JP2002162306A - 圧力センサモジュール - Google Patents
圧力センサモジュールInfo
- Publication number
- JP2002162306A JP2002162306A JP2000360693A JP2000360693A JP2002162306A JP 2002162306 A JP2002162306 A JP 2002162306A JP 2000360693 A JP2000360693 A JP 2000360693A JP 2000360693 A JP2000360693 A JP 2000360693A JP 2002162306 A JP2002162306 A JP 2002162306A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- unit
- section
- semiconductor pressure
- sensor module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 センサの信頼性を向上させた圧力センサモジ
ュールを提供する。 【解決手段】 圧力を検出する機能を有してなる半導体
圧力センサ部１と、該半導体圧力センサ部１を制御する
機能を有してなるＩＣ部２と、前記半導体圧力センサ部
１の特性補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ
搭載部３の少なくとも３つのチップ部分を備えてなり、
前記半導体圧力センサ部１と、前記ＩＣ部２と、前記Ｒ
ＯＭ搭載部３とをパッケージに搭載する圧力センサモジ
ュールにおいて、前記ＩＣ部２と前記ＲＯＭ搭載部３と
を覆うように樹脂４で封止する。
ュールを提供する。 【解決手段】 圧力を検出する機能を有してなる半導体
圧力センサ部１と、該半導体圧力センサ部１を制御する
機能を有してなるＩＣ部２と、前記半導体圧力センサ部
１の特性補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ
搭載部３の少なくとも３つのチップ部分を備えてなり、
前記半導体圧力センサ部１と、前記ＩＣ部２と、前記Ｒ
ＯＭ搭載部３とをパッケージに搭載する圧力センサモジ
ュールにおいて、前記ＩＣ部２と前記ＲＯＭ搭載部３と
を覆うように樹脂４で封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力を検出する圧
力センサモジュールに関するものである。
力センサモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体圧力センサ部１と、ＩＣ部２と、
ＲＯＭ搭載部３の３つのチップ部分をパッケージに搭載
した従来の圧力センサモジュールの一例を図３に示す。
図３（ａ）は、圧力センサモジュールの断面図であり、
図３（ｂ）は、圧力センサモジュールのカバー部７を取
り除いた状態の上面図である。合成樹脂製のボディ部６
及びカバー部７を有してなるパッケージ内に、半導体圧
力センサ部１と、ＩＣ部２と、半導体圧力センサ部１の
特性補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ搭載
部３とがボディ部６のチップ搭載面６ａの各々異なる場
所に搭載、実装される構成である。
ＲＯＭ搭載部３の３つのチップ部分をパッケージに搭載
した従来の圧力センサモジュールの一例を図３に示す。
図３（ａ）は、圧力センサモジュールの断面図であり、
図３（ｂ）は、圧力センサモジュールのカバー部７を取
り除いた状態の上面図である。合成樹脂製のボディ部６
及びカバー部７を有してなるパッケージ内に、半導体圧
力センサ部１と、ＩＣ部２と、半導体圧力センサ部１の
特性補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ搭載
部３とがボディ部６のチップ搭載面６ａの各々異なる場
所に搭載、実装される構成である。
【０００３】まず、半導体圧力センサ部１について述べ
る。図３（ａ）の拡大図に示すように、半導体基板（シ
リコン基板）の一主表面がエッチングされることによ
り、薄肉構造のダイヤフラム部１ａが形成されている。
このダイヤフラム部１ａの面に、撓みにより抵抗値が変
化するピエゾ抵抗1ｃや金属からなる電極１ｄを形成し
て、外部の圧力によるダイヤフラム部１ａの変位や撓み
を、抵抗値の変化や、静電容量の変化として、圧力を検
知する方法がとられている。なお、ここでは特に検知方
法は限定されない。
る。図３（ａ）の拡大図に示すように、半導体基板（シ
リコン基板）の一主表面がエッチングされることによ
り、薄肉構造のダイヤフラム部１ａが形成されている。
このダイヤフラム部１ａの面に、撓みにより抵抗値が変
化するピエゾ抵抗1ｃや金属からなる電極１ｄを形成し
て、外部の圧力によるダイヤフラム部１ａの変位や撓み
を、抵抗値の変化や、静電容量の変化として、圧力を検
知する方法がとられている。なお、ここでは特に検知方
法は限定されない。
【０００４】上述のように、パッケージはボディ部６及
びカバー部７を有してなり、略箱型に形成されたボディ
部６の底部からは略円筒型に形成された第１圧力導入孔
９ａを有してなる圧力導入管９が形成されている。半導
体圧力センサ部１は、ボディ部６とカバー部７とから形
成される空間部８内部でカバー部７に対面するチップ搭
載面６ａ上に、ダイヤフラム部１ａを含まない支持部１
ｂを図１（ａ）に示すように第１圧力導入孔９ａを囲む
形で配設されている。なお、半導体圧力センサ部１の下
部とチップ搭載面６ａより上面である部分とで形成され
る空間は、半導体圧力センサ部１のダイヤフラム部１ａ
に圧力を導入するための第２圧力導入孔９ｂを形成して
いる。
びカバー部７を有してなり、略箱型に形成されたボディ
部６の底部からは略円筒型に形成された第１圧力導入孔
９ａを有してなる圧力導入管９が形成されている。半導
体圧力センサ部１は、ボディ部６とカバー部７とから形
成される空間部８内部でカバー部７に対面するチップ搭
載面６ａ上に、ダイヤフラム部１ａを含まない支持部１
ｂを図１（ａ）に示すように第１圧力導入孔９ａを囲む
形で配設されている。なお、半導体圧力センサ部１の下
部とチップ搭載面６ａより上面である部分とで形成され
る空間は、半導体圧力センサ部１のダイヤフラム部１ａ
に圧力を導入するための第２圧力導入孔９ｂを形成して
いる。
【０００５】ここで、第２圧力導入孔９ｂと第１圧力導
入孔９ａとは、同一中心線上にあり、被圧力検出流体の
圧力は、第１圧力導入孔９ａ及び第２圧力導入孔９ｂを
通りダイヤフラム部１ａに導かれる。これによりダイヤ
フラム部１ａが応力を受け、ダイヤフラム部１ａの変位
により圧力が検出される。
入孔９ａとは、同一中心線上にあり、被圧力検出流体の
圧力は、第１圧力導入孔９ａ及び第２圧力導入孔９ｂを
通りダイヤフラム部１ａに導かれる。これによりダイヤ
フラム部１ａが応力を受け、ダイヤフラム部１ａの変位
により圧力が検出される。
【０００６】なお、ＩＣ部２は、半導体圧力センサ部１
に隣接し、ＲＯＭ搭載部３は、ＩＣ部２と隣接してチッ
プ搭載面６ａ上に搭載、実装されている。半導体圧力セ
ンサ部１とＩＣ部２とは、金やアルミニウム等からなる
ボンディングワイヤ１０（以降、ワイヤ１０と称する）
により電気的接続される。また、ＩＣ部２とＲＯＭ搭載
部３とは、ワイヤ１０により電気的接続される。さら
に、別のワイヤ１０により半導体圧力センサ部１とイン
サート成形により植設されボディ部６に設けられたリー
ド１１とが電気的接続され、ＲＯＭ搭載部３とリード１
１とが電気的接続される。また、半導体圧力センサ部１
のダイヤフラム部１ａ上面には、ＪＣＲ（ジャンクショ
ンコートレジン）等の表面を保護するゼリー状の封止樹
脂３０が設けられている。
に隣接し、ＲＯＭ搭載部３は、ＩＣ部２と隣接してチッ
プ搭載面６ａ上に搭載、実装されている。半導体圧力セ
ンサ部１とＩＣ部２とは、金やアルミニウム等からなる
ボンディングワイヤ１０（以降、ワイヤ１０と称する）
により電気的接続される。また、ＩＣ部２とＲＯＭ搭載
部３とは、ワイヤ１０により電気的接続される。さら
に、別のワイヤ１０により半導体圧力センサ部１とイン
サート成形により植設されボディ部６に設けられたリー
ド１１とが電気的接続され、ＲＯＭ搭載部３とリード１
１とが電気的接続される。また、半導体圧力センサ部１
のダイヤフラム部１ａ上面には、ＪＣＲ（ジャンクショ
ンコートレジン）等の表面を保護するゼリー状の封止樹
脂３０が設けられている。
【０００７】このワイヤ１０の配線状況を図３（ｂ）に
示す。ここで、半導体圧力センサ部１は、ダイヤフラム
部１ａの変位をピエゾ抵抗１ｃの抵抗値変化で検知して
圧力信号を検出する方式を例にあげている。半導体圧力
センサ部１の中央部つまりダイヤフラム部１ａの上面部
位の近傍には４個のピエゾ抵抗１ｃが配置されている。
更に、半導体圧力センサ部１周辺には、圧力信号を出力
するため及び、ピエゾ抵抗１ｃを有して形成される回路
に電圧を印加する等の制御を行うための電極１ｄが形成
されている。この半導体圧力センサ部１の電極１ｄと、
ＩＣ部２の電極２ａとをワイヤ１０により電気的接続す
るとともに、ＩＣ部２の電極２ａと、ＲＯＭ搭載部３の
電極３ａとをワイヤ１０により電気的接続を行う。
示す。ここで、半導体圧力センサ部１は、ダイヤフラム
部１ａの変位をピエゾ抵抗１ｃの抵抗値変化で検知して
圧力信号を検出する方式を例にあげている。半導体圧力
センサ部１の中央部つまりダイヤフラム部１ａの上面部
位の近傍には４個のピエゾ抵抗１ｃが配置されている。
更に、半導体圧力センサ部１周辺には、圧力信号を出力
するため及び、ピエゾ抵抗１ｃを有して形成される回路
に電圧を印加する等の制御を行うための電極１ｄが形成
されている。この半導体圧力センサ部１の電極１ｄと、
ＩＣ部２の電極２ａとをワイヤ１０により電気的接続す
るとともに、ＩＣ部２の電極２ａと、ＲＯＭ搭載部３の
電極３ａとをワイヤ１０により電気的接続を行う。
【０００８】また、半導体圧力センサ部１の電極１ｄと
リード１１との電気的接続並びに、ＩＣ部２の電極２ａ
とリード１１との電気的接続を行う。
リード１１との電気的接続並びに、ＩＣ部２の電極２ａ
とリード１１との電気的接続を行う。
【０００９】以上のような構成と電気配線により、第１
圧力導入孔９ａに伝わる被測定流体の圧力は、半導体圧
力センサ部１で検知され、この検知された圧力信号はＩ
Ｃ部２で信号処理されて、リード１１により外部回路
（図示せず）に出力される。半導体圧力センサ部１は、
ＩＣ部２で制御され、ＲＯＭ搭載部３でソフト的な特性
補正（電子トリミング）が行われる。
圧力導入孔９ａに伝わる被測定流体の圧力は、半導体圧
力センサ部１で検知され、この検知された圧力信号はＩ
Ｃ部２で信号処理されて、リード１１により外部回路
（図示せず）に出力される。半導体圧力センサ部１は、
ＩＣ部２で制御され、ＲＯＭ搭載部３でソフト的な特性
補正（電子トリミング）が行われる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な圧力センサモジュールは、ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３
の保護が十分ではないために、ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部
３の上面にほこりがたまったり、金属部分にさびが発生
するなどしてセンサの信頼性に問題があった。
な圧力センサモジュールは、ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３
の保護が十分ではないために、ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部
３の上面にほこりがたまったり、金属部分にさびが発生
するなどしてセンサの信頼性に問題があった。
【００１１】本発明は上記問題点を改善するためになさ
れたものであり、センサの信頼性を向上させた圧力セン
サモジュールを提供することを目的とするものである。
れたものであり、センサの信頼性を向上させた圧力セン
サモジュールを提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の圧力セ
ンサモジュールは、圧力を検出する機能を有してなる半
導体圧力センサ部１と、該半導体圧力センサ部１を制御
する機能を有してなるＩＣ部２と、前記半導体圧力セン
サ部１の特性補正を行うトリミング機能を有してなるＲ
ＯＭ搭載部３の少なくとも３つのチップ部分を備えてな
り、前記半導体圧力センサ部１と、前記ＩＣ部２と、前
記ＲＯＭ搭載部３とをパッケージに搭載する圧力センサ
モジュールにおいて、前記ＩＣ部２と前記ＲＯＭ搭載部
３とを覆うように樹脂４で封止することを特徴とするも
のである。
ンサモジュールは、圧力を検出する機能を有してなる半
導体圧力センサ部１と、該半導体圧力センサ部１を制御
する機能を有してなるＩＣ部２と、前記半導体圧力セン
サ部１の特性補正を行うトリミング機能を有してなるＲ
ＯＭ搭載部３の少なくとも３つのチップ部分を備えてな
り、前記半導体圧力センサ部１と、前記ＩＣ部２と、前
記ＲＯＭ搭載部３とをパッケージに搭載する圧力センサ
モジュールにおいて、前記ＩＣ部２と前記ＲＯＭ搭載部
３とを覆うように樹脂４で封止することを特徴とするも
のである。
【００１３】また、請求項２に記載の圧力センサモジュ
ールは、圧力を検出する機能を有してなる半導体圧力セ
ンサ部１と、該半導体圧力センサ部１を制御する機能を
有してなるＩＣ部２と、前記半導体圧力センサ部の特性
補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ搭載部３
の少なくとも３つのチップ部分を備えてなり、前記半導
体圧力センサ部１と、前記ＩＣ部２と、前記ＲＯＭ搭載
部３とをパッケージに搭載する圧力センサモジュールに
おいて、少なくとも前記ＩＣ部２と前記ＲＯＭ搭載部３
とを積層してなる積層部２０を有してなり、前記積層部
２０を覆うように樹脂４で封止することを特徴とするも
のである。
ールは、圧力を検出する機能を有してなる半導体圧力セ
ンサ部１と、該半導体圧力センサ部１を制御する機能を
有してなるＩＣ部２と、前記半導体圧力センサ部の特性
補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ搭載部３
の少なくとも３つのチップ部分を備えてなり、前記半導
体圧力センサ部１と、前記ＩＣ部２と、前記ＲＯＭ搭載
部３とをパッケージに搭載する圧力センサモジュールに
おいて、少なくとも前記ＩＣ部２と前記ＲＯＭ搭載部３
とを積層してなる積層部２０を有してなり、前記積層部
２０を覆うように樹脂４で封止することを特徴とするも
のである。
【００１４】また、請求項３に記載の圧力センサモジュ
ールは、請求項１又は請求項２に記載の発明において、
前記半導体圧力センサ部１と、前記ＩＣ部２及び前記Ｒ
ＯＭ搭載部３とを分離する堰部５を有してなり、前記樹
脂４が前記堰部５を超えて流れ出るのを阻止することを
特徴とするものである。
ールは、請求項１又は請求項２に記載の発明において、
前記半導体圧力センサ部１と、前記ＩＣ部２及び前記Ｒ
ＯＭ搭載部３とを分離する堰部５を有してなり、前記樹
脂４が前記堰部５を超えて流れ出るのを阻止することを
特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の前提部分を図３
に基づいて説明するが、詳細の説明は前述しているため
省略する。
に基づいて説明するが、詳細の説明は前述しているため
省略する。
【００１６】図３は、ボディ部６及びカバー部７を有し
てなるパッケージ内に、半導体圧力センサ部１と、ＩＣ
部２と、半導体圧力センサ部１の特性補正を行うトリミ
ング機能を有してなるＲＯＭ搭載部３とがボディ部６の
チップ搭載面６ａの各々異なる場所に搭載、実装される
構成である圧力センサモジュールを示している。パッケ
ージの材質は、ＰＰＳ、ＰＢＴ、ＬＣＰ等の合成樹脂で
ある。圧力導入管９の一部を構成する第１圧力導入孔９
ａに伝わる被測定流体の圧力は、半導体圧力センサ部１
で検知され、この検知された圧力信号はＩＣ部２で信号
処理されて、リード１１により外部回路（図示せず）に
出力される。また、半導体圧力センサ部１は、ＩＣ部２
で制御され、ＲＯＭ搭載部３でソフト的な特性補正（電
子トリミング）が行われる。
てなるパッケージ内に、半導体圧力センサ部１と、ＩＣ
部２と、半導体圧力センサ部１の特性補正を行うトリミ
ング機能を有してなるＲＯＭ搭載部３とがボディ部６の
チップ搭載面６ａの各々異なる場所に搭載、実装される
構成である圧力センサモジュールを示している。パッケ
ージの材質は、ＰＰＳ、ＰＢＴ、ＬＣＰ等の合成樹脂で
ある。圧力導入管９の一部を構成する第１圧力導入孔９
ａに伝わる被測定流体の圧力は、半導体圧力センサ部１
で検知され、この検知された圧力信号はＩＣ部２で信号
処理されて、リード１１により外部回路（図示せず）に
出力される。また、半導体圧力センサ部１は、ＩＣ部２
で制御され、ＲＯＭ搭載部３でソフト的な特性補正（電
子トリミング）が行われる。
【００１７】以下、本発明の第１実施形態を図１に基づ
いて説明する。図１は本発明の第１実施形態に係る圧力
センサモジュールを示す図である。図１（ａ）は、圧力
センサモジュールの断面図であり、図１（ｂ）は、圧力
センサモジュールのカバー部７を取り除いた状態の上面
図である。
いて説明する。図１は本発明の第１実施形態に係る圧力
センサモジュールを示す図である。図１（ａ）は、圧力
センサモジュールの断面図であり、図１（ｂ）は、圧力
センサモジュールのカバー部７を取り除いた状態の上面
図である。
【００１８】第１実施形態の圧力センサモジュールは、
図１に示すように、図３で示した従来の圧力センサモジ
ュールにおいて、半導体圧力センサ部１と、ＩＣ部２と
の間に堰部５を設けてなる構成になっている。堰部５
は、パッケージの材質と同じＰＰＳ、ＰＢＴ、ＬＣＰ等
の合成樹脂を使用する。樹脂４は、エポキシ樹脂等の熱
硬化性の液状の樹脂を用い、樹脂４をＩＣ部２とＲＯＭ
搭載部３とにわたるように流し込み、その後加熱して硬
化させる。
図１に示すように、図３で示した従来の圧力センサモジ
ュールにおいて、半導体圧力センサ部１と、ＩＣ部２と
の間に堰部５を設けてなる構成になっている。堰部５
は、パッケージの材質と同じＰＰＳ、ＰＢＴ、ＬＣＰ等
の合成樹脂を使用する。樹脂４は、エポキシ樹脂等の熱
硬化性の液状の樹脂を用い、樹脂４をＩＣ部２とＲＯＭ
搭載部３とにわたるように流し込み、その後加熱して硬
化させる。
【００１９】かかる圧力センサモジュールにあっては、
ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３の保護が十分に行え、センサ
の信頼性が向上する。また、堰部５を設けることで、Ｉ
Ｃ部２とＲＯＭ搭載部３とにわたり流し込む液状の樹脂
４が、半導体圧力センサ部１に流れることを防止できる
ため、樹脂４を無駄なく効果的に利用できる。
ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３の保護が十分に行え、センサ
の信頼性が向上する。また、堰部５を設けることで、Ｉ
Ｃ部２とＲＯＭ搭載部３とにわたり流し込む液状の樹脂
４が、半導体圧力センサ部１に流れることを防止できる
ため、樹脂４を無駄なく効果的に利用できる。
【００２０】ここで、堰部５の高さは、ＩＣ部２とＲＯ
Ｍ搭載部３にわたって設ける樹脂４の上面よりも高い方
が、樹脂４が半導体圧力センサ部１に流れることを防止
でき、ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３にわたって効率的に樹
脂封止できるため好ましい。
Ｍ搭載部３にわたって設ける樹脂４の上面よりも高い方
が、樹脂４が半導体圧力センサ部１に流れることを防止
でき、ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３にわたって効率的に樹
脂封止できるため好ましい。
【００２１】なお、ＩＣ部２、ＲＯＭ搭載部３の位置関
係は、特に第１実施形態に示したものに限るものではな
く、ＲＯＭ搭載部３が半導体圧力センサ部１に隣接する
構成であっても勿論よい。なお、この場合には、堰部５
は、ＲＯＭ搭載部３と半導体圧力センサ部１との間に設
ける構成になる。
係は、特に第１実施形態に示したものに限るものではな
く、ＲＯＭ搭載部３が半導体圧力センサ部１に隣接する
構成であっても勿論よい。なお、この場合には、堰部５
は、ＲＯＭ搭載部３と半導体圧力センサ部１との間に設
ける構成になる。
【００２２】次に、本発明の第２実施形態を図２に基づ
いて説明する。図２は本発明の第２実施形態に係る圧力
センサモジュールを示す図である。図２（ａ）は、圧力
センサモジュールの断面図であり、図２（ｂ）は、圧力
センサモジュールのカバー部７を取り除いた状態の上面
図である。ＩＣ部２及びＲＯＭ搭載部３の構成以外は第
１実施形態と同様であるため、共通部分の説明は省略す
る。
いて説明する。図２は本発明の第２実施形態に係る圧力
センサモジュールを示す図である。図２（ａ）は、圧力
センサモジュールの断面図であり、図２（ｂ）は、圧力
センサモジュールのカバー部７を取り除いた状態の上面
図である。ＩＣ部２及びＲＯＭ搭載部３の構成以外は第
１実施形態と同様であるため、共通部分の説明は省略す
る。
【００２３】ボディ部６のチップ搭載面６ａの異なる場
所に半導体圧力センサ部１とＩＣ部２とを搭載、実装
し、更にＩＣ部２上に、ＲＯＭ搭載部３を積層して積層
部２０を形成する。
所に半導体圧力センサ部１とＩＣ部２とを搭載、実装
し、更にＩＣ部２上に、ＲＯＭ搭載部３を積層して積層
部２０を形成する。
【００２４】第１実施形態同様、堰部５は、パッケージ
の材質と同じＰＰＳ、ＰＢＴ、ＬＣＰ等の合成樹脂を使
用する。樹脂４は、エポキシ樹脂等の熱硬化性の液状の
樹脂を用い、樹脂４をＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３とにわ
たるように流し込み、その後加熱して硬化させる。
の材質と同じＰＰＳ、ＰＢＴ、ＬＣＰ等の合成樹脂を使
用する。樹脂４は、エポキシ樹脂等の熱硬化性の液状の
樹脂を用い、樹脂４をＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３とにわ
たるように流し込み、その後加熱して硬化させる。
【００２５】かかる圧力センサモジュールにあっては、
ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３の保護が十分に行え、センサ
の信頼性が向上する。また、ＩＣ部２上にＲＯＭ搭載部
を積層するようにして搭載、実装することで実装面積が
小さくなり、圧力センサモジュールの小型化がはかれ
る。また、堰部５を設けることで、前記ＩＣ部と前記Ｒ
ＯＭ搭載部とが互いに重なるように積層された部分を覆
うように流し込む液状の樹脂４が、半導体圧力センサ部
１に流れることを防止できるため、樹脂４を無駄なく効
果的に利用できる。
ＩＣ部２とＲＯＭ搭載部３の保護が十分に行え、センサ
の信頼性が向上する。また、ＩＣ部２上にＲＯＭ搭載部
を積層するようにして搭載、実装することで実装面積が
小さくなり、圧力センサモジュールの小型化がはかれ
る。また、堰部５を設けることで、前記ＩＣ部と前記Ｒ
ＯＭ搭載部とが互いに重なるように積層された部分を覆
うように流し込む液状の樹脂４が、半導体圧力センサ部
１に流れることを防止できるため、樹脂４を無駄なく効
果的に利用できる。
【００２６】なお、ＩＣ部２、ＲＯＭ搭載部３の位置関
係は、特に第１実施形態に示したものに限るものではな
く、ＲＯＭ搭載部３上にＩＣ部２を積層する構成であっ
ても勿論よい。
係は、特に第１実施形態に示したものに限るものではな
く、ＲＯＭ搭載部３上にＩＣ部２を積層する構成であっ
ても勿論よい。
【００２７】また、第１実施形態と同様に、堰部５の高
さは、積層部２０に設ける樹脂４の上面よりも高い方
が、樹脂４が半導体圧力センサ部１に流れることを防止
でき、積層部２０を効率的に樹脂封止できるため好まし
い。
さは、積層部２０に設ける樹脂４の上面よりも高い方
が、樹脂４が半導体圧力センサ部１に流れることを防止
でき、積層部２０を効率的に樹脂封止できるため好まし
い。
【００２８】なお、本発明は上記の実施形態の圧力セン
サモジュールに限定されるものではなく、特許請求の範
囲の請求項に記載する内容の範囲で、各種の変形が可能
であり、本発明はこれらの全てを含むものである。
サモジュールに限定されるものではなく、特許請求の範
囲の請求項に記載する内容の範囲で、各種の変形が可能
であり、本発明はこれらの全てを含むものである。
【００２９】
【発明の効果】上記のように本発明に係る請求項１に記
載の圧力センサモジュールにあっては、圧力を検出する
機能を有してなる半導体圧力センサ部と、該半導体圧力
センサ部を制御する機能を有してなるＩＣ部と、前記半
導体圧力センサ部の特性補正を行うトリミング機能を有
してなるＲＯＭ搭載部の少なくとも３つのチップ部分を
備えてなり、前記半導体圧力センサ部と、前記ＩＣ部
と、前記ＲＯＭ搭載部とをパッケージに搭載する圧力セ
ンサモジュールにおいて、前記ＩＣ部と前記ＲＯＭ搭載
部とを覆うように樹脂で封止するようにしたもので、前
記ＩＣ部と前記ＲＯＭ搭載部の保護が十分に行え、セン
サの信頼性が向上するという効果を奏する。
載の圧力センサモジュールにあっては、圧力を検出する
機能を有してなる半導体圧力センサ部と、該半導体圧力
センサ部を制御する機能を有してなるＩＣ部と、前記半
導体圧力センサ部の特性補正を行うトリミング機能を有
してなるＲＯＭ搭載部の少なくとも３つのチップ部分を
備えてなり、前記半導体圧力センサ部と、前記ＩＣ部
と、前記ＲＯＭ搭載部とをパッケージに搭載する圧力セ
ンサモジュールにおいて、前記ＩＣ部と前記ＲＯＭ搭載
部とを覆うように樹脂で封止するようにしたもので、前
記ＩＣ部と前記ＲＯＭ搭載部の保護が十分に行え、セン
サの信頼性が向上するという効果を奏する。
【００３０】また、請求項２に記載の圧力センサモジュ
ールにあっては、圧力を検出する機能を有してなる半導
体圧力センサ部と、該半導体圧力センサ部を制御する機
能を有してなるＩＣ部と、前記半導体圧力センサ部の特
性補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ搭載部
の少なくとも３つのチップ部分を備えてなり、前記半導
体圧力センサ部と、前記ＩＣ部と、前記ＲＯＭ搭載部と
をパッケージに搭載する圧力センサモジュールにおい
て、少なくとも前記ＩＣ部と前記ＲＯＭ搭載部とを積層
してなる積層部を有してなり、前記積層部を覆うように
樹脂で封止するようにしたもので、前記ＩＣ部と前記Ｒ
ＯＭ搭載部の保護が十分に行え、センサの信頼性が向上
するという効果を奏する。また、前記ＩＣ部と前記ＲＯ
Ｍ搭載部とを積層することで実装面積が小さくなり、圧
力センサモジュールの小型化がはかれるという効果を奏
する。
ールにあっては、圧力を検出する機能を有してなる半導
体圧力センサ部と、該半導体圧力センサ部を制御する機
能を有してなるＩＣ部と、前記半導体圧力センサ部の特
性補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ搭載部
の少なくとも３つのチップ部分を備えてなり、前記半導
体圧力センサ部と、前記ＩＣ部と、前記ＲＯＭ搭載部と
をパッケージに搭載する圧力センサモジュールにおい
て、少なくとも前記ＩＣ部と前記ＲＯＭ搭載部とを積層
してなる積層部を有してなり、前記積層部を覆うように
樹脂で封止するようにしたもので、前記ＩＣ部と前記Ｒ
ＯＭ搭載部の保護が十分に行え、センサの信頼性が向上
するという効果を奏する。また、前記ＩＣ部と前記ＲＯ
Ｍ搭載部とを積層することで実装面積が小さくなり、圧
力センサモジュールの小型化がはかれるという効果を奏
する。
【００３１】また、請求項３に記載の圧力センサモジュ
ールにあっては、請求項１又は請求項２に記載の発明に
おいて、前記半導体圧力センサ部と、前記ＩＣ部及び前
記ＲＯＭ搭載部とを分離する堰部を有してなり、前記樹
脂が前記堰部を超えて流れ出るのを阻止するようにした
もので、前記樹脂が半導体圧力センサ部に流れることを
防止し、樹脂を無駄なく効果的に利用できるという効果
を奏する。
ールにあっては、請求項１又は請求項２に記載の発明に
おいて、前記半導体圧力センサ部と、前記ＩＣ部及び前
記ＲＯＭ搭載部とを分離する堰部を有してなり、前記樹
脂が前記堰部を超えて流れ出るのを阻止するようにした
もので、前記樹脂が半導体圧力センサ部に流れることを
防止し、樹脂を無駄なく効果的に利用できるという効果
を奏する。
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサモジュ
ールを示す図である。
ールを示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る圧力センサモジュ
ールを示す図である。
ールを示す図である。
【図３】従来例に係る圧力センサモジュールを示す図で
ある。
ある。
１ 半導体圧力センサ部 ２ ＩＣ部 ３ ＲＯＭ搭載部 ４ 樹脂 ５ 堰部 ６ ボディ部 ７ カバー部 ８ 空間部 ９ 圧力導入管 １０ ワイヤ １１ リード ２０ 積層部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植田 充彦 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD05 EE13 EE40 FF38 GG11 GG25 HH11 4M112 AA01 CA12 EA02 EA14 GA01 GA03
Claims (3)
- 【請求項１】 圧力を検出する機能を有してなる半導体
圧力センサ部と、該半導体圧力センサ部を制御する機能
を有してなるＩＣ部と、前記半導体圧力センサ部の特性
補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ搭載部の
少なくとも３つのチップ部分を備えてなり、前記半導体
圧力センサ部と、前記ＩＣ部と、前記ＲＯＭ搭載部とを
パッケージに搭載する圧力センサモジュールにおいて、 前記ＩＣ部と前記ＲＯＭ搭載部とを覆うように樹脂で封
止することを特徴とする圧力センサモジュール。 - 【請求項２】 圧力を検出する機能を有してなる半導体
圧力センサ部と、該半導体圧力センサ部を制御する機能
を有してなるＩＣ部と、前記半導体圧力センサ部の特性
補正を行うトリミング機能を有してなるＲＯＭ搭載部の
少なくとも３つのチップ部分を備えてなり、前記半導体
圧力センサ部と、前記ＩＣ部と、前記ＲＯＭ搭載部とを
パッケージに搭載する圧力センサモジュールにおいて、 少なくとも前記ＩＣ部と前記ＲＯＭ搭載部とを積層して
なる積層部を有してなり、前記積層部を覆うように樹脂
で封止することを特徴とする圧力センサモジュール。 - 【請求項３】 前記半導体圧力センサ部と、前記ＩＣ部
及び前記ＲＯＭ搭載部とを分離する堰部を有してなり、
前記樹脂が前記堰部を超えて流れ出るのを阻止すること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧力センサ
モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000360693A JP2002162306A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 圧力センサモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000360693A JP2002162306A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 圧力センサモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002162306A true JP2002162306A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18832242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000360693A Pending JP2002162306A (ja) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | 圧力センサモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002162306A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007040772A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| EP2312290A3 (de) * | 2009-10-16 | 2011-06-22 | Silicon Micro Sensors GmbH | Drucksensor und dessen Verwendung in einem Fluidtank |
-
2000
- 2000-11-28 JP JP2000360693A patent/JP2002162306A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007040772A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサ |
| US7391101B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-06-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor |
| EP2312290A3 (de) * | 2009-10-16 | 2011-06-22 | Silicon Micro Sensors GmbH | Drucksensor und dessen Verwendung in einem Fluidtank |
| US8522620B2 (en) | 2009-10-16 | 2013-09-03 | Silicon Micro Sensors Gmbh | Pressure sensor and use thereof in a fluid tank |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1096243B1 (en) | Semiconductive pressure sensor with filter | |
| JP4165360B2 (ja) | 力学量センサ | |
| JP5763682B2 (ja) | Ｍｅｍｓ及びａｓｉｃを備える小型化した電気的デバイス及びその製造方法 | |
| EP3230924B1 (en) | Fingerprint sensing device | |
| JP4692260B2 (ja) | 半導体力学量センサ装置およびその製造方法 | |
| US6805010B2 (en) | Pressure sensor module | |
| US11444015B2 (en) | Electronic device with stud bumps | |
| JP2004311951A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2009103530A (ja) | センサ装置 | |
| US7004033B2 (en) | Pressure sensor contained in casing | |
| KR100487038B1 (ko) | 반도체 디바이스 | |
| US7868430B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2002168716A (ja) | 圧力センサモジュール | |
| JP6462187B2 (ja) | カテーテルセンサの製造 | |
| JP2006078249A (ja) | 容量型半導体センサ | |
| JP4326609B2 (ja) | 半導体素子を製造する方法 | |
| JP2002162306A (ja) | 圧力センサモジュール | |
| JP2002188975A (ja) | 圧力センサモジュール | |
| CN113264497B (zh) | Mems芯片的封装结构 | |
| CN217323376U (zh) | Mems芯片的封装结构 | |
| JP2008122304A (ja) | 静電容量式加速度センサ | |
| US7768124B2 (en) | Semiconductor sensor having a flat mounting plate with banks | |
| JP4923937B2 (ja) | センサ装置 | |
| JP2008082903A (ja) | センサモジュール | |
| JP2004294071A (ja) | 容量型半導体センサ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050801 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050830 |