DE102006002683A1 - Licht emittierendes Bauteil - Google Patents

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    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Abstract

Ein erfindungsgemäßes Licht emittierendes Bauteil ist mit Folgendem versehen: DOLLAR A - einem transparenten Substrat (110); DOLLAR A - einem Lichtemissionsstapel (130) über dem Substrat, der eine erste Streufläche (122) aufweist; und DOLLAR A - einer transparenten Klebeschicht (120) zwischen dem Substrat und der ersten Streufläche, wobei der Brechungsindex des Lichtemissionsstapels von dem der Klebeschicht verschieden ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Bauteil.
  • Licht emittierende Bauteile wurden bei einer großen Anzahl von Anwendungen eingesetzt, einschließlich optischen Displays, Verkehrsampeln, Datenspeichern, Kommunikationsgeräten, Beleuchtungsvorrichtungen sowie medizinischen Behandlungsgeräten. Ein wichtiger Punkt besteht darin, die Lichtemissionseffizienz derartiger Bauteile zu verbessern.
  • Gemäß der 1 wird, gemäß dem Brechungsgesetz, wenn Licht von einem Material mit dem Brechungsindex n1 zu einem anderen Material mit dem Brechungsindex n2 gerichtet wird, dasselbe gebrochen, wenn sein Einfallswinkel kleiner als ein kritischer Winkel Θc ist. Andernfalls wird das Licht an der Grenzfläche zwischen zwei Materialien total reflektiert. Anders gesagt, muss, wenn ein von einer Leuchtdiode (LED) erzeugter Lichtstrahl durch die Grenzfläche zwischen einem Material mit höherem Brechungsindex und einem solchen mit niedrigerem Brechungsindex läuft, der Winkel zwischen dem einfallenden und dem reflektierten Lichtstrahl 2Θc oder weniger betragen, damit das Licht nach außen emittiert wird. Dies bedeutet, dass dann, wenn das von einer LED erzeugte Licht von einer Epitaxieschicht mit höherem Brechungsindex zu einem Medium mit niedrigerem Brechungsindex läuft, wie einem Substrat, Luft usw., ein Teil des Lichts in das Medium hinein gebrochen wird, während ein anderer Teil des Lichts mit einem Eintrittswinkel über dem kritischen Winkel zur Epitaxieschicht der LED reflektiert wird. Da die Umgebung um die Epitaxieschicht der LED herum einen niedrigeren Brechungsindex aufweist, kann das reflektierte Licht mehrmals in die LED reflektiert werden, und schließlich wird ein bestimmter Anteil desselben absorbiert.
  • Gemäß der US-Patentveröffentlichung Nr. 2002/0017652 mit dem Titel "Semiconductor Chip for Optoelectronics" wird eine Epitaxieschicht eines Licht emittierenden Bauteils, die auf einem nicht transparenten Substrat ausgebildet ist, geätzt, um eine reflektierende Mikrostruktur mit einer Vielzahl von Halbkugeln, Pyramiden oder Kegeln zu bilden, und dann wird eine metallische Reflexionschicht auf der Epitaxieschicht abgeschieden. Die Oberseite der reflektierenden Mikrostruktur wird an einen leitenden Träger (Siliciumwafer) gebondet, und dann wird das nicht transparente Substrat der Epitaxieschicht entfernt. Das gesamte von der Licht emittierenden Schicht erzeugte Licht, das auf die reflektierende Mikrostruktur fällt, wird zur Epitaxieschicht zurück reflektiert und in einer Richtung orthogonal zu einer Licht emittierenden Fläche aus der LED emittiert. Daher ist das Licht nicht mehr durch den kritischen Winkel eingeschränkt.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Licht emittierendes Bauteil mit hoher Lichtentnahmeeffizienz und hoher Lichtemissionseffizienz zu schaffen.
