DE102006028093B4

DE102006028093B4 - Verstärkeranordnung und Verfahren zum Verstärken eines Signals

Info

Publication number: DE102006028093B4
Application number: DE102006028093.8A
Authority: DE
Inventors: Thomas Fröhlich; Nicole Heule
Original assignee: Austriamicrosystems AG
Current assignee: Ams AG
Priority date: 2006-06-19
Filing date: 2006-06-19
Publication date: 2014-07-03
Anticipated expiration: 2026-06-20
Also published as: US7791411B2; US20080036540A1; DE102006028093A1

Abstract

Verstärkeranordnung, aufweisend
– eine Eingangsstufe umfassend einen MOS-Transistor (1), der mit einem Eingang (2) zum Zuführen eines Eingangssignals (inp) verbunden ist,
– zumindest eine Ausgangsstufe (7), die an einem Eingang der Ausgangsstufe mit dem MOS-Transistor (1) gekoppelt ist und die an einem Ausgang (8) ein Ausgangssignal (out) bereitstellt, und
– einen Rückkopplungspfad (9), der den Ausgang der Ausgangsstufe (7) mit dem MOS-Transistor (1) verbindet,
– bei der die Eingangsstufe einen Widerstand (RD) zum Einstellen der Verstärkung der Eingangsstufe umfasst, der einen Anschluss der gesteuerten Strecke des MOS-Transistors (1) mit einem Versorgungs- oder Bezugspotentialanschluss (3) koppelt, und
– bei der die Eingangsstufe eine Bias-Stromquelle (4) umfasst, die mit dem MOS-Transistor (1) zu dessen Biasing verbunden ist,
– wobei der Widerstand (RD), der MOS-Transistor (1) und die Bias-Stromquelle in einem gemeinsamen Strompfad angeordnet sind.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verstärkeranordnung und ein Verfahren zum Verstärken eines Signals.
Beispielsweise MEMS(Micro Electro-Mechanical Systems)-Anwendungen erfordern häufig Signalverstärker mit geringem Flächenbedarf, geringer Eingangskapazität, hoher Eingangsimpedanz, geringem Strombedarf und geringem Rauschen. Weiter wünschenswert sind eine Rail-to-Rail AB Ausgangsstufe, Strom-Rückkopplung sowie Eingangssignalpegel bis zur Versorgungsspannung, zum Beispiel ein Eingangssignal bezogen auf negative oder positive Versorgung.
Bei einem herkömmlichen Verstärker kann mit einem Transistor in source-follower Konfiguration als Eingangsbuffer und einem nachgeschalteten Differenzverstärker eine ausreichende Verstärkung bereitgestellt werden. Der Differenzverstärker umfasst dabei ausgangsseitig einen Spannungsteiler mit einer Rückkopplung.
Bei einem solchen Verstärker ist jedoch problematisch, dass ein relativ hoher Rauschpegel vorhanden ist.
Alternativ könnte auch ein Eingangssignal verwendet werden, welches auf eine Referenz zwischen den Versorgungsspannungen bezogen ist. Dadurch wären jedoch der Stromverbrauch, die Komplexität der Schaltung und das Rauschen größer. Bei einer volldifferenziellen Stufe, die auf die Versorgungsspannung Vss bezogen wäre, wäre eine zusätzliche Gleichtaktpotenzialregelung erforderlich. Dies führte ebenfalls zu unerwünschter Schaltkreiskomplexität, Rauschen und Stromverbrauch. Man könnte noch alternativ einen Eingangstransistor eines Verstärkers in Source-Schaltung schalten. Dadurch wäre jedoch die Gate-Source-Kapazität am Eingangsknoten präsent. Dies würde zu unerwünschter Belastung der Signalquelle führen. Zudem könnten Streukapazitäten am Eingang nicht abgeschirmt werden.
In dem Dokument US 3,286,189 A ist ein mehrstufiger Verstärker mit JFET-Transistoren angegeben.
US 4,241,316 A zeigt einen FET-Transkonduktanzverstärker mit zwei seriell gestalteten Transistoren, die so vorgespannt werden, dass sie in einem Bereich mit begrenzter Ladungsträgergeschwindigkeit betrieben werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Verstärkeranordnung sowie ein Verfahren zum Verstärken eines Signals anzugeben, bei denen mit geringem Aufwand eine Signalverstärkung mit geringem Rauschen erzielbar ist.
