DE102006002151B4 - Licht emittierende Vorrichtung - Google Patents
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- -1 nitride nitride Chemical class 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
eine erste und zweite leitfähige Nitridschicht; und eine Vielzahl aktiver Bereiche, die Licht mit unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, und nacheinander zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Nitridschicht gebildet sind,
wobei die aktiven Bereiche wenigstens einen ersten aktiven Bereich mit einer Vielzahl von ersten Quantenbarriereschichten und Quantentrogschichten und einen zweiten Bereich aufweisen, der Licht mit einer Wellenlänge emittiert, die größer ist als die des ersten aktiven Bereichs, und
wobei nur der zweite aktive Bereich eine Vielzahl von zweiten Quantenbarriereschichten und wenigstens eine unterbrochene Quantentrogstruktur aufweist, die zwischen der Vielzahl zweiter Quantenbarriereschichten gebildet ist, wobei die unterbrochene Quantentrogstruktur jeweils eine Vielzahl an Quantenpunkten oder Kristalliten aufweist, wobei die Quantenbarriereschichten und Quantentrogstrukturen des ersten und zweiten aktiven Bereichts unmittelbar aufeinander folgen.
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine weißes Licht emittierende Vorrichtung. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine monolithische weißes Licht emittierende Vorrichtung, welche wenigstens 2 aktive Bereiche aufweist, die Licht von unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, und als einzelne Vorrichtung gestaltet ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben.
- Beschreibung des Stands der Technik
- Im Allgemeinen stellt eine weißes Licht emittierende Vorrichtung, bei welcher eine Leuchtdiode (LED = light emitting diode) verwendet wird, eine hohe Helligkeit und eine hohe Effizienz sicher, wodurch diese weit verbreitet als Hintergrundbeleuchtung für Leuchtgeräte oder Anzeigegeräte verwendet wird.
- Wohlbekannte Prozesse zum Gestalten der weißes Licht emittierenden Vorrichtung beinhalten die einfache Kombination von blauen, roten und grünen LEDs, die als getrennte LED hergestellt werden, und die Verwendung einer fluoreszierenden Substanz. Die Kombination aller verschiedenfarbiger LEDs auf der gleichen Leiterplatte erfordert somit einen komplizierten Treiberschaltkreis, was zu einem Begleitnachteil in Form von Schwierigkeiten der Miniaturisierung führt. Folglich wird üblicherweise ein Herstellungsprozess der weißes Licht emittierenden Vorrichtung mittels einer fluoreszierenden Substanz verwendet.
- Herkömmliche Herstellungsprozesse für die weißes Licht emittierende Vorrichtung mittels einer fluoreszierenden Substanz beinhalten die Verwendung einer blaues Licht emittierenden Vorrichtung und die Verwendung einer ultraviolettes Licht emittierenden. Vorrichtung. Zum Beispiel wird in dem Fall, dass eine blaues Licht emittierende Vorrichtung verwendet wird, eine YAG fluoreszierende Substanz verwendet, um blaues Licht in weißes Licht umzuwandeln. Das heißt, von einer blauen LED erzeugte blaue Wellenlänge regt Yttrium Aluminium Garnet (YAG) an, um schließlich weißes Licht zu produzieren.
- Jedoch sind die soeben beschriebenen herkömmlichen Prozesse darin beschränkt, gute Farben zu erhalten, da fluoreszierendes Pulver nachteilig die Eigenschaften der Vorrichtung beeinflusst, und Lichteffizienz und Farbkompensationsindex das Anregen der fluoreszierenden Substanz verringern.
- In einem Versuch, solche Probleme zu lösen, wird gerade eine Studie durchgeführt bezüglich der monolithischen weißes Licht emittierenden Vorrichtung, welche eine Vielzahl aktiver Bereiche aufweist, die Licht unterschiedlicher Wellenlänge ohne fluoreszierende Substanz aufweisen. Als eine Art monolithische weißes Licht emittierende Vorrichtung wird in
US 5 684 309 A ein weißes Licht emittierende Vorrichtung offenbart, wie in1 dargestellt. - Wie in
1 dargestellt, weist die weißes Licht emittierende Vorrichtung10 eine erste leitfähige Nitridschicht13 und eine zweite Nitridschicht18 auf, die auf einem Träger11 gebildet ist, mit einer Pufferschicht12 , die zwischen den Träger11 und die erste leitfähige Nitridschicht13 eingeschoben ist. Zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Nitridschicht13 ,18 befinden sich eine erste, zweite und dritte aktive Schicht15 ,16 ,17 , die Licht mit 3 unterschiedlichen Wellenlängen emittieren, sowie Barriereschichten14a ,14b ,14c ,14d . Ebenfalls sind auf der ersten und zweiten leitenden Nitridschicht13 ,18 erste und zweite Elektroden19a ,19b vorgesehen. - In einer in
