DE102005060641B4 - Halbleiterdrucksensor - Google Patents
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Abstract
Halbleiterdrucksensor, bei welchem vorgesehen sind: ein Gehäuse (1), das aus einem Harz besteht, und einen konkaven Abschnitt (1a) aufweist; eine Leitung (2), die einstückig oder vereinigt mit dem Gehäuse (1) mittels Einsetzformen ausgebildet ist, und deren eines Ende in den konkaven Abschnitt (1a) hin freiliegt, und deren anderes Ende sich von dem Gehäuse (1) zur Außenseite erstreckt; ein Halbleiter-Chip (3, 8), der ein Sensor-Chip (3) zur Erfassung des Drucks ist und der in dem konkaven Abschnitt (1a) angeordnet ist; und ein Kontaktierungsdraht (4), welcher elektrisch den Halbleiter-Chip (3, 8) und die Leitung (2) miteinander verbindet; wobei eine Grenzfläche zwischen der Leitung (2) und dem Gehäuse (1) auf der Seite des konkaven Abschnitts (1a) mit einem ersten Schutzharzabschnitt (6) abgedeckt ist, der elektrisch isoliert; der Kontaktierungsdraht (4) durch einen zweiten Schutzharzabschnitt (7) abgedeckt ist, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt (6); der erste Schutzharzabschnitt (6) die Kontaktierungsdrähte (4) überhaupt nicht abdeckt; und die Leitung (2) an einem Ende mit einem Bond-Pad (2a) versehen ist, das durch Abbiegen der Leitung (2), in ihrem mittleren Abschnitt stufenweise zu dem zweiten Schutzharzabschnitt (7), ausgebildet ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterdrucksensor zur Erfassung eines Drucks, wie beispielsweise des Drucks in einem Ansaugkrummer einer Brennkraftmaschine, des Innendrucks in einem Tank, und dergleichen.
- Als übliches Druckmesselement ist beispielsweise ein Halbleiterdrucksensor bekannt, der den Piezowiderstandseffekt ausnutzt.
- Ein derartiger Halbleiterdrucksensor ist folgendermaßen ausgebildet. Ein Sitz mit einer hiermit verbundenen Membran ist in einem konkaven Abschnitt eines Gehäuses angeordnet, und ein Dehnungsmessgerät, das auf der Membran vorgesehen ist, dient zur Erfassung, als Widerstandsänderung, einer Verformung oder Verwindung der Membran, hervorgerufen durch eine Druckdifferenz zwischen einem Medium oder Fluid, das gemessen werden soll, und einer Vakuumkammer, die zwischen der Membran und dem Sitz vorhanden ist, so dass die Widerstandsänderung als elektrisches Signal nach außen über Leitungen ausgegeben wird, und hierdurch der zu messende Druck des Fluids erfasst wird.
- Die Membran und die Leitungen sind elektrisch miteinander über Kontaktierungsdrähte verbunden, und die Membran und die Kontaktierungsdrähte sind mit einem elektrisch isolierenden Schutzharzmaterial oder Abschnitt abgedeckt und hierdurch geschutzt, um die Korrosionsbeständigkeit und die elektrische Isolierung gegenüber dem zu messenden Medium sicherzustellen, jedoch wird als derartiges Harzmaterial ein relativ weiches Material eingesetzt, beispielsweise ein Gel, damit die Verformung oder Verwindung der Membran nicht gestört wird.
- Allerdings sind kleine Spalte oder Zwischenräume in Grenzflachen zwischen dem Gehäuse und den Leitungen vorhanden, die vereinigt mit dem Gehäuse durch Einsetzformen ausgebildet werden, so dass dann, wenn die Membran und die Kontaktierungsdrähte durch den Schutzharzabschnitt abgedeckt sind, in den Grenzflächen vorhandene Luft in den Schutzharzabschnitt freigegeben wird, was dazu führt, dass eine mechanische Spannung auf die Kontaktierungsdrähte einwirkt, wodurch die Befürchtung auftritt, dass die Kontaktierungsdrähte beschädigt werden könnten.