Bezüglich der Anordnung wird die Aufgabe gelöst durch eine Verstärkeranordnung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1.
In einer Ausführungsform ist eine mehrstufige Verstärkeranordnung vorgesehen. Die Verstärkeranordnung umfasst eine Eingangsstufe mit nachgeschalteter Ausgangsstufe. Die Eingangsstufe selbst umfasst einen Transistor, dem an einem Eingang ein zu verstärkendes Eingangssignal zuführbar ist. Ein Ausgang der Eingangsstufe ist, gegebenenfalls über weitere Bauteile oder Funktionsblöcke, mit einem Eingang einer Ausgangsstufe gekoppelt. Die Ausgangsstufe stellt ein Ausgangssignal bereit, welches vom Eingangssignal der Eingangsstufe abgeleitet und verstärkt ist.
Der Rückkopplungspfad nach dem vorgeschlagenen Prinzip schließt nicht nur die Ausgangsstufe ein, sondern führt den Ausgang der Ausgangsstufe auf den Transistor zurück.
Nach dem vorgeschlagenen Prinzip ist aufgrund einer Signalverstärkung bereits in der Eingangsstufe das Rauschen deutlich verringert. Aufgrund der geschlossenen Regelschleife ist die Linearität hoch. Temperaturbedingte Streuungen, prozessbedingte Streuungen und versorgungsspannungsabhängige Streuungen sind gering.
Bevorzugt ist der Transistor der Eingangsstufe so verschaltet, dass an einem Steueranschluss des Transistors ein Eingang zum Zuführen des Eingangssignals der Verstärkeranordnung gebildet ist. Die Anschlüsse der gesteuerten Strecke des Transistors sind bevorzugt so verschaltet, dass einer der Anschlüsse einen Ausgang der Eingangsstufe bildet und mit der Ausgangsstufe verbunden ist und ein weiterer Anschluss der gesteuerten Strecke des Transistors der Eingangsstufe mit dem Rückkopplungspfad verbunden ist.
Der Transistor ist bevorzugt als PMOS-Transistor ausgebildet. Jedoch ist auch die Implementation mit NMOS möglich.
Der Rückkopplungspfad ist bevorzugt zur Einstellung der Verstärkung eingerichtet.
Beispielsweise kann der Rückkopplungspfad einen Serienwiderstand umfassen. Zusätzlich oder alternativ kann ein Querzweig vorgesehen sein. Der Querzweig ist bevorzugt mit einem Anschluss transistorseitig am Rückkopplungspfad angeschlossen. Der Querzweig umfasst beispielsweise eine Serienschaltung aus einem weiteren Widerstand oder/und einer Kapazität. Der Querzweig kann gegen ein Versorgungs- oder Bezugspotential geschaltet sein.
Die Ausgangsstufe selbst umfasst bevorzugt ebenfalls zumindest einen Transistor. Beispielsweise ist die Ausgangsstufe in einer Ausführungsform eine Klasse AB-Stufe.
Zur Vermeidung eines gegebenenfalls auftretenden, unerwünschten Millereffekts kann die Eingangsstufe zusätzlich zu dem Transistor ein Kaskodestufe umfassen. Die Kaskodestufe kann in einer Ausführungsform einen Kaskodetransistor umfassen. Der Kaskodetransistor ist bevorzugt zwischen den Transistor der Eingangsstufe und den Ausgang der Eingangsstufe geschaltet, an den die Ausgangsstufe angekoppelt ist.
Die Eingangsstufe umfasst eine Bias-Stromquelle.
Die Eingangsstufe umfasst einen Widerstand. Mit dem Widerstand kann die Verstärkung der Eingangsstufe eingestellt werden.
Alternativ kann an Stelle oder parallel zum Widerstand eine Stromquelle eingesetzt werden.
In einer Ausführung umfasst die Eingangsstufe einen Strompfad, der zwischen Versorgungs- und Bezugspotenzialanschluss geschaltet ist. Versorgungspotenzialseitig ist eine Bias-Stromquelle vorgesehen, an die sich in einer Serienschaltung der Transistor, gegebenenfalls der Ausgangstransistor sowie der Widerstand anschließt.
