CN113410347A - 磊晶结构及微型发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种磊晶结构及微型发光元件。磊晶结构包括量子井结构、第一型半导体层以及第二型半导体层。量子井结构具有彼此相对的上表面与下表面，且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层。量子井层中包括至少一图案化层，且图案化层包括多个几何图案。第一型半导体层配置于量子井结构的下表面上。第二型半导体层配置于量子井结构的上表面上。本发明的磊晶结构具有较佳的良率与品质，而本发明的微型发光元件，其包括上述的磊晶结构，可具有良好的光电特性及可靠度。

Description

磊晶结构及微型发光元件
技术领域
本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种磊晶结构及具有此磊晶结构的微型发光元件。
背景技术
一般来说，当磊晶结构生长在倾斜结晶面上时，可抑制来自长晶的贯通错位(misfit and threading dislocation)，藉此获得较高的发光效率。然而，制作倾斜结晶面时，必须先中断磊晶程序，以通过额外的曝光及显影程序，来制作出氮化硅(SixNy)光罩(mask)供选择性磊晶成长。此外，上述的步骤仅可制作单一层量子井层，且最后需要形成厚度至少为250纳米至500纳米的P型半导体层，来使磊晶结构的表面达到平坦化。
发明内容
本发明是针对一种磊晶结构，其具有较佳的良率与品质。
本发明还针对一种微型发光元件，其包括上述的磊晶结构，具有良好的光电特性及可靠度。
根据本发明的实施例，磊晶结构包括量子井结构、第一型半导体层以及第二型半导体层。量子井结构具有彼此相对的上表面与下表面，且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层。量子井层中包括至少一图案化层，且图案化层包括多个几何图案。第一型半导体层配置于量子井结构的下表面上。第二型半导体层配置于量子井结构的上表面上。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的量子井层中包括至少一连续层。图案化层中的铟掺杂浓度与连续层中的铟掺杂浓度的比值介于0.1至3.5。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的图案化层中的铟掺杂浓度介于4％至50％，而连续层中的铟掺杂浓度介于15％至25％。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的图案化层与连续层中的一者邻近第一型半导体层，而图案化层与连续层中的另一者邻近第二型半导体层。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的几何图案中的至少二个具有不同的尺寸。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的图案化层还包括多个连接部，而每一连接部位于相邻两几何图案之间，且每一连接部至少连接相邻两几何图案。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的图案化层包括多个图案化层，且每一图案化层中的几何图案至少部分彼此分离。相邻两图案化层中的几何图案呈至少部分呈错位排列。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的图案化层中的至少二层的几何图案的分布密度不同。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的磊晶结构还包括缓冲层，配置于量子井结构的下表面与第一型半导体层之间。缓冲层包括至少一结构化层，且结构化层包括多个几何结构。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的磊晶结构还包括至少一V型缺陷，存在于量子井结构内。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的每一几何图案的尺寸与V型缺陷的尺寸的比值小于等于0.1。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的几何图案的数量大于V型缺陷的数量。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的V型缺陷的数量与几何图案的数量的比值小于等于0.1。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的第一型半导体层具有表面，量子井结构的下表面邻近表面。