- Um eine derartige Situation zu verhindern, wird eine Gegenmaßnahme vorgenommen, bei welcher die Bearbeitung zum Abdecken des Schutzharzabschnitts unter einer Vakuumatmosphäre durchgeführt wird, um die Menge der Luft zu verringern, die in den Grenzflächen festgehalten oder eingefangen wird, aber selbst in einem derartigen Fall, expandiert dann, wenn die Membran einem Unterdruck ausgesetzt ist, der kleiner als der Atmospharendruck, die in dem kleinen Spalt vorhandene Luft, als Luftblasen, und dringt in den Schutzharzabschnitt ein, wodurch der Schutzharzabschnitt und die Kontaktierungsdrähte einer mechanischen Spannung ausgesetzt werden, so dass immer noch das Problem vorhanden war, dass eine Beschädigung der Kontaktierungsdrahte hervorgerufen werden könnte.
- In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, dass ein ähnliches Problem durch jene Luft hervorgerufen wurde, die von außerhalb des Gehäuses durch kleine Spalte eindrang.
- Als Mittel zur Lösung derartiger Probleme wurde beispielsweise ein Halbleiterdrucksensor vorgeschlagen, der in der
1 der DruckschriftJP H11-304619 A - Allerdings sind bei dem voranstehend geschilderten Halbleiterdrucksensor die Kontaktierungsdrähte mit dem ersten Schutzharzabschnitt und dem zweiten Schutzharzabschnitt abgedeckt, bei denen der lineare Ausdehnungskoeffizient und der Elastizitätsmodul verschieden sind, so dass eine Differenz oder eine Änderung der mechanischen Spannung oder der Verwindung des ersten Schutzharzabschnitts und des zweiten Schutzharzabschnitts, hervorgerufen durch eine Temperaturänderung oder eine Druckänderung, auf die Kontaktierungsdrähte mit erheblicher Kraft einwirkt. Daher trat selbst in diesem Fall das Problem auf, dass die Kontaktierungsdrähte beschädigt werden könnten.
- Ferner betrifft die
JP 2001-296 197 A DE 600 04 454 T2 ein Drucksensor hervor, bei dem ein Sensorchip mittels eines Klebers mit einem Gehäuse verbunden ist. - Mit der vorliegenden Erfindung sollen die voranstehend geschilderten Probleme gelöst werden, und das Ziel der Erfindung besteht darin, einen Halbleiterdrucksensor zu erhalten, bei welchem eine Beschädigung von Kontaktierungsdrähten verringert werden kann, um die Lebensdauer zu erhöhen, selbst in einer Umgebung, in welcher die Temperatur und der Druck sich schnell und stark ändern.
- Ein Halbleiterdrucksensor gemäß der vorliegenden Erfindung weist die Merkmale des Anspruchs 1, 2 oder 3 auf. Bevorzugte Weiterbildungen sind in den weiteren Ansprüchen beschrieben.
- Bei dem Halbleiterdrucksensor gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Beschädigung der Kontaktierungsdrähte selbst in einer Umgebung verringert werden, in welcher sich die Temperatur und der Druck schnell oder erheblich ändern, so dass die Lebensdauer des Drucksensors vergrößert werden kann.
- Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung hervorgehen. Es zeigt:
-
1 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterdrucksensors gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
2 eine Querschnittsansicht wesentlicher Abschnitte des Halbleiterdrucksensors, in welchen Leitungen eingebaut sind, die sich von den in1 gezeigten unterscheiden; -
3 eine Querschnittsansicht wesentlicher Abschnitte des Halbleiterdrucksensors, in den andere Leitungen als in1 gezeigt eingebaut sind; -
4 eine Querschnittsansicht wesentlicher Abschnitte des Halbleiterdrucksensors, in den andere Leitungen als in1 gezeigt eingebaut sind; -
5 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterdrucksensors gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und -
6 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterdrucksensors gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Einzelnen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. In den Figuren werden gleiche oder entsprechende Teile mit gleichen Bezugszeichen und Buchstaben bezeichnet.
