KR20060086272A - 발광 소자 - Google Patents

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KR20060086272A
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Abstract

투명 기판, 발광 적층체 및 투명 접착층을 포함하는 발광 소자가 제공된다. 상기 발광 적층체는 상기 투명 기판 상부에 배치되며 확산 표면을 포함한다. 상기 투명 접착층은 상기 투명 기판과 상기 발광 적층체의 상기 확산 표면 사이에 배치된다. 상기 발광 적층체의 굴절률은 상기 투명 접착층의 굴절률과 상이하다.

Description

발광 소자{Light Emitting Device}
도 1은 스넬의 법칙(Snell's law)을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 광 영역을 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 두 개의 확산 표면들을 포함하는 발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 투명 도전층들을 포함하는 발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 반응층들을 포함하는 발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
100, 200, 300：발광 소자 110：투명 기판
120：투명 접착층 122：확산 표면
130：발광 적층체 132：제1 반도체층
134：발광층 136：제2 반도체층
140：제1 전극 150：제2 전극
본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 확산 표면을 포함하는 발광 소자에 관한 것이다.
발광 소자는 광학 표시장치(optical display), 교통 신호등, 데이터 저장 장치, 통신 장치, 조명 장치 및 의학 장비 등과 같은 다양한 분야에서 널리 사용되고 있다. 발광 소자의 발광 효율을 어떻게 높이느냐 하는 것은 상기 발광 소자와 관련된 기술분야에서 중요한 문제이다.
도 1을 참조하면, 스넬의 법칙(Snell's law)에 따라, 굴절률 n1을 갖는 물질로부터 굴절률 n2를 갖는 다른 물질로 광이 진행할 때, 입사 각도가 임계 각도(θc)보다 작으면 그 광은 굴절된다. 그렇지 않을 경우 광은 두 물질 사이의 계면으로부터 전부 반사된다. 다시 말하면, 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)로부터 발생된 광선이 더 높은 굴절률을 갖는 물질로부터 더 낮은 굴절률을 갖는 물질로 계면을 통하여 진행할 때, 광이 반사되기 위해서는 입사광과 반사광 사이의 각도가 2θc와 같거나 작아야 한다. 이는, 발광 다이오드(LED)로부터 발생된 광이 더 높은 굴절률을 갖는 에피택셜층으로부터 더 낮은 굴절률을 갖는 기판이나 대기와 같은 매개체로 진행할 때, 광의 일부는 상기 매개체로 굴절되고 임계 각도보다 큰 입사 각도를 갖는 광의 다른 일부분은 발광 다이오드(LED)의 에피택셜층으로 반사된다는 것을 의미한다. 발광 다이오드(LED)의 에피택셜 주위의 환경은 더 낮은 굴절률을 갖고 있기 때문에, 반사된 광은 발광 다이오드(LED) 내부로 반사될 수 있고 따라서 상기 반사된 광의 일부는 흡수될 수 있다.