  • Diese Aufgabe ist durch das Licht emittierende Bauteil gemäß dem Anspruch 1 gelöst. Bei diesem Bauteil sind ein transparentes Substrat und ein Lichtemissionsstapel mit einer Streufläche durch eine transparente Klebeschicht miteinander verbunden. Der Lichtemissionsstapel und die transparente Klebeschicht weisen jeweils einen anderen Brechungsindex auf, so dass die Möglichkeit einer Lichtentnahme aus dem Licht emittierenden Bauteil erhöht ist und damit auch die Lichtemissionseffizienz erhöht ist.
    •
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsformen näher erläutert.
  • 1 ist ein schematisches Diagramm zum Veranschaulichen des Brechungsgesetzes.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm, das ein Lichtfeld bei einer Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 3 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Licht emittierendes Bauteil gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 4 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Licht emittierendes Bauteil mit zwei Streuflächen gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 5 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Licht emittierendes Bauteil mit transparenten, leitenden Schichten gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 6 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Licht emittierendes Bauteil mit Reaktionsschichten gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 7 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Licht emittierendes Bauteil gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • 8 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Licht emittierendes Bauteil gemäß noch einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • Nun werden die derzeit bevorzugten Ausführungsformen, zu denen in den beigefügten Zeichnungen Beispiele veranschaulicht sind, detailliert erläutert. Wo immer es möglich ist, sind in den Zeichnungen und der Beschreibung dieselben Bezugszeichen dazu verwendet, dieselben oder ähnliche Teile zu kennzeichnen.
  • Gemäß der 2 wird, wenn von einer Lichtemissionsschicht 13 erzeugtes Licht 1A zu einer Streufläche S gerichtet wird, ein Teil desselben zu einem transparenten Substrat 10 reflektiert, um ein Lichtfeld 1B zu erzeugen, während ein anderer Teil des Lichts 1A durch die Streufläche S gestreut wird, um ein Lichtfeld 1C zu bilden. Die vorliegende Ausführungsform nutzt das Vorhandensein der Streufläche S, um dafür zu sorgen, dass das durch den kritischen Winkel eingeschränkte Licht nach der Streuung zur Lichtemissionsschicht 13 reflektiert wird und dass Licht an der Vorderseite derselben entnommen wird, so dass die Lichtentnahmeffizienz verbessert ist. Wenn ein Teil des gestreuten Lichts zur Streufläche S total reflektiert wird, wird es erneut gestreut, um seinen Einfallswinkel zu ändern, so dass die Lichtentnahmeeffizienz weiter verbessert wird. Daher wird das Licht unabhängig davon, wie häufig es interne Totalreflexion erfährt, durch die Streufläche S gestreut, wobei die Wahrscheinlichkeit der Lichtentnahme erhöht wird und die Lichtemissionseffizienz verbessert wird.
  • Gemäß der 3 verfügt ein Licht emittierendes Bauteil 100 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform über ein transparentes Substrat 110, eine transparente Klebeschicht 120, einen Lichtemissionsstapel 130, eine erste Elektrode 140 und eine zweite Elektrode 150. Bei dieser Ausführungsform ist das Material des transparenten Substrats 110 aus der aus GaP, SiC, Al2O3 und Glas bestehenden Gruppe ausgewählt. Die transparente Klebeschicht 120 ist auf dem transparenten Substrat 110 ausgebildet, wobei sie aus Polyimid, Benzocyclobuten (BCB), Perfluorcyclobutan (PFCB) oder Indiumzinnoxid bestehen kann. Der Lichtemissionsstapel 130 verfügt über eine erste Halbleiterschicht 132, eine Lichtemissionsschicht 134 und eine zweite Halbleiterschicht 136, wobei der Brechungsindex des Lichtemissionsstapels 130 von dem der transparen ten Klebeschicht 120 verschieden ist. Die erste Halbleiterschicht 132 ist über die transparente Klebeschicht 120 am transparenten Substrat 110 angebracht, und sie verfügt über eine zu dieser benachbarte Streufläche 122. Das Material der ersten Halbleiterschicht 132, der Lichtemissionsschicht 134 und der zweiten Halbleiterschicht 136 kann AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN oder AlInGaN sein. Die Oberseite der ersten Halbleiterschicht 132 verfügt über einen Epitaxiebereich und einen Elektrodenbereich. Die Lichtemissionsschicht 134 ist auf dem Epitaxiebereich der ersten Halbleiterschicht 132 ausgebildet. Die zweite Halbleiterschicht 136 ist auf der Lichtemissionsschicht 134 ausgebildet. Die erste Elektrode 140 ist auf dem Elektrodenbereich der ersten Halbleiterschicht 132 ausgebildet. Die zweite Elektrode 150 ist auf der zweiten Halbleiterschicht 136 ausgebildet. Gemäß der 4 kann die Oberseite der zweiten Halbleiterschicht 136 über eine weitere Streufläche 136a verfügen, wodurch die Lichtentnahmeeffizienz weiter verbessert wird.