几何图案于表面上的正投影面积与表面的面积的比值大于0.25。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的每一几何图案具有高度，而量子井结构具有厚度，高度与厚度的比值大于等于0.1且小于等于0.5。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述以俯视观之，任两相邻的几何图案之间最大间距小于等于0.5微米。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的量子井层包括两量子井层，且相邻两量子井层之间的垂直间距介于2.5纳米至50纳米。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的每一量子阻障层的第一厚度大于等于1/2的图案化层的第二厚度。
在根据本发明的实施例的磊晶结构中，上述的第二型半导体层的厚度大于等于10纳米且小于200纳米。
根据本发明的实施例，微型发光元件包括磊晶结构、第一型电极以及第二型电极。磊晶结构包括量子井结构、第一型半导体层以及第二型半导体层。量子井结构具有彼此相对的上表面与下表面，且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层。量子井层中包括至少一图案化层，且图案化层包括多个几何图案。第一型半导体层配置于量子井结构的下表面上。第二型半导体层配置于量子井结构的上表面上。第一型电极配置于磊晶结构上，且与第一型半导体层电性连接。第二型电极配置于磊晶结构上，且与第二型半导体层电性连接。
基于上述，在本发明的磊晶结构中，量子井层中包括至少一图案化层，且图案化层包括多个几何图案。通过这些几何图案的设置，可使本发明的磊晶结构具有应力调节及长波长发光的功效。再者，图案化层亦可有效地减少压电效应，以降低内建电场并减少界面应力，使图案化层中掺杂物(如铟含量)提升，进而维持晶体品质。而量子井层亦可因图案化层的加入，使量子井层中掺杂物(如铟含量)提升。此外，通过图案化层的设置，第二型半导体层的厚度无需太厚，即可使磊晶结构具有较平坦的表面。因此，本发明的磊晶结构具有较佳的良率与品质，而采用本发明的磊晶结构的微型发光元件，则可具有良好的光电特性及可靠度。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种磊晶结构的剖面示意图；
图2A至图2J是本发明的多个实施例的多个磊晶结构的剖面示意图；
图3A至图3D是本发明的一实施例的量子井结构的多个图案化层的俯视示意图；
图4是依照本发明的一实施例的一种微型发光元件的剖面示意图。
附图标记说明
10:微型发光元件；
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j:磊晶结构；
110、110f:第一型半导体层；
120、120a、120b、120c、120d、120e、120f、120h、120i、120j:量子井结构；
122、122a、122b、122c、122d1、122d2、122d3、122d4、122e、122f、122h、122h1、122h2、122h3、122h4、122i、122j:图案化层；
123、123c、123d、123e1、123e2、123e3、123e4、123f、123h1、123h2、123h3、123h4、123i、123j:几何图案；
124:量子阻障层；
125c:连接部；
126:连续层；
130、130f:第二型半导体层；
140:缓冲层；
142:结构化层；
143:几何结构；
200:第一型电极；
300:第二型电极；
400:绝缘层；
C:表面；
D:垂直间距；
H:高度；
P:V型缺陷；
S1:上表面；
S2:下表面；
T、T1、T2、T3:厚度；
W:宽度。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
本发明的实施例描述微型发光元件(例如微型发光二极管(Micro LED))的结构，使之准备好拾取及转移到接收基板。接收基板可例如为显示基板或具其他具线路的基板，但不以此为限。