- Ausführungsform 1
-
1 ist eine Querschnittsansicht, welche einen Halbleiterdrucksensor gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. - Bei diesem Halbleiterdrucksensor ist ein konkaver Abschnitt
1a zum Isolieren eines Halbleiter-Chips in Form eines Sensor-Chips3 in einem Gehäuse1 vorgesehen, das aus wärmeaushärtbarem Epoxyharz besteht. - Der Sensor-Chip
3 besteht aus einer Glasaufnahme3b mit einem Verbindungsabschnitt5 , der mit dem Boden des konkaven Abschnitts1a verbunden ist, und einer Membran3a , die aus einem Si-Material besteht, und an der Glasaufnahme3b durch Anoden-Bonden befestigt ist. Zwischen der Membran3a und der Glasaufnahme3b ist eine Vakuumkammer3c vorgesehen, die als Bezugsgroße fur den gemessenen Druck dient. - Ein Dehnungsmessgerät, das aus einer Wheatstone-Brückenschaltung besteht, ist auf der Membran
3a vorgesehen. - Leitungen
2 sind vereinigt mit dem Gehause1 durch Einsetzformen ausgebildet, und ihr eines Ende liegt in dem konkaven Abschnitt1a frei, und ihr anderes Ende erstreckt sich von dem Gehäuse1 zur Außenseite. An dem einen Ende jeder Leitung2 ist ein Bond-Pad2a vorgesehen, das in seinem mittleren Abschnitt stufenförmig zur Membran3a hin gebogen ist. Mehrere Kontaktierungsdrähte4 , die aus Gold bestehen, sind mit ihren entgegengesetzten Enden mit den Bond-Pads2a und dem Rand der Membran3a durch Thermokompressions-Bonden und Ultraschallwellen in Kombination verbunden. - Zur Sicherstellung des Schutzes, der Korrosionsbeständigkeit und der Isolierung gegen das Eindringen von Fremdkörpern in ein zu messendes Medium, sind ein erster Schutzharzabschnitt
6 und ein zweiter Schutzharzabschnitt7 , die beide elektrisch isolierend sind, in dem konkaven Abschnitt1a vorgesehen. - Der erste Schutzharzabschnitt
6 deckt den Boden des konkaven Abschnitts1a ab. Der erste Schutzharzabschnitt6 muss nur zumindest Grenzflächen zwischen den Leitungen2 und dem Gehäuse1 zumindest an der Seite des konkaven Abschnitts1a abdecken. Der erste Schutzharzabschnitt6 besteht aus einem gummiartigen oder Gel-Material mit relativ hoher Härte, und dient hauptsächlich dazu, zu verhindern, dass Luftblasen von den Grenzflächen zwischen den Leitungen2 und dem Gehäuse1 in den konkaven Abschnitt1a abgegeben werden, wenn das Innere des konkaven Abschnitts1a einem Unterdruck ausgesetzt ist. Anders ausgedrückt, hat der erste Schutzharzabschnitt6 die Aufgabe einer Abdichtung. - Hierbei wird darauf hingewiesen, dass die Kontaktierungsdrähte
4 und die Leitungen2 , die in1 gezeigt sind, als Ausgangswege von der Wheatstone-Brückenschaltung dienen, jedoch für Kontaktierungsdrähte (nicht gezeigt) und Leitungen (nicht gezeigt), die zum Anlegen eines Bezugspotentials an die Wheatstone-Bruckenschaltung verwendet werden, selbstverständlich der erste Schutzharzabschnitt6 auch dazu dient, das Freigeben von Luftblasen von Grenzflächen zwischen den Leitungen und dem Gehäuse1 in den konkaven Abschnitt1a zu verhindern. - Der zweite Schutzharzabschnitt