  • Die erste Halbleiterschicht 132, die Lichtemissionsschicht 134 und die zweite Halbleiterschicht 136 auf dem transparenten Substrat 110, wie sie in den 3 und 4 dargestellt sind, werden durch ein Epitaxieverfahren hergestellt. Die Streuflächen 122 und 136a sind raue Oberflächen, und sie können während des Epitaxieprozesses ausgebildet werden. Sie können auch durch Ätzen eines Teils der ersten Halbleiterschicht 132 durch Nass- oder Trockenätzen, wie induktive Plasmaeinkopplung (ICP = Inductive Coupling Plasma), während des Epitaxieprozesses ausgebildet werden. Die mit dieser rauen Fläche versehene Leuchtdiode wird durch die transparente Klebeschicht 120 am transparenten Substrat 110 angebracht.
  • Bei einer anderen Ausführungsform verfügt die Streufläche 122 der ersten Halbleiterschicht 132 über eine Vielzahl von Mikrovorsprüngen, und sie ist mittels der transparenten Klebeschicht 120 am transparenten Substrat 110 angebracht. Die Form der Mikrovorsprünge kann die einer Halbkugel, einer Pyramide oder einer Vieleckpyramide sein. Aufgrund der Mikrovorsprünge ist die Streufläche aufgeraut und die Lichtentnahmeeffizienz ist verbessert.
  • Bei einer Ausführungsform, gemäß der 5, ist zwischen der ersten Elektrode 140 und der ersten Halbleiterschicht 132 selektiv eine erste transparente, leitende Schicht 180 angebracht. Diese besteht aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkaluminiumoxid oder Zinkzinnoxid. In ähnlicher Weise ist zwischen der zweiten Halbleiterschicht 136 und und der zweiten Elektrode 150 eine zweite transparente, leitende Schicht 190 aus einem der eben genannten Materialien selektiv angebracht.
  • Außerdem kann, gemäß der 6, zwischen dem transparenten Substrat 110 und der transparenten Klebeschicht 120 selektiv eine erste Reaktionsschicht 160 vorhanden sein, während eine zweite Reaktionsschicht 170 selektiv zwischen der transparenten Klebeschicht 120 und der ersten Halbleiterschicht 132 vorhanden sein kann, wodurch die Haftung der transparenten Klebeschicht 120 erhöht wird. Das Material der ersten und der zweiten Reaktionsschicht 160 und 170 kann SiNx, Ti oder Cr sein.
  • Die 7 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Licht emittierendes Bauteil 200 mit Vertikalstruktur gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigt. Das transparente Substrat 110 ist ein leitendes Substrat. Die erste Halbleiterschicht 132 mit der darunter vorhandenen zweiten Reaktionsschicht 170 ist mit einer transparenten Klebeschicht 120 im Gelzustand verbunden, und der vorstehende Teil der zweiten Reaktionsschicht 170 dringt durch die transparente Klebeschicht 120, um mit der ersten Reaktionsschicht 160 in Ohm'schem Kontakt zu stehen, wobei die erste und die zweite Reaktionsschicht 160 und 170 jeweils leitend sind. Auf der Unterseite des transparenten Substrats 110 und der Oberseite der zweiten Halbleiterschicht 136 sind eine erste Elektrode 140 bzw. eine zweite Elektrode 150 ausgebildet. In ähnlicher Weise ist zwischen der zweiten Elektrode 150 und der zweiten Halbleiterschicht 136 eine transparente, leitende Schicht (nicht dargestellt) selektiv vorhanden. Diese besteht aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkaluminiumoxid oder Zinkzinnoxid.