1 dargestellten Struktur weisen der erste bis dritte aktive Bereich15 ,16 ,17 eine Zusammensetzung auf, die durch InxGa1-xN (x ist eine Variable) ausgedrückt wird, um jeweils blaues, grünes und rotes Licht zu emittieren. Blaues grünes und rotes Licht, das von jedem aktiven Bereich15 ,16 ,17 erhalten wird, wird kombiniert, um schließlich das gewünschte weiße Licht zu erzeugen. - Jedoch weist die in der genannten Schrift offenbarte weißes Licht emittierende Vorrichtung keine hohe Lichtausbeute auf, und die drei Farben zum Erhalten des weißen Lichts können nicht gleich verteilt werden. Dies hat, wie in
2 dargestellt, den Grund, dass der aktive Bereich17 , welcher rotes Licht emittiert, eine Energiebandlücke Eg3 aufweist, der wesentlich geringer ist als die Energiebandlücken Eg1, Eg2 der aktiven Bereiche15 ,16 , welche blaues und grünes Licht emittieren. Zum Beispiel sind die Energiebandlücken Eg1, Eg2 der aktiven Bereiche15 ,16 , welche blaues und grünes Licht emittieren, jeweils ungefähr 2,7 eV, 2,4 eV, wohingegen die Energiebandlücke Eg3 des aktiven Bereichs17 , welcher rotes Licht emittiert, mit ungefähr 1,8 eV einen relativ geringen Wert hat. - Gleichermaßen hat die geringe Energiebandlücke Eg3 des aktiven Bereichs
17 mit langer Wellenlänge Ladungsträgerlokalisierung zur Folge, da Ladungsträger, die von der zweiten leitfähigen Nitridschicht18 bereitgestellt werden, nicht den aktiven Bereich17 , welcher rotes Licht emittiert, passieren. Als Folge sind die meisten Ladungsträger in dem aktiven Bereich17 , welcher rotes Licht emittiert, darin eingeschränkt, in Licht umgewandelt zu werden, wodurch es weniger wahrscheinlich wird, dass sie den blauen und grünen aktiven Bereich15 ,16 erreichen. Dies wird in dem Fall verschlimmert, wenn die zweite leitfähige Nitridschicht18 eine p-Typ Nitridschicht ist, da die in dem aktiven Bereich17 , welcher rotes Licht emittiert, eingeschränkten Ladungsträger eine geringere Beweglichkeit aufweisen als Elektronen. - Die herkömmliche weißes Licht emittierende Vorrichtung weist eine maßgeblich geringere Rekombinationseffizienz des aktiven Bereichs mit kurzer Wellenlänge aufgrund von Einschränkungen der Ladungsträger durch aktive Bereiche mit langer Wellenlänge auf. Somit kann kein weißes Licht durch genaue Farbverteilung erhalten werden.
- Aus der
US 2005/0 092 980 A1 - Aus der
US 6 445 009 B1 ist eine Vorrichtung mit einem Siliziumsubstrat bekannt, wobei eine Beschichtung mit wenigstens einer Lage vorgesehen ist, die aus einer Ebene von GaN- oder GaInN-Quantenpunkten gebildet wird, die in einer entsprechenden Schicht aus AlN oder GaN bei Raumtemperatur sichtbares Licht emittieren. - Die
US 2005/0067627 A1 - ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die vorgenannten Probleme im Stand der Technik zu lösen, und es ist somit ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine neue monolithische Licht emittierende Vorrichtung vorzusehen, welche die Rekombinationseffizienz eines aktiven Bereichs mit kurzer Wellenlänge verbessert, indem ein aktiver Bereich mit einer langen Wellenlänge aus einer Vielzahl aktiver Bereiche, die mit einer unterschiedlichen Wellenlänge emittieren, mit einer unterbrochenen Struktur, wie beispielsweise Quantenpunkten oder Quantenkristalliten statt einer durchgehenden Schichtstruktur, hergestellt wird.
- Gemäß einem Gegenstand der Erfindung zur Durchführung des Ziels ist eine Licht emittierende Halbleitervorrichtung vorgesehen, welche eine erste und zweite leitfähige Nitridschicht aufweist; und eine Vielzahl aktiver Bereiche, die Licht mit unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, und nacheinander zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Nitridschicht gebildet sind, wobei die aktiven Bereiche wenigstens einen ersten aktiven Bereich mit einer Vielzahl von ersten Quantenbarriereschichten und Quantentrogschichten und einen zweiten aktiven Bereich aufweisen, der Licht mit einer Wellenlänge emittiert, welche größer ist als die des ersten aktiven Bereichs, und wobei der zweite aktive Bereich eine Vielzahl von zweiten Quantenbarriereschichten und wenigstens eine unterbrochene Quantentrogstruktur aufweist, die zwischen der Vielzahl zweiter Quantenbarriereschichten gebildet ist, wobei die unterbrochene Quantentrogstruktur jeweils eine Vielzahl an Quantenpunkten oder Kristalliten aufweist.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung weist der zweite aktive Bereich, der lange Wellenlängen emittiert, was Einschränkung der Ladungsträger hervorruft, die unterbrochene Struktur mit Quantenpunkten oder Kristalliten auf. Dadurch wird die Effizienz von Ladungsträgerinjektion, die an dem ersten aktiven Bereich, welcher kurze Wellenlängen emittiert, vorgesehen wird, wesentlich verbessert.
