folglich einen Widerstand kurz, wie in 7 gezeigt. Alternativ ist auch eine mehrstufige Steuerung unter Verwendung einer Kombination von zumindest zwei Temperaturbestimmungseinrichtungen, MOSFETs und Widerständen möglich. Als Ergebnis kann der Verlust zum Zeitpunkt hoher Temperaturen reduziert werden. Deshalb ist es möglich, das Halbleiterelement mit breitem Spalt aus SiC oder dergleichen zu veranlassen, bis zu hohen Temperaturen zu arbeiten, den Montagebereich des Leistungshalbleiterelements klein zu machen und die Größe der Halbleitervorrichtung klein zu machen.
  • 8 zeigt ein Blockdiagramm einer Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß der Erfindung. Die gleichen Komponenten wie diejenigen in der ersten Schaltung sind durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet. In der vorliegenden Schaltung sind eine Diode 15 zum Erfassen der Temperatur und ein Widerstand 16 zum Erfassen des Gate-Stroms zwischen Source- und Gate-Anschlüssen des Leistungsmoduls verbunden. Die Diode 15 und der Widerstand 16 können in den Halbleiter mit breitem Spalt eingebaut sein oder können auf einem unterschiedlichen Chip montiert sein. Zum genauen Messen der Chiptemperatur ist es jedoch erwünscht, sie in den Halbleiter mit breitem Spalt einzubauen.
  • 9 zeigt Strom-Spannungs-Charakteristika der Diode 15 zum Erfassen der Temperatur. Wenn die Temperatur steigt, dann ändern sich die Strom-Spannungs-Charakteristika der Diode 15 zum Erfassen der Temperatur. Wenn die Gate-Spannung konstant ist, nimmt der Anoden-Kathoden(AK)-Strom zu. Deshalb wird der AK-Strom erfasst und die Geschwindigkeit von di/dt und dv/dt durch eine Gate-Spannungssteuerungs-/Gate-Widerstandswechselschaltung 12 angehoben, um den Verlust bei dem Leistungselement zu reduzieren.
  • 10 zeigt ein Blockdiagramm einer weiteren Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement. Die gleichen Komponenten wie diejenigen in der erfindungsgemäßen Schaltung sind durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet. Bei der vorliegenden Schaltung ist ein Stromwandler 17 zum Erfassen des Gate-Stroms vorgesehen.
  • 11 zeigt eine Elementschnittstruktur eines SiC-Sperrschicht-FETs 32 gemäß der vorliegenden Schaltung. Eine n+-Schicht 42 und eine Drain-Elektrode 45 sind auf einer Drain-Seite eines SiC-Substrats 41 ausgebildet und mit einem Drain-Anschluss 34 verbunden. Andererseits sind eine n+-Schicht 43 und eine Source-Elektrode 46 auf einer Source-Seite des SiC-Substrats 41 ausgebildet und mit einem Source-Anschluss 35 verbunden. Zusätzlich sind eine p+-Schicht 44 und eine Gate-Elektrode 47 in dem SiC-Substrat 41 ausgebildet und mit einem Gate-Anschluss 36 verbunden. Bei dieser Struktur ist eine parasitäre Diode zwischen dem Gate und der Source ausgebildet. Deshalb wird durch Verwendung des Stromwandlers 17 zur Gate-Stromerfassung der Gate-Strom erfasst und durch die Gate-Spannungssteuerungs-/Gate-Widerstandswechselschaltung 12 die Gate-Spannung angehoben oder der Gate-Widerstand reduziert. Als Ergebnis wird der Verlust bei dem Leistungselement reduziert.
  • 12 ist ein Blockdiagramm einer weiteren Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement. Die gleichen Komponenten wie diejenigen in der erfindungsgemäßen Schaltung sind durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet. Bei der vorliegenden Schaltung ist eine Konstantstromschaltung 18 in der Treiberschaltung 21 vorgesehen.
  • 13 zeigt Betriebswellenformen in der Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiterelement gemäß der vorliegenden Schaltung. Die Diode 15 zum Erfassen der Temperatur und der Widerstand 16 zum Erfassen des Gate-Stroms sind zwischen Source- und Gate-Anschlüssen des Leistungsmoduls verbunden. Die Konstantstromschaltung 18 wird während einer Ausschaltzeit eines PBM-Signals in Betrieb gesetzt. Die Temperatur des Leistungselements wird durch Messen einer Spannung am Widerstand 16 zur Gate-Stromerfassung erfasst. Die erfasste Spannung wird zu der Gate-Spannungssteuerungs-/Gate-Widerstandswechselschaltung 12 rückgekoppelt, um die Gate-Spannung anzuheben. Als Ergebnis kann der Verlust zum Zeitpunkt hoher Temperaturen reduziert werden. Bei der vorliegenden Ausführungsform ist es deshalb möglich, das Halbleiterelement mit breitem Spalt zu veranlassen, bis zu hohen Temperaturen zu arbeiten, den Montagebereich des Leistungshalbleiterelements klein zu machen und die Größe der Halbleitervorrichtung klein zu machen.

Claims (5)

  1. Gate-Treiberschaltung für ein Leistungshalbleiter-Schaltelement (32, 37), mit einer Treiberschaltung (21) zum Zuführen eines Ansteuersignals zu einem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements in Bezug auf einen Emitter-Steueranschluss oder einen Source-Steueranschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements und einer Einheit (11) zum Erfassen einer Temperatur des Leistungshalbleiter-Schaltelements, wobei zum An- und Ausschalten des Leistungshalbleiter-Schaltelements dem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements ein pulsbreitenmoduliertes Ansteuersignal zuführbar ist, und das Leistungshalbleiter-Schaltelement mit einer Gate-Ansteuerspannung oder über einen Gate-Widerstand angesteuert wird, die bzw. der auf der Grundlage der von der Temperaturerfassungseinheit erfassten Temperatur geändert wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturerfassungseinheit (11) eine Diode (15) zwischen dem Emitter-Steueranschluss oder dem Source-Steueranschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements und dem Gate-Anschluss des Leistungshalbleiter-Schaltelements aufweist, wobei die Temperatur des Leistungshalbleiter-Schaltelements auf der Grundlage eines Vorwärtsspannungsabfalls der Diode erfasst wird, und wobei die Gate-Treiberschaltung dazu ausgelegt ist, den Vorwärtsspannungsabfall der Diode während einer Ausschaltzeit des Leistungshalbleiter-Schaltelements zu erfassen.
  2. Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Diode, deren Vorwärtsspannungsabfall erfasst wird, in dem Leistungshalbleiter-Schaltelement eingebaut ist.
  3. Schaltung nach Anspruch 1, wobei das Leistungshalbleiter-Schaltelement ein SiC-Halbleiterelement ist.
  4. Schaltung nach Anspruch 1, wobei das Leistungshalbleiter-Schaltelement ein GaN-Halbleiterelement ist.
  5. Schaltung nach Anspruch 1, wobei das Leistungshalbleiter-Schaltelement ein Diamant-Halbleiterelement ist.
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