  • Das in der 8 dargestellte Licht emittierende Bauteil 300 verfügt über einen ähnlichen Aufbau wie das in der 3 dargestellte Bauteil 100. Der Unterschied zwischen ihnen besteht darin, dass eine transparente, leitende Klebeschicht 124 die transparente Klebeschicht 112 ersetzt, so dass das Licht emittierende Bauteil 300 vertikal elektrisch leitend ist. Die transparente, leitende Klebeschicht 124 besteht aus einem eigenleitenden Polymer oder einem Polymer, in dem ein leitendes Material verteilt ist. Das leitende Material ist Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid, Zinkzinnoxid, Au oder Ni/Au. Die erste Elektrode 140 ist unter dem transparenten, leitenden Substrat 112 ausgebildet, und die zweite Elektrode 150 ist auf der zweiten Halbleiterschicht 136 ausgebildet.
  • Bei einer Ausführungsform verfügt das Licht emittierende Bauteil 300 ferner über eine transparente, leitende Schicht (nicht dargestellt), die zwischen der zweiten Elektrode 150 und der zweiten Halbleiterschicht 136 angeordnet ist und aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkaluminiumoxid oder Zinkzinnoxid besteht.
  • Bei der Erfindung sind ein transparentes Substrat und ein Lichtemissionsstapel durch eine transparente Klebeschicht mit einer Streufläche miteinander kombiniert. Der Lichtemissionsstapel und die transparente Klebeschicht verfügen jeweils über einen anderen Brechungsindex, so dass die Möglichkeit einer Lichtentnahme aus dem Licht emittierenden Bauteil erhöht ist und damit die Lichtemissionseffizienz verbessert ist.

Claims (29)

  1. Licht emittierendes Bauteil mit: – einem transparenten Substrat (110); – einem Lichtemissionsstapel (130) über dem Substrat, der eine erste Streufläche (122) aufweist; und – einer transparenten Klebeschicht (120) zwischen dem Substrat und der ersten Streufläche, wobei der Brechungsindex des Lichtemissionsstapels von dem der Klebeschicht verschieden ist.
  2. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat aus einem Material besteht, das aus der aus GaP, SiC, Al2O3 und Glas bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  3. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente Klebeschicht aus einem Material besteht, das aus der aus Polyimid, Benzocyclobuten (BCB), Perfluorcyclobutan (PFCB) und Indiumzinnoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  4. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Streufläche eine raue Fläche ist.
  5. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die raue Fläche eine Vielzahl von Mikrovorsprüngen aufweist.
  6. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrovorsprünge eine Form aufweisen, die der einer Halbkugel, einer Pyramide, einer Vieleckpyramide und Kombinationen hiervon entspricht.
  7. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die raue Fläche eine konvex-konkave Fläche ist.
  8. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtemissionsstapel Folgendes aufweist: – eine erste Halbleiterschicht (132) über dem Substrat, die über die erste Streufläche (122) verfügt; – eine Lichtemissionsschicht (134) auf einem Teil der ersten Halbleiterschicht; und – eine zweite Halbleiterschicht (136) auf der Lichtemissionsschicht.
  9. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Halbleiterschicht eine zweite Streufläche (136a) aufweist.
  10. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode vorhanden sind, wobei sich die erste Elektrode dort auf der ersten Halbleiterschicht befindet, wo die Lichtemissionsschicht nicht angeordnet ist, und sich die zweite Elektrode auf der zweiten Halbleiterschicht befindet.
