DE102005060641A1

DE102005060641A1 - Halbleiterdrucksensor

Info

Publication number: DE102005060641A1
Application number: DE102005060641A
Authority: DE
Inventors: Yoshimitsu Takahata; Hiroshi Nakamura; Masaaki Taruya; Shinsuke Asada
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2005-08-02
Filing date: 2005-12-19
Publication date: 2007-02-15
Anticipated expiration: 2025-12-20
Also published as: US20070029657A1; DE102005060641B4; JP2007040772A; US7391101B2

Abstract

Ein Halbleiterdrucksensor kann eine Beschädigung von Kontaktierungdrähten verringern, um deren Lebensdauer zu erhöhen, selbst in einer Umgebung, in welcher sich die Temperatur und der Druck schnell und wesentlich ändern. Der Halbleiterdrucksensor weist ein Gehäuse (1) auf, das aus einem Harz hergestellt ist und mit einem konkaven Abschnitt (1a) versehen ist, eine Leitung (2), die vereinigt mit dem Gehäuse (1) durch Einsetzformen ausgebildet ist, wobei deren eines Ende in den konkaven Abschnitt (1a) hin freiliegt und ihr anderes Ende von dem Gehäuse (1) zur Außenseite verläuft, einen Sensor-Chip (3), der in dem konkaven Abschnitt (1a) zur Erfassung des Drucks vorgesehen ist, und einen Kontaktierungsdraht (4), der elektrisch den Sensor-Chip (3) und die Leitung (2) miteinander verbindet. Eine Grenzfläche zwischen der Leitung (2) und dem Gehäuse (1) an der Seite des konkaven Abschnitts (1a) ist mit einem ersten Schutzharzabschnitt (6) abgedeckt, der elektrisch isoliert, und der Kontaktierungsdraht (4) ist durch einen zweiten Schutzharzabschnitt (7) abgedeckt, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt (6).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterdrucksensor zur Erfassung eines Drucks, wie beispielsweise des Drucks in einem Ansaugkrümmer einer Brennkraftmaschine, des Innendrucks in einem Tank, und dergleichen.
Als übliches Druckmesselement ist beispielsweise ein Halbleiterdrucksensor bekannt, der den Piezowiderstandseffekt ausnutzt.
Ein derartiger Halbleiterdrucksensor ist folgendermaßen ausgebildet. Ein Sitz mit einer hiermit verbundenen Membran ist in einem konkaven Abschnitt eines Gehäuses angeordnet, und ein Dehnungsmessgerät, das auf der Membran vorgesehen ist, dient zur Erfassung, als Widerstandsänderung, einer Verformung oder Verwindung der Membran, hervorgerufen durch eine Druckdifferenz zwischen einem Medium oder Fluid, das gemessen werden soll, und einer Vakuumkammer, die zwischen der Membran und dem Sitz vorhanden ist, so dass die Widerstandsänderung als elektrisches Signal nach außen über Leitungen ausgegeben wird, und hierdurch der zu messende Druck des Fluids erfasst wird.
Die Membran und die Leitungen sind elektrisch miteinander über Kontaktierungsdrähte verbunden, und die Membran und die Kontaktierungsdrähte sind mit einem elektrisch isolierenden Schutzharzmaterial oder Abschnitt abgedeckt und hierdurch geschützt, um die Korrosionsbeständigkeit und die elektrische Isolierung gegenüber dem zu messenden Medium sicherzustellen, jedoch wird als derartiges Harzmaterial ein relativ weiches Material eingesetzt, beispielsweise ein Gel, damit die Verformung oder Verwindung der Membran nicht gestört wird.
Allerdings sind kleine Spalte oder Zwischenräume in Grenzflächen zwischen dem Gehäuse und den Leitungen vorhanden, die vereinigt mit dem Gehäuse durch Einsetzformen ausgebildet werden, so dass dann, wenn die Membran und die Kontaktierungsdrähte durch den Schutzharzabschnitt abgedeckt sind, in den Grenzflächen vorhandene Luft in den Schutzharzabschnitt freigegeben wird, was dazu führt, dass eine mechanische Spannung auf die Kontaktierungsdrähte einwirkt, wodurch die Befürchtung auftritt, dass die Kontaktierungsdrähte beschädigt werden könnten.
Um eine derartige Situation zu verhindern, wird eine Gegenmaßnahme vorgenommen, bei welcher die Bearbeitung zum Abdecken des Schutzharzabschnitts unter einer Vakuumatmosphäre durchgeführt wird, um die Menge der Luft zu verringern, die in den Grenzflächen festgehalten oder eingefangen wird, aber selbst in einem derartigen Fall, expandiert dann, wenn die Membran einem Unterdruck ausgesetzt ist, der kleiner als der Atmosphärendruck, die in dem kleinen Spalt vorhandene Luft, als Luftblasen, und dringt in den Schutzharzabschnitt ein, wodurch der Schutzharzabschnitt und die Kontaktierungsdrähte einer mechanischen Spannung ausgesetzt werden, so dass immer noch das Problem vorhanden war, dass eine Beschädigung der Kontaktierungsdrähte hervorgerufen werden könnte.
In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, dass ein ähnliches Problem durch jene Luft hervorgerufen wurde, die von außerhalb des Gehäuses durch kleine Spalte eindrang.

Als Mittel zur Lösung derartiger Probleme wurde beispielsweise ein Halbleiterdrucksensor vorgeschlagen, der in einem ersten Patentdokument (japanische offengelegte Patentanmeldung H11-304619 (1)) beschrieben ist. Hierbei sind die Seite eines konkaven Abschnitts, untere Abschnitte der Kontaktierungsdrähte, und die Leitungen auf den Grenzflächen zwischen den Leitungen und dem Gehäuse mit einem ersten, relativ harten, isolierenden Harzabschnitt abgedeckt, um hierdurch Luft in der Grenzfläche festzuhalten, und sind die Membran und obere Abschnitte der Kontaktierungsdrähte mit einem zweiten, relativ weichen Schutzharzabschnitt abgedeckt.

Allerdings sind bei dem voranstehend geschilderten Halbleiterdrucksensor die Kontaktierungsdrähte mit dem ersten Schutzharzabschnitt und dem zweiten Schutzharzabschnitt abgedeckt, bei denen der lineare Ausdehnungskoeffizient und der Elastizitätsmodul verschieden sind, so dass eine Differenz oder eine Änderung der mechanischen Spannung oder der Verwindung des ersten Schutzharzabschnitts und des zweiten Schutzharzabschnitts, hervorgerufen durch eine Temperaturänderung oder eine Druckänderung, auf die Kontaktierungsdrähte mit erheblicher Kraft einwirkt. Daher trat selbst in diesem Fall das Problem auf, dass die Kontaktierungsdrähte beschädigt werden könnten.

Mit der vorliegenden Erfindung sollen die voranstehend geschilderten Probleme gelöst werden, und das Ziel der Erfindung besteht darin, einen Halbleiterdrucksensor zu erhalten, bei welchem eine Beschädigung von Kontaktierungsdrähten verringert werden kann, um die Lebensdauer zu erhöhen, selbst in einer Umgebung, in welcher die Temperatur und der Druck sich schnell und stark ändern.

Ein Halbleiterdrucksensor gemäß der vorliegenden Erfindung weist auf: ein aus einem Harz hergestelltes Gehäuse, das einen konkaven Abschnitt aufweist; eine Leitung, die vereinigt mit dem Gehäuse durch Einsetzformen ausgebildet ist, und deren eines Ende in dem konkaven Abschnitt freiliegt, und deren anderes Ende sich von dem Gehäuse zur Außenseite erstreckt; einen Halbleiter-Chip, der in dem konkaven Abschnitt angeordnet ist; und einen Kontaktierungsdraht, der elektrisch den Halbleiter-Chip und die Leitung miteinander verbindet. Eine Grenzfläche zwischen der Leitung und dem Gehäuse an der Seite des konkaven Abschnitts ist mit einem ersten Schutzharzabschnitt abgedeckt, der elektrisch isoliert, und der Kontaktierungsdraht ist mit einem zweiten Schutzharzabschnitt bedeckt, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt.

Bei dem Halbleiterdrucksensor gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Beschädigung der Kontaktierungsdrähte selbst in einer Umgebung verringert werden, in welcher sich die Temperatur und der Druck schnell oder erheblich ändern, so dass die Lebensdauer des Drucksensors vergrößert werden kann.

Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung hervorgehen. Es zeigt:
1 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterdrucksensors gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
2 eine Querschnittsansicht wesentlicher Abschnitte des Halbleiterdrucksensors, in welchen Leitungen eingebaut sind, die sich von den in 1 gezeigten unterscheiden;
3 eine Querschnittsansicht wesentlicher Abschnitte des Halbleiterdrucksensors, in den andere Leitungen als in 1 gezeigt eingebaut sind;
4 eine Querschnittsansicht wesentlicher Abschnitte des Halbleiterdrucksensors, in den andere Leitungen als in 1 gezeigt eingebaut sind;
5 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterdrucksensors gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
6 eine Querschnittsansicht eines Halbleiterdrucksensors gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Einzelnen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. In den Figuren werden gleiche oder entsprechende Teile mit gleichen Bezugszeichen und Buchstaben bezeichnet.
Ausführungsform 1
1 ist eine Querschnittsansicht, welche einen Halbleiterdrucksensor gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Bei diesem Halbleiterdrucksensor ist ein konkaver Abschnitt 1a zum Isolieren eines Halbleiter-Chips in Form eines Sensor-Chips 3 in einem Gehäuse 1 vorgesehen, das aus wärmeaushärtbarem Epoxyharz besteht.
Der Sensor-Chip 3 besteht aus einer Glasaufnahme 3b mit einem Verbindungsabschnitt 5, der mit dem Boden des konkaven Abschnitts 1a verbunden ist, und einer Membran 3a, die aus einem Si-Material besteht, und an der Glasaufnahme 3b durch Anoden-Bonden befestigt ist. Zwischen der Membran 3a und der Glasaufnahme 3b ist eine Vakuumkammer 3c vorgesehen, die als Bezugsgröße für den gemessenen Druck dient.
Ein Dehnungsmessgerät, das aus einer Wheatstone-Brückenschaltung besteht, ist auf der Membran 3a vorgesehen.
Leitungen 2 sind vereinigt mit dem Gehäuse 1 durch Einsetzformen ausgebildet, und ihr eines Ende liegt in dem konkaven Abschnitt 1a frei, und ihr anderes Ende erstreckt sich von dem Gehäuse 1 zur Außenseite. An dem einen Ende jeder Leitung 2 ist ein Bond-Pad 2a vorgesehen, das in seinem mittleren Abschnitt stufenförmig zur Membran 3a hin gebogen ist. Mehrere Kontaktierungsdrähte 4, die aus Gold bestehen, sind mit ihren entgegengesetzten Enden mit den Bond-Pads 2a und dem Rand der Membran 3a durch Thermokompressions-Bonden und Ultraschallwellen in Kombination verbunden.
Zur Sicherstellung des Schutzes, der Korrosionsbeständigkeit und der Isolierung gegen das Eindringen von Fremdkörpern in ein zu messendes Medium, sind ein erster Schutzharzabschnitt 6 und ein zweiter Schutzharzabschnitt 7, die beide elektrisch isolierend sind, in dem konkaven Abschnitt 1a vorgesehen.
Der erste Schutzharzabschnitt 6 deckt den Boden des konkaven Abschnitts 1a ab. Der erste Schutzharzabschnitt 6 muss nur zumindest Grenzflächen zwischen den Leitungen 2 und dem Gehäuse 1 zumindest an der Seite des konkaven Abschnitts 1a abdecken. Der erste Schutzharzabschnitt 6 besteht aus einem gummiartigen oder Gel-Material mit relativ hoher Härte, und dient hauptsächlich dazu, zu verhindern, dass Luftblasen von den Grenzflächen zwischen den Leitungen 2 und dem Gehäuse 1 in den konkaven Abschnitt 1a abgegeben werden, wenn das Innere des konkaven Abschnitts 1a einem Unterdruck ausgesetzt ist. Anders ausgedrückt, hat der erste Schutzharzabschnitt 6 die Aufgabe einer Abdichtung.
Hierbei wird darauf hingewiesen, dass die Kontaktierungsdrähte 4 und die Leitungen 2, die in 1 gezeigt sind, als Ausgangswege von der Wheatstone-Brückenschaltung dienen, jedoch für Kontaktierungsdrähte (nicht gezeigt) und Leitungen (nicht gezeigt), die zum Anlegen eines Bezugspotentials an die Wheatstone-Brückenschaltung verwendet werden, selbstverständlich der erste Schutzharzabschnitt 6 auch dazu dient, das Freigeben von Luftblasen von Grenzflächen zwischen den Leitungen und dem Gehäuse 1 in den konkaven Abschnitt 1a zu verhindern.
Der zweite Schutzharzabschnitt 7, der den ersten Schutzharzabschnitt 6 abdeckt, ist weicher als der erste Schutzharzabschnitt 6, und deckt die Kontaktierungsdrähte 4, die Bond-Pads 2a, und die Membran 3a ab. Falls der Halbleiterdrucksensor zur Erfassung beispielsweise des Ansaugluftdrucks in einem Kraftfahrzeug verwendet wird, wird ein Harz auf Fluorgrundlage mit hoher chemischer Beständigkeit gegen beispielsweise Benzin, Motoröl und dergleichen als der zweite Schutzharzabschnitt 7 verwendet.
Wenn bei dem Halbleiterdrucksensor mit der voranstehend geschilderten Konstruktion der Druck des Mediums oder Fluids, der gemessen werden soll, aus einer Richtung eines Pfeils A auf die Membran 3a einwirkt, wird die Membran 3a dazu veranlasst, verformt zu werden. Dies führt dazu, dass eine mechanische Spannung auf das Dehnungsmessgerät einwirkt, und sich der Widerstandswert des Dehnungsmessgeräts entsprechend der Stärke der mechanischen Spannung ändert.
Andererseits wirkt das Bezugspotential auf das Dehnungsmessgerät ein, welches die Wheatstone-Brückenschaltung bildet, über die Leitungen (nicht gezeigt) und die Kontaktierungsdrähte (nicht gezeigt), so dass sich die Ausgangsspannung der Wheatstone-Brückenschaltung entsprechend der Änderung des Widerstandswerts des Dehnungsmessgeräts ändert. Die Größe der Änderung der Ausgangsspannung der Wheatstone-Brücke wird nach außerhalb über die Kontaktierungsdrähte 4 und die Leitungen 2 ausgegeben, wodurch der zu messende Druck des Fluids erfasst wird.
Da bei dem Halbleiterdrucksensor mit der voranstehend geschilderten Konstruktion die Grenzflächen zwischen den Leitungen 2 und dem Gehäuse 1 an der Seite des konkaven Abschnitts 1a mit dem elektrisch isolierenden, ersten Schutzharzabschnitt 6 abgedeckt sind, wird ermöglicht, selbst wenn Luftblasen in kleinen Spalten an den Grenzflächen zwischen dem Gehäuse 1 und den Leitungen 2 vorhanden sind, zu verhindern, dass die Luftblasen in den konkaven Abschnitt 1a hin freigesetzt werden, so dass auch ermöglicht wird, einen Bruch oder eine Beschädigung der Kontaktierungsdrähte 4 infolge der Luftblasen zu verhindern.
Weiterhin sind die Kontaktierungsdrähte 4 gleichmäßig mit dem zweiten Schutzharzabschnitt 7 abgedeckt, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt 6. Daher tritt keine Beschädigung der Kontaktierungsdrähte 4 infolge eines Unterschieds in Bezug auf den linearen Ausdehnungskoeffizienten auf, des Elastizitätsmoduls, und dergleichen, zwischen unterschiedlichen Schutzharzabschnitten.
Da jede der Leitungen 2 an ihrem einen Ende mit einem Bond-Pad 2a versehen ist, das so ausgebildet ist, dass es in seinem mittleren Abschnitt stufenweise zur Membran 3a hin abgebogen ist, ist der erste Schutzharzabschnitt 6 so ausgebildet, dass er überhaupt nicht die Kontaktierungsdrähte 4 abdeckt.
In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, dass die Ausbildung oder die Form des einen Endes jeder Leitung 2 so sein kann, wie dies in 2, 3 oder 4 gezeigt ist.
Im Fall einer in 2 dargestellten Leitung 2 ist ein Ende der Leitung 2 in einem Winkel von 90° abgebogen, und ist ein Kontaktierungsdraht 4 an seinem einen Ende mit einer Oberfläche oder einem Rand an der Spitze des gebogenen Endes der Leitung 2 verbunden.
In diesem Fall ist die Leitung 2 um einen Winkel von 90° abgebogen, so dass die Dicke eines ersten Schutzharzabschnitts 6 unabhängig vom Einfluss der Dicke der Leitung 2 eingestellt werden kann. Weiterhin ist der Vorteil vorhanden, dass eine Form, die eingesetzt wird, wenn das Gehäuse 1 und die Leitung 2 durch Einsetzformen hergestellt werden, nur eine einfache Konstruktion aufweisen muss.
Weiterhin ist im Fall einer in 3 gezeigten Leitung 2 ein Ende der Leitung 2 trapezförmig durch Pressformen ausgebildet, und ist ein Kontaktierungsdraht 4 an seinem einen Ende mit einer oberen Seite oder Oberfläche des trapezförmigen Endes der Leitung 2 verbunden.
Auch in diesem Fall kann, wie bei dem in 2 gezeigten Fall, die Dicke eines ersten Schutzharzabschnitts 6 ohne Berücksichtigung der Dicke der Leitung 2 eingestellt werden.
Weiterhin ist im Fall einer in 4 gezeigten Leitung 2 ein Ende der Leitung 2 zurück gebogen in einem Winkel von 180°, und ist ein Kontaktierungsdraht 4 an seinem einen Ende mit einer oberen Oberfläche des zurück gebogenen Endes der Leitung 2 verbunden.
Auch in diesem Fall kann, wie bei dem in 2 gezeigten Fall, die Dicke eines ersten Schutzharzabschnitts 6 ohne Berücksichtigung der Dicke der Leitung 2 eingestellt werden.
Ausführungsform 2
5 ist eine Querschnittsansicht, die einen Halbleiterdrucksensor gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Bei diesem Halbleiterdrucksensor ist ein Sensor-Chip 3 mit dem Boden eines konkaven Abschnitts 1a über einen ersten Schutzharzabschnitt 6 verbunden.
Abgesehen davon ist die Konstruktion bei dieser zweiten Ausführungsform ebenso wie bei der ersten Ausführungsform.
Bei dem Halbleiterdrucksensor gemäß dieser Ausführungsform können ähnlich vorteilhafte Auswirkungen wie bei der ersten Ausführungsform erreicht werden, und darüber hinaus hat der erste Schutzharzabschnitt 6 nicht nur die Aufgabe, Grenzflächen zwischen Leitungen 2 und einem Gehäuse 1 an der Seite des konkaven Abschnitts 1a abzudichten, sondern auch die Aufgabe, den Sensor-Chip 3 mit dem Gehäuse 1 zu verbinden, wodurch der Schritt des Anbringens eines Verbindungsmaterials an einem Verbindungsabschnitt 5, wie dies bei der ersten Ausführungsform erforderlich ist, unnötig wird, und daher der Zusammenbauwirkungsgrad verbessert wird.
Ausführungsform 3
6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Halbleiterdrucksensor gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
Bei diesem Halbleiterdrucksensor ist ein Prozessor-Chip 8, der dazu dient, ein elektrisches Signal von einem Sensor-Chip 3 zur Erfassung des Drucks zu korrigieren und zu verstärken, in einem konkaven Abschnitt 1a zusammen mit dem Sensor-Chip 3 angeordnet.
Der Prozessor-Chip 8 in Form eines Halbleiter-Chips ist mit einem vorstehenden Abschnitt des Bodens des konkaven Abschnitts 1a über einen Verbindungsabschnitt 5 verbunden.
Bei diesem Prozessor-Chip 8 sind, ähnlich wie beim Sensor-Chip 3, mehrere Kontaktierungsdrähte 4 an ihren entgegengesetzten Enden mit Bond-Pads 2a und Rändern des Prozessor-Chips 8 durch eine Kombination aus Wärmekompressions-Bondieren und Ultraschallwellen verbunden.
Im Übrigen ist die Konstruktion dieser dritten Ausführungsform, mit Ausnahme der voranstehend geschilderten Einzelheiten, ebenso wie bei der ersten Ausführungsform, und können die gleichen, vorteilhaften Auswirkungen wie bei der ersten Ausführungsform erzielt werden.
In diesem Zusammenhang wird darauf hingewiesen, dass bei den voranstehend geschilderten ersten bis dritten Ausführungsformen ein durch Wärmeeinwirkung aushärtendes Harz als das Material für das Gehäuse 1 eingesetzt wird, jedoch auch ein thermoplastisches Harz verwendet werden könnte.
Weiterhin kann beispielsweise, obwohl der Sensor-Chip so beschrieben wurde, dass er den Piezowiderstandseffekt ausnutzt, auch beispielsweise ein Halbleiterdrucksensor-Chip des Kapazitätstyps eingesetzt werden.
Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung ebenso bei einem Halbleiterdrucksensor eingesetzt werden, der aus einem IC besteht, bei welchem die Funktionen des Sensor-Chips 3 und des Prozessor-Chips 8 von demselben Chip zur Verfügung gestellt werden.
Zwar wurde die Erfindung anhand bevorzugte Ausführungsformen beschrieben, jedoch werden Fachleute erkennen, dass die Erfindung mit Abänderungen innerhalb des Wesens und Umfangs der Erfindung in die Praxis umgesetzt werden kann, wobei sich We sen und Umfang der vorliegenden Erfindung aus der Gesamtheit der vorliegenden Anmeldeunterlagen ergeben, und von den beigefügten Patentansprüchen umfasst sein sollen.

Claims

Halbleiterdrucksensor, bei welchem vorgesehen sind: ein Gehäuse (1), das aus einem Harz besteht, und einen konkaven Abschnitt (1a) aufweist; eine Leitung (2), die einstückig oder vereinigt mit dem Gehäuse (1) mittels Einsetzformen ausgebildet ist, und deren eines Ende in den konkaven Abschnitt (1a) hin freiliegt, und deren anderes Ende sich von dem Gehäuse (1) zur Außenseite erstreckt; ein Halbleiter-Chip (3, 8), der in dem konkaven Abschnitt (1a) angeordnet ist; und ein Kontaktierungsdraht (4), welcher elektrisch den Halbleiter-Chip (3, 8) und die Leitung (2) miteinander verbindet; wobei eine Grenzfläche zwischen der Leitung (2) und dem Gehäuse (1) auf der Seite des konkaven Abschnitts (1a) mit einem ersten Schutzharzabschnitt (6) abgedeckt ist, der elektrisch isoliert; und der Kontaktierungsdraht (4) durch einen zweiten Schutzharzabschnitt (7) abgedeckt ist, der weicher ist als der erste Schutzharzabschnitt (6).
Halbleiterdrucksensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Chip (3) mit einem Boden des konkaven Abschnitts (1a) über den ersten Schutzharzabschnitt (6) verbunden ist.
Halbleiterdrucksensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Leitung (2) an ihrem einen Ende mit einem Bond-Pad (2a) versehen ist, das so ausgebildet ist, dass es in seinem mittleren Abschnitt stufenweise zu dem zweiten Schutzharzabschnitt (7) abgebogen ist.
Halbleiterdrucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Chip ein Sensor-Chip (3) zur Erfassung des Drucks ist.
Halbleiterdrucksensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Chip ein Prozessor-Chip (8) ist, der dazu dient, ein elektrisches Signal von einem Sensor-Chip (3) zu korrigieren und zu verstärken, um den Druck zu erfassen.
Halbleiterdrucksensor nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor-Chip (3) und der Prozessor-Chip (8) auf demselben konkaven Abschnitt (1a) angeordnet sind.