Der Transistor ist bevorzugt so verschaltet, dass zusätzlich zu seiner Funktion als Eingangsstufe eine Pegelumsetzung des Eingangssignals in ein vorverstärktes Zwischensignal erfolgt. Zusätzlich dient der Transistor zu einer Pegelumsetzung (DC-Versatz) zwischen Rückkopplungspfad und Eingangssignal.
Bezüglich des Verfahrens wird die Aufgabe durch ein Verfahren zum Verstärken eines Signals mit den Merkmalen des Anspruchs 10 gelöst.
In einer Weiterbildung ist vorgesehen, den Transistor zur Durchführung einer Pegelumsetzung zu verschalten.
Die Rückführung des Ausgangssignals zum Transistor umfasst bevorzugt ein Widerstandsnetzwerk, wobei das Widerstandsnetzwerk in einer Ausführung zumindest zwei Widerstände umfasst. Die Verstärkung ist in Abhängigkeit vom Widerstandsverhältnis einstellbar.
Das Zwischensignal wird bevorzugt an einem Anschluss der gesteuerten Strecke des Transistors abgegriffen, wobei das rückgeführte Ausgangssignal an einem anderen Anschluss der gesteuerten Strecke dem Transistor zugeführt wird.
Dem Transistor wird zusätzlich zum zu verstärkenden Eingangssignal und dem Rückführungssignal ein Bias-Strom zugeführt.
Eine Verstärkung einer Eingangsstufe, die den Transistor umfasst, ist mit dem am Transistor angeschlossenen Widerstand durchführbar.
Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen des vorgeschlagenen Prinzips sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen anhand von Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen:
1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer Verstärkeranordnung nach dem vorgeschlagenen Prinzip,
2 eine Weiterbildung der Schaltung von 1 mit Kaskode und
3 einen beispielhaften Schaltplan einer Ausführung des Verstärkers nach dem vorgeschlagenen Prinzip mit AB-Ausgangsstufe.
1 zeigt eine Verstärkeranordnung aufweisend eine Eingangsstufe und eine Ausgangsstufe. Die Eingangsstufe umfasst einen Transistor 1, der mit einem Eingang 2 zum Zuführen eines zu verstärkenden Signals inp verbunden ist. Der Transistor 1 ist dabei als Feldeffekttransistor vom P-Kanal MOS-Typ ausgebildet. An den Drain-Anschluss des Transistors 1 ist über einen Widerstand RD ein Bezugspotenzialanschluss 3 angeschlossen. Der Source-Anschluss des Transistors 1 hingegen ist über eine Bias-Stromquelle 4 mit einem Versorgungsspannungsanschluss 5 verbunden. Am Versorgungsspannungsanschluss 5 ist eine Versorgungsspannung Vsup zuführbar.
Die dem Transistor 1 inhärent zuzuordnende Gate-Source-Kapazität ist in 1 zur Erläuterung der Funktionsweise mit eingezeichnet, jedoch nicht notwendigerweise als diskretes Bauteil vorhanden.
Am Drain-Anschluss des Transistors 1 ist weiterhin ein Schaltungsknoten 6 gebildet. Der Schaltungsknoten 6 ist über eine Ausgangsstufe 7 mit einem Ausgang 8 der Verstärkeranordnung verbunden. Dort wird ein Ausgangssignal out bereitgestellt. Außerdem ist der Ausgang 8 über einen Rückkopplungszweig 9 mit dem Source-Anschluss des Transistors 1 verbunden und stellt dort ein Rückführungssignal inn bereit. Der Rückkopplungspfad 9 umfasst einen Serienwiderstand R1 sowie einen diesem nachgeschalteten Querzweig, der eine Serienschaltung umfassend einen Widerstand R2 und eine Kapazität C1 umfasst und gegen Bezugspotenzialanschluss 3 geschaltet ist.