- Die Vielzahl der Quantenpunkte oder Kristallite, welche die unterbrochene Quantentrogstruktur bilden, nehmen vorzugsweise eine Gesamtfläche von 20 bis 75% der gesamten Fläche einer Oberfläche einer entsprechenden zweiten Quantenbarriereschicht ein. Wenn die Gesamtfläche der Quantentrogstruktur weniger als 20% beträgt, kann eine ausreichende Helligkeit nicht sichergestellt werden, während, wenn diese größer als 75% ist, die Rekombinationseffizienz des ersten aktiven Bereichs, der kurze Wellenlänge emittiert, nicht ausreichend erhöht werden kann.
- Vorzugsweise weist der zweite aktive Bereich wenigstens 4 Quantenbarriereschichten und wenigstens 3 unterbrochene Quantentrogstrukturen auf, die zwischen wenigstens 4 Quantenbarriereschichten gebildet sind, wobei jede der unterbrochenen Quantentrogstrukturen eine Vielzahl von Quantenpunkten oder Kristalliten aufweist, die jeweils zwischen wenigstens 4 Quantenbarriereschichten gebildet sind. Dabei kann durch die unterbrochene Quantentrogstruktur eine ausreichende Helligkeit sichergestellt werden.
- In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist der erste aktive Bereich 2 aktive Schichten auf, wobei eine Licht von ungefähr 450 bis 475 nm Wellenlänge und die andere Licht von ungefähr 510 bis 535 nm emittiert. Der zweite aktive Bereich ist angepasst, um Licht von ungefähr 600 bis 635 nm Wellenlänge zu emittieren. Das heißt, die beiden aktiven Schichten des ersten aktiven Bereichs emittieren jeweils blaues und grünes Licht, und der zweite aktive Bereich ist angepasst, um rotes Licht zu emittieren, wodurch am Ende weißer Lichteingang erzeugt wird.
- In einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der erste aktive Bereich angepasst sein, um Licht von ungefähr 450 bis 475 nm Wellenlänge zu emittieren, und der zweite aktive Bereich kann angepasst sein, um Licht von ungefähr 550 bis 600 nm Wellenlänge zu emittieren. Das heißt, dass der erste aktive Bereich angepasst ist, um grün-verzerrtes blaues Licht zu emittieren, und der zweite aktive Bereich angepasst ist, um gelbes Licht zu emittieren, wodurch schließlich weißes Licht erzeugt wird.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung weist der erste aktive Bereich eine Zusammensetzung auf, die ausgedrückt wird durch Inx1Ga1-x1N, wobei 0 ≤ x1 ≤ 1 ist. Wie in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt ist, können in dem Fall, in dem 2 aktive Schichten gebildet werden, In-Gehalte (x1) angemessen verändert werden, um aktive Schichten zu bilden, die Licht mit der gewünschten Wellenlänge emittieren.
- Der zweite aktive Bereich weist ebenfalls eine Zusammensetzung auf, die durch Inx2Ga1-x2N (0 < x2 ≤ 1) ausgedrückt wird. In diesem Fall weist, um den Kristallin-Abbau und die Wellenlängenänderung zu lösen, die aus dem Anstieg von In-Gehalten resultieren, die unterbrochene Quantentrogstruktur des zweiten aktiven Bereichs vorzugsweise eine Zusammensetzung auf, die durch AlyInzGa1-(y+z)N oder (AlvGa1-v)uIn1-uP ausgedrückt wird, wobei 0 < y < 1, 0 < z < 1, 0 ≤ v ≤ 1 und 0 ≤ u ≤ 1 ist.
- In dem Fall, in dem die erste leitfähige Halbleiterschicht aus Nitrid eine n-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, und die zweite leitfähige Nitridschicht eine p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, wird der zweite aktive Bereich angrenzend an die zweite leitfähige Halbleiterschicht aus Nitrid angeordnet. Des weiteren werden in dem Fall, in dem der erste aktive Bereich eine Vielzahl von Schichten aufweist, die Licht von unterschiedlichen Wellenlängen emittieren, der erste und zweite aktive Bereich auf eine solche Weise angeordnet, dass ein aktiver Bereich oder eine aktive Schicht mit einer längeren Wellenlänge näher an die zweite leitfähige Schicht angrenzend angeordnet ist.