图1是依照本发明的一实施例的一种磊晶结构的剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，磊晶结构100包括第一型半导体层110、量子井结构120以及第二型半导体层130。量子井结构120具有彼此相对的上表面S1与下表面S2，且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层。此处，量子井结构120具体化为多重量子井结构，且包括交替堆叠的多个量子井层与多个量子阻障层(示意地示出五层量子阻障层124)。特别是，量子井层中包括至少一图案化层122，且图案化层122包括多个几何图案123。此处，量子井层具体化为四层图案化层122，与量子阻障层124呈交替堆叠，但不以此为限。量子井结构120例如是氮化镓(GaN)/氮化铟镓(InGaN)多重量子井结构、氮化铝镓(AlGaN)/氮化铟镓(InGaN)多重量子井结构、氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)多重量子井结构或氮化铟镓铝(AlInGaN)/氮化铟镓(InGaN)多重量子井结构。于未示出的实施例中，量子井结构也可以单一量子井结构。
再者，本实施例的第一型半导体层110配置于量子井结构120的下表面S2上，而第二型半导体层130配置于量子井结构120的上表面S1上。此处，第一型半导体层110例如是N型半导体层，而第二型半导体层130例如是P型半导体层，但不以此为限。
详细来说，请再参考图1，在本实施例中，每一图案化层122中的几何图案123彼此分离，且相邻两图案化层122中的几何图案123呈对位排列。也就是说，图案化层122具体化为非连续性地图案化层。于未示出的实施例中，每一图案化层122中的几何图案123也可以部分彼此分离。以剖面观之，每一几何图案123例如是金字塔型图案，但不以此为限。于其他实施例中，几何图案123的剖面形状亦可微波浪状图案或锯齿状图案，此仍属于本发明所欲保护的范围。请再参考图1，每一几何图案123具有高度H，而量子井结构120具有厚度T，较佳地，高度H与厚度T的比值大于等于0.1且小于等于0.5。每一量子阻障层124的第一厚度T1大于等于1/2的图案化层122的第二厚度T2。此处，第一厚度T1为任两相邻图案化层122间的量子阻障层124的最小间距。较佳地，第一厚度T1小于第二厚度T2。此外，相邻两量子井层(即图案化层122)之间的最大垂直间距D，较佳地，介于2.5纳米至50纳米。若最大垂直间距D小于2.5纳米，则应力调节效果不佳；反之，若最大垂直间距D大于50纳米，则会造成磊晶晶体品质不佳。
如图1所示，本实施例的第一型半导体层110具有表面C，而量子井结构120的下表面S2邻近表面C。较佳地，几何图案123于表面C上的正投影面积与表面C的面积的比值大于0.25，可有较佳的应力调节功能。此外，本实施例的第二型半导体层130的厚度T3例如是大于等于10纳米且小于200纳米。此处，第二型半导体层130且直接接触量子井结构120，第二型半导体层130例如是氮化镓(GaN)层，相较于现有技术中以通过额外的曝光及显影程序，来制作出氮化硅(SixNy)光罩(mask)供选择性磊晶成长，量子井结构后续接续磊晶过程须采用厚度至少为250纳米至500纳米的P型半导体层来达到平坦化磊晶结构的表面而言，本实施例的第二型半导体层130的厚度T3明显较薄至少可以缩减一半以上的厚度，且可迅速使界面平整，可降低整体磊晶结构100的厚度。
简言之，在本实施例的磊晶结构100中，量子井结构120具体化为多重量子井结构，且量子井层具体化为图案化层122，且图案化层122包括多个几何图案123。通过这些几何图案123的设置，可使本实施例的磊晶结构100具有应力调节及长波长发光的功效，且通过这些几何图案123的设计，因而能长成多个量子井层和多个量子阻障层124，有较佳的发光效果。再者，图案化层122亦可有效地减少压电效应，以降低内建电场并减少界面应力，使图案化层122中掺杂物(如铟含量)提升，进而维持晶体品质。而量子井层120亦可因图案化层122的加入，使量子井层120中掺杂物(如铟含量)提升。此外，通过图案化层122的设置，第二半导体层130的厚度T3无需太厚，即可使磊晶结构100具有较平坦的表面。因此，本实施例的磊晶结构100具有较佳的良率与品质，而采用此磊晶结构100的微型发光元件10，则可具有良好的光电特性及可靠度。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A至图2J是本发明的多个实施例的多个磊晶结构的剖面示意图。首先，请同时参考图1以及图2A，本实施例的磊晶结构100a与图1的磊晶结构100相似，两者差异在于：在本实施例中，量子井结构120a中的量子井层中包括一层图案化层122a以及三层连续层126，且量子阻障层124与图案化层122a及连续层126交替堆叠。此处，图案化层122a邻近第一型半导体层110，而连续层126邻近第二型半导体层130，藉此设置来应力调变，而增加量子井结构120a的发光效率。此外，在本实施例中，量子井层的材质例如是氮化铟镓，而图案化层122a中的铟掺杂浓度与连续层126中的铟掺杂浓度的比值介于0.1至3.5，可有较佳的应力调节功能和磊晶晶体品质。此处，图案化层122a中的铟掺杂浓度介于4％至50％，而连续层126中的铟掺杂浓度介于15％至25％，过少发光效率较差，过多会增加磊晶结构生长时的缺陷。