Demnach umfasst die Eingangsstufe den Transistor 1, den Widerstand RD und die Bias-Stromquelle 4. Der Transistor 1 verstärkt das am Eingang 2 anliegende Eingangssignal inp und stellt am Schaltungsknoten 6 ein verstärktes Eingangssignal in Form eines Zwischensignals out1 bereit. Dieses bereits verstärkte Zwischensignal out1 wird von der Ausgangsstufe 7 weiter verstärkt.
Darüber hinaus führt der Transistor 1 eine Pegelumsetzung zwischen dem Eingang 2 und dem Schaltungsknoten 6 durch. Zusätzlich erfolgt eine Signalverstärkung. Die Verstärkung des Transistors 1 kann in erster Näherung aus dem Produkt der Steilheit gm des Transistors M1 und dem Widerstandswert des Widerstands RD berechnet werden.
Diese Doppelfunktion des Transistors 1 ist ein großer Vorteil, da das dominante Rauschen der Schaltung durch den Eingangstransistor 1 bedingt ist. Das Rauschen ist deutlich geringer als es wäre, wenn die Rückkopplung nicht den Transistor 1 mit einschließen würde. Da in der Schaltung nur eine Verstärkerstufe mit geringem Rauschen, englisch: LNA, Low Noise Amplifier nötig ist, ist der Stromverbrauch der Schaltung gering.
Das Eingangssignal inp und das rückgeführte Ausgangssignal inn können als Komponenten eines differenziellen Signaleingangs der Schaltung interpretiert werden. Somit umfasst die Eingangsstufe einen Differenzsignaleingang, bei dem an einem Anschluss 2 das Eingangssignal inp und an einem zweiten Anschluss das rückgeführte Ausgangssignal inn zugeführt werden. Zusätzlich entsteht ein DC-Versatz zwischen Eingangssignal inp und rückgeführtem Ausgangssignal inn, der als Pegelumsetzung zwischen Eingang und Ausgang ausgenutzt werden kann.
Aufgrund der geschlossenen Schleife ist die Linearität der Schaltung gut. Streuungen aufgrund von Temperaturschwankungen, Schwankungen der Fertigungsparameter sowie Schwankungen der Versorgungsspannung sind gering.
Der Bulk-Anschluss des Transistors 1, der vorliegend nicht eingezeichnet ist, kann entweder mit dem Source-Anschluss des Transistors verbunden werden oder mit einem anderen Schaltungsknoten. Das Anschließen an den Source-Anschluss hat den Vorteil, dass da die effektive Gate-Bulk-Kapazität reduziert ist.
Durch gute Abschirmung der positiven Eingangsspannung inp von dem negativen Eingang inn kann eine sehr geringe Eingangskapazität erreicht beziehungsweise diese noch weiter verringert werden. Somit ist es möglich, die effektiv am Eingang 2 wirksame parasitäre Gate-Source-Kapazität praktisch zu eliminieren.
Die Drain-Source-Kapazität des Transistors 1 kann zu einem Miller-Effekt führen, der bei bestimmten Signalfrequenzen zu unerwünschten Signaleigenschaften führen könnte. In diesem Fall kann beispielsweise dem Transistor 1 ein Kaskodetransistor 10 zugeordnet werden. Dies ist nachfolgend anhand von 2 erläutert.
2 zeigt eine Weiterbildung der Schaltung von 1, die dieser in Aufbau, den verwendeten Bauteilen, deren Verschaltung miteinander und der vorteilhaften Funktionsweise weitgehend entspricht. Zusätzlich ist jedoch ein Kaskodetransistor 10 vorgesehen, der zwischen den Drain-Anschluss des Transistors 1 und den Widerstand RD, somit den Schaltungsknoten 6, geschaltet ist. Der Eingang der Ausgangsstufe 7 ist weiterhin mit dem Schaltungsknoten 6 verbunden. Dem Eingang des Kaskodetransistors 10 ist bevorzugt ein konstantes Referenzpotenzial REF zuführbar.
Mit der zusätzlichen Kaskodestufe kann mit Vorteil der frequenzabhängige Miller-Effekt vermieden werden.
Selbstverständlich kann in alternativen Ausgestaltungen bezüglich 1 und 2 die Ausgangsstufe 7 auch mehrstufig ausgeführt sein, um einen drei-, vier- oder mehrstufigen Verstärker zu erzielen, je nach Anwendung.