- Insbesondere in dem Fall, wenn der zweite aktive Bereich eine Zusammensetzung aufweist, die durch AlyInzGa1-(y+z)N oder (AlvGa1-v)uIn1-uP ausgedrückt wird, wobei 0 < y < 1, 0 < z < 1, 0 ≤ v ≤ 1 und 0 ≤ u ≤ 1 ist, sollte die Wachstumstemperatur durch Ablagerungsvorgang vorzugsweise so gewählt werden, dass der zweite aktive Bereich später als der erste aktive Bereich gebildet wird.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGSFIGUREN
- Die oben genannten und andere Ziele, Einzelheiten und weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden besser verständlich anhand der folgenden genauen Beschreibung zusammen mit den beigefügten Zeichnungsfiguren, in welchen:
-
1 eine Schnittansicht einer herkömmlichen, weißes Licht emittierenden Vorrichtung ist; -
2 ein Diagramm ist, welches das Energieband für einen aktiven Bereich einer herkömmlichen, weißes Licht emittierenden Vorrichtung darstellt; -
3 eine Schnittansicht einer weißes Licht emittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist; -
4a und4b Diagramme einer senkrechten Ansicht sind, welche das Energieband eines aktiven Bereichs der weißes Licht emittierenden Vorrichtung zeigen; -
5 eine perspektivische Ansicht ist, welche eine Oberfläche einer unterbrochenen Quantenstruktur, die in einem aktiven Bereich verwendet wird, gemäß der Erfindung darstellt; und -
6 eine Schnittansicht ist, welche die weißes Licht emittierende Vorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung darstellt. - BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
- Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungsfiguren genauer beschrieben.
-
3 ist eine Schnittansicht einer weißes Licht emittierenden Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. - Unter Bezugnahme auf
3 enthält die weißes Licht emittierende Vorrichtung30 eine erste leitfähige Nitridschicht33 und eine zweite leitfähige Nitridschicht38 , die auf einem Träger31 gebildet sind, mit einer Pufferschicht32 , die zwischen den Träger31 und die erste leitfähige Nitridschicht33 eingeschoben ist, und aktive Bereiche35 ,36 ,37 , die blaue, grüne und rote Lichtwellenlängen emittieren, zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Nitridschicht33 ,38 . - Die blauen und grünen aktiven Bereiche
35 ,36 enthalten übliche durchgehende Schichten und können eine mehrfache Quantentrogstruktur mit einer Vielzahl von Quantentrogschichten und Quantenbarriereschichten (nicht dargestellt) enthalten. Der blaue und grüne aktive Bereich35 ,36 können ebenfalls Quantentrogschichten aufweisen, wobei eine Licht von ungefähr 450 bis 475 nm Wellenlänge und die andere Licht von ungefähr 510 bis 535 nm Wellenlänge emittiert. Vorzugsweise haben der blaue und grüne aktive Bereich35 ,36 eine Zusammensetzung, die durch Inx1Ga1-x1N mit unterschiedlichen Indium-Gehalten (x1) ausgedrückt ist, wobei 0 ≤ x1 ≤ 1 ist. - Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein aktiver Bereich
37 , der rotes Licht emittiert, 4 Quantenbarriereschichten37a und 3 unterbrochene Quantentrogstrukturen37b , die aus einer Vielzahl von Quantenpunkten oder Kristalliten hergestellt sind und jeweils zwischen den 4 Quantenbarriereschichten gebildet sind. In dieser Beschreibung bedeutet unterbrochene Quantentrogstruktur eine Struktur mit einer Vielzahl von Quantenpunkten oder Kristalliten, die über einer Gesamtfläche angeordnet sind, mit Ausnahme von Quantentrogschichten, die eine vollständige, durchgehend über eine Oberfläche gewachsene Schichtstruktur aufweisen. Die Quantenpunkte oder Kristallite37b auf einer Ebene sind zwischen zwei Barriereschichten37a des rotes Licht emittierenden aktiven Bereichs37 zwischengelegt. Das heißt, dass eine Barriereschicht37a eine Oberfläche vorsieht, auf der Quantenpunkte oder Kristallite37b gewachsen sind, und als Deckschicht für darunter liegende Quantenpunkte oder Kristallite37b dient. - Die unterbrochene Quantentrogstruktur
37b oder die Vielzahl von Quantenpunkten oder Kristalliten gemäß der Erfindung sieht Quantentröge vor, um rotes Licht zu emittieren. Das heißt, dass die Struktur37b aus einem Halbleitermaterial hergestellt ist, das Licht von ungefähr 600 bis 635 nm Wellenlänge emittiert. Die Barriereschicht37a des rotes Licht emittierenden aktiven Bereichs37 und die unterbrochene Quantentrogstruktur37b können eine Zusammensetzung aufweisen, die durch Inx2Ga1-x2N mit unterschiedlichen Zusammensetzungen ausgedrückt wird, wobei 0 < x2 ≤ 1 ist. Zum Beispiel kann der rotes Licht emittierende aktive Bereich37 aus GaN-Quantenbarriereschichten und In0,7Ga0,3N-Quantenpunkten gebildet sein. Jedoch bauen große Abschnitte von In-Gehalten die Kristallinität ab und bewirken ungewünschte Wellenlängenänderungen aufgrund von Phasentrennung. Somit sollte die unterbrochene Quantentrogstruktur 37b zum Emittieren von rotem Licht vorzugsweise eine Zusammensetzung aufweisen, die durch AlyInzGa1-(y+z)N oder (AlvGa1-v)uIn1-uP ausgedrückt ist, wobei 0 < y < 1, 0 < z < 1, 0 ≤ v ≤ 1 und 0 ≤ u ≤ 1 ist. - Die erste leitfähige Nitrid-Halbleiterschicht