  11. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der ersten Elektrode und der ersten Halbleiterschicht eine erste transparente, leitende Schicht (180) vorhanden ist.
  12. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die erste transparente, leitende Schicht aus einem Material besteht, das aus der aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkaluminiumoxid und Zinkzinnoxid bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  13. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Reaktionsschicht (160) und eine zweite Reaktionsschicht (170) vorhanden sind, wobei die erste Reaktionsschicht zwischen dem transparenten Substrat und der transparenten Klebeschicht vorhanden ist und die zweite Reaktionsschicht zwischen der transparenten Klebeschicht und dem Lichtemissionsstapel vorhanden ist.
  14. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Reaktionsschicht aus SiNx, Ti oder Cr besteht.
  15. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Reaktionsschicht aus SiNx, Ti oder Cr besteht.
  16. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und/oder die zweite Reaktionsschicht leitend ist.
  17. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Streufläche (122) über eine Vielzahl von Mikrovorsprüngen verfügt und die zweite Reaktionsschicht dadurch mit der ersten Reaktionsschicht in Ohm'schem Kontakt steht, dass Vorsprünge vorhanden sind, die durch die transparente Klebeschicht hindurch stehen.
  18. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrovorsprünge eine Form aufweisen, die der einer Halbkugel, einer Pyramide, einer Vieleckpyramide und Kombinationen hiervon entspricht.
  19. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Streufläche (122) eine konvex-konkave Fläche ist und die zweite Reaktionsschicht dadurch mit der ersten Reaktionsschicht in Ohm'schem Kontakt steht, dass ein konvexer Teil der konvex-konkaven Fläche durch die transparente Klebeschicht dringt.
  20. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtemissionsstapel Folgendes aufweist: – eine erste Halbleiterschicht (132) über dem Substrat, die über die erste Streufläche (122) verfügt; – eine Lichtemissionsschicht (134) auf einem Teil der ersten Halbleiterschicht; und – eine zweite Halbleiterschicht (136) auf der Lichtemissionsschicht.
  21. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Substrat leitend ist.
  22. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Halbleiterschicht eine zweite Streufläche aufweist.
  23. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente Klebeschicht eine leitende Klebeschicht ist, die aus einem eigenleitenden Polymer oder einem Polymer, in dem ein leitendes Material verteilt ist, besteht.
  24. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass das Polymer mit einem darin verteilten leitenden Material aus Polymid, Benzocyclobuten (BCB) oder Perfluorcyclobutan (PFCB) besteht.
  25. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass das leitende Material aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkoxid, Zinkzinnoxid, Au oder Ni/Au besteht.
  26. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode vorhanden sind, wobei sich die erste Elektrode auf der zweiten Halbleiterschicht befindet und sich die zweite Elektrode unter dem transparenten Substrat befindet.
  27. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der zweiten Halbleiterschicht und der ersten Elektrode eine transparente, leitende Schicht vorhanden ist.
  28. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente, leitende Schicht aus Indiumzinnoxid, Cadmiumzinnoxid, Antimonzinnoxid, Zinkaluminiumoxid oder Zinkzinnoxid besteht.