발명의 명칭이 "광전자 공학용 반도체 칩(semiconductor chip for optoelectronics)" 인 미국공개특허 제2002/0017652호에는, 불투명 기판 상에 형성된 발광 소자의 에피택셜층을 식각하여 복수 개의 반구형, 피라미드형 또는 원뿔형의 형상을 갖는 미세 반사 구조물을 형성하고, 상기 에피택셜층 상에 금속 반사층을 적층시킨다. 상기 미세 반사 구조물의 상부는 도전성 캐리어(실리콘 기판)에 연결되고, 상기 에피택셜층의 상기 불투명 기판은 제거된다. 상기 발광층으로부터 발생하여 상기 미세 반사 구조물로 입사된 모든 광은 상기 에피택셜층으로 재반사되어 발광 다이오드(LED)로부터 발광 표면에 대하여 수직인 방향으로 방사된다. 따라서, 상기 광은 임계 각도에 의해 더 이상 제한받지 않게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 발광 소자의 발광 적층체에 형성된 확산 표면을 이용하여 광 추출(light extraction) 효율을 증가시키고 발광(light emitting) 효 율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 광 추출 효율을 증가시키고 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면 투명 기판, 발광 적층체 및 투명 접착층을 포함하는 발광 소자가 제공된다. 상기 발광 적층체는 상기 투명 기판 상에 배치되며 확산 표면을 가진다. 상기 투명 접착층은 상기 투명 기판 및 상기 발광 적층체의 상기 확산 표면 사이에 배치되며, 상기 발광 적층체의 굴절률은 상기 투명 접착층의 굴절률과 다르다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 투명 기판을 구성하는 물질은 GaP, SiC, Al2O3 및 유리로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 적층체를 구성하는 물질은 AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN 및 AlInGaN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 투명 접착층을 구성하는 물질은 폴리이미드, 벤조싸이클로부텐(BCB), 프리플루오르싸이클로부탄(PFCB) 및 인듐 주석 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 확산 표면은 거친 표면을 가진다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 거친 표면은 복수의 미세 돌출부들를 포함한다. 상기 미세 돌출부들은 반구형, 피라미드형, 다각뿔형(pyramid polygon) 및 이들의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 형상을 가진다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 거친 표면은 요철 형상의 표면을 가진 다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 적층체는 제1 반도체층, 발광층 및 제2 반도체층을 포함한다. 상기 제1 반도체층은 상기 기판 상부에 배치되며 상기 제1 확산 표면을 가진다. 상기 발광층은 상기 제1 반도체층의 일부 상에 배치되고 확산 표면을 가진다. 상기 제2 반도체층은 상기 발광층 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반도체층은 다른 확산 표면을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함한다. 상기 제1 전극은 상기 발광층이 위치하지 않은 상기 제1 반도체층 상에 배치되고 상기 제2 전극은 상기 제2 반도체층 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 상기 제1 전극과 제1 반도체층 사이에 배치된 제1 투명 도전층을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 투명 도전층은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 알루미늄 산화물 및 아연 주석 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 제1 반응층 및 제2 반응층을 더 포함한다. 상기 제1 반응층은 상기 투명 기판 및 상기 투명 접착층 사이에 배치되고, 상기 제2 반응층은 상기 투명 접착층 및 상기 발광 적층체 사이에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 반응층은 도전성이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반응층은 도전성이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 반응층은 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반응층은 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반응층은 상기 투명 접착층을 관통하는 돌출부로 인하여 상기 제1 반응층과 오믹 콘택을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반응층은 상기 투명 접착층을 관통하는 상기 요철 형상의 표면 중 볼록한 부분으로 인하여 상기 제1 반응층과 오믹 콘택을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 적층체는 제1 반도체층, 발광층 및 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층은 상기 투명 기판 상부에 배치되며 상기 제1 확산 표면을 가진다. 상기 발광층은 상기 제1 반도체층 상에 배치된다. 상기 제2 반도체층은 상기 발광층 상에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 투명 기판은 도전성이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 투명 접착층은 도전성 접착층이고 상기 투명 도전성 접착층은 고유 도전성인 중합체 및 내부에 도전성 물질이 분포된 중합 체로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 도전성 물질이 분포된 중합체는 폴리이미드, 벤조싸이클로부텐(BCB) 및 프리플루오르싸이클로부탄(PFCB)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 도전성 물질은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 산화물, 아연 주석 산화물, Au 및 Ni/Au로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함한다. 상기 제1 전극은 상기 제2 반도체층 상에 배치되고 상기 제2 전극은 상기 투명 기판 하부에 배치된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 상기 제2 반도체층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되는 투명 도전층을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 알루미늄 산화물 및 아연 주석 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함한다.