33 kann eine n-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid sein, und die zweite leitfähige Halbleiterschicht aus Nitrid38 kann eine p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid sein. In diesem Fall, wie in dieser Ausführungsform der Erfindung dargestellt, ist der rotes Licht emittierende aktive Bereich37 vorzugsweise an die zweite leitfähige Halbleiterschicht aus Nitrid38 angrenzend angeordnet. Der blaue und grüne aktive Bereich35 ,36 sind vorzugsweise auf eine solche Weise angeordnet, dass jeder aktive Bereich mit einer längeren Wellenlänge näher an die zweite leitfähige Nitridschicht38 angrenzend angeordnet ist. - Dies ist so aufgrund von Verfahrensbedingungen wie beispielsweise Wachstumstemperatur und wird bei
5 genauer erklärt. - Die unterbrochene Quantentrogstruktur
37b , welche Quantenpunkte oder Kristallite gemäß der Erfindung aufweist, kann direkt den grünen aktiven Bereich36 mit Ladungsträgern (z. B. Löchern), die von der zweiten leitfähigen Halbleiterschicht aus Nitrid38 injiziert werden, vorsehen. - Das heißt, dass entlang einem Ladungsträgerweg A-A', wo Ladungsträger Flächen passieren, die Quantenpunkte oder Kristallite
37b aufweisen, wie in4a dargestellt, ein Energieband gleich einem herkömmlichen, wie in2 dargestellt, gebildet wird. In diesem Fall passieren Ladungsträger, die von der ersten leitfähigen Halbleiterschicht aus Nitrid33 injiziert werden, durch die Quantentrogstruktur37b des rotes Licht emittierenden Bereichs37 , wodurch eine geeignete rote Lichtemission hervorgerufen wird. - Entlang einem Ladungsträgerweg B-B' hingegen, wo Ladungsträger Flächen passieren, die keine Quantenpunkte oder Kristallite
37b aufweisen, wie in4b dargestellt, passieren Ladungsträger, die von der ersten leitfähigen Halbleiterschicht aus Nitrid33 injiziert werden, nur GaN-ähnliche Quantenbarriereschichten37a ohne Quantentrogstruktur in dem rotes Licht emittierenden aktiven Bereich. Dadurch wird die Wahrscheinlichkeit reduziert, dass Ladungsträger in der Quantentrogstruktur37b des rotes Licht emittierenden Bereichs mit langer Wellenlänge37 eingeschränkt werden, was zur Folge hat, dass die Ladungsträger-Dotiereffizienz in den grünes oder blaues Licht emittierenden Bereichen mit kurzer Wellenlänge35 ,36 erhöht wird. - Der rotes Licht emittierende aktive Bereich
37 weist aufgrund seiner unterbrochenen Struktur eine noch geringere Lichtemissionseffizienz auf als die durchgehenden, blaues oder grünes Licht emittierenden aktiven Bereiche35 ,36 . Um dieses Problem zu lösen, enthält die rotes Licht emittierende Schicht37 , wie in dieser Ausführungsform dargestellt, vorzugsweise wenigstens 4 Quantenbarriereschichten37a und wenigstens 3 unterbrochene Quantentrogstrukturen37b . -
5 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Oberfläche einer unterbrochenen Quantenstruktur, die in dem ersten aktiven Bereich verwendet wird, darstellt.5 ist so zu verstehen, dass sie einen Zustand darstellt, bei welchem Quantenpunkte in einem Herstellungsvorgang einer Licht emittierenden Vorrichtung ähnlich zu4 gebildet werden. - Wie in
5 dargestellt, sind eine Pufferschicht52 , eine erste leitfähige Halbleiterschicht aus Nitrid53 , ein blaues Licht emittierender aktiver Bereich55 und ein grünes Licht emittierender aktiver Bereich56 nacheinander auf einem Träger51 gebildet, und dann wird ein rotes Licht emittierender aktiver Bereich57 darauf gebildet. Der rotes Licht emittierende aktive Bereich57 wird durch einen Vorgang des Bildens einer unterbrochenen Quantentrogstruktur57b , wie beispielsweise Quantenbarriereschicht57a , Quantenpunkten oder Kristalliten gebildet. - Die unterbrochene Quantentrogstruktur
57b weist, wie oben beschrieben, eine Zusammensetzung auf, die durch Inx2Ga1-x2N ausgedrückt wird, wobei 0 < x2 ≤ 1 ist, weist aber vorzugsweise eine Zusammensetzung auf, die durch AlyInzGa1-(y+z)N oder (AlvGa1-v)uIn1-uP ausgedrückt ist, wobei 0 < y < 1, 0 < z < 1, 0 ≤ v ≤ 1 und 0 ≤ u ≤ 1 ist. Die unterbrochene Quantentrogstruktur57b kann einfach durch ein dem Fachmann bekanntes Verfahren gebildet werden. - Des weiteren wird der aktive Bereich mit langer Wellenlänge, oder rotes Licht emittierender aktiver Bereich