  29. Licht emittierendes Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtemissionsstapel aus AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN oder AlInGaN besteht.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012003638A1 (de) * 2012-02-24 2013-08-29 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Leuchtdiode

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8063557B2 (en) * 2003-07-04 2011-11-22 Epistar Corporation Light-emitting device having wavelength-converting materials therewithin
DE102005055293A1 (de) * 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Dünnfilm-Halbleiterchip
DE102007004303A1 (de) 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund
DE102007004302A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
US9318327B2 (en) * 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
DE102007004304A1 (de) 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips
US20080277682A1 (en) * 2007-03-29 2008-11-13 The Regents Of The University Of California Dual surface-roughened n-face high-brightness led
EP2017898A1 (de) * 2007-07-17 2009-01-21 Vishay Israel Ltd. Lichtemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101449000B1 (ko) * 2007-09-06 2014-10-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102007060204B4 (de) * 2007-09-28 2019-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierender Halbleiterchip
TWI349221B (en) * 2008-02-05 2011-09-21 Au Optronics Corp Sensing structure of a display
US10147843B2 (en) * 2008-07-24 2018-12-04 Lumileds Llc Semiconductor light emitting device including a window layer and a light-directing structure
US20120056228A1 (en) * 2010-09-07 2012-03-08 Phostek, Inc. Led chip modules, method for packaging the led chip modules, and moving fixture thereof
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR101104645B1 (ko) * 2011-03-25 2012-01-16 (주)세미머티리얼즈 발광 소자 및 그의 제조 방법
US10158049B2 (en) 2011-08-30 2018-12-18 Lumileds Llc Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device
KR101662202B1 (ko) * 2013-10-01 2016-10-04 광주과학기술원 발광 다이오드
JP6387780B2 (ja) * 2013-10-28 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR20160024170A (ko) 2014-08-25 2016-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11690148B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US11073248B2 (en) * 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
KR101913855B1 (ko) * 2015-03-04 2018-11-23 제이디엠 주식회사 투명 인쇄회로기판과 이의 제조방법 및 이를 이용한 ｌｅｄ 모듈
JP6668608B2 (ja) * 2015-04-27 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2017147364A (ja) * 2016-02-18 2017-08-24 株式会社東芝 半導体モジュール
US10833222B2 (en) * 2016-08-26 2020-11-10 The Penn State Research Foundation High light extraction efficiency (LEE) light emitting diode (LED)
JP2018148094A (ja) * 2017-03-07 2018-09-20 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
JP2019212875A (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
KR102325791B1 (ko) * 2019-12-05 2021-11-12 웨이브로드 주식회사 반도체 발광소자
JP7011195B2 (ja) * 2020-02-27 2022-01-26 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
JP7354943B2 (ja) 2020-07-03 2023-10-03 信越半導体株式会社 接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法
JP7413941B2 (ja) 2020-07-03 2024-01-16 信越半導体株式会社 接合型半導体素子及び接合型半導体素子の製造方法
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2836687B2 (ja) * 1993-04-03 1998-12-14 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
EP0977280A3 (de) 1998-07-28 2008-11-26 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Hocheffiziente strahlungemittierende Vorrichtungen und Herstellungsverfahren
JP3758390B2 (ja) * 1998-12-14 2006-03-22 パイオニア株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
KR100700993B1 (ko) * 1999-12-03 2007-03-30 크리, 인코포레이티드 향상된 광 적출 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP3893874B2 (ja) * 1999-12-21 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
TW465123B (en) * 2000-02-02 2001-11-21 Ind Tech Res Inst High power white light LED
US6693352B1 (en) 2000-06-05 2004-02-17 Emitronix Inc. Contact structure for group III-V semiconductor devices and method of producing the same
TW472400B (en) * 2000-06-23 2002-01-11 United Epitaxy Co Ltd Method for roughing semiconductor device surface to increase the external quantum efficiency
US20020017652A1 (en) 2000-08-08 2002-02-14 Stefan Illek Semiconductor chip for optoelectronics
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
EP1225643A1 (de) 2001-01-23 2002-07-24 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Einseitige hocheffiziente Leuchtdiode und Herstellungsverfahren
TW544958B (en) 2002-07-15 2003-08-01 Epistar Corp Light emitting diode with an adhesive layer and its manufacturing method
JP4121551B2 (ja) * 2002-10-23 2008-07-23 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2004235505A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及び半導体素子用オーミック電極構造
TW571449B (en) 2002-12-23 2004-01-11 Epistar Corp Light-emitting device having micro-reflective structure
TW579610B (en) * 2003-01-30 2004-03-11 Epistar Corp Nitride light-emitting device having adhered reflective layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012003638A1 (de) * 2012-02-24 2013-08-29 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Leuchtdiode

Also Published As

Publication number Publication date
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