接着，请同时参照图1以及图2B，本实施例的磊晶结构100b与图1的磊晶结构100相似，两者差异在于：在本实施例中，量子井结构120b中的量子井层中包括一层图案化层122b以及三层连续层126，且量子阻障层124与连续层126及图案化层122b交替堆叠。此处，连续层126邻近第一型半导体层110，而图案化层122b邻近第二型半导体层130，藉此设置来使量子井结构120b发出长波长的光。此外，在本实施例中，量子井层的材质例如是氮化铟镓，而图案化层122b中的铟掺杂浓度与连续层126中的铟掺杂浓度的比值介于0.1至3.5，可有较佳的应力调节功能和磊晶晶体品质。此处，图案化层122b中的铟掺杂浓度介于4％至50％，而连续层126中的铟掺杂浓度介于15％至25％，过少发光效率较差，过多会增加磊晶结构生长时的缺陷。
接着，请同时参照图1以及图2C，本实施例的磊晶结构100c与图1的磊晶结构100相似，两者差异在于：在本实施例中，量子井结构120c中的量子井层为四层图案化层122c，而每一图案化层122c除了几何图案123c之外，还包括多个连接部125c，其中每一连接部125c位于相邻两几何图案123c之间，且每一连接部125c连接相邻两几何图案123c。也就是说，图案化层122c具体化为连续地图案化层，可有较佳的应力调节功能。但于未示出的实施中，连接部也可以仅连接部分相邻两几何图案。
接着，请同时参照图1以及图2D，本实施例的磊晶结构100d与图1的磊晶结构100相似，两者差异在于：在本实施例中，量子井结构120d中的量子井层为四层图案化层122d1、122d2、122d3、122d4，其中相邻两图案化层122d1、122d2、122d3、122d4中的几何图案123d呈至少部分错位排列，可有效阻挡磊晶过中的差排密度。在未示出的实施例中，相邻两图案化层中的几何图案呈完全错位排列，可全面有效阻挡磊晶过中的差排密度。
接着，请同时参照图2A以及图2E，本实施例的磊晶结构100e与图2A的磊晶结构100a相似，两者差异在于：在本实施例中，量子井结构120e的图案化层122e中的几何图案123e1、123e2、123e3、123e4中的至少二个具有不同的尺寸。此处，几何图案123e4的尺寸大于几何图案123e3的尺寸，而几何图案123e3的尺寸大于几何图案123e2的尺寸，且几何图案123e2的尺寸大于几何图案123e1的尺寸，换句话说，几何图案的尺寸非周期性排列，能有效平衡磊晶结构各区的均匀度并兼具应力调节功能。
请先同时参照图2A以及图2F，本实施例的磊晶结构100f与图2A的磊晶结构100a相似，两者差异在于：在本实施例中，磊晶结构100f还包括至少一V型缺陷P，存在于量子井结构120f内。此处，至少一V型缺陷P由量子井结构120f的上表面S1延伸至第一型半导体层110f。如图2F所示，V型缺陷P型形成在第二型半导体层130f与量子阻障层124的界面处，从上表面S1往下至第一型半导体层110f，因而穿过图案化层122f。此处，图案化层122f中的每一几何图案123f的尺寸与V型缺陷P的尺寸的比值小于等于0.5，例如是几何图案123f与V型缺陷P的最大高度。且几何图案123f的数量大于V型缺陷P的数量。V型缺陷P的数量与几何图案123f的数量比值小于等于0.1，V型缺陷P过多会增加磊晶结构生长时的缺陷。此处，几何图案123f的数量具体化为六个，而V型缺陷P的数量具体化为1个，但不以此为限。
请同时参照图1以及图2G，本实施例的磊晶结构100g与图1的磊晶结构100相似，两者差异在于：在本实施例中，磊晶结构100g还包括缓冲层140，其中缓冲层140配置于量子井结构120的下表面S2与第一型半导体层110之间。通过设置缓冲层140，使得在磊晶成长过程中，无须额外使用曝光及显影程序来制作出氮化硅光罩供选择性磊晶成长，可避免中断磊晶成长的负面效应。此处，缓冲层140的材质例如是选自氮化铝镓(AlGaN)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)上述至少二者所组成的超晶格结构(superlattice structure)；或者是，氮化铟镓层、氮化铝镓层或氮化镓层。此外，本实施例的缓冲层140包括至少一结构化层142，且结构化层142包括多个几何结构143，可增加应力调节。于另一未示出的实施例中，缓冲层亦可不需有结构化层，此仍属于本发明所欲保护的范围。
请同时参照图2A以及图2H，本实施例的磊晶结构100h与图2A的磊晶结构100a相似，两者差异在于：在本实施例中，量子井结构120h的图案化层122h以及连续层126呈交错配置，可提升磊晶晶体品质。较佳的，最靠近第二型半导体层130的量子井层为图案化层122h，可使后续生长的第二型半导体层130有更佳的磊晶晶体品质。于未示出的实施例中，也可以连续层、图案化层和图案化层这样交错配置，将视实际需求设计。