57 , wie in dieser Ausführungsform der Erfindung dargestellt, vorzugsweise gebildet, nachdem die aktiven Bereiche55 ,56 , welche Licht anderer Wellenlänge emittieren, gebildet wurden. Insbesondere in dem Fall, in dem eine unterbrochene Quantentrogstruktur57b aus AlInGaN gebildet wird, sollte die Wachstumstemperatur so gewählt werden, dass die Struktur57b später als die anderen aktiven Bereiche55 ,56 gebildet wird. Entsprechend, da die p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid im Allgemeinen oben angeordnet ist, grenzt der rotes Licht emittierende aktive Bereich57 in der Licht emittierenden Vorrichtung an die p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid an, und die blaues und grünes Licht emittierenden Bereiche55 ,56 sind vorzugsweise auf eine solche Art angeordnet, dass jede aktive Schicht mit einer längeren Wellenlänge näher an die p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid angrenzend angeordnet ist. - Gemäß der Erfindung wird es bei dem roten aktiven Bereich
57 mit der unterbrochenen Quantentrogstruktur57b bevorzugt, dass größere Bereiche einer Fläche keine unterbrochene Quantentrogstruktur aufweisen, um die Einschränkungen der Ladungsträger zu mindern. Wenn aber die unterbrochene Quantentrogstruktur in zu kleinen Bereichen der Fläche nicht besteht, kann die Lichtemissionseffizienz des rotes Licht emittierenden Bereichs mit kurzer Wellenlänge57 nicht ausreichend sichergestellt werden. Demgemäss weist die Vielzahl der Quantenpunkte oder Kristallite eine Gesamtfläche ΣSd auf, welche 20 bis 75% der gesamten Fläche ST einer oberen Fläche einer entsprechenden zweiten Quantenbarriereschicht beträgt. Der Bereich mit der Vielzahl von Quantenpunkten oder Kristalliten kann erhalten werden, indem Temperatur und Zeit während des Wachstumsvorgangs gesteuert werden und somit Größe und Dichte der Quantenpunkte oder Kristallite genau gesteuert werden. - Die Ausführungsform wie oben beschrieben stellt 3 aktive Bereiche dar, die Licht mit unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf begrenzt. Das heißt, dass der Schutzbereich der Erfindung eine Licht emittierende Vorrichtung mit 2 aktiven Bereichen oder wenigsten 4 aktiven Bereichen umfasst. Zum Beispiel kann die Erfindung wie in
6 dargestellt als eine Licht emittierende Vorrichtung mit 2 aktiven Bereichen, die Licht mit unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, gestaltet sein. - Unter Bezugnahme auf
6 enthält die weißes Licht emittierende Vorrichtung60 , gleich zu3 , eine erste leitfähige Nitridschicht63 und eine zweite leitfähige Nitridschicht68 , die auf einem Träger61 gebildet sind, mit einer Pufferschicht62 , die zwischen den Träger61 und die erste leitfähige Nitridschicht63 zwischengelegt ist, und ein erster und zweiter aktiver Bereich65 ,67 , die Licht unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, sind zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Schicht63 ,68 gebildet. Um weißes Licht zu emittieren, ist der erste aktive Bereich65 angepasst, um Licht von ungefähr 450 bis 475 nm Wellenlänge zu emittieren, und der zweite aktive Bereich67 ist angepasst, um Licht von ungefähr 550 bis 600 nm Wellenlänge zu emittieren. - Der erste aktive Bereich
65 ist eine übliche durchgehende Schicht und weist eine Zusammensetzung auf, die durch Inx1Ga1-x1N ausgedrückt ist, wobei 0 ≤ x1 ≤ 1 ist. Ebenfalls weist der erste aktive Bereich65 eine mehrfache Quantentrogstruktur auf, die aus einer Vielzahl von Quantentrogschichten und Quantenbarriereschichten (nicht dargestellt) hergestellt ist. Der zweite aktive Bereich67 kann 3 Quantenbarriereschichten67a und2 unterbrochene Quantentrogstrukturen67b aufweisen, die aus einer Vielzahl von Quantenpunkten oder Kristalliten hergestellt sind und jeweils zwischen den 3 Quantenbarriereschichten67a gebildet sind. In diesem Fall kann die Barriereschicht67a des zweiten aktiven Bereichs67 und die unterbrochene Quantentrogstruktur67b eine Zusammensetzung aufweisen, die durch Inx2Ga1-x2N mit unterschiedlichen Zusammensetzungen ausgedrückt wird, wobei 0 < x2 ≤ 1 ist. Vorzugsweise weist die Quantentrogstruktur67b eine Zusammensetzung auf, die durch AlyInzGa1-(y+z)N oder (AlvGa1-v)uIn1-uP ausgedrückt wird, wobei 0 < y < 1, 0 < z < 1, 0 ≤ v ≤ 1 und 0 ≤ u ≤ 1 ist. - Gleichermaßen kann, bezogen auf die 2 aktiven Bereiche, die Licht von unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, die unterbrochene Quantentrogstruktur in dem zweiten aktiven Bereich, welche lange Wellenlängen emittiert, verwendet werden. Dadurch werden Einschränkungen der Ladungsträger, welche in dem zweiten aktiven Bereich auftreten, verhindert, und die Lichtemissionseffizienz des ersten aktiven Bereichs wird verbessert. Dies hat eine angemessene Farbverteilung des ersten und zweiten aktiven Bereichs zur Folge, um zu weißem Licht kombiniert zu werden.