본 발명에 따르면, 투명 접착층에 의해 투명 기판과 확산 표면을 가지는 발광 적층체를 함께 결합한다. 상기 발광 적층체 및 투명 접착층은 서로 다른 굴절률을 가짐으로써 상기 발광 소자의 광 추출 가능성 이 증가되고 발광 효율 또한 향상된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 및 상세한 설명에서 동일한 참조 부호는 동일하거나 유사한 부재를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 광 영역(light field)을 나타내는 개략도이다. 도 2를 참조하면, 발광층(13)으로부터 발생된 광(1A)이 확산 표면(S)을 향하여 진행할 때, 광(1A)의 일부는 투명 기판(10)으로 굴절되어 광 영역(1B)을 형성하고, 광(1A)의 다른 일부는 확산 표면(S)에 의해 확산되어 광 영역(1C)을 형성한다. 본 발명에 따르면, 확산 표면(S)을 이용하여 임계 각도의 범위 내로 제한되는 광이 확산 후에 발광층(13)으로 반사되도록 하여 상기 광이 발광층(13)의 전면에서 추출됨으로써, 광 추출 효율을 증가시키게 된다. 상기 확산된 광의 일부가 확산 표면(S)으로 전반사될 경우, 상기 광은 다시 확산되어 입사 각도가 변화되며, 이에 따라 광 추출 효율이 향상된다. 따라서, 상기 광이 많은 내부 전반사를 거치더라도 상기 광은 확산 표면(S)에 의해 확산되어 광이 추출될 가능성을 높이고 발광 효율이 증가하게 된다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 3을 참조하면, 발광 소자(100)는 투명 기판(110), 투명 접착층(120), 발광 적층체(stack)(130), 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 투명 기판(110)을 이루는 물질은 GaP, SiC, Al2O3 및 유리로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나의 물질이다. 투명 접착층(120)은 투명 기판(110) 상에 형성되며, 투명 접착층(120)을 구성하는 물질은 폴리이미드 (polyimide), 벤조싸이클로부텐(benzocyclobutene; BCB), 프리플루오르싸이클로부탄(prefluorocyclobutane; PFCB) 또는 인듐 주석 산화물일 수 있다. 발광 적층체(130)는 제1 반도체층(132), 발광층(134) 및 제2 반도체층(136)을 포함하며, 발광 적층체(130)의 굴절률은 투명 접착층(120)의 굴절률과는 상이하다. 제1 반도체층(132)은 투명 접착층(120)을 통해 투명 기판(110)에 접착되며, 투명 접착층(120)에 접하는 확산 표면(122)을 포함한다. 제1 반도체층(132), 발광층(134) 및 제2 반도체층(136)을 구성하는 물질은 AlGaInP, AlN, GaN, AlGaN, InGaN 또는 AlInGaN일 수 있다. 제1 반도체층(132)의 상부 표면은 에피택시(epitaxy) 영역 및 전극 영역을 포함한다. 발광층(134)은 제1 반도체층(132)의 상기 에피택시 영역 상에 형성된다. 제2 반도체층(136)은 발광층(134) 상에 형성된다. 제1 전극(140)은 제1 반도체층(132)의 상기 전극 영역 상에 형성된다. 제2 전극(150)은 제2 반도체층(136) 상에 형성된다. 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 두 개의 확산 표면들을 갖는 발광 소자의 개략적인 단면도를 도시한 것이다. 도 4를 참조하면, 제2 반도체층(136)의 상부 표면은 추가 확산 표면(136a)을 더 포함함으로써 광 추출 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 투명 기판(110) 상에 제1 반도체층(132), 발광층(134) 및 제2 반도체층(136)을 형성하는 방법은 에피택시 공정을 이용한다. 확산 표면들(122, 136a)은 거친 표면들을 가지며 상기 에피택시 공정 동안 형성될 수 있다. 또한, 확산 표면들(122, 136a)은 상기 에피택시 공정 동안 습식 식각 또는 유도 커플링 플라즈마(Inductive Coupling Plasma; ICP)와 같은 건식 식각 공정 을 통해 제1 반도체층(132)의 일부를 식각하여 형성될 수 있다. 상기 거친 표면을 갖는 발광 다이오드는 투명 접착층(120)에 의해 투명 기판(110)에 접착된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제1 반도체층(132)의 확산 표면(122)은 복수의 미세 돌출부들(micro protrusions)을 포함할 수 있으며, 투명 접착층(120)을 통해 투명 기판(110)에 접착된다. 