请同时参照图1以及图2I，本实施例的磊晶结构100i与图1的磊晶结构100相似，两者差异在于：在本实施例中，量子井结构120i中的量子井层为四层图案化层122i，而每一图案化层122i的几何图案123i连接在一起。也就是说，本实施例的图案化层122i具体化为连续地图案化层，可有较佳的应力调节功能。
请同时参照图2I以及图2J，本实施例的磊晶结构100j与图2I的磊晶结构100i相似，两者差异在于：在本实施例中，量子井结构120j中的量子井层为四层图案化层122j，而每一图案化层122j的部分几何图案123j连接在一起。也就是说，本实施例的图案化层122j具体化为非连续地图案化层。
图3A至图3D是本发明的一实施例的量子井结构的多个图案化层的俯视示意图。请同时参照图1、图3A、图3B、图3C以及图3D，本实施例的量子井结构与图1的量子井结构120相似，两者差异在于：在本实施例中，每一图案化层122h1、122h2、122h3、122h4中的几何图案123h1、123h2、123h3、123h4的分布密度不同。进一步来说，在本实施例中，当几何图案123h1的高度(请参考图1的高度H表示)例如为2.5纳米，而宽度(请参考图1的宽度W表示)例如为5纳米时，如图3A所示，几何图案123h1的分布密度例如为2x1011。另一方面，当几何图案123h3的高度(请参考图1的高度H表示)例如为125纳米，而宽度(请参考图1的宽度W表示)例如为150纳米时，如图3C所示，几何图案123h3的分布密度例如为1x1010。几何图案123h3尺寸愈小时，分度密度可以愈大，经此来调整磊晶时产生的应力。针对不同尺寸和不同光色的磊晶结构具有不同的分布密度，可有效调节应力增加磊晶晶体品质并有较佳的发光均匀度。特别说明的是，当后续磊晶结构经制程而形成如图4的微型发光元件10时，当微型发光元件10最大宽度小于等于50微米时，几何图案123h3的分布密度大于等于1x1010且小于等于2x1011可以有较佳的发光效率。此外，以俯视观之，任两相邻的几何图案123h1、123h2、123h3之间的最大间距小于等于0.5微米，而能有较佳的应力调节能力。部分几何图案123h4之间的间距有呈现零的状态，意即彼此连接无间距，如图3D所示。
图4是依照本发明的一实施例的一种微型发光元件的剖面示意图。请同时参考图1与图4，在本实施例中，微型发光元件10包括上述图1的磊晶结构100、第一型电极200以及第二型电极300。第一型电极200配置于磊晶结构100上，且与第一型半导体层110电性连接。第二型电极300配置于磊晶结构100上，且与第二型半导体层130电性连接。此外，本实施例的微型发光元件10还包括绝缘层400，配置于第二型半导体层130上，其中第一型电极200与第二型电极300位于绝缘层400且分别第一型半导体层110及第二型半导体层130电性连接。意即，本实施例的微型发光元件10具体化为覆晶式微型发光元件。于未示出的实施例中，微型发光元件10也可以是垂直式微型发光元件或是水平式微型发光元件。
综上所述，在本发明的磊晶结构中，量子井层中包括至少一图案化层，且图案化层包括多个几何图案。通过这些几何图案的设置，可使本发明的磊晶结构具有应力调节及长波长发光的功效。再者，图案化层亦可有效地减少压电效应，以降低内建电场并减少界面应力，使图案化层中掺杂物(如铟含量)提升，进而维持晶体品质。此外，通过图案化层的设置，第二半导体层的厚度无需太厚，即可使磊晶结构具有较平坦的表面。因此，本发明的磊晶结构具有较佳的良率与品质，而采用本发明的磊晶结构的微型发光元件，则可具有良好的光电特性及可靠度。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (20)

1.一种磊晶结构，其特征在于，包括：
量子井结构，具有彼此相对的上表面与下表面，且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层，其中所述至少一量子井层中包括至少一图案化层，且所述至少一图案化层包括多个几何图案；
第一型半导体层，配置于所述量子井结构的所述下表面上；以及
第二型半导体层，配置于所述量子井结构的所述上表面上。
2.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一量子井层中包括至少一连续层，而所述至少一图案化层中的铟掺杂浓度与所述至少一连续层中的铟掺杂浓度的比值介于0.1至3.5。
3.根据权利要求2所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一图案化层中的铟掺杂浓度介于4％至50％，而所述至少一连续层中的铟掺杂浓度介于15％至25％。