- Die vorliegende Erfindung sieht ein Verfahren zum Verwenden der unterbrochenen Quantentrogstruktur in den aktiven Bereichen mit langer Wellenlänge vor, um Ladungsträgerlokalisierung, die in dem aktiven Bereich mit langer Wellenlänge auftritt, bezogen auf eine herkömmliche Struktur einer Vielzahl von durchgehenden aktiven Bereichen zu reduzieren. Somit wird, wie oben angegeben, die Anzahl der aktiven Bereiche oder die weißes Licht emittierende Vorrichtung nicht begrenzt. Bei der Licht emittierenden Halbleitervorrichtung zum Erzeugen bestimmten Lichts durch Kombinieren von wenigstens 2 aktiven Bereichen, die Licht von unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, schließt die vorliegende Erfindung alle Arten von Licht emittierenden Vorrichtungen ein, die nur den aktiven Bereich mit langer Wellenlänge wählen, der Ladungsträgerlokalisierung verursacht, um ihn durch die unterbrochene Quantentrogstruktur, wie beispielsweise Quantenpunkte oder Kristallite, zu ersetzen.
- Wie oben angegeben wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Licht emittierende Halbleitervorrichtung vorgesehen, welche in der Lage ist, die Rekombinationseffizienz von aktiven Bereichen mit kurzer Wellenlänge zu erhöhen. Dies wird möglich, indem nur der aktive Bereich mit langer Wellenlänge, der Ladungsträgerlokalisierung verursacht, aus wenigstens 2 aktiven Bereichen, die Licht unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, gewählt wird, um durch eine unterbrochene Quantentrogstruktur, wie beispielsweise Quantenpunkte oder Kristallite, ersetzt zu werden. Insbesondere ermöglicht die vorliegende Erfindung relativ gleichmäßige Farbverteilung in den aktiven Bereichen unterschiedlicher Wellenlänge und kann somit verwendet werden, um eine monolithische weißes Licht emittierende Vorrichtung mit hoher Effizienz durch Kombinieren bestimmter Lichtwellenlängen herzustellen.
Claims (12)
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung, welche aufweist: eine erste und zweite leitfähige Nitridschicht; und eine Vielzahl aktiver Bereiche, die Licht mit unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, und nacheinander zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Nitridschicht gebildet sind, wobei die aktiven Bereiche wenigstens einen ersten aktiven Bereich mit einer Vielzahl von ersten Quantenbarriereschichten und Quantentrogschichten und einen zweiten Bereich aufweisen, der Licht mit einer Wellenlänge emittiert, die größer ist als die des ersten aktiven Bereichs, und wobei nur der zweite aktive Bereich eine Vielzahl von zweiten Quantenbarriereschichten und wenigstens eine unterbrochene Quantentrogstruktur aufweist, die zwischen der Vielzahl zweiter Quantenbarriereschichten gebildet ist, wobei die unterbrochene Quantentrogstruktur jeweils eine Vielzahl an Quantenpunkten oder Kristalliten aufweist, wobei die Quantenbarriereschichten und Quantentrogstrukturen des ersten und zweiten aktiven Bereichts unmittelbar aufeinander folgen.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Vielzahl der Quantenpunkte oder Kristallite vorzugsweise eine Gesamtfläche von 20 bis 75% der gesamten Fläche einer oberen Fläche einer entsprechenden zweiten Quantenbarriereschicht einnehmen.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der zweite aktive Bereich wenigstens 4 Quantenbarriereschichten und wenigstens 3 unterbrochene Quantentrogstrukturen aufweist, die zwischen wenigstens 4 Quantenbarriereschichten gebildet sind, wobei jede der unterbrochenen Quantentrogstrukturen eine Vielzahl von Quantenpunkten oder Kristalliten aufweist, die jeweils zwischen wenigstens 4 Quantenbarriereschichten gebildet sind.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der erste aktive Bereich angepasst ist, um Licht von ungefähr 450 bis 475 nm Wellenlänge zu emittieren, und der zweite aktive Bereich angepasst ist, um Licht von ungefähr 550 bis 600 nm Wellenlänge zu emittieren.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der erste aktive Bereich 2 aktive Schichten aufweist, wobei eine Licht von ungefähr 450 bis 475 nm Wellenlänge emittiert und die andere Licht von ungefähr 510 bis 535 nm emittiert und wobei der zweite aktive Bereich angepasst ist, um Licht von ungefähr 600 bis 635 nm Wellenlänge zu emittieren.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die erste leitfähige Nitridschicht eine n-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, und die zweite leitfähige Nitridschicht eine p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, und wobei der zweite aktive Bereich angrenzend an die zweite leitfähige Nitridschicht angeordnet ist.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die erste leitfähige Halbleiterschicht aus Nitrid eine n-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, und die zweite leitfähige Nitridschicht eine p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, der erste aktive Bereich eine Vielzahl von Schichten aufweist, die Licht von unterschiedlichen Wellenlängen emittieren, und wobei der erste und zweite aktive Bereich auf eine solche Weise angeordnet sind, dass ein aktiver Bereich oder eine aktive Schicht, die eine längere Wellenlänge aufweist, näher an die zweite leitfähige Schicht angrenzend angeordnet ist.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der erste aktive Bereich eine Zusammensetzung aufweist, die durch Inx1Ga1-x1N ausgedrückt wird, wobei 0 ≤ x1 ≤ 1 ist. der