7 , der den ersten Schutzharzabschnitt6 abdeckt, ist weicher als der erste Schutzharzabschnitt6 , und deckt die Kontaktierungsdrähte4 , die Bond-Pads2a , und die Membran3a ab. Falls der Halbleiterdrucksensor zur Erfassung beispielsweise des Ansaugluftdrucks in einem Kraftfahrzeug verwendet wird, wird ein Harz auf Fluorgrundlage mit hoher chemischer Beständigkeit gegen beispielsweise Benzin, Motoröl und dergleichen als der zweite Schutzharzabschnitt7 verwendet. - Wenn bei dem Halbleiterdrucksensor mit der voranstehend geschilderten Konstruktion der Druck des Mediums oder Fluids, der gemessen werden soll, aus einer Richtung eines Pfeils A auf die Membran
3a einwirkt, wird die Membran3a dazu veranlasst, verformt zu werden. Dies führt dazu, dass eine mechanische Spannung auf das Dehnungsmessgerät einwirkt, und sich der Widerstandswert des Dehnungsmessgerats entsprechend der Stärke der mechanischen Spannung ändert. - Andererseits wirkt das Bezugspotential auf das Dehnungsmessgerät ein, welches die Wheatstone-Brückenschaltung bildet, über die Leitungen (nicht gezeigt) und die Kontaktierungsdrähte (nicht gezeigt), so dass sich die Ausgangsspannung der Wheatstone-Brückenschaltung entsprechend der Änderung des Widerstandswerts des Dehnungsmessgeräts ändert. Die Größe der Änderung der Ausgangsspannung der Wheatstone-Brücke wird nach außerhalb über die Kontaktierungsdrähte
4 und die Leitungen2 ausgegeben, wodurch der zu messende Druck des Fluids erfasst wird. - Da bei dem Halbleiterdrucksensor mit der voranstehend geschilderten Konstruktion die Grenzflachen zwischen den Leitungen
2 und dem Gehause1 an der Seite des konkaven Abschnitts1a mit dem elektrisch isolierenden, ersten Schutzharzabschnitt5 abgedeckt sind, wird ermöglicht, selbst wenn Luftblasen in kleinen Spalten an den Grenzflächen zwischen dem Gehause1 und den Leitungen2 vorhanden sind, zu verhindern, dass die Luftblasen in den konkaven Abschnitt1a hin freigesetzt werden, so dass auch ermöglicht wird, einen Bruch oder eine Beschädigung der Kontaktierungsdrähte4 infolge der Luftblasen zu verhindern. - Weiterhin sind die Kontaktierungsdrähte
4 gleichmäßig mit dem zweiten Schutzharzabschnitt7 abgedeckt, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt6 . Daher tritt keine Beschädigung der Kontaktierungsdrähte4 infolge eines Unterschieds in Bezug auf den linearen Ausdehnungskoeffizienten auf, des Elastizitätsmoduls, und dergleichen, zwischen unterschiedlichen Schutzharzabschnitten. - Da jede der Leitungen
2 an ihrem einen Ende mit einem Bond-Pad2a versehen ist, das so ausgebildet ist, dass es in seinem mittleren Abschnitt stufenweise zur Membran3a hin abgebogen ist, ist der erste Schutzharzabschnitt6 so ausgebildet, dass er überhaupt nicht die Kontaktierungsdrähte4 abdeckt. - In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, dass die Ausbildung oder die Form des einen Endes jeder Leitung
2 so sein kann, wie dies in2 ,3 oder4 gezeigt ist. - Im Fall einer in
2 dargestellten Leitung2 ist ein Ende der Leitung2 in einem Winkel von 90° abgebogen, und ist ein Kontaktierungsdraht4 an seinem einen Ende mit einer Oberfläche oder einem Rand an der Spitze des gebogenen Endes der Leitung2 verbunden. - In diesem Fall ist die Leitung