4.根据权利要求2所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一图案化层与所述至少一连续层中的一者邻近所述第一型半导体层，而所述至少一图案化层与所述至少一连续层中的另一者邻近所述第二型半导体层。
5.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个几何图案中的至少二个具有不同的尺寸。
6.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一图案化层还包括多个连接部，而所述多个连接部中的每一个位于相邻两所述多个几何图案之间，且所述多个连接部中的每一个至少连接相邻两所述多个几何图案。
7.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一图案化层包括多个图案化层，且所述多个图案化层中的每一个中的所述多个几何图案至少部分彼此分离，而相邻两所述多个图案化层中的所述多个几何图案呈至少部分错位排列。
8.根据权利要求7所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个图案化层中的至少二层的所述多个几何图案的分布密度不同。
9.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，还包括：
缓冲层，配置于所述量子井结构的所述下表面与所述第一型半导体层之间，其中所述缓冲层包括至少一结构化层，且所述至少一结构化层包括多个几何结构。
10.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，还包括：
至少一V型缺陷，存在于所述量子井结构内。
11.根据权利要求10所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个几何图案中的每一个的尺寸与所述至少一V型缺陷的尺寸的比值小于等于0.5。
12.根据权利要求10所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个几何图案的数量大于所述至少一V型缺陷的数量。
13.根据权利要求12所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一V型缺陷的数量与所述多个几何图案的数量的比值小于等于0.1。
14.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述第一型半导体层具有表面，所述量子井结构的所述下表面邻近所述表面，所述多个几何图案于所述表面上的正投影面积与所述表面的面积的比值大于0.25。
15.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述多个几何图案中的每一个具有高度，而所述量子井结构具有厚度，所述高度与所述厚度的比值大于等于0.1且小于等于0.5。
16.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，以俯视观之，任两相邻的所述多个几何图案之间的最大间距小于等于0.5微米。
17.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一量子井层包括两量子井层，且相邻所述两量子井层之间的垂直间距介于2.5纳米至50纳米。
18.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述至少一量子阻障层的第一厚度大于等于1/2的所述图案化层的第二厚度。
19.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述第二型半导体层的厚度大于等于10纳米且小于200纳米。
20.一种微型发光元件，其特征在于，包括：
磊晶结构，包括：
量子井结构，具有彼此相对的上表面与下表面，且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层，其中所述至少一量子井层中包括至少一图案化层，且所述至少一图案化层包括多个几何图案；
第一型半导体层，配置于所述量子井结构的所述下表面上；以及
第二型半导体层，配置于所述量子井结构的所述上表面上；
第一型电极，配置于所述磊晶结构上，且与所述第一型半导体层电性连接；以及
第二型电极，配置于所述磊晶结构上，且与所述第二型半导体层电性连接。
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