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der zweite aktive Bereich eine Zusammensetzung aufweist, die durch Inx2Ga1-x2N ausgedrückt wird, wobei 0 < x2 ≤ 1 ist.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9, wobei die erste leitfähige Halbleiterschicht aus Nitrid eine n-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, und die zweite leitfähige Nitridschicht eine p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, der erste aktive Bereich eine Vielzahl von Schichten aufweist, die Licht von unterschiedlichen Wellenlängen emittieren, und wobei der erste und zweite aktive Bereich auf eine solche Weise angeordnet sind, dass ein aktiver Bereich oder eine aktive Schicht, die eine längere Wellenlänge aufweist, näher an die zweite leitfähige Schicht angrenzend angeordnet ist.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9, wobei die unterbrochene Quantentrogstruktur des zweiten aktiven Bereichts eine Zusammensetzung aufweist, die durch AlyInzGa1-(y+z)N oder (AlvGa1-v)uIn1-uP ausgedrückt wird, wobei 0 < y < 1, 0 < z < 1, 0 ≤ v ≤ 1 und 0 ≤ u ≤ 1 ist.
- Licht emittierende Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 9, wobei die erste leitfähige Nitridschicht eine n-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, und die zweite leitfähige Nitridschicht eine p-Typ-Halbleiterschicht aus Nitrid aufweist, und wobei der zweite aktive Bereich angrenzend an die z weite leitfähige Nitridschicht angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050061101A KR100674858B1 (ko) | 2005-07-07 | 2005-07-07 | 백색 발광소자 |
KR10-2005-0061101 | 2005-07-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006002151A1 DE102006002151A1 (de) | 2007-01-11 |
DE102006002151B4 true DE102006002151B4 (de) | 2011-07-21 |
Family
ID=37562678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006002151A Expired - Fee Related DE102006002151B4 (de) | 2005-07-07 | 2006-01-17 | Licht emittierende Vorrichtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070007541A1 (de) |
JP (1) | JP4558656B2 (de) |
KR (1) | KR100674858B1 (de) |
CN (1) | CN1893128A (de) |
DE (1) | DE102006002151B4 (de) |
TW (1) | TWI291774B (de) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4762023B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-08-31 | 昭和電工株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体積層物およびその製造方法 |
JP2010503228A (ja) * | 2006-09-08 | 2010-01-28 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | 波長可変発光ダイオード |
DE102007058723A1 (de) * | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierende Struktur |
KR100936001B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-01-08 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
KR101068866B1 (ko) * | 2009-05-29 | 2011-09-30 | 삼성엘이디 주식회사 | 파장변환시트 및 이를 이용한 발광장치 |
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TWI566429B (zh) * | 2010-07-09 | 2017-01-11 | Lg伊諾特股份有限公司 | 發光裝置 |
JP5197686B2 (ja) | 2010-07-16 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
US8525148B2 (en) | 2010-07-16 | 2013-09-03 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices without converter materials and associated methods of manufacturing |
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-
2005
- 2005-07-07 KR KR1020050061101A patent/KR100674858B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-01-13 US US11/331,751 patent/US20070007541A1/en not_active Abandoned
- 2006-01-17 DE DE102006002151A patent/DE102006002151B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-26 CN CNA2006100029645A patent/CN1893128A/zh active Pending
- 2006-01-31 JP JP2006023143A patent/JP4558656B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-15 TW TW095105041A patent/TWI291774B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070007541A1 (en) | 2007-01-11 |
JP4558656B2 (ja) | 2010-10-06 |
JP2007019455A (ja) | 2007-01-25 |
TWI291774B (en) | 2007-12-21 |
DE102006002151A1 (de) | 2007-01-11 |
KR20070006087A (ko) | 2007-01-11 |
KR100674858B1 (ko) | 2007-01-29 |
TW200703713A (en) | 2007-01-16 |
CN1893128A (zh) | 2007-01-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: LINDNER BLAUMEIER PATENT- UND RECHTSANWAELTE, 9040 |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KYONGGI, KR |
|
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20111022 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LINDNER BLAUMEIER PATENT- UND RECHTSANWAELTE, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON-SI, KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KYONGGI, KR Effective date: 20121207 Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., KR Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KR Effective date: 20121207 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LINDNER / BLAUMEIER PATENT- UND RECHTSANWAELTE, DE Effective date: 20121207 Representative=s name: LINDNER BLAUMEIER PATENT- UND RECHTSANWAELTE, DE Effective date: 20121207 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |