DE102005030853A1

DE102005030853A1 - Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiter-Einkristallen, und III-V-Halbleiter-Einkristall

Info

Publication number: DE102005030853A1
Application number: DE200510030853
Authority: DE
Inventors: Ulrich Kretzer; Stefan Dr. Eichler; Thomas Bünger
Original assignee: Freiberger Compound Materials GmbH
Current assignee: Freiberger Compound Materials GmbH
Priority date: 2005-07-01
Filing date: 2005-07-01
Publication date: 2007-01-18

Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines mit einem Dotierstoff dotierten Halbleiter-Einkristalls, insbesondere eines solchen mit hoher elektrischer Leitfähigkeit durch Erstarrung einer Halbleiterschmelze in einem Tiegel, unter Verwendung eines Keimkristalls aus dem gleichen Halbleitermaterial wie der herzustellende Halbleiter-Einkristall. Die Menge des Dotierstoffs (7), die zur Einstellung einer gewünschten elektrischen Leitfähigkeit im erzeugten Halbleiter-Einkristall (11) erforderlich ist, wird (a) erst nach dem Anwachsen des gebildeten Halbleiter-Einkristalls (11) an den Kristallkeim (5), (b) oder erst nach dem Abschluß der Erstarrung des Halbleiter-Einkristalls (11) im konischen Bereich (3) des Tiegels (1) in die Halbleiterschmelze (9) zugegeben. DOLLAR A Das Verfahren ist besonders geeignet, um einen III-V-Halbleiter-Einkristall bzw. -Wafer mit hoher Leitfähigkeit, zum Beispiel vom n- oder p-Typ, zu erhalten, während gleichzeitig die Konzentration einer herstellungsbedingt vorliegenden Verunreinigung begrenzt ist. Somit ist es möglich, eine elektrische Leitfähigkeit von mindestens 250 Siemens/cm und/oder einen spezifischen elektrischen Widerstand von höchstens 4 x 10·-3· OMEGAcm zu realisieren, während gleichzeitig die Gefahr von Kristalldefekten deutlich verringert ist. Ferner ist es möglich, bei einem III-V-Halbleiter-Einkristall bzw. -Wafer mit großem Durchmesser, z. B. von mindestens etwa 100 mm, ein gegenüber der herkömmlichen Technik signifikant ...

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von mit einem Dotierstoff dotierten Halbleiter-Einkristallen, insbesondere von Verbindungshalbleiter-Einkristallen mit hoher elektrischer Leitfähigkeit vom n- und p-Typ, durch Erstarrung einer Schmelze des Halbleitermaterials in einem Tiegel, unter Verwendung eines Keimkristalls aus dem gleichen Halbleitermaterial wie der herzustellende Halbleiter-Einkristall.
In verschiedenen Bereichen der Halbleitertechnik, insbesondere für die Herstellung von Halbleiterlasern, Lumineszenzdioden und Solarzellen werden Verbindungshalbleiter-Kristalle bzw. -Substratwafer benötigt, deren elektrische Leitfähigkeit innerhalb eines bestimmten, durch die jeweilige Anwendung festgelegten Bereiches liegt. Diese Leitfähigkeit wird durch eine Dotierung mit geeigneten Dotierstoffen erreicht. Durch die Auswahl des Dotierstoffs kann darüber bestimmt werden, ob der Ladungstransport im Halbleiter durch Elektronen oder Defektelektronen dominiert wird. Der Wert der elektrischen Leitfähigkeit wird durch die Konzentration des Dotierstoffs im Halbleiter-Einkristall bestimmt.
Ein übliches Verfahren zur Herstellung von Halbleiter- und speziellen Verbindungshalbleiter-Einkristallen schließt den Schritt ein, daß die Erstarrung der Halbleiterschmelze in einem Tiegel, der z.B. aus Bornitrid gebildet ist, erfolgt, wobei die Halbleiterschmelze von einer Abdeckschmelze, die z.B. aus Boroxid (B₂O₃) gebildet ist, bedeckt sein kann, um ein Abdampfen der flüchtigen Komponente der Halbleiterschmelze zu verhindern. Der Tiegel stellt üblicher Weise einen zylindrischen Behälter dar, der sich in seinem in Betriebsstellung zum unteren Ende hin konisch verjüngt, mit einem sich daran anschließenden zylindrischen Teil geringeren Durchmessers am unteren Ende, der an seiner Unterseite geschlossen sein kann. Der untere zylindrische Teil dient zur Aufnahme eines Keimkristalls. Durch außerhalb des Tiegels angeordnete Heizelemente wird innerhalb des Tiegels ein dreidimensionales, bevorzugt radialsymmetrisches Temperaturfeld aufgeprägt, dessen Symmetrieachse weitgehend mit der Symmetrieachse des Tiegels übereinstimmt. Das Temperaturfeld wird so geformt, daß an jedem Ort innerhalb des Tiegels ein Temperaturgradient mit vertikaler Komponente vorliegt. Während des Kristallzüchtungsprozesses wird das Temperaturfeld so verändert, daß sich die Erstarrungstemperatur-Isotherme ausgehend vom Keimkristall in vertikaler Richtung verschiebt. Eine gute Kontrollierbarkeit des Kristallzüchtungsprozesses ist dann gegeben, wenn die Erstarrungsfront, d.h. die Phasengrenze zwischen Kristall und Halbleiterschmelze über den gesamten Querschnitt des Tiegels und zu jedem Prozeßzeitpunkt nur wenig von der Erstarrungstemperatur-Isothermen abweicht.

Die Dotierung im herkömmlichen Herstellungsverfahren für Halbleiter- und speziell Verbindungshalbleiter-Einkristalle erfolgt dadurch, daß der Dotierstoff vor oder nach dem Aufschmelzen des Halbleitermaterials in elementarer oder chemisch gebundener Form in den Tiegel zugegeben wird, und anschließend der Prozeß des Einkristallwachstums durch Erstarrung des geschmolzenen Halbleitermaterials durchgeführt wird. In einer speziellen, zum LEC-Verfahren durchgeführten Arbeit von Fornari et al. (Journal of Crystal Growth 63 (1983), 415–418) zu Si-dotiertem GaAs-Einkristall wurde dementsprechend im wesentlichen die Menge des Dotierstoffs Silizium, die der gewünschten Dotierstoffkonzentration entsprach, in der Schmelze vorgelegt (2,5 × 10¹⁹ Atome/cm³), wonach im Verlauf des weiteren Kristallwachstums eine geringe Menge an Silizium weiter in die Schmelze zugegeben wurde zum allmählichen Erreichen einer Maximalkonzentration von 3 × 10¹⁹ Atome/cm³ in der Schmelze. Bei Fornari et al. sollte dem Problem der Bildung von festen Teilchen in der Schmelze begegnet werden, die auf der GaAs-Schmelze aufschwimmen können und somit speziell beim LEC-Prozeß, bei dem der Kristall aus der Schmelze gezogen wird, bei Kontakt mit der Phasengrenze zwischen Kristall und Schmelze zu Störung des einkristallinen Wachstums führen kann. Dieses Phänomen wird beim VGF-Verfahren jedoch nicht zum Problem, da die Phasengrenze zwischen Kristall und Schmelze keinen Kontakt zur Schmelzoberfläche hat.

Die Menge des vorgelegten Dotierstoffs in herkömmlichen Verfahren wird so bemessen, daß sich in der Schmelze eine Dotierstoffkonzentration einstellt, die unter Berücksichtigung des effektiven Verteilungskoeffizienten zu einem Einbau des Dotierstoffs in den Einkristall in der gewünschten Konzentration führt. Zur Erzielung einer hohen Leitfähigkeit ist der Schmelze eine große Menge des Dotierstoffs zugegeben.

Bei der Verwendung einer Abdeckschmelze mit z.B. einer Boroxidschmelze steht die Halbleiterschmelze während der gesamten Dauer des Kristallzüchtungsprozesses in unmittelbaren Kontakt zur dieser Schmelze. In Abhängigkeit der Affinität des verwendeten Dotierstoffs zu Sauerstoff findet eine teilweise Oxidation des Dotierstoffs und eine Lösung des Oxids in der Boroxidschmelze statt. Dadurch wird der Halbleiterschmelze ein Teil des Dotierstoffs entzogen. Gleichzeitig wird die bei der Reaktion freiwerdende Verunreinigung (im genannten Beispiel Bor) in die Halbleiterschmelze eingetragen. Die hergestellten Kristalle können dadurch mit einer erheblichen Konzentration an dieser Verunreinigung (z.B. Bor) verunreinigt sein, wodurch sich ihre Qualität verschlechtert. Beispielsweise kann eine Verunreinigung mit Bor zur Ausbildung von elektrisch kompensierenden Defekten und dadurch zu einer Verminderung der elektrischen Leitfähigkeit führen.

In JP 2000-109400A [1], JP2004-217508A [2] und JP10-279398A [3] werden Verfahren beschrieben, mit denen eine Vergleichmäßigung eines Silizium-Einbaus in einen Galliumarsenid-Einkristall erreicht werden soll. Dadurch verbessert sich die axiale Homogenität der elektrischen Leitfähigkeit des Einkristalls. Die Verfahren basieren auf dem Umrühren einer Boroxid-Abdeckschmelze zu einem bestimmten Zeitpunkt oder zu mehreren Zeitpunkten des Kristallzüchtungsprozesses. Bei den in [2] und [3] beschriebenen Verfahren wird eine Boroxid-Abdeckschmelze verwendet, die mit SiO₂ angereichert wurde, um eine Oxidation des in der Galliumarsenid-Schmelze enthaltenen Dotierstoffs Silizium zu unterdrücken. Maßgebend für das Reaktionsgleichgewicht zwischen Silizium, Boroxid und SiO₂ ist dessen Konzentration im Boroxid an der Phasengrenze zur Galliumarsenid-Schmelze. Das Umrühren der Boroxid-Abdeckschmelze führt zu ihrer Durchmischung und damit zu einer Verminderung der SiO₂-Konzentration an der Phasengrenze zur Galliumarsenid-Schmelze. Dadurch wird die Oxidation von in der Galliumarsenid-Schmelze enthaltenen Siliziums befördert und die Siliziumkonzentration im Galliumarsenid-Einkristall steigt zu dessen Ende hin nicht so stark an wie ohne diese Maßnahme. Durch die Oxidation des Siliziums durch das Boroxid wird jedoch die Konzentration der Borverunreinigung in der Galliumarsenidschmelze und im Galliumarsenid-Einkristall erhöht.

Die in [1], [2] und [3] beschriebenen Verfahren ermöglichen zwar eine gewisse Vergleichmäßigung des Silizium-Einbaus in einen Galliumarsenid-Einkristall, jedoch wird dabei die Konzentration der Borverunreinigung in der Galliumarsenidschmelze und im Galliumarsenid-Einkristall erhöht. Dies wirkt sich nachteilig auf die Qualität der erzeugten Kristalle aus. Bei einem in JP2004-115339A [4] beschriebenen Verfahren wird bei der Herstellung eines Galliumarsenid-Einkristalls die Galliumarsenid-Schmelze durch eine Isolationsschicht aus flüssigem Borarsenid von der Boroxid-Abdeckschmelze getrennt. Dadurch wird die Oxidation des Dotierstoffs Silizium unterdrückt.

Um den Bedarf nach III-V-Halbleitereinkristallen mit einer erwünscht hohen Ladungsträgerbeweglichkeit der Dotierung zu erfüllen, wurde die herkömmliche Herstellung üblicherweise ohne Abdeckschmelze von z.B. B₂O₃ in einem Schiffchen zur horizontalen Erstarrung der Halbleiter-Schmelze ausgeführt. Dieses Herstellungsprinzip ist jedoch nur auf die Herstellung von III-V-Halbleitereinkristallen mit kleinem Durchmesser wie normalerweise 2 Inch (1 Inch = 2,54 cm) oder bis maximal 3 Inch anwendbar.

Mit den bekannten Verfahren gelingt es jedoch nicht, Halbleiter-Einkristalle mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit bei gleichzeitig hoher Prozeßsicherheit, Ausbeute und Qualität herzustellen.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiter-Einkristallen, insbesondere solche von III-V-Halbleiterverbindungen, bereitzustellen, mit dem eine hohe elektrische Leitfähigkeit bei gleichzeitig begrenzter Verunreinigung durch eine z.B. aus der Abdeckschmelze stammenden Verunreinigung wie Bor ermöglicht wird, und wobei gleichzeitig die Produktqualität, die Prozeßsicherheit und die Ausbeute erhöht und damit die Ökonomie des Prozesses verbessert werden können.

Die Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und durch einen III-V-Verbindungshalbleiter-Einkristall gemäß Patentanspruch 14 oder 16 bzw. einen Substratwafer gemäß Patentanspruch 23 gelöst. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Ein Grund der Nachteile von herkömmlichen Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Einkristallen, insbesondere solchen zur Herstellung von III-V-Verbindungshalbleiter-Einkristallen hoher elektrischer Leitfähigkeit wie z.B. den in [1]–[4] beschriebenen Verfahren, wird in der Gegenwart des Dotierstoffs wie Silizium und einer damit verbundenen erhöhten Unterkühlung der Schmelze vermutet. Erreicht die Konzentration des Dotierstoffs in der Schmelze einen bestimmten Bereich, so werden wesentliche physikalische Eigenschaften der Schmelze in einer Weise beeinflußt, daß sie sich ungünstig auf die Kontrollierbarkeit von kritischen Prozeßstufen des Kristallzüchtungsprozesses auswirken. Daraus können sich größere, mehr oder weniger zufällige Abweichungen zwischen Erstarrungstemperatur-Isothermen und Phasengrenze ergeben, wodurch die Kontrollierbarkeit des Kristallzüchtungsprozesses deutlich verschlechtert wird. Eine besondere Gefahr stellen solche Abweichungen beim Prozeß des Anwachsens an den Keimkristall und bei der Erstarrung im konischen Bereich des Tiegels dar. Fehlkeimbildungen oder Zwillingswachstum in diesen Abschnitten des Kristallzüchtungsprozesses setzen sich im weiter wachsenden Kristall fort. Ferner kann es zu erheblichen Einbußen an nutzbarer Kristallänge kommen, was sich negativ auf die Ausbeute und damit die Ökonomie des Kristallzüchtungsprozesses auswirkt. Zudem ist bei der Verwendung einer Abdeckschmelze die Beimengung von Dotierstoff und der Eintrag von Verunreinigung ein gleichläufiger Prozeß. Je höher die gewünschte Konzentration des Dotierstoffs gewählt wird, desto größer ist die Gefahr des Eintrags der Verunreinigung. In den herkömmlich hergestellten Halbleiter-Einkristallen und den daraus gefertigten Substratwafern war es daher nicht möglich, eine hohe Dotierstoffkonzentration wie z.B. von Silizium und den daraus resultierenden Eigenschaften einer relativ hohen elektrischen Leitfähigkeit und/oder eines relativ niedrigen elektrischen Widerstands mit einer relativ verringerten Verunreinigungskonzentration wie z.B. von Bor zu kombinieren.

Eine Unterkühlung der Schmelze während des Wachstums im Kristallkonus kann durch die Vermessung der Facettenlängen auf dem Kristall festgestellt werden. Bei hoher Dotierstoffkonzentration kann es in Verbindungshalbleitern zur asymmetrischen Ausbildung der Facetten kommen, d.h. die Unterkühlung ist abhängig von der Natur der facettierten Wachstumsflächen. Wegen des Beitrages der Unterkühlung der Schmelze kann in hoch Silizium-dotierten Galliumarsenid-Einkristallen diese Asymmetrie der Facettenlängen Ga/As bis zu einem Verhältnis von 2:1 betragen. Die Unterkühlung beträgt in diesem Fall einige Grad Kelvin.

Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß die Unterkühlung der Halbleiterschmelze in den kritischen Prozeßabschnitten des Ankeimens an den Keimkristall und der Erstarrung im konischen Bereich des Tiegels deutlich verringert wird. Dadurch wird die Kontrollierbarkeit des Kristallzüchtungsprozesses in diesen Prozeßabschnitten verbessert und die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Störungen des Einkristallwachstums deutlich verringert. Ein weiterer Vorteil besteht in der Verkürzung des Zeitraums, der für die Oxidation des Dotierstoffs durch den in der Abdeckschmelze wie Boroxid enthaltenen Sauerstoff zur Verfügung steht. Dadurch werden die Verluste an Dotierstoff und der Eintrag von Verunreinigungen aus der Abdeckschmelze wie Bor in die Halbleiterschmelze verringert. Die hergestellten Kristalle enthalten bei gegebener vorbestimmter Dotierstoffkonzentration eine deutlich geringere Konzentration an Verunreinigungen wie Bor, die aus dem Abdeckmaterial stammt. Durch das erfindungsgemäße Verfahren werden die Prozeßsicherheit und Ausbeute und damit die Ökonomie des Prozesses sowie die Qualität und die Eigenschaften der Einkristalle signifikant verbessert.

Im Ergebnis erhält der hergestellte Halbleiter-Einkristall im später (zum Erzeugen eines Substratwafers) weiter genutzten zylindrischen Bereich des erstarrten Ingots eine gewünschte und voreinstellbare elektrische Leitfähigkeit aufgrund der kontrollierten Zugabe des Dotierstoffs bei gleichzeitig verringertem Eintrag von unerwünschten Verunreinigungen. Je erstarrtem Anteil des Ingots, d.h. dem Volumenbereich zur nachfolgenden Erzeugung des Substratwafers, ist wegen geringerer Probleme und Defekte durch die erfindungsgemäße Arbeitsweise, eine gegenüber dem Stand der Technik deutlich verbessertes Verhältnis von hoher Dotierung (entsprechend hoher Leitfähigkeit) zu niedriger Verunreinigung realisierbar (s. Anspruch 14). Durch dieses deutlich verbesserte Verhältnis von hoher Dotierung (entsprechend hoher Leitfähigkeit) zu niedriger Verunreinigung läßt sich ferner bei III-V-Halbleiter-Einkristallen sogar mit großem Durchmesser von mindestens 100 mm und den entsprechend daraus hergestellten Wafern überraschend großen Beweglichkeiten der Ladungsträgerkonzentration (bestimmt nach der gemäß Standard F76-86 meßbaren Hallbeweglichkeit) realisieren (s. Anspruch 16).

Bei der Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Anspruch 2 kann eine geringere Menge des Dotierstoffs, die zur Vermeidung wesentlicher Nachteile noch toleriert wird, vorab bzw. vorläufig in den Tiegel gegeben werden, d.h. bevor mit der Erstarrung der Halbleiterschmelze begonnen wird. Beim Arbeiten nach einem herkömmlichen Verfahren durfte eine vorab bestimmte Konzentration des Dotierstoffs vor Beginn des Kristallzüchtungs- bzw. -wachstumsprozesses nicht überschritten werden, ohne Nachteile wie Störungen des Einkristallwachstums zu erhalten. Zum Beispiel bei der Herstellung von Silizium-dotierten Galliumarsenid-Einkristallen beträgt z.B. die maximale anfängliche Siliziumkonzentration in der Galliumarsenidschmelze, die zur Vermeidung deutlicher Nachteile nach tolerierbar ist, etwa 4 × 10¹⁸ Atome/cm³ (entsprechend 5.6 × 10¹⁷ Atome/cm³ im erstarrten Kristall). Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 2 wird in einem ersten Schritt die kritische Phase des Ankeimens und der Kristallbildung im konischen Bereich unter kontrollierten Bedingungen bei geringer bzw. unkritischer Dotierstoffkonzentration ermöglicht, z.B. bei maximal etwa 4 × 10¹⁸ Atome/cm³ der Schmelze (entsprechend 5.6 × 10¹⁷ Atome/cm³ im erstarrten Kristall), während im zweiten Schritt für den zylindrischen Hauptbereich des Tiegels, d.h. der später zur Substratwaferherstellung genutzte Bereich, die eigentlich zur Anwendung gewünschte und vordefinierbare höhere Dotierstoffkonzentration gewählt wird, z.B. bei mindestens etwa 4 × 10¹⁸ Atome/cm³ der Schmelze (entsprechend 5.6 × 10¹⁷ Atome/cm³ im erstarrten Kristall) und wahlweise bzw. bevorzugt darüber. Im Anspruch 3 sind geeignete Vorabeinstellungen der Dotierstoffkonzentration für den ersten Schritt angegeben, jedoch ist das Prinzip der Ausführungsform des Anspruchs 2 nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann eine Dotierstoffzugabe im ersten Schritt so gewählt werden, daß sich im konischen Bereich eine um zylindrischen Bereich des Tiegels hin steigende Dotierstoffkonzentration und/oder ein gleichmäßiger Übergang der Dotierstoffkonzentration vom konischen zum zylindrischen Bereich ergibt.

Je nach beschriebener Verfahrensweise sind die Merkmale des Anspruchs 4, einzeln oder in Kombination, realisierbar.

Die Verwendung einer Abdeckschmelze gemäß Anspruch 5 erlaubt eine Verhinderung des Abdampfens flüchtiger Komponenten aus der Halbleiterschmelze und gleichzeitig eine ökonomische Arbeitsweise. Geeignete Materialien für die Abdeckschmelze sind Boroxid, Borarsenid und Siliziumdioxid und Kombinationen davon. Das bevorzugte Material, insbesondere zum Abdecken einer III-V-Halbleiterschmelze, ist Boroxid. Mit der Erfindung ist es möglich, die aus der Abdeckschmelze stammende Verunreinigung, z.B. das Bor, deutlich zu begrenzen, selbst wenn eine hohe Dotierstoffkonzentration gewünscht wird.

Der Nutzen der Erfindung ist besonders ausgeprägt bei Herstellung von Verbindungshalbleiter-Einkristallen und gegebenenfalls daraus gefertigten Substratwafern, wie sie in den Ansprüchen 7 bis 10 definiert sind. Die erfindungsgemäß hergestellten Einkristalle umfassen als Hauptbestandteile bevorzugt III-V-Halbleiterverbindungen wie GaAs, InP, GaP, InAs, GaSb, InSb oder andere Halbleiterverbindungen wie SiGe, HgCdTe, HgZnTe, ZnO, oder bestehen aus den genannten III-V-Halbleiterverbindungen. Ein besonders bevorzugtes Halbleiter-Einkristallmaterial ist GaAs.

Der primär zur Einstellung der elektrischen Leitfähigkeit gewählte Dotierstoff wird geeigneterweise in fester Form zugegeben. Ein im Beispiel von GaAs zum Erzeugen einer hohen Leitfähigkeit besonders geeigneter Dotierstoff ist Silizium (Si), aber auch Teller (Te), Schwefel (S), Zink (Zn) und Selen (Se) alleine oder in Kombination, jeweils in elementarer oder chemisch gebundener Form.

Unabhängig davon können noch weitere Dotierstoffe in wahlweise gewünschtem festem, flüssigem oder gasförmigem Zustand zugegeben werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann bei allen Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiter-Einkristallen aus einer Halbleiterschmelze angewandt werden.

Wie aus der Erläuterung oben deutlich wird, kann sich die erfindungsgemäße Wirkungsweise besonders dann entfalten, wenn eine gerichtete Erstarrung des Halbleiter-Einkristalls direkt in der Schmelze von unten nach oben erfolgt. Das erfindungsgemäße Verfahren ist daher besonders gut auf die Technik des VGF-(Vertical Gradient Freeze-) oder des VB-(Vertical Boat- bzw. Vertical Bridgeman-) Verfahrens anwendbar. Dadurch können erfindungsgemäß ferner sehr geringe Versetzungsdichten im hergesellten III-V-Halbleiter-Einkristall bzw. -Substrat, die bevorzugt im Bereich von höchstens 5 × 10² cm^–2 liegen, erhalten werden.

Somit lassen sich mit der erfindungsgemäßen Technik III-V-Halbleiter-Einkristalle realisieren, wie sie im Anspruch 14 und im Anspruch 16 sowie in den bevorzugten Weiterbildungen der jeweiligen Unteransprüche definiert sind.

Der Substratwafer gemäß Anspruch 23 läßt sich aus diesem erfindungsgemäßen III-V-Halbleiter-Einkristall bilden, z.B. durch Sägen oder anderweitigen Schneiden des Einkristall-Ingots. Der jeweilige Substratwafer bildet dabei die Verhältnisse hinsichtlich Dotierstoffkonzentration, Verunreinigungskonzentration, spezifische elektrische Leitfähigkeit und spezifischer elektrischer Widerstand bezogen auf den diesbezüglich erstarrten Anteil (g) in Längsrichtung des Kristalls ab.

Erfindungsgemäß ist es möglich und auch bevorzugt, daß die in den Ansprüchen 14 und 16 sowie in den jeweiligen Weiterbildungen der Unteransprüche angegebenen Bedingungen im gesamten zylindrischen Bereich des III-V-Halbleiter-Einkristalls, d.h. über den gesamten erstarrten Anteil g des zylindrischen Kristall-Ingots, vorliegt, und daß diese Bedingungen entsprechend in allen aus diesem III-V-Halbleiter-Einkristall bzw. -Ingot hergestellten Substratwafern vorliegen.

Das erfindungsgemäße Konzept ist besonders vorteilhaft auf größere Einkristall- und Substratwaferdurchmesser von mindestens 100 mm, bevorzugt von mindestens 150 mm und von mindestens 200 mm anwendbar, d.h. für Durchmesser, bei denen das VGF- oder das VB-Verfahren zur Kristallherstellung verwendet wird.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von nicht einschränkenden Ausführungsformen unter Berücksichtigung der beigefügten 1 bis 7.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Vorrichtung zur Züchtung von Verbindungshalbleiter-Einkristallen.

2 zeigt für das Beispiel eines Silizium-dotierten Galliumarsenid-Einkristalls den axialen Verlauf der Siliziumkonzentration in einem gemäß der Erfindung hergestellten Einkristall im Vergleich zu einem nach herkömmlichem Verfahren hergestellten Einkristall.

3 zeigt entsprechend den axialen Verlauf der Borkonzentration im jeweils gleichen, in 2 dargestellten Silizium-dotierten Galliumarsenid-Einkristalls gemäß der Erfindung einerseits und im Vergleichsbeispiel andererseits.

4 zeigt einen dementsprechenden Vergleich des axialen Verlaufs der Ladungsträgerkonzentration jeweils des erfindungsgemäßen Beispiels und des Vergleichsbeispiels von 2.

5 zeigt einen dementsprechenden Vergleich des axialen Verlaufs des spezifischen elektrischen Widerstands jeweils des erfindungsgemäßen Beispiels und des Vergleichsbeispiels von 2.

6 zeigt einen dementsprechenden Vergleich des axialen Verlaufs der spezifischen elektrischen Leitfähigkeit jeweils des erfindungsgemäßen Beispiels und des Vergleichsbeispiels von 2.

7 zeigt einen Vergleich zwischen der experimentell ermittelten Abhängigkeit der Hallbeweglichkeit von der Ladungsträgerkonzentration zwischen einem gemäß der Erfindung hergestellten Einkristall und einem nach herkömmlichem Verfahren hergestellten Einkristall.

Wie aus 1 ersichtlich ist, weist die Vorrichtung zur Züchtung von Verbindungshalbleiter-Einkristallen einen Tiegel 1 auf, der z.B. aus Bornitrid und insbesondere aus pBN gebildet ist. Der Tiegel weist einen zylindrischen Abschnitt 2, einen sich an seinem in Betriebsstellung unteren Ende konisch verjüngenden Abschnitt 3 sowie einen daran anschließenden, unteren zylindrischen Abschnitt 4 geringeren Durchmessers, der an seiner Unterseite geschlossen sein kann, auf. Der zylindrische Abschnitt 4 dient zur Aufnahme eines Keimkristalls 5.

Der Tiegel 1 ist in an sich bekannter Weise in einem in 1 nicht dargestellten Ofen angeordnet. Der Ofen weist in bekannter Weise Heizelemente zum Erzeugen eines dreidimensionalen Temperaturfeldes mit einem vertikalen Temperaturgradienten auf. Es ist eine nicht dargestellte Steuerung vorgesehen, die so ausgebildet ist, daß die Heizelemente derart betrieben werden können, daß das im festen Zustand in den Tiegel 1 eingefüllte Halbleitermaterial aufgeschmolzen wird und die Halbleiterschmelze anschließend am Keimkristall 5 beginnend kontinuierlich bis zum oberen Rand des Tiegels 1 erstarrt. Oberhalb des Tiegels befindet sich ein Behälter 6, der eine bestimmte Menge eines Dotierstoffs 7 enthält. Der Behälter kann mit einer Einrichtung 8 auf seiner Unterseite geöffnet werden, so daß der darin befindliche Dotierstoff 7 in den Tiegel 1 fällt.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird zuerst ein Keimkristall 5, bestehend aus dem gleichen Halbleiterwerkstoff wie der herzustellende Kristall, in den unteren zylindrischen Abschnitt 4 des Tiegels 1 gegeben. Dann werden in den Tiegel 1 das Halbleitermaterial, z.B. GaAs oder eine andere bevorzugte III-V-Halbleiterverbindung, und das Material für die Abdeckschmelze, z.B. Boroxid, jeweils in festem Zustand eingefüllt. Das in den Tiegel 1 eingefüllte Halbleitermaterial kann bereits eine geringe Menge des Dotierstoffs in Form einer Dotierung enthalten, die während der Erzeugung dieses Halbleitermaterials zugegeben wurde. Alternativ oder zusätzlich kann in den Tiegel 1 vorläufig ein Dotierstoff in einer geringen Menge zugesetzt werden, daß die sich in der Halbleiterschmelze einstellende Dotierstoffkonzentration noch nicht zu einer deutlichen Verstärkung der konstitutionellen Anteils an der Unterkühlung der Halbleiterschmelze führt. Der mittels der Einrichtung 8 auf der Unterseite verschlossene Behälter 6 wird mit einer bestimmten Menge des Dotierstoffs 7 in fester Form gefüllt. Die Heizelemente werden derart angesteuert, daß das Halbleitermaterial und das Abdeckmaterial (Boroxid) vollständig aufschmelzen. Aufgrund des Dichteunterschieds befindet sich die Halbleiterschmelze 9 im unteren Teil des Tiegels und wird von der Abdeckschmelze 10 (Boroxid) vollständig bedeckt. Die Heizelemente werden sodann derart angesteuert, daß sich ein vertikaler Temperaturgradient ausbildet und die Halbleiterschmelze, beginnend am Keimkristall nach oben hin, erstarrt und einen Halbleiter-Einkristall 11 bildet.

Erst wenn die Ankeimung bzw. das Anwachsen des aus der Halbleiterschmelze erstarrten Halbleiter-Einkristalls an den Keimkristall 5 abgeschlossen ist, oder vorzugsweise erst wenn die Erstarrungsfront 12 den Bereich des Übergangs vom konischen Abschnitt 3 zum zylindrischen Abschnitt 2 des Tiegels 1 im wesentlichen oder vollständig erreicht hat, wird der Behälter 6 mittels der Einrichtung 8 auf der Unterseite geöffnet, so daß der Dotierstoff 7 in den Tiegel fällt und sich in der Halbleiterschmelze 9 auflöst. Der Dotierstoff 7 wird in einer geeigneterweise festen Form zugegeben, die es erlaubt, daß er im wesentlichen, vorzugsweise vollständig in der zugegebenen Menge die Abdeckschmelze durchlaufen kann, um in die Halbleiterschmelze 9 eintreten zu können. Die Menge des auf diese Weise hinzugefügten Dotierstoffs wird so bemessen, daß sich in der Schmelze eine Dotierstoffkonzentration einstellt, die unter Berücksichtigung des effektiven Verteilungskoeffizienten zu einem Einbau des Dotierstoffs in den Einkristall in der gewünschten Konzentration führt. Dadurch kann die gewünschte Dotierstoffkonzentration im hergestellten Halbleiter-Einkristall und somit im später gefertigten Substratwafer eingestellt werden. Bei der Bemessung der Dotierstoffmenge ist die bereits in der Halbleiterschmelze vorhandene Konzentration des Dotierstoffs und die Größe des bereits erstarrten Anteils der Halbleiterschmelze zu berücksichtigen. Der Erstarrungsprozeß kann durch geeignete Ansteuerung der Heizelemente für eine Zeitdauer, die für ein Auflösen des Dotierstoffs in der Halbleiterschmelze und eine Homogenisierung derselbigen geeignet ist, angehalten werden. Danach wird die Kristallzüchtung bis zur vollständigen Erstarrung der Halbleiterschmelze fortgesetzt.

Der Zusatz des Dotierstoffes erst nach der Ankeimung bzw. dem Anwachsen an den Keimkristall, oder bevorzugt erst nach dem Abschluß der Erstarrung (größtenteils und vorzugsweise vollständig) im konischen Bereich des Tiegels vermeidet eine starke Unterkühlung der Halbleiterschmelze während des Anwachsens an den Keimkristall und der Erstarrung im konischen Bereich des Tiegels und vermindert dadurch die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Fehlkeimbildungen und Zwillingswachstum in diesen kritischen Abschnitten des Kristallzüchtungsprozesses. Außerdem verkürzt sich die Zeitdauer, die für die Oxidation des Dotierstoffs durch die Abdeckschmelze (Boroxidschmelze) zur Verfügung steht. Dadurch gelingt es, sogar bei hoher Dotierstoffkonzentration die Verunreinigung der Kristalle durch aus der Abdeckschmelze stammenden Verunreinigung (Bor) deutlich zu verringern. Zudem sind verbesserte kristallographische Eigenschaften sichergestellt, insbesondere das Vorliegen einer einzigen kristallographischen Orientierung ohne Fehlorientierungen oder Zwillingskristallbildungen. Darüberhinaus wird die Hallbeweglichkeit günstig beeinflußt. Bei im Vergleich zu durch herkömmliche Verfahren hergestellten Halbleiter-Einkristallen kann die Konzentration von unerwünschten Störstellen, wie die von Bor-Störstellen verringert werden.

In 2 ist für das Beispiel eines Silizium-dotierten Galliumarsenid-Einkristalls, hergestellt nach dem beschriebenen Verfahren, der axiale Verlauf der Siliziumkonzentration, gemessen mittels ICP-AES (inductively coupled plasma atomic emission spectrometry), dargestellt. Ein Vergleich mit dem axialen Verlauf der Siliziumkonzentration in einem nach dem herkömmlichen Verfahren erzeugten Galliumarsenid-Einkristall zeigt, daß die prinzipielle Abhängigkeit der Siliziumkonzentration von der axialen Position im Kristall, ausgedrückt durch den erstarrten Anteil g, zwischen beiden Verfahren gleich ist. Die Siliziumkonzentration in dem nach dem hier beschriebenen Verfahren hergestellten Kristall beträgt jedoch an jeder axialen Position etwa das 2.5fache im Vergleich zur Konzentration in einem Kristall, der nach dem herkömmlichen Verfahren erzeugt wurde, ohne daß die einkristalline Ausbeute verringert wurde. Der erste Meßpunkt in 2 links sowie entsprechend in den weiteren 3–6 bezieht sich auf den Anfang des zylindrischen Bereichs.

3 zeigt einen dementsprechenden Vergleich der Konzentration der Borverunreinigung. Diese Konzentration kann durch das beschriebene Verfahren um den Faktor 2–3 gesenkt werden.

4 zeigt einen dementsprechenden Vergleich des axialen Verlaufs der Ladungsträgerkonzentration. Die Ladungsträgerkonzentration konnte durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens in dem gesamten Teilbereich des Kristalls, der für die Fertigung von Substratwafern verwendet wird, erhöht werden.

Wie 5 und 6 zeigen, ist im Vergleich zum herkömmlich hergestellten Halbleiter-Einkristall nur im erfindungsgemäßen Halbleiter-Einkristall, bezogen auf den jeweiligen Erstarrungspunkt im Kristall, ein relativ niedriger spezifischer elektrischer Widerstand mit einem relativ hohen spezifischen elektrischen Leitfähigkeit kombiniert. Der spezifische elektrische Widerstand und die spezifische elektrische Leitfähigkeit kann nach der Methode von von der Pauw (ASTM F76-86 „Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors") bestimmt werden.

In 7 ist für das Beispiel eines Silizium-dotierten Galliumarsenid-Einkristalls mit großem Durchmesser (hier 100 mm), hergestellt nach dem beschriebenen Verfahren, die Abhängigkeit der Hallbeweglichkeit von der mittels Hallmessung nach ASTM F76-86 „Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors" ermittelten Ladungsträgerkonzentration aufgetragen. Durch die Reduzierung der Borverunreinigung wird die Konzentration an ionisierten Störstellen im Kristall vermindert. Da ionisierte Störstellen als Streuzentren für Ladungsträger fungieren, wird durch ihre Verminderung die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht.

Aus den im Rahmen der Erfindung erhaltenen Ergebnissen kann festgestellt werden, daß bei der Herstellung eines III-V-Halbleitereinkristalls mit einem Durchmesser von mindestens 100 mm, beruhend auf einer vertikal gerichteten Erstarrung einer Schmelze des Halbleitermaterials mit Kontakt zu einer z.B. Boroxid-haltigen Abdeckschmelze, im Gegensatz zum herkömmlichen Verfahren erst mittels der erfindungsgemäßen Technik in einem Bereich der Ladungsträgerkonzentration von mindestens 1,0 × 10¹⁸ cm^–3 und insbesondere in einem Bereich der Ladungsträgerkonzentration von 1,0 × 10¹⁸ cm^–3 bis 2,0 × 10¹⁸ cm^–3, die erfindungsgemäß mit einer Konzentration eines Leitfähigkeit erzeugenden Dotierstoffs von mindestens 1 × 10¹⁸ Atome/cm³ erreichbar ist, die Hallbeweglichkeit mindestens 1900 cm²/Vs beträgt. Noch besser beträgt für den Fall einer Ladungsträgerkonzentration von 1,0 bis 1,2 × 10¹⁸ cm^–3 die Hallbeweglichkeit mehr als 2100 cm²/Vs und für den Fall einer Ladungsträgerkonzentration von über 1,2 × 10¹⁸ cm^–3, und insbesondere bis 2,0 × 10¹⁸ cm^–3, mehr als 1900 cm²/Vs. In einem Bereich der Ladungsträgerkonzentration von 1,3 bis 1,8 × 10¹⁸ cm^–3 beträgt die Hallbeweglichkeit sogar mindestens 2000 cm²/Vs.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Beispiels näher erläutert.
Für einen Vergleich zwischen dem herkömmlichen und dem erfindungsgemäßen Verfahren wurden zwei Tiegel aus pyrolytischem Bornitrid (pBN) mit einer wie in 1 schematisch dargestellten Form (Innendurchmesser ca. 102 mm, Gesamtlänge ca. 230 mm) jeweils mit einem kompakten Körper aus undotiertem Galliumarsenid mit einer Masse von 11 kg befüllt. Für die Ausbildung einer Abdeckschmelze wurde je ein zylindrischer Boroxid-Körper mit einer Masse von 650 g in die Tiegel zugegeben. In den ersten Tiegel wurden als Dotierstoff 3.18 g Silizium in fester Form zugegeben. Diese Menge wurde so bemessen, daß sich nach dem Aufschmelzen und dem Durchführen der Erstarrung der Schmelze am Übergang zwischen dem konischen und dem zylindrischen Bereich des Galliumarsenid-Einkristalls eine Siliziumkonzentration von etwa 2 × 10¹⁸ cm^–3 einstellt. In den zweiten Tiegel wurden nur 0.95 g Silizium, d.h. etwa 30% dieser Menge zugegeben. Der erste Tiegel wurden in einem Ofen erhitzt, bis das zu Beginn feste Galliumarsenid und das Boroxid aufgeschmolzen waren. Durch geeignete Ansteuerung der Heizelemente des Ofens wurde ein vertikaler Temperaturgradient erzeugt. Durch Verschiebung des Temperaturfeldes parallel zur Längsachse des Tiegels wurde die Schmelze beginnend am Keimkristall vollständig erstarrt. Der zweite Tiegel wurde in einem Ofen, der mit einem Behälter 6 und einer Einrichtung 8 zum nachträglichen Zugeben von Dotierstoff in den Tiegel nach 1 ausgestattet war, ebenfalls erhitzt, bis Galliumarsenid und Boroxid aufgeschmolzen waren. In den Behälter 6 war zuvor ein Menge von 1.95 g Silizium in fester Form gegeben worden. Die Erstarrung der Schmelze wurde danach soweit durchgeführt, bis die Erstarrungsfront den Bereich des Übergangs vom konischen zum zylindrischen Teil des Tiegels erreicht hatte. Danach wurde der Behälter 6 mittels der Einrichtung 8 geöffnet, worauf das Silizium in den Tiegel fiel. Anschließend wurde die Erstarrung der Schmelze fortgesetzt.
Die zylindrischen Abschnitte beider Kristalle wurden zu Wafern mit jeweils ca. 100 mm Durchmesser aufgearbeitet. Von dem nach dem herkömmlichen Verfahren hergestellten Kristall wurden neun Vergleichswafer und von dem nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Kristall wurden elf erfindungsgemäße Wafer ausgewählt, jeweils verteilt über verschiedene erstarrte Anteile g des Kristall-Ingots. An diesen Wafern wurde der spezifische elektrische Widerstand, die Hallbeweglichkeit und die Ladungsträgerkonzentration mittels van-der-Pauw- und Hallmessung nach ASTM F76-86 „Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors" und die Gehalte an Silizium und Bor mittels ICP-AES bestimmt. Einstellungen bei der experimentellen Hallmessung nach ASTM F76-86:

– Probenform: quadratisches Plättchen aus dem Waferzentrum; laterale Abmessungen: 17 mm × 17 mm; Dicke 625 μm entsprechend der Waferdicke
– Probentemperatur während der Messung: (22 ± 0.2)°C
– Flußdichte des Magnetfelds: 0.47 T
– Probenstrom: 100 mA.

Die erhaltenen Meßdaten sind in 2–7 dargestellt. Die axiale Position der untersuchten Wafer ist jeweils durch den während des Kristallzüchtungsprozesses an dieser Position erstarrten Anteil g der Galliumarsenidschmelze angegeben.
Wie man aus 2 ersehen kann, ist die Siliziumkonzentration in jedem Wafer des nach dem hier beschriebenen Verfahren hergestellten Kristalls um etwa das 2.5fache höher als in einem Wafer an der entsprechenden axialen Position des nach dem herkömmlichen Verfahren hergestellten Kristalls, obwohl die gesamte zugegebene Menge an Dotierstoff für beide Kristalle annähernd gleich, genau genommen bei der erfindungsgemäßen Probe sogar etwas niedriger war. Die höhere Siliziumkonzentration führt zu einer höheren Ladungsträgerkonzentration (siehe 4), zu einem geringeren spezifischen elektrischen Widerstand (siehe 5) und zu einer höheren elektrischen Leitfähigkeit (siehe 6) des erfindungsgemäßen Kristalls bzw. Wafers. 3 zeigt, daß der Borgehalt trotz im Kristall erzielter höherer Siliziumkonzentration um einen Faktor von 2–3 gesenkt werden konnte. Aufgrund der dadurch verringerten Konzentration kompensierender Defekte wurde die Hallbeweglichkeit erfindungsgemäß signifikant erhöht (siehe 7).
Eine Erhöhung der Hallbeweglichkeit ist bei den erfindungsgemäßen Wafern mit relativ großem Durchmesser insbesondere in einem erwünschten Ladungsträgerkonzentrationsbereich von über 1 × 10¹⁸ cm^–3 und insbesondere im Bereich von 1,0 × 10¹⁸ cm^–3 bis 2,0 × 10¹⁸ cm^–3 von großem Nutzen, weil in diesem Bereich der Ladungsträgerkonzentration, die erfindungsgemäß mit einer Konzentration eines Leitfähigkeit erzeugenden Dotierstoffs von mindestens 1 × 10¹⁸ Atome/cm³ und besser mindestens 1,5 × 10¹⁸ Atome/cm³ erreichbar ist, die Hallbeweglichkeit immer mindestens 1900 cm²/Vs beträgt. Nach besser beträgt für einen Fall einer Ladungsträgerkonzentration von 1,0 bis 1,2 × 10¹⁸ cm^–3 die Hallbeweglichkeit mehr als 2100 cm²/Vs, und für einen Fall einer Ladungsträgerkonzentration von über 1,2 × 10¹⁸ cm^–3, insbesondere im Bereich von 1,3 × 10¹⁸ cm^–3 bis 1,8 × 10¹⁸ cm^–3, mehr als 1900 cm²/Vs und sogar mindestens 2000 cm²/Vs.
Bei den Vergleichswafern werden diese Bedingungen des Verhältnisses von Hallbeweglichkeit zu Ladungsträgerkonzentration nicht eingehalten.

Claims

Verfahren zur Herstellung eines mit einem Dotierstoff dotierten Halbleiter-Einkristalls durch Erstarrung einer Halbleiterschmelze in einem Tiegel, unter Verwendung eines Keimkristalls aus dem gleichen Halbleitermaterial wie der herzustellende Halbleiter-Einkristall, dadurch gekennzeichnet, daß die Menge des Dotierstoffs (7), die zur Einstellung einer gewünschten elektrischen Leitfähigkeit im erzeugten Halbleiter-Einkristall (11) gewählt wird, (a) erst nach dem Anwachsen des gebildeten Halbleiter-Einkristalls (11) an den Keimkristall (5), (b) oder erst nach dem Abschluß der Erstarrung des Halbleiter-Einkristalls (11) zu einem Großteil und vorzugsweise vollständig im konischen Bereich (3) des Tiegels (1) in die Halbleiterschmelze (9) zugegeben wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine geringere Menge des Dotierstoffs als diejenige, die zur Einstellung der gewünschten elektrischen Leitfähigkeit im erzeugten Halbleiter-Einkristall (11) gewählt wird, im Falls (a) bereits vor dem Beginn des Anwachsens des gebildeten Halbleiter-Einkristalls (11) an den Keimkristall (5), oder im Fall (b) bereits vor dem Abschluß der Erstarrung des Halbleiter-Einkristalls (11) im konischen Bereich (3) des Tiegels (1) vorläufig in den Tiegel (1) zugegeben wurde, jedoch höchstens soviel, daß die mit der Dotierung verbundene Unterkühlung der Halbleiterschmelze das einkristalline Wachstum nicht beeinflußt.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die vorläufig zugegebene geringere Menge des Dotierstoffs im Bereich von 1/10tel bis 2/3tel, vorzugsweise im Bereich von 1/5tel bis 1/2 der Menge des Dotierstoffs (7) entspricht, die zur Einstellung der gewünschten elektrischen Leitfähigkeit im erzeugten Halbleiter-Einkristall (11) gewählt wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Dotierstoffs im gesamten konischen Teil (3) des hergestellten Halbleiter-Einkristalls (11) höchstens 1 × 10¹⁸ Atome/cm³, bevorzugt höchstens 6 × 10¹⁷ Atome/cm³, beträgt, und/oder daß die Konzentration des Dotierstoffs im gesamten zylindrischen Teil (2) des hergestellten Halbleiter-Einkristalls (11), gegebenenfalls im daraus gefertigten Substratwafer, mehr als 6 × 10¹⁷ Atome/cm³, bevorzugt mehr als 1 × 10¹⁸ Atome/cm³, beträgt.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschmelze (9) von einer Abdeckschmelze (10) abgedeckt wird, wonach vorzugsweise die Konzentration von aus der Abdeckschmelze stammender Verunreinigung im gesamten zylindrischen Teil des hergestellten Halbleiter-Einkristalls (11), gegebenenfalls im daraus gefertigten Substratwafer, unterhalb von 5 × 10¹⁸ Atome/cm³ liegt.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckschmelze (10) eine Boroxidschmelze ist und die daraus stammende Verunreinigung Bor ist.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der hergestellte Halbleitereinkristall ein Einkristall eines Verbindungshalbleiters, vorzugsweise eines III-V-Verbindungshalbleiters, ist.
Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der hergestellte Einkristall Galliumarsenid als Hauptbestandteil umfasst.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der hergestellte Halbleiter-Einkristall (11), gegebenenfalls ein daraus gefertigter Substratwafer, eine hohe elektrische Leitfähigkeit vom n- oder p-Typ aufweist.
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der hergestellte Halbleiter-Einkristall (11), gegebenenfalls ein daraus gefertigter Substratwafer, eine elektrische Leitfähigkeit von mindestens 250 Siemens/cm und/oder einen spezifischen elektrischen Widerstand von höchstens 4 × 10^–3 Ωcm aufweist.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Zugabe des Dotierstoffs mit festem Dotierstoff (7) erfolgt.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Dotierstoff Silizium in elementarer oder chemisch gebundener Form verwendet wird.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß es nach einem VGF- oder VB-Verfahren durchgeführt wird.
III-V-Halbleiter-Einkristall mit: – einer Konzentration eines Leitfähigkeit erzeugenden Dotierstoffs von mindestens 1 × 10¹⁸ Atome/cm³ und – einer Konzentration einer herstellungsbedingt vorliegenden Verunreinigung von höchstens 5 × 10¹⁸ Atome/cm³, wobei der III-V-Halbleiter-Einkristall eine elektrische Leitfähigkeit von mindestens 250 Siemens/cm und/oder einen spezifischen elektrischen Widerstand von höchstens 4 × 10^–3 Ωcm aufweist.
III-V-Halbleiter-Einkristall gemäß Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, – daß die Konzentration des Leitfähigkeit erzeugenden Dotierstoffs im Bereich von 1 × 10¹⁸ Atome/cm³ bis 5 × 10¹⁹ Atome/cm³, vorzugsweise im Bereich von 2 × 10¹⁸ Atome/cm³ bis 1 × 10¹⁹ Atome/cm³, liegt, und/oder – daß die Konzentration einer herstellungsbedingt vorliegenden Verunreinigung im Bereich von 1 × 10¹⁷ Atome/cm³ bis 5 × 10¹⁸ Atome/cm³, vorzugsweise im Bereich von 1 × 10¹⁷ Atome/cm³ bis 3.5 × 10¹⁸ Atome/cm³, liegt.
III-V-Halbleiter-Einkristall mit einem Durchmesser von mindestens 100 mm und mit: – einer Konzentration eines Leitfähigkeit erzeugenden Dotierstoffs von mindestens 1,0 × 10¹⁸ Atome/cm³ und – einer Ladungsträgerkonzentration von mindestens 1,0 × 10¹⁸ cm^–3, wobei die Hallbeweglichkeit, bestimmt nach ASTM F76-86, für den Fall einer Ladungsträgerkonzentration von 1,0 bis 1,2 × 10¹⁸ cm^–3 mehr als 2100 cm²/Vs beträgt und für den Fall einer Ladungsträgerkonzentration von über 1,2 × 10¹⁸ cm^–3, insbesondere im Bereich bis 2,0 × 10¹⁸ cm^–3, mehr als 1900 cm²/Vs beträgt.
III-V-Halbleiter-Einkristall gemäß Anspruch 16, wobei im Bereich einer Ladungsträgerkonzentration von 1,3 bis 1,8 × 10¹⁸ cm^–3 die Hallbeweglichkeit mindestens 2000 cm²/Vs beträgt.
III-V-Halbleiter-Einkristall gemäß Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration eines Leitfähigkeit erzeugenden Dotierstoffs mindestens 1,5 × 10¹⁸ Atome/cm³ beträgt, und/oder daß eine Konzentration einer herstellungsbedingt vorliegenden Verunreinigung von höchstens 5 × 10¹⁸ Atome/cm³ enthalten ist.
III-V-Halbleiter-Einkristall gemäß einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der die Leitfähigkeit erzeugende Dotierstoff Silizium ist, und/oder daß eine herstellungsbedingt vorliegende Verunreinigung Bor ist.
III-V-Halbleiter-Einkristall gemäß einem der Anspruche 14 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die III-V-Halbleiterverbindung GaAs ist.
III-V-Halbleiter-Einkristall gemäß einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß er nach einem VGF- oder VB-Verfahren mit Abdeckschmelze hergestellt wurde.
III-V-Halbleiter-Einkristall gemäß einem der Ansprüche 14 bis 21, erhältlich nach einem der in den Ansprüchen 1 bis 12 definierten Verfahren.
Substratwafer, gebildet aus einem III-V-Halbleiter-Einkristall gemäß einem der Ansprüche 14 bis 22.