2 um einen Winkel von 90° abgebogen, so dass die Dicke eines ersten Schutzharzabschnitts6 unabhängig vom Einfluss der Dicke der Leitung2 eingestellt werden kann. Weiterhin ist der Vorteil vorhanden, dass eine Form, die eingesetzt wird, wenn das Gehäuse1 und die Leitung2 durch Einsetzformen hergestellt werden, nur eine einfache Konstruktion aufweisen muss. - Weiterhin ist im Fall einer in
3 gezeigten Leitung2 ein Ende der Leitung2 trapezförmig durch Pressformen ausgebildet, und ist ein Kontaktierungsdraht4 an seinem einen Ende mit einer oberen Seite oder Oberfläche des trapezförmigen Endes der Leitung2 verbunden. - Auch in diesem Fall kann, wie bei dem in
2 gezeigten Fall, die Dicke eines ersten Schutzharzabschnitts6 ohne Berücksichtigung der Dicke der Leitung2 eingestellt werden. - Weiterhin ist im Fall einer in
4 gezeigten Leitung2 ein Ende der Leitung2 zurück gebogen in einem Winkel von 180°, und ist ein Kontaktierungsdraht4 an seinem einen Ende mit einer oberen Oberfläche des zurück gebogenen Endes der Leitung2 verbunden. - Auch in diesem Fall kann, wie bei dem in
2 gezeigten Fall, die Dicke eines ersten Schutzharzabschnitts6 ohne Berücksichtigung der Dicke der Leitung2 eingestellt werden. - Ausführungsform 2
-
5 ist eine Querschnittsansicht, die einen Halbleiterdrucksensor gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. - Bei diesem Halbleiterdrucksensor ist ein Sensor-Chip
3 mit dem Boden eines konkaven Abschnitts1a über einen ersten Schutzharzabschnitt6 verbunden. - Abgesehen davon ist die Konstruktion bei dieser zweiten Ausführungsform ebenso wie bei der ersten Ausführungsform.
- Bei dem Halbleiterdrucksensor gemäß dieser Ausführungsform konnen ähnlich vorteilhafte Auswirkungen wie bei der ersten Ausführungsform erreicht werden, und darüber hinaus hat der erste Schutzharzabschnitt
6 nicht nur die Aufgabe, Grenzflächen zwischen Leitungen2 und einem Gehäuse1 an der Seite des konkaven Abschnitts1a abzudichten, sondern auch die Aufgabe, den Sensor-Chip3 mit dem Gehäuse1 zu verbinden, wodurch der Schritt des Anbringens eines Verbindungsmaterials an einem Verbindungsabschnitt5 , wie dies bei der ersten Ausfuhrungsform erforderlich ist, unnötig wird, und daher der Zusammenbauwirkungsgrad verbessert wird. - Ausführungsform 3
-
6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Halbleiterdrucksensor gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. - Bei diesem Halbleiterdrucksensor ist ein Prozessor-Chip
8 , der dazu dient, ein elektrisches Signal von einem Sensor-Chip3 zur Erfassung des Drucks zu korrigieren und zu verstärken, in einem konkaven Abschnitt1a zusammen mit dem Sensor-Chip3 angeordnet. - Der Prozessor-Chip
8 in Form eines Halbleiter-Chips ist mit einem vorstehenden Abschnitt des Bodens des konkaven Abschnitts1a über einen Verbindungsabschnitt5 verbunden. - Bei diesem Prozessor-Chip
8 sind, ähnlich wie beim Sensor-Chip3 , mehrere Kontaktierungsdrähte4 an ihren entgegengesetzten Enden mit Bond-Pads2a und Randern des Prozessor-Chips8 durch eine Kombination aus Wärmekompressions-Bondieren und Ultraschallwellen verbunden. - Im Übrigen ist die Konstruktion dieser dritten Ausführungsform, mit Ausnahme der voranstehend geschilderten Einzelheiten, ebenso wie bei der ersten Ausführungsform, und konnen die gleichen, vorteilhaften Auswirkungen wie bei der ersten Ausführungsform erzielt werden.