상기 미세 돌출부들의 형상은 각기 반구형, 피라미드형 또는 다각뿔형(pyramid polygon)이거나 이들 형상이 조합된 형상을 가질 수 있다. 상기 미세 돌출부들로 인하여, 확산 표면(122)은 거칠게 되며 광 추출 효율이 향상된다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 투명 도전층들을 갖는 발광 소자의 개략적인 단면도를 도시한 것이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따라 제1 투명 도전층(180)이 제1 전극(140)과 제1 반도체층(132) 사이에 선택적으로 배치된다. 제1 투명 도전층(180)을 이루는 물질은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 알루미늄 산화물 또는 아연 주석 산화물을 포함한다. 이와 유사하게, 제2 투명 도전층(190)이 제2 반도체층(136)과 제2 전극(150) 사이에 선택적으로 배치된다. 제2 투명 도전층(190)을 이루는 물질은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 알루미늄 산화물 또는 아연 주석 산화물을 포함한다.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반응층들을 갖는 발광 소자의 개략적인 단면도를 도시한 것이다. 도 6을 참조하면, 제1 반응층(reaction layer)(160)이 투명 기판(110)과 투명 접착층(120) 사이에 선택적으로 더 배치될 수 있으며, 제2 반응층(170)이 투명 접착층(120)과 제1 반도체층(132) 사이에 선택적으로 더 배치됨으로써, 투명 접착층(120)의 접착력을 증가시킬 수 있다. 제1 반응층(160) 및 제2 반응층(170)을 구성하는 물질은 SiNX, Ti 또는 Cr일 수 있다.
도 7은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 수직 구조의 발광 소자(200)의 개략적인 단면도를 도시한 것이다. 도 7을 참조하면, 투명 기판(110)은 도전성 기판이다. 제1 반도체층(132)은 하부의 제2 반응층(170)과 함께 겔(gel) 상태의 투명 접착층(120)에 연결되고, 제1 반응층(160) 및 제2 반응층(170)이 모두 도전성을 가지므로 제2 반응층(170)의 돌출된 부분은 투명 접착층(120)을 관통하여 제1 반응층(160)과 오믹 콘택(ohmic contact)을 형성한다. 제1 전극(140) 및 제2 전극(150)은 각기 투명 기판(110)의 하부 표면 및 제2 반도체층(136)의 상부 표면상에 형성된다. 이와 유사하게, 투명 도전층(도시되지 않음)이 제2 전극(150) 및 제2 반도체층(136) 사이에 선택적으로 배치된다. 상기 투명 도전층을 이루는 물질은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 알루미늄 산화물 또는 아연 주석 산화물을 포함한다.
도 8은 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따른 발광 소자의 개략적인 단면도를 도시한 것이다. 도 8을 참조하면, 발광 소자(300)의 구조는 도 3에 도시된 발광 소자(100)의 구조와 유사하다. 이들 사이의 차이점은 투명 도전성 접착층(124)이 투명 접착층(120)을 대체하고, 투명 기판(110)이 투명 도전성 기판(112)에 의해 대체되어 발광 소자(300)가 전기적으로 도전성이고 수직형인 점이다. 투명 도전성 접착층(124)은 고유 전도성(intrinsically conductive)인 중합체(polymer) 또는 내부에 도전성 물질이 분포된 중합체로 이루어진다. 상기 도전성 물질은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 산화물, 아연 주석 산화물, Au 또는 Ni/Au를 포함한다. 제1 전극(140)은 투명 도전성 기판(112) 하부에 형성되고, 제2 전극(150)은 제2 반도체층(136) 상에 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 소자(300)는 제2 전극(150) 및 제2 반도체층(136) 사이에 투명 도전층(도시되지 않음)을 더 포함한다. 상기 투명 도전층을 이루는 물질은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 알루미늄 산화물 또는 아연 주석 산화물을 포함한다.