Die vorgeschlagene Schaltung, wie sie beispielhaft anhand der 1 und 2 erläutert ist, eignet sich besonders als analoger Signalverstärker. Sie zeichnet sich durch niedrige effektive Eingangskapazität, hohe Eingangsimpedanz, kleinen Stromverbrauch und geringes Eingangsrauschen aus.
3 zeigt eine beispielhafte Ausführung des vorgeschlagenen Prinzips mit einem dreistufigen Verstärker, der sich in eine Eingangsstufe A1, eine Zwischenstufe A2 und eine Ausgangsstufe A3 gliedert. Nicht eingezeichnet bei 3 ist der Rückführungszweig 9, der den Ausgangsanschluss 8 mit dem Schaltungsknoten zwischen Transistor 1 und Bias-Stromquelle 4 verbindet, an dem das Rückführungssignal inn zuführbar ist. Dieser Rückführungspfad kann beispielsweise wie anhand von 1 und 2 erläutert ergänzt werden.
Zusätzlich zu der Eingangsstufe von 1 ist bei der Eingangsstufe A1 von 3 ein Widerstand 19 vorgesehen, der den Eingang 2 mit dem Bezugspotenzialanschluss 3 verbindet. Dadurch kann, je nach Signalquelle, der DC-Arbeitspunkt des Transistors 1 eingestellt werden.
Anstelle der Ausgangsstufe 7 von 1 ist bei 3 zwischen den Schaltungsknoten 6 und den Ausgang 8 eine mehrstufige Verstärkeranordnung umfassend die Zwischenstufe A2 und die Ausgangsstufe A3 geschaltet. Die Zwischenstufe A2 umfasst zwei weitere Transistoren 11, 12, die jeweils als N-Kanal MOS-Transistoren ausgebildet sind und deren Gate-Anschlüsse mit dem Schaltungsknoten 6 verbunden sind. Der Transistor 11 ist in einen Strompfad zwischen einen ersten Stromspiegel 13 und den Bezugspotenzialanschluss 3 geschaltet. Der dritte Transistor 12 ist in einen Strompfad zwischen eine weitere Bias-Stromquelle 14 und einen zweiten Stromspiegel 15 geschaltet.
Der erste und der zweite Stromspiegel 13, 15 haben jeweils zwei Ausgangszweige, die miteinander zur Bereitstellung von AB-Signalen für eine AB-Ausgangsstufe ausgebildet sind. Die beiden Schaltungsknoten der gemeinsamen Ausgangszweige der Stromspiegel 13, 15 sind einerseits mit Steueranschlüssen der Transistoren 16, 17 der Ausgangsstufe verbunden. Andererseits sind die Steueranschlüsse der Ausgangstransistoren 16, 17 mit einer AB-Steuerung 18 verbunden.
Die Transistoren 16, 17 bilden eine push-pull oder AB Ausgangsstufe A3 und sind in einer Serienschaltung zwischen den Versorgungspotenzialanschluss 5 und einen Bezugspotenzialanschluss 3 geschaltet, wobei zwischen den Drain-Anschlüssen der Transistoren 16, 17 der Ausgang 8 gebildet ist. Während der Transistor 16 der Ausgangsstufe als P-Kanal-Transistor ausgeführt ist, ist der Transistor 17 als N-Kanal-Transistor ausgebildet.