- In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, dass bei den voranstehend geschilderten ersten bis dritten Ausfuhrungsformen ein durch Wärmeeinwirkung aushärtendes Harz als das Material für das Gehäuse
1 eingesetzt wird, jedoch auch ein thermoplastisches Harz verwendet werden kannte. - Weiterhin kann beispielsweise, obwohl der Sensor-Chip so beschrieben wurde, dass er den Piezowiderstandseffekt ausnutzt, auch beispielsweise ein Halbleiterdrucksensor-Chip des Kapazitätstyps eingesetzt werden.
- Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung ebenso bei einem Halbleiterdrucksensor eingesetzt werden, der aus einem IC besteht, bei welchem die Funktionen des Sensor-Chips
3 und des Prozessor-Chips8 von demselben Chip zur Verfügung gestellt werden.
Claims (6)
- Halbleiterdrucksensor, bei welchem vorgesehen sind: ein Gehäuse (
1 ), das aus einem Harz besteht, und einen konkaven Abschnitt (1a ) aufweist; eine Leitung (2 ), die einstückig oder vereinigt mit dem Gehäuse (1 ) mittels Einsetzformen ausgebildet ist, und deren eines Ende in den konkaven Abschnitt (1a ) hin freiliegt, und deren anderes Ende sich von dem Gehäuse (1 ) zur Außenseite erstreckt; ein Halbleiter-Chip (3 ,8 ), der ein Sensor-Chip (3 ) zur Erfassung des Drucks ist und der in dem konkaven Abschnitt (1a ) angeordnet ist; und ein Kontaktierungsdraht (4 ), welcher elektrisch den Halbleiter-Chip (3 ,8 ) und die Leitung (2 ) miteinander verbindet; wobei eine Grenzfläche zwischen der Leitung (2 ) und dem Gehäuse (1 ) auf der Seite des konkaven Abschnitts (1a ) mit einem ersten Schutzharzabschnitt (6 ) abgedeckt ist, der elektrisch isoliert; der Kontaktierungsdraht (4 ) durch einen zweiten Schutzharzabschnitt (7 ) abgedeckt ist, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt (6 ); der erste Schutzharzabschnitt (6 ) die Kontaktierungsdrähte (4 ) überhaupt nicht abdeckt; und die Leitung (2 ) an einem Ende mit einem Bond-Pad (2a ) versehen ist, das durch Abbiegen der Leitung (2 ), in ihrem mittleren Abschnitt stufenweise zu dem zweiten Schutzharzabschnitt (7 ), ausgebildet ist. - Halbleiterdrucksensor, bei welchem vorgesehen sind: ein Gehäuse (
1 ), das aus einem Harz besteht, und einen konkaven Abschnitt (1a ) aufweist; eine Leitung (2 ), die einstückig oder vereinigt mit dem Gehäuse (1 ) mittels Einsetzformen ausgebildet ist, und deren eines Ende in den konkaven Abschnitt (1a ) hin freiliegt, und deren anderes Ende sich von dem Gehäuse (1 ) zur Außenseite erstreckt; ein Halbleiter-Chip (3 ,8 ), der ein Sensor-Chip (3 ) zur Erfassung des Drucks ist und der in dem konkaven Abschnitt (1a ) angeordnet ist; und ein Kontaktierungsdraht (4 ), welcher elektrisch den Halbleiter-Chip (3 ,8 ) und die Leitung (2 ) miteinander verbindet; wobei eine Grenzfläche zwischen der Leitung (2 ) und dem Gehäuse (1 ) auf der Seite des konkaven Abschnitts (1a ) mit einem ersten Schutzharzabschnitt (6 ) abgedeckt ist, der elektrisch isoliert; der Kontaktierungsdraht (4 ) durch einen zweiten Schutzharzabschnitt (7 ) abgedeckt ist, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt (6 ); der erste Schutzharzabschnitt (6 ) die Kontaktierungsdrähte (4 ) überhaupt nicht abdeckt; und die Leitung (2 ) an ihrem einen Ende mit einem Bond-Pad (2a ) versehen ist, das durch Biegen des einen Endes der Leitung (2 ) mit einem Winkel von 90° ausgebildet ist. - Halbleiterdrucksensor, bei welchem vorgesehen sind: ein Gehäuse (