본 발명에 따르면, 확산 표면을 포함하는 투명 접착층에 의해 투명 기판과 발광 적층체가 함께 결합된다. 상기 발광 적층체 및 투명 접착층은 서로 다른 굴절률을 가짐으로써 발광 소자의 광 추출 가능성이 증가되고 발광 효율 또한 향상된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (28)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상부에 배치되며 제1 확산 표면을 포함하는 발광 적층체; 및
    상기 투명 기판과 상기 제1 확산 표면 사이에 배치되는 투명 접착층을 포함하며, 상기 발광 적층체의 굴절률이 상기 투명 접착층의 굴절률과 다른 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 투명 기판은 GaP, SiC, Al2O3 및 유리로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 투명 접착층은 폴리이미드(polyimide), 벤조싸이클로부텐(benzocyclobutene; BCB), 프리플루오르싸이클로부탄(prefluorocyclobutane; PFCB) 및 인듐 주석 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 확산 표면은 거친 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 거친 표면은 복수의 미세 돌출부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 미세 돌출부들은 반구형, 피라미드형, 다각뿔형 및 이들의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 거친 표면은 요철 형상의 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 적층체는,
    상기 투명 기판 상부에 배치되며 상기 제1 확산 표면을 갖는 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층의 일부 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제2 반도체층은 제2 확산 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  10. 제 8 항에 있어서, 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하며, 상기 제1 전극은 상기 발광층이 위치하지 않은 상기 제1 반도체층 상에 배치되고 상기 제2 전극은 상기 제2 반도체층 상에 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제1 반도체층 사이에 배치되는 제1 투명 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 알루미늄 산화물 및 아연 주석 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  13. 제 1 항에 있어서, 제1 반응층 및 제2 반응층을 더 포함하며, 상기 제1 반응층은 상기 투명 기판 및 상기 투명 접착층 사이에 배치되고, 상기 제2 반응층은 상기 투명 접착층 및 상기 발광 적층체 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 반응층은 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 제2 반응층은 SiNx, Ti 및 Cr로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 반응층 및 상기 제2 반응층 중 적어도 하나는 도전성인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  17. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 확산 표면은 복수의 미세 돌출부들을 포함하며, 상기 제2 반응층은 상기 투명 접착층을 관통하는 돌출부로 인하여 상기 제1 반응층과 오믹 콘택(ohmic contact)을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 미세 돌출부들은 반구형, 피라미드형, 다각뿔형 및 이들의 조합으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 확산 표면은 요철 형상의 표면을 포함하며, 상기 제2 반응층은 상기 투명 접착층을 관통하는 상기 요철 형상의 표면 중 볼록한 부분으로 인하여 상기 제1 반응층과 오믹 콘택을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 적층체는,
    상기 투명 기판 상부에 배치되고 상기 제1 확산 표면을 가지는 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층 상에 배치되는 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치되는 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 투명 기판은 도전성인 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  22. 제 20 항에 있어서, 상기 제2 반도체층은 제2 확산 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  23. 제 20 항에 있어서, 상기 투명 접착층은 도전성 접착층이고, 상기 투명 도전성 접착층은 고유 도전성인 중합체 및 내부에 도전성 물질이 분포된 중합체로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 도전성 물질이 분포된 중합체는 폴리이미드, 벤조싸이클로부텐 및 프리플루오르싸이클로부탄으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  25. 제 23 항에 있어서, 상기 도전성 물질은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 산화물, 아연 주석 산화물, Au 및 Ni/Au로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  26. 제 20 항에 있어서, 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하며, 상기 제1 전극은 상기 제2 반도체층 상에 배치되고 상기 제2 전극은 상기 투명 기판 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 제2 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 배치되는 투명 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 안티몬 주석 산화물, 아연 알루미늄 산화물 및 아연 주석 산화물로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
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