Bezugszeichenliste

1: Transistor
2: Eingang
3: Bezugspotenzialanschluss
4: Bias-Stromquelle
5: Versorgungspotenzialanschluss
6: Schaltungsknoten
7: Ausgangsstufe
8: Ausgang
9: Rückkopplungspfad
10: Kaskodetransistor
11: Transistor
12: Transistor
13: Stromspiegel
14: Bias-Stromquelle
15: Stromspiegel
16: Transistor
17: Transistor
18: AB-Steuereinrichtung
A1: Eingangsstufe
A2: Zwischenstufe
A3: Ausgangsstufe
C1: Kapazität
inn: Rückführungssignal
inp: Eingangssignal
out: Ausgangssignal
out1: Zwischensignal
RD: Widerstand
R1: Widerstand
R2: Widerstand

Claims

Verstärkeranordnung, aufweisend – eine Eingangsstufe umfassend einen MOS-Transistor (1), der mit einem Eingang (2) zum Zuführen eines Eingangssignals (inp) verbunden ist, – zumindest eine Ausgangsstufe (7), die an einem Eingang der Ausgangsstufe mit dem MOS-Transistor (1) gekoppelt ist und die an einem Ausgang (8) ein Ausgangssignal (out) bereitstellt, und – einen Rückkopplungspfad (9), der den Ausgang der Ausgangsstufe (7) mit dem MOS-Transistor (1) verbindet, – bei der die Eingangsstufe einen Widerstand (RD) zum Einstellen der Verstärkung der Eingangsstufe umfasst, der einen Anschluss der gesteuerten Strecke des MOS-Transistors (1) mit einem Versorgungs- oder Bezugspotentialanschluss (3) koppelt, und – bei der die Eingangsstufe eine Bias-Stromquelle (4) umfasst, die mit dem MOS-Transistor (1) zu dessen Biasing verbunden ist, – wobei der Widerstand (RD), der MOS-Transistor (1) und die Bias-Stromquelle in einem gemeinsamen Strompfad angeordnet sind.
Verstärkeranordnung nach Anspruch 1, bei der an einem ersten Anschluss der gesteuerten Strecke des MOS-Transistors (1) ein Eingang der zumindest einen Ausgangsstufe (7) angeschlossen ist und bei der an einem zweiten Anschluss der gesteuerten Strecke des MOS-Transistors (1) der Rückkopplungspfad (9) angeschlossen ist.
Verstärkeranordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der der MOS-Transistor (1) ein p-Kanal Feldeffekttransistor ist.
Verstärkeranordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der der MOS-Transistor (1) ein n-Kanal Feldeffekttransistor ist.
Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der der Rückkopplungspfad (9) einen zwischen den Ausgang der Ausgangsstufe (8) und den MOS-Transistor (1) geschalteten Widerstand (R1) umfasst.
Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der der Rückkopplungspfad (9) einen transistorseitig an den Rückkopplungspfad (9) angeschlossenen Querzweig umfasst, der eine Serienschaltung umfassend einen Widerstand (R2) und/oder eine Kapazität (C1) aufweist.
Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Eingangsstufe zur Pegelumsetzung des Eingangssignals (inp) eingerichtet ist.
Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der die Ausgangsstufe (7) zwei Transistoren (16, 17) umfasst, die von einer AB-Steuerschaltung (18) ansteuerbar sind.
Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die Eingangsstufe eine Kaskodestufe (10) umfasst.
Verfahren zum Verstärken eines Signals, umfassend – Verstärken eines Eingangssignals (inp) mit einem MOS-Transistor (1) und Bereitstellen eines vom Eingangssignal abgeleiteten Zwischensignals (out1), – Verstärken des Zwischensignals (out1) und Bereitstellen eines vom Zwischensignal abgeleiteten Ausgangssignals (out), – Rückführen eines vom Ausgangssignal (out) abgeleiteten Rückführungssignals (inn) zu dem MOS-Transistor (1), – bei dem dem MOS-Transistor (1) ein Bias-Strom (ibias) mittels einer Bias-Stromquelle zugeführt wird, – bei dem mit einem am MOS-Transistor (1) angeschlossenen Widerstand (RD) eine Verstärkung einer Eingangsstufe umfassend den MOS-Transistor (1) einstellbar ist, – wobei der Widerstand (RD), der MOS-Transistor (1) und die Bias-Stromquelle in einem gemeinsamen Strompfad angeordnet sind.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der MOS-Transistor (1) zur Durchführung einer Pegelumsetzung verschaltet ist.
Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, bei dem das Ausgangssignal (out) über ein Widerstandsnetzwerk (9) umfassend zumindest zwei Widerstände (R1, R2) rückgeführt wird, wobei die Verstärkung in Abhängigkeit vom Widerstandsverhältnis der zumindest zwei Widerstände (R1, R2) einstellbar ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, bei dem das Zwischensignal (out1) an einem Anschluss der gesteuerten Strecke des MOS-Transistors abgegriffen wird und das Ausgangssignal an einem anderen Anschluss der gesteuerten Strecke des MOS-Transistors rückgeführt wird.