1 ), das aus einem Harz besteht, und einen konkaven Abschnitt (1a ) aufweist; eine Leitung (2 ), die einstückig oder vereinigt mit dem Gehäuse (1 ) mittels Einsetzformen ausgebildet ist, und deren eines Ende in den konkaven Abschnitt (1a ) hin freiliegt, und deren anderes Ende sich von dem Gehäuse (1 ) zur Außenseite erstreckt; ein Halbleiter-Chip (3 ,8 ), der ein Sensor-Chip (3 ) zur Erfassung des Drucks ist und der in dem konkaven Abschnitt (1a ) angeordnet ist; und ein Kontaktierungsdraht (4 ), welcher elektrisch den Halbleiter-Chip (3 ,8 ) und die Leitung (2 ) miteinander verbindet; wobei eine Grenzfläche zwischen der Leitung (2 ) und dem Gehäuse (1 ) auf der Seite des konkaven Abschnitts (1a ) mit einem ersten Schutzharzabschnitt (6 ) abgedeckt ist, der elektrisch isoliert; der Kontaktierungsdraht (4 ) durch einen zweiten Schutzharzabschnitt (7 ) abgedeckt ist, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt (6 ); der erste Schutzharzabschnitt (6 ) die Kontaktierungsdrähte (4 ) überhaupt nicht abdeckt; und die Leitung (2 ) an ihrem einen Ende mit einem Bond-Pad (2a ) versehen ist, das durch Zurückbiegen des einen Endes der Leitung (2 ) mit einem Winkel von 180° ausgebildet ist. - Halbleiterdrucksensor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Chip (
3 ) mit einem Boden des konkaven Abschnitts (1a ) über den ersten Schutzharzabschnitt (6 ) verbunden ist. - Halbleiterdrucksensor nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Chip ein Prozessor-Chip (
8 ) ist, der dazu dient, ein elektrisches Signal von einem Sensor-Chip (3 ) zu korrigieren und zu verstärken, um den Druck zu erfassen. - Halbleiterdrucksensor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor-Chip (
3 ) und der Prozessor-Chip (8 ) auf demselben konkaven Abschnitt (1a ) angeordnet sind.
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JP5018909B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2012-09-05 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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JP5761126B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2015-08-12 | 日本精機株式会社 | 圧力検出装置 |
JP6301602B2 (ja) * | 2013-07-22 | 2018-03-28 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
DE102014105861B4 (de) * | 2014-04-25 | 2015-11-05 | Infineon Technologies Ag | Sensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Sensorvorrichtung |
JP2016003977A (ja) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー装置、高度計、電子機器および移動体 |
JP6507596B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-05-08 | ミツミ電機株式会社 | 半導体センサ装置 |
WO2024176356A1 (ja) * | 2023-02-21 | 2024-08-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体水素圧力センサ及びその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11304619A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Denso Corp | 半導体圧力センサ装置 |
JP2001296197A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Denso Corp | 圧力センサ |
DE60004454T2 (de) * | 1999-10-04 | 2004-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Drucksensoreinheit |
Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
JP2002162306A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 圧力センサモジュール |
JP2002181649A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-26 | Toyoda Mach Works Ltd | 圧力センサとその製造方法 |
JP2004198147A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Toyoda Mach Works Ltd | 圧力センサ |
US6680525B1 (en) * | 2003-01-09 | 2004-01-20 | Kingpak Technology Inc. | Stacked structure of an image sensor |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11304619A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Denso Corp | 半導体圧力センサ装置 |
DE60004454T2 (de) * | 1999-10-04 | 2004-04-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Drucksensoreinheit |
JP2001296197A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Denso Corp | 圧力センサ |
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